JP2009087976A - 緩衝体 - Google Patents

Abstract

【課題】電子回路基板の筐体への取り付けの際に、より好適に使用可能な緩衝体を提供する。
【解決手段】緩衝体１１は、筐体に設けられるとともに導電性を有するボスと、ネジによってボスに固定される電子回路基板との間に設けられる。緩衝体１１は、ゴム状弾性体１５で構成され、ネジが挿通される挿通孔１２を有する本体１３と、挿通孔１２と本体１３の周縁との間に設けられ、緩衝体１１がボスと電子回路基板との間に設けられたときには電子回路基板上の電子回路及びボスを電気的に接続する導電部１４とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば携帯電子機器における、電子回路基板の筐体への取り付けの際に用いられる緩衝体に関する。

携帯電子機器、例えばデジタルカメラ、携帯電話、及びノート型パーソナルコンピュータにおいて、電子回路基板は、ネジによって筐体のボスに固定されている。携帯電子機器では、電子回路上に設けられた電子部品の帯電を防ぐために、電子回路に設けられたアース回路がネジを用いて筐体に接地されている。携帯電子機器には、該電子機器の取着及び載置が頻繁であるとともに携帯されることから、据え置き型の電子機器と異なり、例えば落下の衝撃などに対する高い耐久性が要求されている。

従来のネジで筐体に固定された電子回路基板では、ネジ及びボスが衝撃の緩衝性を有しないことから、例えば携帯電子機器の落下時の衝撃の際にネジを通って強い衝撃が筐体から電子回路基板に伝わり、該基板の割れ、又は基板における半田付け部分の損傷が起こって携帯電子機器が故障し易いという問題があった。更に、携帯電子機器の小型化及び薄型化に伴い、電子回路基板に設けられている電子回路が微細化されている。そのため、筐体自身が有する歪み、又は携帯電子機器の使用に伴って生じる筐体の歪みに起因して電子回路基板に歪み又は反りが発生し、該基板の割れ、又は基板における半田付け部分の損傷が起こって携帯電子機器が故障し易いという問題もあった。また、電子回路基板のアース回路と、金属で形成された筐体のボスとがネジで電気的に接続される場合には、金属に起因してアース回路とボスとが硬いことから、アース回路とボスとの接続が、電子回路基板及びボスの表面の平面性及びそれらの平行の程度、及び各部品の厚みの精度、さらにはネジの締め付けトルクの影響を受ける。そのため、アース回路とボスとを確実に接続することができない場合があった。以上のことから、電子回路基板への応力を緩和し、さらに簡便で確実に設置可能な緩衝体が求められていた。

特許文献１では、弾性を有するメッシュ状の金属線により形成され、導電性を有する緩衝体が開示されている。特許文献２には、例えば金属線のメッシュにより表面に導電処理が施された緩衝体が開示されている。特許文献３には、緩衝性及び導電性を備える材料、例えば導電性粒子が分散されているゴムにより形成された緩衝体が開示されている。

しかしながら、特許文献１に記載の緩衝体は、高い剛性を有する金属線により形成されていることから、該緩衝体には、その緩衝性が低いという問題があった。また、緩衝体を介して電子回路基板がボスに固定される際に、ネジが緩衝体内を挿通される。このとき、特許文献３に記載の緩衝体には、ネジと導電性粒子とが接触することによって導電性粒子が緩衝体から脱落し、該脱落した導電性粒子に起因する電子回路の短絡、及び緩衝体の導電性の低下が起こるという問題があった。更に、特許文献１〜３に記載の緩衝体には、以下の問題があった。即ち、緩衝体は、その表面全体にわたって導電性を有していることから、緩衝体が電子回路基板とボスとの間に設けられた際には、電子回路基板上の電子回路と緩衝体とが接触してリーク電流が発生するおそれがある。そのため、電子回路基板において緩衝体に対応する個所の近傍に回路素子を設けることができず、電子回路の微細化が困難である。
特開２００５−３０２７８９号公報 特開２００２−５７４７５号公報 特開２００６−２７０８３４号公報

本発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、電子回路基板の筐体への取り付けの際に、より好適に使用可能な緩衝体を提供することにある。

上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、筐体に設けられるとともに導電性を有するボスと、ネジによってボスに固定される電子回路基板との間に設けられる緩衝体であって、ゴム状弾性体で構成され、前記ネジが挿通される挿通孔を有する本体と、前記挿通孔と本体の周縁との間に設けられ、緩衝体がボスと電子回路基板との間に設けられたときには電子回路基板上の電子回路及びボスを電気的に接続する導電部とを備える緩衝体を提供する。

請求項２に記載の発明は、前記導電部が本体の表面から突出している請求項１に記載の緩衝体を提供する。
請求項３に記載の発明は、前記挿通孔及び本体の周縁の間に設けられ、該本体の表面から突出している緩衝突部を更に備える請求項１又は請求項２に記載の緩衝体を提供する。

請求項４に記載の発明は、前記本体に設けられ、ボスが嵌挿される筒状を有する嵌合部を更に備える請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の緩衝体を提供する。
請求項５に記載の発明は、前記嵌合部が係止突部と係止凹部との嵌合関係によって前記ボスに取り付けられる請求項４に記載の緩衝体を提供する。

請求項６に記載の発明は、前記本体が前記挿通孔を有する筒状の第１緩衝部と、該第１緩衝部の少なくとも一方の端部に設けられた環状の第２緩衝部とを備え、前記導電部は第２緩衝部に設けられている請求項１又は請求項２に記載の緩衝体を提供する。

請求項７に記載の発明は、前記第２緩衝部に設けられ、該第２緩衝部の表面から突出している緩衝突部を更に備える請求項６に記載の緩衝体を提供する。
請求項８に記載の発明は、前記第１緩衝部に設けられ、ゴム状弾性体より高い硬度を有する材料により形成されるとともに、緩衝体がボスと電子回路基板との間に設けられたときにはネジの頭部とボスとに接触する支持部を更に備える請求項６又は請求項７に記載の緩衝体を提供する。

本発明によれば、電子回路基板の筐体への取り付けの際に、より好適に使用可能な緩衝体を提供することができる。

（第１実施形態）
以下、本発明を緩衝体に具体化した第１実施形態を図１（ａ）〜図３に基づいて説明する。図２及び図３に示すように、携帯電子機器の筐体２１の所定の個所には、電子回路基板２２を筐体２１に取り付けるための、円柱状を有するボス２３が形成されている。ボス２３の先端部には、金属材料により形成された円環状の第１接続部２４が形成されており、第１接続部２４は、例えば筐体２１に設けられた電子回路に電気的に接続されている。この第１接続部２４により、ボス２３は導電性を有している。ボス２３の中央部には、電子回路基板２２のボス２３への固定に用いられるネジ２５が螺入されるネジ孔２６が形成されている。

電子回路基板２２上には電子回路が形成されており、電子回路基板２２の筐体２１に対向する表面には、電子回路から延びるアース回路２７が形成されている。このアース回路２７において、ボス２３に対応する個所には、円環状の第２接続部２８が形成されている。電子回路基板２２において、ボス２３のネジ孔２６に対応する個所には、前記ネジ２５が挿通される孔２９が形成されている。電子回路基板２２がボス２３に固定される際には、筐体２１からの衝撃を吸収して該衝撃から電子回路基板２２を保護するために、電子回路基板２２とボス２３との間に緩衝体１１が配置される。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、緩衝体１１は、前記ネジが挿通される挿通孔１２が中央に形成されている円板状の本体１３と、挿通孔１２と本体１３の周縁との間に形成されている４個の導電部１４とを備えている。

本体１３はゴム状弾性体で構成されており、該ゴム状弾性体に起因して弾性を有しているとともに電気絶縁性を有している。日本工業規格であるＪＩＳ Ｋ６２５３に従って測定されるゴム状弾性体の硬度は、好ましくはＡ８０以下である。ＪＩＳ Ｋ６２５３に従って測定される硬度がＡ８０を超える場合には、緩衝体１１を介して筐体２１の衝撃が電子回路基板２２に伝わり易いことから、緩衝体１１が十分な緩衝性を発揮しないおそれがある。ＪＩＳ Ｋ６２５３に従って測定される硬度がＡ８０以下であるゴム状弾性体として、例えば、シリコーンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、１，２−ポリブタジエン、スチレン−ブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、ブチルゴム、エチレン−プロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、アクリルゴム、エピクロルヒドリンゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、エステル系熱可塑性エラストマー、ウレタン系熱可塑性エラストマー、アミド系熱可塑性エラストマー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマー、及びイオン架橋系熱可塑性エラストマーが挙げられる。

ゴム状弾性体は、例えば反応性を有する液状高分子の硬化反応により形成される。このとき、例えば本体１３と導電部１４とを同時に形成するために、液状高分子中に後述する磁性導電体が配合される。この磁性導電体の配向が容易であることから、前記具体例の中でも、シリコーンゴム、エチレン−プロピレンゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、及びスチレン系熱可塑性エラストマーが好ましく、優れた電気絶縁性及び耐候性を発揮することから、シリコーンゴムがより好ましい。

液状高分子の２０℃における粘度は、好ましくは１〜２５０Ｐａ・ｓであり、より好ましくは１０〜１００Ｐａ・ｓである。液状高分子の粘度が１Ｐａ・ｓ未満の場合には、液状高分子に配合された磁性導電体が沈殿して導電部１４の形成が困難になるおそれがある。液状高分子の粘度が２５０Ｐａ・ｓを超えると、磁性導電体の配向が困難になったり、配向に長い時間又は高い磁場を要したりするおそれがある。

導電部１４は、ボス２３の第１接続部２４及び電子回路基板２２の第２接続部２８に対応する配置に形成されており、緩衝体１１がボス２３と電子回路基板２２との間に設けられたときには各接続部２４、２８を電気的に接続する。導電部１４は、本体１３の厚さ方向の全体にわたって円柱状に形成されており、導電部１４の一対の端部１４ａはそれぞれ、本体１３の表面から外方に突出している。図１（ｃ）に示すように、導電部は、ゴム状弾性体１５中に粒子状の磁性導電体１６の粒子が分散されて形成されている。本実施形態に係る導電部１４では、磁性導電体１６の粒子同士が互いに接触した状態で、本体１３の厚さ方向に沿って連なって配向されている。

磁性導電体１６の材質として、例えばニッケル、コバルド、及び鉄が挙げられる。また、磁性導電体１６として、表面に良好な導電性を発揮する金属がめっきされた、強磁性体からなる粒子が用いられてもよいし、表面に磁性及び導電性を有する層が被覆された、導電性を有する粒子が用いられてもよい。強磁性体として、例えばニッケル、コバルト、鉄、及びフェライトが挙げられる。これらの中でも、良好な導電性および常温（２５℃）で安定である金属、例えば金又は銀が表面にめっきされた強磁性体の粒子が好ましい。

導電部１４において、ゴム状弾性体１５中に分散される磁性導電体１６の割合の下限は特に限定されないが、導電部１４の一対の端面、即ちボス２３に対向する端面から電子回路基板２２に対向する端面にわたって磁性導電体１６が連なって配向される量が好ましい。ゴム状弾性体１５に分散される磁性導電体１６の割合の上限は特に限定されない。磁性導電体１６の粒径は、例えば３０μｍである。磁性導電体１６が分散されているゴム状弾性体１５は、本体１３において導電部１４以外の個所を構成するゴム状弾性体１５と同一でもよいし異なっていてもよい。

本体１３の表面全体の面積に対して導電部１４が占める割合は、好ましくは３〜５０％である。導電部１４が占める割合が３％未満の場合、導電部１４が過剰に小さいことから、ボス２３の第１接続部２４及び電子回路基板２２の第２接続部２８を電気的に接続することが困難になる。導電部１４が占める割合が５０％を超えると、導電部１４が過剰に大きいことから、電子回路基板２２をボス２３に固定するときに導電部１４の圧縮に要する荷重が大きくなり、大きな荷重に起因して例えば電子回路基板２２が損傷するおそれがある。

導電部１４の各端部１４ａが突出している本体１３の各表面上には、各表面から外方に突出している４個の緩衝突部１３ａがそれぞれ形成されている。緩衝突部１３ａは円板状に形成されているとともに、挿通孔１２と本体１３の周縁との間に形成されている。各緩衝突部１３ａは各導電部１４の間に配置されており、各導電部１４及び各緩衝突部１３ａは等角度間隔に配置されている。緩衝突部１３ａは本体１３と一体に形成されており、前記ゴム状弾性体１５で構成されている。

緩衝体１１は、該緩衝体１１の原料組成物を調製する工程、該原料組成物を型内に充填する工程、磁性導電体１６を配向させる工程、及び緩衝体１１を成形する工程を得て製造される。

緩衝体１１の原料組成物を調製する工程では、公知の方法により、ゴム状弾性体１５を形成する液状高分子と、磁性導電体１６とが適宜に混合されて原料組成物が調製される。原料組成物を型内に充填する工程では、調製された原料組成物が、非磁性体からなる型内に充填される。非磁性体として、例えばアルミニウムが挙げられる。この型は、緩衝体１１に対応するキャビティを有しているとともに、導電部１４に対応する個所に磁性体を備えている。磁性導電体１６を配向させる工程では、磁性体によって型内の原料組成物に磁場が印加される。このとき、型内に充填された原料組成物中の磁性導電体１６は、型内において磁性体に対応する個所、即ち導電部１４に対応する個所に集まるとともに配向される。図１（ｃ）に示すように、本実施形態では、磁性導電体１６の粒子同士が互いに接触した状態で、磁性導電体１６の粒子が本体１３の厚さ方向に沿って連なって配向される。緩衝体１１を成形する工程では、例えば加熱によって液状高分子を硬化させてゴム状弾性体１５を形成することにより、本体１３、導電部１４、及び緩衝突部１３ａが形成されて緩衝体１１が成形される。このとき、液状高分子は、磁性導電体１６の配向が維持された状態で硬化される。

図２に示すように、電子回路基板２２がボス２３に固定されるときには、ボス２３の第１接続部２４に電子回路基板２２の第２接続部２８が対向するとともに、ボス２３のネジ孔２６に電子回路基板２２の孔２９が対向するように、ボス２３上に電子回路基板２２が配置される。このとき、ボス２３と電子回路基板２２との間に緩衝体１１が配置される。次いで、図２及び図３に示すように、電子回路基板２２の上方から、該基板２２及び緩衝体１１を介してネジ２５がボス２３のネジ孔２６に螺入される。このとき、ネジ２５は、電子回路基板２２の孔２９及び緩衝体１１の挿通孔１２内に挿通された後、ボス２３のネジ孔２６に螺入される。ネジ２５のネジ孔２６への螺入に伴い、電子回路基板２２がボス２３に向かって押圧される。そのため、緩衝体１１において、本体１３の表面から突出している導電部１４の各端部１４ａ及び緩衝突部１３ａは、ボス２３及び電子回路基板２２によって本体１３に向かって圧縮されて本体１３内に没入する。このとき、導電部１４は各接続部２４、２８に接触しており、第２接続部２８及びアース回路２７を介して、ボス２３の第１接続部２４及び電子回路基板２２の電子回路を電気的に接続する。

前記実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
（１）本実施形態においては、ボス２３と電子回路基板２２との間に、ゴム状弾性体１５で構成される本体１３を有する緩衝体１１が配置されている。そのため、ゴム状弾性体１５の弾性に起因して、筐体２１の衝撃を本体１３が吸収して該衝撃から電子回路基板２２を保護することができる。更に、筐体２１の歪みを本体１３が吸収することにより、該歪みに起因する電子回路基板２２の歪み及び反りの発生を抑制することができる。

（２）本実施形態においては、導電部１４は挿通孔１２及び本体１３の周縁の間に形成されており、挿通孔１２と導電部１４との間にはゴム状弾性体１５が設けられている。そのため、ネジ２５が挿通孔１２に挿通されるときに、ネジ２５が導電部１４に接触して該導電部１４内の磁性導電体１６が脱落することを防止し、脱落した磁性導電体１６に起因する電子回路の短絡、及び導電部１４の導電性の低下を防止することができる。また、ゴム状弾性体１５は電気絶縁性を有しており、導電部１４は磁性導電体１６に起因して導電性を有している。本体１３の周縁と導電部１４との間にもゴム状弾性体１５が設けられていることから、電子回路基板２２がボス２３に固定されたときに、電子回路基板２２上のアース回路２７以外の回路と導電部１４とが接触してリーク電流が発生することを防止することができる。そのため、電子回路基板２２において、アース回路２７の近傍に例えば電子部品を配置することができる。

また、本体１３全体にわたって磁性導電体１６が分散されることにより本体１３自身が導電部１４の作用を有する場合に比べて、緩衝体１１の製造に必要な磁性導電体１６の量を低減することができる。磁性導電体１６の硬度は通常、ゴム状弾性体１５の硬度に比べて高いことから、導電部１４の硬度は本体１３の導電部１４以外の個所の硬度に比べて高い。本実施形態では導電部１４は本体１３の一部にのみ形成されていることから、本体１３自身が導電部１４の作用を有する場合に比べて緩衝体１１の緩衝性を高めることができる。

（３）本実施形態においては、導電部１４の両端部１４ａは本体１３の表面から突出している。そのため、導電部１４を各接続部２４、２８に確実に接触させて導電部１４の抵抗値を低下させるのに必要な荷重を小さくすることができる。これに対して、導電部１４の両端部１４ａが本体１３の表面から突出していない場合、導電部１４を各接続部２４、２８に確実に接触させて導電部１４の抵抗値を低下させるために、大きな荷重で緩衝体１１全体を圧縮させる必要がある。

更に、導電部１４が本体１３の表面から突出することにより、導電部１４が各接続部２４、２８と確実に接触することができる。具体的には、例えばボス２３又は電子回路基板２２の寸法精度に起因して緩衝体１１が斜めに傾斜した状態で電子回路基板２２がボス２３に取り付けられた場合には、緩衝体１１の傾斜によって緩衝体１１と電子回路基板２２及び２３との間に隙間が形成される。この場合にも、前記隙間に位置する導電部１４が本体１３内に没入することなく電子回路基板２２及びボス２３に接触してそれらと確実に接触することができる。加えて、緩衝体１１は、斜めに傾斜していても導電部１４によって電子回路基板２２を支持して該電子回路基板２２を筐体２１の衝撃から保護することができる。

（４）本体１３には、該本体１３の表面から突出する緩衝突部１３ａが形成されている。そのため、例えばボス２３又は電子回路基板２２の寸法精度に起因して緩衝体１１が斜めに傾斜した状態で電子回路基板２２がボス２３に取り付けられた場合にも、前記間隙に位置する緩衝突部１３ａが本体１３内に没入することなく電子回路基板２２及びボス２３に接触することができる。緩衝突部１３ａは本体１３と同様にゴム状弾性体１５で構成されている。そのため、緩衝突部１３ａの電子回路基板２２及びボス２３への接触により、緩衝体１１は、斜めに傾斜していても電子回路基板２２を支持して該電子回路基板２２を筐体２１の衝撃から保護することができる。

（５）本実施形態においては、磁場の印加による磁性導電体１６の配向により、磁性導電体１６の粒子同士が互いに接触した状態で、磁性導電体１６を本体１３の厚さ方向に沿って連なって配向させることができる。このため、導電部１４を容易に形成することができ、緩衝体１１を容易に製造することができる。更に、少量の磁性導電体１６でも導電部１４がボス２３の第１接続部２４及び電子回路基板２２の電子回路を電気的に接続することができるとともに、磁性導電体１６の増量に起因する導電部１４の硬度の上昇を防止することができる。

（第２実施形態）
次に、本発明を緩衝体１１に具体化した第２実施形態を図４〜図５（ｂ）に基づいて説明する。第２実施形態においては、第１実施形態との説明の重複を避けるために、第１実施形態と同一の部材については同一の符号を付してその説明を省略し、第１実施形態と同一の作用及び効果についてもその説明を省略する。

図４及び図５（ａ）に示すように、本体１３には、円筒状の嵌合部１７が本体１３の周縁部から延設されている。嵌合部１７の先端には、断面三角形状を有する、係止突部としての係止突条１８が嵌合部１７の内周全体にわたって形成されている。本体１３、嵌合部１７、及び係止突条１８は一体に構成されており、嵌合部１７及び係止突条１８はゴム状弾性体１５で構成されている。ボス２３の周縁部には、係止突条１８に対応する個所に、該係止突条１８に対応する形状を有する、係止凹部としての係止溝３０が全周にわたって形成されている。

図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、電子回路基板２２がボス２３に固定されるときには、ボス２３が嵌合部１７内に嵌挿されて緩衝体１１がボス２３に取り付けられる。このとき、係止突条１８が係止溝３０に嵌合して緩衝体１１がボス２３に固定される。

前記実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
（６）本実施形態においては、本体１３に嵌合部１７が形成されており、ボス２３が嵌合部１７内に嵌挿される。そのため、電子回路基板２２のボス２３への固定の際に緩衝体１１をボス２３上に容易に配置することができるとともに、配置された緩衝体１１の位置ずれを防止することができる。

（７）本実施形態においては、嵌合部１７に係止突条１８が形成されており、係止突条１８は係止溝３０に嵌合される。即ち、嵌合部１７が係止突条１８及び係止溝３０の嵌合関係によってボス２３に取り付けられる。そのため、電子回路基板２２のボス２３への固定の際に、ボス２３に取り付けられた緩衝体１１のボス２３からの脱落を防止することができ、電子回路基板２２をボス２３に容易に取り付けることができる。

（８）本実施形態においては、係止突条１８はゴム状弾性体１５で構成されている。そのため、ゴム状弾性体１５の弾性に起因して、必要に応じて係止突条１８と係止溝３０との嵌合を解除し、ボス２３から緩衝体１１を容易に取り外すことができる。

（第３実施形態）
次に、本発明を緩衝体１１に具体化した第３実施形態を図６（ａ）及び図６（ｂ）に基づいて説明する。第３実施形態においては、前記各実施形態との説明の重複を避けるために、前記各実施形態と同一の部材については同一の符号を付してその説明を省略し、前記各実施形態と同一の作用及び効果についてもその説明を省略する。

図６（ａ）に示すように、緩衝体１１の本体１３は、前記ネジが挿通される挿通孔１２が中央に形成されている円筒状の第１緩衝部４１と、該第１緩衝部４１の両端部の内の一方の端部に形成される円環状の第２緩衝部４２とを備えている。第１緩衝部４１及び第２緩衝部４２はそれぞれゴム状弾性体１５で構成されており、互いに一体に形成されている。第１緩衝部４１及び第２緩衝部４２はインサート成形によって一体に形成されてもよいし、同時に形成されることによって一体に形成されてもよいし、別々に形成された後に例えば接着剤による接着又は熱融着によって一体に形成されてもよい。図６（ｂ）に示すように、電子回路基板２２には、ネジ２５が挿通される前記孔の代わりに、第１緩衝部４１が挿通される孔３１が形成されている。

電子回路基板２２の厚さに対する、第１緩衝部４１の軸方向における長さの割合は、好ましくは５０〜１２０％である。第１緩衝部４１の軸方向における長さの割合が５０％未満の場合には、電子回路基板２２とネジ２５との間に位置する第１緩衝部４１が過剰に小さいことから、電子回路基板２２の平面に平行な方向からの衝撃を第１緩衝部４１が十分に吸収することができない。第１緩衝部４１の軸方向における長さの割合が１２０％を超えると、電子回路基板２２をボス２３に固定するときに、ネジ２５の頭部２５ａと電子回路基板２２との間に形成される間隙が過剰に大きくなることから、電子回路基板２２を十分に固定することができずに該電子回路基板２２がぐらつくおそれがある。

前記ネジ２５の直径に対する第１緩衝部４１の厚さの割合は、好ましくは５０〜１２０％である。第１緩衝部４１の厚さの割合が５０％未満の場合には、第１緩衝部４１が過剰に薄いことから、第１緩衝部４１が十分な緩衝性を発揮することができない。第１緩衝部４１の厚さの割合が１２０％を超えると、第１緩衝部４１が過剰に厚いことから緩衝体１１が過剰に大きくなり、携帯電子機器の小型化に悪影響を及ぼす。

図６（ａ）に示すように、第２緩衝部４２には４個の導電部１４が形成されている。各導電部１４は、第１緩衝部４１と第２緩衝部４２の周縁との間に形成されているとともに、各接続部２４、２８に対応する個所に配置されている。各導電部１４の一対の端部１４ａはそれぞれ、第２緩衝部４２の表面から外方に突出している。導電部１４の各端部１４ａが突出している第２緩衝部４２の各表面上には、各表面から外方に突出している４個の緩衝突部１３ａがそれぞれ形成されている。緩衝突部１３ａは円板状に形成されているとともに、第１緩衝部４１と第２緩衝部４２の周縁との間に形成されている。各緩衝突部１３ａは各導電部１４の間に配置されており、各導電部１４及び各緩衝突部１３ａは等角度間隔に配置されている。緩衝突部１３ａは第２緩衝部４２と一体に形成されており、前記ゴム状弾性体１５で構成されている。

図６（ｂ）に示すように、電子回路基板２２がボス２３に固定されるときには、ボス２３の第１接続部２４に電子回路基板２２の第２接続部２８が対向するとともに、ボス２３のネジ孔２６に電子回路基板２２の孔３１が対向するように、ボス２３上に電子回路基板２２が配置される。このとき、ボス２３と電子回路基板２２との間に第２緩衝部４２が配置され、第１緩衝部４１が孔３１に挿通される。次いで、電子回路基板２２の上方から、該基板２２及び緩衝体１１を介してネジ２５がボス２３のネジ孔２６に螺入される。このとき、ネジ２５は、第１緩衝部４１の挿通孔１２内に挿通された後、ボス２３のネジ孔２６に螺入される。ネジ２５のネジ孔２６への螺入に伴い、電子回路基板２２がボス２３に向かって押圧される。そのため、緩衝体１１において、第２緩衝部４２の表面から突出している導電部１４の各端部１４ａ及び各緩衝突部１３ａは、ボス２３及び電子回路基板２２によって第２緩衝部４２に向かって圧縮されて第２緩衝部４２内に没入する。

前記実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
（９）本実施形態においては、本体１３は、電子回路基板２２の孔３１に挿通される第１緩衝部４１と、電子回路基板２２及びボス２３の間に配置される第２緩衝部４２とを備えている。そのため、電子回路基板２２の表面と平行な方向からの衝撃を第１緩衝部４１が吸収し、筐体２１からの衝撃を第２緩衝部４２が吸収することにより、衝撃から電子回路基板２２をより確実に保護することができる。

（第４実施形態）
次に、本発明を緩衝体１１に具体化した第４実施形態を図７（ａ）及び図７（ｂ）に基づいて説明する。第４実施形態においては、前記各実施形態との説明の重複を避けるために、前記各実施形態と同一の部材については同一の符号を付してその説明を省略し、前記各実施形態と同一の作用及び効果についてもその説明を省略する。

図７（ｂ）に示すように、筐体２１は上枠２１ａ及び下枠２１ｂにより構成されており、ボス２３は下枠２１ｂに形成されている。上枠２１ａにおいて、ボス２３に対応する個所には前記ネジ２５を収容する凹部３２が形成されており、該凹部３２にはネジ２５が挿通される孔３３が形成されている。上枠２１ａの凹部３２において、ボス２３に対向する表面上には、前記第１接続部２４と同様に構成されている第３接続部３４が形成されている。

電子回路基板２２において、ボス２３のネジ孔２６に対応する個所には、緩衝体１１を電子回路基板２２に取り付けるための切り欠き３５が形成されている。電子回路基板２２の各枠２１ａ、２１ｂに対向する表面にはそれぞれ、前記アース回路２７が形成されている。これらのアース回路２７において、切り欠き３５の周囲には第４接続部３６がそれぞれ形成されている。

図７（ａ）に示すように、緩衝体１１の本体１３は、第１緩衝部４１と、該第１緩衝部４１の両端部に形成される一対の円環状を有する第２緩衝部４２とを備えている。各第２緩衝部４２には４個の導電部１４がそれぞれ形成されている。各導電部１４は、第１緩衝部４１と第２緩衝部４２の周縁との間に形成されているとともに、各接続部２４，３４，３６に対応する個所に配置されている。各導電部１４の一対の端部１４ａはそれぞれ、各第２緩衝部４２の表面から外方に突出している。導電部１４の各端部１４ａが突出している第２緩衝部４２の各表面上には、各表面から外方に突出している４個の緩衝突部１３ａがそれぞれ形成されている。緩衝突部１３ａは円板状に形成されているとともに、第１緩衝部４１と第２緩衝部４２の周縁との間に形成されている。各緩衝突部１３ａは各導電部１４の間に配置されており、各導電部１４及び各緩衝突部１３ａは等角度間隔に配置されている。緩衝突部１３ａは第２緩衝部４２と一体に形成されており、前記ゴム状弾性体１５で構成されている。

電子回路基板２２がボス２３に固定されるときには、まず第１緩衝部４１が電子回路基板２２の切り欠き３５に挿入されて緩衝体１１が電子回路基板２２に取り付けられる。次いで、ボス２３の第１接続部２４及び上枠２１ａの第３接続部３４に電子回路基板２２の各第４接続部３６が対向するとともに、ボス２３のネジ孔２６及び上枠２１ａの孔３３に電子回路基板２２の切り欠き３５が対向するように、各枠２１ａ、２１ｂの間に電子回路基板２２が配置される。続いて、図７（ｂ）に示すように、上枠２１ａの上方から、該上枠２１ａ及び緩衝体１１を介してネジ２５がボス２３のネジ孔２６に螺入される。このとき、ネジ２５は、上枠２１ａの孔３３及び第１緩衝部４１の挿通孔１２内に挿通された後、ボス２３のネジ孔２６に螺入される。ネジ２５のネジ孔２６への螺入に伴い、上枠２１ａが電子回路基板２２に向かって押圧されるとともに、電子回路基板２２がボス２３に向かって押圧される。そのため、緩衝体１１において、第２緩衝部４２の表面から突出している導電部１４の各端部１４ａ及び緩衝突部１３ａは、上枠２１ａの凹部３２、ボス２３及び電子回路基板２２によって第２緩衝部４２に向かって圧縮されて第２緩衝部４２内に没入する。このとき、導電部１４は各接続部２４、３４、３６に接触しており、第４接続部３６及びアース回路２７を介して、ボス２３の第１接続部２４、上枠２１ａの第３接続部３４、及び電子回路基板２２の電子回路を電気的に接続する。

前記実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
（１０）本実施形態においては、電子回路基板２２が上枠２１ａ及び下枠２１ｂの両方に固定されている。このとき、電子回路基板２２と上枠２１ａ及び下枠２１ｂとの間にはそれぞれ、ゴム状弾性体１５により形成されている第２緩衝部４２が配置されている。そのため、各枠２１ａ、２１ｂによって電子回路基板２２を確実に支持することができるとともに、各第２緩衝部４２によって各枠２１ａ、２１ｂからの衝撃を吸収して該衝撃から電子回路基板２２を保護することができる。

前記各実施形態は、以下のように変更して具体化されてもよい。
・ 各実施形態において、各部材の形状は特に限定されず、適宜変更されてもよい。また、磁性導電体１６の配向方向が適宜変更されてもよい。

・ 各実施形態において、磁性導電体１６の形状が例えば繊維状に変更されてもよい。また、導電部１４が、ゴム状弾性体１５と、該ゴム状弾性体１５中に分散されている導電体とから形成されてもよい。導電体の材質として、例えば炭素及び金属が挙げられる。金属として、例えば抵抗値が低い金、銀、白金、アルミニウム、ニッケル、銅、鉄、パラジウム、コバルト、クロム、及びそれらと他の金属との合金が挙げられる。合金として、例えばステンレスが挙げられる。導電体の形状として、例えば粒子状及び繊維状が挙げられる。例えば金属、樹脂、又はセラミックスにより形成された粉末又は繊維の表面に、前記導電体の具体例として挙げられた金属が被覆されて導電体が構成されてもよい。

導電体が磁性を有していない場合、緩衝体１１は、例えば予めコンプレッション成形又は射出成形によって成形された導電部１４が金型にインサートされた後、該金型を用いて本体１３を成形するインサート成形法、又は二色成形法によって製造される。導電体が磁性を有していても、即ち磁性導電体１６においても、前記インサート成形、又は二色成形法によって緩衝体１１が製造されてもよい。

・ 各実施形態において、ボス２３に形成された第１接続部２４及び上枠２１ａに形成された第３接続部３４が省略されてもよい。この場合、筐体２１自体が金属により形成されることによってボス２３及び上枠２１ａが導電性を有してもよいし、樹脂により形成された筐体２１の内表面に金属めっきが施されることによりボス２３及び上枠２１ａが導電性を有してもよい。

・ 各実施形態において、各導電部１４は等角度間隔で配置されていなくてもよいし、導電部１４の数が変更されてもよい。また、図８（ａ）に示すように、例えば第１実施形態において本体１３に円筒状の導電部１４が形成されてもよい。例えば、外径が６ｍｍであるとともに内径が２ｍｍである本体１３に、３個の直径が０．５ｍｍである導電部１４が形成されているとき、本体１３の表面全体の面積に対して導電部１４が占める割合は３．４３％である。また、外径が４ｍｍであるとともに内径が２ｍｍである本体１３に、内径が３．５ｍｍであるとともに内径が２．５ｍｍである円筒状の導電部が形成されているとき、本体１３の表面全体の面積に対して導電部１４が占める割合は５０％である。

図８（ｂ）に示すように、例えば本体１３の表面において、導電部１４に対応する個所に、該導電部１４の外径よりも大きい外径を有する円板状の突部１３ｂが形成され、該突部１３ｂ内に導電部１４の端部１４ａが配置されてもよい。この場合、導電部１４の端部１４ａと突部１３ｂの周縁との間には、ゴム状弾性体１５が設けられている。

また、各緩衝突部１３ａが等角度間隔で配置されていなくてもよいし、緩衝突部１３ａの数が変更されてもよい。更に、図８（ｃ）に示すように、例えば第１実施形態において緩衝突部１３ａが省略されてもよい。即ち、本体１３又は第２緩衝部４２において導電部１４の端部１４ａが突出している一対の表面の内、一方の表面のみに緩衝突部１３ａが形成されてもよいし、両表面に形成されている緩衝突部１３ａが省略されてもよい。

・ 各実施形態において、複数の導電部１４の内の一部の導電部１４の端部１４ａのみが本体１３又は第２緩衝部４２の表面から突出していてもよいし、導電部１４の一対の端部１４ａの内の一方の端部１４ａのみが本体１３又は第２緩衝部４２の表面から突出していてもよい。例えば、第１実施形態において、図９（ａ）に示すように、緩衝突部１３ａが省略されるとともに導電部１４の各端部１４ａが本体１３の表面から突出していなくてもよい。この構成においても、図９（ｂ）に示すように、導電部１４は各接続部２４、２８に接触し、第２接続部２８及びアース回路２７を介して、ボス２３の第１接続部２４及び電子回路基板２２の電子回路を電気的に接続することができる。更に、本体１３により筐体２１の衝撃を吸収して該衝撃から電子回路基板２２を保護することができる。

・ 第２実施形態において、嵌合部１７に係止溝３０が形成されるとともにボスに係止突条１８が形成されてもよい。また、係止突条１８の代わりに、例えば一対の係止爪が嵌合部１７に形成されてもよい。各係止爪は、挿通孔１２を中心として点対称となるように配置されている。各係止爪の形状は、嵌合部１７がボス２３に嵌合可能である形状であれば特に限定されず、該形状として、断面三角形状の他に、例えば断面略半円状が挙げられる。この場合、ボス２３の周縁部には、各係止爪に対応する個所に、各係止爪に対応する形状を有する係止凹部が形成される。係止爪及び係止凹部の個数は特に限定されない。また、ボス２３に係止爪が形成されるとともに、該係止爪に対応する係止凹部が嵌合部１７に形成されてもよい。

・ 第４実施形態において、一対の第２緩衝部４２の内の一方の第２緩衝部４２において導電部１４及び緩衝突部１３ａが省略されてもよい。例えば、図１０（ａ）に示すように、一対の第２緩衝部４２の内、電子回路基板２２上に配置される第２緩衝部４２において導電部１４及び緩衝突部１３ａが省略されてもよい。この場合、図１０（ｂ）に示すように、電子回路基板２２はボス２３のみに固定され、電子回路基板２２のボス２３に対向する表面のみにアース回路２７及び第４接続部３６が形成される。電子回路基板２２がボス２３に固定されるときには、まず第１緩衝部４１が電子回路基板２２の切り欠き３５に挿入されて緩衝体１１が電子回路基板２２に取り付けられる。次いで、電子回路基板２２の上方から、ネジ２５が緩衝体１１を介してボス２３のネジ孔２６内に螺入される。このとき、ネジ２５は、第１緩衝部４１の挿通孔１２内に挿通された後、ボス２３のネジ孔２６に螺入される。

この構成においても、導電部１４は各接続部２４、３６に接触しており、第４接続部３６及びアース回路２７を介して、ボス２３の第１接続部２４及び電子回路基板２２の電子回路を電気的に接続することができる。更に、電子回路基板２２の表面と平行な方向からの衝撃を第１緩衝部４１が吸収し、筐体２１からの衝撃を電子回路基板２２及びボス２３の間に配置された第２緩衝部４２が吸収することにより、衝撃から電子回路基板２２をより確実に保護することができる。加えて、ネジ２５の頭部２５ａと電子回路基板２２との間に配置された第２緩衝部４２により、ネジ２５と電子回路基板２２との間を電気的に絶縁することができるとともに、ネジ２５の螺入の際に、該ネジ２５の頭部２５ａによって電子回路基板２２に損傷が発生することを防止することができる。更に、ネジ２５に加わった衝撃から電子回路基板２２を保護することができる。

また、図１０（ｃ）に示すように、一対の第２緩衝部４２の内、電子回路基板２２とボス２３との間に配置される第２緩衝部４２において導電部１４及び緩衝突部１３ａが省略されてもよい。この場合、例えば筐体２１及びボス２３は金属により形成されることにより、ボス２３自身が導電性を有している。図１０（ｄ）に示すように、電子回路基板２２はボス２３のみに固定され、電子回路基板２２においてネジ２５の頭部２５ａに対向する表面のみにアース回路２７及び第４接続部３６が形成される。電子回路基板２２がボス２３に取り付けられるときには、まず第１緩衝部４１が電子回路基板２２の切り欠き３５に挿入されて緩衝体１１が電子回路基板２２に取り付けられる。次いで、電子回路基板２２の上方から、ネジ２５が緩衝体１１を介してボス２３のネジ孔２６内に螺入される。このとき、ネジ２５は、第１緩衝部４１の挿通孔１２内に挿通された後、ボス２３のネジ孔２６に螺入される。

この構成においては、導電部１４は、第４接続部３６及びネジ２５の頭部２５ａに接触している。そのため、導電部１４は、第４接続部３６、アース回路２７、及びネジ２５を介して、ボス２３及び電子回路基板２２の電子回路を電気的に接続することができる。加えて、前述の電子回路基板２２上に配置される第２緩衝部４２において導電部１４が省略された場合と同様に、衝撃から電子回路基板２２をより確実に保護することができるとともに、ネジ２５の螺入の際に、該ネジ２５の頭部２５ａによって電子回路基板２２に損傷が発生することを防止することができる。更に、ネジ２５に加わった衝撃から電子回路基板２２を保護することができる。この構成において、図１１（ａ）に示すように、ネジ２５の頭部２５ａと第２緩衝部４２との間にワッシャ３７が設けられてもよい。

・ 図１１（ｂ）に示すように、第４実施形態において、電子回路基板２２がボス２３のみに固定されてもよい。
・ 図１２（ａ）に示すように、第３実施形態において、第１緩衝部４１の内周部に、挿通孔１２を覆うように円筒状の支持部４３が形成されてもよい。支持部４３は、第１緩衝部４１を形成するゴム状弾性体１５よりも高い硬度を有する材料により形成されている。支持部４３の材質として、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び金属が挙げられる。加工が容易であるとともに、ネジ２５の支持部４３内での摺動性が良好であることから、支持部４３の材質として、ポリアセタール及びポリイミドが好ましい。支持部４３は、第１緩衝部４１の長手方向における長さより短く形成されている。即ち、電子回路基板２２の厚さ、第２接続部２８の厚さ、及び導電部１４の長手方向における長さの合計に対する、支持部４３の長手方向における長さの割合は、好ましくは７５〜９９％である。支持部４３の長手方向における長さの割合が７５％未満では、電子回路基板２２及びボス２３によって緩衝体１１が過剰に圧縮されて該緩衝体１１の緩衝性が低下するおそれがある。支持部４３の長手方向における長さの割合が９９％を超えると、緩衝体１１、特に導電部１４の圧縮割合が小さくなり、導電部１４の電気抵抗が安定しないおそれがある。

また、前記孔２９とネジ２５との間の隙間の大きさに対する支持部４３の厚さの割合の上限は、好ましくは５０％である。支持部４３の厚さの割合が５０％を超えると、第１緩衝部４１が過剰に薄くなることから、該第１緩衝部４１の緩衝性が低下するおそれがある。前記孔２９とネジ２５との間の隙間の大きさに対する支持部４３の厚さの割合の下限は特に限定されず、例えば支持部４３の材質によって適宜に設定される。

図１２（ｂ）に示すように、支持部４３は、第２緩衝部４２がボス２３と電子回路基板２２との間に配置されたときには、第２緩衝部４２の圧縮に伴いネジ２５の頭部２５ａとボス２３とに接触する。この構成によれば、各緩衝部４１，４２が緩衝性を発揮しつつ、支持部４３によってネジ２５の頭部２５ａを支持してネジ２５の緩みを抑制することができる。支持部４３が設けられていない場合、ネジ２５が過剰に締め付けられると緩衝体１１が過剰に圧縮されて緩衝性を十分に発揮することできない場合がある。一方、ネジ２５の締め付けが弱いと、ネジ２５が緩んで電子回路基板２２がボス２３から外れる場合がある。そのため、ネジ２５の締め付けを適度に行う必要があり、ネジ２５の締め付けに経験を要する。これに対して、支持部４３が設けられることにより、緩衝体１１の過剰な圧縮を抑制しつつ、ネジ２５を十分に締め付けることができる。そのため、ネジ２５の締め付けに経験を要しない。支持部４３が金属で形成されている場合、支持部４３の内周面にネジ２５が螺合するネジ溝が形成されてもよい。この場合、ネジ２５がボス２３のネジ孔２６だけでなく支持部４３の内周面に螺合することにより支持部４３がナットとして作用し、ネジ２５の緩みをより確実に抑制することができる。

支持部４３は、第４実施形態に係る第１緩衝部４１に設けられてもよい。また、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、図１０（ａ）に示す緩衝体１１の第１緩衝部４１に支持部４３が設けられてもよい。この場合にも、緩衝体１１の過剰な圧縮を抑制しつつ、ネジ２５を十分に締め付けることができる。また、図１０（ｃ）に示す緩衝体１１の第１緩衝部４１に支持部が設けられてもよい。更に、円筒状の支持部４３の代わりに、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、第１緩衝部４１に例えば２個の四角柱状を有する支持部４４が設けられてもよい。各支持部４４は、支持部４３と同様に、第１緩衝部４１の長手方向における長さより短く形成されている。ネジ２５の頭部２５ａ全体にわたって均一に支持するために、各支持部４４は、挿通孔１２を中心とした点対称に配置されている。この場合、支持部４４の数は特に限定されないが、ネジ２５の頭部２５ａを安定して支持するために、例えば３個の支持部４４が設けられることにより、支持部４４とネジ２５の頭部２５ａとの十分な接触面積を確保することが好ましい。電子回路基板２２の厚さ、第２接続部２８の厚さ、及び導電部１４の長手方向における長さの合計に対する、支持部４４の長手方向における長さの割合、及び前記孔２９とネジ２５との間の隙間の大きさに対する支持部４４の厚さの割合は支持部４３の各割合と同じである。

・ 各実施形態において、液状高分子の代わりに、常温で固体状の樹脂を用いてゴム状弾性体１５を形成してもよい。この場合、緩衝体１１の製造の際には、前記樹脂が加熱されて固体状から液状に性状が変化した後、液状の樹脂中に磁性導電体１６が混合される。そして、冷却により樹脂が固化してゴム状弾性体１５が形成される。この構成においても緩衝体１１を容易に製造することができる。

次に、実施例及び比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
実施例１においては、以下の工程に従って図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す構成を有する緩衝体１１を得た。即ち、ゴム状弾性体１５を形成する液状高分子としてのポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴム（数平均分子量：６０,０００〜８０，０００、２０℃における粘度：１５Ｐａ・ｓ）１００質量部と、磁性導電体１６としての、直径が３０μｍである銀めっきニッケル粒子３０質量部とを混合して原料組成物を調製した。次いで、導電部１４に対応する個所に強磁性体としての鉄系合金からなるピンが設けられたアルミニウム製の金型内に原料組成物を充填した。続いて、前記ピンを用いて０．２テスラ（Ｔ）の磁束密度を有する磁場を原料組成物に５分間印加してニッケル粒子を配向させた後、原料組成物を１５０℃で２分間加熱してポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴムを架橋により硬化させて緩衝体１１を得た。緩衝体１１において、ＪＩＳ Ｋ６２５３に従って測定されるポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴムの硬度はＡ５０であった。

（実施例２）
実施例２においては、ゴム状弾性体１５を形成する前記ポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴム１００質量部と、前記銀めっきニッケル粒子４００質量部とを混合して混合物を調製した。そして、この混合物を用いたコンプレッション成形により導電部１４を形成した。次いで、緩衝体１１に対応するキャビティを有する金型内に導電部１４をインサートした後、前記ポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴムを金型内に充填した。続いて、金型内を１５０℃で２分間加熱してポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴムを架橋により硬化させて緩衝体１１を得た。

（比較例１）
比較例１においては、磁性導電体１６を省略するとともに原料組成物への磁場の印加を省略した以外は、実施例１と同様にして緩衝体を得た。そして、シリコーン系樹脂（東レ・ダウコーニング社製のＰＲＫ−３）１００質量部と、粒径が３０μｍである鱗片状の銀フィラー２００質量部とを混合して混合物を得た後、膜厚が２０μｍとなるようにスプレーコートで混合物を緩衝体の表面全体にわたって塗布して該緩衝体の表面全体に導電層を形成した。ＪＩＳ Ｋ６２５３に従って測定されるシリコーン系樹脂の硬度はＡ１５であり、緩衝体全体の硬度はＡ５０であった。

（比較例２）
比較例２においては、ポリアルキルアルケニルシロキサン系シリコーンゴム１００質量部に対するニッケル粒子の割合を４００質量部に変更するとともに、原料組成物への磁場の印加を省略した以外は、実施例１と同様にして緩衝体を得た。

そして、各例の緩衝体に関して以下の各項目の測定及び評価を行った。その結果を表１に示す。
＜圧縮変形量＞
各例の緩衝体の硬度を評価するために、各緩衝体の圧縮変形量を測定した。即ち、電子回路基板２２とボス２３との間に各例の緩衝体を配置し、１Ｎの荷重で緩衝体を圧縮した際の、圧縮方向における緩衝体の変形量を測定した。そして、圧縮前の緩衝体の厚さに対する圧縮後の緩衝体の厚さの割合を、圧縮変形量として算出した。緩衝体の厚さは、該緩衝体における電子回路基板２２に対向する表面とボス２３に対向する表面との距離のことである。
＜磁性導電体の脱落＞
各例の緩衝体を用いた、電子回路基板２２のボス２３への固定を１０回連続して行った。即ち、各緩衝体の挿通孔１２へのネジ２５の挿通を１０回連続して行った。そして、ネジ２５の挿通に起因するニッケル粒子の脱落の有無を目視により確認した。表１の“磁性導電体の脱落”欄において、“なし”はニッケル粒子の脱落が見られなかったことを示し、“あり”はニッケル粒子の脱落が見られたことを示す。

表１に示すように、各実施例の緩衝体１１は、十分に圧縮可能であることから柔軟であることが分かった。そのため、各実施例の緩衝体１１は優れた緩衝性を有していることが分かった。更に、各実施例の緩衝体１１では磁性導電体１６の脱落が見られなかったことから、脱落した磁性導電体１６に起因する電子回路の短絡、及び導電部１４の導電性の低下が起きないことが分かった。更に、各実施例の緩衝体１１では、該緩衝体１１と本体１３の周縁との間にゴム状弾性体１５が設けられていることから、電子回路基板２２においてアース回路２７の近傍に例えば電子部品を配置することができることが分かった。以上のことから、各実施例の緩衝体１１は、電子回路基板２２の筐体２１への取り付けの際に好適に使用可能である。

一方、比較例１の緩衝体においては、導電層がネジ２５と接触することから、磁性導電体１６の脱落が見られた。比較例２の緩衝体においては、磁性導電体１６がネジ２５と接触することから、磁性導電体１６の脱落が見られた。また、磁性導電体１６が緩衝体の全体にわたって分散されていることから、他の各例の磁性体に比べて磁性体の圧縮変形量が小さい値となった。

（ａ）は第１実施形態に係る緩衝体を示す斜視図、（ｂ）は緩衝体を示す断面図、（ｃ）は導電部を示す断面図。 電子回路基板のボスへの取り付けを示す斜視図。 電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。 第２実施形態に係る緩衝体を示す斜視図。 （ａ）は緩衝体のボスへの取り付けを示す断面図、（ｂ）は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。 （ａ）は第３実施形態に係る緩衝体を示す斜視図、（ｂ）は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。 （ａ）は第４実施形態に係る緩衝体を示す斜視図、（ｂ）は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。 （ａ）は緩衝体の第１の別例を示す斜視図、（ｂ）は緩衝体の第２の別例を示す要部断面図、（ｃ）は緩衝体の第３の別例を示す斜視図。 （ａ）は緩衝体の第４の別例を示す斜視図、（ｂ）は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。 （ａ）は緩衝体の第５の別例を示す斜視図、（ｂ）は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図、（ｃ）は緩衝体の第６の別例を示す斜視図、（ｄ）は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。 （ａ）及び（ｂ）は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。 （ａ）は緩衝体の第７の別例を示す斜視図、（ｂ）は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。 （ａ）は緩衝体の第８の別例を示す斜視図、（ｂ）は電子回路基板のボスへの取り付けを示す断面図。 （ａ）及び（ｂ）は緩衝体の第９の別例を示す斜視図。

符号の説明

１１…緩衝体、１２…挿通孔、１３…本体、１３ａ…緩衝突部、１４…導電部、１５…ゴム状弾性体、１７…嵌合部、１８…係止突部、２１…筐体、２２…電子回路基板、２３…ボス、２５…ネジ、２５ａ…ネジの頭部、３０…係止凹部、４１…第１緩衝部、４２…第２緩衝部、４３，４４…支持部。

Claims (8)

1. 筐体に設けられるとともに導電性を有するボスと、ネジによってボスに固定される電子回路基板との間に設けられる緩衝体であって、
   ゴム状弾性体で構成され、前記ネジが挿通される挿通孔を有する本体と、
   前記挿通孔と本体の周縁との間に設けられ、緩衝体がボスと電子回路基板との間に設けられたときには電子回路基板上の電子回路及びボスを電気的に接続する導電部とを備えることを特徴とする緩衝体。
2. 前記導電部が本体の表面から突出している請求項１に記載の緩衝体。
3. 前記挿通孔と本体の周縁との間に設けられ、該本体の表面から突出している緩衝突部を更に備える請求項１又は請求項２に記載の緩衝体。
4. 前記本体に設けられ、ボスが嵌挿される筒状を有する嵌合部を更に備える請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の緩衝体。
5. 前記嵌合部が係止突部と係止凹部との嵌合関係によって前記ボスに取り付けられる請求項４に記載の緩衝体。
6. 前記本体が前記挿通孔を有する筒状の第１緩衝部と、該第１緩衝部の少なくとも一方の端部に設けられた環状の第２緩衝部とを備え、前記導電部は第２緩衝部に設けられている請求項１又は請求項２に記載の緩衝体。
7. 前記第２緩衝部に設けられ、該第２緩衝部の表面から突出している緩衝突部を更に備える請求項６に記載の緩衝体。
8. 前記第１緩衝部に設けられ、ゴム状弾性体より高い硬度を有する材料により形成されるとともに、緩衝体がボスと電子回路基板との間に設けられたときにはネジの頭部とボスとに接触する支持部を更に備える請求項６又は請求項７に記載の緩衝体。

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