JP7131175B2

JP7131175B2 - Semiconductor device manufacturing method

Info

Publication number: JP7131175B2
Application number: JP2018141405A
Authority: JP
Inventors: 強田澤; 義信尾崎; 理子平
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd; Showa Denko Materials Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 2018-07-27
Filing date: 2018-07-27
Publication date: 2022-09-06
Anticipated expiration: 2038-07-27
Also published as: JP2020017699A

Description

本発明の一側面は、半導体装置の製造方法に関する。 One aspect of the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

従来の半導体装置の製造方法では、伸縮性及び粘着性を有するウエハ加工用テープを半導体ウエハに貼り付け、半導体ウエハに分離予定ラインを形成し、ウエハ加工用テープをエキスパンド（拡張）して半導体ウエハを複数の半導体チップに分離し、ウエハ加工用テープにおける複数の半導体チップの周囲を加熱収縮させ、ウエハ加工用テープから半導体チップをピックアップしていた（例えば、特許文献１参照）。 In a conventional method for manufacturing a semiconductor device, a wafer processing tape having stretchability and adhesiveness is attached to a semiconductor wafer, a line to be separated is formed on the semiconductor wafer, and the wafer processing tape is expanded to form a semiconductor wafer. is separated into a plurality of semiconductor chips, and the periphery of the plurality of semiconductor chips on the wafer processing tape is heated and shrunk to pick up the semiconductor chips from the wafer processing tape (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１７－００５１６０号公報JP 2017-005160 A

近年、電子機器におけるメモリの大容量化が進んでおり、一方で、電子機器の薄化も求められている。このため、電子機器には薄い半導体チップが搭載されるようになってきた。しかしながら、薄い半導体チップを製造すると、歩留まりが低下するという問題が発生した。 In recent years, the capacity of memory in electronic devices has been increasing, and on the other hand, there has been a demand for thinner electronic devices. For this reason, thin semiconductor chips have come to be mounted on electronic devices. However, when thin semiconductor chips are manufactured, a problem arises in that the yield decreases.

そこで、本発明者は、上記問題について鋭意検討した結果、ウエハ加工用テープから半導体チップをピックアップする前に半導体チップのエッジ部分がウエハ加工用テープから剥離し、この剥離が半導体装置の製造に不具合を生じさせることを突き止めた。なお、半導体チップのエッジ部分がウエハ加工用テープから剥離すると、例えば、次のような不具合が発生する。 As a result of intensive studies on the above problem, the inventors of the present invention found that the edge portion of the semiconductor chip was peeled off from the wafer processing tape before the semiconductor chip was picked up from the wafer processing tape, and this peeling caused problems in the manufacture of semiconductor devices. was found to cause If the edge portion of the semiconductor chip is peeled off from the wafer processing tape, for example, the following problems will occur.

（１）ウエハ加工用テープの粘着層が紫外線硬化型の粘着剤から構成される場合、ウエハ加工用テープから半導体チップをピックアップする前に、粘着層の粘着力を弱めるために、紫外線を照射して粘着層を硬化させている。しかしながら、半導体チップのエッジ部分がウエハ加工用テープから剥離すると、剥離した部分が酸素に触れることにより、紫外線を照射しても粘着層が硬化しない場合がある。このような場合、粘着層の粘着力が十分に弱まらないため、ウエハ加工用テープから半導体チップをピックアップできない。 (1) When the adhesive layer of the wafer processing tape is composed of an ultraviolet curable adhesive, ultraviolet rays are irradiated to weaken the adhesive strength of the adhesive layer before picking up the semiconductor chips from the wafer processing tape. to harden the adhesive layer. However, when the edge portion of the semiconductor chip is peeled off from the wafer processing tape, the peeled portion may come into contact with oxygen and the adhesive layer may not be cured even when irradiated with ultraviolet rays. In such a case, since the adhesive strength of the adhesive layer is not sufficiently weakened, the semiconductor chip cannot be picked up from the wafer processing tape.

（２）半導体チップにはアライメントマークが形成されており、ウエハ加工用テープから半導体チップをピックアップする装置は、このアライメントマークを認識することで、ピックアップする半導体チップの位置を特定している。しかしながら、半導体チップのエッジ部分がウエハ加工用テープから剥離すると、この剥離部分が変色して、アライメントマークを認識できない場合がある。このような場合、ピックアップする半導体チップの位置を特定できないため、ウエハ加工用テープから半導体チップをピックアップできない。 (2) Alignment marks are formed on the semiconductor chips, and the device for picking up the semiconductor chips from the wafer processing tape identifies the positions of the semiconductor chips to be picked up by recognizing these alignment marks. However, when the edge portion of the semiconductor chip is peeled off from the wafer processing tape, the peeled portion may be discolored and the alignment mark may not be recognized. In such a case, since the position of the semiconductor chip to be picked up cannot be specified, the semiconductor chip cannot be picked up from the wafer processing tape.

（３）通常、半導体チップをピックアップする前に、ウエハ加工用テープ上で複数の半導体チップを洗浄している。しかしながら、半導体チップのエッジ部分がウエハ加工用テープから剥離すると、複数の半導体チップを洗浄する際に、この剥離部分に洗浄液が入り込むことで、ウエハ加工用テープから半導体チップが脱落する場合がある。このような場合、ピックアップ工程の前に半導体チップが脱落しているため、ピックアップ工程において半導体チップをピックアップできない。 (3) A plurality of semiconductor chips are usually washed on a wafer processing tape before picking up the semiconductor chips. However, if the edge portion of the semiconductor chip is peeled off from the wafer processing tape, the semiconductor chip may come off the wafer processing tape due to the cleaning liquid entering the peeled portion when cleaning the plurality of semiconductor chips. In such a case, the semiconductor chip cannot be picked up in the pick-up process because the semiconductor chip has fallen off before the pick-up process.

本発明の一側面は、歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 An object of one aspect of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of improving yield.

本発明の一側面に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハが貼り付けられたウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより半導体ウエハを複数の半導体チップに分離するエキスパンド工程と、エキスパンド工程の後に、ウエハ加工用テープを複数の半導体チップ側から吸引する吸引工程と、吸引工程の後に、ウエハ加工用テープから半導体チップをピックアップするピックアップ工程と、を備える。 A method for manufacturing a semiconductor device according to one aspect of the present invention includes an expanding step of separating a semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips by expanding a wafer processing tape to which a semiconductor wafer is attached; A suction step of sucking the processing tape from the side of the plurality of semiconductor chips, and a pickup step of picking up the semiconductor chips from the wafer processing tape after the suction step.

この半導体装置の製造方法では、エキスパンド工程とピックアップ工程との間に吸引工程を行う。このため、半導体チップがウエハ加工用テープから剥離していても、吸引工程においてウエハ加工用テープを複数の半導体チップ側から吸引することで、半導体チップがウエハ加工用テープに密着する。これにより、半導体チップがウエハ加工用テープから剥離することに伴うピックアップ工程の不具合が改善されるため、歩留まりを向上させることができる。 In this semiconductor device manufacturing method, the suction step is performed between the expanding step and the picking up step. Therefore, even if the semiconductor chips are separated from the wafer processing tape, the semiconductor chips are brought into close contact with the wafer processing tape by sucking the wafer processing tape from the side of the plurality of semiconductor chips in the suction step. As a result, problems in the pick-up process associated with peeling of the semiconductor chip from the wafer processing tape can be improved, so that the yield can be improved.

吸引工程とピックアップ工程との間に、ウエハ加工用テープに貼り付けられた複数の半導体チップを洗浄する洗浄工程を更に備えてもよい。この半導体装置の製造方法では、吸引工程とピックアップ工程との間に洗浄工程を行う。これにより、半導体チップがウエハ加工用テープから剥離することに伴う洗浄工程の不具合が改善されるため、歩留まりを向上させることができる。 A cleaning step for cleaning the plurality of semiconductor chips attached to the wafer processing tape may be further provided between the suction step and the pick-up step. In this semiconductor device manufacturing method, the cleaning process is performed between the suction process and the pick-up process. As a result, it is possible to improve the yield in the cleaning process due to the separation of the semiconductor chip from the wafer processing tape.

エキスパンド工程と吸引工程との間に、ウエハ加工用テープを加熱収縮させるヒートシュリンク工程を更に備えてもよい。この半導体装置の製造方法では、エキスパンド工程と吸引工程との間にヒートシュリンク工程を行う。これにより、ヒートシュリンク工程において半導体チップがウエハ加工用テープから剥離した場合にも、その後の吸引工程で半導体チップがウエハ加工用テープに密着するため、歩留まりを向上させることができる。 A heat shrinking step of heat shrinking the wafer processing tape may be further provided between the expanding step and the suction step. In this semiconductor device manufacturing method, the heat shrinking process is performed between the expanding process and the suction process. As a result, even if the semiconductor chip is peeled off from the wafer processing tape in the heat shrink process, the semiconductor chip adheres to the wafer processing tape in the subsequent suction process, so that the yield can be improved.

ヒートシュリンク工程と吸引工程との間に、複数の半導体チップが貼り付けられたウエハ加工用テープを反転する反転工程を更に備え、ヒートシュリンク工程では、ウエハ加工用テープの複数の半導体チップとは反対側の面を吸着テーブルに吸着固定した状態で、ウエハ加工用テープを加熱収縮させ、吸引工程では、ウエハ加工用テープの複数の半導体チップ側の面を吸着テーブルで吸引してもよい。この半導体装置の製造方法では、吸引工程において吸引するウエハ加工用テープの面は、ヒートシュリンク工程において吸着固定するウエハ加工用テープの面は異なる。しかしながら、ヒートシュリンク工程と吸引工程との間に反転工程を行うため、吸引工程において吸引するウエハ加工用テープの面を、ヒートシュリンク工程において吸着固定するウエハ加工用テープの面と同じ向きにすることができる。このため、ヒートシュリンク工程においてウエハ加工用テープを吸着固定した吸着テーブルを用いて、吸引工程においてウエハ加工用テープを吸引することができる。これにより、ヒートシュリンク工程と吸引工程とで吸着テーブルを共用することができる。 Between the heat shrinking step and the suction step, a reversing step of reversing the wafer processing tape to which the plurality of semiconductor chips are attached is further provided, and the heat shrinking step is performed opposite to the plurality of semiconductor chips of the wafer processing tape. The wafer processing tape may be heated and shrunk in a state where the side surface is fixed by suction to the suction table, and in the suction step, the plurality of semiconductor chip side surfaces of the wafer processing tape may be suctioned by the suction table. In this semiconductor device manufacturing method, the surface of the wafer processing tape sucked in the suction step is different from the surface of the wafer processing tape sucked and fixed in the heat shrink step. However, since the reversing step is performed between the heat shrinking step and the suction step, the surface of the wafer processing tape to be sucked in the suction step should be oriented in the same direction as the surface of the wafer processing tape to be sucked and fixed in the heat shrinking step. can be done. Therefore, the suction table on which the wafer processing tape is fixed by suction in the heat shrinking process can be used to suck the wafer processing tape in the suction process. As a result, the suction table can be shared between the heat shrink process and the suction process.

ウエハ加工用テープに半導体ウエハを貼り付ける粘着層が、紫外線硬化型の粘着剤から構成される場合、吸引工程とピックアップ工程との間に、ウエハ加工用テープに紫外線を照射する紫外線照射工程を更に備えてもよい。この半導体装置の製造方法では、吸引工程とピックアップ工程との間に紫外線照射工程を行う。これにより、半導体チップがウエハ加工用テープから剥離することに伴う紫外線照射工程の不具合が改善されるため、歩留まりを向上させることができる。 When the adhesive layer for attaching the semiconductor wafer to the wafer processing tape is composed of an ultraviolet curable adhesive, an ultraviolet irradiation step of irradiating the wafer processing tape with ultraviolet rays is further performed between the suction step and the pick-up step. You may prepare. In this semiconductor device manufacturing method, the ultraviolet irradiation step is performed between the suction step and the pick-up step. As a result, problems in the ultraviolet irradiation process associated with peeling of the semiconductor chip from the wafer processing tape can be improved, so that the yield can be improved.

本発明の一側面によれば、歩留まりを向上させることができる。 According to one aspect of the present invention, yield can be improved.

ウエハ加工用テープの一例を示す模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a wafer processing tape; FIG. 図２（ａ）は、貼付工程を説明するための模式断面図であり、図２（ｂ）は、エキスパンド工程を説明するための模式断面図であり、図２（ｃ）は、ヒートシュリンク工程を説明するための模式断面図である。FIG. 2(a) is a schematic cross-sectional view for explaining the sticking process, FIG. 2(b) is a schematic cross-sectional view for explaining the expanding process, and FIG. 2(c) is a heat shrinking process. It is a schematic cross-sectional view for explaining. 図３（ａ）、図３（ｂ）、及び図３（ｃ）は、反転工程を説明するための模式断面図である。3(a), 3(b), and 3(c) are schematic cross-sectional views for explaining the reversing step. 図４（ａ）、図４（ｂ）、及び図４（ｃ）は、吸引工程を説明するための模式断面図である。4(a), 4(b), and 4(c) are schematic cross-sectional views for explaining the suction process. 図５（ａ）は、洗浄工程を説明するための模式断面図であり、図５（ｂ）は、紫外線照射工程を説明するための模式断面図であり、図５（ｃ）は、ピックアップ工程を説明するための模式断面図である。FIG. 5(a) is a schematic cross-sectional view for explaining the cleaning process, FIG. 5(b) is a schematic cross-sectional view for explaining the ultraviolet irradiation process, and FIG. 5(c) is a pick-up process. It is a schematic cross-sectional view for explaining. ピックアップ試験の結果を示す表である。It is a table|surface which shows the result of a pick-up test. 実施例１の紫外線を照射する前の撮像画像である。4 is a captured image before irradiation with ultraviolet light in Example 1. FIG. 実施例１の紫外線を照射してから１週間経過した後の撮像画像である。1 is a captured image after one week has passed since irradiation with ultraviolet light in Example 1. FIG. 比較例１の紫外線を照射する前の撮像画像である。4 is a captured image before irradiation with ultraviolet light in Comparative Example 1. FIG. 比較例１の紫外線を照射してから１週間経過した後の撮像画像である。10 is an image taken one week after irradiation with ultraviolet light in Comparative Example 1. FIG.

以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。 Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant explanations are omitted. Further, in this specification, a numerical range indicated using "to" indicates a range including the numerical values before and after "to" as the minimum and maximum values, respectively.

［半導体装置の製造方法］
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、半導体ウエハ２０（図２参照）に分離予定ラインを形成するダイシング工程を行う。ダイシング工程では、半導体ウエハ２０の表面に支持テープ２２（図２参照）を貼り付けて、ステルスダイシング、ブレードハーフカットダイシング等の方法により、半導体ウエハ２０に分離予定ラインを形成する。分離予定ラインは、後工程のエキスパンド工程において半導体ウエハ２０を複数の半導体チップ２１（図２参照）に分離するラインである。ステルスダイシングは、半導体ウエハ２０に対して、その内部に焦点光を合わせてレーザー光を照射することによって、半導体ウエハ２０内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域を分離予定ラインとする方法である。ブレードハーフカットダイシングは、ダイシングブレードにより半導体ウエハ２０をハーフカットすることにより、分離予定ラインを形成する方法である。 [Method for manufacturing a semiconductor device]
In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, first, a dicing process is performed to form lines to be separated in the semiconductor wafer 20 (see FIG. 2). In the dicing process, a support tape 22 (see FIG. 2) is attached to the surface of the semiconductor wafer 20, and lines to be separated are formed on the semiconductor wafer 20 by stealth dicing, blade half-cut dicing, or the like. The line to be separated is a line for separating the semiconductor wafer 20 into a plurality of semiconductor chips 21 (see FIG. 2) in the later expanding process. Stealth dicing forms a modified region inside the semiconductor wafer 20 by multiphoton absorption by irradiating the inside of the semiconductor wafer 20 with laser light with focused light, and separates the modified region. It is a method of making a line. Blade half-cut dicing is a method of forming lines to be separated by half-cutting the semiconductor wafer 20 with a dicing blade.

次に、分離予定ラインが形成された半導体ウエハ２０の裏面を研削するバックグラインド工程を行う。 Next, a back grinding process is performed to grind the back surface of the semiconductor wafer 20 on which the lines to be separated are formed.

次に、半導体ウエハ２０にウエハ加工用テープ１を貼り付ける貼付工程を行う。図１に示すように、ウエハ加工用テープ１は、基材層１１と基材層１１上に設けられた粘着層１２とを有する粘着フィルム２と、粘着フィルム２の粘着層１２上に設けられて半導体ウエハが貼り付けられる接着剤層３と、を備えている。なお、ウエハ加工用テープ１の接着剤層３側の一面には、離型テープ（不図示）が貼り付けられており、ウエハ加工用テープ１が半導体ウエハ２０に貼り付けられる際に、ウエハ加工用テープ１から離型テープが剥離される。粘着フィルム２は、半導体ウエハ２０の周囲に配置されるウエハリング３０に接合されて半導体ウエハ２０のダイシングに用いられるダイシングテープである。粘着フィルム２は、接着剤層３よりも大径の円形に形成されている。接着剤層３は、半導体チップのダイボンディングに用いられるダイボンドフィルムである。接着剤層３は、半導体ウエハ２０よりも大径の円形に形成されている。 Next, a bonding step of bonding the wafer processing tape 1 to the semiconductor wafer 20 is performed. As shown in FIG. 1, the wafer processing tape 1 includes an adhesive film 2 having a substrate layer 11 and an adhesive layer 12 provided on the substrate layer 11, and an adhesive layer 12 provided on the adhesive film 2. and an adhesive layer 3 to which a semiconductor wafer is attached. A release tape (not shown) is attached to one surface of the wafer processing tape 1 on the adhesive layer 3 side. The release tape is peeled off from the tape 1 for printing. The adhesive film 2 is a dicing tape that is bonded to a wafer ring 30 arranged around the semiconductor wafer 20 and used for dicing the semiconductor wafer 20 . The adhesive film 2 is formed in a circular shape with a diameter larger than that of the adhesive layer 3 . The adhesive layer 3 is a die bond film used for die bonding of semiconductor chips. The adhesive layer 3 is formed in a circular shape with a diameter larger than that of the semiconductor wafer 20 .

図２（ａ）に示すように、貼付工程では、半導体ウエハ２０の周囲にウエハリング３０を配置する。そして、ウエハ加工用テープ１から離型テープを剥離した後、ウエハ加工用テープ１の粘着フィルム２の外縁部にウエハリング３０を貼り付けるとともに、ウエハ加工用テープ１の接着剤層３の中央部に半導体ウエハ２０を貼り付ける。その後、半導体ウエハ２０から支持テープ２２を剥離する。これにより、ウエハ加工用テープ１に半導体ウエハ２０及びウエハリング３０が貼り付けられたワーク５が構成される。 As shown in FIG. 2( a ), in the attaching step, a wafer ring 30 is arranged around the semiconductor wafer 20 . After peeling off the release tape from the wafer processing tape 1, a wafer ring 30 is attached to the outer edge of the adhesive film 2 of the wafer processing tape 1, and the central portion of the adhesive layer 3 of the wafer processing tape 1 is adhered. A semiconductor wafer 20 is attached to the . After that, the support tape 22 is peeled off from the semiconductor wafer 20 . As a result, the workpiece 5 is formed by attaching the semiconductor wafer 20 and the wafer ring 30 to the wafer processing tape 1 .

次に、ウエハ加工用テープ１をエキスパンドすることにより、半導体ウエハ２０を複数の半導体チップ２１に分離するエキスパンド工程を行う。図２（ｂ）に示すように、エキスパンド工程では、ウエハリング３０及び粘着フィルム２をステージ３１と固定部材３４とで挟み込んで固定する。そして、－１５～５℃の低温条件下で、ウエハ加工用テープ１の下方から円筒状の突き上げ部材３２を上昇させて、突き上げ部材３２によりウエハ加工用テープ１を突き上げる。これにより、粘着フィルム２がエキスパンド（拡張）されて、半導体ウエハ２０が分離予定ラインに沿って複数の半導体チップ２１に分離されるとともに、接着剤層３も半導体チップ２１に対応して分離される。 Next, an expanding step is performed in which the semiconductor wafer 20 is separated into a plurality of semiconductor chips 21 by expanding the wafer processing tape 1 . As shown in FIG. 2B, in the expanding process, the wafer ring 30 and the adhesive film 2 are sandwiched between the stage 31 and the fixing member 34 and fixed. Then, under a low temperature condition of −15 to 5° C., the cylindrical push-up member 32 is raised from below the wafer processing tape 1 , and the wafer processing tape 1 is pushed up by the push-up member 32 . As a result, the adhesive film 2 is expanded, the semiconductor wafer 20 is separated into a plurality of semiconductor chips 21 along the lines to be separated, and the adhesive layer 3 is also separated corresponding to the semiconductor chips 21. .

次に、ウエハ加工用テープ１を加熱収縮させるヒートシュリンク工程を行う。図２（ｃ）に示すように、ヒートシュリンク工程では、突き上げ部材３２によりウエハ加工用テープ１を少しエキスパンドして半導体チップ２１の間隔を保持する。そして、ウエハ加工用テープ１の複数の半導体チップ２１とは反対側の面を吸着テーブル３６に吸着固定して、突き上げ部材３２を下降させる。 Next, a heat shrink process is performed to shrink the wafer processing tape 1 by heating. As shown in FIG. 2(c), in the heat shrinking process, the wafer processing tape 1 is slightly expanded by the push-up member 32 to maintain the spacing between the semiconductor chips 21. As shown in FIG. Then, the surface of the wafer processing tape 1 opposite to the plurality of semiconductor chips 21 is fixed by suction to the suction table 36, and the push-up member 32 is lowered.

そして、ウエハ加工用テープ１の複数の半導体チップ２１とは反対側の面を吸着テーブル３６に吸着固定した状態で、粘着フィルム２の、半導体チップ２１が存在する領域とウエハリング３０との間の部分に、ヒータ３３を用いて９０～１２０℃の温風を当てる。これにより、ウエハ加工用テープ１は、複数の半導体チップ２１の周囲において加熱収縮して、緊張させる。 Then, with the surface of the wafer processing tape 1 opposite to the plurality of semiconductor chips 21 fixed by suction to the suction table 36 , the adhesive film 2 between the region where the semiconductor chips 21 are present and the wafer ring 30 is removed. A heater 33 is used to apply warm air of 90 to 120° C. to the part. As a result, the wafer processing tape 1 is thermally shrunk around the semiconductor chips 21 to be tensed.

次に、複数の半導体チップ２１が貼り付けられたウエハ加工用テープ１を反転する反転工程を行う。図３（ａ）、図３（ｂ）、及び図３（ｃ）に示すように、反転工程では、アーム３５でウエハリング３０を吸着保持して、ワーク５を持ち上げる。そして、アーム３５によりワーク５を反転させることにより、複数の半導体チップ２１が貼り付けられたウエハ加工用テープ１を反転させる。その後、ワーク５を下降させて、ワーク５を吸着テーブル３６に載置する。 Next, an inversion step is performed to invert the wafer processing tape 1 to which the plurality of semiconductor chips 21 are attached. As shown in FIGS. 3(a), 3(b), and 3(c), in the reversing step, the arm 35 holds the wafer ring 30 by suction and lifts the workpiece 5. As shown in FIG. By inverting the workpiece 5 by the arm 35, the wafer processing tape 1 to which the plurality of semiconductor chips 21 are attached is inverted. After that, the work 5 is lowered and placed on the suction table 36 .

次に、ウエハ加工用テープ１を複数の半導体チップ２１側から吸引する吸引工程を行う。ここで、薄い半導体チップ２１は、反りやすい。このため、エキスパンド工程において半導体ウエハ２０を複数の半導体チップ２１に分離すると、又は、ヒートシュリンク工程においてウエハ加工用テープ１を加熱収縮すると、図４（ａ）に示すように、半導体チップ２１が反って、半導体チップ２１のエッジ部分がウエハ加工用テープ１の粘着フィルム２から剥離する場合がる。そこで、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すように、吸引工程では、ウエハ加工用テープ１の複数の半導体チップ２１側の面を吸着テーブル３６で吸引する。このとき、複数の半導体チップ２１を保護する観点から、吸着テーブル３６上にポーラスシート３７を配置し、このポーラスシート３７を介して複数の半導体チップ２１を吸着テーブル３６で吸引することが好ましい。つまり、ウエハ加工用テープ１の複数の半導体チップ２１側の面をポーラスシート３７に当接させて、吸着テーブル３６により真空吸引することで、ウエハ加工用テープ１の複数の半導体チップ２１側の面をポーラスシート３７に吸引する。すると、半導体チップ２１がウエハ加工用テープ１に密着して、半導体チップ２１とウエハ加工用テープ１との間の隙間が無くなる。なお、図４（ａ）、図４（ｂ）、及び図４（ｃ）では、図を見やすくするために、ウエハ加工用テープ１の接着剤層３の図示を省略している。なお、ヒートシュリンク工程でも、吸着テーブル３６上にポーラスシート３７を配置していてもよい。 Next, a suction step is performed to suck the wafer processing tape 1 from the side of the plurality of semiconductor chips 21 . Here, the thin semiconductor chip 21 is easily warped. Therefore, when the semiconductor wafer 20 is separated into a plurality of semiconductor chips 21 in the expanding process, or when the wafer processing tape 1 is thermally shrunk in the heat shrinking process, the semiconductor chips 21 warp as shown in FIG. Therefore, the edge portion of the semiconductor chip 21 may be peeled off from the adhesive film 2 of the wafer processing tape 1 . Therefore, as shown in FIGS. 4B and 4C, in the suction step, the surface of the wafer processing tape 1 on the semiconductor chip 21 side is sucked by the suction table 36 . At this time, from the viewpoint of protecting the plurality of semiconductor chips 21 , it is preferable to place a porous sheet 37 on the suction table 36 and suction the plurality of semiconductor chips 21 with the suction table 36 through the porous sheet 37 . That is, by bringing the surface of the wafer processing tape 1 on the side of the plurality of semiconductor chips 21 into contact with the porous sheet 37 and vacuum-sucking the suction table 36, the surface of the tape 1 on the side of the plurality of semiconductor chips 21 is pulled up. is sucked into the porous sheet 37 . Then, the semiconductor chip 21 is brought into close contact with the wafer processing tape 1, and the gap between the semiconductor chip 21 and the wafer processing tape 1 disappears. 4(a), 4(b), and 4(c), the illustration of the adhesive layer 3 of the wafer processing tape 1 is omitted for the sake of clarity. The porous sheet 37 may be arranged on the adsorption table 36 also in the heat shrink process.

次に、複数の半導体チップ２１が貼り付けられたウエハ加工用テープ１を反転する反転工程を行う。この反転工程は、吸引工程の前に行う反転工程と同様である。 Next, an inversion step is performed to invert the wafer processing tape 1 to which the plurality of semiconductor chips 21 are attached. This reversing step is similar to the reversing step performed before the suction step.

次に、ウエハ加工用テープ１に貼り付けられた複数の半導体チップ２１を洗浄する洗浄工程を更に備える、図５（ａ）に示すように、洗浄工程では、ウエハリング３０及び粘着フィルム２を吸着テーブル３６により吸着固定し、ウエハ加工用テープ１の複数の半導体チップ２１側の面に洗浄液を掛ける。そして、複数の半導体チップ２１の洗浄が終了すると、複数の半導体チップ２１を乾燥させる。 Next, as shown in FIG. 5A, the cleaning step further includes a cleaning step for cleaning the plurality of semiconductor chips 21 attached to the wafer processing tape 1. In the cleaning step, the wafer ring 30 and the adhesive film 2 are sucked. The surface of the wafer processing tape 1 facing the plurality of semiconductor chips 21 is coated with a cleaning liquid while being fixed by suction on the table 36 . After the cleaning of the plurality of semiconductor chips 21 is completed, the plurality of semiconductor chips 21 are dried.

次に、ウエハ加工用テープ１に紫外線を照射する紫外線照射工程を行う。図５（ｂ）に示すように、紫外線照射工程では、ウエハ加工用テープ１に紫外線を照射して、粘着フィルム２の粘着層１２を硬化させるとともに、その粘着力を弱める。紫外線は、ウエハ加工用テープ１の複数の半導体チップ２１とは反対側から照射する。なお、紫外線照射工程は、粘着フィルム２の粘着層１２が紫外線硬化型の粘着剤から構成される場合にのみ行えばよく、粘着フィルム２の粘着層１２が紫外線硬化型の粘着剤から構成されない場合は、紫外線照射工程を行う必要はない。 Next, an ultraviolet irradiation step of irradiating the wafer processing tape 1 with ultraviolet rays is performed. As shown in FIG. 5(b), in the ultraviolet irradiation step, the wafer processing tape 1 is irradiated with ultraviolet rays to harden the adhesive layer 12 of the adhesive film 2 and weaken its adhesive force. The ultraviolet rays are applied from the opposite side of the wafer processing tape 1 from the plurality of semiconductor chips 21 . The ultraviolet irradiation step may be performed only when the adhesive layer 12 of the adhesive film 2 is composed of an ultraviolet-curable adhesive, and when the adhesive layer 12 of the adhesive film 2 is not composed of an ultraviolet-curable adhesive. , there is no need to perform an ultraviolet irradiation step.

次に、ウエハ加工用テープ１から半導体チップ２１をピックアップするピックアップ工程を行う。図５（ｃ）に示すように、ピックアップ工程では、ウエハ加工用テープ１の複数の半導体チップ２１とは反対側から、ピックアップ対象の半導体チップ２１を突き上げ冶具３９で突き上げる。すると、ピックアップ対象の半導体チップ２１が、ウエハ加工用テープ１から剥離される。そして、ウエハ加工用テープ１の複数の半導体チップ２１側から、ピックアップ対象の半導体チップ２１を、吸引コレット４０で吸引してピックアップする。これにより、接着剤層３が付着した半導体チップ２１が得られる。 Next, a pick-up step of picking up the semiconductor chip 21 from the wafer processing tape 1 is performed. As shown in FIG. 5C, in the pick-up process, the semiconductor chip 21 to be picked up is pushed up by a push-up jig 39 from the opposite side of the wafer processing tape 1 from the plurality of semiconductor chips 21 . Then, the semiconductor chip 21 to be picked up is separated from the wafer processing tape 1 . Then, the semiconductor chips 21 to be picked up are sucked and picked up by the suction collet 40 from the side of the plurality of semiconductor chips 21 of the wafer processing tape 1 . As a result, the semiconductor chip 21 to which the adhesive layer 3 is attached is obtained.

上述した半導体装置の製造方法を行う際は、例えば、次のような製造装置が用いられる。本実施形態に係る半導体装置の製造装置は、ウエハリング３０及び粘着フィルム２を挟み込んで固定するステージ３１及び固定部材３４と、エキスパンド工程においてウエハ加工用テープ１を下方から突き上げる突き上げ部材３２と、ヒートシュリンク工程においてウエハ加工用テープ１を加熱収縮させるヒータ３３と、反転工程においてワーク５を吸着保持して反転させるアーム３５と、洗浄工程において複数の半導体チップ２１を洗浄する洗浄機構と、ヒートシュリンク工程においてウエハ加工用テープを吸着固定するとともに吸引工程においてウエハ加工用テープを吸引する吸着テーブル３６と、紫外線照射工程においてウエハ加工用テープ１に紫外線を照射する紫外線照射機構と、ピックアップ工程においてピックアップ対象の半導体チップ２１をピックアップする突き上げ冶具３９及び吸引コレット４０と、を備える。なお、上記製造装置は、一部の構成を備えなくてもよく、反対に、他の構成を更に備えてもよい。 When performing the manufacturing method of the semiconductor device described above, for example, the following manufacturing apparatus is used. The semiconductor device manufacturing apparatus according to the present embodiment comprises a stage 31 and a fixing member 34 for sandwiching and fixing the wafer ring 30 and the adhesive film 2, a pushing member 32 for pushing up the wafer processing tape 1 from below in the expanding process, a heat A heater 33 for heating and shrinking the wafer processing tape 1 in the shrinking process, an arm 35 for sucking and holding the work 5 in the reversing process and reversing it, a cleaning mechanism for cleaning the plurality of semiconductor chips 21 in the cleaning process, and a heat shrinking process. a suction table 36 for sucking and fixing the wafer processing tape in the suction step; an ultraviolet irradiation mechanism for applying ultraviolet rays to the wafer processing tape 1 in the ultraviolet irradiation step; A push-up jig 39 and a suction collet 40 for picking up the semiconductor chip 21 are provided. Note that the above-described manufacturing apparatus may not include some of the components, or may further include other components.

以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、エキスパンド工程とピックアップ工程との間に吸引工程を行う。このため、半導体チップ２１がウエハ加工用テープ１から剥離していても、吸引工程においてウエハ加工用テープ１を複数の半導体チップ２１側から吸引することで、半導体チップ２１がウエハ加工用テープ１に密着する。これにより、半導体チップ２１がウエハ加工用テープ１から剥離することに伴うピックアップ工程の不具合が改善されるため、歩留まりを向上させることができる。例えば、半導体チップ２１にはアライメントマークが形成されており、ウエハ加工用テープ１から半導体チップ２１をピックアップする装置は、このアライメントマークを認識することで、ピックアップする半導体チップ２１の位置を特定している。ここで、半導体チップ２１のエッジ部分がウエハ加工用テープ１から剥離していると、この剥離部分が変色して、アライメントマークを認識できない場合がある。しかしながら、吸引工程において半導体チップ２１をウエハ加工用テープ１に密着させるため、アライメントマークが認識できない不具合の発生を抑制することができる。 As described above, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, the suction process is performed between the expanding process and the picking up process. Therefore, even if the semiconductor chip 21 is peeled off from the wafer processing tape 1, the semiconductor chip 21 can be attached to the wafer processing tape 1 by sucking the wafer processing tape 1 from the side of the plurality of semiconductor chips 21 in the suction step. In close contact. As a result, problems in the pick-up process due to peeling of the semiconductor chip 21 from the wafer processing tape 1 are improved, so that the yield can be improved. For example, an alignment mark is formed on the semiconductor chip 21, and a device for picking up the semiconductor chip 21 from the wafer processing tape 1 identifies the position of the semiconductor chip 21 to be picked up by recognizing this alignment mark. there is Here, if the edge portion of the semiconductor chip 21 is peeled off from the wafer processing tape 1, the peeled portion may be discolored and the alignment mark may not be recognized. However, since the semiconductor chip 21 is brought into close contact with the wafer processing tape 1 in the suction step, it is possible to suppress the problem that the alignment mark cannot be recognized.

また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、吸引工程とピックアップ工程との間に洗浄工程を行う。これにより、半導体チップ２１がウエハ加工用テープ１から剥離することに伴う洗浄工程の不具合が改善されるため、歩留まりを向上させることができる。例えば、半導体チップ２１のエッジ部分がウエハ加工用テープ１から剥離していると、洗浄工程において、この剥離部分に洗浄液が入り込むことで、ウエハ加工用テープ１から半導体チップ２１が脱落する場合がある。しかしながら、洗浄工程の前に行う吸引工程において半導体チップ２１をウエハ加工用テープ１に密着させるため、洗浄工程において半導体チップ２１が脱落する不具合の発生を抑制することができる。 Further, in the manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment, the cleaning process is performed between the suction process and the pick-up process. As a result, the trouble in the cleaning process due to the separation of the semiconductor chip 21 from the wafer processing tape 1 is improved, so that the yield can be improved. For example, if the edge portion of the semiconductor chip 21 is separated from the wafer processing tape 1, the semiconductor chip 21 may come off the wafer processing tape 1 during the cleaning process due to the cleaning liquid entering the separated portion. . However, since the semiconductor chip 21 is brought into close contact with the wafer processing tape 1 in the suction process performed before the cleaning process, it is possible to prevent the semiconductor chip 21 from falling off during the cleaning process.

また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、エキスパンド工程と吸引工程との間にヒートシュリンク工程を行う。これにより、ヒートシュリンク工程において半導体チップ２１がウエハ加工用テープ１から剥離した場合にも、その後の吸引工程で半導体チップ２１がウエハ加工用テープ１に密着するため、歩留まりを向上させることができる。 Further, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, the heat shrinking process is performed between the expanding process and the suction process. As a result, even if the semiconductor chip 21 is separated from the wafer processing tape 1 in the heat shrinking process, the semiconductor chip 21 adheres to the wafer processing tape 1 in the subsequent suction process, so that the yield can be improved.

ところで、吸引工程において吸引するウエハ加工用テープ１の面は、ヒートシュリンク工程において吸着固定するウエハ加工用テープ１の面と異なる。しかしながら、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、ヒートシュリンク工程と吸引工程との間に反転工程を行うため、吸引工程において吸引するウエハ加工用テープ１の面を、ヒートシュリンク工程において吸着固定するウエハ加工用テープ１の面と同じ向きにすることができる。このため、ヒートシュリンク工程においてウエハ加工用テープ１を吸着固定した吸着テーブル３６を用いて、吸引工程においてウエハ加工用テープ１を吸引することができる。これにより、ヒートシュリンク工程と吸引工程とで吸着テーブル３６を共用することができる。 By the way, the surface of the wafer processing tape 1 sucked in the suction step is different from the surface of the wafer processing tape 1 sucked and fixed in the heat shrink step. However, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, the reversing step is performed between the heat shrinking step and the suction step. It can be oriented in the same direction as the surface of the wafer processing tape 1 to be processed. Therefore, the wafer processing tape 1 can be sucked in the suction step using the suction table 36 on which the wafer processing tape 1 is suctioned and fixed in the heat shrink step. As a result, the suction table 36 can be shared between the heat shrink process and the suction process.

また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、吸引工程とピックアップ工程との間に紫外線照射工程を行う。これにより、半導体チップ２１がウエハ加工用テープ１から剥離することに伴う紫外線照射工程の不具合が改善されるため、歩留まりを向上させることができる。例えば、ウエハ加工用テープ１の粘着層１２が紫外線硬化型の粘着剤から構成される場合、半導体チップ２１のエッジ部分がウエハ加工用テープ１から剥離していると、剥離した部分が酸素に触れることにより、紫外線を照射しても粘着層１２が硬化しない場合がある。しかしながら、紫外線照射工程の前に行う吸引工程において半導体チップ２１をウエハ加工用テープ１に密着させるため、紫外線照射工程において粘着層１２が硬化しない不具合の発生を抑制することができる。 Further, in the manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment, the ultraviolet irradiation step is performed between the suction step and the pick-up step. As a result, the problem in the ultraviolet irradiation process caused by the separation of the semiconductor chip 21 from the wafer processing tape 1 is improved, so that the yield can be improved. For example, when the adhesive layer 12 of the wafer processing tape 1 is composed of an ultraviolet curable adhesive, if the edge portion of the semiconductor chip 21 is separated from the wafer processing tape 1, the separated portion is exposed to oxygen. As a result, the adhesive layer 12 may not be cured even when irradiated with ultraviolet rays. However, since the semiconductor chip 21 is adhered to the wafer processing tape 1 in the suction step performed before the ultraviolet irradiation step, it is possible to prevent the adhesive layer 12 from curing in the ultraviolet irradiation step.

本発明の半導体装置の製造方法は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。 The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is not limited to the embodiments described above, and can be modified as appropriate without departing from the gist of the present invention.

例えば、上記の半導体装置の製造方法では、エキスパンド工程においてウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより半導体ウエハを複数の半導体チップに分離することができれば、如何なる方法及び如何なるタイミングで、半導体ウエハに分離予定ラインを形成してもよい。例えば、貼付工程の後にダイシング工程を行ってもよい。 For example, in the above-described method for manufacturing a semiconductor device, if the semiconductor wafer can be separated into a plurality of semiconductor chips by expanding the wafer processing tape in the expanding step, the semiconductor wafer can be separated into a plurality of semiconductor chips by any method and at any timing. may be formed. For example, a dicing process may be performed after the attaching process.

また、上記の半導体装置の製造方法では、反転工程を行い、ヒートシュリンク工程と吸引工程とで吸着テーブルを共用するものとして説明したが、洗浄工程でも吸着テーブルを使用するため、洗浄工程と吸引工程とで吸着テーブルを共用してもよい。また、ヒートシュリンク工程及び洗浄工程と吸引工程とで別の吸着テーブルを用いる場合、可動式の吸着テーブルを用いる場合等は、反転工程を行わなくてもよい。 Further, in the above-described semiconductor device manufacturing method, the reversing process is performed and the suction table is shared by the heat shrinking process and the suction process. may share the adsorption table. Further, when different suction tables are used for the heat shrink process, the cleaning process, and the suction process, or when a movable suction table is used, the reversing process may not be performed.

以下、本発明の実施例を説明する。但し、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Examples of the present invention will be described below. However, the present invention is not limited to these examples.

（比較例１）
１２インチの半導体ウエハに対して、ダイシング工程、バックグラインド工程、貼付工程、エキスパンド工程、ヒートシュリンク工程、及び洗浄工程をこの順で行った。ダイシング工程では、１２ｍｍ×６ｍｍの矩形状にステルスダイシングを行うことで、半導体ウエハに分離予定ラインを形成した。バックグラインド工程では、半導体ウエハの厚さが３５μｍとなるように半導体ウエハの裏面を研磨した。貼付工程では、７０℃で、日立化成株式会社製のウエハ加工用テープ（型番ＦＨ－９０１１－２０）を、半導体ウエハに貼り付けた。エキスパンド工程及びヒートシュリンク工程では、株式会社ディスコ製のダイセパレータ（型番ＤＤＳ－２３００）を用いて、以下の条件にてウエハ加工用テープのエキスパンド及びヒートシュリンクを行った。洗浄工程では、株式会社ディスコ製のダイセパレータ（型番ＤＤＳ－２３００）内の洗浄機構により、以下の条件にて洗浄及び乾燥を行った。 (Comparative example 1)
A 12-inch semiconductor wafer was subjected to a dicing process, a back grinding process, a bonding process, an expanding process, a heat shrinking process, and a cleaning process in this order. In the dicing process, separation lines were formed on the semiconductor wafer by performing stealth dicing into a rectangular shape of 12 mm×6 mm. In the back grinding step, the back surface of the semiconductor wafer was ground so that the thickness of the semiconductor wafer was 35 μm. In the attaching step, a tape for wafer processing manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. (model number FH-9011-20) was attached to the semiconductor wafer at 70°C. In the expanding step and the heat shrinking step, a die separator (model number: DDS-2300) manufactured by DISCO Corporation was used to expand and heat shrink the wafer processing tape under the following conditions. In the washing process, washing and drying were performed under the following conditions by a washing mechanism in a die separator (model number DDS-2300) manufactured by DISCO Corporation.

［エキスパンド条件］冷却温度：－１５℃、冷却時間：９０秒、エキスパンド量：１０ｍｍ、エキスパンド速度：２００ｍｍ／ｓ、エキスパンド後の保持時間：３秒
［ヒートシュリンク条件］ヒータ温度：２２０℃、ヒータ回転速度：５°／ｓ、エキスパンド量：８ｍｍ
［洗浄条件］洗浄時間：１２０秒、回転数：６００ｒｐｍ
［乾燥条件］乾燥時間：６０秒、回転数：１５００ｒｐｍ [Expanding conditions] Cooling temperature: -15°C, Cooling time: 90 seconds, Expansion amount: 10 mm, Expanding speed: 200 mm/s, Holding time after expansion: 3 seconds [Heat shrink conditions] Heater temperature: 220°C, Heater rotation Speed: 5°/s, Expansion amount: 8mm
[Washing conditions] Washing time: 120 seconds, rotation speed: 600 rpm
[Drying conditions] Drying time: 60 seconds, rotation speed: 1500 rpm

そして、ウエハ加工用テープに貼り付けられた複数の半導体チップの状態を撮像した後、紫外線照射工程を、照度７０ｍＷ／ｃｍ^２、照射量２００ｍＪ／ｃｍ^２で行い、紫外線を照射してから１週間経過した後に、ウエハ加工用テープに貼り付けられた複数の半導体チップの状態を撮像した。紫外線を照射する前の撮像画像を図９に示し、紫外線を照射してから１週間経過した後の撮像画像を図１０に示す。 Then, after imaging the state of the plurality of semiconductor chips attached to the wafer processing tape, an ultraviolet irradiation process is performed at an illuminance of 70 mW/cm ² and an irradiation amount of 200 mJ/cm ² for one week after the ultraviolet irradiation. After a lapse of time, images of the state of the plurality of semiconductor chips attached to the wafer processing tape were taken. FIG. 9 shows a captured image before irradiation with ultraviolet rays, and FIG. 10 shows a captured image after one week has passed since irradiation with ultraviolet rays.

その後、ピックアップ工程において、株式会社日立ハイテクノロジーズ製のＤＢ８００－ＨＳＤを用いて、所定位置の２０個の半導体チップをピックアップ対象の半導体チップとし、このピックアップ対象の半導体チップのピックアップを試みた。ピックアップ工程では、突き上げ方式を三段突き上げとし、突き上げ冶具による半導体チップの突き上げ高さを３５０μｍとし、突き上げ冶具による半導体チップの突き上げ速度を１０ｍｍ／ｓとした。ピックアップできた半導体チップの数を図６に示す。 After that, in the pick-up process, a DB800-HSD manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation was used to pick up 20 semiconductor chips at predetermined positions as semiconductor chips to be picked up, and an attempt was made to pick up the semiconductor chips to be picked up. In the pick-up process, a three-stage push-up method was used, the height of the semiconductor chip pushed up by the push-up jig was set to 350 μm, and the speed of push-up of the semiconductor chip by the push-up jig was set to 10 mm/s. FIG. 6 shows the number of semiconductor chips that could be picked up.

（実施例１）
１２インチの半導体ウエハに対して、ダイシング工程、バックグラインド工程、貼付工程、エキスパンド工程、ヒートシュリンク工程、吸引工程、及び洗浄工程をこの順で行った。吸引工程では、ポーラスシートを介して吸着テーブルにより３０秒間真空吸引を行った。ダイシング工程、バックグラインド工程、貼付工程、エキスパンド工程、ヒートシュリンク工程、及び洗浄工程は、比較例１と同条件とした。 (Example 1)
A 12-inch semiconductor wafer was subjected to a dicing process, a back grinding process, a bonding process, an expanding process, a heat shrinking process, a suction process, and a cleaning process in this order. In the suction step, vacuum suction was performed for 30 seconds using a suction table through the porous sheet. The same conditions as in Comparative Example 1 were used for the dicing process, the back grinding process, the attaching process, the expanding process, the heat shrinking process, and the washing process.

そして、比較例１と同様に、ウエハ加工用テープに貼り付けられた複数の半導体チップの状態を撮像した後、紫外線照射工程を行い、紫外線を照射してから１週間経過した後に、ウエハ加工用テープに貼り付けられた複数の半導体チップの状態を撮像した。紫外線を照射する前の状態の撮像画像を図７に示し、紫外線を照射してから１週間経過した状態の撮像画像を図８に示す。 Then, in the same manner as in Comparative Example 1, after imaging the state of a plurality of semiconductor chips attached to the wafer processing tape, an ultraviolet irradiation step was performed. The state of a plurality of semiconductor chips attached to the tape was imaged. FIG. 7 shows a photographed image before ultraviolet irradiation, and FIG. 8 shows a photographed image one week after ultraviolet irradiation.

その後、比較例１と同じ条件で、ピックアップ対象の２０個の半導体チップのピックアップを試みた。ピックアップできた半導体チップの数を図６に示す。 After that, under the same conditions as in Comparative Example 1, an attempt was made to pick up 20 semiconductor chips to be picked up. FIG. 6 shows the number of semiconductor chips that could be picked up.

（実施例２）
突き上げ冶具による半導体チップの突き上げ速度を１ｍｍ／ｓとした他は、実施例１と同じ条件とした。ピックアップできた半導体チップの数を図６に示す。 (Example 2)
The conditions were the same as in Example 1, except that the pushing speed of the semiconductor chip by the pushing jig was 1 mm/s. FIG. 6 shows the number of semiconductor chips that could be picked up.

（実施例３）
突き上げ冶具による半導体チップの突き上げ高さを３２５μｍとし、突き上げ冶具による半導体チップの突き上げ速度を１０ｍｍ／ｓとした他は、実施例１と同じ条件とした。ピックアップできた半導体チップの数を図６に示す。 (Example 3)
The conditions were the same as in Example 1, except that the height of the semiconductor chip pushed up by the pushing jig was 325 μm and the speed of pushing up the semiconductor chip by the pushing jig was 10 mm/s. FIG. 6 shows the number of semiconductor chips that could be picked up.

（実施例４）
突き上げ冶具による半導体チップの突き上げ高さを３２５μｍとし、突き上げ冶具による半導体チップの突き上げ速度を１ｍｍ／ｓとした他は、実施例１と同じ条件とした。ピックアップできた半導体チップの数を図６に示す。 (Example 4)
The conditions were the same as in Example 1, except that the height of the semiconductor chip pushed up by the pushing jig was 325 μm and the speed of pushing up the semiconductor chip by the pushing jig was 1 mm/s. FIG. 6 shows the number of semiconductor chips that could be picked up.

（実施例５）
突き上げ冶具による半導体チップの突き上げ高さを３００μｍとし、突き上げ冶具による半導体チップの突き上げ速度を１０ｍｍ／ｓとした他は、実施例１と同じ条件とした。ピックアップできた半導体チップの数を図６に示す。 (Example 5)
The conditions were the same as in Example 1, except that the height of the semiconductor chip pushed up by the pushing jig was set to 300 μm and the speed of pushing up the semiconductor chip by the pushing jig was set to 10 mm/s. FIG. 6 shows the number of semiconductor chips that could be picked up.

（評価）
図９及び図１０に示すように、比較例１では、紫外線の照射前後に関わらず、半導体チップのエッジ部分がウエハ加工用テープから剥離していることが観察されたが、実施例１では、紫外線の照射前だけでなく、紫外線を照射してから１週間が経過しても、半導体チップのエッジ部分がウエハ加工用テープから剥離していないことが観察された。 (evaluation)
As shown in FIGS. 9 and 10, in Comparative Example 1, it was observed that the edge portion of the semiconductor chip was peeled off from the wafer processing tape regardless of whether it was before or after irradiation with ultraviolet rays. It was observed that the edge portion of the semiconductor chip was not peeled off from the wafer processing tape not only before the ultraviolet irradiation but also after one week had passed since the ultraviolet irradiation.

また、図６に示すように、比較例１では、一つも半導体チップをピックアップすることができなかったのに対し、実施例１では、全ての半導体チップをピックアップすることができた。更に、実施例１～５の何れも、全ての半導体チップをピックアップすることができた。この結果から、吸引工程を行うことで、半導体チップがウエハ加工用テープから剥離することに伴うピックアップ工程の不具合が改善されることが分かった。 Further, as shown in FIG. 6, in Comparative Example 1, not even one semiconductor chip could be picked up, whereas in Example 1, all semiconductor chips could be picked up. Furthermore, in any of Examples 1 to 5, all semiconductor chips could be picked up. From this result, it was found that performing the suction process improved the problems in the pick-up process associated with the separation of the semiconductor chip from the wafer processing tape.

１…ウエハ加工用テープ、２…粘着フィルム、３…接着剤層、５…ワーク、１１…基材層、１２…粘着層、２０…半導体ウエハ、２１…半導体チップ、２２…支持テープ、３０…ウエハリング、３１…ステージ、３２…突き上げ部材、３３…ヒータ、３４…固定部材、３５…アーム、３６…吸着テーブル、３７…ポーラスシート、３９…突き上げ冶具、４０…吸引コレット。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Wafer processing tape 2... Adhesive film 3... Adhesive layer 5... Work 11... Base material layer 12... Adhesive layer 20... Semiconductor wafer 21... Semiconductor chip 22... Support tape 30... Wafer ring 31 Stage 32 Push-up member 33 Heater 34 Fixed member 35 Arm 36 Suction table 37 Porous sheet 39 Push-up jig 40 Suction collet.

Claims

an expanding step of separating the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips by expanding the wafer processing tape to which the semiconductor wafer is attached;
a suction step of sucking the wafer processing tape from the plurality of semiconductor chips after the expanding step;
a pickup step of picking up the semiconductor chip from the wafer processing tape after the suction step;
a heat shrinking step of heat-shrinking the wafer processing tape between the expanding step and the sucking step;
a reversing step of reversing the wafer processing tape to which the plurality of semiconductor chips are attached, between the heat shrinking step and the suction step ;
In the heat shrink step, the wafer processing tape is heated and shrunk while the surface of the wafer processing tape opposite to the plurality of semiconductor chips is fixed by suction to a suction table,
In the suction step, the surface of the wafer processing tape on the side of the plurality of semiconductor chips is sucked by the suction table.
A method of manufacturing a semiconductor device.

Further comprising a cleaning step of cleaning the plurality of semiconductor chips attached to the wafer processing tape between the suction step and the pick-up step,
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1.

When the adhesive layer for attaching the semiconductor wafer to the wafer processing tape is composed of an ultraviolet curable adhesive, the wafer processing tape is irradiated with ultraviolet rays between the suction step and the pick-up step. Further comprising an ultraviolet irradiation step,
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1.