JP2009076749A - Led装置及びその製造方法 - Google Patents

Led装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009076749A
JP2009076749A JP2007245423A JP2007245423A JP2009076749A JP 2009076749 A JP2009076749 A JP 2009076749A JP 2007245423 A JP2007245423 A JP 2007245423A JP 2007245423 A JP2007245423 A JP 2007245423A JP 2009076749 A JP2009076749 A JP 2009076749A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light emitting
light
led device
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007245423A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2009076749A5 (enrdf_load_stackoverflow
Inventor
Aya Kawaoka
あや 川岡
Shintaro Hakamada
新太郎 袴田
Masato Kamiya
正人 神谷
Shigeyoshi Fushida
重義 節田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2007245423A priority Critical patent/JP2009076749A/ja
Publication of JP2009076749A publication Critical patent/JP2009076749A/ja
Publication of JP2009076749A5 publication Critical patent/JP2009076749A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
JP2007245423A 2007-09-21 2007-09-21 Led装置及びその製造方法 Pending JP2009076749A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007245423A JP2009076749A (ja) 2007-09-21 2007-09-21 Led装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007245423A JP2009076749A (ja) 2007-09-21 2007-09-21 Led装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009076749A true JP2009076749A (ja) 2009-04-09
JP2009076749A5 JP2009076749A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2009-12-17

Family

ID=40611431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007245423A Pending JP2009076749A (ja) 2007-09-21 2007-09-21 Led装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009076749A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101041068B1 (ko) * 2009-06-29 2011-06-13 주식회사 프로텍 서브 마운트 기판을 이용한 발광 다이오드 제조 방법
CN102097425A (zh) * 2009-12-09 2011-06-15 三星Led株式会社 发光二极管、制造磷光体层的方法和发光装置
CN102148139A (zh) * 2010-12-31 2011-08-10 东莞市中镓半导体科技有限公司 改进的激光准剥离消除GaN外延片残余应力的方法
JP2012044131A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 発光装置の製造方法
JP2013026590A (ja) * 2011-07-26 2013-02-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
JP2013077825A (ja) * 2012-11-26 2013-04-25 Dexerials Corp 緑色発光蛍光体粒子、色変換シート、発光装置及び画像表示装置組立体
WO2013061781A1 (ja) * 2011-10-24 2013-05-02 コニカミノルタIj株式会社 塗布組成物及び発光装置の製造方法
JP2013521652A (ja) * 2010-03-03 2013-06-10 クリー インコーポレイテッド 光学素子に光学材料を塗布するためのシステム及び方法
JP2013138209A (ja) * 2011-12-27 2013-07-11 Advanced Optoelectronic Technology Inc 発光ダイオードパッケージの製造方法
CN103367209A (zh) * 2013-07-26 2013-10-23 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种液体辅助激光剥离方法
JP2014146783A (ja) * 2013-01-29 2014-08-14 Lg Innotek Co Ltd ランプユニット
JP2015057826A (ja) * 2013-09-16 2015-03-26 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2015142011A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
KR20160099285A (ko) * 2015-02-12 2016-08-22 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2016194709A (ja) * 2016-06-23 2016-11-17 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクター
US9508904B2 (en) 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
JP2017220530A (ja) * 2016-06-06 2017-12-14 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法
JP2018107355A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JPWO2020241511A1 (enrdf_load_stackoverflow) * 2019-05-24 2020-12-03
JP2021533576A (ja) * 2018-08-17 2021-12-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 光電子部品及び光電子部品を製造するための方法
CN116096823A (zh) * 2020-08-07 2023-05-09 电化株式会社 荧光体涂料、涂膜、荧光体基板和照明装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003034508A1 (fr) * 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Dispositif d'emission de lumiere et procede de fabrication de celui-ci
JP2007123943A (ja) * 2007-02-09 2007-05-17 Sharp Corp 発光装置
JP2007238815A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Toshiba Corp 発光装置用蛍光体および発光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003034508A1 (fr) * 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Dispositif d'emission de lumiere et procede de fabrication de celui-ci
JP2007238815A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Toshiba Corp 発光装置用蛍光体および発光装置
JP2007123943A (ja) * 2007-02-09 2007-05-17 Sharp Corp 発光装置

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8940561B2 (en) 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
KR101041068B1 (ko) * 2009-06-29 2011-06-13 주식회사 프로텍 서브 마운트 기판을 이용한 발광 다이오드 제조 방법
US8558246B2 (en) 2009-12-09 2013-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode, method for fabricating phosphor layer, and lighting apparatus
CN102097425A (zh) * 2009-12-09 2011-06-15 三星Led株式会社 发光二极管、制造磷光体层的方法和发光装置
JP2013521652A (ja) * 2010-03-03 2013-06-10 クリー インコーポレイテッド 光学素子に光学材料を塗布するためのシステム及び方法
JP2012044131A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 発光装置の製造方法
CN102148139A (zh) * 2010-12-31 2011-08-10 东莞市中镓半导体科技有限公司 改进的激光准剥离消除GaN外延片残余应力的方法
US9508904B2 (en) 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
JP2013026590A (ja) * 2011-07-26 2013-02-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
JPWO2013061781A1 (ja) * 2011-10-24 2015-04-02 コニカミノルタ株式会社 塗布組成物及び発光装置の製造方法
WO2013061781A1 (ja) * 2011-10-24 2013-05-02 コニカミノルタIj株式会社 塗布組成物及び発光装置の製造方法
JP2013138209A (ja) * 2011-12-27 2013-07-11 Advanced Optoelectronic Technology Inc 発光ダイオードパッケージの製造方法
JP2013077825A (ja) * 2012-11-26 2013-04-25 Dexerials Corp 緑色発光蛍光体粒子、色変換シート、発光装置及び画像表示装置組立体
JP2014146783A (ja) * 2013-01-29 2014-08-14 Lg Innotek Co Ltd ランプユニット
CN103367209A (zh) * 2013-07-26 2013-10-23 东莞市中镓半导体科技有限公司 一种液体辅助激光剥离方法
JP2015057826A (ja) * 2013-09-16 2015-03-26 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP2015142011A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
KR20160099285A (ko) * 2015-02-12 2016-08-22 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102344533B1 (ko) 2015-02-12 2021-12-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2017220530A (ja) * 2016-06-06 2017-12-14 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法
JP2016194709A (ja) * 2016-06-23 2016-11-17 セイコーエプソン株式会社 光源装置及びプロジェクター
JP2018107355A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6998114B2 (ja) 2016-12-27 2022-02-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2021533576A (ja) * 2018-08-17 2021-12-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 光電子部品及び光電子部品を製造するための方法
US11552228B2 (en) 2018-08-17 2023-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
JPWO2020241511A1 (enrdf_load_stackoverflow) * 2019-05-24 2020-12-03
WO2020241511A1 (ja) * 2019-05-24 2020-12-03 日本精機株式会社 ヘッドアップディスプレイ、その製造方法、及び照明装置の製造方法
CN116096823A (zh) * 2020-08-07 2023-05-09 电化株式会社 荧光体涂料、涂膜、荧光体基板和照明装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009076749A (ja) Led装置及びその製造方法
CN103703100B (zh) 确定和制备红色氮化物组合物的方法
JP4451178B2 (ja) 発光デバイス
JP6134706B2 (ja) ガリウム置換イットリウムアルミニウムガーネット蛍光体及びこれを含む発光デバイス
CN100405620C (zh) 饱和型磷光体固态发射器
JP5442666B2 (ja) 発光素子
US9246065B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
Krames et al. High‐Power III‐Nitride Emitters for Solid‐State Lighting
US20100289044A1 (en) Wavelength conversion for producing white light from high power blue led
JP4932078B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US20110220929A1 (en) Warm white leds having high color rendering index values and related luminophoric mediums
US8906263B2 (en) Red nitride phosphors
US20070159067A1 (en) Light-emitting diode device generating light of multi-wavelengths
JP6782231B2 (ja) 放射スペクトルが調整可能な光源
CN103069582A (zh) 用于具有多种磷光体的选择泵浦led的系统和方法
JP2002042525A (ja) 面状光源
EP1528604A2 (en) Semiconductor light emitting devices with enhanced luminous efficiency
JP4760082B2 (ja) 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP2007042668A (ja) Led発光装置
JP5326182B2 (ja) 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP5606342B2 (ja) 発光装置
JP2011171590A (ja) 発光ダイオード
EP2918655B1 (en) Light emitting device
JP5234080B2 (ja) 発光装置、発光素子用蛍光体及びその製造方法
JP2008262952A (ja) 半導体レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091028

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111227

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120221

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120619