JPH0737911A - 半導体素子のダイボンド装置、及びダイボンド方法 - Google Patents

半導体素子のダイボンド装置、及びダイボンド方法

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JPH0737911A
JPH0737911A JP5177777A JP17777793A JPH0737911A JP H0737911 A JPH0737911 A JP H0737911A JP 5177777 A JP5177777 A JP 5177777A JP 17777793 A JP17777793 A JP 17777793A JP H0737911 A JPH0737911 A JP H0737911A
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submount
semiconductor element
solder material
die
laser light
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Akisuke Yamamoto
陽祐 山本
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Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 サブマウント上に、半田材を用いて半導体素
子をダイボンドする場合、上記半導体素子を２００℃〜
４００℃の高温に長時間さらすことなくダイボンドでき
る半導体素子のダイボンド装置、及びダイボンド方法を
得る。 【構成】 ＹＡＧレーザ６を光源とする波長１．０６μ
ｍのレーザ光４を、Ｓｉサブマウント３の下面から該Ｓ
ｉサブマウント３に照射し、該Ｓｉサブマウント３を透
過したレーザ光４を、上記Ｓｉサブマウント３と光半導
体素子１の間に置かれた半田材２に照射し、該半田材２
を加熱，溶融させ、上記光半導体素子１と上記Ｓｉサブ
マウント３とを接着する。 【効果】 半導体素子を高温に長時間さらすことなく、
また、上記半導体素子の特性を検査しながらダイボンド
を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は加熱，溶融させた半田
材により、半導体素子をＳｉ等のサブマウントに接着さ
せるダイボンド装置、及びダイボンド方法に関し、特に
レーザ光により半田材を加熱，溶融させる半導体素子の
ダイボンド装置、及びダイボンド方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図７は、例えば特公昭６２−３０３９４
号公報に記載されたダイボンド装置を用いた従来の半導
体素子のダイボンド方法を示す概略図であり、図７にお
いて、１は３００μｍ×３００μｍ、厚さ１００μｍ程
度の光半導体素子，１ａは光半導体素子１の活性層，１
２は光半導体素子１の表面電極（Ａｕ／ＡｕＧｅ／Ｎｉ
Ａｕ）であり、厚さ０．３〜０．５μｍである。１３は
光半導体素子１の裏面電極（ＴｉＡｕ）であり、厚さ
０．３〜０．５μｍである。２は厚さ０．５〜１μｍの
Ａｕ／ＳｎもしくはＡｕ／Ｓｉの半田材である。３は厚
さ３００μｍ〜５００μｍのＳｉサブマウントであり、
その上面に光半導体素子１を半田材２を介して載せてい
る。２０はヒートブロックであり、その上面に光半導体
素子１を半田材２を介して載せたＳｉサブマウント３を
載せている。２１はヒートブロック２０が有するヒータ
であり、半田材２が溶ける温度までヒートブロック２０
を加熱する。
【０００３】また、図８(a) は上記光半導体素子１の一
例を示す構造断面図であり、これはJOURNAL OF LIGHTWA
VE TECHNOLOGY,VOL.LT-3,NO.5,OCTOBER 1985 (IEEE) P.
978に掲載されたＰＢＣレーザである。図８(a) におい
て、１０１はｐ−ＩｎＰ基板，１０２は４つのＩｎＰ層
からなるｐ−ｎ−ｐ−ｎ電流ブロック層，１０３はｎ−
ＩｎＧａＡｓＰ層，１０４はＳｉＯ2 絶縁膜，１０５は
ｎ型電極，１０６はｐ型電極，１０７はｐ−ＩｎＰ層で
ある。そして、上記ＰＢＣレーザのような光半導体素子
１を、Ｓｉサブマウント３の上に半田材２を介して載
せ、該半田材２を加熱溶融し、上記Ｓｉサブマウント３
に接着するものであり、この平面図を図８(b) に示し
た。
【０００４】次に、従来のダイボンド方法の手順につい
て説明する。まず、Ｓｉサブマウント３上に半田材２を
おき、該半田材２の上に光半導体素子１を、テレビカメ
ラ等でその位置を制御しながら載せる。そして、この半
田材２を介して上記光半導体素子１を載せているＳｉサ
ブマウント３を、あらかじめヒータ２１により上記半田
材２が溶ける温度である２００℃〜４００℃に加熱され
ているヒートブロック２０上にのせ、数秒〜１０秒弱の
時間をかけて上記半田材２の温度を上昇させ、溶融させ
る。この半田材２を溶融させる温度は、上記半田材２の
材料およびその重量比により違い、Ａｕ／Ｓｎを用いた
場合、図１０(a) に示すようにその重量比がＡｕ／Ｓｎ
＝８０／２０％であれば、３００℃前後で溶融し、ま
た、Ａｕ／Ｓｉを用いた場合、図１０(b) に示すよう
に、その重量比がＡｕ／Ｓｉ＝９４／３０％であれば、
４００℃前後で溶融する。
【０００５】次に、上記半田材２の加熱を止め、温度を
下げると、該半田材２が固まり、上記光半導体素子１と
上記Ｓｉサブマウント３とを接着する。最後に、図９
(a) に示すように、上記Ｓｉサブマウント３に接着した
光半導体素子１を駆動させ、その活性層１ａから出射す
る被試験レーザ光３０を受ける受光素子３１ｂと、該受
光素子３１ｂで受けた被試験レーザ光３０を伝送するケ
ーブル３１ａとを有する位置検出装置３１を用いて、そ
の素子特性の検査を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体素子のダ
イボンド装置、及びダイボンド方法は以上のように構成
されており、あらかじめ２００℃〜４００℃にヒートブ
ロック２０を加熱しておき、その上に半田材２を介して
光半導体素子１を載せている上記Ｓｉサブマウント３を
置くようにしているため、上記光半導体素子１も加熱さ
れ、ダイボンド時において上記光半導体素子１が変形、
あるいはその素子特性が劣化する等の問題があり、ま
た、位置検出装置３１を用いて素子特性の検査を行いな
がらダイボンドする場合、上記受光素子３１ｂが高熱に
より破壊されるため、図９(b) に示すように、光ファイ
バ３３を用いて上記ヒートブロック２０から該受光素子
３１ｂを遠く離し、被試験レーザ光３０を上記光ファイ
バ３３で受けるようにする必要があり、検査用の装置が
複雑になる等の問題があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体素子を２００℃〜４００
℃の高温に長時間さらすことなく、また、その素子特性
の確認を行いながら半導体素子をＳｉ等のサブマウント
上に接着することのできる半導体素子のダイボンド装
置、及びダイボンド方法を得ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体素
子のダイボンド装置は、サブマウントを透過する波長の
レーザ光を出射するレーザ光源と、該レーザ光源から出
射したレーザ光を所定位置まで導き、上記サブマウント
の所要位置に照射する手段とを備えたものである。
【０００９】また、この発明に係る半導体素子のダイボ
ンド装置は、半導体素子を透過する波長のレーザ光を出
射するレーザ光源と、該レーザ光源から出射したレーザ
光を所定位置まで導き、上記半導体素子の所要位置に照
射する手段とを備えたものである。
【００１０】この発明に係る半導体素子のダイボンド方
法は、サブマウント上に半田材を、該半田材上に半導体
素子を載せ、上記サブマウントを透過する波長のレーザ
光を、上記サブマウントの下面側から上記半田材に向け
て照射して、上記サブマウントを透過したレーザ光によ
り上記半田材を加熱，溶融させ、上記半導体素子を上記
サブマウントに接着するようにしたものである。
【００１１】また、この発明に係る半導体素子のダイボ
ンド方法は、サブマウントの下面に金属膜を形成した
後、該サブマウント上に半田材を、該半田材上に半導体
素子を載せ、上記サブマウントを透過する波長のレーザ
光を、上記サブマウントに対し所定の角度をもって上記
サブマウントの上面側斜め上方から上記金属膜に向けて
照射して、上記サブマウントを透過し上記金属膜で反射
された該レーザ光により上記半田材を加熱，溶融させ、
上記半導体素子を上記サブマウントに接着するようにし
たものである。
【００１２】また、この発明に係る半導体素子のダイボ
ンド方法は、上記サブマウントがＳｉサブマウントであ
り、上記レーザ光を波長１μｍのものとしたものであ
る。また、この発明に係る半導体素子のダイボンド方法
は、上記サブマウントがＳｉサブマウントであり、上記
Ｓｉサブマウントの下面側から上記半田材に向けて照射
し上記Ｓｉサブマウントを透過させるレーザ光を波長１
〜１．６μｍのものとし、上記Ｓｉサブマウントの上面
の所定位置に所定の面積を有するＩｎＧａＡｓ層を形成
した後、該ＩｎＧａＡｓ層上に上記半田材を、該半田材
上に上記半導体素子を載せるようにし、上記Ｓｉサブマ
ウントを透過した波長１〜１．６μｍのレーザ光を上記
ＩｎＧａＡｓ層に吸収させ、該ＩｎＧａＡｓ層を発熱さ
せて上記半田材を加熱，溶融させるようにしたものであ
る。
【００１３】また、この発明に係る半導体素子のダイボ
ンド方法は、上記サブマウントがＳｉサブマウントであ
り、その下面に金属膜を形成された上記Ｓｉサブマウン
トに対し所定の角度をもって照射し上記Ｓｉサブマウン
トを透過させるレーザ光を波長１〜１．６μｍのものと
し、上記Ｓｉサブマウントの上面の所定位置に所定の面
積を有するＩｎＧａＡｓ層を形成した後、該ＩｎＧａＡ
ｓ層上に上記半田材を、該半田材上に上記半導体素子を
載せるようにし、上記Ｓｉサブマウントを透過した波長
１〜１．６μｍのレーザ光を上記ＩｎＧａＡｓ層に吸収
させ、該ＩｎＧａＡｓ層を発熱させて上記半田材を加
熱，溶融させるようにしたものである。
【００１４】また、この発明に係る半導体素子のダイボ
ンド方法は、上記半導体素子が大面積を有する，複数の
活性層を備えたバー状のアレイレーザであり、上記アレ
イレーザに対応する面積を有するサブマウントに照射す
るレーザ光を、複数のレーザ光を所要の間隔をあけて照
射するようにしたものである。
【００１５】また、この発明に係る半導体素子のダイボ
ンド方法は、上記半導体素子が大面積を有する，複数の
活性層を備えたバー状のアレイレーザであり、上記アレ
イレーザに対応する面積を有するサブマウントに照射す
るレーザ光を、可動する光ファイバを用いて上記サブマ
ウントの表面上を走査して照射するようにしたものであ
る。
【００１６】この発明に係る半導体素子のダイボンド方
法は、半導体素子の表面電極に開口部を設け、サブマウ
ント上に半田材を、該半田材上に上記半導体素子を載
せ、該半導体素子を透過する波長のレーザ光を、上記半
導体素子の表面電極の開口部の上方から上記半田材に向
けて照射して、上記半導体素子を透過したレーザ光によ
り該半導体素子の裏面電極を加熱して上記半田材を加
熱，溶融させ、上記半導体素子を上記サブマウントに接
着するようにしたものである。
【００１７】また、この発明に係る半導体素子のダイボ
ンド方法は、上記半導体素子がＳｉ系光半導体素子であ
り、上記Ｓｉ系光半導体素子に照射するレーザ光を、波
長１μｍ以上のものとしたものである。
【００１８】また、この発明に係る半導体素子のダイボ
ンド方法は、上記半導体素子がＧａＡｓ系光半導体素子
であり、上記ＧａＡｓ系光半導体素子に照射するレーザ
光を、波長０．８８μｍ以上のものとしたものである。
【００１９】また、この発明に係る半導体素子のダイボ
ンド方法は、上記半導体素子がＩｎＰ系光半導体素子で
あり、上記ＩｎＰ系光半導体素子に照射するレーザ光
を、波長０．９μｍ以上のものとしたものである。
【００２０】
【作用】この発明においては、半導体素子を半田材によ
りサブマウントに接着するダイボンド装置において、サ
ブマウントを透過する波長のレーザ光を出射するレーザ
光源と、該レーザ光源から出射したレーザ光を所定の位
置に導いて上記サブマウントに照射する手段とを備えた
から、上記レーザ光を、上記サブマウントを透過させて
上記半田材に照射することとなり、これにより上記サブ
マウントを加熱することなく短時間で上記半田材を加
熱，溶融することができる。
【００２１】また、この発明においては、半導体素子を
半田材によりサブマウントに接着するダイボンド装置に
おいて、半導体素子を透過する波長のレーザ光を出射す
るレーザ光源と、該レーザ光源から出射したレーザ光を
所定の位置に導いて上記半導体素子に照射する手段とを
備えたから、上記レーザ光を、上記半導体素子を透過さ
せて該半導体素子の裏面電極に照射することとなり、こ
れにより上記サブマウントを加熱することなく短時間で
上記半田材を加熱，溶融することができる。
【００２２】この発明においては、半導体素子をサブマ
ウントに接着するダイボンド方法において、上記サブマ
ウント上に半田材を、該半田材上に上記半導体素子を載
せ、上記サブマウントを透過する波長のレーザ光を、上
記サブマウントの下面側から上記半田材に向けて照射し
て、上記サブマウントを透過したレーザ光により上記半
田材を加熱，溶融させ、上記半導体素子を上記サブマウ
ントに接着するようにしたから、素子特性の確認を行い
ながら、短時間でダイボンドを行うこととなり、これに
よりダイボンディング中に上記半導体素子が高温に長時
間さらされることによる、該半導体素子の変形あるいは
素子特性の劣化を防ぐことができる。
【００２３】また、この発明においては、半導体素子を
サブマウントに接着するダイボンド方法において、上記
サブマウントの下面に金属膜を形成した後、該サブマウ
ント上に半田材を、該半田材上に上記半導体素子を載
せ、上記サブマウントを透過する波長のレーザ光を、上
記サブマウントに対し所定の角度をもって上記サブマウ
ントの上面側斜め上方から上記金属膜に向けて照射し
て、上記サブマウントを透過し上記金属膜で反射された
該レーザ光により上記半田材を加熱，溶融させ、上記半
導体素子を上記サブマウントに接着するようにしたか
ら、レーザ光を透過しない試料台の上でも、素子特性の
確認を行いながら短時間でダイボンドを行うこととな
り、これによりダイボンディング中に上記半導体素子が
高温に長時間さらされることによる、該半導体素子の変
形あるいは素子特性の劣化を防ぐことができる。
【００２４】また、この発明においては、半導体素子を
サブマウントに接着するダイボンド方法において、上記
半導体素子の表面電極に開口部を設け、上記サブマウン
ト上に半田材を、該半田材上に上記半導体素子を載せ、
上記半導体素子を透過する波長のレーザ光を、上記半導
体素子の表面電極の開口部の上方から上記半田材に向け
て照射して、上記半導体素子を透過したレーザ光により
該半導体素子の裏面電極を加熱して上記半田材を加熱，
溶融させ、上記半導体素子を上記サブマウントに接着す
るようにしたから、上記サブマウントにレーザ光を透過
しないものを用いた場合でも、素子特性の確認を行いな
がら短時間でダイボンドを行うこととなり、これにより
ダイボンディング中に上記半導体素子が高温に長時間さ
らされることによる、該半導体素子の変形あるいは素子
特性の劣化を防ぐことができる。
【００２５】
【実施例】実施例１．以下、この発明の第１の実施例を
図について説明する。図１は、本実施例１による半導体
素子のダイボンド装置、およびダイボンド方法を示す概
略図である。図１において、１はその面積が３００μｍ
×３００μｍ、厚さ１００μｍ程度の光半導体素子であ
り、例えば従来例と同じく、図８(a) に示したような構
造を有するＰＢＣレーザである。１ａは光半導体素子１
の活性層，１２は光半導体素子１の表面電極（Ａｕ／Ａ
ｕＧｅ／ＮｉＡｕ）であり、厚さ０．３〜０．５μｍ，
１３は光半導体素子１の裏面電極（ＴｉＡｕ）であり、
厚さ０．３〜０．５μｍ，２はＡｕ／Ｓｎの半田材であ
り、その重量比はＡｕ／Ｓｎ＝８０／２０％、面積は３
００μｍ×３００μｍ、厚さは０．５〜１μｍである。
３は厚さ３００μｍ〜５００μｍのＳｉサブマウントで
あり、その上面に光半導体素子１を半田材２を介して載
せている。そして、６は発振波長１．０６μｍのＹＡＧ
レーザ光源，４はＹＡＧレーザ光源６から出力された波
長１．０６μｍのレーザ光，５は光ファイバであり、レ
ーザ光４をＳｉサブマウント３の下面に導いている。ま
た、５０ａはその上で光半導体素子１とＳｉサブマウン
ト３とのダイボンドを行うガラス製試料台である。
【００２６】また、図２(a) ，(b) は、上記光半導体素
子１の素子特性の検査方法を説明するための図であり、
図２(a) において、３２はサブマウント３上の光半導体
素子１を固定するニードル，３０は光半導体素子１を駆
動させたときに、該光半導体素子１から出射する被試験
レーザ光，３１は位置検出装置であり、被試験レーザ光
３０を受光する受光素子３１ｂと、該受光素子３１ｂか
ら位置検出装置３１へ被試験レーザ光３０を送るケーブ
ル３１ａとを有する。また、図２(b) において、３３は
被試験レーザ光３０を受光し、該被試験レーザ光３０を
遠方にある受光素子３１ｂに送る光ファイバである。
【００２７】次に、本実施例１によるダイボンド装置の
動作、およびダイボンド方法の手順について説明する。
まず、従来例と同じく、図８(b) の平面図に示したよう
に、テレビカメラ等でその位置を制御しながら、Ｓｉサ
ブマウント３上に半田材２をおき、該半田材２の上に光
半導体素子１を載せる。
【００２８】次に、上記光半導体素子１を載せたＳｉサ
ブマウント３を、ガラス製試料台５０ａ上に置き、ＹＡ
Ｇレーザ光源６から出力し、光ファイバ５を通って出射
された１．０６μｍのレーザ光４を、上記Ｓｉサブマウ
ント３の下面に、上記ガラス製の試料台５０ａを透過さ
せて照射すると、この波長１．０６μｍのレーザ光４は
上記Ｓｉサブマウント３をも透過するため、その上面に
ある上記半田材２に照射される。
【００２９】そして、上記レーザ光４を照射された半田
材２は、０．５〜１秒でその温度が２８０℃を越え、そ
の重量比がＡｕ／Ｓｎ＝８０／２０％であるため、溶融
する。この重量比と融解温度との関係を図１０(a) に示
した。また、ここでこの半田材２にＡｕ／Ｓｉを用いて
も、やはり１秒以下でその温度が４００℃近くに達する
ため、その重量比が９４／６％である場合、Ａｕ／Ｓｉ
の重量比と融解温度との関係を示した図１０(b) でわか
るように、３７０℃に達した時点で溶融する。
【００３０】さらに、図２(a) もしくは図２(b) に示す
ように、上記半田材２が溶融している状態において、上
記Ｓｉサブマウント３上の光半導体素子１に電圧を印加
して該光半導体素子１を駆動させ、位置検出装置３１を
用いて上記光半導体素子１から出射される被試験レーザ
光３０の出射角を制御しながら、所定の上記被試験レー
ザ光３０の出射角が得られるよう、上記光半導体素子１
の位置決めを行う。そして、該所定の出射角が得られた
ら上記レーザ光４の半田材２への照射を止める。する
と、溶融していた半田材２は、その温度が下降して固ま
り、上記光半導体素子１と上記Ｓｉサブマウント３とを
固着させる。
【００３１】なお、上記レーザ光４をＳｉサブマウント
３の下面に導くために用いた光ファイバ５の直径は１ｍ
ｍ程度であり、その出射光４は、上記半田材２の面積３
００μｍ×３００μｍを完全にカバーするため、上記Ｓ
ｉサブマウント３に対する入射角等の位置を厳密に決め
る必要はなく、また、上記半田材２をカバーしきれない
ような直径の光ファイバ５を用いた場合には、レンズを
用いて出射光４を拡大するようにすれば良い。
【００３２】ここで従来、例えば特開平４−１０３１４
２号においては、ガラス板パッケージおよび半導体装置
において、ガラス板上に載せたパッケージベースと半導
体ペレットとを、その間に設けたバンプ電極にガラス板
の下面からレーザ光を照射することにより、該バンプ電
極を加熱，溶融し、ボンディングを行うことが記載され
ている。しかるに、ガラスは誘電率が高く、このガラス
をサブマウントの材料に用いると、該ガラスサブマウン
ト上の光半導体素子１の高周波特性を変化させてしまう
こととなるため、一般的には、ガラスを、光半導体素子
１のサブマウントの材料に用いるようなことはしないも
のであり、本実施例１では、サブマウントの材料にシリ
コンを用いるようにしたものである。
【００３３】このように本実施例１においては、上記Ｓ
ｉサブマウント３を透過する波長１．０６μｍのレーザ
光４を、上記Ｓｉサブマウント３の下面側から上記半田
材２に向けて照射し、上記Ｓｉサブマウント３を透過し
たレーザ光４により、上記半田材２を加熱，溶融させて
上記光半導体素子１を上記Ｓｉサブマウント３に接着す
るようにしたので、短時間でダイボンドを行うことがで
き、ダイボンディング中に上記光半導体素子１が、高温
に長時間さらされることによる素子の変形あるいは素子
特性の劣化を防ぐことができ、またさらに、素子特性の
確認を行いながらダイボンドを行うことができる効果が
ある。
【００３４】実施例２．以下、この発明の第２の実施例
を図について説明する。図３は、本実施例２による半導
体素子のダイボンド装置、およびダイボンド方法を示す
概略図である。図３において、上記実施例１における図
１と同一符号は同一又は相当部分を示し、５０ｂはその
上でダイボンドを行う試料台，１０はＳｉサブマウント
３の裏面に形成したＣｒあるいはＡｕの金属膜であり、
厚さは１〜２μｍである。
【００３５】次に、本実施例２によるダイボンド装置の
動作、およびダイボンド方法の手順について説明する。
まず、上記実施例１と同じく、テレビカメラ等でその位
置を制御しながら、その裏面に金属膜１０を形成された
Ｓｉサブマウント３上に半田材２をおき、該半田材２の
上に光半導体素子１を載せる。
【００３６】次に、上記光半導体素子１を載せたＳｉサ
ブマウント３を、試料台５０ｂ上に置き、ＹＡＧレーザ
光源６から出力し、光ファイバ５を通って出射された
１．０６μｍのレーザ光４を、上記Ｓｉサブマウント３
の上面斜め上方から、該Ｓｉサブマウント３に対する所
定の角度をもって、上記Ｓｉサブマウント３に入射させ
る。すると、上記レーザ光４は、その波長が１．０６μ
ｍであるため、上記Ｓｉサブマウント３を透過して進
み、該Ｓｉサブマウント３の裏面に形成された上記金属
膜１０に到達し、該金属膜１０で反射され、再び上記Ｓ
ｉサブマウント３を透過して進み、該Ｓｉサブマウント
３の上面にある上記半田材２に照射される。
【００３７】そして、上記実施例１と同じく、上記レー
ザ光４を照射された半田材２は、加熱され、０．５〜１
秒で溶融し、この半田材２が溶融している状態におい
て、上記Ｓｉサブマウント３上の光半導体素子１に電圧
を印加し、該光半導体素子１を駆動させ、位置検出装置
３１を用いて上記光半導体素子１から出射されている被
試験レーザ光３０の出射角を制御しながら、上記光半導
体素子１の位置決めを行い、所定の上記被試験レーザ光
３０の出射角が得られたときに、上記レーザ光４の半田
材２への照射を止め、溶融していた半田材２をその温度
を下げることにより固まらせ、上記光半導体素子１と上
記Ｓｉサブマウント３とを固着させる。
【００３８】本実施例２においては、上述のような構成
としたから、上記試料台５０ｂが、上記レーザ光４を透
過させないようなものであっても、上記Ｓｉサブマウン
ト３を透過する波長１．０６μｍのレーザ光４により、
短時間で上記半田材２を加熱，溶融させ、上記光半導体
素子１と上記Ｓｉサブマウント３とを接着することがで
き、ダイボンディング中に上記光半導体素子１が、高温
に長時間さらされることによる素子の変形あるいは素子
特性の劣化を防ぎ、素子特性の確認を行いながらダイボ
ンドを行うことができる効果がある。
【００３９】なお、上記Ｓｉサブマウント３の裏面に形
成された上記金属膜１０は、ダイボンドを行った後、上
記Ｓｉサブマウント３の下面にヒートシンク等を取り付
ける作業において、この取り付け作業のハンドリングを
良くする効果がある。
【００４０】実施例３．以下、この発明の第３の実施例
を図について説明する。図４(a) ，(b) は、本実施例３
による半導体素子のダイボンド装置、およびダイボンド
方法を示す概略図である。図４(a) ，(b) において、上
記実施例１における図１、あるいは上記実施例２におけ
る図２と同一符号は同一又は相当部分を示し、１１は波
長１．０６μｍのレーザ光４を１００％吸収するＩｎＧ
ａＡｓ層であり、その厚さは０．５μｍ程度であり、光
半導体素子１と同じ面積を有するものである。そして、
このＩｎＧａＡｓ層１１は、Ｓｉサブマウント３の上面
の所定位置に形成されており、該ＩｎＧａＡｓ層１１の
上に、半田材２を介して、光半導体素子１を載せている
ものである。
【００４１】次に、本実施例３によるダイボンド装置の
動作、およびダイボンド方法の手順について説明する。
上記実施例１では、Ｓｉサブマウント３を透過したレー
ザ光４を、半田材２に照射し、該半田材２を加熱，溶融
させていたが、本実施例３では、Ｓｉサブマウント３の
上面の所定位置に形成したＩｎＧａＡｓ層１１に、上記
Ｓｉサブマウント３を透過したレーザ光４を照射し、該
ＩｎＧａＡｓ層１１を発熱させることにより、その上に
ある半田材２を加熱，溶融するようにした。
【００４２】即ち、図４(a) に示すように、上記実施例
１と同じようにして、上記Ｓｉサブマウント３を透過し
たレーザ光４を照射された上記ＩｎＧａＡｓ層１１は、
波長１．６３μｍより短い波長の光を透過せず、上記波
長１．０６μｍのレーザ光４を１００％吸収するため、
上記レーザ光４が有するエネルギは、上記ＩｎＧａＡｓ
層１１において熱変換され、該ＩｎＧａＡｓ層１１は発
熱する。そして、この発熱したＩｎＧａＡｓ層１１は、
上記レーザ光４の照射開始後１秒以内に３００℃〜４０
０℃の温度に達し、該ＩｎＧａＡｓ層１１の上にある半
田材２を加熱，溶融させる。
【００４３】そして、上記実施例１，２と同様、図２
(a) もしくは図２(b) に示したように、上記半田材２を
溶融させた状態で素子特性の確認を行い、被試験レーザ
光３０が所定の出射角になった時点で、上記レーザ光４
のＩｎＧａＡｓ層１１への照射を止め、上記加熱されて
いる半田材２の温度を下げ、該半田材２を固まらせるこ
とにより、上記光半導体素子１と上記Ｓｉサブマウント
３を接着する。
【００４４】なお、上記ＩｎＧａＡｓ層１１へレーザ光
４を照射する方法は、図４(b) に示したように、上記実
施例２と同じ方法を用いても良いことは言うまでもな
く、また、上記ＩｎＧａＡｓ層１１の代わりに、そのバ
ンドギャップ波長１．３μｍないし１．５μｍ程度のＩ
ｎＧａＡｓＰ層を用いても良い。
【００４５】本実施例３においても、上述のような構成
としたから、短時間で上記半田材２を加熱，溶融させ、
上記光半導体素子１と上記Ｓｉサブマウント３とを接着
することができ、ダイボンディング中に上記光半導体素
子１が、高温に長時間さらされることによる素子の変形
あるいは素子特性の劣化を防ぎ、素子特性の確認を行い
ながらダイボンドを行うことができる効果がある。
【００４６】実施例４．以下、この発明の第４の実施例
を図について説明する。図５(a) ，(b) は本実施例４に
よる半導体素子のダイボンド装置、およびダイボンド方
法を示す概略図である。図５(a) ，(b) において、上記
実施例１における図１と同一符号は同一又は相当部分を
示し、１２ａは幅２００〜２５０μｍの表面電極１２の
開口部であり、表面電極１２を光半導体素子１の表面の
一部にワイヤボンドが打てる幅５０〜１００μｍに形成
してできたものである。
【００４７】次に、本実施例４によるダイボンド装置の
動作、およびダイボンド方法の手順について説明する。
上記実施例１〜３では、波長１．０６μｍのレーザ光４
を、Ｓｉサブマウント３を透過させ、半田材２もしくは
ＩｎＧａＡｓ層１１に照射するものであったが、本実施
例４では、上記レーザ光４を、光半導体素子１の上方か
ら該光半導体素子１に向けて照射し、該光半導体素子１
を透過させ、その裏面電極１３に照射するようにした。
【００４８】即ち、図５(a) に示すように、上記光半導
体素子１の表面電極１２を、該光半導体素子１の片隅
に、その幅を５０〜１００μｍにして形成するようにす
る。そして、上記光半導体素子１の上面側上方より、該
光半導体素子１に向けて上記レーザ光４を照射する。こ
の光半導体素子１が、例えば図８(a) に示したようなＰ
ＢＣレーザであれば、上記レーザ光４は、波長が１．０
６μｍであるため、上記ＰＢＣレーザ（光半導体素子
１）のＳｉＯ2 層１０４からｐ−ＩｎＰ基板１０１まで
透過して進み、その裏面に形成されているｐ型電極１０
６（裏面電極１３）に照射される。
【００４９】ここで、光半導体素子１の材料と、該光半
導体素子１を透過するレーザ光４の波長との関係を簡単
に述べると、Ｓｉ系の光半導体素子１は、波長１．０６
μｍ以上のレーザ光４を透過し、ＧａＡｓ系の光半導体
素子１は、波長０．８８μｍ以上のレーザ光４を透過す
る。また、ＩｎＰ系の光半導体素子１は、波長０．９μ
ｍ以上のレーザ光４を透過するものである。
【００５０】次に、上記レーザ光４を照射された上記光
半導体素子１の裏面電極１３は、ＴｉＡｕを用いて形成
されたものであり、上記レーザ光４を透過せず加熱され
ることとなる。そして、上記裏面電極１３の熱は、該裏
面電極１３とＳｉサブマウントとの間に置かれた半田材
２に伝播し、該半田材２を溶融させる。
【００５１】そして、上記実施例１〜３と同様、図２
(a) もしくは図２(b) に示したように、上記半田材２を
溶融させた状態で素子特性の確認を行い、被試験レーザ
光３０が所定の出射角になった時点で、上記レーザ光４
のＩｎＧａＡｓ層１１への照射を止め、上記加熱されて
いる半田材２の温度を下げ、該半田材２を固まらせるこ
とにより、上記光半導体素子１と上記Ｓｉサブマウント
３を接着する。
【００５２】なお、上記ＴｉＡｕの裏面電極１３は、例
えば、その重量比がＡｕ／Ｔｉ＝８０／２０％であれば
８００℃以上にならなければ溶融せず、上記実施例１で
説明したように、上記半田材２は、その材料がＡｕＳｎ
であれば２８０℃、また、ＡｕＳｉであれば３７０℃で
溶融し、上記裏面電極１３よりも早く溶融するため、上
記裏面電極１３に損傷を与えずに接着作業が行えるもの
である。
【００５３】また、上述の本実施例４の説明において、
図５(a) に示したように、上記レーザ光４は、上記半導
体素子１の活性層１ａをも透過するものであったが、図
５(b) に示したように、活性層１ａが上記表面電極１２
の下になるようにし、該活性層１ａに上記レーザ光４が
照射されないようにし、上記レーザ光４の透過による上
記活性層１ａの劣化を防ぐようにしても良い。
【００５４】本実施例４においても、上述のような構成
としたから、短時間で上記半田材２を加熱，溶融させ、
上記光半導体素子１と上記Ｓｉサブマウント３とを接着
することができ、ダイボンディング中に上記光半導体素
子１が、高温に長時間さらされることによる素子の変形
あるいは素子特性の劣化を防ぎ、素子特性の確認を行い
ながらダイボンドを行うことができる効果がある。
【００５５】ここで従来、特開平２−１９７３７３号、
および特開平２−２８０９６１号には、それぞれＩＣチ
ップの半田付け方法において、回路基板上に半田バンプ
を介して置いたＩＣチップの上方から該ＩＣチップに向
けてレーザ光を照射し、上記回路基板の電極パターンと
上記ＩＣチップとの間にある上記半田バンプを加熱，溶
融することが記載されているが、特開平２−１９７３７
３号に記載のＩＣチップの半田付け方法は、上記ＩＣチ
ップ全体をレーザ光により加熱し、その熱により上記半
田バンプを溶融させるものであり、また、特開平２−２
８０９６１号に記載のＩＣチップの半田付け方法は、上
記半田バンプが位置する上記ＩＣチップの一部をレーザ
光により局部的に加熱し、その熱により上記半田バンプ
を溶融させるものである。従って、これらはいずれも、
本実施例４による半導体素子のダイボンド装置、および
ダイボンド方法のように、光半導体素子１の表面側から
入射させたレーザ光４を、該光半導体素子１の裏面まで
透過させ、この透過したレーザ光４により、上記光半導
体素子１の裏面電極１３を加熱し、その熱により裏面電
極１３と接している半田材２を溶融させるものではな
い。
【００５６】実施例５．以下、この発明の第５の実施例
を図について説明する。図６(a) は、本実施例５による
半導体素子のダイボンド装置、およびダイボンド方法を
示す概略図である。図６(a) において、上記実施例１に
おける図１と同一符号は同一又は相当部分を示し、１５
は複数の出力端を有する光ファイバアレイであり、ＹＡ
Ｇレーザ光源６が出力したレーザ光４を複数本に分岐す
る。また、１０００は複数の活性層１ａを有するバー状
のアレイレーザである。
【００５７】上記実施例１〜４では、Ｓｉサブマウント
３に接着する光半導体素子１は、１つの活性層１ａを有
するものであったが、複数の活性層１ａを有するアレイ
レーザ１０００を、Ｓｉサブマウント３に接着する場
合、図６(a) に示したように、例えば上記実施例１と同
じく、レーザ光４を、Ｓｉサブマウント３の下面から該
Ｓｉサブマウント３に向けて照射し、該Ｓｉサブマウン
ト３を透過させる。
【００５８】ここで、ＹＡＧレーザ光源６から出力され
た波長１．０６μｍのレーザ光４は、光ファイバアレイ
１５により複数に分岐され、該光ファイバアレイ１５の
各出力端から同時に出力されるものであり、上記Ｓｉサ
ブマウント３を透過し、その上にある半田材２に到達し
たときに、該半田材２の全面を照射する。そして、上記
レーザ光４を照射された半田材２は、温度上昇し、融解
温度に達し、溶融する。
【００５９】次に、上記実施例１と同じように、上記半
田材２が溶融している状態で、上記アレイレーザ１００
０の位置決めを行い、該アレイレーザの所定の位置への
位置決めが得られた時点で、上記レーザ光４の照射を止
め、上記半田材２を固まらせることにより、上記アレイ
レーザ１０００と上記Ｓｉサブマウント３とを接着す
る。なお、上記Ｓｉサブマウント３に照射するレーザ光
４を、複数のＹＡＧレーザ光源６と光ファイバ５とから
なる、複数本のレーザ光４としても良い。
【００６０】本実施例５においては、上記Ｓｉサブマウ
ント３に接着する光半導体素子１がバー状の上記アレイ
レーザ１０００のような大面積を有するものであって
も、短時間で上記半田材２を加熱，溶融させ、上記アレ
イレーザ１０００と上記Ｓｉサブマウント３とを容易に
接着することができ、ダイボンディング中に上記アレイ
レーザ１０００が、高温に長時間さらされることによる
素子の変形あるいは素子特性の劣化を防ぐことができる
効果がある。
【００６１】実施例６．以下、この発明の第６の実施例
を図について説明する。図６(b) は、本実施例６による
半導体素子のダイボンド装置、およびダイボンド方法を
示す概略図である。図６(b) において、上記実施例１に
おける図１と同一符号は同一又は相当部分を示し、１７
はその出力端を自在に移動させることができる可動型光
ファイバであり、ＹＡＧレーザ光源６が出力したレーザ
光４をＳｉサブマウント３の所望の位置に照射するもの
である。また、１０００は複数の活性層１ａを有するバ
ー状のアレイレーザである。
【００６２】上記実施例５では、上記ＹＡＧレーザ光源
から出力したレーザ光４を、上記光ファイバアレイ１５
により複数に分岐し、上記Ｓｉサブマウント３を透過さ
せ、上記半田材２を加熱するようにしていたが、可動型
光ファイバ１７を用いて、Ｓｉサブマウント３の下面か
ら該Ｓｉサブマウント３を透過するレーザ光４を、素早
く移動させて、上記半田材２の全面を走査して照射する
ようにしても、上記アレイレーザ１０００と上記Ｓｉサ
ブマウント３とを容易に接着することができ、ダイボン
ディング中に上記アレイレーザ１０００が、高温に長時
間さらされることによる素子の変形あるいは素子特性の
劣化を防ぐことができる効果がある。
【００６３】なお、上記可動型光ファイバ１７に代え
て、出射光の角度を自在に変えることができる光ファイ
バを用いて、レーザ光を上記半田材２の全面を走査させ
るようにしても同様の効果を得ることができる。
【００６４】また、上記実施例１ないし本実施例６で
は、光半導体素子をＳｉサブマウント３にダイボンドす
る方法について説明したが、光半導体素子およびＳｉサ
ブマウント３に限らず他の半導体素子をシリコン以外を
用いたサブマウントにダイボンドする場合にも、本発明
によるダイボンド装置、およびダイボンド方法を適用で
きることは言うまでもない。
【００６５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体素子を半田材によりサブマウントに接着するダイボン
ド装置において、サブマウントを透過する波長のレーザ
光を出射するレーザ光源と、該レーザ光源から出射した
レーザ光を所定の位置に導いて上記サブマウントの所要
位置に照射する手段とを備えたので、上記レーザ光を、
上記サブマウントを透過させて上記半田材に照射するこ
とができ、上記サブマウントを加熱することなく短時間
で上記半田材を加熱，溶融するダイボンド装置を得るこ
とができる。
【００６６】また、この発明によれば、半導体素子を半
田材によりサブマウントに接着するダイボンド装置にお
いて、半導体素子を透過する波長のレーザ光を出射する
レーザ光源と、該レーザ光源から出射したレーザ光を所
定の位置に導いて上記半導体素子の所要位置に照射する
手段とを備えたので、上記レーザ光を、上記半導体素子
を透過させて該半導体素子の裏面電極に照射することが
でき、上記サブマウントを加熱することなく短時間で上
記半田材を加熱，溶融するダイボンド装置を得ることが
できる。
【００６７】この発明によれば、半導体素子をサブマウ
ントに接着するダイボンド方法において、上記サブマウ
ント上に半田材を、該半田材上に上記半導体素子を載
せ、上記サブマウントを透過する波長のレーザ光を、上
記サブマウントの下面側から上記半田材に向けて照射し
て、上記サブマウントを透過したレーザ光により上記半
田材を加熱，溶融させ、上記半導体素子を上記サブマウ
ントに接着するようにしたので、素子特性の確認を行い
ながら、短時間でダイボンドを行うことができ、ダイボ
ンディング中に上記半導体素子が高温に長時間さらされ
ることによる、該半導体素子の変形、あるいは素子特性
の劣化を防ぐことができ、上記半導体素子の取り付け位
置の精度が高いダイボンドを行うことができる。
【００６８】また、この発明によれば、半導体素子をサ
ブマウントに接着するダイボンド方法において、上記サ
ブマウントの下面に金属膜を形成した後、該サブマウン
ト上に半田材を、該半田材上に上記半導体素子を載せ、
上記サブマウントを透過する波長のレーザ光を、上記サ
ブマウントに対し所定の角度をもって上記Ｓｉサブマウ
ントの上面側斜め上方から上記金属膜に向けて照射し
て、上記サブマウントを透過し上記金属膜で反射された
該レーザ光により上記半田材を加熱，溶融させ、上記半
導体素子を上記サブマウントに接着するようにしたの
で、レーザ光を透過しない試料台の上でも、素子特性の
確認を行いながら、短時間でダイボンドを行うことがで
き、ダイボンディング中に上記半導体素子が高温に長時
間さらされることによる、該半導体素子の変形、あるい
は素子特性の劣化を防ぐことができ、上記半導体素子の
取り付け位置の精度が高いダイボンドを行うことができ
る。
【００６９】また、この発明によれば、半導体素子をサ
ブマウントに接着するダイボンド方法において、上記半
導体素子の表面電極に開口部を設け、上記サブマウント
上に半田材を、該半田材上に上記半導体素子を載せ、上
記半導体素子を透過する波長のレーザ光を、上記半導体
素子の表面電極の開口部の上方から上記半田材に向けて
照射して、上記半導体素子を透過したレーザ光により該
半導体素子の裏面電極を加熱して上記半田材を加熱，溶
融させ、上記半導体素子を上記サブマウントに接着する
ようにしたので、上記サブマウントにレーザ光を透過し
ないものを用いた場合でも、素子特性の確認を行いなが
ら、短時間でダイボンドを行うことができ、ダイボンデ
ィング中に上記半導体素子が高温に長時間さらされるこ
とによる、該半導体素子の変形、あるいは素子特性の劣
化を防ぐことができ、上記半導体素子の取り付け位置の
精度が高いダイボンドを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施例による半導体素子のダ
イボンド装置、及びダイボンド方法を示す概略図。
【図２】この発明の第１の実施例による半導体素子のダ
イボンド方法を用いて、ダイボンド中に素子特性の検査
を行う方法を示す図。
【図３】この発明の第２の実施例による半導体素子のダ
イボンド装置、及びダイボンド方法を示す概略図。
【図４】この発明の第３の実施例による半導体素子のダ
イボンド装置、及びダイボンド方法を示す概略図。
【図５】この発明の第４の実施例による半導体素子のダ
イボンド装置、及びダイボンド方法を示す概略図。
【図６】この発明の第５および第６の実施例による半導
体素子のダイボンド装置、及びダイボンド方法を示す概
略図。
【図７】従来の半導体素子のダイボンド装置、及びダイ
ボンド方法を示す概略図。
【図８】Ｓｉサブマウント上にダイボンドする半導体素
子の一例であるＰＢＣレーザの構造断面図、およびＳｉ
サブマウント上に載せた半導体素子の平面図。
【図９】従来の素子特性の検査を行う方法を説明するた
めの図。
【図１０】ＡｕＳｎ及びＡｕＳｉの重量比に対する融解
温度の違いを示したグラフ。
【符号の説明】
１ 光半導体素子 １ａ 活性層 ２ 半田材 ３ Ｓｉサブマウント ４ レーザ光 ５ 光ファイバ ６ ＹＡＧレーザ光源 １０ 金属膜 １１ ＩｎＧａＡｓ層 １２ 表面電極 １２ａ 開口部 １３ 裏面電極 １５ 光ファイバアレイ １７ 可動型光ファイバ ２０ ヒートブロック ２１ ヒータ ３０ 被試験レーザ光 ３１ 位置検出装置 ３１ａ ケーブル ３１ｂ 受光素子 ３２ ニードル ３３ 光ファイバ ５０ａ ガラス製試料台 ５０ｂ 試料台 １０１ ｐ−ＩｎＰ基板 １０２ ｐ−ｎ−ｐ−ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層 １０３ ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層 １０４ ＳｉＯ2 絶縁膜 １０５ ｎ型電極（表面電極） １０６ ｐ型電極（裏面電極） １０７ ｐ−ＩｎＰ層 １０００ アレイレーザ

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子を半田材によりサブマウント
    に接着するダイボンド装置において、 上記サブマウントを透過する波長のレーザ光を出射する
    レーザ光源と、 上記レーザ光源から出射したレーザ光を所定位置まで導
    き、上記サブマウントの所要位置に照射する手段とを備
    えたことを特徴とする半導体素子のダイボンド装置。
  2. 【請求項２】 半導体素子を半田材によりサブマウント
    に接着するダイボンド装置において、 上記半導体素子を透過する波長のレーザ光を出射するレ
    ーザ光源と、 上記レーザ光源から出射したレーザ光を所定位置まで導
    き、上記半導体素子の所要位置に照射する手段とを備え
    たことを特徴とする半導体素子のダイボンド装置。
  3. 【請求項３】 半導体素子をサブマウントに接着するダ
    イボンド方法において、 上記サブマウント上に半田材を、該半田材上に上記半導
    体素子を載せ、 上記サブマウントを透過する波長のレーザ光を、上記サ
    ブマウントの下面側から上記半田材に向けて照射して、
    上記サブマウントを透過したレーザ光により上記半田材
    を加熱，溶融させ、 上記半導体素子を上記サブマウントに接着することを特
    徴とする半導体素子のダイボンド方法。
  4. 【請求項４】 半導体素子をサブマウントに接着するダ
    イボンド方法において、 上記サブマウントの下面に金属膜を形成した後、該サブ
    マウント上に半田材を、該半田材上に上記半導体素子を
    載せ、 上記サブマウントを透過する波長のレーザ光を、上記サ
    ブマウントに対し所定の角度をもって上記サブマウント
    の上面側斜め上方から上記金属膜に向けて照射して、上
    記サブマウントを透過し上記金属膜で反射された該レー
    ザ光により上記半田材を加熱，溶融させ、 上記半導体素子を上記サブマウントに接着することを特
    徴とする光半導体素子のダイボンド方法。
  5. 【請求項５】 請求項３または４記載の半導体素子のダ
    イボンド方法において、 上記サブマウントは、シリコンサブマウント（以下Ｓｉ
    サブマウントと略す）であり、 上記レーザ光は、波長１μｍ以上のものであることを特
    徴とする半導体素子のダイボンド方法。
  6. 【請求項６】 請求項３記載の半導体素子のダイボンド
    方法において、 上記サブマウントは、Ｓｉサブマウントであり、 上記Ｓｉサブマウントの下面側から半田材に向けて照射
    し、上記Ｓｉサブマウントを透過させるレーザ光は、波
    長１〜１．６μｍのものであり、 上記半田材、および上記半導体素子は、上記Ｓｉサブマ
    ウントの上面の所定位置に所定の面積を有するＩｎＧａ
    Ａｓ層を形成した後、該ＩｎＧａＡｓ層上に上記半田材
    を、該半田材上に上記半導体素子を載せるものであり、 上記半田材の加熱，溶融は、上記Ｓｉサブマウントを透
    過した波長１〜１．６μｍのレーザ光を上記ＩｎＧａＡ
    ｓ層に吸収させ、該ＩｎＧａＡｓ層を発熱させて上記半
    田材を加熱，溶融させるものであることを特徴とする半
    導体素子のダイボンド方法。
  7. 【請求項７】 請求項４記載の半導体素子のダイボンド
    方法において、 上記サブマウントは、Ｓｉサブマウントであり、 その下面に金属膜を形成された上記Ｓｉサブマウントに
    対し所定の角度をもって照射し、上記Ｓｉサブマウント
    を透過させるレーザ光は、波長１〜１．６μｍのもので
    あり、 上記半田材、および上記半導体素子は、上記Ｓｉサブマ
    ウントの上面の所定位置に所定の面積を有するＩｎＧａ
    Ａｓ層を形成した後、該ＩｎＧａＡｓ層上に上記半田材
    を、該半田材上に上記半導体素子を載せるものであり、 上記半田材の加熱，溶融は、上記Ｓｉサブマウントを透
    過した波長１〜１．６μｍのレーザ光を上記ＩｎＧａＡ
    ｓ層に吸収させ、該ＩｎＧａＡｓ層を発熱させて上記半
    田材を加熱，溶融させるものであることを特徴とする半
    導体素子のダイボンド方法。
  8. 【請求項８】 請求項３ないし７のいずれかに記載の半
    導体素子のダイボンド方法において、 上記半導体素子は、大面積を有する，複数の活性層を備
    えたバー状のアレイレーザであり、 上記アレイレーザに対応する面積を有するサブマウント
    に照射するレーザ光は、複数のレーザ光を所要の間隔を
    あけて照射するものであることを特徴とする半導体素子
    のダイボンド方法。
  9. 【請求項９】 請求項３ないし７のいずれかに記載の半
    導体素子のダイボンド方法において、 上記光半導体素子は、大面積を有する，複数の活性層を
    備えたバー状のアレイレーザであり、 上記アレイレーザに対応する面積を有するサブマウント
    に照射するレーザ光は、可動する光ファイバを用いて上
    記サブマウントの表面上を走査して照射するものである
    ことを特徴とする半導体素子のダイボンド方法。
  10. 【請求項１０】 半導体素子をサブマウントに接着する
    ダイボンド方法において、 上記半導体素子の表面電極に開口部を設け、 上記サブマウント上に半田材を、該半田材上に上記半導
    体素子を載せ、 上記半導体素子を透過する波長のレーザ光を、上記半導
    体素子の表面電極の開口部の上方から上記半田材に向け
    て照射して、上記半導体素子を透過したレーザ光により
    該半導体素子の裏面電極を加熱して上記半田材を加熱，
    溶融させ、 上記半導体素子を上記サブマウントに接着することを特
    徴とする半導体素子のダイボンド方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の半導体素子のダイ
    ボンド方法において、 上記半導体素子は、Ｓｉ系光半導体素子であり、 上記Ｓｉ系光半導体素子に照射するレーザ光は、波長１
    μｍ以上のものであることを特徴とする半導体素子のダ
    イボンド方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１０に記載の半導体素子のダイ
    ボンド方法において、 上記半導体素子は、ＧａＡｓ系光半導体素子であり、 上記ＧａＡｓ系光半導体素子に照射するレーザ光は、波
    長０．８８μｍ以上のものであることを特徴とする半導
    体素子のダイボンド方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１０に記載の半導体素子のダイ
    ボンド方法において、 上記半導体素子は、ＩｎＰ系光半導体素子であり、 上記ＩｎＰ系光半導体素子に照射するレーザ光は、波長
    ０．９μｍ以上のものであることを特徴とする半導体素
    子のダイボンド方法。
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