JP2009088531A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 半導体光源（３）と少なくとも１つの光導波体（１）とを有しており、
   該少なくとも１つの光導波体の一方の端部に変換素子（２）が配置されており、該少なくとも１つの光導波体の他方の端部に前記半導体光源（３）が配置されており、
   前記光導波体（１）は前記変換素子の熱を放出する熱伝導層（４）を有しており、
   該熱伝導層（４）は、金属を含み、かつ、少なくとも１０ｍｍ、多くとも５０ｍｍの長さ（Ｌ）を有しており、かつ、前記光導波体（１）のうち前記変換素子側の端部を完全に覆っている
   ことを特徴とする光源。
2. 前記半導体光源はレーザーダイオードである、請求項１記載の光源。
3. 前記半導体光源は青色の１次放射を前記光導波体（１）へ入力する、請求項１または２記載の光源。
4. 前記光導波体（１）の端面は前記変換素子によって完全にコーティングされている、請求項１から３までのいずれか１項記載の光源。
5. 前記熱伝導層（４）は前記光導波体（１）および前記変換素子（２）に直接に接触している、請求項１記載の光源。
6. 前記熱伝導層（４）は金またはアルミニウムを含む、請求項１または５記載の光源。
7. 前記熱伝導層（４）は金から成り、少なくとも２０ｍｍ、多くとも３０ｍｍの長さ（Ｌ）を有する、請求項１または５または６記載の光源。
8. 前記熱伝導層はアルミニウムから成り、少なくとも３０ｍｍ、多くとも４０ｍｍの長さ（Ｌ）を有する、請求項１または５または６または７記載の光源。
9. 前記熱伝導層（４）は金から成り、少なくとも３０μｍの厚さを有する、請求項７記載の光源。
10. 前記熱伝導層（４）はアルミニウムから成り、少なくとも５０μｍの厚さを有する、請求項８記載の光源。
11. 複数の光導波体（１）および１つの半導体光源（３）を有しており、全ての光導波体が光学的に前記半導体光源に接続されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の光源。
12. １つの半導体光源（３）と複数の光導波体とを有しており、
    各光導波体の一方の端部に１つずつ変換素子が配置されており、各光導波体の他方の端部に前記半導体光源（３）が配置されており、
    各光導波体（１）は各変換素子の熱を放出する熱伝導層（４）を１つずつ有しており、
    該熱伝導層（４）は、各光導波体（１）の各変換素子側の端部を完全に覆っている
    ことを特徴とする光源。