JP6276988B2 - Adhesive tape application method and adhesive tape application device - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエハに形成された回路パターンを保護する保護テープや、リングフレームと当該リングフレームの中央に載置された半導体ウエハの裏面とに亘って貼り付けるダイシングテープなどを含む粘着テープの貼付け方法および粘着テープ貼付け装置に関する。 The present invention relates to an adhesive tape including a protective tape that protects a circuit pattern formed on a semiconductor wafer, and a dicing tape that is attached to a ring frame and a back surface of a semiconductor wafer placed at the center of the ring frame. The present invention relates to an attaching method and an adhesive tape attaching apparatus.
一般に半導体ウエハ(以下、適宜「ウエハ」という)は、その表面に多数の素子の回路パターンが形成されている。例えば、バンプや微細回路がウエハ表面に形成されている。そこで、当該回路面を保護するために保護テープが貼り付けられている。 In general, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer” as appropriate) has circuit patterns of a large number of elements formed on the surface thereof. For example, bumps and fine circuits are formed on the wafer surface. Therefore, a protective tape is attached to protect the circuit surface.
ウエハ表面のバンプなど凹凸の影響により貼り付けた保護テープの表面にも同様の凹凸が生じている。そこで、保護テープの貼付け処理の後に当該保護テープの表面側から押圧して保護テープを構成する基材の表面を平坦化している(特許文献1を参照)。 Similar irregularities are also generated on the surface of the protective tape attached due to the influence of irregularities such as bumps on the wafer surface. Therefore, after the protective tape is applied, the surface of the base material constituting the protective tape is flattened by pressing from the surface side of the protective tape (see Patent Document 1).
しかしながら、上記従来方法では次のような不都合が生じている。 However, the conventional method has the following disadvantages.
近年、TSV(Through-Silicon Via)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やMEMS(Micro Electro Mechanical System)などのパッケージにより、ウエハ面に形成される回路が、従来よりも狭いピッチのバンプ、嵩高いバンプを含む微細化が要求されている。また、製造するこれらのパッケージに応じて異なる特性の保護テープを使い分けている。例えば、基材の硬度、若しくは基材および粘着剤を含む粘着テープの厚みの増加、またはこれら両方の特性を備えた粘着テープを取り扱うことが困難になっている。 In recent years, circuits formed on the wafer surface by packages such as Through-Silicon Via (TSV), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), and Micro Electro Mechanical System (MEMS), have narrower pitch bumps and bulky bumps. There is a demand for refinement including Also, different types of protective tapes are used depending on the packages to be manufactured. For example, it has become difficult to handle pressure-sensitive adhesive tapes having the characteristics of both the hardness of the base material, the thickness of the pressure-sensitive adhesive tape containing the base material and the pressure-sensitive adhesive, or both.
特許文献1に記載の従来の装置は、大気状態のもとで保護テープがウエハ表面に貼り付けられている。このとき、帯状の保護テープを搬送方向にテンションをかけつつ、当該保護テープの表面に貼付けローラを転動させて押圧し、ウエハ表面に貼り付けている。したがって、保護テープの幅方向に比べて長手方向のテンションが強く、皺の発生しやすい状態でウエハ表面に保護テープが貼り付けられている。それ故に、ウエハ表面上のバンプの狭いピッチなどによって形成される凹凸に粘着剤が追従して侵入しきれない。換言すれば、保護テープがウエハ表面に密着しきれず、ウエハ表面のバンプなどの凹凸形状が保護テープの表面にも現れる。 In the conventional apparatus described in Patent Document 1, a protective tape is attached to the wafer surface under atmospheric conditions. At this time, while applying tension to the belt-shaped protective tape in the transport direction, an adhesive roller is rolled and pressed onto the surface of the protective tape to adhere it to the wafer surface. Therefore, the tension in the longitudinal direction is stronger than the width direction of the protective tape, and the protective tape is attached to the wafer surface in a state where wrinkles are likely to occur. Therefore, the pressure-sensitive adhesive cannot completely penetrate the unevenness formed by the narrow pitch of the bumps on the wafer surface. In other words, the protective tape cannot be adhered to the wafer surface, and uneven shapes such as bumps on the wafer surface also appear on the surface of the protective tape.
そこで、保護テープの表面を平坦にするために、保護テープをウエハに貼り付けた後に、平坦面を有する押圧部材で加熱しながら加圧している。 Therefore, in order to flatten the surface of the protective tape, after the protective tape is attached to the wafer, pressure is applied while heating with a pressing member having a flat surface.
しかしながら、保護テープの貼り付け時点では、粘着剤層が軟化していないので、バンク間に侵入しきれず、ひいてはウエハと保護テープの接着界面に気泡を巻き込むといった問題がある。 However, since the pressure-sensitive adhesive layer is not softened at the time of applying the protective tape, there is a problem in that it cannot completely enter between the banks, and as a result, air bubbles are involved in the bonding interface between the wafer and the protective tape.
さらに、粘着テープの貼り付け後にその表面を平坦にするために保護テープを加熱する場合、粘着剤の厚みや保護テープの基材の硬度の増加が、粘着剤などを軟化させるのに従来以上に処理時間がかかるといった不都合が生じている。 In addition, when heating the protective tape to make the surface flat after applying the adhesive tape, the increase in the thickness of the adhesive or the hardness of the base material of the protective tape is more than conventional to soften the adhesive. There is an inconvenience that processing time is required.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、半導体ウエハに形成された回路の状態に関わらず、粘着テープを精度よく貼り付けるとともに、貼付け処理を効率よく行うことのできる粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置を提供することを主たる目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances. The adhesive tape can be applied with high accuracy and can be applied efficiently regardless of the state of the circuit formed on the semiconductor wafer. The main object is to provide an application method and an adhesive tape application device.
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。 In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
すなわち、半導体ウエハの回路形成面に粘着テープを貼り付ける粘着テープ貼付け方法であって、
チャンバを構成する一対の第1ハウジングおよび第2ハウジングの一方の接合部に当該チャンバの内径よりも大きい前記粘着テープを貼り付ける第1貼付け過程と、
前記粘着テープを挟んでチャンバを形成した後に、加熱器によって粘着テープを予め加熱する予備加熱過程と、
前記粘着テープの粘着面に半導体ウエハを近接対向させ、当該半導体ウエハを収納保持する第2ハウジングの空間を第1ハウジングの空間よりも気圧を低くしながら当該粘着テープを半導体ウエハに貼り付ける第2貼付け過程と、
前記半導体ウエハの回路形成面に貼り付いた粘着テープの表面を加圧部材の平坦面によって加圧して平坦化する加圧過程と、
を備えたことを特徴とする。
That is, an adhesive tape attaching method for attaching an adhesive tape to a circuit forming surface of a semiconductor wafer,
A first affixing step of affixing the adhesive tape larger than the inner diameter of the chamber to one joint of the pair of first housing and second housing constituting the chamber;
A preheating step of preheating the adhesive tape with a heater after forming the chamber with the adhesive tape in between;
A semiconductor wafer is placed in close proximity to the adhesive surface of the adhesive tape, and the second adhesive tape is affixed to the semiconductor wafer while lowering the atmospheric pressure in the space of the second housing for storing and holding the semiconductor wafer lower than the space of the first housing. Pasting process,
A pressing process in which the surface of the adhesive tape attached to the circuit forming surface of the semiconductor wafer is pressed and flattened by the flat surface of the pressing member;
It is provided with.
(作用・効果) この方法によれば、一方のハウジングの接合部に粘着テープを貼り付けてから当該粘着テープを半導体ウエハに貼り付けるまでの間に、当該粘着テープが所定の温度まで予備加熱される。したがって、粘着テープの貼り付け時点では、粘着剤が軟化しているので、押圧部材などを利用せずとも粘着テープによって仕切られたチャンバ内の2つの空間に差圧を生じさせるのみで、粘着テープの全面に均一な押圧を作用させながら半導体ウエハ表面に貼り付けることができる。換言すれば、過剰な押圧によって表面のバンプなどを破損させることなく半導体ウエハに粘着テープを貼り付けることができる。また、減圧作用により半導体ウエハ表面の凹部から気泡を脱気させるとともに、当該半導体ウエハ表面の凹凸形状に粘着剤を追従させて密着させることができる。さらに、粘着テープの予備加熱は、粘着テープを貼り付ける直前までのチャンバ内の減圧過程で行うことができるので、従来のように粘着テープの表面を平坦化するのに伴って粘着テープを加熱する場合に比べて、処理時間を短縮することができる。 (Function / Effect) According to this method, the adhesive tape is preheated to a predetermined temperature between the time when the adhesive tape is applied to the joint of one housing and the time when the adhesive tape is applied to the semiconductor wafer. The Therefore, since the adhesive is softened at the time of application of the adhesive tape, the pressure-sensitive adhesive tape can be produced only by generating a differential pressure in the two spaces in the chamber partitioned by the adhesive tape without using a pressing member. Can be attached to the surface of the semiconductor wafer while applying a uniform pressure to the entire surface. In other words, the adhesive tape can be attached to the semiconductor wafer without damaging the bumps on the surface due to excessive pressing. In addition, air bubbles can be degassed from the recesses on the surface of the semiconductor wafer by the pressure reducing action, and the pressure-sensitive adhesive can be brought into close contact with the uneven shape on the surface of the semiconductor wafer. Furthermore, since the preheating of the adhesive tape can be performed in the pressure-reducing process in the chamber until immediately before the adhesive tape is applied, the adhesive tape is heated as the surface of the adhesive tape is flattened as in the prior art. Compared to the case, the processing time can be shortened.
なお、上記方法において、予備加熱過程は、例えば、加熱器を埋設した加圧部材の加圧面を粘着テープに当接させて予備加熱することが好ましい。 In the above method, the preheating process is preferably preheated by bringing the pressure surface of the pressure member in which the heater is embedded into contact with the adhesive tape, for example.
この場合、加圧部材の加圧面は平坦であるので、粘着テープと密接する。したがって、粘着テープの全面を均一に加熱することができる。 In this case, since the pressure surface of the pressure member is flat, it is in close contact with the adhesive tape. Therefore, the entire surface of the adhesive tape can be heated uniformly.
また、上記方法において、加圧過程は、加圧部材により粘着テープを加熱しながら加圧することが好ましい。 Moreover, in the said method, it is preferable to pressurize a pressurizing process, heating an adhesive tape with a pressurizing member.
この場合、粘着テープを構成する基材の凹凸を効率よく平坦にすることができる。 In this case, the unevenness | corrugation of the base material which comprises an adhesive tape can be made flat efficiently.
また、この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。 The present invention has the following configuration in order to achieve such an object.
すなわち、半導体ウエハの回路形成面に表面保護用の粘着テープを貼り付ける粘着テープ貼付け装置であって、
前記半導体ウエハを保持する保持テーブルと、
前記保持テーブルを収納する一対の第1ハウジングおよび第2ハウジングからなるチャンバと、
前記チャンバの内径よりも大きい前記粘着テープを供給するテープ供給部と、
前記ハウジングの一方の接合部に粘着テープを貼り付けるテープ貼付け機構と、
前記接合部に貼り付けられた粘着テープを予め加熱する加熱器と、
前記粘着テープにより仕切られたチャンバ内の2つの空間に差圧を生じさせて半導体ウエハに貼り付けられた粘着テープを当該チャンバ内に配備した加圧部材によって加圧する加圧機構と、
前記半導体ウエハの外形に沿って粘着テープを切断する切断機構と、
前記半導体ウエハの形状に切り抜いた粘着テープを剥離する剥離する剥離機構と、
剥離後の前記粘着テープを回収するテープ回収部と、
を備えたことを特徴とする。
That is, an adhesive tape attaching device for attaching an adhesive tape for surface protection to a circuit forming surface of a semiconductor wafer,
A holding table for holding the semiconductor wafer;
A chamber composed of a pair of first housing and second housing for housing the holding table;
A tape supply unit for supplying the adhesive tape larger than the inner diameter of the chamber;
A tape attaching mechanism for attaching an adhesive tape to one joint of the housing;
A heater for pre-heating the adhesive tape affixed to the joint,
A pressurizing mechanism that generates a differential pressure in two spaces in the chamber partitioned by the adhesive tape, and pressurizes the adhesive tape attached to the semiconductor wafer by a pressurizing member disposed in the chamber;
A cutting mechanism for cutting the adhesive tape along the outer shape of the semiconductor wafer;
A peeling mechanism for peeling off the adhesive tape cut out in the shape of the semiconductor wafer;
A tape recovery unit for recovering the adhesive tape after peeling;
It is provided with.
(作用・効果) 上述の装置によれば、粘着テープを半導体ウエハに貼り付ける前にチャンバ内を減圧する過程で、粘着テープを所定の温度まで予め加熱することができる。したがって、粘着テープ貼付時の半導体ウエハの状態が異なっても、上記方法を好適に実施することができる。 (Operation / Effect) According to the above-described apparatus , the pressure-sensitive adhesive tape can be preheated to a predetermined temperature in the process of decompressing the inside of the chamber before the pressure-sensitive adhesive tape is attached to the semiconductor wafer. Therefore, even if the state of the semiconductor wafer at the time of sticking the adhesive tape is different, the above method can be suitably implemented.
なお、上記装置において、加圧機構の加圧部材に加熱器を備えることが好ましい。 In the above apparatus, it is preferable that the pressure member of the pressure mechanism is provided with a heater .
この構成によれば、加圧部材の平坦な加圧面を粘着テープに当接させることができるので、粘着テープの全面を均一に加熱することができる。 According to this configuration, since the flat pressure surface of the pressure member can be brought into contact with the adhesive tape, the entire surface of the adhesive tape can be heated uniformly.
本発明の粘着テープ貼付け装置および粘着テープ貼付け方法によれば、半導体ウエハの面に形成された回路の状態に関わらず粘着テープを半導体ウエハに精度よく、かつ、効率よく貼り付けることができる。 According to the pressure-sensitive adhesive tape bonding apparatus and the pressure-sensitive adhesive tape bonding method of the present invention, the pressure-sensitive adhesive tape can be bonded to the semiconductor wafer with high accuracy and efficiency regardless of the state of the circuit formed on the surface of the semiconductor wafer.
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。なお、本実施例では、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という)の回路形成面に表面保護用の粘着テープを貼り付ける場合を例にとって説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, a case where an adhesive tape for surface protection is attached to a circuit forming surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as “wafer”) will be described as an example.
図1は、この発明の一実施例に係り、粘着テープ貼付け装置の全体構成を示した正面図、図2は、粘着テープ貼付け装置の平面図である。 FIG. 1 is a front view showing an overall configuration of an adhesive tape attaching apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the adhesive tape attaching apparatus.
粘着テープ貼付け装置は、ウエハ供給/回収部1、ウエハ搬送機構2、アライメントステージ3、テープ供給部4、貼付けユニット5、テープ切断機構6、チャンバ7、加圧ユニット8、剥離ユニット9およびテープ回収部10などが備えられている。以下、上記各構造部および機構などについての具体的な構成を説明する。
The adhesive tape pasting apparatus includes a wafer supply / recovery unit 1, a
ウエハ供給/回収部1には2台のカセットC1、C2が並列して載置される。各カセットCには、多数枚のウエハWが回路形成面(表面)を上向きにした水平姿勢で多段に差込み収納されている。
Two cassettes C 1 and
ウエハ搬送機構2は、2台のロボットアーム11A、11Bを備えている。両ロボットアーム11A、11Bは、水平に進退移動可能に構成されるとともに、全体が旋回および昇降可能になっている。そして、ロボットアーム11A、11Bの先端には、馬蹄形をした真空吸着式のウエハ保持部が備えられている。ウエハ保持部は、カセットCに多段に収納されたウエハW同士の間隙に差し入れられ、ウエハWを裏面から吸着保持する。吸着保持したウエハWは、カセットCから引き出されて、アライメントステージ3、保持テーブル37およびウエハ供給/回収部1の順に搬送される
The
アライメントステージ3は、ウエハ搬送機構2によって搬入載置されたウエハWを、その外周に形成されたノッチやオリエンテーションフラットに基づいて位置合わせを行うよう。
The
テープ供給部4、貼付けユニット5、セパレータ回収部12および切断ユニット23が、図1に示すように、同一の縦プレート14に装着されている。当該縦プレート14は、可動台15を介して上部のフレーム16に沿って水平移動する。
The tape supply unit 4, the
テープ供給部4には、ロール巻きした幅広の粘着テープPTが供給ボビン17に装填されている、当該供給ボビン17からら繰り出されたセパレータs付きの保護テープPTをガイドローラ18群に巻回案内し、セパレータsを剥離した保護テープPTを貼付けユニット5に導くように構成されている。また、供給ボビン17に適度の回転抵抗を与えて過剰なテープ繰り出しが行われないように構成されている。
In the tape supply unit 4, a roll-wrapped wide adhesive tape PT is loaded on the
セパレータ回収部12は、保護テープPTから剥離されたセパレータsを巻き取る回収ボビン19が巻き取り方向に回転駆動されるようになっている。
The
貼付けユニット5は、図3に示すように、剥離部材20、昇降ローラ21および貼付けローラ22を備えている。なお、貼付けユニット5は、本発明のテープ貼付け機構に相当する。
As shown in FIG. 3, the
剥離部材20は、先端が先鋭なエッジを有する。当該エッジを斜め下向きにした当該剥離部材20により、セパレータsを折り返して粘着テープPTを剥離する。すなわち、粘着テープPTを剥離部材20から前方に突き出す。
The peeling
昇降ローラ21は、剥離部材20と協働して粘着テープPTを適時に把持する。
The lifting
貼付けローラ22は、剥離部材20の先端から突き出される粘着テープPTの先端を押圧して後述する下ハウジング33B、33Cの接合部70に貼り付けてゆく。
The sticking
切断ユニット23は、剥離部材20の前側に設けられたフレーム24に沿って移動する可動台25と、当該可動台25の下部にカッタホルダを介してカッタ26を備えている。すなわち、切断ユニット23は、粘着テープPTを幅方向に切断する。
The cutting
テープ切断機構6は、図1および図2に示すように、フレーム27に沿って昇降可能な可動台28から片持ち支持されたアームの先端下部で径方向に伸びる支持アーム29を介してカッタユニット30を備えている。カッタユニット30には、刃先を下向きにしたカッタ31がカッタホルダを介して装着されている。なお、カッタユニット30は、支持アーム29を介して旋回半径を調整可能になっている。なお、テープ切断機構6は、本発明の切断機構に相当する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
チャンバ7は、粘着テープTの幅よりも小さい内径を有する上下一対のハウジングによって構成される。本実施例では、1個の上ハウジング33Aと2個の下ハウジング33B、33Cを備えている。
The
下ハウジング33B、33Cは、図4に示すように、モータなどの回転駆動機34の回転軸35に連結固定され旋回アーム36の両端にそれぞれ備えられている。すなわち、例えば、一方の下ハウジング33Bが上ハウジング33Aとチャンバ7を形成するとき、他方の下ハウジング33Cが貼付けユニット5側のテープ貼付け位置に位置するようこうに構成されている。また、下ハウジング33B、33Cの上面および下面は、フッ素加工などの離型処理が施されている。
As shown in FIG. 4, the lower housings 33 </ b> B and 33 </ b> C are connected and fixed to a
両下ハウジング33B、33C内には、昇降可能な保持テーブル37が備えられている。保持テーブル37は、下ハウジング33B、33Cを貫通するロッド38と連結されている。ロッド38の他端は、モータなどから成るアクチュエータ39に駆動連結されている。したがって、保持テーブル37は、下ハウジング33B、33C内で昇降する。また、保持テーブル37には、ヒータ49が埋設されている。
A holding table 37 that can be raised and lowered is provided in the
上ハウジング33Aは、昇降駆動機構40に備えてられている。この昇降駆動機構40は、縦壁41の背部に縦向きに配置されたレール42に沿って昇降可能な可動台43この可動台43に高さ調節可能に支持された可動枠44、この可動枠44から前方に向けて延出されたアーム45を備えている。このアーム45の先端部から下方に延出する支軸46に上ハウジング33Aが装着されている。
The
可動台43は、ネジ軸47をモータ48によって正逆転することでねじ送り昇降されるようになっている。
The
上下ハウジング33A−33Cには、図5に示すように、流路50を介して真空装置51と連通接続されている。なお、上ハウジング33A側の流路50には、電磁バルブ52を備えている。また、各ハウジング33A−33Cには、大気開放用の電磁バルブ53、54を備えた流路55がそれぞれ連通接続されている。さらに、上ハウジング33Aには、一旦減圧した内圧をリークにより調整する電磁バルブ56を備えた流路57が連通接続されている。なお、これら電磁バルブ52、53、54、56の開閉操作および真空装置51の作動は、制御部60によって行われている。
As shown in FIG. 5, the upper and lower housings 33 </ b> A to 33 </ b> C are connected to a
加圧ユニット8は、上ハウジング33A内に加圧部材61を備えている。加圧部材61は、平坦な底面を有するプレートである。当該加圧部材の上部にシリンダ62が連結されており、上ハウジン33A内で昇降する。また、加圧部材61にはヒータ63が組み込まれている。なお、加圧ユニット8は、本発明の加圧機構に相当する。
The
剥離ユニット9は、図1、図2および図16に示すように、案内レール64に沿って左右水平に移動する可動台65、当該可動台65上で昇降する固定受け片66、当該固定受け片66とシリンダ67で開閉される可動片68を備えている。すなわち、剥離ユニット9は、テープ切断機構6によってウエハWの形状に切る抜かれた不要な粘着テープPTの一端側を固定受け片66と可動片68によって把持して剥離してゆく。なお、剥離ユニット9は、本発明の剥離機構に相当する。
As shown in FIGS. 1, 2, and 16, the
テープ回収部10には、剥離ユニット9の剥離終了端側に位置し、当該剥離ユニット9によって剥離された粘着テープPTを回収する回収容器69が配置されている。
A
次に、上述の実施例装置により、粘着テープPTをウエハWに貼り付ける一巡の動作を説明する。 Next, a description will be given of a round of operation of attaching the adhesive tape PT to the wafer W using the above-described embodiment apparatus.
先ずロボットアーム11AによってカセットC1からウエハWを搬出し、アライメントステージ3に載置する。アライメントステージ3で位置合わせを行った後に、ロボットアーム11Aによって、テープ貼付け位置にある保持テープ37に搬送する。
First, the wafer W is unloaded from the cassette C 1 by the
保持テーブル37は、図6に示すように、下ハウジング33Bの頂部(接合部)70よりも高く複数本の支持ピン71を突き上げてウエハWを受け取る。ウエハWを受け取った支持ピン71は下降し、当該ウエハWは保持テーブル37の保持面で吸着保持される。このとき、ウエハWの表面は、接合部70よりも低い位置にある。
As shown in FIG. 6, the holding table 37 receives the wafer W by pushing up a plurality of support pins 71 higher than the top (joining portion) 70 of the lower housing 33 </ b> B. The support pins 71 that have received the wafer W are lowered, and the wafer W is sucked and held by the holding surface of the holding table 37. At this time, the surface of the wafer W is at a position lower than the
図7に示すように、貼付けユニット5を貼付け開始端に移動させる。粘着テープPTの供給と巻き取りの同期をとりながら剥離部材20から所定長だけ粘着テープPTを突き出す。貼付けローラ22を下降させて粘着テープPTの先端を下ハウジング33Bの接合部70に貼り付ける。その後、貼付けユニット5を移動させながら、当該接合部70の全面に粘着テープPTを貼り付けてゆく。このとき、ウエハWの表面と粘着テープPTの粘着面は、予め決めたクリアランスをもって近接対向されている。
As shown in FIG. 7, the
貼付け終端側の接合部70から所定距離を超えた位置で貼付けユニット5は停止する。切断ユニット23が作動し、図8および図9に示すように、カッタ26が粘着テープPTの後端側を幅方向に切断する。なお、図7、図8および後述する図13は、貼付けユニット5によるテープ貼付け動作が分かりやすいように、左側に記載の下ハウジング33Bを90度回転させて記載している。
The
図10および図11に示すように、回転駆動機34を作動させて下ハウジング33Bを上ハウジング33Aの下方に旋回移動させる。このとき、旋回アーム36の他端側に装着された下ハウジング33Cが、テープ貼付け位置に移動する。
As shown in FIGS. 10 and 11, the
図12に示すように、上ハウジング33Aを下降させ、下ハウジング33Bとで粘着テープPTを挟み込んでチャンバ7を形成する。
As shown in FIG. 12, the
制御部60は、ヒータ49を作動させて保持テーブル37上のウエハWを所定温度に加熱するとともに、粘着テープPTの予備加熱処理とチャンバ7内の減圧を略同時に行う。
The
予備加熱処理は、次のように実施される。装置の作動開始とともに、ヒータ63は、所定の温度に保たれている。すなわち、粘着テープPTがウエハWに接触するタイミングで粘着剤が適度に軟化してウエハWのバンプなどの隙間に侵入して密着するとともに、粘着テープPTの基材が適度に変形される温度になるよう温度制御されている。したがって、チャンバ7を形成すると略同時に、加圧部材61を所定高さまで下降させて加圧面を粘着テープPTに当接させて予備加熱を開始する。なお、予備加熱の温度は、使用する粘着テープの特性に応じて適宜に設定変更される。
The preheating treatment is performed as follows. With the start of operation of the apparatus, the
加圧部材61が粘着テープPTに当接したままチャンバ7内の減圧を開始する。すなわち、電磁バルブ53、54、56を閉じた状態で、真空装置51を作動させて上ハウジング33A内と下ハウジング33B内を減圧する。このとき、両ハウジング33A、33B内が同じ速度で減圧してゆくように、電磁バルブ52の開度を調整する。
Pressure reduction in the
両ハウジング33A、33B内が所定の気圧まで減圧されると、制御部60は、電磁バルブ52を閉じるとともに、真空装置51の作動を停止する。
When both
その後、電磁バルブ56の開度を調整してリークさせながら上ハウジング33A内を所定の気圧まで徐々に高める。このとき、下ハウジング33B内の気圧が上ハウジング33A内の気圧よりも低くなりその差圧によって、図13および図14に示すように、粘着テープPTがその中心から下ハウジング33B内に引き込まれてゆき、近接配備されたウエハWの中心から外周に向けて徐々に貼り付けられてゆく。
Thereafter, the inside of the
予め設定された気圧に上ハウジング33A内が達すると、制御部60は、電磁バルブ54の開度を調整して下ハウジング33B内の気圧を上ハウジング33A内の気圧と同じにする。この気圧調整に応じて保持テーブル37を上昇させて下ハウジング33Bの接合部70の表面とウエハWの上面とを同じ高さにする。
When the inside of the
図15に示すように、ヒータ63によって加熱されている加圧部材61を予め決めた高さまで更に下降させ、粘着テープPTの全面を所定時間にわたって加熱しながら加圧する。この高さは、粘着テープPTの厚み、ウエハW上のバンプの高さなどによって、当該バンプを含む回路が破損しない高さに予め設定されている。
As shown in FIG. 15, the
加圧処理が完了すると、制御部60は、上ハウジング33Aを上昇させて上ハウジング33A内を大気開放するとともに、電磁バルブ54を全開にして下ハウジング33B側も大気開放する。
When the pressurizing process is completed, the
なお、チャンバ7内で粘着テープPTをウエハWに貼り付けている間に、ロボットアーム11BによってカセットC2から搬出されウエハWを下ハウジング33C内の保持テーブル37で吸着保持しつつ、当該下ハウジング33Cの接合部70に粘着テープPTが貼り付けられている。
While the adhesive tape PT is attached to the wafer W in the
チャンバ7内でのウエハWへの粘着テープPTの貼付け処理および加圧処理と、貼付けユニット5による下ハウジング33Cへの粘着テープPTの貼付け処理が完了すると、図16に示すように、旋回アーム36を反転させる。すなわち、一方の下ハウジング33Bを貼付けユニット5側のテープ貼付け位置に移動させ、他方の下ハウジング33Cを上ハウジング33Aの下方の接合位置に移動させる。
When the adhesive tape PT pasting process and pressurizing process on the wafer W in the
テープ切断機構6を作動させ、図17に示すように、カッタユニット30を所定高さまで下降させ、ウエハWと下ハウジング33Bとの間の粘着テープPTにカッタ31を突き刺す。その状態で、ウエハWの外周に沿って粘着テープPTを切断する。このとき、粘着テープPTの表面は、水平に保たれている。粘着テープPTの切断が完了すると、カッタユニット30は上昇して待機位置に戻る。
As shown in FIG. 17, the
剥離ユニット9を剥離開始位置に移動させる。図18に示すように、下ハウジング33Bからはみ出ている粘着テープPTの両端側を固定受け片66と可動片68によって挟み込む。図19に示すように、その状態で斜め上方に所定距離移動させた後に、水平移動させながらウエハ形状に切り抜かれた粘着テープPTを剥離してゆく。
The
剥離ユニット9がテープ回収部10に到達すると、粘着テープPTの把持を解除して回収容器69に粘着テープPTを落下させる。
When the
粘着テープPTの貼り付けられたウエハWは、ロボットアーム11AによってカセットC1のもと位置に収納させる。
The wafer W to which the adhesive tape PT is attached is stored in the original position of the cassette C1 by the
なお、下ハウジング33B側の粘着テープPTの切断および剥離処理を行っている間に、下ハウジング33C側のウエハへの粘着テープPTの貼付け処理が行われている。以上でウエハWへの粘着テープTの一巡の貼付け動作が終了し、以後、同じ処理が繰り返し行われる。
Note that while the adhesive tape PT on the
上記実施例装置によれば、粘着テープPTの先端側を自由状態で下ハウジング33B、33Cの接合部70に貼り付けるので、貼付け方向へのテンションを抑制した状態で粘着テープPTを貼り付けることができる。したがって、テンションの偏りのない粘着テープPTに差圧を作用させることにより、当該粘着テープPTに放射状の均一なテンションを作用させることができる。したがって、皺など発生させることなくウエハWの表面に粘着テープPTを貼り付けることができる。
According to the above-described embodiment device, since the front end side of the adhesive tape PT is attached in a free state to the
また、チャンバ7内に備えられた加圧部材61のヒータ63が所定温度に制御されている。それ故に、チャンバ7を形成と同時に加圧部材61の加圧面を粘着テープPTに当接させて粘着テープPTを所定温度まで直ちに予備加熱を開始することができる。また、粘着テープPTによって仕切られたチャンバ7の2つの空間を同じ速度で同じ気圧まで減圧または真空にするまでの間に、粘着テープPTを所定温度まで予備加熱することができる。したがって、加圧処理と同時に粘着テープPTをヒータ63によって加熱する従来の方法に比べて、粘着テープPTの貼付け時間を短縮することができる。
Further, the
また、チャンバ7内の2つの空間で差圧を生じさせることにより、適度に軟化された状態の粘着テープPTをウエハWの中心から放射状に貼り付けてゆくことができる。
In addition, the pressure-sensitive adhesive tape PT in a moderately softened state can be applied radially from the center of the wafer W by generating a differential pressure in the two spaces in the
したがって、貼付けローラなどの貼付け部材を利用したときのように過剰な押圧がウエハWに作用しないので、バンプなどを含む回路を破損させることない。また、減圧作用によりウエハWの凹部から気泡を脱気させるとともに、当該ウエハWの表面の凹凸形状に粘着剤を追従させて密着させることもができる。 Therefore, excessive pressing does not act on the wafer W as in the case of using a pasting member such as a pasting roller, so that a circuit including bumps is not damaged. In addition, air bubbles can be degassed from the recesses of the wafer W by the pressure reducing action, and the pressure-sensitive adhesive can be brought into close contact with the uneven shape on the surface of the wafer W.
また、粘着テープPTの貼り付け処理後に、加圧処理を再度行うので、粘着テープPTを構成する基材の表面が平坦になっている。したがって、バックグラインド後のウエハWの厚みのバラツキを抑制することができる。すなわち、粘着テープPTの特性やウエハWの回路形成面の状態に関わらず粘着テープPTの表面を平坦化することができる。 In addition, since the pressure treatment is performed again after the adhesive tape PT is attached, the surface of the base material constituting the adhesive tape PT is flat. Therefore, variations in the thickness of the wafer W after back grinding can be suppressed. That is, the surface of the adhesive tape PT can be flattened regardless of the characteristics of the adhesive tape PT and the state of the circuit formation surface of the wafer W.
さらに、チャンバ7内でウエハWへの粘着テープPTの貼付け処理および加圧処理を行っている間に他方の下ハウジングへの粘着テープPTの貼付け処理やテープ切断およびテープ剥離処理を平行して同時に行うことができる。したがって、タクトタイムを短縮することができる。
Further, while the adhesive tape PT is attached to the wafer W in the
なお、本発明は以下のような形態で実施することも可能である。 The present invention can also be implemented in the following forms.
(1)上記実施例では、表面保護用の粘着テープPTを貼り付ける場合を例にとって説明したが、表裏面に回路形成されたウエハWとリングフレームとにわたって支持用の粘着テープ(ダイシングテープ)に貼り付ける場合にも適用することができる。したがって、上記実施例装置と同一構成には同一符号を付すに留め、異なる構成部分について詳述する。 (1) In the above embodiment, the case where the adhesive tape PT for surface protection is applied is described as an example. However, the adhesive tape (dicing tape) for supporting the wafer W formed on the front and back surfaces and the ring frame is used. It can also be applied when pasting. Therefore, the same components as those in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals, and different components will be described in detail.
当該粘着テープ貼付け装置は、図20および図21に示すように、フレーム供給部75、ロボットアーム76、フレーム保持テーブル77および切断ユニット78を新たに備えている。
As shown in FIGS. 20 and 21, the adhesive tape pasting apparatus newly includes a
フレーム供給部75は、カセットC1の横に設けられている。当該スペースにリングフレームfを積層収納したワゴンタイプの搬送車79が連結される。当該搬送車78は、その内部に昇降台が備えられている。当該昇降台にリングフレームfが積層されており、所定ピッチで昇降しつつ、上方の開口から1枚ずつリングフレームfをロボットアーム76に受け渡すように構成されている。
The
ロボットアーム76は、馬蹄形をした保持部でリングフレームfの上面を吸着保持して搬送する。
The
フレーム保持テーブル77は、下ハウジング33B、33Cの外周を囲う環状であり、旋回アーム36上に設けられている。したがって、下ハウジング33B、33Cと一体となって旋回する。当該フレーム保持テーブル77にリングフレームfを載置したとき、下ハウジング33B、33Cの接合面とリングフレームfの面が面一になるように高さが設定されている。
The frame holding table 77 has an annular shape surrounding the outer periphery of the lower housings 33 </ b> B and 33 </ b> C, and is provided on the turning
切断ユニット78は、上ハウジング33Aを昇降させる昇降駆動機構40に配備されている。つまり、図22に示すベアリング79を介して支軸46周りに回転するボス部80を備えている。このボス部80に、中心に径方向に延伸する4本の支持アーム81から84を備えている。
The cutting
一方の支持アーム81の先端に、円板形のカッタ85を水平軸支したカッタブラケットが上下移動可能に装着されるとともに、他の支持アーム82から84の先端に押圧ローラ87が揺動アーム88を介して上下移動可能に装着されている。
A cutter bracket that horizontally supports a disc-shaped
ボス部80の上部には連結部89を有し、この連結部89にアーム45に備わったモータ90の回転軸と駆動連結されている。
A connecting
次の当該実施例装置によって粘着テープDTをリングフレームfとウエハWに貼り付ける一巡の動作について説明する。 Next, a description will be given of a one-round operation of attaching the adhesive tape DT to the ring frame f and the wafer W by the apparatus of this embodiment.
ロボットアーム11AによってウエハWをカセットC1から搬出してアライメントステージ3で位置合わせを行っている間に、ロボットアーム76によってリングフレームfを搬出してテープ貼付け位置にあるフレーム保持テーブル77に載置する。
While the
位置合わせの完了したウエハWがロボットアーム11Aによって保持テーブル37への受け渡すと、図23に示すように、貼付けユニット5によってリングフレームfと下ハウジング33Bの接合部70とにわたって粘着テープDTを貼り付ける。このとき、ウエハWの表面と粘着テープDTの粘着面は、予め決めたクリアランスをもって近接対向されている。なお、図23は、貼付けユニット5によるテープ貼付け動作が分かりやすいように、左側に記載の下ハウジング33B側を90度回転させて記載している。
When the aligned wafer W is transferred to the holding table 37 by the
貼付けユニット5が貼付け終端位置に到達すると、切断ユニット23によって粘着テープDTを切断する。このとき、切断後の粘着テープDTの後端は、リングフレームfから所定長さはみ出ている。
When the affixing
回転駆動機34を作動させて下ハウジング33Bを上ハウジング33Aの下方に旋回移動させる。このとき、旋回アーム36の他端側に装着された下ハウジング33Cが、テープ貼付け位置に移動する。
The
図24に示すように、上ハウジング33Aを下降させ、粘着テープDTを下ハウジング33Bと挟み込んでチャンバ7を形成する。
As shown in FIG. 24, the
制御部60は、ヒータ49を作動させて保持テーブル37上のウエハWを所定温度に加熱するとともに、粘着テープPTの予備加熱処理とチャンバ7内の減圧を略同時に行う。
The
予備加熱処理は、次のように実施される。装置の作動開始とともに、ヒータ63は、所定の温度に保たれている。すなわち、粘着テープDTがウエハWに接触するタイミングで粘着剤が適度に軟化してウエハWに密着するとともに、粘着テープDTの基材が適度に変形される温度になるよう温度制御されている。したがって、チャンバ7を形成すると略同時に加圧部材61を所定高さまで下降させて加圧面を粘着テープPTに当接させて予備加熱を開始する。なお、予備加熱の温度は、使用する粘着テープの特性に応じて適宜に設定変更される。
The preheating treatment is performed as follows. With the start of operation of the apparatus, the
加圧部材61が粘着テープPTに当接したままチャンバ7内の減圧を開始する。すなわち、電磁バルブ53、54、56を閉じた状態で、真空装置51を作動させて上ハウジング33A内と下ハウジング33B内を減圧する。このとき、両ハウジング33A、33B内が同じ速度で減圧してゆくように、電磁バルブ52の開度を調整する。
Pressure reduction in the
両ハウジング33A、33B内が所定の気圧まで減圧されると、制御部60は、電磁バルブ52を閉じるとともに、真空装置51の作動を停止する。
When both
その後、電磁バルブ56の開度を調整してリークさせながら上ハウジング33A内を所定の気圧まで徐々に高める。このとき、下ハウジング33B内の気圧が上ハウジング33A内の気圧よりも低くなりその差圧によって、図25および図26に示すように、粘着テープDTがその中心から下ハウジング33B内に引き込まれてゆき、近接配備されたウエハWの中心から外周に向けて徐々に貼り付けられてゆく。その後、下ハウジング33B内の気圧を上ハウジング33A内の気圧と同じにする。この気圧調整に応じて保持テーブル37を上昇させてリングフレームfの表面とウエハWの上面とを同じ高さにする。
Thereafter, the inside of the
図27に示すように、ヒータ63によって加熱されている加圧部材61を予め決めた高さまで下降させ、粘着テープPTの全面を所定時間にわたって加熱しながら加圧する。この高さは、粘着テープPTの厚み、ウエハW上のバンプの高さなどによって、当該バンプを含む回路が破損しない高さに設定されている。
As shown in FIG. 27, the
なお、チャンバ7内で粘着テープDTの貼付け処理と加圧処理を行っている間に、切断ユニット78が作動する。このとき、カッタ85がリングフレームfに貼り付けられた粘着テープDTをリングフレームfの形状に切断するとともに、押圧ローラ87がカッタ85に追従してリングフレームf上のテープ切断部位を転動しながら押圧してゆく。つまり、下降した上ハウジング33Aと下ハウジング33Bとによってチャンバ7を構成したとき、切断ユニット78のカッタ85と押圧ローラ87も切断作用位置に到達している。
Note that the cutting
加圧処理が完了すると、制御部60は、図28に示すように、上ハウジング33Aを上昇させて上ハウジング33A内を大気開放するとともに、電磁バルブ54を全開にして下ハウジング33B側も大気開放する。
When the pressurizing process is completed, as shown in FIG. 28, the
なお、チャンバ7内で粘着テープPTをウエハWに貼り付けている間に、ロボットアーム11A、76によってテープ貼付け位置にある下ハウジング33Cとフレーム保持テーブル77にウエハWとリングフレームfを載置し、粘着テープDTの貼り付け処理が行われる。
While the adhesive tape PT is being applied to the wafer W in the
チャンバ7内でのウエハWへの粘着テープの貼付け処理および加圧処理と、貼付けユニット5による下ハウジング33Cへの粘着テープPTの貼付け処理が完了すると、旋回アーム36を反転させる。
When the adhesive tape attaching process and pressurizing process to the wafer W in the
剥離ユニット9を剥離開始位置に移動させる。図29に示すように、リングフレームfからはみ出ている粘着テープDTの両端側を固定受け片66と可動片68によって挟み込む。その状態で斜め上方に所定距離移動させた後に、水平移動させながらウエハ形状に切り抜かれた粘着テープPTを剥離してゆく。
The
剥離ユニット9がテープ回収部10に到達すると、粘着テープPTの把持を解除して回収容器69に粘着テープPTを落下させる。
When the
なお、下ハウジング33B側の粘着テープDTの剥離処理および剥離処理が完了し、ウエハWとリングフレームfとが一体的に作成されたマウントフレームの搬出を行っている間に、下ハウジング33C側のウエハへの粘着テープPTの貼付け処理、加圧処理およい切断処理が行われている。以上でウエハWへの粘着テープTの一巡の貼付け動作が終了し、以後、同じ処理が繰り返し行われる。
In addition, while the peeling process and the peeling process of the adhesive tape DT on the
当該実施例装置によれば、ウエハWの両面に回路が形成されている場合であっても、粘着テープDTを貼り付けた後の平坦化処理時に加熱する従来方法に比べて、短時間で、かつ、精度よく粘着テープDTをウエハWに貼り付けることができる。 According to the embodiment apparatus, even in the case where circuits are formed on both surfaces of the wafer W, in a shorter time than the conventional method of heating at the time of flattening after the adhesive tape DT is pasted, In addition, the adhesive tape DT can be attached to the wafer W with high accuracy.
なお、当該実施例装置において、切断ユニット78をメイン実施例と同様に貼付けユニット5の備わったテープ貼付け位置側に設けた構成であってもよい。
In addition, in the said Example apparatus, the structure provided in the tape sticking position side with which the
(2)上記各実施例において、チャンバ7内の2つの空間に差圧を生じさせるまでの減圧時間と予備加熱時間を同じに調整するのが好ましい。ただし、チャンバ7内で差圧を生じさせて粘着テープPTをウエハWに貼り付ける直前までの変形時間を予備加熱の時間に含めて調整してもよい。
(2) In each of the embodiments described above, it is preferable to adjust the decompression time and the preheating time until a differential pressure is generated in the two spaces in the
(3)上記両実施例装置では、2台の下ハウジング33B、33Cを備えた構成であったが、1台であってもよい。この場合、下ハウジングは、上記実施例と同様に旋回アーム36によって旋回移動させてもよし、直線レールに沿ってスライド移動させるよう構成してもよい。
(3) In both the above-described embodiments, the configuration includes the two
(4)上記実施例では、加圧部材61のみにヒータ63を備えた構成であってもよい。
(4) In the above-described embodiment, the
(5)上記実施例では、カセットC1、C2に同じウエハWを収納していたが、異なる回路が形成されたウエハWをそれぞれのカセットC1、C2に分けて収納してもよい。例えば、回路形成面の凹凸が小さいウエハWと凹凸の大きいウエハWを分けてカセットに収納する。粘着テープPTおよび粘着テープDTは、両ウエハWに同じものを利用する。 (5) In the above embodiment, the same wafers W are stored in the cassettes C1 and C2, but the wafers W on which different circuits are formed may be stored separately in the respective cassettes C1 and C2. For example, the wafer W with small unevenness on the circuit forming surface and the wafer W with large unevenness are separately stored in a cassette. The same adhesive tape PT and adhesive tape DT are used for both wafers W.
この場合、チャンバ7内で差圧を利用してウエハWに基材の堅い粘着テープ(例えばペット基材)を貼り付けたとき、表面の凹凸の大きいウエハWに貼り付けた粘着テープ表面に凹凸が生じる。凹凸の小さいウエハに貼り付けた粘着テープ表面には、凹凸が生じない。
In this case, when an adhesive tape having a hard base material (for example, a pet base material) is attached to the wafer W using differential pressure in the
したがって、粘着テープ表面に凹凸が生じるウエハWに対してチャンバ7内で加圧処理をし、粘着テープ表面に凹凸の生じないウエハWに対しては、差圧によるテープ貼付け処理のみをすることができる。換言すれば、異なる種類のウエハWへの粘着テープの貼り付けを、1台の装置で行うことができる。
Therefore, the wafer W in which the unevenness on the surface of the adhesive tape is subjected to pressure treatment in the
また、差圧による粘着テープ貼付け処理後に、粘着テープ表面の平坦度をセンサで測定し、凹凸の有無によって加圧処理を行うようにしてもよい。 Moreover, after the adhesive tape sticking process by a differential pressure, the flatness of the adhesive tape surface may be measured with a sensor, and the pressurizing process may be performed depending on the presence or absence of unevenness.
4 … テープ供給部
5 … 貼付けユニット
6 … テープ切断機構
7 … チャンバ
8 … 加圧ユニット
9 … 剥離ユニット
10 … テープ回収部
20 … 剥離部材
22 … 貼付けローラ
23 … 切断ユニット
33A… 上ハウジング
33B、33C…下ハウジング
37 … 保持テーブル
60 … 制御部
61 … 加圧部材
63 … ヒータ
77 … フレーム保持テーブル
PT … 表面保護用の粘着テープ
W … 半導体ウエハ
f … リングフレーム
DT … 支持用の粘着テープ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ...
Claims (6)
チャンバを構成する一対の第1ハウジングおよび第2ハウジングの一方の接合部に当該チャンバの内径よりも大きい前記粘着テープを貼り付ける第1貼付け過程と、
前記粘着テープを挟んでチャンバを形成した後に、加熱器によって粘着テープを予め加熱する予備加熱過程と、
前記粘着テープの粘着面に半導体ウエハを近接対向させ、当該半導体ウエハを収納保持する第2ハウジングの空間を第1ハウジングの空間よりも気圧を低くしながら当該粘着テープを半導体ウエハに貼り付ける第2貼付け過程と、
前記半導体ウエハの回路形成面に貼り付いた粘着テープの表面を加圧部材の平坦面によって加圧して平坦化する加圧過程と、
を備えたことを特徴とする粘着テープ貼付け方法。 An adhesive tape attaching method for attaching an adhesive tape to a circuit forming surface of a semiconductor wafer,
A first affixing step of affixing the adhesive tape larger than the inner diameter of the chamber to one joint of the pair of first housing and second housing constituting the chamber;
A preheating step of preheating the adhesive tape with a heater after forming the chamber with the adhesive tape in between;
A semiconductor wafer is placed in close proximity to the adhesive surface of the adhesive tape, and the second adhesive tape is affixed to the semiconductor wafer while lowering the atmospheric pressure in the space of the second housing for storing and holding the semiconductor wafer lower than the space of the first housing. Pasting process,
A pressing process in which the surface of the adhesive tape attached to the circuit forming surface of the semiconductor wafer is pressed and flattened by the flat surface of the pressing member;
A method of applying an adhesive tape, comprising:
前記予備加熱過程は、加熱器を埋設した加圧部材の加圧面を粘着テープに当接させて予備加熱する
ことを特徴とする粘着テープ貼付け方法。 In the adhesive tape sticking method of Claim 1,
The preheating process is characterized in that preheating is performed by bringing a pressure surface of a pressure member embedded with a heater into contact with the pressure sensitive adhesive tape.
前記加圧過程は、加圧部材により粘着テープを加熱しながら加圧する
ことを特徴とする粘着テープ貼付け方法。 In the adhesive tape sticking method of Claim 2,
The pressure applying process is characterized by applying pressure while heating the pressure sensitive adhesive tape with a pressure member.
前記加圧過程は、第2ハウジング側に備えられた加熱器により粘着テープを加熱しながら加圧する
ことを特徴とする粘着テープ貼付け方法。 In the adhesive tape sticking method of Claim 2 or Claim 3,
The said pressurization process pressurizes, heating an adhesive tape with the heater provided in the 2nd housing side. The adhesive tape sticking method characterized by the above-mentioned.
前記半導体ウエハを保持する保持テーブルと、
前記保持テーブルを収納する一対の第1ハウジングおよび第2ハウジングからなるチャンバと、
前記チャンバの内径よりも大きい前記粘着テープを供給するテープ供給部と、
前記ハウジングの一方の接合部に粘着テープを貼り付けるテープ貼付け機構と、
前記接合部に貼り付けられた粘着テープを予め加熱する加熱器と、
前記粘着テープにより仕切られたチャンバ内の2つの空間に差圧を生じさせて半導体ウエハに貼り付けられた粘着テープを当該チャンバ内に配備した加圧部材によって加圧する加圧機構と、
前記半導体ウエハの外形に沿って粘着テープを切断する切断機構と、
前記半導体ウエハの形状に切り抜いた粘着テープを剥離する剥離する剥離機構と、
剥離後の前記粘着テープを回収するテープ回収部と、
を備えたことを特徴とする粘着テープ貼付け装置。 An adhesive tape attaching device for attaching an adhesive tape for surface protection to a circuit forming surface of a semiconductor wafer,
A holding table for holding the semiconductor wafer;
A chamber composed of a pair of first housing and second housing for housing the holding table;
A tape supply unit for supplying the adhesive tape larger than the inner diameter of the chamber;
A tape attaching mechanism for attaching an adhesive tape to one joint of the housing;
A heater for pre-heating the adhesive tape affixed to the joint,
A pressurizing mechanism that generates a differential pressure in two spaces in the chamber partitioned by the adhesive tape, and pressurizes the adhesive tape attached to the semiconductor wafer by a pressurizing member disposed in the chamber;
A cutting mechanism for cutting the adhesive tape along the outer shape of the semiconductor wafer;
A peeling mechanism for peeling off the adhesive tape cut out in the shape of the semiconductor wafer;
A tape recovery unit for recovering the adhesive tape after peeling;
An adhesive tape affixing device characterized by comprising:
前記加圧機構の加圧部材に加熱器を備えた
ことを特徴とする粘着テープ貼付け装置。 In the adhesive tape sticking device according to claim 5 ,
A pressure-sensitive adhesive tape attaching device, wherein the pressure member of the pressure mechanism includes a heater .
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