JP2003273200A - Device and method for stripping tape - Google Patents

Device and method for stripping tape

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JP2003273200A
JP2003273200A JP2002069150A JP2002069150A JP2003273200A JP 2003273200 A JP2003273200 A JP 2003273200A JP 2002069150 A JP2002069150 A JP 2002069150A JP 2002069150 A JP2002069150 A JP 2002069150A JP 2003273200 A JP2003273200 A JP 2003273200A
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JP
Japan
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tape
semiconductor wafer
peeling
protective tape
stage
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JP2002069150A
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Japanese (ja)
Inventor
Masanori Yasuhara
正典 安原
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and a method for stripping a protective tape from a semiconductor wafer stably. <P>SOLUTION: The tape stripping device strips a protective tape from a semiconductor wafer after the protective tape 15 is pasted to a semiconductor wafer 11 and the back side of the semiconductor wafer is ground. The tape stripping device comprises a stage 12 for holding and securing the semiconductor wafer 1, a hole 12a formed in the stage, a finger 13 disposed in the hole and moving in the direction projecting from the semiconductor wafer holding face of the stage, and a strip roller 14 for pasting a strip tape 16 to the protective tape and then guiding the strip tape so as to strip the tape from the semiconductor wafer along with the strip tape. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハに保
護テープを貼り付けて該半導体ウエハの裏面研削を行っ
た後、該半導体ウエハから保護テープを剥離するテープ
剥離装置及びテープ剥離方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tape peeling apparatus and a tape peeling method for sticking a protective tape to a semiconductor wafer, grinding the back surface of the semiconductor wafer, and peeling the protective tape from the semiconductor wafer. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】以下、従来の半導体装置の製造方法につ
いて図5を参照しつつ説明する。図5は、裏面研削後の
半導体ウエハから保護テープを剥離するテープ剥離装置
を概略的に示す断面図である。
2. Description of the Related Art A conventional method of manufacturing a semiconductor device will be described below with reference to FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a tape peeling device that peels a protective tape from a semiconductor wafer after backside grinding.

【0003】バンプ付き半導体ウエハ111を準備し、
このウエハのバンプを形成した面に保護テープ115を
粘着する。次いで、裏面研削装置を準備し、この裏面研
削装置の真空吸着盤の吸着面を保護テープ115に当接
させて、バンプ付き半導体ウエハ111を真空吸着盤の
吸着面に真空吸着して保持する。そして、回転中の回転
研削盤の表面にバンプ付き半導体ウエハ111の裏面を
押圧する。次いで、半導体ウエハ111の裏面を所定時
間研削した後、裏面研削装置において真空吸着盤を上方
に移動させて回転研削盤の表面と半導体ウエハ111の
裏面との接触を外す。次いで、真空吸着盤から半導体ウ
エハ111を取り外す。
A semiconductor wafer 111 with bumps is prepared,
A protective tape 115 is adhered to the bump-formed surface of the wafer. Next, a backside grinding apparatus is prepared, and the suction surface of the vacuum suction disk of this backside grinding apparatus is brought into contact with the protective tape 115 to hold the bumped semiconductor wafer 111 by vacuum suction on the suction surface of the vacuum suction disk. Then, the back surface of the semiconductor wafer 111 with bumps is pressed against the front surface of the rotating grinding machine. Then, after the back surface of the semiconductor wafer 111 is ground for a predetermined time, the vacuum suction disk is moved upward in the back surface grinding device to remove the contact between the front surface of the rotary grinding machine and the back surface of the semiconductor wafer 111. Next, the semiconductor wafer 111 is removed from the vacuum suction board.

【0004】この後、図5に示すテープ剥離装置を準備
する。このテープ剥離装置は半導体ウエハ111を保持
するステージ112を備えている。このステージ112
には棒状に突き出されたフィンガー113が設けられて
おり、このフィンガー113は半導体ウエハの一端から
保護テープを剥離するためのものである。ステージ11
2の上方には剥離ローラ114が配置されている。この
剥離ローラ114は、ステージ112上に保持された半
導体ウエハ111に剥離テープ116を貼り付け、その
後保護テープを剥離するものである。
Thereafter, the tape peeling device shown in FIG. 5 is prepared. This tape peeling apparatus includes a stage 112 that holds a semiconductor wafer 111. This stage 112
Is provided with a finger 113 protruding in a rod shape, and this finger 113 is for peeling the protective tape from one end of the semiconductor wafer. Stage 11
A peeling roller 114 is arranged above the sheet 2. The peeling roller 114 is for peeling the protective tape by attaching the peeling tape 116 to the semiconductor wafer 111 held on the stage 112.

【0005】次に、上記テープ剥離装置のステージ11
2の上に裏面研削後の半導体ウエハ111を固定して保
持する。この際、保護テープ115は上向きに位置して
いる。次いで、半導体ウエハ111の保護テープ115
上において剥離ローラ114を移動させることにより、
剥離テープ116を保護テープ115上に貼り付ける。
Next, the stage 11 of the tape peeling device
The semiconductor wafer 111 after the back surface grinding is fixed and held on the upper surface of 2. At this time, the protective tape 115 is positioned upward. Next, the protective tape 115 for the semiconductor wafer 111
By moving the peeling roller 114 above,
The peeling tape 116 is attached onto the protective tape 115.

【0006】次いで、剥離ローラ116がフィンガー1
13の上に位置することにより、剥離テープ116が上
方に押し上げられて半導体ウエハの一端から保護テープ
115が剥離され。これと共に、剥離ローラ114を上
方に移動させることにより、剥離テープ116を上方に
引き上げて半導体ウエハ上の保護テープ115を完全に
剥離する。その後、半導体ウエハ111をダイシングし
て半導体チップに分割する。
Next, the peeling roller 116 uses the finger 1
By being located above 13, the peeling tape 116 is pushed upward and the protective tape 115 is peeled from one end of the semiconductor wafer. At the same time, by moving the peeling roller 114 upward, the peeling tape 116 is pulled up to completely peel the protective tape 115 on the semiconductor wafer. After that, the semiconductor wafer 111 is diced and divided into semiconductor chips.

【0007】また、他のテープ剥離装置を用いて半導体
ウエハから保護テープを剥離することも可能である。他
のテープ剥離装置は、図5のテープ剥離装置におけるフ
ィンガーの代わりに、ステージにヒーターが埋め込まれ
たものである。このヒーターは半導体ウエハの下方に位
置しており、ヒーターによって半導体ウエハを加熱して
該半導体ウエハの温度を調整し、保護テープを剥離しや
すい温度までウエハを昇温する。そして、剥離テープを
保護テープ上に貼り付け、図5のテープ剥離装置と同様
の方法で保護テープを半導体ウエハから剥離する。
It is also possible to peel the protective tape from the semiconductor wafer by using another tape peeling device. In another tape peeling device, a heater is embedded in the stage instead of the fingers in the tape peeling device of FIG. This heater is located below the semiconductor wafer, and the heater heats the semiconductor wafer to adjust the temperature of the semiconductor wafer and raises the temperature of the wafer to a temperature at which the protective tape is easily peeled off. Then, a peeling tape is attached onto the protective tape, and the protective tape is peeled from the semiconductor wafer by the same method as the tape peeling device of FIG.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
テープ剥離装置では、ステージ112上に半導体ウエハ
111を載置する位置がずれると、フィンガー113に
より剥離テープ116に加えられる力にバラツキが発生
する。これにより、保護テープ115をウエハから剥離
する際に、保護テープのテープのりがウエハ上に残った
り、保護テープ115が剥離されずにウエハ上に残った
り、保護テープ115が破れてしまうことがある。
By the way, in the above-mentioned conventional tape peeling apparatus, when the position of mounting the semiconductor wafer 111 on the stage 112 is displaced, the force applied to the peeling tape 116 by the fingers 113 varies. . As a result, when the protective tape 115 is peeled from the wafer, the tape glue of the protective tape may remain on the wafer, the protective tape 115 may remain on the wafer without being peeled off, or the protective tape 115 may be broken. .

【0009】また、上記他のテープ剥離装置では、半導
体ウエハの下方に位置するステージ内にヒーターを配置
している。このため、半導体ウエハの端部に近い部分で
は放熱によりウエハ温度が下がり、保護テープを安定し
て剥離することができず、保護テープの剥がれが不安定
となることがある。また、半導体ウエハの端部に近い部
分の放熱を考慮してウエハ温度を上げ過ぎると、半導体
ウエハの端部では保護テープを上手く剥離することがで
きるが、半導体ウエハの中央部ではウエハ温度が上がり
過ぎて保護テープのテープのり残りが発生することがあ
る。
Further, in the other tape peeling device, the heater is arranged in the stage located below the semiconductor wafer. Therefore, in the portion near the end of the semiconductor wafer, the temperature of the wafer is lowered by heat radiation, the protective tape cannot be stably peeled, and the peeling of the protective tape may become unstable. Also, if the wafer temperature is raised too high in consideration of heat radiation from the portion near the edge of the semiconductor wafer, the protective tape can be peeled off well at the edge of the semiconductor wafer, but the wafer temperature rises at the center of the semiconductor wafer. Passage of the protective tape may cause residual tape to remain.

【0010】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、半導体ウエハから保護テ
ープを安定して剥離できるテープ剥離装置及びテープ剥
離方法を提供することにある。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and an object thereof is to provide a tape peeling device and a tape peeling method capable of stably peeling a protective tape from a semiconductor wafer.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るテープ剥離装置は、半導体ウエハに保
護テープを貼り付けて該半導体ウエハの裏面研削を行っ
た後、該半導体ウエハから保護テープを剥離するテープ
剥離装置であって、半導体ウエハを固定して保持するス
テージと、このステージに設けられた孔と、この孔内に
配置され、ステージの半導体ウエハ保持面から突出する
方向に動くフィンガーと、上記保護テープに剥離テープ
を貼り付け、その後、剥離テープと共に保護テープを半
導体ウエハから剥離するように該剥離テープをガイドす
る剥離ローラと、を具備し、上記剥離ローラのガイドに
より剥離テープを保護テープに貼り付けた後、上記フィ
ンガーをステージの半導体ウエハ保持面から突出する方
向に動かして半導体ウエハの近傍で剥離テープを押し上
げることにより、半導体ウエハの一端から保護テープを
剥離することを特徴とする。
In order to solve the above problems, a tape peeling apparatus according to the present invention protects a semiconductor wafer from the semiconductor wafer after a protective tape is attached to the semiconductor wafer and the back surface of the semiconductor wafer is ground. A tape peeling device for peeling a tape, a stage for fixing and holding a semiconductor wafer, a hole provided in the stage, and a hole arranged in the hole and moving in a direction projecting from a semiconductor wafer holding surface of the stage. A peeling tape is provided, which includes a finger and a peeling tape that is attached to the protective tape, and then guides the peeling tape together with the peeling tape so as to peel the protective tape from the semiconductor wafer. On the protective tape and then move the fingers in the direction to project from the semiconductor wafer holding surface of the stage. By pushing up the release tape in the vicinity of Movement, characterized by separating the protective tape from one end of the semiconductor wafer.

【0012】上記テープ剥離装置によれば、保護テープ
を半導体ウエハから剥離する際、フィンガーをステージ
の半導体ウエハ保持面から突出する方向に動かして剥離
テープを押し上げることにより、半導体ウエハの端部か
ら保護テープを剥離している。このため、ステージ上に
半導体ウエハを載置する位置がずれても、従来技術のよ
うに保護テープが剥離されずにウエハ上に残るなどの不
具合が生じることがなく、半導体ウエハの端部に巻き込
んだ保護テープを確実に安定して剥ぎ取ることができ
る。
According to the above tape peeling device, when the protective tape is peeled from the semiconductor wafer, the fingers are moved in a direction projecting from the semiconductor wafer holding surface of the stage to push up the peeling tape, thereby protecting the end portion of the semiconductor wafer. The tape is peeled off. Therefore, even if the position of mounting the semiconductor wafer on the stage is deviated, the problem that the protective tape is not peeled off and remains on the wafer as in the conventional technique does not occur, and the semiconductor tape is wound on the end portion of the semiconductor wafer. The protective tape can be reliably and stably removed.

【0013】本発明に係るテープ剥離装置は、半導体ウ
エハに保護テープを貼り付けて該半導体ウエハの裏面研
削を行った後、該半導体ウエハから保護テープを剥離す
るテープ剥離装置であって、半導体ウエハを固定して保
持するステージと、このステージ内に設けられ、該ステ
ージに保持された半導体ウエハの下方に配置された第1
のヒーターと、ステージ内に設けられ、該ステージに保
持された半導体ウエハの一端下に配置された第2のヒー
ターと、上記保護テープに剥離テープを貼り付け、その
後、剥離テープと共に保護テープを半導体ウエハから剥
離するように該剥離テープをガイドする剥離ローラと、
を具備し、上記剥離ローラのガイドにより剥離テープを
用いて保護テープを半導体ウエハから剥離する際、第1
のヒーターにより半導体ウエハの中央部が第1温度に加
熱され、第2のヒーターにより半導体ウエハの端部が第
1温度より高い第2温度に加熱されていることを特徴と
する。
A tape peeling apparatus according to the present invention is a tape peeling apparatus for peeling a protective tape from a semiconductor wafer after applying a protective tape to the semiconductor wafer and grinding the back surface of the semiconductor wafer. A stage for fixing and holding the first stage, and a first stage provided inside the stage and arranged below the semiconductor wafer held by the stage.
Heater and a second heater provided in the stage and arranged below one end of the semiconductor wafer held by the stage, and a peeling tape is attached to the protective tape, and then the protective tape is used together with the semiconductor tape. A stripping roller that guides the stripping tape to strip from the wafer,
When peeling the protective tape from the semiconductor wafer using the peeling tape with the guide of the peeling roller,
The central part of the semiconductor wafer is heated to the first temperature by the heater and the end part of the semiconductor wafer is heated to the second temperature higher than the first temperature by the second heater.

【0014】上記テープ剥離装置によれば、保護テープ
を半導体ウエハから剥離する際、第2のヒーターにより
ウエハ端部をウエハ中央部に比べて高い温度とすること
により、ウエハ端部に近い部分で放熱によるウエハ温度
の低下を抑制することができる。したがって、保護テー
プが剥離されずにウエハ上に残るなどの不具合が生じる
ことがなく、保護テープを安定して剥離することができ
る。
According to the above tape peeling apparatus, when the protective tape is peeled from the semiconductor wafer, the temperature of the wafer edge is higher than that of the wafer central portion by the second heater, so that the wafer is near the wafer edge. It is possible to suppress a decrease in wafer temperature due to heat radiation. Therefore, the protective tape can be stably peeled off without causing problems such as the protective tape remaining on the wafer without being peeled off.

【0015】また、本発明に係るテープ剥離装置におい
ては、上記第1温度が40℃以上45℃以下であり、上
記第2温度が45℃以上50℃以下であることが好まし
い。
In the tape peeling device according to the present invention, it is preferable that the first temperature is 40 ° C. or higher and 45 ° C. or lower and the second temperature is 45 ° C. or higher and 50 ° C. or lower.

【0016】また、本発明に係るテープ剥離装置におい
ては、上記剥離ローラを、保護テープの表面上を該表面
に沿って移動させ、その後、半導体ウエハの表面から離
れる方向に移動させる駆動機構を含むことも可能であ
る。
Further, the tape peeling apparatus according to the present invention includes a drive mechanism for moving the peeling roller on the surface of the protective tape along the surface and then in a direction away from the surface of the semiconductor wafer. It is also possible.

【0017】また、本発明に係るテープ剥離装置におい
ては、上記剥離テープを供給するために該剥離テープが
巻き回された剥離テープロールと、上記保護テープに貼
り付けた後の剥離テープを巻き取る巻取りロールと、を
さらに含むことが好ましい。
In the tape peeling apparatus according to the present invention, the peeling tape roll around which the peeling tape is wound to supply the peeling tape and the peeling tape after being attached to the protective tape are wound up. It is preferable to further include a winding roll.

【0018】また、本発明に係るテープ剥離装置におい
ては、上記ステージ内に設けられ、該ステージに保持さ
れた半導体ウエハの下方に配置された第1のヒーターを
さらに含むことも可能である。
Further, the tape peeling apparatus according to the present invention may further include a first heater provided in the stage and arranged below the semiconductor wafer held by the stage.

【0019】また、本発明に係るテープ剥離装置におい
ては、上記ステージ内に設けられ、該ステージに保持さ
れた半導体ウエハの一端下に配置された第2のヒーター
をさらに含むことも可能である。
Further, the tape peeling apparatus according to the present invention can further include a second heater provided in the stage and arranged below one end of the semiconductor wafer held by the stage.

【0020】本発明に係るテープ剥離方法は、半導体ウ
エハに保護テープを貼り付けて該半導体ウエハの裏面研
削を行った後、該半導体ウエハから保護テープを剥離す
るテープ剥離方法であって、ステージ上に半導体ウエハ
を固定して保持し、上記保護テープの表面上を該表面に
沿って剥離ローラを移動させることにより、該保護テー
プに剥離テープを貼り付け、ステージの半導体ウエハ保
持面から突出する方向にフィンガーを動かして半導体ウ
エハの近傍で剥離テープを押し上げることにより、半導
体ウエハの一端から保護テープを剥離し、半導体ウエハ
の表面から離れる方向に剥離ローラを移動させることに
より、保護テープを完全に剥離することを特徴とする。
The tape peeling method according to the present invention is a tape peeling method in which a protective tape is attached to a semiconductor wafer, the back surface of the semiconductor wafer is ground, and then the protective tape is peeled from the semiconductor wafer. A semiconductor wafer is fixed and held on the protective tape, and a peeling roller is moved along the surface of the protective tape to attach the peeling tape to the protective tape, and to project from the semiconductor wafer holding surface of the stage. Move the fingers to push up the peeling tape near the semiconductor wafer to peel the protective tape from one end of the semiconductor wafer, and move the peeling roller away from the surface of the semiconductor wafer to completely peel the protective tape. It is characterized by doing.

【0021】本発明に係るテープ剥離方法は、半導体ウ
エハに保護テープを貼り付けて該半導体ウエハの裏面研
削を行った後、該半導体ウエハから保護テープを剥離す
るテープ剥離方法であって、ステージ上に半導体ウエハ
を固定して保持し、第1のヒーターにより半導体ウエハ
の中央部を第1温度に加熱し、上記保護テープの表面上
を該表面に沿って剥離ローラを移動させることにより、
該保護テープに剥離テープを貼り付け、ステージの半導
体ウエハ保持面から突出する方向にフィンガーを動かし
て半導体ウエハの近傍で剥離テープを押し上げることに
より、半導体ウエハの一端から保護テープを剥離し、半
導体ウエハの表面から離れる方向に剥離ローラを移動さ
せることにより、保護テープを完全に剥離することを特
徴とする。
The tape peeling method according to the present invention is a tape peeling method in which a protective tape is attached to a semiconductor wafer, the back surface of the semiconductor wafer is ground, and then the protective tape is peeled from the semiconductor wafer. By fixing and holding the semiconductor wafer to, heating the central portion of the semiconductor wafer to a first temperature by the first heater, and moving the peeling roller on the surface of the protective tape along the surface,
A peeling tape is attached to the protective tape, the fingers are moved in a direction projecting from the semiconductor wafer holding surface of the stage, and the peeling tape is pushed up in the vicinity of the semiconductor wafer to peel the protective tape from one end of the semiconductor wafer. The protective tape is completely peeled off by moving the peeling roller away from the surface of the protective tape.

【0022】また、本発明に係るテープ剥離方法におい
ては、上記第1温度に加熱する際、第2のヒーターによ
り半導体ウエハの端部を第1温度より高い第2温度に加
熱することも可能である。
Further, in the tape peeling method according to the present invention, when heating to the first temperature, it is possible to heat the end portion of the semiconductor wafer to the second temperature higher than the first temperature by the second heater. is there.

【0023】本発明に係るテープ剥離方法は、半導体ウ
エハに保護テープを貼り付けて該半導体ウエハの裏面研
削を行った後、該半導体ウエハから保護テープを剥離す
るテープ剥離方法であって、ステージ上に半導体ウエハ
を固定して保持し、第1のヒーターにより半導体ウエハ
の中央部を第1温度に加熱すると共に、第2のヒーター
により半導体ウエハの端部を第1温度より高い第2温度
に加熱し、上記保護テープの表面上を該表面に沿って剥
離ローラを移動させることにより、該保護テープに剥離
テープを貼り付け、半導体ウエハの表面から離れる方向
に剥離ローラを移動させることにより、保護テープを剥
離することを特徴とする。
The tape peeling method according to the present invention is a tape peeling method in which a protective tape is attached to a semiconductor wafer, the back surface of the semiconductor wafer is ground, and then the protective tape is peeled from the semiconductor wafer. The semiconductor wafer is fixedly held on the semiconductor wafer, and the central portion of the semiconductor wafer is heated to the first temperature by the first heater, and the end portion of the semiconductor wafer is heated to the second temperature higher than the first temperature by the second heater. Then, by moving the peeling roller on the surface of the protective tape along the surface, the peeling tape is attached to the protective tape, and by moving the peeling roller in a direction away from the surface of the semiconductor wafer, the protective tape Is peeled off.

【0024】また、本発明に係るテープ剥離方法におい
ては、上記第1温度が40℃以上45℃以下であり、上
記第2温度が45℃以上50℃以下であることが好まし
い。
In the tape peeling method according to the present invention, it is preferable that the first temperature is 40 ° C. or higher and 45 ° C. or lower and the second temperature is 45 ° C. or higher and 50 ° C. or lower.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図1〜図3は、本発明に係
る第1の実施の形態による半導体装置の製造方法を説明
する図である。図1(a)は、裏面研削後の半導体ウエ
ハから保護テープを剥離するテープ剥離装置を概略的に
示す断面図であり、図1(b)は、図1(a)に示すテ
ープ剥離装置のステージを示す平面図である。図2
(a)は、図2(b)に示す半導体ウエハの裏面を研削
する際に半導体ウエハ表面に貼り付ける保護テープであ
る。図2(b)は、裏面研削が行われる半導体ウエハを
示す断面図である。図2(c)は、図2(b)に示す半
導体ウエハの表面に図2(a)に示す保護テープを貼り
付けた状態を示す断面図である。図3は、図2(c)に
示す保護テープを貼り付けた半導体ウエハを裏面研削装
置により研削している様子を示す断面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 3 are views for explaining the method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. 1A is a cross-sectional view schematically showing a tape peeling device that peels a protective tape from a semiconductor wafer after backside grinding, and FIG. 1B is a tape peeling device shown in FIG. 1A. It is a top view which shows a stage. Figure 2
2A is a protective tape that is attached to the front surface of the semiconductor wafer when the back surface of the semiconductor wafer shown in FIG. 2B is ground. FIG. 2B is a cross-sectional view showing a semiconductor wafer on which the back surface is ground. 2C is a cross-sectional view showing a state in which the protective tape shown in FIG. 2A is attached to the surface of the semiconductor wafer shown in FIG. 2B. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which a semiconductor wafer having the protective tape shown in FIG. 2C attached thereto is ground by a backside grinding device.

【0026】まず、図2(b)に示す半導体ウエハ11
を準備する。この半導体ウエハは複数の半導体チップ
(図示せず)を有しており、これら半導体チップそれぞ
れの表面にはバンプ19が形成されている。
First, the semiconductor wafer 11 shown in FIG.
To prepare. This semiconductor wafer has a plurality of semiconductor chips (not shown), and bumps 19 are formed on the surface of each of these semiconductor chips.

【0027】次いで、図2(a)に示す保護テープ15
を準備する。この保護テープ15は、ベースフィルム1
5aと粘着材15cとの間に中間フィルム15bを配置
したものである。中間フィルム15bは押圧されて変形
するものである。また、保護テープ15のベースフィル
ム15aは、ポリエステル系のプラスチックフィルム
で、押圧しても殆ど変形しない硬度が高いものである。
中間フィルム15bは、ポリエステル系のプラスチック
フィルムであるが、押圧により簡単に変形するという特
徴を備えたものである。また、粘着材15cは、中間フ
ィルム15bに所定の厚さで塗布されたものである。
Next, the protective tape 15 shown in FIG.
To prepare. This protective tape 15 is the base film 1
The intermediate film 15b is arranged between the 5a and the adhesive material 15c. The intermediate film 15b is pressed and deformed. The base film 15a of the protective tape 15 is a polyester plastic film and has a high hardness that hardly deforms even when pressed.
The intermediate film 15b is a polyester plastic film, but has a feature that it is easily deformed by pressing. The adhesive material 15c is applied to the intermediate film 15b with a predetermined thickness.

【0028】次いで、図2(b)に示す半導体ウエハ1
1のバンプ19を形成した面に図2(a)に示す保護テ
ープ15を粘着する。保護テープ15の中間フィルム1
5bは上述したように押圧により簡単に変形するため
に、保護テープ15の粘着材15cとバンプ付き半導体
ウエハの表面とを隙間無く密着する。これにより、図2
(c)に示すようにバンプ付きの半導体ウエハ11の表
面が保護テープ15で保護される。
Then, the semiconductor wafer 1 shown in FIG.
The protective tape 15 shown in FIG. 2A is adhered to the surface on which the bump 19 of No. 1 is formed. Intermediate film 1 of protective tape 15
Since 5b is easily deformed by pressing as described above, the adhesive material 15c of the protective tape 15 and the surface of the bumped semiconductor wafer are brought into close contact with each other without a gap. As a result, FIG.
As shown in (c), the surface of the semiconductor wafer 11 having bumps is protected by the protective tape 15.

【0029】この後、図3に示す裏面研削装置を準備す
る。この裏面研削装置は真空吸着盤17を備えており、
この真空吸着盤17は半導体ウエハ11に貼り付けた保
護テープ15を真空吸着することにより、半導体ウエハ
の裏面研削時に半導体ウエハを固定して保持するもので
ある。真空吸着盤17の吸着面には複数の吸着孔が設け
られている。真空吸着盤17の内部には真空配管が設け
られており、真空配管の一方は吸着孔に繋がっており、
真空配管の他方から真空ポンプなどの真空引き機構によ
り真空引きするようになっている。また、裏面研削装置
は、回転研削機構として例えば2000〜4000番程
度の砥粒により形成した円板状の回転研削盤18を備え
ており、この回転研削盤18は回転軸18aにより支持
されている。回転軸18aは回転機構として例えばモー
タ(図示せず)に接続されており、このモータによって
回転軸18aを矢印のように回転させて回転研削盤18
を回転させるようになっている。また、回転研削盤18
及び真空吸着盤17それぞれの動作は図示せぬ制御部に
より制御される。
After this, the back surface grinding apparatus shown in FIG. 3 is prepared. This backside grinding device is equipped with a vacuum suction board 17,
The vacuum suction board 17 vacuum-sucks the protective tape 15 attached to the semiconductor wafer 11, thereby fixing and holding the semiconductor wafer when the back surface of the semiconductor wafer is ground. The suction surface of the vacuum suction board 17 is provided with a plurality of suction holes. A vacuum pipe is provided inside the vacuum suction board 17, and one side of the vacuum pipe is connected to the suction hole.
The other side of the vacuum piping is evacuated by a vacuum evacuation mechanism such as a vacuum pump. Further, the back surface grinding apparatus is provided with a disk-shaped rotary grinding machine 18 formed by abrasive grains of about 2000 to 4000 as a rotary grinding mechanism, and the rotary grinding machine 18 is supported by a rotary shaft 18a. . The rotary shaft 18a is connected to, for example, a motor (not shown) as a rotary mechanism, and the rotary shaft 18a is rotated by this motor as shown by an arrow to rotate the rotary grinding machine 18.
Is designed to rotate. In addition, the rotary grinder 18
The operations of the vacuum suction board 17 and the vacuum suction board 17 are controlled by a controller (not shown).

【0030】次いで、この裏面研削装置の真空吸着盤1
7の吸着面を保護テープ15に当接させて、バンプ付き
半導体ウエハ11を真空吸着盤の吸着面に真空吸着して
保持する。そして、回転軸18aに支持されて矢印の方
向に回転中の回転研削盤18の表面にバンプ付き半導体
ウエハ11の裏面を押圧する。
Next, the vacuum suction disk 1 of this back surface grinding apparatus
The suction surface of 7 is brought into contact with the protective tape 15 to hold the bumped semiconductor wafer 11 by vacuum suction on the suction surface of the vacuum suction disk. Then, the back surface of the semiconductor wafer 11 with bumps is pressed against the surface of the rotary grinding machine 18 supported by the rotary shaft 18a and rotating in the direction of the arrow.

【0031】次いで、半導体ウエハ11の裏面を所定時
間研削した後、裏面研削装置において真空吸着盤17を
上方に移動させて回転研削盤18の表面と半導体ウエハ
11の裏面との接触を外す。次いで、真空吸着盤17か
ら半導体ウエハ11を取り外す。
Next, after the back surface of the semiconductor wafer 11 is ground for a predetermined time, the vacuum suction disk 17 is moved upward in the back surface grinding device to remove the contact between the surface of the rotary grinding machine 18 and the back surface of the semiconductor wafer 11. Next, the semiconductor wafer 11 is removed from the vacuum suction board 17.

【0032】この後、図1に示すテープ剥離装置を準備
する。このテープ剥離装置は半導体ウエハ11を保持す
るステージ12を備えている。このステージ12は静電
チャック方式により半導体ウエハ11を固定するもので
ある。ステージ12には、図1(a)に示す矢印21の
ように上下に可動する棒状のフィンガー13が配置され
ている。このフィンガー13はステージ12に設けられ
た孔12aに沿って上下に可動するものである。フィン
ガー13の可動機構(図示せず)は、種々のものを用い
ることが可能であり、例えばステッピングモータを用い
ることも可能である。また、ステージ12の上方には剥
離ローラ14が配置されている。この剥離ローラ14
は、ステージ12上に保持された半導体ウエハ11上の
保護テープに剥離テープ16を貼り付け、その後、剥離
テープと共に保護テープを剥離するように該剥離テープ
をガイドするものであり、該半導体ウエハ上を矢印22
〜24のように駆動機構(図示せず)により動くように
なっている。この駆動機構は種々のものを用いることが
可能である。このように剥離ローラ14を動かすことに
より、半導体ウエハ11の保護テープ15上に剥離テー
プ16を貼り付け、その後、剥離テープ16と共に保護
テープ15を半導体ウエハから剥離することができる。
また、ステージ12の近傍には、剥離テープ16が巻き
回された剥離テープロール25及び剥離テープ16を巻
き取る巻取りロール26が配置されている。巻取りロー
ル26は回転機構(図示せず)により回転するようにな
っている。
Thereafter, the tape peeling device shown in FIG. 1 is prepared. This tape peeling apparatus includes a stage 12 that holds a semiconductor wafer 11. The stage 12 is for fixing the semiconductor wafer 11 by an electrostatic chuck method. On the stage 12, rod-shaped fingers 13 that are vertically movable are arranged as indicated by an arrow 21 shown in FIG. The finger 13 is movable up and down along a hole 12a provided in the stage 12. Various types of movable mechanisms (not shown) for the fingers 13 can be used, and for example, a stepping motor can also be used. Further, a peeling roller 14 is arranged above the stage 12. This peeling roller 14
Is to attach the peeling tape 16 to the protective tape on the semiconductor wafer 11 held on the stage 12, and then to guide the peeling tape so as to peel the protective tape together with the peeling tape. The arrow 22
A drive mechanism (not shown) is used to move the members 24 to 24. Various driving mechanisms can be used. By moving the peeling roller 14 in this manner, the peeling tape 16 can be attached onto the protective tape 15 of the semiconductor wafer 11, and then the protective tape 15 can be peeled from the semiconductor wafer together with the peeling tape 16.
Further, in the vicinity of the stage 12, a peeling tape roll 25 around which the peeling tape 16 is wound and a winding roll 26 for winding the peeling tape 16 are arranged. The take-up roll 26 is adapted to rotate by a rotating mechanism (not shown).

【0033】次に、上記テープ剥離装置のステージ12
の上に裏面研削後の半導体ウエハ11を静電チャックに
より固定して保持する。この際、保護テープ15は上向
きに位置している。
Next, the stage 12 of the tape peeling device
The semiconductor wafer 11 after the back surface is ground is fixed and held by the electrostatic chuck. At this time, the protective tape 15 is positioned upward.

【0034】次いで、半導体ウエハ11の保護テープ1
5上において剥離ローラ14を矢印22のように移動さ
せることにより、剥離テープ16を保護テープ15上に
貼り付ける。
Next, the protective tape 1 for the semiconductor wafer 11
The peeling tape 16 is attached onto the protective tape 15 by moving the peeling roller 14 as indicated by the arrow 22 on the sheet 5.

【0035】次いで、フィンガー13を上方に移動させ
ることにより、半導体ウエハ11の近傍で剥離テープ1
6を上方に押し上げて半導体ウエハの一端から保護テー
プ15を剥離する。これと共に、剥離ローラ14を矢印
23のように上方に移動させることにより、剥離テープ
16を上方に引き上げて半導体ウエハ上の保護テープ1
5を完全に剥離する。
Next, the fingers 13 are moved upward to move the peeling tape 1 near the semiconductor wafer 11.
6 is pushed up and the protective tape 15 is peeled off from one end of the semiconductor wafer. At the same time, the peeling roller 14 is moved upward as shown by an arrow 23, so that the peeling tape 16 is pulled upward to raise the protective tape 1 on the semiconductor wafer.
5 is completely peeled off.

【0036】次いで、剥離ローラ14を矢印24のよう
に元の位置に移動させながら、巻取りロール26を回転
させることにより保護テープ15を貼り付けた剥離テー
プ16を巻取りロール26に巻き取る。次いで、保護テ
ープが剥離された半導体ウエハ11をステージ12から
取り外す。次に、半導体ウエハをダイシングして半導体
チップに分割する。
Then, while the peeling roller 14 is moved to the original position as shown by the arrow 24, the winding roll 26 is rotated to wind the peeling tape 16 to which the protective tape 15 is attached to the winding roll 26. Next, the semiconductor wafer 11 from which the protective tape has been peeled off is removed from the stage 12. Next, the semiconductor wafer is diced and divided into semiconductor chips.

【0037】上記第1の実施の形態によれば、保護テー
プ15を半導体ウエハ11から剥離する際、フィンガー
13を上方に動かして剥離テープを押し上げることによ
り半導体ウエハの端部から保護テープ15を剥離してい
る。このため、ステージ上に半導体ウエハを載置する位
置がずれても、従来技術のように保護テープが剥離され
ずにウエハ上に残るなどの不具合が生じることがなく、
半導体ウエハの端部に巻き込んだ保護テープ15を確実
に剥ぎ取ることができる。言い換えると、フィンガーに
より剥離テープに加えられる力にバラツキが発生するこ
とを抑制でき、確実に保護テープを半導体ウエハから剥
離することができる。
According to the first embodiment described above, when the protective tape 15 is peeled from the semiconductor wafer 11, the fingers 13 are moved upward and the peeling tape is pushed up to peel the protective tape 15 from the end portion of the semiconductor wafer. is doing. Therefore, even if the position of mounting the semiconductor wafer on the stage is shifted, there is no problem that the protective tape is not peeled off and remains on the wafer as in the conventional technique.
The protective tape 15 wound around the edge of the semiconductor wafer can be reliably stripped off. In other words, it is possible to suppress variations in the force applied to the peeling tape by the fingers, and it is possible to reliably peel the protective tape from the semiconductor wafer.

【0038】図4は、本発明に係る第2の実施の形態に
よる半導体装置の製造方法を説明する図であって、図4
(a)は、裏面研削後の半導体ウエハから保護テープを
剥離するテープ剥離装置を概略的に示す断面図であり、
図4(b)は、図4(a)に示すテープ剥離装置のステ
ージを示す平面図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining the method of manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
(A) is sectional drawing which shows roughly the tape peeling apparatus which peels a protective tape from the semiconductor wafer after back surface grinding,
FIG. 4B is a plan view showing the stage of the tape peeling device shown in FIG.

【0039】半導体ウエハ11に保護テープを貼り付
け、該半導体ウエハ11の裏面を研削する装置及び方法
は、第1の実施の形態と同様であるので説明を省略し、
裏面研削後の半導体ウエハから保護テープを剥離する工
程から説明する。
Since the apparatus and method for attaching the protective tape to the semiconductor wafer 11 and grinding the back surface of the semiconductor wafer 11 are the same as those in the first embodiment, the description thereof will be omitted.
The process of peeling the protective tape from the semiconductor wafer after backside grinding will be described.

【0040】図4に示すテープ剥離装置を準備する。こ
のテープ剥離装置は半導体ウエハ11を保持するステー
ジ32を備えている。このステージ32は静電チャック
方式により半導体ウエハ11を固定するものである。ス
テージ32内には、固定した半導体ウエハ11の下方に
位置する第1のヒーター33が配置されている。また、
ステージ32内には、固定した半導体ウエハ11の一端
下に位置する第2のヒーター34が配置されている。第
1及び第2のヒーターは種々のヒーターを用いることが
可能である。また、ステージ32の上方には剥離ローラ
14が配置されている。この剥離ローラ14は、ステー
ジ32上に保持された半導体ウエハ11に剥離テープ1
6を貼り付け、その後保護テープを剥離するものであ
り、該半導体ウエハ上を矢印22〜24のように動くよ
うになっている。このように剥離ローラ14を動かすこ
とにより、半導体ウエハ11の保護テープ15上に剥離
テープ16を貼り付け、その後、剥離テープ16と共に
保護テープ15を半導体ウエハから剥離することができ
る。また、ステージ32の近傍には、剥離テープ16が
巻き回された剥離テープロール25及び剥離テープ16
を巻き取る巻取りロール26が配置されている。
A tape peeling device shown in FIG. 4 is prepared. This tape peeling apparatus includes a stage 32 that holds the semiconductor wafer 11. The stage 32 fixes the semiconductor wafer 11 by an electrostatic chuck method. In the stage 32, a first heater 33 located below the fixed semiconductor wafer 11 is arranged. Also,
A second heater 34 located under one end of the fixed semiconductor wafer 11 is arranged in the stage 32. Various heaters can be used as the first and second heaters. Further, the peeling roller 14 is arranged above the stage 32. The peeling roller 14 is provided on the semiconductor wafer 11 held on the stage 32 to peel off the tape 1.
6 is attached, and then the protective tape is peeled off, and it moves on the semiconductor wafer as indicated by arrows 22 to 24. By moving the peeling roller 14 in this manner, the peeling tape 16 can be attached onto the protective tape 15 of the semiconductor wafer 11, and then the protective tape 15 can be peeled from the semiconductor wafer together with the peeling tape 16. In the vicinity of the stage 32, the peeling tape roll 25 and the peeling tape 16 around which the peeling tape 16 is wound.
A take-up roll 26 that winds up is disposed.

【0041】次に、上記テープ剥離装置のステージ32
を第1及び第2のヒーター33,34により所定の温度
に加熱する。次いで、このステージ32の上に裏面研削
後の半導体ウエハ11を静電チャックにより固定して保
持する。この際、保護テープ15は上向きに位置してい
る。次いで、半導体ウエハ11の中央部は第1のヒータ
ー33により40℃〜45℃程度に加熱され、半導体ウ
エハ11の端部は第2のヒーター34により45℃〜5
0℃程度に加熱される。
Next, the stage 32 of the tape peeling device described above.
Is heated to a predetermined temperature by the first and second heaters 33 and 34. Then, the semiconductor wafer 11 after the back surface grinding is fixed and held on the stage 32 by an electrostatic chuck. At this time, the protective tape 15 is positioned upward. Next, the central portion of the semiconductor wafer 11 is heated to about 40 ° C. to 45 ° C. by the first heater 33, and the end portion of the semiconductor wafer 11 is heated to 45 ° C. to 5 ° C. by the second heater 34.
It is heated to about 0 ° C.

【0042】次いで、半導体ウエハ11の保護テープ1
5上において剥離ローラ14を矢印22のように移動さ
せることにより、剥離テープ16を保護テープ15上に
貼り付ける。
Next, the protective tape 1 for the semiconductor wafer 11
The peeling tape 16 is attached onto the protective tape 15 by moving the peeling roller 14 as indicated by the arrow 22 on the sheet 5.

【0043】次いで、剥離ローラ14を矢印23のよう
に上方に移動させることにより、剥離テープ16を上方
に引き上げて半導体ウエハ上の保護テープ15を剥離テ
ープ16と共に剥離する。この際、半導体ウエハ11の
端部の保護テープ15は第2のヒーター34により45
℃〜50℃程度まで加熱され、半導体ウエハ11の中央
部の保護テープ15は第1のヒーター33により40℃
〜45℃程度まで加熱されている。このようにウエハ端
部の保護テープを中央部よりやや高温にすることで、保
護テープが剥離しやすくなる。
Next, the peeling roller 14 is moved upward as shown by the arrow 23, so that the peeling tape 16 is pulled up to peel the protective tape 15 on the semiconductor wafer together with the peeling tape 16. At this time, the protective tape 15 on the edge of the semiconductor wafer 11 is rotated by the second heater 34
C. to 50.degree. C., and the protective tape 15 at the center of the semiconductor wafer 11 is heated to 40.degree. C. by the first heater 33.
It is heated to about 45 ° C. By making the temperature of the protection tape at the edge of the wafer slightly higher than that at the center, the protection tape is easily peeled off.

【0044】次いで、剥離ローラ14を矢印24のよう
に元の位置に移動させながら、巻取りロール26を回転
させることにより保護テープ15を貼り付けた剥離テー
プ16を巻取りロール26に巻き取る。次いで、保護テ
ープが剥離された半導体ウエハ11をステージ32から
取り外す。次に、半導体ウエハをダイシングして半導体
チップに分割する。
Then, while moving the peeling roller 14 to the original position as indicated by the arrow 24, the winding roll 26 is rotated to wind the peeling tape 16 to which the protective tape 15 is attached to the winding roll 26. Next, the semiconductor wafer 11 from which the protective tape has been peeled off is removed from the stage 32. Next, the semiconductor wafer is diced and divided into semiconductor chips.

【0045】上記第2の実施の形態によれば、保護テー
プ15を半導体ウエハ11から剥離する際、第2のヒー
ター34によりウエハ端部の保護テープ15をウエハ中
央部に比べて高い温度とすることにより、ウエハ端部に
近い部分で放熱によるウエハ温度の低下を抑制すること
ができる。したがって、保護テープが剥離されずにウエ
ハ上に残るなどの不具合が生じることがなく、保護テー
プを安定して剥離することができる。
According to the second embodiment, when the protective tape 15 is peeled from the semiconductor wafer 11, the second heater 34 causes the protective tape 15 at the end of the wafer to have a higher temperature than the central portion of the wafer. As a result, it is possible to suppress a decrease in the wafer temperature due to heat radiation in the portion near the edge of the wafer. Therefore, the protective tape can be stably peeled off without causing problems such as the protective tape remaining on the wafer without being peeled off.

【0046】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
第1の実施の形態によるテープ剥離装置のステージに第
2の実施の形態による第1のヒーター33を付け加えて
実施することも可能であり、また、第1の実施の形態に
よるテープ剥離装置のステージに第2の実施の形態によ
る第2のヒーター34を付け加えて実施することも可能
であり、また、第1の実施の形態によるテープ剥離装置
のステージに第2の実施の形態による第1及び第2のヒ
ーター33,34を付け加えて実施することも可能であ
る。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented with various modifications. For example,
It is also possible to add the first heater 33 according to the second embodiment to the stage of the tape peeling apparatus according to the first embodiment, and the stage of the tape peeling apparatus according to the first embodiment. It is also possible to add the second heater 34 according to the second embodiment to the embodiment, and to add the second heater 34 according to the second embodiment to the stage of the tape peeling device according to the first embodiment. It is also possible to add two heaters 33 and 34 for implementation.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、保
護テープを半導体ウエハから剥離する際、フィンガーを
ステージの半導体ウエハ保持面から突出する方向に動か
して剥離テープを押し上げることにより、半導体ウエハ
の端部から保護テープを剥離している。したがって、半
導体ウエハから保護テープを安定して剥離できるテープ
剥離装置及びテープ剥離方法を提供することができる。
As described above, according to the present invention, when the protective tape is peeled from the semiconductor wafer, the fingers are moved in a direction projecting from the semiconductor wafer holding surface of the stage to push up the peeling tape, whereby the semiconductor wafer The protective tape is peeled off from the end of the. Therefore, it is possible to provide a tape peeling device and a tape peeling method capable of stably peeling the protective tape from the semiconductor wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 (a)は、裏面研削後の半導体ウエハから保
護テープを剥離するテープ剥離装置を概略的に示す断面
図であり、(b)は、(a)に示すテープ剥離装置のス
テージを示す平面図である。
1A is a cross-sectional view schematically showing a tape peeling device for peeling a protective tape from a semiconductor wafer after backside grinding, and FIG. 1B is a stage of the tape peeling device shown in FIG. It is a top view shown.

【図2】 (a)は、(b)に示す半導体ウエハの裏面
を研削する際に半導体ウエハ表面に貼り付ける保護テー
プであり、(b)は、裏面研削が行われる半導体ウエハ
を示す断面図であり、(c)は、(b)に示す半導体ウ
エハの表面に(a)に示す保護テープを貼り付けた状態
を示す断面図である。
2A is a protective tape attached to the front surface of the semiconductor wafer when grinding the back surface of the semiconductor wafer shown in FIG. 2B, and FIG. 2B is a cross-sectional view showing the semiconductor wafer whose back surface is ground. And (c) is a sectional view showing a state in which the protective tape shown in (a) is attached to the surface of the semiconductor wafer shown in (b).

【図3】 図2(c)に示す保護テープを貼り付けた半
導体ウエハを裏面研削装置により研削している様子を示
す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which a semiconductor wafer having the protective tape shown in FIG. 2 (c) attached thereto is ground by a backside grinding device.

【図4】 (a)は、裏面研削後の半導体ウエハから保
護テープを剥離するテープ剥離装置を概略的に示す断面
図であり、(b)は、(a)に示すテープ剥離装置のス
テージを示す平面図である。
4A is a cross-sectional view schematically showing a tape peeling device that peels a protective tape from a semiconductor wafer after backside grinding, and FIG. 4B shows a stage of the tape peeling device shown in FIG. It is a top view shown.

【図5】 裏面研削後の半導体ウエハから保護テープを
剥離するテープ剥離装置を概略的に示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a tape peeling device that peels a protective tape from a semiconductor wafer after backside grinding.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,111…半導体ウエハ 12,32,112…ステージ 12a…孔 13,113…フィンガー 14,114…剥離ローラ 15,115…保護テープ 15a…ベースフィルム 15b…中間フィルム 15c…粘着材 16,116…剥離テープ 17…真空吸着盤 18…回転研削盤 18a…回転軸 19…バンプ 21〜24…矢印 25…剥離テープロール 26…巻取りロール 33…第1のヒーター 34…第2のヒーター 11, 111 ... Semiconductor wafer 12, 32, 112 ... Stage 12a ... hole 13,113 ... fingers 14,114 ... Peeling roller 15,115 ... Protective tape 15a ... Base film 15b ... Intermediate film 15c ... Adhesive material 16,116 ... Release tape 17 ... Vacuum suction board 18 ... Rotary grinding machine 18a ... rotary shaft 19 ... Bump 21-24 ... Arrows 25 ... Peeling tape roll 26 ... Winding roll 33 ... First heater 34 ... Second heater

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエハに保護テープを貼り付けて
該半導体ウエハの裏面研削を行った後、該半導体ウエハ
から保護テープを剥離するテープ剥離装置であって、 半導体ウエハを固定して保持するステージと、 このステージに設けられた孔と、 この孔内に配置され、ステージの半導体ウエハ保持面か
ら突出する方向に動くフィンガーと、 上記保護テープに剥離テープを貼り付け、その後、剥離
テープと共に保護テープを半導体ウエハから剥離するよ
うに該剥離テープをガイドする剥離ローラと、 を具備し、 上記剥離ローラのガイドにより剥離テープを保護テープ
に貼り付けた後、上記フィンガーをステージの半導体ウ
エハ保持面から突出する方向に動かして半導体ウエハの
近傍で剥離テープを押し上げることにより、半導体ウエ
ハの一端から保護テープを剥離することを特徴とするテ
ープ剥離装置。
1. A tape peeling device for sticking a protective tape to a semiconductor wafer, grinding the back surface of the semiconductor wafer, and then peeling the protective tape from the semiconductor wafer, the stage holding and holding the semiconductor wafer. A hole provided in this stage, a finger arranged in this hole and moving in a direction projecting from the semiconductor wafer holding surface of the stage, and a peeling tape attached to the protective tape, and thereafter, together with the peeling tape, the protective tape A peeling roller that guides the peeling tape so as to peel off the semiconductor wafer from the semiconductor wafer, and after the peeling tape is attached to the protective tape by the guide of the peeling roller, the fingers are projected from the semiconductor wafer holding surface of the stage. One side of the semiconductor wafer by pushing up the release tape near the semiconductor wafer by moving it in the direction A tape stripping device, which strips a protective tape from the tape.
【請求項2】 半導体ウエハに保護テープを貼り付けて
該半導体ウエハの裏面研削を行った後、該半導体ウエハ
から保護テープを剥離するテープ剥離装置であって、 半導体ウエハを固定して保持するステージと、 このステージ内に設けられ、該ステージに保持された半
導体ウエハの下方に配置された第1のヒーターと、 ステージ内に設けられ、該ステージに保持された半導体
ウエハの一端下に配置された第2のヒーターと、 上記保護テープに剥離テープを貼り付け、その後、剥離
テープと共に保護テープを半導体ウエハから剥離するよ
うに該剥離テープをガイドする剥離ローラと、 を具備し、上記剥離ローラのガイドにより剥離テープを
用いて保護テープを半導体ウエハから剥離する際、第1
のヒーターにより半導体ウエハの中央部が第1温度に加
熱され、第2のヒーターにより半導体ウエハの端部が第
1温度より高い第2温度に加熱されていることを特徴と
するテープ剥離装置。
2. A tape peeling device for peeling a protective tape from a semiconductor wafer after a protective tape is attached to the semiconductor wafer and the back surface of the semiconductor wafer is ground, the stage holding and holding the semiconductor wafer. A first heater provided in the stage and arranged below the semiconductor wafer held by the stage; and a first heater provided in the stage arranged under one end of the semiconductor wafer held by the stage A guide for the peeling roller, comprising: a second heater; and a peeling tape that adheres the peeling tape to the protective tape, and then guides the peeling tape together with the peeling tape so as to peel the protective tape from the semiconductor wafer. When peeling the protective tape from the semiconductor wafer using the peeling tape with
The tape peeling device is characterized in that the central portion of the semiconductor wafer is heated to a first temperature by the heater of (1) and the end portion of the semiconductor wafer is heated to a second temperature higher than the first temperature by the second heater.
【請求項3】 上記第1温度が40℃以上45℃以下で
あり、上記第2温度が45℃以上50℃以下であること
を特徴とする請求項2に記載のテープ剥離装置。
3. The tape peeling device according to claim 2, wherein the first temperature is 40 ° C. or higher and 45 ° C. or lower and the second temperature is 45 ° C. or higher and 50 ° C. or lower.
【請求項4】 上記剥離ローラを、保護テープの表面上
を該表面に沿って移動させ、その後、半導体ウエハの表
面から離れる方向に移動させる駆動機構を含むことを特
徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項記載のテープ
剥離装置。
4. A driving mechanism for moving the peeling roller on the surface of the protective tape along the surface, and then in a direction away from the surface of the semiconductor wafer. The tape peeling device according to claim 1.
【請求項5】 上記剥離テープを供給するために該剥離
テープが巻き回された剥離テープロールと、上記保護テ
ープに貼り付けた後の剥離テープを巻き取る巻取りロー
ルと、をさらに含むことを特徴とする請求項1〜4のう
ちいずれか1項記載のテープ剥離装置。
5. A release tape roll around which the release tape is wound to supply the release tape, and a winding roll for winding up the release tape after being attached to the protective tape. The tape peeling device according to claim 1, wherein the tape peeling device is a tape peeling device.
【請求項6】 上記ステージ内に設けられ、該ステージ
に保持された半導体ウエハの下方に配置された第1のヒ
ーターをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の
テープ剥離装置。
6. The tape peeling device according to claim 1, further comprising a first heater provided in the stage and arranged below the semiconductor wafer held by the stage.
【請求項7】 上記ステージ内に設けられ、該ステージ
に保持された半導体ウエハの一端下に配置された第2の
ヒーターをさらに含むことを特徴とする請求項1又は6
に記載のテープ剥離装置。
7. The method according to claim 1, further comprising a second heater provided inside the stage and arranged below one end of the semiconductor wafer held by the stage.
The tape peeling device described in 1.
【請求項8】 半導体ウエハに保護テープを貼り付けて
該半導体ウエハの裏面研削を行った後、該半導体ウエハ
から保護テープを剥離するテープ剥離方法であって、 ステージ上に半導体ウエハを固定して保持し、 上記保護テープの表面上を該表面に沿って剥離ローラを
移動させることにより、該保護テープに剥離テープを貼
り付け、 ステージの半導体ウエハ保持面から突出する方向にフィ
ンガーを動かして半導体ウエハの近傍で剥離テープを押
し上げることにより、半導体ウエハの一端から保護テー
プを剥離し、 半導体ウエハの表面から離れる方向に剥離ローラを移動
させることにより、保護テープを完全に剥離することを
特徴とするテープ剥離方法。
8. A tape peeling method for peeling a protective tape from a semiconductor wafer after attaching a protective tape to the semiconductor wafer, grinding the back surface of the semiconductor wafer, and fixing the semiconductor wafer on a stage. The semiconductor tape is held and the peeling roller is moved along the surface of the protective tape to attach the peeling tape to the protective tape, and the fingers are moved in a direction projecting from the semiconductor wafer holding surface of the stage. The protective tape is peeled off from one end of the semiconductor wafer by pushing up the peeling tape in the vicinity of, and the protective tape is completely peeled off by moving the peeling roller away from the surface of the semiconductor wafer. Peeling method.
【請求項9】 半導体ウエハに保護テープを貼り付けて
該半導体ウエハの裏面研削を行った後、該半導体ウエハ
から保護テープを剥離するテープ剥離方法であって、 ステージ上に半導体ウエハを固定して保持し、 第1のヒーターにより半導体ウエハの中央部を第1温度
に加熱し、 上記保護テープの表面上を該表面に沿って剥離ローラを
移動させることにより、該保護テープに剥離テープを貼
り付け、 ステージの半導体ウエハ保持面から突出する方向にフィ
ンガーを動かして半導体ウエハの近傍で剥離テープを押
し上げることにより、半導体ウエハの一端から保護テー
プを剥離し、 半導体ウエハの表面から離れる方向に剥離ローラを移動
させることにより、保護テープを完全に剥離することを
特徴とするテープ剥離方法。
9. A tape peeling method for peeling a protective tape from a semiconductor wafer after attaching a protective tape to the semiconductor wafer, grinding the back surface of the semiconductor wafer, and fixing the semiconductor wafer on a stage. Hold and heat the central portion of the semiconductor wafer to the first temperature by the first heater, and move the peeling roller on the surface of the protective tape along the surface to attach the peeling tape to the protective tape. , Move the finger in the direction that projects from the semiconductor wafer holding surface of the stage and push up the peeling tape near the semiconductor wafer to peel the protective tape from one end of the semiconductor wafer and move the peeling roller in the direction away from the surface of the semiconductor wafer. A tape peeling method, wherein the protective tape is completely peeled by moving the tape.
【請求項10】 上記第1温度に加熱する際、第2のヒ
ーターにより半導体ウエハの端部を第1温度より高い第
2温度に加熱することを特徴とする請求項9に記載のテ
ープ剥離方法。
10. The tape peeling method according to claim 9, wherein when heating to the first temperature, the end portion of the semiconductor wafer is heated to a second temperature higher than the first temperature by a second heater. .
【請求項11】 半導体ウエハに保護テープを貼り付け
て該半導体ウエハの裏面研削を行った後、該半導体ウエ
ハから保護テープを剥離するテープ剥離方法であって、 ステージ上に半導体ウエハを固定して保持し、 第1のヒーターにより半導体ウエハの中央部を第1温度
に加熱すると共に、第2のヒーターにより半導体ウエハ
の端部を第1温度より高い第2温度に加熱し、 上記保護テープの表面上を該表面に沿って剥離ローラを
移動させることにより、該保護テープに剥離テープを貼
り付け、 半導体ウエハの表面から離れる方向に剥離ローラを移動
させることにより、保護テープを剥離することを特徴と
するテープ剥離方法。
11. A tape peeling method for peeling a protective tape from a semiconductor wafer after applying a protective tape to the semiconductor wafer, grinding the back surface of the semiconductor wafer, and fixing the semiconductor wafer on a stage. The surface of the protective tape is held by heating the central portion of the semiconductor wafer to a first temperature by the first heater and heating the end portion of the semiconductor wafer to a second temperature higher than the first temperature by the second heater. The peeling tape is adhered to the protective tape by moving the peeling roller along the surface, and the protective tape is peeled by moving the peeling roller in a direction away from the surface of the semiconductor wafer. Tape peeling method.
【請求項12】 上記第1温度が40℃以上45℃以下
であり、上記第2温度が45℃以上50℃以下であるこ
とを特徴とする請求項10又は11に記載のテープ剥離
方法。
12. The tape peeling method according to claim 10, wherein the first temperature is 40 ° C. or higher and 45 ° C. or lower and the second temperature is 45 ° C. or higher and 50 ° C. or lower.
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