JP2009094191A - Manufacturing method of multilayer wiring board - Google Patents
Manufacturing method of multilayer wiring board Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009094191A JP2009094191A JP2007261777A JP2007261777A JP2009094191A JP 2009094191 A JP2009094191 A JP 2009094191A JP 2007261777 A JP2007261777 A JP 2007261777A JP 2007261777 A JP2007261777 A JP 2007261777A JP 2009094191 A JP2009094191 A JP 2009094191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- circuit board
- alignment mark
- outer layer
- wiring pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
本発明は、内層回路基板上に外層回路基板を1層以上積層して構成される多層配線基板をビルドアップ法により製造する方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer wiring board formed by laminating one or more outer layer circuit boards on an inner layer circuit board by a build-up method.
近年の電気機器は小型化・軽量化が進み、これに用いられる配線基板においても、小型化及び高密度実装化が要求されている。従来のこの種の配線基板としては、例えば、絶縁層と導体層(配線層)とを交互に積み重ねて、多層配線基板を製造するビルドアップ法が知られている。 In recent years, electrical devices have been reduced in size and weight, and the wiring boards used therefor are also required to be reduced in size and mounted in high density. As a conventional wiring board of this type, for example, a build-up method for manufacturing a multilayer wiring board by alternately stacking insulating layers and conductor layers (wiring layers) is known.
一般的なビルドアップ法について説明すると、内層絶縁基板上に配線パターンを形成してなる内層回路基板に、外層絶縁層及び導体層を順番に積層させると共に、外層絶縁層及び導体層に前記配線パターンに連通するビアを形成する。そして、無電解めっき等の手段によってビアの内周を導通化し、給電手段によって導体層及びビアの内周に通電しながら電解めっきを施す。こうして得られた電解めっき層の不要な部分をエッチング等によって除去することにより、所定の導体パターンが形成されて、多層配線基板が製造されるようになっている。 A general build-up method will be described. An outer layer insulating layer and a conductor layer are sequentially stacked on an inner layer circuit board formed by forming a wiring pattern on an inner layer insulating substrate, and the wiring pattern is formed on the outer layer insulating layer and the conductor layer. A via that communicates with is formed. Then, the inner circumference of the via is made conductive by means such as electroless plating, and electrolytic plating is performed while energizing the conductor layer and the inner circumference of the via by the power feeding means. By removing unnecessary portions of the electrolytic plating layer thus obtained by etching or the like, a predetermined conductor pattern is formed, and a multilayer wiring board is manufactured.
ところで、このようなビルドアップ多層配線基板の製造方法では、外層絶縁層に形成するビアの位置や、外層絶縁層の電解めっき層をフォトエッチングして形成する外層配線パターンの位置が、内層回路基板の内層配線パターンに対して、正確に位置合わせされることが要求される。このため、外層絶縁層へのビアの形成や、電解めっき層のフォトエッチングは、内層回路基板又は外層絶縁層に形成されたアライメントマークを基準にして、加工位置を設定するようにしている。 By the way, in such a build-up multilayer wiring board manufacturing method, the position of the via formed in the outer insulating layer and the position of the outer wiring pattern formed by photo-etching the electrolytic plating layer of the outer insulating layer are the inner circuit board. It is required to accurately align with the inner layer wiring pattern. For this reason, in the formation of vias in the outer insulating layer and the photoetching of the electrolytic plating layer, the processing position is set based on the alignment mark formed on the inner circuit board or the outer insulating layer.
例えば、下記特許文献1には、予め貫通孔からなるアライメントマークが設けられた配線パターンを形成したコア基板に、絶縁層及び導体層を積層し、前記アライメントマークを基準として配線パターン並びにビアホールを形成し、絶縁層と配線パターンが交互に積層して設けられた多層プリント配線板の製造方法で、位置合わせ時に、前記基板に予め形成されたアライメントマークとして使用する貫通孔の確認光として波長600nm以上の透過光を使用することを特徴とするプリント配線板の製造方法が開示されている。この方法では、内層回路基板の端部に形成したアライメントマークを基準にして、外層絶縁層のビア及び配線パターンの形成を行うようにしている。 For example, in Patent Document 1 below, an insulating layer and a conductor layer are stacked on a core substrate on which a wiring pattern provided with an alignment mark including a through hole is formed in advance, and a wiring pattern and a via hole are formed using the alignment mark as a reference. In a method for manufacturing a multilayer printed wiring board in which insulating layers and wiring patterns are alternately laminated, a wavelength of 600 nm or more is used as a confirmation light for a through-hole used as an alignment mark formed in advance on the substrate at the time of alignment A method for manufacturing a printed wiring board is disclosed, which uses the transmitted light. In this method, vias and wiring patterns of the outer insulating layer are formed with reference to the alignment mark formed at the end of the inner circuit board.
また、下記特許文献2には、絶縁性基材の両面に銅箔を備えて成る内層コア基板に、その外層として絶縁層及び導体層を積層し、アライメントマークを基準として前記導体層に配線パターンを形成する多層プリント配線板の製造方法において、前記銅箔にアライメントマークを形成する工程と、前記絶縁層の積層前にあらかじめ前記アライメントマークをマスキング材により被覆する工程と、前記導体層の積層後に前記導体層から前記マスキング材まで貫通する切り込み溝を穿設する工程と、前記アライメントマークと符合する位置で前記外層を前記マスキング材と共に除去する工程とを有することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法が開示されている。
しかしながら、上記の従来の方法では、内層回路基板の端部に形成したアライメントマークを基準して、外層絶縁層のビア及び配線パターンの形成を行うようにしているので、外層回路基板の配線パターン形成時に、外層絶縁層が積層された部分と積層されていない部分で加工工程や保管環境における基材の膨張収縮が異なり、これが位置ずれの原因となるという問題があった。特に外層絶縁層のビア形成後の熱的工程や機械的工程、さらに保管状態の温度や湿度により外層絶縁層が積層した範囲と外層絶縁層が積層されていない範囲(内層アライメントマークが存在する)の基板の伸縮に違いが生ずる。このため内層アライメントマークを基準として外層配線パターンを形成すると外層ビアとの間に位置ずれを生じる。従って外層パターンの一部であるビアランドを小さく形成すると外層ビアがランドから外れて不良の原因となり、これを避けるためにランド径を大きくするなど高密度化を阻害する要因となっていた。 However, in the above conventional method, the vias and the wiring pattern of the outer insulating layer are formed on the basis of the alignment marks formed at the end of the inner layer circuit board. Sometimes, the expansion / contraction of the base material in the processing step or storage environment differs between a portion where the outer insulating layer is laminated and a portion where the outer insulating layer is not laminated, which causes a positional shift. In particular, the thermal process and mechanical process after the via formation of the outer insulating layer, the range where the outer insulating layer is laminated by the temperature and humidity in the storage state, and the range where the outer insulating layer is not laminated (the inner alignment mark exists) A difference occurs in the expansion and contraction of the substrate. For this reason, when the outer layer wiring pattern is formed on the basis of the inner layer alignment mark, a positional deviation occurs between the outer layer via. Therefore, if the via land which is a part of the outer layer pattern is formed small, the outer layer via is detached from the land and causes a defect. In order to avoid this, the high density is obstructed by increasing the land diameter.
また、上記の従来の方法では、絶縁層の積層前にあらかじめアライメントマークをマスキング材により被覆する工程と、導体層の積層後に導体層からマスキング材まで貫通する切り込み溝を穿設する工程とが必要であるため、製造工程が煩雑となり製造作業性が悪いという問題が生じる。 Further, in the above conventional method, it is necessary to cover the alignment mark with a masking material in advance before laminating the insulating layer and to form a cut groove penetrating from the conductor layer to the masking material after laminating the conductor layer. As a result, the manufacturing process becomes complicated and the manufacturing workability is poor.
したがって、本発明の目的は、製造工程を煩雑化することなく、外層配線パターンと外層ビアの位置精度を向上する事により、ビアランドを不用に広げる必要が無く高密度配線を可能にする多層配線基板の製造方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a multilayer wiring board that enables high-density wiring without the need to unnecessarily widen via lands by improving the positional accuracy of outer layer wiring patterns and outer layer vias without complicating the manufacturing process. It is in providing the manufacturing method of.
上記目的を達成するため、本発明の多層配線基板の製造方法は、内層絶縁基板の少なくとも片面に内層配線パターンが形成されてなる内層回路基板と、外層絶縁層の、前記内層絶縁基板に対して外側の面に外層配線パターンが形成されてなる外層回路基板とを有し、前記内層回路基板の少なくとも片面に前記外層回路基板が1又は複数層積層されてなる多層配線基板をビルドアップ法により製造する方法において、前記内層回路基板又は該内層回路基板に積層された中間外層回路基板上に前記外層絶縁層を積層した後、前記内層回路基板又は前記中間外層回路基板に形成されたアライメントマークを基準にして、前記外層絶縁層にビア用の穴を形成すると共に、外層アライメントマーク用の穴を形成し、前記穴からなる外層アライメントマークを基準にして、前記外層絶縁層上に外層配線パターンを形成することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention provides an inner layer circuit board in which an inner layer wiring pattern is formed on at least one surface of an inner layer insulating board, and an outer layer insulating layer with respect to the inner layer insulating board. An outer layer circuit board having an outer layer wiring pattern formed on an outer surface, and a multilayer wiring board in which one or more outer layer circuit boards are laminated on at least one side of the inner layer circuit board by a build-up method In this method, after the outer insulating layer is laminated on the inner circuit board or the intermediate outer circuit board laminated on the inner circuit board, the alignment mark formed on the inner circuit board or the intermediate outer circuit board is used as a reference. Forming a hole for a via in the outer insulating layer and a hole for an outer alignment mark, and forming an outer alignment mark formed of the hole. Based on the, and forming an outer layer wiring pattern on the outer insulating layer.
本発明によれば、内層回路基板又は該内層回路基板に積層された中間外層回路基板上に形成されたアライメントマークを基準にして、外層絶縁層にビア用の穴を形成すると共に、外層アライメントマーク用の穴を形成し、この穴からなる外層アライメントマークを基準にして、外層配線パターンを形成することにより、外層アライメントマークと外層配線パターンとの間の位置精度が保たれ、外層配線パターンを正確な位置に形成することができる。即ち、内層回路基板又は中間外層回路基板上に形成されたアライメントマークを基準にして外層絶縁基板にビア用の穴を形成することにより、内層配線パターン及び中間外層配線パターンと、外層ビアとの位置精度を正確に決める事が出来、また同時に形成した外層アライメントマーク用の穴も同様に、内層配線パターン及び中間外層配線パターンと正確な位置精度を有している。また、外層パターンと外層ビアの位置精度においては、外層アライメントマークと外層ビアを同工程にて形成しているため、外層アライメントマークを基準に外層パターンを形成する事により、特に良好に保つ事が可能である。特に外層ビア及び外層アライメントマーク形成後、外層パターン形成までの各種工程や保管環境による基材の伸縮(機械的な研磨工程、熱的工程、めっき工程による内部応力、湿式工程による吸湿などが、特に伸縮を伴い易い工程として考えられる)に対しても、外層アライメントマークと外層ビアが同一の層構成上に存在する為、伸縮の違いによるいわゆる“ずれ”を生じる事がなく影響を最小限に抑える事が可能であり、伸縮が生じてもほぼ均質であるため露光時の倍率補正により容易に位置を一致させる事が可能である。その結果、パターンのずれによる製品不良率を軽減できると共に、ビアとパターンとのずれ吸収の為にランド径を不用に広げる必要が無く、より高密度化された配線パターンに対応させることが可能となる。また、外層絶縁層にビア用の穴を形成するときに外層アライメントマーク用の穴を一緒に形成することにより、製造工程も煩雑化することがない。 According to the present invention, a hole for a via is formed in the outer insulating layer on the basis of the alignment mark formed on the inner layer circuit board or the intermediate outer layer circuit board laminated on the inner layer circuit board, and the outer layer alignment mark is formed. Forming an outer layer wiring pattern on the basis of the outer layer alignment mark made of this hole, the positional accuracy between the outer layer alignment mark and the outer layer wiring pattern is maintained, and the outer layer wiring pattern is accurately Can be formed at any position. That is, the positions of the inner layer wiring pattern, the intermediate outer layer wiring pattern, and the outer layer via are formed by forming a via hole in the outer layer insulating substrate with reference to the alignment mark formed on the inner layer circuit board or the intermediate outer layer circuit board. The accuracy can be determined accurately, and the holes for the outer layer alignment marks formed at the same time have the same positional accuracy as the inner layer wiring pattern and the intermediate outer layer wiring pattern. Also, in the positional accuracy of the outer layer pattern and the outer layer via, since the outer layer alignment mark and the outer layer via are formed in the same process, it can be kept particularly good by forming the outer layer pattern based on the outer layer alignment mark. Is possible. Especially after formation of outer layer via and outer layer alignment mark, expansion and contraction of the substrate due to various processes and storage environment (mechanical polishing process, thermal process, internal stress by plating process, moisture absorption by wet process, etc. (It can be considered as a process that easily expands and contracts), so that the outer layer alignment mark and the outer layer via exist on the same layer structure, so there is no so-called “displacement” due to the difference in expansion and contraction, and the influence is minimized. Even if expansion or contraction occurs, the position is almost uniform, and the position can be easily matched by correcting the magnification at the time of exposure. As a result, the product defect rate due to pattern deviation can be reduced, and it is not necessary to unnecessarily widen the land diameter to absorb the deviation between the via and the pattern, making it possible to cope with higher density wiring patterns. Become. In addition, when forming the via hole in the outer insulating layer, the outer alignment mark hole is formed together so that the manufacturing process is not complicated.
本発明においては、前記内層回路基板又は前記中間外層回路基板に形成されたアライメントマークが、該回路基板の配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークであるか、該回路基板の配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークと同時に形成されたアライメントマークであるか、又は、該回路基板の配線パターンと同時に形成されたアライメントマークであることが好ましい。これらのアライメントマークは、いずれも内層配線パターン又は中間外層配線パターンに対して定められた位置関係にあり、これらのアライメントマークを基準にして、外層ビア及び外層アライメントマーク用の穴を形成することにより、内層配線パターン又は中間外層配線パターンに対して、外層ビア及び外層アライメントマーク用の穴を正確に位置決めすることができる。 In the present invention, the alignment mark formed on the inner circuit board or the intermediate outer circuit board is an alignment mark used as a reference when forming the wiring pattern of the circuit board, or the wiring pattern of the circuit board is formed. It is preferable that the alignment mark is formed at the same time as the reference alignment mark, or the alignment mark is formed at the same time as the wiring pattern of the circuit board. These alignment marks are in a positional relationship defined with respect to the inner layer wiring pattern or the intermediate outer layer wiring pattern, and by forming holes for outer layer vias and outer layer alignment marks based on these alignment marks. The holes for the outer layer via and the outer layer alignment mark can be accurately positioned with respect to the inner layer wiring pattern or the intermediate outer layer wiring pattern.
特に、外層回路基板が複数層積層されてなる多層配線基板をビルドアップ法により製造する方法においては、前記内層回路基板に積層された中間外層回路基板上に前記外層絶縁層を積層した後、前記中間外層回路基板に形成された中間外層アライメントマークを基準にして、前記外層絶縁層にビア用の穴を形成すると共に、外層アライメントマーク用の穴を形成し、前記穴からなる外層アライメントマークを基準にして、外層配線パターンを形成することが好ましい。この場合、中間外層アライメントマークが中間外層配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークであるか、中間外層配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークと同時に形成されたアライメントマークであるか、又は、中間外層配線パターンと同時に形成されたアライメントマークであることが好ましい。これによれば、近接層のパターンとの位置関係を正確に形成する事ができ、高周波回路など下層パターンとの位置関係が重要になる回路基板の形成においては有利である。 In particular, in a method of manufacturing a multilayer wiring board in which a plurality of outer layer circuit boards are laminated by a build-up method, after laminating the outer insulating layer on an intermediate outer layer circuit board laminated on the inner layer circuit board, With reference to an intermediate outer layer alignment mark formed on the intermediate outer layer circuit board, a hole for a via is formed in the outer insulating layer and a hole for the outer layer alignment mark is formed, and the outer layer alignment mark including the hole is used as a reference. Thus, it is preferable to form an outer layer wiring pattern. In this case, the intermediate outer layer alignment mark is an alignment mark used as a reference when forming the intermediate outer layer wiring pattern, an alignment mark formed simultaneously with the alignment mark used as the reference when forming the intermediate outer layer wiring pattern, or The alignment mark is preferably formed simultaneously with the intermediate outer layer wiring pattern. According to this, the positional relationship with the pattern of the adjacent layer can be formed accurately, which is advantageous in the formation of a circuit board in which the positional relationship with the lower layer pattern such as a high frequency circuit is important.
また、本発明においては、前記内層回路基板又は前記中間外層回路基板に形成されたアライメントマークが、該回路基板の、前記外層絶縁層の端縁より外側に延出させた部分に形成されていることが好ましい。この態様によれば、外層絶縁層を積層しても、アライメントマークが隠れてしまうことがないので、外層絶縁層の一部切除などの面倒な工程を伴うことなく、明瞭に認識することが出来る。更に、複数層積層する場合においては共通の内層アライメントマークを基準にして外層アライメントマークを形成してもよいが、中間外層アライメントマークを外層絶縁層の端縁より外側に延出させた部分に形成し、これを基準に外層アライメントマークを形成しても良く、特に最初に形成した内層を基準に順次形成された直下の層のアライメントマークを基準とする事により直下の層の配線パターンと外層ビアをより正確に位置決めする事が出来る。どの層間の精度を重視するかは設計により多様化するので、各層において必要とする精度により使い分ければ何れを用いても良い。 In the present invention, the alignment mark formed on the inner layer circuit board or the intermediate outer layer circuit board is formed on a portion of the circuit board that extends outward from the edge of the outer layer insulating layer. It is preferable. According to this aspect, even if the outer insulating layer is laminated, the alignment mark is not hidden, so that it can be clearly recognized without a troublesome process such as partial removal of the outer insulating layer. . Furthermore, in the case of stacking a plurality of layers, the outer layer alignment mark may be formed with reference to the common inner layer alignment mark, but the intermediate outer layer alignment mark is formed at a portion extending outward from the edge of the outer insulating layer. However, the outer layer alignment mark may be formed on the basis of this, and in particular, the wiring pattern and outer layer via of the immediately lower layer are determined by using the alignment mark of the immediately lower layer sequentially formed with reference to the inner layer formed first. Can be positioned more accurately. Since which interlayer accuracy is important depends on the design, any one may be used as long as it is properly used depending on the accuracy required in each layer.
また、本発明においては、前記ビア用の穴及び前記外層アライメント用の穴を形成した後、各穴の内壁を物理的洗浄によりクリーニング処理することが好ましい。この態様によれば、ビア用の穴の内周の物理的洗浄と同時に、外層アライメント用の穴の内周も物理的洗浄することにより、工程数を増やすことなく、外層アライメント用の穴の形状を正確に形成することができ、アライメントの精度を向上させることができる。 In the present invention, it is preferable that after forming the via hole and the outer layer alignment hole, the inner wall of each hole is cleaned by physical cleaning. According to this aspect, the shape of the hole for the outer layer alignment can be increased without increasing the number of processes by physically cleaning the inner periphery of the hole for the outer layer simultaneously with the physical cleaning of the inner periphery of the hole for the via. Can be formed accurately, and the accuracy of alignment can be improved.
更に、本発明において、前記外層アライメントマークを基準にした外層配線パターンの形成は、フォトレジストによるパターニングの際に、前記外層アライメントマークを基準にして位置合わせしたフォトマスクを用いて露光し現像することにより、所定のレジストパターンを形成することにより行われることが好ましい。 Further, in the present invention, the formation of the outer layer wiring pattern based on the outer layer alignment mark is performed by exposing and developing using a photomask aligned with the outer layer alignment mark as a reference when patterning with a photoresist. Thus, it is preferable to perform this by forming a predetermined resist pattern.
以下、図1〜8を参照して、本発明による多層配線基板の製造方法の一実施態様を説明する。但し、本発明は下記の実施態様により制限されるものではない。 Hereinafter, with reference to FIGS. 1-8, one embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board by this invention is demonstrated. However, this invention is not restrict | limited by the following embodiment.
図1には、本発明の多層配線基板の製造方法によって製造された、多層配線基板1の模式構成断面図が示されている。この実施態様における多層配線基板1は、内層絶縁基板11の表裏両面に内層配線パターン15,15を形成してなる内層回路基板10と、該内層回路基板10の表裏両面に設けられた接着層25,25と、該接着層25,25を介して前記内層回路基板10の表裏両側にそれぞれ積層された外層絶縁層30,30と、該外層絶縁層30,30の表面上にそれぞれ形成された外層配線パターン40,40とからなっている。
FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of a multilayer wiring board 1 manufactured by the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention. In this embodiment, the multilayer wiring board 1 includes an inner
次に、多層配線基板1の各層の構成を更に詳細に説明する。まず、内層回路基板10について説明すると、内層絶縁基板11の表裏両面には、それぞれ導体配線13,13が形成されていて、これらにより所定の内層配線パターン15が設けられている。また、内層絶縁基板11の所定箇所には、丸孔状のビア17(図6参照)が貫通して形成されており、このビア17内に設けた接続部18を介して、内層絶縁基板11の表裏両面に形成された内層配線パターン15,15が電気的に接続されている。
Next, the configuration of each layer of the multilayer wiring board 1 will be described in more detail. First, the inner
上記内層回路基板10は、代表的には、後述する樹脂フィルム等の絶縁材料からなる内層絶縁基板11に、銅箔等の導体材料を貼り合わせて積層させた銅貼り積層板、いわゆるCCL(copper clad laminate)をコア基材として、これにサブトラクティブ法等によって、銅箔等の導体材料の不要な部分をエッチング処理して、必要な導体配線13を残して、所定の内層配線パターン15が形成された形状をなしている。なお、この内層回路基板10は、前述したように、代表的にはエッチング処理を利用したサブトラクティブ法で形成されるが、電解めっきを利用したセミアディティブ法等で形成してもよく、特に限定されるものではない。なお、内層回路基板10は、内層絶縁基板11の片面だけに複数の導体配線13からなる内層配線パターン15を形成してもよいが、本実施態様のように、内層絶縁基板11の表裏両面に複数の導体配線13をそれぞれ設けて、これをビア17内の接続部18を介して、電気的に接続したものであると、高密度化の点から特に有利である。なお、丸孔状のビア17の内径は目的に応じて適宜設定されるが、10〜100μmであることが高密度化の面から好ましく、20〜100μmであることが安定したビア接続の面からより好ましい。また、丸穴状であることが応力分散の面から望ましいが設計に応じて丸以外の形状例えば角穴であっても良い。
The inner
上記の内層絶縁基板11は、その材質は特に限定はしないが、合成樹脂を含んだ成分で形成されていて、その表裏面上に形成される内層配線パターン15を構成する複数の導体配線13は、金属材料から構成されるのが一般的である。内層絶縁基板11としては、例えばポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、液晶フィルム、アラミド、ガラスエポキシ材等を用いる事ができ、特に絶縁層にポリイミドフィルムを用いたものは、耐熱性や寸法安定性に優れ、薄くて強度があり高密度化に適しているだけでなくフレキシビリティーもあるため適用範囲が広く好適である。また、内層絶縁基板11にポリイミドを用いたCCLとしては、ポリイミドフィルムに融着性ポリイミド層を介して銅箔を加熱圧着したものや、銅箔にポリイミド前駆体をキャストして加熱したもの、ポリイミドフィルムに表面処理を施した後に、シード層としてニクロムなどのシード層をスパッタした後、銅をスパッタしたもの、更にその上に電解銅めっきを行って銅箔層を形成したものなどが挙げられる。
The material of the inner
一方、内層配線パターン15を形成する導体配線13の導体材料としては、銅、アルミニウム、金、銀、ニッケル、ステンレスなどの金属箔、金属めっき層(好適には蒸着金属下地層−金属めっき層あるいは化学金属めっき層等の多くの公知技術が適用できる)などを用いることができ、箔の形状で前記内層絶縁基板11上に積層しているもの、或いは、前記内層絶縁基板11の表面にスパッタリングなどの方法により積層しているもの、更に電解めっき層を積層したものなどがあげられるが、いずれの場合も銅を主成分とした金属を用いるのが最も一般的である。なお、内層絶縁基板11上に積層される上記導体材料が、5〜35μmと比較的厚手の箔の場合は、サブトラクティブ法に用いられ、同導体材料が、0.5〜5μmの極薄箔の場合は、セミアディティブ法、或いは、両面の導体配線13,13を、ビア17を介して接続する場合など電解金属めっきを積み上げて用いる場合に適している。また、除去可能なキャリア層を有する極薄銅箔をポリイミドフィルムに融着層を介して加熱圧着したものも用いることも可能であり、特に0.5〜3μmの極薄銅箔の場合には電解銅めっきを積み上げても導体の総厚を抑える事が出来る為、40μmピッチ以下の微細配線の形成に適している。
On the other hand, the conductor material of the
内層絶縁基板11又はそれに導体層や配線パターンを形成した内層回路基板10としては、本製造方法に問題なく使用できるものであればどのような形態でも用いることができるが、テープ形状、ロール状のテープ形状、フィルム状、シート状などのものを用いることが好ましい。特に、後述する直径250mm程度のロール101,107(図9参照)に巻き取り可能である長尺状の基板が好ましく採用される。更に詳しくは、内層回路基板10を構成する内層絶縁基板11の厚みが5〜150μmであって、後述する外層絶縁層30の厚みが5〜50μmである、フレキシブル性を有する基板を用いて、図9に示すロールツーロール法による連続処理を行うことが生産性を高めるために好ましい。
The inner
図1に示すように、上記内層回路基板10の表裏両面には、外層絶縁層30,30が接着層25,25を介して接続されるようになっている。この接着層25は、液状の接着樹脂を前記内層回路基板10上に塗布や、印刷、コーティング等の方法で形成したり、或いは、予め接着樹脂をフィルム状に形成したボンディングシートを、ラミネートやプレス等で内層回路基板10上に形成してもよく、特に限定されるものではない。なお、この実施態様では、接着層25は、外層絶縁層30の表面側に導体層45が貼り合わされてなる、いわゆる片面CCLの裏面側に、ボンディングシートとして貼り合わされている(図2(b)参照)。また、接着樹脂としては、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系、シロキサン系等が用いられ、熱可塑性により充填接着するものや熱可塑性と熱硬化性とを併用するものが採用される。ここで熱硬化性とは必ずしも熱架橋成分などを有していなくとも、加熱によるゲル化や自然架橋により実質的に熱可塑性を失う物も効果は同等であり含まれる。熱可塑性と熱硬化性とを併用するものは、熱可塑性を利用して真空中で短時間加熱プレスして内層配線間の充填を確実に行い、その後まとめて所定時間オーブンで加熱硬化するとプレス装置の占有時間が短く十分な密着強度を得られ有利である。また、この接着層25の厚さとしては、前記内層回路基板10と後述する外層絶縁層30とを貼り合せることができるものであれば、どのような厚みでもよいが、5〜150μmのものが好ましく用いられる。
As shown in FIG. 1, outer insulating
次に、上記接着層25,25を介して内層回路基板10の表裏両面に外層絶縁層30,30、及び、この外層絶縁層30,30の表面上にそれぞれ積層されて形成された外層配線パターン40について説明する。外層絶縁層30としては、前述した内層回路基板10を構成する内層絶縁基板11と同様に、例えば、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、液晶フィルム、アラミド、ガラスエポキシ材等が用いられる。この外層絶縁層30の厚さとしては、前述したように、図9に示すロールツーロール法を採用する観点から、5〜50μmであることが好ましい。
Next, the outer
一方、各外層絶縁層30,30上に形成される外層配線パターン40は、この実施態様の場合、外層絶縁層30,30の表面上に所定パターンでそれぞれ形成された導体層45,45と、この導体層45,45上に形成されためっき導体層50,50とから構成されている。また、各外層絶縁層30の所定箇所には、丸孔状のビア47が貫通するようにしてそれぞれ設けられており、更にこのビア47は、接着層25,25を貫通して、内層回路基板10の表裏両面に設けた内層配線パターン15,15にそれぞれ至る深さで形成されている。そして、ビア47の内周には導通層52が形成されるとともに、ビア47内には導体層45上から連続しためっき導体層50が形成されていて、その一端部が前記内層配線パターン15に当接し、外層配線パターン40と内層配線パターン15とが電気的に接続されている。なお、丸孔状のビア47の内径は適宜設定され、10〜100μmであることが高密度化の面から好ましく、20〜100μmであることが安定したビア接続の面からより好ましい。また、丸穴状であることが応力分散の面から望ましいが設計に応じて丸以外の形状例えば角穴であっても良い。また、この実施態様においては、ビア47は各外層絶縁層30に対して便宜上一個のみ示されているが、実際には高密度化のため複数形成されており、外層配線パターン40は、内層回路基板10の内層配線パターン15に対して、複数箇所で電気的に接続されている。また、層間接続は導電ペーストなどの導電体の充填により独立に達成されても良く、この場合外層配線パターン40は、電気的、機械的特性が十分であれば導体層45だけで構成されてもよく、めっき導体層50は必ずしも必要としない。
On the other hand, in this embodiment, the outer
各導体層45は、前記内層回路基板10の導体配線13の導電材料と同様、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、ニッケル、ステンレスなどの金属箔などが用いられ、好ましくは0.5〜35μmの厚さとされており、後述するめっき導体層50の厚さと合わせて3〜35μmが高配線密度が形成しやすく、電気的、機械的特性を確保する面から好ましい。なお、この実施態様では、図2(b)に示すように、外層絶縁層30の表面側に導体層45を貼着してなる、いわゆる片面CCLが用いられている。また、同外層絶縁層30の裏面側には、前述したように、ボンディングシートとして接着層25が貼着されている。
Each
なお、ここでは外層絶縁層30,30と接着層25,25を個別に準備する方法について記載したが、内層基板に積層した状態で基板の設計上の必要特性を保つ事が出来れば接着層25が外層絶縁層30を兼ねても良い。銅箔に接着樹脂層を形成したいわゆる樹脂付銅箔(RCC)などを用いる事も可能である。
Here, the method of separately preparing the outer insulating
また、上記導体層45の表面に積層されためっき導体層50は、金、銀、銅、ニッケル等の各種めっきが施されるが、この実施態様では、銅めっきが施されるようになっている。この銅めっきからなるめっき導体層50は、1〜25μmの厚さに施されており、前述した導体層45の厚さと合わせて概ね3〜35μmとなるように施されている。
Further, the
次に上記構成からなる多層配線基板1を、本発明の多層配線基板の製造方法によって製造する工程について説明する。図2〜5には、本発明の製造方法の一実施例を工程順に表わす模式構成断面図が示されている。 Next, a process for manufacturing the multilayer wiring board 1 having the above-described configuration by the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention will be described. 2 to 5 are schematic configuration sectional views showing an embodiment of the manufacturing method of the present invention in the order of steps.
図2(a)に示すように、内層回路基板10は、前述したように、内層絶縁基板11の表裏両面に複数の導体配線13からなる内層配線パターン15がそれぞれ形成されており、これがビア17を介して電気的に接続された形状をなしている。また、本発明において、この内層回路基板10は、図2(b)に示すように、接着層25、外層絶縁層30及び導体層45を積層してなる積層体55よりも大きくなるように形成され(すなわち、外層絶縁層30及び導体層45よりも大きい)、外層絶縁層30及び外層配線パターン40の左右両側の周縁部から、所定長さだけ突出した形状をなしている。そして、この突出した部分には、図1に示す製品完成状態においては、切断されて除去される露出導体部20が、内層絶縁基板11の左右両側位置であって、その表裏両面に各々設けられている。
As shown in FIG. 2A, the inner
図6には、この内層回路基板10の製造工程中の平面図が示されている。すなわち、内層回路基板10を形成する内層絶縁基板11は、ロール状のシートをなして製造ラインに連続的に供給され、このシートの両側に送り用の孔14(いわゆるスプロゲットホール)が所定間隔で形成されている。また、内層絶縁基板11のシートの中央部には、導体配線13からなる内層配線パターン15と、ビア17とが形成されている。このビア17内には前述した接続部18が形成される。
FIG. 6 shows a plan view of the inner
そして、図中22は、上記内層配線パターン15や、ビア17を形成する際に基準とした内層アライメントマークである。すなわち、ビア17の形成時に、内層アライメントマーク22を基準にして加工位置を設定する。また、導体配線13からなる内層配線パターン15は、例えば、内層絶縁基板11上に形成された導体層(必要に応じて形成された電解めっき層を含む)をフォトエッチングしてパターン化し、上記フォトエッチングの際に内層アライメントマーク22を基準にしてフォトマスクを位置決めし、露光、現像することによりレジストパターンを形成する。
In the figure,
この内層アライメントマーク22は、内層絶縁基板11への送り用の孔(スプロゲットホール)14の形成時に一緒に機械加工等によって例えば貫通孔として形成することができる。また、スプロゲットホール14を内層アライメントマークとして使用してもよいし、例えばスプロゲットホールを基準としてビア穴加工を行い、あわせて内層アライメントマーク22を形成する事も可能である。また、内層アライメントマーク22の形成の際に、別のアライメントマーク26を形成しておくこともできる。更に、上記内層配線パターン15の形成時に、導体層をドット状に残してまたは除去して、更に別のアライメントマーク27を形成してもよい。アライメントマーク27は、孔ではなく、導体パターンとして形成されるが、ドット状に限らず、十字状、環状等の形状であってもよい。
The inner
次に、図2(b)に示すように、外層絶縁層30の表面側に所定パターンを形成する前の導体層45が積層されていると共に、その裏面側にボンディングシートとして接着層25が貼着された積層体55を、内層回路基板10の表裏両側の所定位置に配置する。このとき、各積層体55は、内層回路基板10の内層アライメントマーク22,22及び露出導体部20,20を覆うことなく、内層配線パターン15,15の少なくとも一部を覆うように配置する。
Next, as shown in FIG. 2B, the
上記状態で、図2(c)に示すように、積層体55,55によって内層回路基板10を挟み込んで、内層回路基板10の表裏両面に接着層25,25を介して、外層絶縁層30及び導体層45が積層される。なお、図2(c)では、内層回路基板10両面の内層配線パターン15,15の全部を覆うように、外層絶縁層30,30を積層しているが、内層配線パターン15の一部を覆うように外層絶縁層30を積層してもよく、内層回路基板10の片面は、その内層配線パターン15の一部を覆い、同内層回路基板10の残る片面は全部覆ってもよい。
In the above state, as shown in FIG. 2 (c), the inner
また、図2(b),(c)に示すように、積層体55は、接着層25、外層絶縁層30及び導体層45とから構成されていればよく、例えば、
1)接着層25、外層絶縁層30及び導体層45とを予め積層した基材、
2)接着層25と、片面に導体層45を有する外層絶縁層30とを別々のフィルムとしたもの、
3)接着層25を予め内層回路基板10に設けて、片面に導体層45を有する外層絶縁層30を上記接着層25に積層したもの、
4)導体層45の内側に接着層25と外層絶縁層30とを兼ねた接着性樹脂層を形成したもの、
などを用いることができる。
Further, as shown in FIGS. 2B and 2C, the
1) a base material in which the
2) The
3) An
4) What formed the adhesive resin layer which served as the
Etc. can be used.
なお、この実施態様においては、外層絶縁層30の表面側に導体層45を貼着してなる、いわゆる片面CCLが用いられて、これが接着層25を介して内層回路基板10に積層されるようになっている。ここで内層回路基板10への積層は、内層回路基板10の少なくとも一方の内層配線パターン15形成面上に、接着層25、外層絶縁層30、導体層45の順に重なるように積層すればよく特に制限はないが、例えば、内層回路基板10の内層配線パターン15形成面上に液状の接着剤を塗布し、外層絶縁層30側が接するように、前記CCLを重ねてプレス硬化すればよい。又は、ボンディングシートをCCLの外層絶縁層30と内層絶縁基板11との間に、内層配線パターン15の一部或いは全部を覆うように重ね合わせ、真空中で加熱プレスしても良い。特に、予めCCLの外層絶縁層30側にボンディングシートを、例えば、ロールラミネーターで積層しておき、必要に応じて外形加工したものを内層回路基板10に仮貼りして、真空中にて加熱プレスすると、正確かつ効率的で多様な積層体55を積層する事ができる。また、内層回路基板10及び積層体55ともに、ロールツーロール搬送の場合は真空中で、内層回路基板10にロールラミネーターで連続的に積層してもよい。逆に、真空中で内層回路基板10にロールラミネーターでボンディングシートを積層したものに、CCLの外層絶縁層30側がボンディングシートに接するようにロールラミネーターやプレス装置で積層してもよい。なお、内層回路基板10の表裏両面に積層体55,55を積層する場合は、上記方法を繰り返しても良いし、途中まで例えば仮貼りまであるいは真空中での加熱プレスまでを表裏個々に行い、以降の工程は同時に行っても良い。また、内層回路基板10及び積層体55ともに、ロールツーロール搬送の場合は、両面同時に真空中でロールラミネーターにて連続積層してもよい。なお、接着層の追加加熱硬化を必要に応じてオーブン中などで行うことができる。
In this embodiment, a so-called single-sided CCL formed by attaching a
次に、上記工程により内層回路基板10に積層体55を積層させたら、内層回路基板10の左右両端の外層絶縁層の端縁より外側に延出させた部分に設けた内層アライメントマーク22,22を基準として、図3(a)に示すように、積層体55,55の、接着層25、外層絶縁層30、及び導体層45の所定箇所に、丸孔状のビア47,47をそれぞれ形成すると共に、外層アライメントマーク57を形成する。こうして、ビア47の形成と同時に外層アライメントマーク57を形成しておき、この外層アライメントマーク57を基準にして外層配線パターン40を形成することにより、外層配線パターン40の位置精度を高めることができる。
Next, when the
図7には、内層回路基板10上に前記積層体55を積層し、ビア47を形成した状態の平面図が示されている。ビア47は、内層回路基板10の内層アライメントマーク22を基準にして、積層体55の1箇所以上に形成することができる。そして、このビア47の形成時に、外層アライメントマーク57用の穴を同時に形成する。なお、ビア47、外層アライメントマーク57は、内層配線パターン15の形成時に基準とした内層アライメントマーク22を基準として形成することができるが、内層配線パターン15形成の際に基準とした上記内層アライメントマーク22と同時に形成されたアライメントマーク26や、内層配線パターン15と同時に形成されたアライメントマーク27を基準として形成することもできる。また、外層アライメントマーク57はアライメントの基準として認識出来ればどのような穴でも良く、図3の57に示されるような止め穴でも良いし、高コントラストな透過光を用いて光学アライメントを行う為に貫通穴としても良い。表裏からともに貫通穴でアライメントマークを形成する場合には重ならない様に位置をずらしても良い。また、このようなプリント配線板の場合、例えば一方の面に半導体チップを搭載しもう一方の面は半田ボールを形成するなど、一方の面のみ特に高密度化が要求される場合も多く、その場合は高密度化が要求される面の外層ビアと同時に貫通穴によるアライメントマークを形成し、高密度化の要求が低い反対側の面もこの貫通穴をアライメントマークとして使用してもよい。
FIG. 7 is a plan view showing a state in which the stacked
なお、上記ビア47、外層アライメントマーク57を形成する場合は、導体層45に先に穴を開け、次に外層絶縁層30及び接着層25に穴を開ける2ステップでもよいし、導体層45、外層絶縁層30及び接着層25に一度に穴を開けるワンステップでもよい。
When the via 47 and the outer
また、上記のビア47、外層アライメントマーク57の形成は、公知の方法で形成することができ、特にレーザー光を用いて加工することが好ましい。ここで用いるレーザー光は炭酸ガスレーザー(波長9.3〜10.6μm)、YAGレーザー(波長1064nm)、YAGレーザーの高調波(3倍波:波長355nm、4倍波:波長266nm)に代表される紫外線レーザーなどが上げられ、また各種ガスによるエキシマレーザー(波長はガス種で異なる)を用いてもよい。
The
前記炭酸ガスレーザーは、現状大きなパワーを得る事が容易であるが、金属の吸収する波長帯とは異なる光である。そのため、金属を直接加工する場合には黒化処理などの表面処理を行う。すなわち、積層体55表面を黒化処理し、その後、ビア47を形成する部位に、ビーム径を絞り込んだパルスレーザー光を照射して、導体層45と外層絶縁層30並びに接着層25を除去して、ビア47を順次形成する。或いは、ビア47を形成する部位を選択的に黒化処理して、レーザー光をスキャンして導体層45と外層絶縁層30並びに接着層25を除去してもよい。ここで導体層45、外層絶縁層30、接着層25は一度に除去してもよいが、内層の熱ダメージを軽減する必要がある場合には、まず導体層45を主体として除去し、次にレーザー光のパワー密度を下げて外層絶縁層30と接着層25を除去することができる。また別の方法としては、ビア47を形成する部位の導体層45をエッチングなどで選択的に除去し、レーザー光をスキャンして接着層25と外層絶縁層30を除去してもよい。
The carbon dioxide laser is easy to obtain a large power at present, but is a light different from the wavelength band absorbed by the metal. For this reason, surface treatment such as blackening is performed when the metal is directly processed. That is, the surface of the
YAGレーザーの高調波に代表される紫外線レーザー光は、金属が吸収する波長帯に属するため、金属の直接加工が可能である。また、主に有機物からなる外層絶縁層30や接着層25の分子結合を直接切断する効果が寄与すると考えられ、主に熱的に除去している炭酸ガスレーザーに比べて加工形状が良い。また、YAGに代表される固体励起レーザーはビーム形状が良く、更に高調波は紫外光と波長が短いためビームを絞り込む事が可能で、内径50μm以下の小径のビア47を形成するのに適している。ビア47を形成する方法としては、積層体55の導体層45表面からビア47を加工する部位に、小径に絞り込んだレーザー光のパルスを照射し、導体層45、外層絶縁層30及び接着層25を除去し、ビア47を形成する。このとき、パルスは複数ショット照射してもよいし、ビーム径に比べて大きな穴の場合には、ショット毎に例えばスパイラル状に走査しても良い。また、導体層45、外層絶縁層30、接着層25は一度に除去してもよいが、内層のダメージを軽減する必要がある場合には、まず導体層45を主体として除去し、次にレーザー光のパワー密度を下げて接着層25と外層絶縁層30を除去してもよく、導体層45除去後に残った導体をマスクにして、焦点を外したレーザー光を照射して、外層絶縁層30と接着層25を除去すると、特に良好な穴形状を得る事ができる。この操作を穴毎に位置を変えて順次繰返し加工する。
Ultraviolet laser light typified by the harmonics of the YAG laser belongs to a wavelength band that is absorbed by the metal, so that the metal can be directly processed. In addition, it is considered that the effect of directly cutting the molecular bonds of the outer insulating
エキシマレーザーはガスレーザーであり、ガス種により発振波長は異なるものの深紫外光を出し、マスクを用いて照射することで、導体層45、外層絶縁層30、接着層25を除去して微小径の穴加工が可能であるが、ランニングコストがかかる為高価な製品用となる。
The excimer laser is a gas laser, which emits deep ultraviolet light, although the oscillation wavelength varies depending on the gas type, and is irradiated with a mask to remove the
また、内層回路基板10の表裏両面に、積層体55,55を形成した場合は、上記のビア47の穴加工を、表裏毎に繰り返せばよい。
Further, when the
更に、ここでは積層体55の導体層45、外層絶縁層30、接着層25を除去して、内層回路基板10の内層配線パターン15の表面までの加工、すなわち標準的ブラインドビアの形成について記載したが、内層回路基板10の裏面側までのビア、或いは内層回路基板10の裏面側の積層体55裏面までのビア、更には貫通孔としてもよく、レーザー光のパワーやショット数で適切に調整すればよい。
Furthermore, here, the
また、積層体55がキャリア層を伴った極薄金属箔の場合、キャリア層を剥離してからビア47を形成してもよいし、剥離する前に形成してもよい。前者の場合、比較的弱いレーザーパワーで金属箔の加工が可能なため、良好な穴形状を得やすく、後者はキャリアごと除去するためレーザーパワーは必要であるが、金属箔表面が保護されている為、レーザー加工による表面の汚染を防止できる。
Moreover, when the
なお、ビア47の形成と同時に外層アライメントマーク57を形成する場合、レーザーは一般にビームを絞って加工を行う為厳密に同時に加工する事は困難であるが、ビア47と外層アライメントマーク57を形成する為の位置決めが同一のアライメントマークを基準に用いた一連の操作によってなされる場合は効果が同じであり、実質的に同時とみなす事ができる。
When the outer
上述のようにして、図3(a)に示すように、積層体55にビア47を形成した後は、各外層アライメントマーク57内、及び、各ビア47内を、過マンガン酸塩溶液などの化学的な洗浄や、ウェットブラスト法などの物理的洗浄により洗浄する。これは、いわゆるデスミア工程と呼ばれるもので、内層回路基板10の内層配線パターン15と、積層体55の導体層45とを電気的に接続するための、めっき導体層50及び導通層52の密着性を上げるためになされ、レーザー加工によって生じた特にビア47内の汚染を除去するものである。前記汚染は主としてレーザーで溶融した接着層25の樹脂成分、外層絶縁層30の樹脂成分並びにこれらの変質物、更には溶融した導体層45のかすが付着してなり、特にビア47の形成により、内層配線パターン15が露出した部分における樹脂成分による汚染は、導通層52やめっき導体層50の密着性を低下させて、電気的接続不良の原因となる。また、外層絶縁層30と接着層25は異なる成分を有する場合、化学的デスミア工程においては、いずれか一方が過剰に侵食されると密着不良や後工程での気泡残りなどにより導通不良の原因となる。これらの不具合防止のため、この実施態様では、ビア47の穴内の洗浄は物理的に行う。物理的洗浄では化学的な作用が無いために、一方が過剰に侵食される事を防止する事ができる。もちろん、硬度などの違いによる微小な差はあるが、物理的な除去量も微小であるため実質的に問題ない。
As described above, as shown in FIG. 3A, after the
具体的な物理洗浄の方法としては、エキシマ光に代表される250nm以下の深紫外光の照射、プラズマ処理、ドライブラスト処理、ウェットブラスト処理があげられる。プラズマ処理は、低圧下でガスを放電させて発生したプラズマにより樹脂をエッチングするものであり、煩雑な真空工程が必要であり、また樹脂のエッチング速度が遅いため激しい汚染には対応できない。ドライブラスト処理は、高圧の空気と共に研磨粉を吹付けて研磨する方法であり、細かな穴内も処理可能であるが噴射後の失速があり研磨力がやや弱く、また粉塵が大量に発生する為に、クリーンルームでの使用に難がある。ウェットブラスト処理は、砥粒と水を混合したスラリーを高圧のエアーでスプレーする方法であり、細かな穴内も処理され、また水に不溶のアルミナ粒子、ジルコニア粒子など硬度が高く研磨力の高い砥粒を用いて、微細な水滴とともに吹付けられ失速も少ない。このため十分な研磨力を発生する事ができ、物理的洗浄方法として特に望ましい。 Specific physical cleaning methods include irradiation with deep ultraviolet light of 250 nm or less typified by excimer light, plasma treatment, drive blast treatment, and wet blast treatment. In the plasma treatment, a resin is etched by plasma generated by discharging a gas under a low pressure, and a complicated vacuum process is required. Further, since the etching rate of the resin is slow, it cannot cope with severe contamination. Drive-last treatment is a method of polishing by blowing abrasive powder together with high-pressure air, and it is possible to treat even fine holes, but there is a stall after injection, the polishing force is somewhat weak, and a large amount of dust is generated. However, it is difficult to use in a clean room. Wet blasting is a method of spraying a slurry mixed with abrasive grains and water with high-pressure air. The fine holes are also treated, and abrasives with high hardness and high polishing power such as water-insoluble alumina particles and zirconia particles. It is sprayed with fine water droplets using grains and has little stall. Therefore, a sufficient polishing force can be generated, which is particularly desirable as a physical cleaning method.
前記のウェットブラスト装置としては、例えば、ビア47、外層アライメントマーク57を形成した図3(a)に示す被処理体を、載置するために磁石で形成された載置部と、前記被処理体上に載置されると共に、砥粒を混入した液体を通過させる所望形状の窓孔を有し、前記載置部に着磁される材料で形成されたマスクとを備えた、装置が挙げられる。そして、前記のウェットブラスト装置において、マスクとして、前記磁石に着磁される金属部材の下側に被処理体の上面に当接するウレタンゴムなどのゴム部材を設け、この金属部材及びゴム部材には前記砥粒を混入した液体を通過させる所望形状の窓孔が形成されているマスクを備えたものが好ましい。このようなウェットブラスト装置は、例えば特開平9−295266号公報に記載されている。
As the wet blasting apparatus, for example, a mounting portion formed of a magnet for mounting the object to be processed shown in FIG. 3A in which the via 47 and the outer
ウェットブラスト法においては、穴あけ加工で生じたバリの除去と、ビア47、外層アライメントマーク57内のクリーニング処理とを同時に行うことが好ましく、例えば、砥粒を混入した液(好ましくは砥粒を5〜20容量%を含むもの)、好適にはアルミナ粒子、ジルコニア粒子など硬度が高く研磨力の高い直径が1〜10μm程度の砥粒を用いて、砥粒と水などの液体とを被処理体の孔に向けて加工エアーとともに約10m〜約300m/秒程度、好ましくは約20〜約100m/秒、さらに好ましくは約30〜約70m/秒の流速で高圧噴射して被処理体を処理することができる。なお、内層回路基板10の表裏両面に、積層体55,55を形成した場合は、空中に担持して両面同時に上記物理洗浄を行うか表裏繰り返せばよい。
In the wet blasting method, it is preferable to simultaneously remove burrs generated by drilling and clean the
上記のようにして、外層アライメントマーク57内及びビア47内の清掃を行ったら、後述する電気めっきに先立って、導体層45と内層回路基板10の内層配線パターン15とを導通させるための、導通化処理を行う。すなわち、図3(b)に示すように、少なくとも各ビア47の内周面、好ましくは、内層回路基板10の表裏両面に積層された積層体55,55の外周面に、無電解金属めっきやダイレクトプレーティング等により、導通層52を生成させることにより、導体層45と内層回路基板10の内層配線パターン15を導通させ、好ましくは導体層45と露出導体部20を導通させ、電解めっきの好ましい給電経路を形成する。なお、図3(b)においては、導通層52が、各外層アライメントマーク57の内周面、積層体55,55の外周面及び各ビア47の内周面だけに形成されているが、導体層との密着性やパターン形成時のエッチング性に問題がなければ導体層45上に施されても良い。
After cleaning the inside of the outer
上記導通化工程は、前述したように、一般的な無電解金属めっき工程やダイレクトプレーティング工程によって行い、これらは両面同時処理が可能である。 As described above, the conduction step is performed by a general electroless metal plating step or direct plating step, and these can be simultaneously processed on both sides.
無電解金属めっきにはニッケル、銅など既知の各種プロセスが適用可能であるが、導体層45の厚付けに多用される電解銅めっきとの密着性が優れる事から、配線基板のビアめっきは主に無電解銅めっきが適している。
Various known processes such as nickel and copper can be applied to the electroless metal plating. However, since the adhesiveness with the electrolytic copper plating frequently used for thickening the
ダイレクトプレーティング法に用いられる材料としては、グラファイト系やパラジウム系などがあり、工程が短く薬液管理が比較的容易であり、特に望ましいプロセスである。特に外層絶縁層30にポリイミドを用いた場合は、パラジウム−スズコロイド触媒を用いてパラジウム−スズの皮膜を得られる、ダイレクトプレーティング法を採用することにより、密着性に優れ環境に対する悪影響も少なくて好適である。
Materials used for the direct plating method include graphite-based and palladium-based materials, which are particularly desirable processes because the process is short and chemical management is relatively easy. In particular, when polyimide is used for the outer insulating
パラジウム−スズコロイド系のダイレクトプレーティング法では、モノエタノールアミン、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等を用いて、穴内の金属及びポリイミドフィルム及び接着層表面を脱脂すると共に、表面状態をコロイドが吸着しやすい状態に整えて、次いで過硫酸ソ−ダ等を用いてソフトエッチングを行った後、塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップする。これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベーティング工程でパラジウム−スズ被膜を形成し、最後に炭酸ソーダ、炭酸カリ及び銅イオンを含む、アルカリアクセラレーター浴及び酸性アクセラレーター浴で活性化する際に、活性化に用いるアルカリ性アクセラレーター浴に還元剤を添加すれば良い。上記工程によりパラジウムを主成分とする導電皮膜が形成される。なお、本工程は液中で基材を処理する事により両面同時に処理されるようになっている。 In the palladium-tin colloidal direct plating method, monoethanolamine, nonionic surfactant, cationic surfactant, etc. are used to degrease the metal and polyimide film and adhesive layer surface in the hole, and the surface state is colloidal. Is then adsorbed easily, and then soft-etched using sodium persulfate soda, and then pre-diped into sodium chloride, hydrochloric acid and the like. After these steps, a palladium-tin film is formed by an activating step of immersing in a palladium-tin colloid solution, and finally, in an alkali accelerator bath and an acidic accelerator bath containing sodium carbonate, potassium carbonate and copper ions. What is necessary is just to add a reducing agent to the alkaline accelerator bath used for activation at the time of activation. A conductive film mainly composed of palladium is formed by the above process. In addition, this process treats both surfaces simultaneously by processing a base material in a liquid.
以上のようにして、内層配線パターン15と導体層45とを導通化させた後、内層回路基板10の導体が露出した部分及びその表裏両面に積層された積層体55,55の導体層ならびに導通層形成部に対して電気めっきを施す。
After the
すなわち、図8に示すように、積層体55,55の左右両側の周縁部から突出した、内層回路基板10両側の突出部分に設けた各露出導体部20を、上下一対ずつ左右に設けた給電ローラ105,105によりそれぞれ挟み込んで、各給電ローラ105を各露出導体部20に接触させる。すると、カソード電極に接続された給電ローラ105を介して、内層回路基板10の露出導体部20がカソード側に印加されると共に、同露出導体部20に導通した積層体55,55外周面の導通層52や、この導通層52に導通する外層絶縁層30表面の導体層45、さらにはこの導体層に導通する外層ビア47内の導通層52がカソード側に印加される。
That is, as shown in FIG. 8, a power supply in which the exposed
その状態で、アノード電極が配設されてイオン化した電解銅めっき液が貯留された図9の103に示すメッキ浴槽中に、内層回路基板10及びその両面に積層された積層体55,55からなるシートを導入すると、前記給電ローラ105によりカソード側に印加された、内層回路基板10の導体が露出した部分及び積層体55の導通層52や導体層45表面に、銅イオンが付着してめっき導体層50が形成される。その結果、内層配線パターン15が、ビア47の内周面に形成されためっき導体層50を介して、外層絶縁層30の導体層45上に形成されためっき導体層50に導通する。そして、このめっき導体層50及びその下地となっている導体層45をパターン化することによって、後述する外層配線パターン40が形成される。
In this state, the inner
このように、内層回路基板10を外層絶縁層30及び導体層45よりも大きく形成して外層絶縁層30及び導体層45の周縁部から少なくとも一部を突出させて、この突出した部分に、外層を形成する積層体55の外周面に一部が接する露出導体部20を設けて、この露出導体部20に給電ローラ105からなる給電手段を接続して、これから電気を供給して、少なくとも外層を形成する積層体55の外周面、導体層45の外表面、及びビア47の内周面に電解めっきを施すことにより、内層配線パターン15と外層配線パターン40となる配線層とを電気的に接続するようになっている(図3(c)参照)。すなわち、導体層45に直接的に給電ローラ105を接触させるのではなく、露出導体部20を介して導体層45に給電するようになっているので、導体層45を損傷させたり汚染させたりすることを防止することができ、内層配線パターン15と外層配線パターン40となる配線層とを電気的に確実に接続することができるとともに、パターン形成時の欠陥発生を抑えることが出来る。
In this way, the inner
なお、上記電気めっき工程においては、給電する際の電流密度は0.1〜50A/dm2に設定され、特に0.5〜10A/dm2に設定されることが所謂ブツやざらつきを防止して良好なめっき仕上がりを得られる。このとき、前述したように、導体層45とめっき導体層50の合計の厚みを概ね20μm以下にすると、後述するエッチングに際してサイドエッチングの影響を抑えることが出来るため、60μmピッチ以下のファインピッチパターンが容易に形成することができる。特に導体層45に0.5〜3μmの極薄銅箔を用いて導体層45とめっき導体層50の合計の厚みを概ね10μm以下にすると40μmピッチ以下の微細配線の形成が容易である。なお、前記電解めっき液中に、含リン銅からなるアノードボールを両面の対向する位置に設置して、アノード電流とともに銅イオンを供給してもよい。また、本工程も、内層回路基板10の表裏両面に積層された積層体55,55が、両面同時に処理される(図8参照)。
In the above electroplating step, the current density at the time of supplying power is set to 0.1 to 50 A / dm 2 , and in particular, it is set to 0.5 to 10 A / dm 2 to prevent so-called bumps and roughness. Good plating finish. At this time, as described above, if the total thickness of the
次に図4(a)に示すように、内層回路基板10の表裏両面の積層体55,55の、前記電解めっき工程により形成されためっき導体層50,50の外表面に対して、外層アライメントマーク57,57を覆うことなく、レジスト層60,60をそれぞれ積層する。このレジスト層60は、外層配線パターン40を形成するために必要なもので、一般的にはフォトレジストを使用する。フォトレジストは、代表的には液状のものを塗布乾燥させる場合と、ドライフィルムタイプのものをラミネートする場合があり、一般的に前者はポジ型が多く、後者はネガ型が多い。ドライフィルムタイプのレジストの方が、形成工程が容易で、ビア47の保護も確実であるので、特に適している。ドライフィルムレジストは一方の面が保護フィルム、他方の面がキャリア保護フィルムで覆われた状態でロール状に巻かれているのが一般的である。そして、ロールラミネーターのロール部で保護フィルムを剥がしつつ、その剥がした側を、各めっき導体層50,50の表面に重ね合わせて、適切な温度と圧力を印加しつつ貼り付ける。ここで、ビア47内部は、ビア47周辺を覆ういわゆるテンティングによって保護される。
Next, as shown in FIG. 4A, the outer layer alignment is performed with respect to the outer surfaces of the plated conductor layers 50 and 50 formed by the electrolytic plating process of the
上記のようにしてレジスト層60を積層した後、外層を形成する積層体55に形成した外層アライメントマーク57,57を基準として、目的とする導体パターンが描かれたフォトマスクを位置合わせして、例えば、高圧水銀ランプを光源とした投影露光機や密着露光機によって露光することにより、導体パターンがレジスト層60に転写される。例えばネガ型のドライフィルムレジストを用いる場合には、導体パターンを形成する部位のフォトマスクが、光が透過するように描かれており、適切な露光量を照射することにより、レジスト層60に導体パターンが感光される。そして、フォトレジストの保護キャリアフィルムを剥離して、例えば炭酸ソーダ水溶液をスプレーで噴射して現像することにより、不用なレジスト層60が除去されて、図4(b)に示すように、目的とする導体パターンとされたレジスト層60のみを残存させる。ネガ型のフォトレジストの場合は、未露光部の即ちパターンを形成しない部位の、レジスト層60が除去され、目的のレジスト層60を得る。
After laminating the resist
このとき、内層回路基板10に設けた内層アライメントマーク22を基準として、フォトマスクを用いて露光し現像するのではなく、外層を形成する積層体55に設けた外層アライメントマーク57を基準として露光することにより、内層アライメントマーク22を利用するよりも、途中工程や保管環境による外層積層体55がある部分と無い部分の基材の伸縮の違いの影響を受けにくくなり、外層配線パターン40の位置精度を向上させることができる。
At this time, exposure is not performed using a photomask with the inner
上記工程にて、レジスト層60を目的とする導体パターンに形成した後、図5(a)に示すように、内層回路基板10及びその表裏両面に積層された積層体55,55に形成された不要なめっき導体層50と導体層45を取り除くべく、エッチングを行う。すなわち、レジスト層60により被覆されためっき導体層50及び導体層45を除いて、それ以外のめっき導体層50及び導体層45を除去する。このエッチングは、例えば、塩化第二鉄溶液に代表されるエッチング液をスプレーにより噴射したり、或いは、エッチング液に浸漬したりして、不要なめっき導体層50及び導体層45を除去し、その結果、図5(a)に示すように、目的とするパターンで形成された、導体層45及びめっき導体層50からなる、外層配線パターン40,40が形成される。
After the resist
上記工程にて、所望の外層配線パターン40を形成した後、図5(b)に示すように、エッチングマスクとして利用したレジスト層60を、例えば、水酸化ナトリウム溶液などの強アルカリ剥離液で除去する。このレジスト除去は、剥離液への浸漬やスプレー噴射により行う。剥離液には有機溶剤系を用いることも可能であるが、ベーパー対策や環境対策が必要であるため、無機アルカリ水溶液であることが望ましい。また、ポジ型レジストを用いる場合は剥離処理に先立ち紫外線照射を行うと確実に剥離する事が出来る。
After forming the desired outer
以上説明したように、この実施態様では、サブトラクティブ法により、外層配線パターン40を形成したが、セミアディティブにより外層配線パターン40を形成してもよい。すなわち、外層配線パターン40を形成したくない部分に、レジスト層60を形成した後、このレジスト層60が形成されていない導体パターンを形成する部分に、電解めっきを施して、めっき導体層50を形成することにより、所望の外層配線パターン40を形成する方法である。この場合、前述した導通化工程した後、レジスト層形成、露光工程、現像工程の各工程を上記工程と同様に行う。その後、上記電解めっき工程で、めっき導体層50を形成して、外層配線パターン部及びビア内部のめっき導体層50を同時に形成しつつ、ビア47を介して内層回路基板10の内層配線パターン15と外層配線パターン40を電気的に接続させる。もちろん、露光工程においては外層アライメントマークを基準としてアライメントを行なう。そして、上記レジスト剥離工程を行った後に、フラッシュエッチングにより、露出した不要な導体層45を除去して、外層配線パターン40を形成するものである。ここで、フラッシュエッチングは、例えば硫酸過酸化水素水や過硫酸塩、薄い塩化第二鉄水溶液に代表される弱いエッチング液をスプレー噴射や浸漬することで実施でき、これらの液は適切な添加剤を加えたものが多数市販されており適切な液を選定使用すればよい。
As described above, in this embodiment, the outer
以上のようにして、図5(b)に示すように、目的の外層配線パターン40からレジスト層60を除去した後、内層回路基板10の外層絶縁層30及び導体層45の周縁部から突出した部分や製品に不要な部位を、適宜切断して除去することにより、図1に示す4層構造の多層配線基板1を製造することができる。
As described above, as shown in FIG. 5B, after removing the resist
なお、上記工程としては、金型を用いて製品形状に打抜いても良いし、レーザー加工により切断してもよい。また、ここでは、4層構造形成直後に外形加工を行っているが、実際に使用する際に切断されていればよく、パターン保護層形成後やニッケル金めっきや錫めっきなどの電極めっき後、更には部品搭載後に切断してもよく、実装上都合が良い時点で切断すればよい。特に、ロールツーロール搬送においてはICチップなどの部品を搭載後、更にはチップ保護部材も搭載して部品として使用可能な状態で個片に切断することも可能である。 In addition, as said process, you may punch to a product shape using a metal mold | die, and you may cut | disconnect by laser processing. Further, here, the outer shape processing is performed immediately after the formation of the four-layer structure, but it may be cut when actually used, after the pattern protective layer formation or after electrode plating such as nickel gold plating or tin plating, Furthermore, it may be cut after mounting the components, and may be cut at a time convenient for mounting. In particular, in roll-to-roll conveyance, after mounting a component such as an IC chip, it is also possible to mount a chip protection member and cut it into individual pieces that can be used as a component.
なお、上記のようにして、内層回路基板10上に外層回路基板を形成した後、この外層回路基板上に、再び接着層25を介して外層絶縁層30を積層し、上記と同様な方法を繰り返すことにより、2層以上の外層回路基板を積層して形成することもできる。このように外層回路基板を複数層形成する場合にも、内層アライメントマーク22を基準にして外層積層体55にビア47を形成する際に外層アライメントマーク57を形成し、この外層アライメントマーク57を基準にして外層配線パターン40を形成することにより、各外層回路基板の外層配線パターン40のパターン精度を高めることができる。
After forming the outer layer circuit board on the inner
又は、内層回路基板10上に形成した外層回路基板並びに外層アライメントマークを中間外層回路基板並びに中間外層のアライメントマークとして、前記と同様に外層絶縁基板を積層した後、前記中間外層回路基板に形成された中間外層アライメントマークを基準にして、前記外層絶縁基板にビア用の穴を形成すると共に、外層アライメントマーク用の穴を形成し、前記穴からなる外層アライメントマークを基準にして、外層配線パターンを形成することができる。特に中間外層アライメントマークが中間外層配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークであるか、中間外層配線パターン形成の際に基準としたアライメントマークと同時に形成されたアライメントマークであるか、又は、中間外層配線パターンと同時に形成されたアライメントマークであれば、近接層のパターンとの位置関係を正確に形成する事ができ、高周波配線層や特に高密度化を必要とする配線層など下層パターンとの位置関係が重要になる回路基板の形成においては有利である。
Alternatively, the outer layer circuit board and the outer layer alignment mark formed on the inner
図10〜14には、本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施態様が示されている。なお、前記実施形態の多層配線基板の製造方法と、実質的に同一部分には同符号を付してその説明を省略する。 10 to 14 show another embodiment of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention. Note that substantially the same parts as those in the manufacturing method of the multilayer wiring board of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
この実施形態によって製造される多層配線基板1aは、図10に示すように、外層絶縁層30の表面上にあらかじめ導体層45が積層されておらず、前記ビア導通の為の導通化処理において外層絶縁層30表面も同時に導通化してめっき導体層50からなる導体層を形成してなり、これが外層配線パターン40をなしている点が、前記実施形態によって製造される多層配線基板1とは異なっている。
As shown in FIG. 10, in the multilayer wiring board 1a manufactured according to this embodiment, the
図11〜14には、その製造方法が工程順に示されているが、その工程は前述した製造方法とほぼ同一である。工程順に説明すると、まず、図11(a)に示すように、内層絶縁基板11の表裏両面にビア17を介して電気的に接続された内層配線パターン15,15が形成された内層回路基板10の表裏両面に、図11(b)に示すように、裏側にボンディングシートとして接着層25が貼着された外層絶縁層30,30を配置する。
FIGS. 11 to 14 show the manufacturing method in the order of steps, but the steps are almost the same as the manufacturing method described above. Explaining in the order of processes, first, as shown in FIG. 11A, the inner
このような接着層25及外層絶縁層30としては、例えば、
1)接着層25と、外層絶縁層30とを予め積層した基材、
2)接着層25と、外層絶縁層30とを別々のフィルムとしたもの、
3)接着層25を予め内層回路基板10に設け、接着層25に外層絶縁層30を積層したもの、
4)接着層25と外層絶縁層30とを兼ねた接着性樹脂をシート状にしたもの
などを用いることができる。
Examples of the
1) a base material in which an
2) The
3) The
4) It is possible to use an adhesive resin that serves as the
上記状態で、図11(c)に示すように、内層回路基板10の両内層配線パターン15,15を覆うようにして、外層絶縁層30,30にて挟み込んで適宜加圧することにより、内層回路基板10の表裏両面に接着層25,25を介して外層絶縁層30,30が積層される。
In the above state, as shown in FIG. 11C, the inner layer circuit is formed by sandwiching the inner
上記工程後、図12(a)に示すように、内層アライメントマーク22を基準にして、導通化のためのビア47をレーザー等により形成する。このとき、ビア47の形成と同時に、外層アライメントマーク57を形成する。
After the above process, as shown in FIG. 12A, a via 47 for electrical connection is formed by a laser or the like using the inner
その後、少なくともビア47内を、化学的または物理的に好ましくは物理的洗浄により洗浄する。なお、この実施形態においては、前記実施形態と比べて、導体層45が予め形成されていないため、比較的弱いエネルギーでビア47を形成することができ、特に外層絶縁層30並びに接着層25に、例えばガラス繊維のような無機物による補強が無い場合は、特に弱いエネルギーで加工が可能である。この場合、ビア47内の加工残渣は少なく、また固着性も弱いため、エキシマ光に代表される250nm以下の深紫外光の照射や、プラズマ処理法による物理的洗浄が、外層絶縁層30の表面を荒らす事が少ないため好ましく採用される。外層アライメントマーク57内は必ずしも洗浄の必要はないが、洗浄されてもよく、付着物による形状変化などの影響を特に減らしたい場合は洗浄すると良い。
Thereafter, at least the inside of the via 47 is cleaned chemically or physically preferably by physical cleaning. In this embodiment, since the
上記のようにビア47内の清掃を行ったら、電解めっきを施す前工程として、前述した発明に準じた導通化処理を施す。すなわち、図12(b)に示すように、外層絶縁層30の表面ならびに外層絶縁層30と接着層25の外周面、及び各ビア47の内周面に、無電解金属めっき等によって、導通層52を生成して、各導通層52を外層基材外周面の導通層52を介して露出導体部20に接続させる。ここでは、前述した発明と異なり外層絶縁層30表面の導通化が必要である為、無電解金属めっきなどの高い導電性が得られる導通化処理方法が望ましい。また、アライメントマーク57の内周面、内層アライメントマーク22の内周面は導通層を形成させても、任意の保護手段により形成させなくてもよい。
After the via 47 is cleaned as described above, a conduction process according to the above-described invention is performed as a pre-process for performing electrolytic plating. That is, as shown in FIG. 12B, the conductive layer is formed on the surface of the outer insulating
上記の無電解金属めっきにはニッケル、銅など既知の各種プロセスが適用可能であるが、バリア層あるいは緩衝層としての無電解ニッケルめっきや無電解金属酸化物めっきなどを行った上に続いて無電解銅めっきを行うと、外層絶縁層30との密着性を高めて、更に密着性を保持できるので好ましい。無電解銅めっきは触媒を付与して銅イオンを還元析出させる方法などがあり、また緩衝層にニッケルなどの金属を用いた場合には金属の表面を銅に置き換える置換銅めっきを用いる事が出来る。特に、外層絶縁層30の表面にセラミック変性又は擬セラミック変性したポリイミドフィルムを用いた場合には、無電解金属酸化物めっきや無電解ニッケルめっきに続いて無電解銅めっきを行う方法が、密着性の保持と絶縁信頼性の高さから特に好ましい。
Various known processes such as nickel and copper can be applied to the above electroless metal plating. However, after electroless nickel plating or electroless metal oxide plating as a barrier layer or buffer layer is performed, no process is performed. It is preferable to perform electrolytic copper plating since the adhesion to the outer insulating
擬セラミック変性したポリイミドフィルム上に無電解金属めっきを行う方法は、例えば特開2005−225228に示された方法により行い、具体的には
1)脱脂・表面調整工程として、例えば、表面調整剤で25〜80℃、15秒〜30分浸漬処理し、
2)触媒付与工程として、例えば、センシタイザー、例えば塩化錫等の水溶性第1錫塩の1〜50g/L、塩酸等の酸5〜100mL含有し、pH1〜5の溶液を用いてセンシタイジング、水洗、キャタリスト、例えば塩化Pd等の水溶性Pd塩0.01〜1g/L、塩酸等の酸0.01〜1mL/Lを含有し、pH1〜5のパラジウム活性化溶液に10〜50℃で5秒〜5分浸漬、あるいは/及び水溶性Ag塩(硝酸銀等)0.1〜2g/L、pH5〜8の銀活性化溶液に10〜50℃で5秒〜5分浸漬して、触媒付与し、
3)無電解めっき用下地処理層形成工程として、亜鉛イオン(硝酸亜鉛等)を0.001〜5mol/L、インジウムイオン(硝酸インジウム等)を0.00001〜0.1mol/L各々含有する処理液に50〜90℃、1分以上浸漬することによって処理して、亜鉛含有酸化インジウム下地層形成し、
その後、一般的な無電解銅めっき工程により導通化層を形成し、具体的には
4)触媒付与工程として、例えば、水溶性Pd塩(塩化Pd等)などの水溶性金属塩の濃度0.01〜1g/L、pH1〜5の水溶液に、10〜80℃で、5秒〜5分間、浸漬、スプレー、塗布法で接触し、
5)無電解金属めっき工程として、例えば、硫酸銅等の水溶性金属塩0.01〜0.5mol/L、ホルムアルデヒド等の還元剤0.1〜1mol/L、EDTA等の錯化剤0.01〜1mol/L含有し、pH9〜14の溶液に、10〜70℃で5〜60分間浸漬することにより、擬セラミック変性したポリイミドフィルム上に無電解金属めっきが施されるようになっている。
The method of performing electroless metal plating on the pseudo-ceramic-modified polyimide film is, for example, the method disclosed in JP-A-2005-225228. Specifically, for example, as a degreasing / surface conditioning step, for example, with a surface conditioning agent Immersion treatment at 25-80 ° C. for 15 seconds-30 minutes,
2) As the catalyst application step, for example, a sensitizer such as 1 to 50 g / L of a water-soluble stannous salt such as tin chloride, 5 to 100 mL of an acid such as hydrochloric acid, and a solution having a pH of 1 to 5 is used. Containing 0.01 to 1 g / L of a water-soluble Pd salt such as Pd chloride, 0.01 to 1 mL / L of hydrochloric acid or the like, and 10 to 10% of a palladium activation solution having a pH of 1 to 5 Immerse at 50 ° C. for 5 seconds to 5 minutes, or / and soak in water-activated Ag salt (silver nitrate, etc.) 0.1-2 g / L, pH 5-8 silver activation solution at 10-50 ° C. for 5 seconds to 5 minutes. Catalyst,
3) As a base treatment layer forming step for electroless plating, a process containing 0.001 to 5 mol / L of zinc ions (such as zinc nitrate) and 0.00001 to 0.1 mol / L of indium ions (such as indium nitrate), respectively. Process by immersing in liquid at 50 to 90 ° C. for 1 minute or more to form a zinc-containing indium oxide underlayer,
Thereafter, a conductive layer is formed by a general electroless copper plating process. Specifically, as a catalyst application process, for example, the concentration of a water-soluble metal salt such as a water-soluble Pd salt (such as Pd chloride) is 0. In contact with an aqueous solution of 01 to 1 g / L, pH 1 to 5 at 10 to 80 ° C. for 5 seconds to 5 minutes by dipping, spraying or coating,
5) As an electroless metal plating step, for example, a water-soluble metal salt such as copper sulfate 0.01 to 0.5 mol / L, a reducing agent 0.1 to 1 mol / L such as formaldehyde, a complexing agent such as EDTA 0. Electroless metal plating is applied to the pseudo-ceramic modified polyimide film by immersing it in a solution containing 01-1 mol / L and pH 9-14 at 10-70 ° C. for 5-60 minutes. .
上記工程後、図12(b)に示すように、上下一対の給電ローラ105,105からなる給電手段によって、接着層25及び外層絶縁層30の左右両側の周縁部から突出した露出導体部20,20を挟み込んで、各露出導体部20に各給電ローラ105を接触させ、この給電ローラ105を介して電気を供給する。すると、電流が露出導体部20に接した外層外周面の導通層52を介して、外層絶縁層30の表面、及び各ビア47の内周面に形成された導通層、ビア底である内層導体露出部にカソード側の電圧が印加され、メッキ浴層103中の銅イオンが各面上に付着して、めっき導体層50が形成される(図12(c)参照)。
After the above process, as shown in FIG. 12 (b), the exposed
上記工程後、図13(a)に示すように、めっき導体層50上にレジスト層60を積層させて、外層アライメントマーク57を基準して、フォトマスクを位置合わせし、目的のパターンを露光した後、図13(b)に示すように不要なレジスト層60を現像して除去する。その工程後、図14(a)に示すように、不要なめっき導体層50及び導通層52をエッチングして取り除いて、目的とする外層配線パターン40を形成する。更に、図14(b)に示すように、エッチングマスクとして使用したレジスト層60を、強アルカリ剥離液で除去し、内層回路基板10の不要な部分を切断して除去することにより、図10に示す多層配線基板1aを製造することができる。
After the above steps, as shown in FIG. 13A, a resist
ここではサブトラクティブ法により、外層配線パターン40を形成したが、もちろん前記同様にセミアディティブ法により外層配線パターン40を形成してもよい。この場合、前述した無電解金属めっき等によって、導通層52を形成した後、レジスト層形成、露光工程、現像工程の各工程を上記工程と同様に行う。その後、上記電解めっき工程で、めっき導体層50を形成して、外層配線パターン部及びビア内部のめっき導体層50を同時に形成しつつ、ビア47を介して内層回路基板10の内層配線パターン15と外層配線パターン40を電気的に接続させる。もちろん、露光工程においては外層アライメントマークを基準としてアライメントを行なう。そして、上記レジスト剥離工程を行った後に、フラッシュエッチングにより、露出した不要な導通層52を除去して、外層配線パターン40を形成するものである。
Here, the outer
この実施形態においても、内層回路基板10に形成した内層アライメントマーク22を基準して、外層絶縁層30上にビア47を形成する際に、同時に外層アライメントマーク57を形成し、この外層アライメントマーク57を基準にして、外層配線パターン40を形成するようにしたので、途中工程や保管環境による外層積層体55がある部分と無い部分の基材の伸縮の違いの影響を受けにくくなり、外層配線パターン40の位置精度を向上させることができる。
Also in this embodiment, when forming the via 47 on the outer insulating
1,1a 多層配線基板
10 内層回路基板
11 内層絶縁基板
13 導体配線
15 内層配線パターン
17 ビア
18 接続部
20 露出導体部
22,26,27 内層アライメントマーク
25 接着層
30 外層絶縁層
40 外層配線パターン
45 導体層
47 ビア
50 めっき導体層
52 導通層
55 積層体
57 外層アライメントマーク
60 レジスト層
105 給電ローラ
1, 1a
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007261777A JP2009094191A (en) | 2007-10-05 | 2007-10-05 | Manufacturing method of multilayer wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007261777A JP2009094191A (en) | 2007-10-05 | 2007-10-05 | Manufacturing method of multilayer wiring board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009094191A true JP2009094191A (en) | 2009-04-30 |
Family
ID=40665909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007261777A Pending JP2009094191A (en) | 2007-10-05 | 2007-10-05 | Manufacturing method of multilayer wiring board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009094191A (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012029865A1 (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 富士フイルム株式会社 | Method for manufacturing multilayer wiring board |
WO2014104328A1 (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 日立化成株式会社 | Layered body with support substrate, method for fabricating same, and method for fabricating multi-layer wiring substrate |
JP2014146710A (en) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Canon Components Inc | Resist peeling device and method for manufacturing flexible printed wiring board |
JP2015162678A (en) * | 2014-02-25 | 2015-09-07 | 財團法人工業技術研究院Industrial Technology Research Institute | Flexible substrate embedded with wiring and manufacturing method of the same |
JP2015177164A (en) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | 日本メクトロン株式会社 | Manufacturing method of flexible printed circuit board, and intermediate product used for manufacturing flexible printed circuit board |
TWI617223B (en) * | 2014-02-25 | 2018-03-01 | 財團法人工業技術研究院 | Flexible substrate embedded with wires and method for fabricating the same |
JPWO2017110404A1 (en) * | 2015-12-25 | 2018-05-10 | 三井金属鉱業株式会社 | Copper foil with carrier, copper foil with resin, and method for producing printed wiring board |
WO2024084994A1 (en) * | 2022-10-20 | 2024-04-25 | 住友電気工業株式会社 | Printed wiring board |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270848A (en) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Sharp Corp | Built-up multilayered printed wiring board and its manufacture |
JP2002033584A (en) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacturing method for multilayer printed-wiring board |
JP2003115661A (en) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing multilayer circuit board |
JP2005268568A (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Cmk Corp | Production method of multilayer printed wiring board |
JP2006100525A (en) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacturing method for multilayer printed-wiring board |
JP2006237088A (en) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Method of manufacturing multilayer printed wiring board |
-
2007
- 2007-10-05 JP JP2007261777A patent/JP2009094191A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270848A (en) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Sharp Corp | Built-up multilayered printed wiring board and its manufacture |
JP2002033584A (en) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacturing method for multilayer printed-wiring board |
JP2003115661A (en) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing multilayer circuit board |
JP2005268568A (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Cmk Corp | Production method of multilayer printed wiring board |
JP2006100525A (en) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacturing method for multilayer printed-wiring board |
JP2006237088A (en) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Method of manufacturing multilayer printed wiring board |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012029865A1 (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 富士フイルム株式会社 | Method for manufacturing multilayer wiring board |
US9554456B2 (en) | 2012-12-28 | 2017-01-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Layered body with support substrate, method for fabricating same, and method for fabricating multi-layer wiring substrate |
CN104885581A (en) * | 2012-12-28 | 2015-09-02 | 日立化成株式会社 | Layered body with support substrate, method for fabricating same, and method for fabricating multi-layer wiring substrate |
WO2014104328A1 (en) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 日立化成株式会社 | Layered body with support substrate, method for fabricating same, and method for fabricating multi-layer wiring substrate |
JP2014146710A (en) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Canon Components Inc | Resist peeling device and method for manufacturing flexible printed wiring board |
TWI617223B (en) * | 2014-02-25 | 2018-03-01 | 財團法人工業技術研究院 | Flexible substrate embedded with wires and method for fabricating the same |
JP2015162678A (en) * | 2014-02-25 | 2015-09-07 | 財團法人工業技術研究院Industrial Technology Research Institute | Flexible substrate embedded with wiring and manufacturing method of the same |
US9707706B2 (en) | 2014-02-25 | 2017-07-18 | Industrial Technology Research Institute | Flexible substrate embedded with wires and method for fabricating the same |
JP2015177164A (en) * | 2014-03-18 | 2015-10-05 | 日本メクトロン株式会社 | Manufacturing method of flexible printed circuit board, and intermediate product used for manufacturing flexible printed circuit board |
TWI637674B (en) * | 2014-03-18 | 2018-10-01 | 日商日本美可多龍股份有限公司 | Method for manufacturing flexible printed circuit board and intermediate product thereof |
JPWO2017110404A1 (en) * | 2015-12-25 | 2018-05-10 | 三井金属鉱業株式会社 | Copper foil with carrier, copper foil with resin, and method for producing printed wiring board |
CN108349208A (en) * | 2015-12-25 | 2018-07-31 | 三井金属矿业株式会社 | Manufacturing method with carrier copper foil, resin copper foil and printed circuit board |
US10772219B2 (en) | 2015-12-25 | 2020-09-08 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Copper foil with carrier, copper foil with resin and method for manufacturing printed wiring board |
CN108349208B (en) * | 2015-12-25 | 2021-04-20 | 三井金属矿业株式会社 | Copper foil with carrier, copper foil with resin, and method for manufacturing printed wiring board |
WO2024084994A1 (en) * | 2022-10-20 | 2024-04-25 | 住友電気工業株式会社 | Printed wiring board |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4481854B2 (en) | Ball grid array substrate having window and manufacturing method thereof | |
TWI383719B (en) | Printed wiring board and manufacturing method thereof | |
JP4126038B2 (en) | BGA package substrate and manufacturing method thereof | |
JP2009094191A (en) | Manufacturing method of multilayer wiring board | |
CN111010813B (en) | Embedding traces | |
JP2006093650A (en) | Manufacturing method of package substrate using electroless nickel plating | |
US11266025B2 (en) | Electronic-component manufacturing method and electronic components | |
JP5046350B2 (en) | Manufacturing method of electronic parts adopting wet etching, electronic parts and hard disk suspension | |
JP2005322868A (en) | Method for electrolytic gold plating of printed circuit board | |
TWI481329B (en) | Through hole forming method and printed circuit board manufacturing method | |
JP5125183B2 (en) | Manufacturing method of build-up multilayer wiring board | |
JP4489899B2 (en) | Method for manufacturing double-sided circuit board for multilayer printed wiring board | |
JP4508140B2 (en) | Built-in module | |
JP2015195364A (en) | Manufacturing method of laminate structure | |
JP2006093493A (en) | Printed wiring board with built-in part and method of manufacturing the same | |
CN115379653A (en) | Method for manufacturing circuit board by laser drilling and coarsening insulating base material by using pattern track | |
JP5130874B2 (en) | Manufacturing method of multilayer wiring board | |
JP5246521B2 (en) | Manufacturing method of electronic parts adopting wet etching, electronic parts and hard disk suspension | |
JP2000261149A (en) | Mutilayer printed wiring board and manufacture thereof | |
JP2007116191A (en) | Method for electrically connecting metal layers in both sides of polyimide film in laminated body having metal layers in both sides of polyimide film | |
JP2000269647A (en) | Single-side circuit board, multilayer printed wiring board and manufacture thereof | |
JP2009016518A (en) | Multilayer wiring board | |
JP5040346B2 (en) | Method for manufacturing printed wiring board | |
JP4508141B2 (en) | Stainless steel transfer substrate, stainless steel transfer substrate with plating circuit layer | |
JP2002134918A (en) | Method for manufacturing multilayer printed wiring board |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100721 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120117 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120522 |