JP2009076595A - 電子部品の実装装置 - Google Patents

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誠一 高須
Toru Nagasawa
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Abstract

【課題】ボンディング済みの電子部品の不要加熱を防止することが可能な電子部品の実装装置を提供する。
【解決手段】電子部品Aを加熱された基材B上にボンディングする電子部品の実装装置において、前記基材Bの前記電子部品Aをボンディングする部位の下面に接触して当該基材Bを部分的に加熱する加熱部材6と、前記基材Bの前記加熱部材6にて加熱される部分の周囲を冷却する冷却手段7とを備えた。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体チップ等の電子部品を加熱された基材にボンディングする電子部品の実装装置に関する。
従来、半導体チップ等の電子部品を回路基板等の基材にボンディングする電子部品の実装装置として、発熱体を内蔵した加熱ステージを備えたものがある(例えば、特許文献1の図3参照)。
上記実装装置は、図9に示すように、加熱ステージ100と、半導体チップを真空吸着可能なコレット200と、加熱ステージ100を保持するステージホルダ300等を備えている。コレット200は、コレット200を加熱する加熱部材210と共にコレットホルダ220に保持され、半導体チップをピックアップするピックアップポジションと加熱ステージ100上のボンディングポジションとを往復移動可能に構成されている。加熱ステージ100は、ステージホルダ300に設けた移動機構によって、水平方向に移動可能となっている。
半導体チップを基材にボンディングするには、加熱ステージ100の上に基材Bを載置して予め基材Bを加熱しておき、その基材B上に半導体チップA1をコレット200で押し付ける。そして、加熱された基材Bの熱と、加熱されたコレット200の熱により、半導体チップA1の下面に付着してある接合材が加熱されて、半導体チップA1と基材Bが接着される。
特開平11−251335号公報
図9に示す加熱ステージ100は、その全体が加熱されるため、すでにボンディングが完了した半導体チップA2,A3にも、最後の半導体チップのボンディングが完了するまで加熱ステージ100の熱が伝達される。このように、ボンディング済みの半導体チップや接合材を必要以上に加熱すると、特に、半導体チップや接合材が、熱により劣化しやすい素材や酸化しやすい素材等から成る場合、それらの品質が悪化する虞がある。
さらに、近年では、半導体チップを積層させてボンディングするなど、1つの基材にボンディングする半導体チップの個数の増加に伴って、ボンディングに要する時間が長くなる傾向にある。
そこで、本発明は、上記課題に鑑みて、ボンディング済みの電子部品の不要加熱を防止することが可能な電子部品の実装装置を提供する。
請求項1の発明は、電子部品を加熱された基材上にボンディングする電子部品の実装装置において、前記基材の前記電子部品をボンディングする部位の下面に接触して当該基材を部分的に加熱する加熱部材と、前記基材の前記加熱部材にて加熱される部分の周囲を冷却する冷却手段とを備えたものである。
加熱部材によって、基材のボンディングする部位が部分的に加熱される。さらに、冷却部材によって、基材の加熱された部分の周囲が冷却されるので、基材のボンディングする部位以外の部位に熱が伝わりにくくなる。
請求項2の発明は、請求項1に記載の電子部品の実装装置において、前記冷却手段は、前記基材の下面に接触可能な環状の冷却部材を有すると共に、前記冷却部材を前記加熱部材の周囲に配設したものである。
環状の冷却部材を基材の下面に接触させることによって、加熱部材にて加熱される部分の周囲を確実に冷却することができる。
請求項3の発明は、電子部品を加熱された基材上にボンディングする電子部品の実装装置において、前記基材の前記電子部品をボンディングする部位の下方から非接触状態で当該基材を部分的に加熱する輻射加熱部材を備えたものである。
輻射加熱部材によって基材のボンディングする部位を部分的に加熱することができ、それ以外の部分の加熱を抑制することができる。
請求項4の発明は、請求項3に記載の電子部品の実装装置において、前記輻射加熱部材を、前記基材の下面に熱光線を照射するように構成したものである。
輻射加熱部材から基材の下面に熱光線を照射することによって、基材を部分的に加熱することができる。
請求項5の発明は、請求個4に記載の電子部品の実装装置において、前記基材の下面を、板状の支持部材で支持すると共に、前記支持部材を、前記熱光線を透過可能な素材で構成したものである。
基材が低剛性の素材で構成されている場合であっても、板状の支持部材で基材を安定して支持することができる。また、支持部材が熱光線を透過可能な素材で構成されているので、輻射加熱部材から発した熱光線は、支持部材を透過して基材に達することができる。
請求項6の発明は、請求項3から5のいずれか1項に記載の電子部品の実装装置において、前記基材の前記輻射加熱部材にて加熱される部分の周囲を冷却する冷却手段を備えたものである。
冷却部材によって、基材の加熱された部分の周囲が冷却されるので、基材のボンディングする部位以外の部位に熱が伝わりにくくなる。
本発明の電子部品の実装装置によれば、基材のボンディングする部位以外の部位に熱が伝わりにくくなるので、ボンディング済みの電子部品等が不必要に加熱されるのを防止することができる。これにより、熱による電子部品等の劣化を回避して、高品質の製品を提供することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態を添付の図面を参照して説明する。
図1は、本発明の第1実施形態を示す電子部品の実装装置の断面図である。この実施形態の電子部品の実装装置は、コレットホルダ1に保持されたコレット2及びコレットヒータ3と、回路基板等の基材Bを載置可能な支持部材4と、保持部材5に保持された加熱部材6及び冷却部材7等を備えている。
コレット2は、耐熱ゴム等の弾性材で構成され、その下面には電子部品としての半導体チップAを真空吸着するための吸引口(図示省略)が形成されている。コレットホルダ1は、図示しない移動機構によって、半導体チップAをピックアップするピックアップポジションと、その半導体チップAを基材Bにボンディングするボンディングポジションとの間を往復移動可能に構成されている。
支持部材4は、水平状に配置された環状の部材であり、基材Bの周縁部を支持する。この支持部材4は、上記移動機構とは別の移動機構によって水平方向に移動可能に構成されている。
加熱部材6と冷却部材7を保持する保持部材5は、基材Bの載置位置の下方に配設され、図示しない昇降機構によって昇降可能に構成されている。加熱部材6は、通電することによって発熱する発熱体を内部に有するものであり、保持部材5の上端に付設されている。また、冷却部材7は、内部に冷却媒体を通過させる流路を形成した環状の部材であり、加熱部材6を包囲するように保持部材5の上端に付設されている。加熱部材6と冷却部材7の各上端面は、略同一面上に配置されている。また、加熱部材6と保持部材5に、それぞれ連続して孔部6a,5aが形成され、保持部材5に形成された孔部5aに基材Bの温度を測定するための非接触式の温度計8が挿入されている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図2は、本発明の第2実施形態を示す電子部品の実装装置の断面図である。図2に示すように、この実施形態の実装装置は、基材Bを支持する支持部材として、板状のステージ9を備えている。このステージ9によって基材Bの下面全体を支持するように構成されており、特に低剛性の素材で構成された基材Bを支持するのに好ましい構造となっている。また、ステージ9は、水平方向に移動可能な環状のステージホルダ10によって保持されている。
ステージ9の下方には、輻射加熱部材11が配設されている。輻射加熱部材11は、所定の位置に固定された保持部材5の上端に付設され、上方へ向かって熱光線を照射可能に構成されている。この実施形態では、輻射加熱部材11として、赤外線を照射可能な赤外線ランプヒータを採用している。そして、上記ステージ9は、輻射加熱部材11から照射される赤外線を透過可能な石英ガラスで構成されている。また、輻射加熱部材11が照射する熱光線として、赤外線以外の熱光線を適用可能であり、その場合、ステージ9は採用した熱光線を透過可能な素材で構成すればよい。
なお、第2実施形態の実装装置も、コレット2、コレットホルダ1及びコレットヒータ3を備えているが、これらの構成は、上記第1実施形態の構成と同様であるので説明を省略する。
以下、上述の実装装置を使用して半導体チップを基材にボンディングする実装方法について説明する。
まず、図3〜図5を参照して、第1実施形態の実装装置による実装方法について説明する。図3に示すように、基材Bを載置した支持部材4を水平方向に移動させて、基材Bの半導体チップをボンディングする部位(以下、ボンディング部位という)を、加熱部材6の上方に配置する。このとき、加熱部材6及び冷却部材7は、基材Bから下方に離れた位置に待機した状態にある。
図4に示すように、保持部材5を上昇させて、基材Bの下面に加熱部材6と冷却部材7を接触させる。加熱部材6が基材Bに接触することにより、基材Bのボンディング部位が加熱される。一方、冷却部材7が基材Bに接触することにより、基材Bの加熱部材6によって加熱される部分の周囲が冷却される。また、コレット2はピックアップポジションで半導体チップAを吸着保持し、基材Bの上方のボンディングポジションへ搬送する。
そして、図5に示すように、コレット2を降下させて、半導体チップAを基材Bの加熱された部分(ボンディング部位)へ押し付ける。半導体チップAの下面に付着してある接合材(図示省略)に、基材Bの熱とコレットヒータ3からの熱が伝達されて半導体チップAと基材Bが接着される。
このように、1個の半導体チップのボンディングを終えると、コレット2は次の半導体チップをピックアップするために移動する。また、加熱部材6及び冷却部材7は、基材Bから下方へ離れて待機位置へ移動する。以後、同様に半導体チップのボンディングを行う。
本発明の第1実施形態の実装装置によれば、加熱部材6によって、基材Bのボンディング部位を加熱することができる。さらに、冷却部材7によって、ボンディング部位の周囲を冷却するので、ボンディング部位以外の部位に熱が伝わりにくくなる。これにより、ボンディング済みの半導体チップや接合材を、不必要に加熱することを防止し、それらの熱による劣化を回避することができる。
次に、図6〜図8を参照して、第2実施形態の実装装置による実装方法について説明する。図6に示すように、基材Bを載置したステージ9を水平方向に移動させて、基材Bのボンディング部位を、輻射加熱部材11の上方に配置する。
図7に示すように、輻射加熱部材11から赤外線を上方へ向かって照射する。この赤外線が、ステージ9を透過して基材Bの下面に照射されることにより、基材Bのボンディング部位が加熱される。また、コレット2はピックアップポジションで半導体チップAを吸着保持し、基材Bの上方のボンディングポジションへ搬送する。
そして、図8に示すように、コレット2を降下させて、半導体チップAを基材Bの加熱された部分(ボンディング部位)へ押し付ける。半導体チップAの下面に付着してある接合材(図示省略)に、基材Bの熱とコレットヒータ3からの熱が伝達されて半導体チップAと基材Bが接着される。
本発明の第2実施形態の実装装置によれば、基材Bのボンディング部位(及びその近傍)を加熱することができ、それ以外の部分の加熱を抑制することができる。これにより、ボンディング済みの半導体チップや接合材を、不必要に加熱することを防止し、それらの熱による劣化を回避することができる。
また、第2実施形態の構成に、第1実施形態の冷却部材7を組み合わせてもよく、このようにすれば、ボンディング済みの半導体チップ等の不要加熱を一層効果的に防止することが可能である。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更を加え得ることは勿論である。上述の実施形態では、基材に半導体チップをボンディングする場合を例に挙げて説明したが、本発明の構成は、半導体チップ以外の電子部品をボンディングする実装装置にも適用可能である。また、上記加熱部材6、冷却部材7及び輻射加熱部材11についても、上述の実施形態以外のものを適用可能である。
本発明の第1実施形態を示す電子部品の実装装置の断面図である。 本発明の第2実施形態を示す電子部品の実装装置の断面図である。 前記第1実施形態の動作を説明する断面図である。 前記第1実施形態の動作を説明する断面図である。 前記第1実施形態の動作を説明する断面図である。 前記第2実施形態の動作を説明する断面図である。 前記第2実施形態の動作を説明する断面図である。 前記第2実施形態の動作を説明する断面図である。 従来の電子部品の実装装置の断面図である。
符号の説明
2 コレット
4 支持部材
6 加熱部材
7 冷却部材
9 ステージ(支持部材)
11 輻射加熱部材
A 半導体チップ(電子部品)
B 基材

Claims (6)

  1. 電子部品を加熱された基材上にボンディングする電子部品の実装装置において、
    前記基材の前記電子部品をボンディングする部位の下面に接触して当該基材を部分的に加熱する加熱部材と、前記基材の前記加熱部材にて加熱される部分の周囲を冷却する冷却手段とを備えたことを特徴とする電子部品の実装装置。
  2. 前記冷却手段は、前記基材の下面に接触可能な環状の冷却部材を有すると共に、前記冷却部材を前記加熱部材の周囲に配設したことを特徴とする請求項1に記載の電子部品の実装装置。
  3. 電子部品を加熱された基材上にボンディングする電子部品の実装装置において、
    前記基材の前記電子部品をボンディングする部位の下方から非接触状態で当該基材を部分的に加熱する輻射加熱部材を備えたことを特徴とする電子部品の実装装置。
  4. 前記輻射加熱部材を、前記基材の下面に熱光線を照射するように構成したことを特徴とする請求項3に記載の電子部品の実装装置。
  5. 前記基材の下面を、板状の支持部材で支持すると共に、前記支持部材を、前記熱光線を透過可能な素材で構成したことを特徴とする請求項4に記載の電子部品の実装装置。
  6. 前記基材の前記輻射加熱部材にて加熱される部分の周囲を冷却する冷却手段を備えたことを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の電子部品の実装装置。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53144671A (en) * 1977-05-23 1978-12-16 Nec Corp Production of semiconductor device
JPH02284437A (ja) * 1989-04-26 1990-11-21 Hitachi Ltd ボンディング装置
JPH05291351A (ja) * 1992-04-13 1993-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JPH0737911A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子のダイボンド装置、及びダイボンド方法
JP2001511603A (ja) * 1997-07-23 2001-08-14 インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト チップ基板接合部を形成する装置および方法
JP2003142506A (ja) * 2001-11-01 2003-05-16 Nec Corp 半導体接合装置
JP2004290993A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Juki Corp 部品装着装置
JP2004349605A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53144671A (en) * 1977-05-23 1978-12-16 Nec Corp Production of semiconductor device
JPH02284437A (ja) * 1989-04-26 1990-11-21 Hitachi Ltd ボンディング装置
JPH05291351A (ja) * 1992-04-13 1993-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JPH0737911A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子のダイボンド装置、及びダイボンド方法
JP2001511603A (ja) * 1997-07-23 2001-08-14 インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト チップ基板接合部を形成する装置および方法
JP2003142506A (ja) * 2001-11-01 2003-05-16 Nec Corp 半導体接合装置
JP2004290993A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Juki Corp 部品装着装置
JP2004349605A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法

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