JP2003068832A - Dicing tape and its using method - Google Patents

Dicing tape and its using method

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JP2003068832A
JP2003068832A JP2001251580A JP2001251580A JP2003068832A JP 2003068832 A JP2003068832 A JP 2003068832A JP 2001251580 A JP2001251580 A JP 2001251580A JP 2001251580 A JP2001251580 A JP 2001251580A JP 2003068832 A JP2003068832 A JP 2003068832A
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JP
Japan
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dicing tape
wafer
semiconductor chip
dicing
holes
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JP2001251580A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshie Chisaka
好江 千坂
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To protect a semiconductor chip against damage at the time of spreading a dicing tape or picking up the semiconductor chip following to dicing even if a wafer is made thin. SOLUTION: A dicing tape 1 is provided with through holes 2 of microdiameter over the entire surface thereof. When a wafer 3 pasted to the dicing tape 1 is diced into semiconductor chips 3a and then the dicing tape 1 is spread, diameters of the through holes 2 are enlarged because the dicing tape 1 is spread in all directions. Consequently, air spreads through the enlarged through holes 2 to the rear sides of the semiconductor chips 3a and adhesion between the semiconductor chips 3a and the dicing tape 1 is relaxed thus facilitating stripping of the semiconductor chips 3a from the dicing tape 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハーを半導体
チップに切り分けるダイシング工程で、ウェハーの裏面
に貼り付けられてウェハーを保持するためのダイシング
テープおよびその使用方法に関する。詳しくは、ダイシ
ングテープの全面に微小な貫通穴を設けることで、ダイ
シングテープの延伸時にこの貫通穴から半導体チップの
裏面に空気が入り込むようにして、半導体チップのダイ
シングテープからの剥離を促進し、現状より薄型の半導
体チップであっても、ダイシング後にダイシングテープ
から剥離する時にこの半導体チップが破損しないように
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing tape which is attached to the back surface of a wafer to hold the wafer in a dicing process for cutting the wafer into semiconductor chips and a method of using the dicing tape. Specifically, by providing a minute through-hole on the entire surface of the dicing tape, air is allowed to enter the back surface of the semiconductor chip from the through-hole when the dicing tape is stretched, thereby promoting separation of the semiconductor chip from the dicing tape. Even if the semiconductor chip is thinner than the current state, the semiconductor chip is prevented from being damaged when peeled from the dicing tape after dicing.

【0002】[0002]

【従来の技術】ウェハーを半導体チップに切り分けるダ
イシング工程では、ウェハーを保持するため、ダイシン
グテープが用いられている。図9は従来のダイシングテ
ープを示す斜視図である。
2. Description of the Related Art In a dicing process for cutting a wafer into semiconductor chips, a dicing tape is used to hold the wafer. FIG. 9 is a perspective view showing a conventional dicing tape.

【0003】従来のダイシングテープ11は、一方の面
に粘着剤層を設けた平滑なテープであり、通常、長尺物
をロール状に巻いた形態で供給される。図10は従来の
ダイシングテープの使用状態を示す斜視図である。ダイ
シングテープ11は、その一方の面にウェハー12を貼
り付け、このウェハー12を貼り付けたダイシングテー
プ11を、リング状のフレーム13に取り付けて、この
フレーム13の形状に合わせてダイシングテープ11を
カットした状態で使用される。
The conventional dicing tape 11 is a smooth tape having an adhesive layer on one surface, and is usually supplied in the form of a long product wound in a roll. FIG. 10 is a perspective view showing a usage state of a conventional dicing tape. The dicing tape 11 has a wafer 12 attached to one surface thereof, the dicing tape 11 attached with the wafer 12 is attached to a ring-shaped frame 13, and the dicing tape 11 is cut according to the shape of the frame 13. It is used as it is.

【0004】ダイシングテープ11で保持されたウェハ
ー12は、図示しないダイシング装置で半導体チップと
して切り分けられる。ウェハー12のカットが終了する
と、ダイシングテープ11を延伸して半導体チップの間
隔を拡げた後、各半導体チップをピックアップしてい
く。
The wafer 12 held by the dicing tape 11 is cut into semiconductor chips by a dicing device (not shown). When the cutting of the wafer 12 is completed, the dicing tape 11 is extended to increase the distance between the semiconductor chips, and then the semiconductor chips are picked up.

【0005】図11は半導体チップをピックアップする
機構の概略を示す斜視図である。ダイシングテープ11
の裏面側にはニードル昇降機構14が設けられ、ピック
アップしようとする半導体チップ12aの位置に合わせ
てニードル14aが突出する。また、吸引コレット15
は、図示しないロボットハンド等に取り付けられ、ニー
ドル14aで押し上げられた半導体チップ12aを吸引
して保持し、他の場所へと搬送する。
FIG. 11 is a perspective view showing an outline of a mechanism for picking up a semiconductor chip. Dicing tape 11
A needle elevating mechanism 14 is provided on the back surface side of the needle 14a, and the needle 14a projects according to the position of the semiconductor chip 12a to be picked up. Also, the suction collet 15
Is attached to a robot hand or the like (not shown), sucks and holds the semiconductor chip 12a pushed up by the needle 14a, and conveys it to another place.

【0006】これにより、ダイシングテープ11の裏面
側からニードル14aで半導体チップ12aをダイシン
グテープ11ごと押し上げるとともに、吸引コレット1
5を該当する半導体チップ12aに位置付けて、該半導
体チップ12aを吸引した状態で持ち上げることによ
り、半導体チップ12aはダイシングテープ11から剥
離しピックアップされる。
As a result, the semiconductor chip 12a is pushed up together with the dicing tape 11 by the needle 14a from the back surface side of the dicing tape 11, and the suction collet 1 is used.
The semiconductor chip 12a is peeled from the dicing tape 11 and picked up by positioning 5 on the corresponding semiconductor chip 12a and lifting the semiconductor chip 12a in a sucked state.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】現状のウェハーは、そ
の厚みが400μm程度あり、この程度の厚みがあれ
ば、ダイシングテープを延伸したり、その後の半導体チ
ップのピックアップ時に、半導体チップが割れたりクラ
ックが入る等の障害が発生することはない。
The current wafer has a thickness of about 400 μm, and if the thickness is about this, the dicing tape is stretched or the semiconductor chip is cracked or cracked at the time of picking up the semiconductor chip thereafter. There will be no obstacles such as

【0008】しかしながら、半導体チップを薄型とする
ためウェハーの薄型化が進むと、ダイシングテープを延
伸したときに、半導体チップそのものがダイシングテー
プの延伸により引っ張られて割れてしまったり、ピック
アップの際、ダイシングテープの粘着力に負けて割れて
しまうという問題があった。
However, as the thickness of the wafer becomes thinner in order to make the semiconductor chip thinner, when the dicing tape is stretched, the semiconductor chip itself is pulled by the stretching of the dicing tape and cracked, or when dicing at the time of pickup. There was a problem of losing the adhesive strength of the tape and breaking it.

【0009】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、薄型の半導体チップであっても、ダ
イシングテープの延伸時やダイシングテープからのピッ
クアップ時に破損させないダイシングテープおよびその
使用方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and even a thin semiconductor chip is prevented from being damaged when the dicing tape is stretched or picked up from the dicing tape, and a method of using the dicing tape. The purpose is to provide.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るダイシングテープは、可撓性を有す
るシート状の基材の一方の面に粘着剤層を設けてなり、
ウェハーを半導体チップに切り分けるダイシング工程
で、このウェハーの裏面に貼り付けられるダイシングテ
ープにおいて、少なくともウェハーが貼り付けられる部
分の全面に、基材の表面から粘着剤層の表面まで貫通す
る複数の微小な貫通穴を設けたものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the dicing tape according to the present invention comprises an adhesive layer provided on one surface of a flexible sheet-shaped substrate,
In a dicing process for cutting a wafer into semiconductor chips, a dicing tape to be attached to the back surface of the wafer has a plurality of small micro-holes penetrating from the surface of the base material to the surface of the adhesive layer on at least the entire surface of the portion where the wafer is attached. A through hole is provided.

【0011】上述した本発明に係るダイシングテープ
は、ウェハーの裏面に貼り付けられる。このダイシング
テープが貼り付けられたウェハーは、ダイシング工程で
1個1個の半導体チップに切り分けられる。そして、ダ
イシング工程を終了すると、ダイシングテープを延伸す
ることで、半導体チップ間に隙間を造り、ピックアップ
をしやすくする。
The dicing tape according to the present invention described above is attached to the back surface of the wafer. The wafer to which the dicing tape is attached is cut into individual semiconductor chips in the dicing process. Then, when the dicing process is completed, the dicing tape is stretched to form a gap between the semiconductor chips to facilitate pickup.

【0012】ここで、ダイシングテープには複数の微小
な貫通穴が設けてあるので、ダイシングテープを延伸す
ることで、この貫通穴が拡がる。これにより、ダイシン
グテープと半導体チップの接触個所にこの貫通穴から空
気が入り込み、ダイシングテープと半導体チップの密着
性が緩和される。よって、半導体チップは容易にピック
アップできるようになり、薄型の半導体チップでも破損
することはない。
Since the dicing tape is provided with a plurality of minute through holes, the through holes are expanded by stretching the dicing tape. As a result, air enters the contact points between the dicing tape and the semiconductor chips through the through holes, and the adhesion between the dicing tape and the semiconductor chips is relaxed. Therefore, the semiconductor chip can be easily picked up, and even a thin semiconductor chip is not damaged.

【0013】また、本発明に係るダイシングテープの使
用方法は、ウェハーを半導体チップに切り分けるダイシ
ング工程で、ウェハーの裏面に貼り付けられるダイシン
グテープの使用方法において、少なくともウェハーが貼
り付けられる部分の全面に、複数の微小な貫通穴を設け
たダイシングテープにウェハーを貼り付け、このウェハ
ーのダイシングを行った後、ダイシングテープを延伸す
ることで貫通穴を拡げて、この貫通穴から半導体チップ
の裏面に空気を取り込むものである。
Further, the method of using the dicing tape according to the present invention is a dicing step of cutting a wafer into semiconductor chips, and in the method of using the dicing tape which is attached to the back surface of the wafer, at least the entire surface of the portion to which the wafer is attached is used. , A wafer is attached to a dicing tape having a plurality of minute through holes, the wafer is diced, and then the through holes are expanded by stretching the dicing tape, and air is passed from the through holes to the back surface of the semiconductor chip. Is to take in.

【0014】上述した本発明に係るダイシングテープの
使用方法では、ダイシングテープの延伸により貫通穴が
拡がることで、この貫通穴に入り込む空気によってダイ
シングテープの半導体チップに対する密着性を緩和す
る。これにより、半導体チップは容易にピックアップで
きるようになり、薄型の半導体チップでも破損すること
はない。
In the above-described method of using the dicing tape according to the present invention, the through hole is expanded by stretching the dicing tape, and the air entering the through hole relaxes the adhesion of the dicing tape to the semiconductor chip. As a result, the semiconductor chip can be easily picked up, and even a thin semiconductor chip is not damaged.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明のダ
イシングテープの実施の形態を説明する。すなわち、図
1は本実施の形態のダイシングテープを示す説明図で、
図1(a)はダイシングテープの平面図、図1(b)は
ダイシングテープの要部断面図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a dicing tape of the present invention will be described below with reference to the drawings. That is, FIG. 1 is an explanatory view showing the dicing tape of the present embodiment,
FIG. 1A is a plan view of the dicing tape, and FIG. 1B is a sectional view of a main part of the dicing tape.

【0016】本実施の形態のダイシングテープ1は、そ
の全面に微小な貫通穴2を設けることで、ウェハーのダ
イシング後の延伸時に、この貫通穴2から空気を取り込
むようにして、半導体チップの剥離を促進してその破損
を防ぐものである。
The dicing tape 1 of the present embodiment is provided with minute through holes 2 on the entire surface thereof, so that air is taken in from the through holes 2 when the wafer is stretched after dicing, and the semiconductor chip is peeled off. To prevent the damage.

【0017】ダイシングテープ1は透明な可撓性を有す
る基材1aの一方の面に、粘着剤層1bを設けたもので
ある。この粘着剤層1bは、例えば紫外線硬化型の粘着
剤を基材1aに塗布することで構成される。この紫外線
硬化型の粘着剤は、紫外線を照射すると、硬化してその
粘着力が弱まる性質を持つ。
The dicing tape 1 has a pressure-sensitive adhesive layer 1b provided on one surface of a transparent and flexible substrate 1a. The pressure-sensitive adhesive layer 1b is formed by applying a UV-curable pressure-sensitive adhesive to the base material 1a, for example. This UV-curable pressure-sensitive adhesive has the property that when it is irradiated with UV rays, it cures and weakens its adhesive strength.

【0018】ダイシングテープ1には複数の貫通穴2が
設けられる。この貫通穴2は微小な径を持つ円形で、ダ
イシングテープ1の全面に亘り設けられている。そし
て、貫通穴2は、ダイシングテープ1の粘着剤層1bを
貫通して、ダイシングテープ1の表面から裏面まで貫通
している。
The dicing tape 1 is provided with a plurality of through holes 2. The through hole 2 has a circular shape with a minute diameter and is provided over the entire surface of the dicing tape 1. The through hole 2 penetrates the pressure-sensitive adhesive layer 1b of the dicing tape 1 and penetrates from the front surface to the back surface of the dicing tape 1.

【0019】図2は本実施の形態のダイシングテープの
使用状態を示す斜視図である。ダイシングテープ1に
は、ウェハー3が貼り付けられる。そして、このウェハ
ー3が貼り付けられたダイシングテープ1は、リング状
のフレーム4に取り付けられる。このとき、ウェハー3
がフレーム4の略中央に位置するように、ダイシングテ
ープ1はフレーム4に取り付けられ、ダイシングテープ
1は、フレーム4の形状に合わせてカットされる。
FIG. 2 is a perspective view showing a usage state of the dicing tape of this embodiment. The wafer 3 is attached to the dicing tape 1. Then, the dicing tape 1 to which the wafer 3 is attached is attached to the ring-shaped frame 4. At this time, wafer 3
The dicing tape 1 is attached to the frame 4 so that is located substantially in the center of the frame 4, and the dicing tape 1 is cut in accordance with the shape of the frame 4.

【0020】ダイシングテープ1には、図1で説明した
ように複数の貫通穴2が設けられているので、ウェハー
3にダイシングテープ1を貼り付けると、ウェハー3の
裏面全体に、貫通穴2が存在するようになる。そして、
ダイシングテープ1に保持されたウェハー3は、図示し
ないダイシング装置によって半導体チップ3aに切り分
けられる。
Since the dicing tape 1 is provided with a plurality of through holes 2 as described in FIG. 1, when the dicing tape 1 is attached to the wafer 3, the through holes 2 are formed on the entire back surface of the wafer 3. To exist. And
The wafer 3 held on the dicing tape 1 is cut into semiconductor chips 3a by a dicing device (not shown).

【0021】図3は上述した貫通穴2と半導体チップ3
aの関係を示す説明図である。図2に示すようにダイシ
ングテープ1に貼り付けられたウェハー3は、図示しな
いダイシング装置により、半導体チップ3aのサイズで
カットされる。なお、図3では、半導体チップ3aのサ
イズを二点鎖線で囲まれる範囲で示している。そして、
半導体チップ3aに対して、その裏面に例えば30個程
度の貫通穴2が存在するように、貫通穴2の径のサイズ
およびピッチを決める。
FIG. 3 shows the through hole 2 and the semiconductor chip 3 described above.
It is explanatory drawing which shows the relationship of a. The wafer 3 attached to the dicing tape 1 as shown in FIG. 2 is cut into the size of the semiconductor chip 3a by a dicing device (not shown). Note that in FIG. 3, the size of the semiconductor chip 3a is shown in a range surrounded by a two-dot chain line. And
The diameter and pitch of the through holes 2 are determined so that, for example, about 30 through holes 2 are present on the back surface of the semiconductor chip 3a.

【0022】ここで、ダイシングテープ1は、ウェハー
3のダイシング時にこのウェハー3を保持できる粘着性
が要求される。ダイシングテープ1に貫通穴2を設ける
と、ウェハー3との接触面積が減る。このため、半導体
チップ3aの裏面に存在する貫通穴2の数は、上述した
例に限るものではなく、半導体チップ3aのサイズ、必
要以上に粘着性を落とさないための接触面積の確保等を
考慮して設定される。
Here, the dicing tape 1 is required to have adhesiveness capable of holding the wafer 3 during dicing of the wafer 3. Providing the through holes 2 in the dicing tape 1 reduces the contact area with the wafer 3. Therefore, the number of the through holes 2 existing on the back surface of the semiconductor chip 3a is not limited to the above-mentioned example, and the size of the semiconductor chip 3a, the securing of the contact area for preventing the adhesiveness from being unnecessarily reduced, and the like are taken into consideration. Is set.

【0023】図4は本実施の形態のダイシングテープの
供給状態を示す斜視図である。ダイシングテープ1は、
所定の幅を持つ長尺物をロール状に巻いた形態で供給さ
れる。ダイシング工程で扱うウェハー3の径は、6イン
チ、8インチ、あるいは12インチと、いくつかの径が
存在する。これら異なる径のウェハー3に対応できるよ
うに、ダイシングテープ1は、その全面に貫通穴2を設
けておく。
FIG. 4 is a perspective view showing the supply state of the dicing tape of this embodiment. The dicing tape 1 is
It is supplied in the form of a long product having a predetermined width rolled into a roll. There are several diameters of the wafer 3 handled in the dicing process, such as 6 inches, 8 inches, or 12 inches. The dicing tape 1 is provided with through-holes 2 on its entire surface so as to accommodate the wafers 3 having different diameters.

【0024】ウェハー3にダイシングテープ1を貼り付
ける図示しない装置は、フレーム4にセットされたダイ
シングテープ1を所定のサイズにカットする機構を有す
る。よって、ダイシングテープ1の全面に貫通穴2を設
けておくことで、ウェハー3のサイズによらず、このウ
ェハー3の裏面全体に貫通穴2を存在させることができ
る。また、図3に示すように半導体チップ3aのサイズ
に対して貫通穴2の径が小さく、かつピッチも狭いもの
であれば、図4に示すカット前のダイシングテープ1の
どの位置にウェハー3を貼り付けても、全ての半導体チ
ップ3aの下に均等に貫通穴2が存在することになる。
An apparatus (not shown) for attaching the dicing tape 1 to the wafer 3 has a mechanism for cutting the dicing tape 1 set on the frame 4 into a predetermined size. Therefore, by providing the through holes 2 on the entire surface of the dicing tape 1, the through holes 2 can be present on the entire back surface of the wafer 3 regardless of the size of the wafer 3. Further, as shown in FIG. 3, if the diameter of the through holes 2 is smaller than the size of the semiconductor chip 3a and the pitch is narrow, the wafer 3 may be placed at any position on the dicing tape 1 before cutting shown in FIG. Even if they are attached, the through holes 2 are evenly present under all the semiconductor chips 3a.

【0025】以下に本実施の形態のダイシングテープの
使用方法を説明する。ウェハー3のダイシング工程で
は、まず、図2に示すように、ウェハー3の裏面にダイ
シングテープ1を貼り付け、この、ウェハー3を貼り付
けたダイシングテープ1をフレーム4に取り付ける。
The method of using the dicing tape of this embodiment will be described below. In the dicing process of the wafer 3, first, as shown in FIG. 2, the dicing tape 1 is attached to the back surface of the wafer 3, and the dicing tape 1 to which the wafer 3 is attached is attached to the frame 4.

【0026】そして、図示しないダイシング装置によ
り、ウェハー3を半導体チップ3aのサイズにカットし
ていく。ウェハー3のカットが終了すると、ダイシング
テープ1を延伸する。図5はダイシングテープ1を延伸
する動作を示す説明図で、図5(a)は延伸前の状態、
図5(b)は延伸後の状態を示す。
Then, the wafer 3 is cut into the size of the semiconductor chip 3a by a dicing device (not shown). When the cutting of the wafer 3 is completed, the dicing tape 1 is stretched. FIG. 5 is an explanatory view showing the operation of stretching the dicing tape 1, and FIG. 5 (a) shows a state before stretching.
FIG. 5B shows the state after stretching.

【0027】フレーム4に取り付けられたダイシングテ
ープ1の下側には、ウェハー3の径より大きく、かつ、
フレーム4の内径より小さい所定のサイズを持つテーブ
ル5が設けられる。このテーブル5は、図示しない駆動
機構により上下動を行う構成となっている。
Below the dicing tape 1 attached to the frame 4, the diameter of the wafer 3 is larger than that of the wafer 3, and
A table 5 having a predetermined size smaller than the inner diameter of the frame 4 is provided. The table 5 is configured to move up and down by a drive mechanism (not shown).

【0028】そして、フレーム4を保持した状態で、図
5(b)に示すように、テーブル5を上昇させて、ダイ
シングテープ1のウェハー3が貼り付けられている部分
を、その裏面から押し上げる。これにより、ダイシング
テープ1は四方に延伸する。そして、ダイシングテープ
1が四方に延伸することで、ダイシングテープ1上で隣
接する半導体チップ3aの間隔も広がる。
Then, with the frame 4 held, as shown in FIG. 5B, the table 5 is raised to push up the portion of the dicing tape 1 to which the wafer 3 is attached from the back surface thereof. As a result, the dicing tape 1 is stretched in all directions. Then, by extending the dicing tape 1 in all directions, the intervals between the semiconductor chips 3a adjacent to each other on the dicing tape 1 also increase.

【0029】図6は延伸前と延伸後のダイシングテープ
の状態を示す要部断面図で、図6(a)は延伸前の状
態、図6(b)は延伸後の状態を示す。図6(a)に示
すように、ウェハー3をカットするとウェハー3はフル
カットされる。なお、ウェハー3をフルカットする場
合、ダイシングテープ1にも途中まで切れ目が入るが、
ここでは図示していない。
FIG. 6 is a sectional view showing the state of the dicing tape before and after stretching. FIG. 6A shows the state before stretching and FIG. 6B shows the state after stretching. As shown in FIG. 6A, when the wafer 3 is cut, the wafer 3 is fully cut. When the wafer 3 is fully cut, the dicing tape 1 also has a break in the middle,
Not shown here.

【0030】図5(b)に示すようにテーブル5でダイ
シングテープ1を押し上げると、ダイシングテープ1は
四方に延伸する。そして、ダイシングテープ1が四方に
延伸することで、図6(b)に示すように、ダイシング
テープ1上で隣接する半導体チップ3aの間隔も広が
る。
When the dicing tape 1 is pushed up on the table 5 as shown in FIG. 5 (b), the dicing tape 1 is stretched in all directions. Then, as the dicing tape 1 is stretched in all directions, as shown in FIG. 6B, the intervals between the adjacent semiconductor chips 3a on the dicing tape 1 also increase.

【0031】また、ダイシングテープ1が四方に延伸す
ると、貫通穴2の径も大きくなる。そして、この径の大
きくなった貫通穴2から半導体チップ3aの裏面に空気
が入り、半導体チップ3aとダイシングテープ1との密
着性を緩和する。
When the dicing tape 1 is stretched in all directions, the diameter of the through hole 2 also becomes large. Then, air enters the back surface of the semiconductor chip 3a through the through hole 2 having the larger diameter, and the adhesion between the semiconductor chip 3a and the dicing tape 1 is relaxed.

【0032】ダイシングテープ1を延伸した後、ダイシ
ングテープ1の裏面から紫外線を照射して、図1に示す
粘着剤層1bを構成する紫外線硬化型の粘着剤を硬化さ
せ、その粘着力を弱める。
After the dicing tape 1 is stretched, the back surface of the dicing tape 1 is irradiated with ultraviolet rays to cure the ultraviolet-curable adhesive constituting the adhesive layer 1b shown in FIG. 1 to weaken its adhesive strength.

【0033】このように、ダイシングテープ1に貫通穴
2を設けておくことで、ダイシングテープ1の延伸の際
に貫通穴2が拡がって空気が入り込み、ダイシングテー
プ1とウェハー3aの密着性が緩和される。そして、紫
外線硬化型の粘着剤を用いることで、紫外線の照射によ
り、粘着剤の粘着力が弱まる。これにより、半導体チッ
プ3aはダイシングテープ1から容易に剥離できる状態
となる。
By providing the through holes 2 in the dicing tape 1 as described above, the through holes 2 expand and air enters when the dicing tape 1 is stretched, and the adhesion between the dicing tape 1 and the wafer 3a is relaxed. To be done. Then, by using an ultraviolet curable adhesive, the adhesive force of the adhesive is weakened by the irradiation of ultraviolet rays. As a result, the semiconductor chip 3a can be easily peeled from the dicing tape 1.

【0034】次に、半導体チップ3aを1個ずつピック
アップする。図7は半導体チップをピックアップする機
構の概略を示す斜視図である。ダイシングテープ1の裏
面側にはニードル昇降機構6が設けられ、ピックアップ
しようとする半導体チップ3aの位置に合わせてニード
ル6aが突出する。また、吸引コレット7は、図示しな
いロボットハンド等に取り付けられ、ニードル6aで押
し上げられた半導体チップ3aを吸引して保持し、他の
場所へと搬送する。
Next, the semiconductor chips 3a are picked up one by one. FIG. 7 is a perspective view showing an outline of a mechanism for picking up a semiconductor chip. A needle elevating mechanism 6 is provided on the back surface side of the dicing tape 1, and the needle 6a projects according to the position of the semiconductor chip 3a to be picked up. The suction collet 7 is attached to a robot hand or the like (not shown), sucks and holds the semiconductor chip 3a pushed up by the needle 6a, and conveys it to another place.

【0035】これにより、ダイシングテープ1の裏面側
からニードル6aで半導体チップ3aをダイシングテー
プ1ごと押し上げるとともに、吸引コレット7を該当す
る半導体チップ3aに位置付けて、該半導体チップ3a
を吸引した状態で持ち上げることにより、半導体チップ
3aはダイシングテープ1から剥離しピックアップされ
る。
As a result, the semiconductor chip 3a is pushed up together with the dicing tape 1 by the needle 6a from the back surface side of the dicing tape 1, and the suction collet 7 is positioned on the corresponding semiconductor chip 3a.
The semiconductor chip 3a is peeled off from the dicing tape 1 and picked up by lifting it while sucking.

【0036】さて、ダイシングテープ1を延伸するとき
は、ダイシングテープ1が半導体チップ3aに貼り付い
ていることから、半導体チップ3aを四方に引き伸ばそ
うとする水平方向の力が掛かる。
When the dicing tape 1 is stretched, a horizontal force is applied to stretch the semiconductor chip 3a in all directions because the dicing tape 1 is attached to the semiconductor chip 3a.

【0037】また、半導体チップ3aをニードル6aで
押し上げるときや吸引コレット7で吸引して持ち上げよ
うとするときは、ダイシングテープ1が半導体チップ3
aに貼り付いていることから、半導体チップ3aを下方
に引っ張ろうとする力が掛かる。
When the semiconductor chip 3a is pushed up by the needle 6a or when the suction collet 7 is used to suck and lift the semiconductor chip 3a, the dicing tape 1 is used.
Since it is attached to a, a force to pull the semiconductor chip 3a downward is applied.

【0038】上述したように、本実施の形態では、ダイ
シングテープ1の全面に亘り貫通穴2を設けることで、
ダイシングテープ1を延伸すると、この貫通穴2が拡が
って空気が入り込み、ダイシングテープ1の半導体チッ
プ3aに対する密着性が緩和している。また、ダイシン
グテープ1の粘着剤層1bに紫外線硬化型の粘着剤を用
いることで、延伸後の紫外線照射により粘着剤の粘着力
が落ちている。
As described above, in this embodiment, the through hole 2 is provided over the entire surface of the dicing tape 1,
When the dicing tape 1 is stretched, the through hole 2 expands to allow air to enter, and the adhesion of the dicing tape 1 to the semiconductor chip 3a is relaxed. Further, by using an ultraviolet curable adhesive for the adhesive layer 1b of the dicing tape 1, the adhesive force of the adhesive is lowered by the irradiation of ultraviolet rays after stretching.

【0039】よって、ダイシングテープ1を延伸したと
きや半導体チップ3aを持ち上げようとしたときに、半
導体チップ3aのダイシングテープ1からの剥離が促進
され、半導体チップ3aには破損につながるような力が
掛からない。これにより、半導体チップ3aが薄いもの
であっても、ダイシングテープ1を延伸する際やニード
ルで押し上げる際等に破損することはない。
Therefore, when the dicing tape 1 is stretched or when the semiconductor chip 3a is to be lifted, the peeling of the semiconductor chip 3a from the dicing tape 1 is promoted, and the semiconductor chip 3a has a force that may cause damage. It does not hang. As a result, even if the semiconductor chip 3a is thin, it will not be damaged when the dicing tape 1 is stretched or pushed up by the needle.

【0040】また、ダイシングテープ1の全面に亘り貫
通穴2を設けることで、ダイシングテープ1は延伸し易
くなる。すなわち、ダイシングテープ1を延伸するとき
は、図5で説明したように、フレーム4を保持した状態
で、ダイシングテープ1のウェハー3が貼り付けられて
いる部分を、その裏面からテーブル5で押し上げる。よ
って、ダイシングテープ1の中心に近い部分と周囲の部
分ではその伸び量が異なる。
By providing the through hole 2 over the entire surface of the dicing tape 1, the dicing tape 1 can be easily stretched. That is, when the dicing tape 1 is stretched, the portion of the dicing tape 1 to which the wafer 3 is attached is pushed up by the table 5 from the back surface thereof while holding the frame 4 as described with reference to FIG. Therefore, the amount of expansion differs between the portion near the center of the dicing tape 1 and the peripheral portion.

【0041】上述したように、ダイシングテープ1に貫
通穴2を設けることで、ダイシングテープ1が延伸しや
すくなっていると、ダイシングテープ1が均一に延伸し
やすくなる。これにより、ダイシングテープ1上での半
導体チップ3aの配置のばらつきを解消できる。このよ
うに、半導体チップ3aの配置のばらつきが解消される
と、吸引コレット7を各半導体チップ3aに位置付ける
際の制御が容易となる。
As described above, when the dicing tape 1 is easily stretched by providing the through holes 2 in the dicing tape 1, the dicing tape 1 is easily stretched uniformly. As a result, variations in the arrangement of the semiconductor chips 3a on the dicing tape 1 can be eliminated. In this way, when the variation in the arrangement of the semiconductor chips 3a is eliminated, the control when positioning the suction collet 7 on each semiconductor chip 3a becomes easy.

【0042】また、ダイシングテープ1上の全域におい
て、隣接する半導体チップ3aの間隔が略均一に広が
り、半導体チップ3aをニードルで押し上げる際に、隣
接する半導体チップ3aに影響を及ぼすことをダイシン
グテープ1の全域で防ぐことができる。
Further, in the entire area of the dicing tape 1, the intervals between the adjacent semiconductor chips 3a are spread substantially uniformly, and when the semiconductor chips 3a are pushed up by the needle, the adjacent semiconductor chips 3a are affected. Can be prevented in all areas.

【0043】さらに、一般に、ダイシングテープ1を延
伸するためのテーブル5は、延伸を促進するため、その
表面を所定の温度に保てるようなヒータを内蔵してい
る。通常、テーブル5は50℃程度の温度となってお
り、この熱でダイシングテープ1を温めることで、延伸
を促進している。
Further, in general, the table 5 for stretching the dicing tape 1 has a built-in heater for keeping the surface thereof at a predetermined temperature in order to promote the stretching. Normally, the temperature of the table 5 is about 50 ° C., and the heat is used to warm the dicing tape 1 to accelerate the stretching.

【0044】上述した本実施の形態のダイシングテープ
1は、その全面に貫通穴2を設けたことで、延伸が促進
されるので、所定の温度下で延伸を行うことで、延伸が
より促進される。また、テーブル5の温度を下げた場合
でも、従来のダイシングテープと比較して、本実施の形
態のダイシングテープ1は、延伸が行いやすくなってい
る。
In the above-mentioned dicing tape 1 of this embodiment, since the through holes 2 are provided on the entire surface of the dicing tape 1, the stretching is promoted. Therefore, the stretching is further promoted by performing the stretching at a predetermined temperature. It Further, even when the temperature of the table 5 is lowered, the dicing tape 1 of the present embodiment is easier to stretch as compared with the conventional dicing tape.

【0045】なお、本実施の形態においては、貫通穴2
の形状を円形としたがこれに限るものではない。図8は
貫通穴の変形例を示す要部平面図である。図8に示す貫
通穴8は、ダイシングテープ1の全面に亘り、十字の切
り込みを入れてなるものである。
In this embodiment, the through hole 2
However, the shape is not limited to this. FIG. 8 is a plan view of an essential part showing a modified example of the through hole. The through hole 8 shown in FIG. 8 is formed by making a cross cut over the entire surface of the dicing tape 1.

【0046】貫通穴8は、ダイシングテープ1を延伸す
る前は塞がっているが、半導体チップ3aをピックアッ
プするためダイシングテープ1を延伸すると、貫通穴8
が拡がり、この貫通穴8から半導体チップ3aの裏面に
空気が入り込む。よって、ダイシングテープ1の半導体
チップ3aに対する密着性は緩和され、半導体チップ3
aのピックアップ時に、半導体チップ3aを破損するこ
とを防ぐことができる。
The through hole 8 is closed before the dicing tape 1 is stretched, but when the dicing tape 1 is stretched to pick up the semiconductor chip 3a, the through hole 8 is formed.
Spread, and air enters from the through holes 8 to the back surface of the semiconductor chip 3a. Therefore, the adhesion of the dicing tape 1 to the semiconductor chip 3a is relaxed, and the semiconductor chip 3
It is possible to prevent the semiconductor chip 3a from being damaged during the pickup of a.

【0047】また、本実施の形態では、長尺物をロール
状に巻いて供給されるダイシングテープ1の全面に貫通
穴2を設ける構成としたが、ウェハー3のサイズに合わ
せた部分のみ、あるいはフレーム4のサイズに合わせた
部分のみに貫通穴2を設けることとしてもよい。すなわ
ち、ダイシングテープ1の上述した部分に貫通穴2を設
けておけば、ウェハー2の貼り付けられる部分の全面に
貫通穴2が存在することになる。
Further, in this embodiment, the through hole 2 is provided on the entire surface of the dicing tape 1 supplied by rolling the long product in a roll shape. However, only the portion corresponding to the size of the wafer 3 or The through hole 2 may be provided only in a portion corresponding to the size of the frame 4. That is, if the through hole 2 is provided in the above-mentioned portion of the dicing tape 1, the through hole 2 exists on the entire surface of the portion to which the wafer 2 is attached.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ウェハ
ーを半導体チップに切り分けるダイシング工程で、ウェ
ハーが貼り付けられるダイシングテープに、複数の微小
な貫通穴を設けたものである。
As described above, according to the present invention, a dicing tape to which a wafer is attached is provided with a plurality of minute through holes in a dicing process for cutting a wafer into semiconductor chips.

【0049】そして、ウェハーのダイシングを行った
後、ダイシングテープを延伸することで貫通穴を拡げ、
この貫通穴から半導体チップの裏面に空気を取り込むも
のである。
Then, after dicing the wafer, the through hole is expanded by stretching the dicing tape,
Air is taken into the back surface of the semiconductor chip from this through hole.

【0050】これにより、ダイシングテープと半導体チ
ップの接触個所に貫通穴から空気が入り込み、ダイシン
グテープと半導体チップの密着性が緩和され、半導体チ
ップは容易にピックアップできる。
As a result, air is introduced from the through holes into the contact points between the dicing tape and the semiconductor chip, the adhesion between the dicing tape and the semiconductor chip is relaxed, and the semiconductor chip can be easily picked up.

【0051】したがって、ウェハーが薄型となっても、
ダイシングテープの延伸時や半導体チップのピックアッ
プ時に、半導体チップが破損することを防止できる。
Therefore, even if the wafer becomes thin,
It is possible to prevent the semiconductor chip from being damaged when the dicing tape is stretched or when the semiconductor chip is picked up.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は本実施の形態のダイシングテープを示す
説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a dicing tape according to the present embodiment.

【図2】本実施の形態のダイシングテープの使用状態を
示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a usage state of the dicing tape according to the present embodiment.

【図3】貫通穴と半導体チップの関係を示す説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a relationship between a through hole and a semiconductor chip.

【図4】本実施の形態のダイシングテープの供給状態を
示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a supply state of the dicing tape according to the present embodiment.

【図5】ダイシングテープを延伸する動作を示す説明図
である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing an operation of stretching the dicing tape.

【図6】延伸前と延伸後のダイシングテープの状態を示
す要部断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of essential parts showing a state of the dicing tape before and after stretching.

【図7】半導体チップをピックアップする機構の概略を
示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing an outline of a mechanism for picking up a semiconductor chip.

【図8】貫通穴の変形例を示す要部平面図である。FIG. 8 is a plan view of an essential part showing a modified example of a through hole.

【図9】従来のダイシングテープを示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a conventional dicing tape.

【図10】従来のダイシングテープの使用状態を示す斜
視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a usage state of a conventional dicing tape.

【図11】半導体チップをピックアップする機構の概略
を示す斜視図である。
FIG. 11 is a perspective view schematically showing a mechanism for picking up a semiconductor chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・ダイシングテープ、1a・・・基材、1b・・
・粘着剤層、2・・・貫通穴、3・・・ウェハー、3a
・・・半導体チップ、4・・・フレーム、5・・・テー
ブル、6a・・・ニードル、7・・・吸引コレット、8
・・・貫通穴
1 ... Dicing tape, 1a ... Base material, 1b ...
・ Adhesive layer, 2 ... Through hole, 3 ... Wafer, 3a
... Semiconductor chip, 4 ... Frame, 5 ... Table, 6a ... Needle, 7 ... Suction collet, 8
... Through holes

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 可撓性を有するシート状の基材の一方の
面に粘着剤層を設けてなり、ウェハーを半導体チップに
切り分けるダイシング工程で、前記ウェハーの裏面に貼
り付けられるダイシングテープにおいて、 少なくとも前記ウェハーが貼り付けられる部分の全面
に、前記基材の表面から前記粘着剤層の表面まで貫通す
る複数の微小な貫通穴を設けたことを特徴とするダイシ
ングテープ。
1. A dicing tape which is provided on one surface of a flexible sheet-like base material with a pressure-sensitive adhesive layer, and which is attached to the back surface of the wafer in a dicing step of cutting the wafer into semiconductor chips, A dicing tape characterized in that a plurality of minute through holes penetrating from the surface of the base material to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer are provided on at least the entire surface to which the wafer is attached.
【請求項2】 前記粘着剤層は、紫外線硬化型の粘着剤
で構成されることを特徴とする請求項1記載のダイシン
グテープ。
2. The dicing tape according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is made of a UV-curable pressure-sensitive adhesive.
【請求項3】 ウェハーを半導体チップに切り分けるダ
イシング工程で、前記ウェハーの裏面に貼り付けられる
ダイシングテープの使用方法において、 少なくとも前記ウェハーが貼り付けられる部分の全面
に、複数の微小な貫通穴を設けたダイシングテープにウ
ェハーを貼り付け、このウェハーのダイシングを行った
後、前記ダイシングテープを延伸することで前記貫通穴
を拡げて、この貫通穴から半導体チップの裏面に空気を
取り込むことを特徴とするダイシングテープの使用方
法。
3. A method of using a dicing tape attached to the back surface of a wafer in a dicing process for cutting a wafer into semiconductor chips, wherein a plurality of minute through holes are provided at least on the entire surface of the portion to which the wafer is attached. A wafer is attached to the dicing tape, the wafer is diced, and the through hole is expanded by stretching the dicing tape, and air is taken into the back surface of the semiconductor chip from the through hole. How to use dicing tape.
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