JP2009088357A - Removing device and removing method for protective tape - Google Patents

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明徳 榊原
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To remove a protective tape without breaking a wafer by suppressing peeling force concentrating when the protective tape begins to be peeled. <P>SOLUTION: A removing device 100 has a peeling tape unit 20. The unit 20 lowers guide rollers 12 and 14 to stick the peeling tape H on a top surface of the protective tape, having a cut reaching an edge of the semiconductor wafer W, within a range including the cut. Further, the unit 20 moves the guide roller 12 toward the guide roller 14 to draw the peeling tape so that the protective tape united with the peeling tape H is peeled from the edge of the semiconductor wafer W on both sides of the cut. The protective tape begins to be peeled at two places on both the sides of the edge Ca of the wafer W. The place where the protective tape begins to be peeled can be dispersed to the two places, so when the protective tape is peeled, the peeling force applied to the wafer can be dispersed and the wafer is not broken. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウェーハの表面に貼着されている保護テープを除去する装置と方法に関する。   The present invention relates to an apparatus and a method for removing a protective tape adhered to a surface of a semiconductor wafer.

半導体装置を製造する工程のひとつに、表面に素子構造が形成された半導体ウェーハ(以下、単にウェーハと称する)の裏面を研摩する工程がある。裏面研摩の際に素子構造を保護するために、ウェーハの表面に保護テープが貼着される。ウェーハ表面を保護テープで保護した場合、裏面研摩後にウェーハの表面から保護テープを剥がす必要がある。ウェーハから保護テープを引き剥がす力(この力を剥離力と称する)によって、ウェーハが損傷する虞がある。ウェーハの薄板化が進行しており、ウェーハが損傷する虞が深刻な問題となっている。
保護テープをウェーハから剥がすために、保護テープの除去装置が用いられる。この装置では、ウェーハの表面に貼着された保護テープの上面に剥離テープを貼着し、剥離テープを引き剥がすことによって剥離テープと一緒に保護テープをウェーハから引き剥がす。剥離テープを用いて保護テープを除去する際に、ウェーハを損傷させ難い除去装置が特許文献1に開示されている。
特許文献1の除去装置では、ウェーハ上に格子状に形成されている多数の素子構造のうちの1つの素子構造の角部が剥離の起点となるように、剥離テープと保護テープを一緒に剥がし始める。そして、ウェーハから保護テープが剥離されている部分と剥離されていない部分の境界線(剥離境界線)が、ダイシング用の溝(多数の素子構造の間を格子状に伸びている溝)と平行とならない方向に保護テープを剥がしていく。剥離力(保護テープをウェーハから剥がすのに必要な力)は、剥離境界線に沿ってウェーハに加わるところ、特許文献1の除去装置では、剥離力がウェーハの溝に沿って加わることがない。ウェーハの溝に沿って剥離力が加わるとウェーハが割れやすいのに対し、剥離境界線とダイシング用の溝が交差しているとウェーハが割れにくい。特許文献1の除去装置によると、ウェーハが割れにくい。
One of the processes for manufacturing a semiconductor device is a process of polishing the back surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) having an element structure formed on the surface. In order to protect the device structure during backside polishing, a protective tape is attached to the surface of the wafer. When the wafer surface is protected with a protective tape, it is necessary to remove the protective tape from the surface of the wafer after backside polishing. There is a possibility that the wafer is damaged by a force for peeling off the protective tape from the wafer (this force is referred to as a peeling force). As wafers are becoming thinner, there is a serious problem that the wafer may be damaged.
In order to peel off the protective tape from the wafer, a protective tape removing device is used. In this apparatus, the release tape is attached to the upper surface of the protective tape attached to the surface of the wafer, and the protective tape is peeled off from the wafer together with the release tape by peeling off the release tape. Patent Document 1 discloses a removing device that is difficult to damage a wafer when a protective tape is removed using a release tape.
In the removal apparatus of Patent Document 1, the peeling tape and the protective tape are peeled together so that the corner of one element structure of many element structures formed in a lattice shape on the wafer becomes the starting point of peeling. start. And the boundary line (peeling boundary line) between the part where the protective tape is peeled off from the wafer and the part where it is not peeled off (peeling boundary line) is parallel to the dicing grooves (grooves extending in a lattice pattern between many element structures) Remove the protective tape in the direction that does not. The peeling force (the force necessary to peel off the protective tape from the wafer) is applied to the wafer along the peeling boundary line. However, in the removing device of Patent Document 1, the peeling force is not applied along the groove of the wafer. When a peeling force is applied along the groove of the wafer, the wafer is easily broken, whereas when the peeling boundary line and the dicing groove intersect, the wafer is difficult to break. According to the removal device of Patent Document 1, the wafer is difficult to break.

特開2004−165570号公報JP 2004-165570 A

ウェーハは円形であるので、剥離テープを引っ張って剥離テープとともに保護テープを剥がすときに、保護テープはウェーハの縁部の一点からウェーハの中心に向かって剥がれていく。このとき、剥離力は、剥がれ始める一点に集中するため、ウェーハが破損し易くなってしまう。
特許文献1の技術では、保護テープを剥がし始めるときに剥がれ始める一点に剥離力が集中してしまうことを回避できない。
保護テープを剥がし始める際に剥がれ始める点に集中する剥離力を抑制してウェーハを破損させることなく保護テープを除去する技術が望まれている。
Since the wafer is circular, when the peeling tape is pulled to peel off the protective tape together with the peeling tape, the protective tape is peeled from one point on the edge of the wafer toward the center of the wafer. At this time, the peeling force is concentrated at one point where the peeling starts, so that the wafer is easily damaged.
In the technique of Patent Document 1, it cannot be avoided that the peeling force is concentrated at one point where the protective tape starts to be peeled off.
There is a demand for a technique for removing the protective tape without damaging the wafer by suppressing the peeling force concentrated on the point at which the protective tape starts to be peeled off.

本発明では、剥がれ始める点を複数個所に分散させる。剥がれ始める点を複数個所に分散させると、剥がれ始める一点一点に集中する剥離力を減少させることができる。剥がれ始める一点一点に集中する剥離力を減少させることによって、ウェーハを損傷させることなく保護テープを除去することが可能となる。
本発明は、保護テープの除去装置に具現化できる。この除去装置は、半導体ウェーハの縁部に達する切込が形成されている保護テープの切込を含む範囲の上面に剥離テープを貼着するテープ貼着ユニットと、剥離テープを引っ張るテープ除去ユニットを備えている。テープ除去ユニットは、剥離テープと一体となった保護テープが切込の両側で半導体ウェーハの縁部から剥がれ始め、その後に保護テープが半導体ウェーハから剥がれる剥離境界線が半導体ウェーハの径方向に沿って(直径に沿って)進行するように剥離テープを引っ張る。
剥離境界線は直線でなくてもよく、曲線であってもよい。剥離境界線の全体が半導体ウェーハの径方向に沿って進行し、剥離し始めた縁部から直径を挟んで向かい合う縁部に至るまで剥離することを、剥離境界線が半導体ウェーハの直径に沿って進行するという。
In the present invention, the points at which peeling starts are dispersed at a plurality of locations. If the points at which peeling starts are dispersed at a plurality of locations, the peeling force concentrated at each point at which peeling begins can be reduced. By reducing the peeling force concentrated at every point at which peeling begins, the protective tape can be removed without damaging the wafer.
The present invention can be embodied in a protective tape removing device. This removing device includes a tape adhering unit for adhering a peeling tape to an upper surface in a range including a cut of a protective tape in which a notch reaching an edge of a semiconductor wafer is formed, and a tape removing unit for pulling the peeling tape. I have. The tape removal unit has a peeling boundary line along the radial direction of the semiconductor wafer where the protective tape integrated with the peeling tape begins to peel from the edge of the semiconductor wafer on both sides of the cut, and then the protective tape is peeled off from the semiconductor wafer. Pull the release tape to travel (along the diameter).
The peeling boundary line may not be a straight line but may be a curved line. The entire peeling boundary line advances along the radial direction of the semiconductor wafer, and the peeling boundary line extends along the diameter of the semiconductor wafer from the edge that started peeling to the opposite edge across the diameter. It is said to progress.

この除去装置によれば、切込の左右両側に位置するウェーハ縁部の2箇所から保護テープが剥がれ始める。従って、保護テープを剥離し始めるのに要する剥離力は2箇所に分散する。各々の剥離開始位置においてウェーハに作用する剥離力が低減され、ウェーハの損傷を防止することができる。
ウェーハ端部と切込の交差する点の付近に剥離力を加えると、剥離力は切込の両側に分散し、保護テープは2箇所から剥がれ始める。これは次の理由による。
保護テープは、ウェーハを確実に保護するために、破れ難い材質で形成されている。そのため、保護テープは比較的曲がり難い。従って、保護テープは、剥離境界線で鋭角に屈曲することなく、緩やかに湾曲した状態でウェーハから剥がれていく。すなわち、保護テープは、厳密には剥離境界線で線状に剥がれるのではなく、剥離境界線から未剥離の側への所定の領域が半導体ウェーハから面状に同時に剥がれていく。
切込のない保護テープをウェーハの端部から剥がし始める場合、ウェーハの端部の一点からウェーハ面状に扇状に広がる所定の領域が同時に剥がれ始めることになる。換言すれば、保護テープは、ウェーハの端部の一点から剥がれ始める。これは、剥離テープを引っ張る力(剥離力)が、ウェーハの縁部の一点から均等に扇状に拡がるからである。
他方、ウェーハ縁部に達する切込を有する保護テープの切込付近から剥がし始める場合、切込の両側で保護テープが別々に剥がれることができるため、面状に剥がれる領域が切込の両側に独立に形成される。剥がれ始める点は、ウェーハ端部と切込の交点ではなく、その交点からウェーハの縁に沿ってずれた位置となる。即ち、保護テープは切込の両側の2点から剥がれ始める。これは、剥離テープを引っ張る力が、切込の両側で夫々別個に均等に広がろうとすると、ウェーハの縁部と切込が交差する位置ではなく、その位置からウェーハの縁に沿ってずれた位置となるからである。
According to this removing apparatus, the protective tape starts to peel off from two locations on the wafer edge located on the left and right sides of the cut. Therefore, the peeling force required to start peeling the protective tape is dispersed in two places. The peeling force acting on the wafer at each peeling start position is reduced, and damage to the wafer can be prevented.
When a peeling force is applied in the vicinity of the point where the wafer edge and the cut intersect, the peeling force is dispersed on both sides of the cut and the protective tape starts to peel off at two locations. This is due to the following reason.
The protective tape is formed of a material that is difficult to tear in order to reliably protect the wafer. Therefore, the protective tape is relatively difficult to bend. Accordingly, the protective tape is peeled off from the wafer in a gently curved state without being bent at an acute angle at the peeling boundary line. That is, strictly speaking, the protective tape is not peeled off linearly at the peeling boundary line, but a predetermined region from the peeling boundary line to the unpeeled side is peeled off simultaneously from the semiconductor wafer in a planar shape.
When the protective tape without a cut is started to be peeled off from the end portion of the wafer, a predetermined area extending in a fan shape on the wafer surface from one point of the wafer end portion starts to be peeled off simultaneously. In other words, the protective tape begins to peel from one point on the edge of the wafer. This is because the force for pulling the peeling tape (peeling force) spreads in a fan shape evenly from one point on the edge of the wafer.
On the other hand, if you start peeling from the vicinity of the notch of the protective tape that has a notch that reaches the wafer edge, the protective tape can be peeled off separately on both sides of the notch, so that the area to be peeled off is independent on both sides of the notch Formed. The point at which peeling begins is not at the intersection of the wafer edge and the cut, but at a position shifted from the intersection along the edge of the wafer. That is, the protective tape begins to peel off from two points on both sides of the cut. This is because when the force pulling the release tape tries to spread evenly separately on both sides of the cut, the wafer edge and the cut are not at the crossing point, but shifted from that position along the wafer edge. This is because it becomes a position.

予め切込が形成されている保護テープをウェーハに貼着してもよいが、切込が形成されていない保護テープをウェーハに貼着してから切込みを形成してもよい。
この場合は、切込が形成されていない保護テープが表面に貼着されている半導体ウェーハの縁部無効領域に位置する保護テープに、半導体ウェーハの縁部に達する切込を入れる切断ユニットを、除去装置が備えていることが好ましい。
Although the protective tape in which the cut is formed in advance may be attached to the wafer, the cut may be formed after the protective tape in which the cut is not formed is attached to the wafer.
In this case, a cutting unit that puts a cut reaching the edge of the semiconductor wafer into the protective tape located in the edge invalid area of the semiconductor wafer on which the protective tape with no cut formed is attached, The removal device is preferably provided.

円形の半導体ウェーハに形成される個々の素子形成領域は矩形であることが多い。複数個の矩形の素子形成領域が形成されている半導体ウェーハには、その縁部に素子形成領域が形成されていない縁部無効領域が存在する。縁部無効領域に位置する保護テープに切込を入れることで、素子形成領域を傷つけることなく切込を入れることができる。   In many cases, each element formation region formed on a circular semiconductor wafer is rectangular. A semiconductor wafer in which a plurality of rectangular element formation regions are formed has an edge invalid region where no element formation region is formed at the edge. By making a cut in the protective tape located in the edge invalid region, the cut can be made without damaging the element forming region.

切断ユニットを備える除去装置によれば、切込のない保護テープを表面に貼着した状態でウェーハ裏面を研摩することができるので、裏面研摩の際にウェーハ表面に形成されている素子構造を確実に保護することができる。
さらに、除去装置によって切込を入れることで、除去装置によって切込の位置を正確に特定することができる。従って、切込が形成されている範囲の保護テープの上面に剥離テープを正確に貼着することができる。
さらに、保護テープ自体は、切込のない従来の保護テープを利用することができる。
According to the removal device equipped with a cutting unit, the back surface of the wafer can be polished with a protective tape without cuts attached to the surface, so that the device structure formed on the wafer surface can be surely secured during the back surface polishing. Can be protected.
Furthermore, by making a cut with the removal device, the position of the cut can be accurately specified by the removal device. Therefore, a peeling tape can be correctly affixed on the upper surface of the protective tape in the range where the cut is formed.
Furthermore, the conventional protective tape without a notch can be utilized for the protective tape itself.

除去装置は、半導体ウェーハに貼着されている保護テープの切込部分を加熱する加熱部をさらに備えていることが好ましい。
切込部分を加熱することによって、切込付近の保護テープの粘着力を低下させることができ、保護テープを剥がし始め易くすることができる。
It is preferable that the removal apparatus further includes a heating unit that heats the cut portion of the protective tape attached to the semiconductor wafer.
By heating the cut portion, the adhesive strength of the protective tape in the vicinity of the cut can be reduced, and the protective tape can be easily peeled off.

本発明は、保護テープの除去方法に具現化することもできる。この除去方法は、半導体ウェーハの縁部に達する切込が形成されている保護テープの切込を含む範囲の上面に剥離テープを貼着する貼着工程と、剥離テープと一体となった保護テープが切込の両側で半導体ウェーハの縁部から剥がれ始め、その後に保護テープが半導体ウェーハから剥がれる剥離境界線が半導体ウェーハの直径に沿って進行するように剥離テープを引っ張る除去工程を含むことを特徴とする。
この方法によると、ウェーハ縁部の2箇所から保護テープが剥がれ始める。各々の剥離開始位置においてウェーハに作用する剥離力が低減され、ウェーハの損傷を防止することができる。
The present invention can also be embodied in a method for removing a protective tape. This removal method includes a sticking step of sticking the release tape on the upper surface of the range including the cut of the protective tape in which a cut reaching the edge of the semiconductor wafer is formed, and a protective tape integrated with the release tape Including a removal step of pulling the peeling tape so that the peeling boundary line advances along the diameter of the semiconductor wafer, after which the peeling starts from the edge of the semiconductor wafer on both sides of the notch, and then the protective tape peels from the semiconductor wafer. And
According to this method, the protective tape starts to peel off at two locations on the wafer edge. The peeling force acting on the wafer at each peeling start position is reduced, and damage to the wafer can be prevented.

上記の除去方法では、切込が形成されていない保護テープが表面に貼着されている半導体ウェーハの縁部無効領域に位置する保護テープに、半導体ウェーハの縁部に達する切込を入れる切込工程を含むことが好ましい。
また、除去工程に先立って、切込部分を加熱する加熱工程を実行することが好ましい。
上記の除去方法によっても、前述した除去装置と同じ効果を得ることができる。
In the removal method described above, a notch that reaches the edge of the semiconductor wafer is placed on the protective tape that is located in the edge invalid area of the semiconductor wafer that has a protective tape that has not been formed on the surface. It is preferable to include a process.
Moreover, it is preferable to perform the heating process which heats a notch part prior to a removal process.
Also by the above removal method, the same effect as the above-described removal apparatus can be obtained.

本発明によると、半導体ウェーハを破損させないで、半導体ウェーハから保護テープを剥がすことができる。   According to the present invention, the protective tape can be peeled from the semiconductor wafer without damaging the semiconductor wafer.

以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。
(1)保護テープ除去装置は、ウェーハの縁部無効領域に位置する保護テープに、ウェーハの縁部からウェーハの半径方向に伸びる切込を入れる切断ユニットと、切込を含む範囲の保護テープの上面に剥離テープを貼着する剥離テープ貼着ユニットと、剥離テープを引っ張って、切込の両側に位置するウェーハ縁部から剥離テープと保護テープを一体にしてウェーハから剥離する剥離ユニットを備えている。
(2)剥離テープユニット20は、ウェーハWの上方で、剥離テープHが架け渡されているガイドローラ12と14を備えている。ガイドローラ12と14を降下させて、半導体ウェーハWの縁部に達する切込Cが形成されている保護テープTの切込Cを含む範囲の上面に剥離テープHを貼着する。その後、ガイドローラ12をガイドローラ14へ向けて移動させることで、剥離テープHと一体となった保護テープTが切込Cの両側に位置する半導体ウェーハWの縁部から剥がれ始めるように剥離テープHを引っ張る。保護テープTは、切込Cの両側に位置する2箇所の縁部から剥がれ始める。
(3)ガイドローラ12はヒータ13を備えている。ヒータ13によってガイドローラ12を介して保護テープTが局所的に加熱される。また、ガイドローラ12は、常に保護テープTとウェーハWの剥離境界線を局所的に加熱することになるので、ヒータの熱によって素子構造にダメージを与えることがない。なお、剥離テープHに塗布されている接着剤の耐熱温度が、保護テープTに塗布されている接着剤の耐熱温度よりも高い。
The main features of the embodiments described below are listed.
(1) The protective tape removing device includes a cutting unit for making a cut extending in the radial direction of the wafer from the edge of the wafer into the protective tape located in the edge invalid area of the wafer, and a protective tape in a range including the cut. It has a peeling tape sticking unit that sticks the peeling tape on the top surface, and a peeling unit that pulls the peeling tape and peels it from the wafer by integrating the peeling tape and protective tape from the wafer edge located on both sides of the notch. Yes.
(2) The peeling tape unit 20 includes guide rollers 12 and 14 on which the peeling tape H is bridged above the wafer W. The guide rollers 12 and 14 are lowered, and the peeling tape H is attached to the upper surface of the range including the cut C of the protective tape T in which the cut C reaching the edge of the semiconductor wafer W is formed. Thereafter, the guide tape 12 is moved toward the guide roller 14 so that the protective tape T integrated with the release tape H starts to peel from the edge of the semiconductor wafer W located on both sides of the cut C. Pull H. The protective tape T starts to be peeled off from two edges located on both sides of the cut C.
(3) The guide roller 12 includes a heater 13. The protective tape T is locally heated by the heater 13 through the guide roller 12. Further, since the guide roller 12 always locally heats the separation boundary line between the protective tape T and the wafer W, the element structure is not damaged by the heat of the heater. Note that the heat resistance temperature of the adhesive applied to the release tape H is higher than the heat resistance temperature of the adhesive applied to the protective tape T.

保護テープ除去装置の実施例を、図面を参照して説明する。図1は、実施例に係る保護テープ除去装置100の模式的斜視図である。図2は、半導体ウェーハWに貼着された保護テープTに切込Cを入れる動作を説明するための、保護テープ除去装置100の模式的平面図(図2(A))と模式的側面図(図2(B))である。図3は、剥離テープHを保護テープTに貼着し、保護テープTと剥離テープHを半導体ウェーハWから剥がす動作を説明するための、保護テープ除去装置100の模式的平面図(図3(A))と模式的側面図(図3(B))である。   An embodiment of the protective tape removing device will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic perspective view of a protective tape removing apparatus 100 according to an embodiment. FIG. 2 is a schematic plan view (FIG. 2A) and a schematic side view of the protective tape removing apparatus 100 for explaining the operation of making the cut C in the protective tape T adhered to the semiconductor wafer W. (FIG. 2B). FIG. 3 is a schematic plan view of the protective tape removing apparatus 100 for explaining the operation of attaching the peeling tape H to the protective tape T and peeling the protective tape T and the peeling tape H from the semiconductor wafer W (FIG. 3 ( A)) and a schematic side view (FIG. 3B).

保護テープ除去装置100(以下、除去装置100と称する)の構成を説明する。除去装置100は、供給ユニット26と、収納ユニット24と、搬送ユニット28と、アラインメント台30と、支持台34と、切断ユニット38と、剥離テープユニット20を備えている。
供給ユニット26には、裏面が研摩されたウェーハWaが格納されている。供給ユニット26に格納されているウェーハWaの表面に保護テープが貼着されている。なお、本実施例では、供給ユニット26に格納されているウェーハWaに貼着されている保護テープには切込が形成されていない。後述するように、切断ユニット38によって、保護テープに切込が入れられる。
搬送ユニット28は、先端にウェーハを吸着してハンドリングするためのエンドエフェクタを備えたスカラタイプのロボットアームである。搬送ユニット28によって、供給ユニット26内のウェーハWaが、アラインメント台30の上に搬送される。アラインメント台30に載置されたウェーハをウェーハWbと称する。
アラインメント台30は、その上端にウェーハWbを回転可能に支持することができ、ウェーハWbを所定の向きに調整するためのユニットである。
アラインメント台30で所定の向きに調整されたウェーハWbは、搬送ユニット28によって、支持台34の上へ搬送される。支持台34に載置されたウェーハをウェーハWcと称する。
支持台34の近傍に、切断ユニット38が備えられている。切断ユニット38は、先端にカッター36が取り付けられており、カッター36を垂直平面内で2次元的に移動することができる。切断ユニット38は、カッター36を移動させることによって、支持台34の上に支持されたウェーハWcの上面に貼着された保護テープの一部に切込を入れることができる。切込を入れる工程については後述する。
支持台34の上方に、剥離テープユニット20が備えられている。剥離テープユニット20は、剥離テープHが捲きかけられている供給ローラ18と、3本のガイドローラ12、14、16と、剥離テープHを巻き取る巻取ローラ10を有している。図1に示すように、供給ローラ18に捲きかけられている剥離テープHは、ガイドローラ12、14、16によって、支持台34に支持されたウェーハWcの上方を通って巻取ローラ10へ導かれる。巻取ローラ10には、図示しないモータが取り付けられており、モータを駆動させることによって、剥離テープHを供給ローラ18から導出して巻取ローラ10で巻き取ることができる。
ガイドローラ12、14、16は、除去装置100の上部側面22に移動可能に支持されている。上部側面22の内側には、ガイドローラ12、14、16を移動させるためのアクチュエータ(不図示)が内蔵されており、ガイドローラ12、14、16を、上部側面22に平行な面内で2次元的に移動させることができる。ガイドローラ12、14、16を下方へ移動させることによって、ウェーハWcの上面に貼着されている保護テープの上面に剥離テープHを貼着させることができる。その後、剥離テープHを巻き取りながらガイドローラ12をガイドローラ14に向けて移動させることによって、剥離テープHと保護テープを一体にしてウェーハWcから剥がすことができる。剥離テープHを保護テープに貼着する工程と保護テープを剥がす工程については後述する。
ガイドローラ12には、ヒータ(不図示)が内蔵されている。
保護テープが剥がされたウェーハWcは、搬送ユニット28によって、支持台34から収納ユニット24へ搬送される。
The configuration of the protective tape removing device 100 (hereinafter referred to as the removing device 100) will be described. The removal apparatus 100 includes a supply unit 26, a storage unit 24, a transport unit 28, an alignment table 30, a support table 34, a cutting unit 38, and a peeling tape unit 20.
The supply unit 26 stores a wafer Wa whose back surface is polished. A protective tape is attached to the surface of the wafer Wa stored in the supply unit 26. In this embodiment, no cut is formed in the protective tape attached to the wafer Wa stored in the supply unit 26. As will be described later, the cutting unit 38 cuts the protective tape.
The transfer unit 28 is a SCARA type robot arm provided with an end effector for attracting and handling a wafer at the tip. The wafer Wa in the supply unit 26 is transferred onto the alignment table 30 by the transfer unit 28. The wafer placed on the alignment table 30 is referred to as a wafer Wb.
The alignment table 30 is a unit that can rotatably support the wafer Wb at its upper end and adjusts the wafer Wb in a predetermined direction.
The wafer Wb adjusted in a predetermined direction by the alignment table 30 is transferred onto the support table 34 by the transfer unit 28. The wafer placed on the support base 34 is referred to as a wafer Wc.
A cutting unit 38 is provided in the vicinity of the support base 34. The cutting unit 38 has a cutter 36 attached to the tip, and can move the cutter 36 two-dimensionally in a vertical plane. The cutting unit 38 can make a cut in a part of the protective tape adhered to the upper surface of the wafer Wc supported on the support table 34 by moving the cutter 36. The process of making the cut will be described later.
A peeling tape unit 20 is provided above the support base 34. The peeling tape unit 20 includes a supply roller 18 on which the peeling tape H is spread, three guide rollers 12, 14, 16 and a winding roller 10 that winds the peeling tape H. As shown in FIG. 1, the peeling tape H applied to the supply roller 18 is guided to the take-up roller 10 by the guide rollers 12, 14, 16 through the upper portion of the wafer Wc supported by the support base 34. It is burned. A motor (not shown) is attached to the take-up roller 10, and by driving the motor, the peeling tape H can be led out from the supply roller 18 and taken up by the take-up roller 10.
The guide rollers 12, 14, 16 are movably supported on the upper side surface 22 of the removing device 100. An actuator (not shown) for moving the guide rollers 12, 14, and 16 is incorporated inside the upper side surface 22, and the guide rollers 12, 14, and 16 are arranged in a plane parallel to the upper side surface 22. It can be moved dimensionally. By moving the guide rollers 12, 14, and 16 downward, the peeling tape H can be adhered to the upper surface of the protective tape that is adhered to the upper surface of the wafer Wc. Thereafter, by moving the guide roller 12 toward the guide roller 14 while winding the release tape H, the release tape H and the protective tape can be integrally peeled from the wafer Wc. The process of sticking the peeling tape H to the protective tape and the process of peeling the protective tape will be described later.
The guide roller 12 includes a heater (not shown).
The wafer Wc from which the protective tape has been peeled is transferred from the support base 34 to the storage unit 24 by the transfer unit 28.

図2を参照して、保護テープに切込を入れる工程を説明する。図2(A)は除去装置100の模式的平面図であり、図2(B)は除去装置100の模式的側面図である。図2には、保護テープに切込を入れる工程に関係する部品のみを示しており、その他の部品は図示を省略している。
ウェーハWの表面には、複数個の素子形成領域Eが形成されている。各々の素子形成領域Eは矩形であり、格子状に配置されている。ウェーハWは円形であり、その周囲には素子形成領域Eが形成されていない縁部無効領域Sが存在する。
ウェーハWの表面(素子形成領域が形成されている面)には、その全面に亘って保護テープTが貼着されている。
With reference to FIG. 2, the process of making a cut into the protective tape will be described. FIG. 2A is a schematic plan view of the removing device 100, and FIG. 2B is a schematic side view of the removing device 100. FIG. FIG. 2 shows only parts related to the process of cutting the protective tape, and the other parts are not shown.
A plurality of element formation regions E are formed on the surface of the wafer W. Each element formation region E has a rectangular shape and is arranged in a lattice shape. The wafer W is circular, and there is an edge invalid region S in which no element formation region E is formed.
A protective tape T is adhered to the entire surface of the wafer W (the surface on which the element formation region is formed).

前述したように、支持台34の上に搬送された段階では、ウェーハWに貼着された保護テープTには切込が形成されていない。
支持台34の上にウェーハWが搬送された後に、切断ユニット38を図2の矢印の方向に移動させる。切断ユニット38が移動する間に、切断ユニット38の先端に取り付けられたカッター36が、半導体ウェーハWの縁部無効領域Sに位置する保護テープTに切込Cを形成する。図2の矢印が示す方向に切断ユニット38が移動すると、図2(A)に示すように、ウェーハWの縁部Caの内側から半径方向に伸びて縁部Caに達する切込Cが形成される。切込Cは、縁部無効領域Sを超えない範囲で、半導体ウェーハWの縁端Caから半径方向に沿って形成される。
As described above, the cut is not formed in the protective tape T attached to the wafer W when it is transported onto the support table 34.
After the wafer W is transferred onto the support table 34, the cutting unit 38 is moved in the direction of the arrow in FIG. While the cutting unit 38 moves, the cutter 36 attached to the tip of the cutting unit 38 forms a cut C in the protective tape T located in the edge invalid area S of the semiconductor wafer W. When the cutting unit 38 moves in the direction indicated by the arrow in FIG. 2, a cut C is formed extending in the radial direction from the inside of the edge portion Ca of the wafer W and reaching the edge portion Ca, as shown in FIG. The The cut C is formed along the radial direction from the edge Ca of the semiconductor wafer W within a range not exceeding the edge invalid region S.

保護テープTに切込Cを形成した後に、剥離テープユニット20を駆動する。剥離テープユニット20によって剥離テープHが保護テープTの上面に貼着され、次いで保護テープが剥離テープと一緒にウェーハWから剥がされる。
図1に示したように、剥離テープユニット20のガイドローラ12、14は、支持台34の上方に位置している。ガイドローラ12と14を下方へ移動させる。ガイドローラ12と14の間に架け渡された剥離テープが、ガイドローラ12と14の降下に伴って、ウェーハWcの上面に押し当てられて貼着される。図1に示すように、切断ユニット38は、その長手方向が、ガイドローラ12と14の間に架け渡された剥離テープHの長手方向に一致するように配置されている。このような配置によって、切断ユニット38によって形成された切込Cの伸びる方向と、剥離テープHの長手方向を一致させることができる。即ち、ガイドローラ12と14を降下させると、剥離テープHが、切込Cを覆うようにウェーハWの上面に貼着される。またこのとき、剥離テープHの長手方向が切込Cの伸びる方向に一致する。
After the cut C is formed in the protective tape T, the peeling tape unit 20 is driven. The peeling tape H is adhered to the upper surface of the protective tape T by the peeling tape unit 20, and then the protective tape is peeled from the wafer W together with the peeling tape.
As shown in FIG. 1, the guide rollers 12 and 14 of the peeling tape unit 20 are located above the support base 34. The guide rollers 12 and 14 are moved downward. The peeling tape stretched between the guide rollers 12 and 14 is pressed against and adhered to the upper surface of the wafer Wc as the guide rollers 12 and 14 are lowered. As shown in FIG. 1, the cutting unit 38 is arranged so that its longitudinal direction coincides with the longitudinal direction of the peeling tape H that is stretched between the guide rollers 12 and 14. With such an arrangement, the extending direction of the cut C formed by the cutting unit 38 and the longitudinal direction of the peeling tape H can be matched. That is, when the guide rollers 12 and 14 are lowered, the peeling tape H is attached to the upper surface of the wafer W so as to cover the cuts C. At this time, the longitudinal direction of the peeling tape H coincides with the direction in which the cut C extends.

図3を参照して、保護テープTを剥がす工程を説明する。図3(A)は除去装置100の模式的平面図であり、図3(B)は除去装置100の模式的側面図である。図3には、保護テープTを剥がす工程に関係する部品のみを示しており、その他の部品は図示を省略している。
図3は、ガイドローラ12と14がウェーハWに向かって降下し、剥離テープHがウェーハWの表面に貼着されている保護テープTの上面に貼着された状態を示している。
図3(A)に示すように、剥離テープHは、切込Cを覆うとともに、その長手方向が切込Cの伸びる方向に一致するように保護テープTの上面に貼着される。
ガイドローラ12と14の下端がウェーハWの表面と同じ高さまで降下して剥離テープHを保護テープTの上面に貼着させた後に、ガイドローラ12をガイドローラ14に向かって移動させる。即ち、ガイドローラ12を、図3(B)の矢印が示す方向に移動させる。このとき、巻取ローラ10を回転させて剥離テープHの張力を一定に保つ。
With reference to FIG. 3, the process of peeling off the protective tape T is demonstrated. FIG. 3A is a schematic plan view of the removing device 100, and FIG. 3B is a schematic side view of the removing device 100. FIG. FIG. 3 shows only parts related to the process of peeling off the protective tape T, and the other parts are not shown.
FIG. 3 shows a state where the guide rollers 12 and 14 are lowered toward the wafer W, and the peeling tape H is stuck on the upper surface of the protective tape T stuck on the surface of the wafer W.
As shown in FIG. 3A, the peeling tape H is attached to the upper surface of the protective tape T so as to cover the cut C and the longitudinal direction thereof coincides with the direction in which the cut C extends.
After the lower ends of the guide rollers 12 and 14 are lowered to the same height as the surface of the wafer W and the peeling tape H is adhered to the upper surface of the protective tape T, the guide roller 12 is moved toward the guide roller 14. That is, the guide roller 12 is moved in the direction indicated by the arrow in FIG. At this time, the winding roller 10 is rotated to keep the tension of the peeling tape H constant.

ガイドローラ12を、図3(B)において(a)で示す位置で一旦停止させる。(a)の位置は、切込Cの位置であるが、保護テープTがまだ剥離を開始しない位置である。   The guide roller 12 is temporarily stopped at the position indicated by (a) in FIG. The position (a) is the position of the cut C, but is the position where the protective tape T has not yet started peeling.

ガイドローラ12には、ヒータ13が内蔵されている。ガイドローラ12が(a)の位置で停止したのち、ヒータ13によって、ガイドローラ12を加熱する。ガイドローラ12の熱によって、保護テープTの切込部分が局所的に加熱される。ガイドーラ12が備えるヒータ13は、保護テープTを局所的に加熱するので、ヒータ13の熱によって素子構造にダメージを与えることがない。
保護テープTの切込部分が加熱されることによって、保護テープTの接着剤(ウェーハW側の面に塗布されている接着剤であり、保護テープTとウェーハWを貼着するための接着剤)の接着力を低下させる。なお、剥離テープに塗布されている接着剤の耐熱温度は、保護テープに塗布されている接着剤の耐熱温度よりも高い。従って、ヒータ13によって保護テープTの切込部分を加熱すると、保護テープTの接着力は低下するが、剥離テープHの接着力は、保護テープほど低下しない。ヒータ13で、保護テープTの剥離の起点となる切込Cの部分(特に、切込Cが達しているウェーハWの端部Caの付近)を加熱することによって、保護テープTを剥がし始めやすくすることができる。
A heater 13 is built in the guide roller 12. After the guide roller 12 stops at the position (a), the guide roller 12 is heated by the heater 13. The cut portion of the protective tape T is locally heated by the heat of the guide roller 12. Since the heater 13 included in the guider 12 locally heats the protective tape T, the heat of the heater 13 does not damage the element structure.
When the cut portion of the protective tape T is heated, the adhesive of the protective tape T (the adhesive applied to the surface on the wafer W side, and the adhesive for adhering the protective tape T and the wafer W) ). In addition, the heat resistance temperature of the adhesive applied to the release tape is higher than the heat resistance temperature of the adhesive applied to the protective tape. Therefore, when the cut portion of the protective tape T is heated by the heater 13, the adhesive force of the protective tape T is reduced, but the adhesive force of the peeling tape H is not reduced as much as the protective tape. By heating the portion of the cut C (particularly in the vicinity of the end portion Ca of the wafer W where the cut C reaches) with the heater 13, the protective tape T can be easily peeled off. can do.

ヒータ13で切込Cの部分を加熱した後、ガイドローラ12をさらにガイドローラ14へ向かって移動させる。ガイドローラ12を移動させると、剥離テープHが、ウェーハWの縁部Cb1、Cb2(切込Cと交差するウェーハ縁部Caから縁に沿って左右にずれた位置の縁部)からウェーハWの上方に引っ張られる。
剥離テープHの粘着力は、保護テープTの粘着よりも強いので、保護テープTは剥離テープHと一体となって、ウェーハWの縁部Cb1、Cb2(切込Cと交差するウェーハ縁部Caから縁に沿って左右にずれた位置の縁部)で剥がれ始め、剥離境界線が切込Cの伸びる方向に沿って進行する。図3(B)の(b)は、ガイドローラ12の移動に伴って、保護テープTの一部が剥離テープHと一体となってウェーハWから剥がれる様子を仮想線(2点鎖線)で示している。
After heating the notch C with the heater 13, the guide roller 12 is further moved toward the guide roller 14. When the guide roller 12 is moved, the peeling tape H is moved from the edges Cb1 and Cb2 of the wafer W (the edge at a position shifted to the left and right along the edge from the wafer edge Ca intersecting the notch C). Pulled upward.
Since the adhesive strength of the peeling tape H is stronger than that of the protective tape T, the protective tape T is integrated with the peeling tape H, and the edges Cb1 and Cb2 of the wafer W (wafer edge Ca crossing the notch C). The peeling boundary line advances along the direction in which the cut C extends. FIG. 3B is a virtual line (two-dot chain line) showing that a part of the protective tape T is peeled off from the wafer W together with the peeling tape H as the guide roller 12 moves. ing.

ここで、図4を参照して、保護テープTが剥がれ始めるときにウェーハWに加わる剥離力について説明する。図4(A)は、切込がない保護テープを剥がす場合の剥離力を説明する模式図であり、図4(B)は、切込を有する保護テープを剥がす場合の剥離力を説明する模式図である。図4(B)では、切込Cを拡大して描いており、符号Ca1、Ca2は、切込Cの端部の両側に位置する保護テープTの角部に相当するウェーハ縁部を示している。
保護テープTは、ウェーハWを確実に保護するために、破れ難い材質で形成されている。そのため、保護テープTは比較的曲がり難い。従って、保護テープTは、剥離境界線で鋭角に屈曲することなく、緩やかに湾曲した状態でウェーハWから剥がれていく。すなわち、保護テープTは、剥離境界線から未剥離の側の所定の領域が半導体ウェーハWから面状に剥がれていく。保護テープTを剥がすには、保護テープTとウェーハWの前述した所定の領域に作用する粘着力に抗する力で剥離テープHを引っ張る必要がある。
図4(A)に示すように、切込のない保護テープTをウェーハWの端部から剥がし始める場合、ウェーハの端部の一点Dからウェーハ面状に扇状に広がる領域が面状に剥がれ始めることになる。扇状の領域に作用している粘着力は、図4(A)の矢印が示すように、扇の中心に集中する。すなわち、保護テープTはウェーハWの縁部の一点Dから剥がれ始める。逆にいえば、剥離テープHを引っ張る力(剥離力)は、ウェーハWの縁部の一点Dから均等に扇状に広がって、粘着力に抗することになる。剥離テープHを引っ張る力がこの縁点Dで、粘着力の合力に打ち勝って保護テープTが剥離し始める。
他方、ウェーハWの縁部Caに達する切込Cを有する保護テープTを、切込C付近を引っ張って剥がし始める場合、縁部Ca(切込Cと交差するウェーハ端部)の両側で夫々別々に剥がれ始めることができる。保護テープTは曲がり難いため、切込Cの両側で夫々別個に剥離力に抗する粘着力は、切込Cの両側に位置しているウェーハ縁部Ca1、Ca2(保護テープTの角部に位置する縁部)からではなく、縁部Ca1、Ca2から縁に沿って左右にずれた位置Cb1、Cb2で個別に集中することになる(図4(B)の矢印を参照)。このため、保護テープTは、ウェーハWの縁と切込Cが交差する縁部Caから両側にずれた2箇所Cb1、Cb2から剥がれ始めることになる。即ち、剥離力が分散する。換言すれば、ウェーハWに加わる剥離力が一点に集中することがない。剥離力がウェーハWの一点に集中しないので、剥離力の集中によってウェーハWが破損することを防止できる。
Here, the peeling force applied to the wafer W when the protective tape T starts to peel will be described with reference to FIG. FIG. 4A is a schematic diagram for explaining the peeling force when peeling off the protective tape having no cut, and FIG. 4B is a schematic for explaining the peeling force when peeling off the protective tape having a cut. FIG. In FIG. 4B, the notch C is enlarged and drawn, and reference numerals Ca1 and Ca2 indicate wafer edges corresponding to the corners of the protective tape T located on both sides of the end of the notch C. Yes.
The protective tape T is formed of a material that is difficult to tear in order to reliably protect the wafer W. Therefore, the protective tape T is relatively difficult to bend. Therefore, the protective tape T is peeled off from the wafer W in a gently curved state without being bent at an acute angle at the peeling boundary line. That is, in the protective tape T, a predetermined region on the unpeeled side from the peeling boundary line is peeled off from the semiconductor wafer W in a planar shape. In order to peel off the protective tape T, it is necessary to pull the peeling tape H with a force that resists the adhesive force acting on the predetermined area of the protective tape T and the wafer W described above.
As shown in FIG. 4A, when the protective tape T without a cut is started to peel off from the end portion of the wafer W, a region extending in a fan shape from the point D of the end portion of the wafer starts to peel off into the surface shape. It will be. The adhesive force acting on the fan-shaped region is concentrated at the center of the fan as indicated by the arrow in FIG. That is, the protective tape T starts to peel off from one point D at the edge of the wafer W. In other words, the force (peeling force) for pulling the peeling tape H spreads out evenly from the point D on the edge of the wafer W and resists the adhesive force. At this edge point D, the force pulling the peeling tape H overcomes the resultant adhesive force, and the protective tape T begins to peel off.
On the other hand, when the protective tape T having the notch C reaching the edge portion Ca of the wafer W is started to be pulled and pulled near the notch C, it is separately provided on both sides of the edge portion Ca (wafer end portion intersecting with the notch C). Can begin to peel off. Since the protective tape T is difficult to bend, the adhesive force that resists the peeling force on both sides of the cut C is different from the wafer edges Ca1 and Ca2 that are located on both sides of the cut C (at the corners of the protective tape T). It is concentrated not at the edge) but at the positions Cb1 and Cb2 that are shifted to the left and right along the edge from the edges Ca1 and Ca2 (see arrows in FIG. 4B). For this reason, the protective tape T starts to be peeled off from two locations Cb1 and Cb2 which are shifted to both sides from the edge portion Ca where the edge of the wafer W and the cut C intersect. That is, the peeling force is dispersed. In other words, the peeling force applied to the wafer W does not concentrate on one point. Since the peeling force does not concentrate on one point of the wafer W, it is possible to prevent the wafer W from being damaged due to the concentration of the peeling force.

しかも、前述したように、ヒータ13によって、保護テープTの切込Cの部分が加熱されて、保護テープTに塗布されている接着剤の接着力を低下させている。ヒータ13によって、小さい剥離力で保護テープTを剥離開始させることができる。なお、ガイドローラ12は、常に保護テープTとウェーハWの剥離境界線を局所的に加熱することになるので、ヒータの熱によって素子パターンにダメージを与えることがない。   In addition, as described above, the heater 13 heats the portion of the cut C of the protective tape T to reduce the adhesive force of the adhesive applied to the protective tape T. The heater 13 can start the peeling of the protective tape T with a small peeling force. Since the guide roller 12 always locally heats the peeling boundary line between the protective tape T and the wafer W, the element pattern is not damaged by the heat of the heater.

図3に戻り、説明を続ける。ガイドローラ12は、ウェーハWの上面からガイドローラ14の側に外れるまで移動する。すなわち、ガイドローラ12は、保護テープTとウェーハWの剥離境界線が、ウェーハWの径方向に沿って(直径に沿って)進行するように移動する。換言すれば、ガイドローラ12によって、保護テープTとウェーハWの剥離境界線が、ウェーハWの径方向に沿って(直径に沿って)進行するように剥離テープHが引っ張られる。ガイドローラ12が、ウェーハWの上面から外れた位置まで移動すると、保護テープTがウェーハWから完全に剥がされる。ガイドローラ12が移動し終えた後に、ガイドローラ12と14を、ウェーハWの上方へ移動させる。こうして保護テープTの除去工程が終了する。   Returning to FIG. 3, the description will be continued. The guide roller 12 moves from the upper surface of the wafer W until it is disengaged toward the guide roller 14. That is, the guide roller 12 moves so that the separation boundary line between the protective tape T and the wafer W advances along the radial direction of the wafer W (along the diameter). In other words, the peeling tape H is pulled by the guide roller 12 so that the peeling boundary line between the protective tape T and the wafer W advances along the radial direction of the wafer W (along the diameter). When the guide roller 12 moves to a position off the upper surface of the wafer W, the protective tape T is completely peeled from the wafer W. After the guide roller 12 has finished moving, the guide rollers 12 and 14 are moved above the wafer W. Thus, the removal process of the protective tape T is completed.

保護テープTの除去工程が終了すると、前述したように、保護テープTが除去されたウェーハWが、搬送ユニット28によって収納ユニット24へ搬送される。なお、図1に示すWdは、保護テープTが剥がされた後に収納ユニット24に収納されたウェーハを示している。   When the removal process of the protective tape T is completed, as described above, the wafer W from which the protective tape T has been removed is transferred to the storage unit 24 by the transfer unit 28. Note that Wd shown in FIG. 1 indicates a wafer stored in the storage unit 24 after the protective tape T is peeled off.

上記のテープ除去装置100の概要をまとめると次の通りである。
剥離テープユニット20が、ガイドローラ12と14を降下させて、半導体ウェーハWの縁部に達する切込Cが形成されている範囲を含む保護テープTの上面に剥離テープHを貼着する。また剥離テープユニット20は、ガイドローラ12をガイドローラ14へ向けて移動させることで、剥離テープHと一体となった保護テープTが切込CとウェーハWの縁との交点Caよりもその左右両側にずれた縁部Cb1、Cb2で剥がれ始める。保護テープTは、ウェーハWの2箇所の縁部Cb1、Cb2で剥がれ始める。
The outline of the tape removing apparatus 100 is summarized as follows.
The peeling tape unit 20 lowers the guide rollers 12 and 14 and sticks the peeling tape H to the upper surface of the protective tape T including the range where the cut C reaching the edge of the semiconductor wafer W is formed. Further, the peeling tape unit 20 moves the guide roller 12 toward the guide roller 14, so that the protective tape T integrated with the peeling tape H is located on the left and right sides of the intersection Ca between the notch C and the edge of the wafer W. It begins to peel off at the edges Cb1 and Cb2 which are shifted to both sides. The protective tape T begins to peel off at the two edge portions Cb1 and Cb2 of the wafer W.

上記の保護テープ除去装置100の効果を以下に述べる。
保護テープTは、切込Cとウェーハ縁が交差する縁部Caから縁に沿ってずれた縁部Cb1、Cb2で保護テープを剥がし始めることによって、保護テープTは、ウェーハWの表面で切込Cから二手に分かれて剥がれ始める。剥離力が二手に分散されるので、剥離力の集中によってウェーハが破損することがない。
また、保護テープ除去装置100に、半導体ウェーハWの縁部無効領域Sに位置する保護テープの部位に、半導体ウェーハの縁側の端部Caから半径方向に伸びる切込を入れる切断ユニット38を備えているので、切込のない保護テープで表面を保護したウェーハを研摩することができる。ウェーハに形成された素子パターンを確実に保護することができる。
切込Cは、ウェーハWの縁部無効領域Sに形成されるので、ウェーハWに形成された素子パターンを傷つけることなく、切込Cを形成することができる。
また、保護テープ除去装置100において切込を形成するので、切込の位置を正確に特定することができる。即ち、切込Cの長手方向に沿って剥離テープを正確に貼着することができる。
剥離テープを保護テープ上に押し当てるとともに、保護テープ上を移動することによって剥離テープを剥がすガイドローラ12にヒータ13(加熱手段)を内蔵しているので、保護テープTとウェーハWの剥離境界を局所的に加熱しながら保護テープを剥がすことができる。特に、保護テープTを剥がす前に、切込部分を加熱することによって、小さい力で保護テープTの剥がし始めることができる。また、剥離境界以外を加熱することがないので、ウェーハWに形成された素子パターンに熱によるダメージを与えることがない。
The effects of the protective tape removing device 100 will be described below.
The protective tape T is cut at the surface of the wafer W by starting to peel off the protective tape at the edges Cb1 and Cb2 shifted along the edge from the edge Ca where the notch C and the wafer edge intersect. Begins to peel off from C. Since the peeling force is distributed twice, the wafer is not damaged by the concentration of the peeling force.
Further, the protective tape removing apparatus 100 is provided with a cutting unit 38 for making a cut extending in the radial direction from the edge portion Ca on the edge side of the semiconductor wafer at a portion of the protective tape located in the edge invalid area S of the semiconductor wafer W. Therefore, it is possible to polish a wafer whose surface is protected by a protective tape having no cuts. The element pattern formed on the wafer can be reliably protected.
Since the cut C is formed in the edge invalid region S of the wafer W, the cut C can be formed without damaging the element pattern formed on the wafer W.
Moreover, since the cut is formed in the protective tape removing apparatus 100, the position of the cut can be specified accurately. That is, the peeling tape can be accurately attached along the longitudinal direction of the cut C.
Since the heater 13 (heating means) is built in the guide roller 12 that presses the peeling tape onto the protective tape and moves the protective tape to remove the peeling tape, the separation boundary between the protective tape T and the wafer W can be defined. The protective tape can be peeled off while locally heating. In particular, before the protective tape T is peeled off, the protective tape T can be peeled off with a small force by heating the cut portion. In addition, since the part other than the separation boundary is not heated, the element pattern formed on the wafer W is not damaged by heat.

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
Specific examples of the present invention have been described in detail above, but these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above.
In addition, the technical elements described in the present specification or drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology illustrated in the present specification or the drawings achieves a plurality of objects at the same time, and has technical utility by achieving one of the objects.

保護テープ除去装置の斜視図である。It is a perspective view of a protective tape removal apparatus. 保護テープに切込を入れる動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the operation | movement which cuts into a protection tape. 保護テープを剥がす動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the operation | movement which peels off a protective tape. 保護テープに加わる剥離力を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the peeling force added to a protective tape.

符号の説明Explanation of symbols

10:巻取ローラ
12、14、16:ガイドローラ
13:ヒータ
18:供給ローラ
20:剥離テープユニット
24:収納ユニット
26:供給ユニット
28:搬送ユニット
30:アラインメント台
34:支持台
36:カッター
38:切断ユニット
100 保護テープ除去装置
C:切込
E:素子パターン
H:剥離テープ
S:縁部無効領域
T:保護テープ
W:半導体ウェーハ
10: winding rollers 12, 14, 16: guide roller 13: heater 18: supply roller 20: peeling tape unit 24: storage unit 26: supply unit 28: transport unit 30: alignment table 34: support table 36: cutter 38: Cutting unit 100 Protective tape removing device C: Cut E: Element pattern H: Peeling tape S: Edge invalid area T: Protective tape W: Semiconductor wafer

Claims (6)

半導体ウェーハの表面に貼着されている保護テープを除去する装置であり、
半導体ウェーハの縁部に達する切込が形成されている保護テープの前記切込を含む範囲の上面に剥離テープを貼着するテープ貼着ユニットと、
剥離テープと一体となった保護テープが、前記切込の両側で半導体ウェーハの縁部から剥がれ始め、その後に保護テープが半導体ウェーハから剥がれる剥離境界線が半導体ウェーハの径方向に沿って進行するように剥離テープを引っ張るテープ除去ユニットと、
を備えることを特徴とする保護テープの除去装置。
It is a device that removes the protective tape attached to the surface of the semiconductor wafer,
A tape adhering unit for adhering a release tape to the upper surface of the range including the notch of the protective tape in which an incision reaching the edge of the semiconductor wafer is formed;
The protective tape integrated with the peeling tape starts to peel from the edge of the semiconductor wafer on both sides of the cut, and then the peeling boundary line where the protective tape is peeled off from the semiconductor wafer advances along the radial direction of the semiconductor wafer. A tape removal unit that pulls the release tape on,
An apparatus for removing a protective tape, comprising:
切込が形成されていない保護テープが表面に貼着されている半導体ウェーハの縁部無効領域に位置する保護テープに、半導体ウェーハの縁部に達する切込を入れる切断ユニットを備えていることを特徴とする請求項1に記載の保護テープの除去装置。   It is provided with a cutting unit that puts a cut reaching the edge of the semiconductor wafer in the protective tape located in the edge invalid area of the semiconductor wafer on which the protective tape with no cut formed is stuck. The apparatus for removing a protective tape according to claim 1, wherein 半導体ウェーハに貼着されている保護テープの切込部分を加熱する加熱部をさらに備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の保護テープの除去装置。   The apparatus for removing a protective tape according to claim 1, further comprising a heating unit that heats a cut portion of the protective tape attached to the semiconductor wafer. 半導体ウェーハの表面に貼着されている保護テープを除去する方法であり、
半導体ウェーハの縁部に達する切込が形成されている保護テープの前記切込を含む範囲の上面に剥離テープを貼着する貼着工程と、
剥離テープと一体となった保護テープが、前記切込の両側で半導体ウェーハの縁部から剥がれ始め、その後に保護テープが半導体ウェーハから剥がれる剥離境界線が半導体ウェーハの径方向に沿って進行するように剥離テープを引っ張る除去工程と、
を含むことを特徴とする保護テープの除去方法。
It is a method to remove the protective tape stuck on the surface of the semiconductor wafer,
A sticking step of sticking a release tape on the upper surface of the range including the cut of the protective tape in which a cut reaching the edge of the semiconductor wafer is formed;
The protective tape integrated with the peeling tape starts to peel from the edge of the semiconductor wafer on both sides of the cut, and then the peeling boundary line where the protective tape is peeled off from the semiconductor wafer advances along the radial direction of the semiconductor wafer. A removal step of pulling the release tape on,
A method for removing a protective tape comprising:
切込が形成されていない保護テープが表面に貼着されている半導体ウェーハの縁部無効領域に位置する保護テープに、半導体ウェーハの縁部に達する切込を入れる切込工程を含むことを特徴とする請求項4に記載の保護テープの除去方法。   It includes a notch process in which a notch reaching the edge of the semiconductor wafer is included in the protect tape located in the edge invalid area of the semiconductor wafer having the notch formed on the surface. The method for removing a protective tape according to claim 4. 前記除去工程に先立って、切込部分を加熱する加熱工程を含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の保護テープ除去方法。   6. The protective tape removing method according to claim 4, further comprising a heating step of heating the cut portion prior to the removing step.
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