JP2003142506A - 半導体接合装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、局所的な不活性ガスの流れにより
効率よく不活性ガス雰囲気を形成することで、低コスト
で安定した低酸素濃度の環境を形成することができ、接
合に酸化しやすい半田材料を容易に使用することができ
る半導体接合装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 下段窒素は、断熱室１８で断熱台座８お
よび放熱フィン６と熱交換を行って温度を高めて放熱フ
ィン６とヒータカバー１３との隙間から窒素室１９へ吹
き出し、窒素室１９内に設けられた方向制御壁１７によ
って円形ヒータ４の中心へ方向を変え、円形ヒータ４上
に固定されているセラミックパッケージ７に直接あた
る。一方上段窒素は、上段窒素注入口１４から予備室２
０内へ入り、噴出孔２１から窒素室１９内へ吹き出す。
吹き出された上段窒素は、吹き出しノズル１６のスロー
プ１６ａを旋回し、上部開口部２２から大気中に放出さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージに半導
体部品を加熱接合する半導体接合装置に関し、特に酸化
しやすい半田材料を用いてパッケージに半導体部品を接
合する際に低酸素濃度雰囲気の形成する半導体接合装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＡｕＳｎ半田等の酸化しやすい半
田材料を用いた接合では、接合のプロセスを窒素等の不
活性ガスによって低酸素濃度雰囲気で行う必要があるた
め、半導体接合装置内部と装置外部を遮断し、内部を不
活性ガスで充填したり、接合の工程部分へ局所的に不活
性ガスを吹き付けて酸化を防ぐ方法をとっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術の装置内部と装置外部を遮断し、内部を不活性ガスで
充填する場合には、装置内部の空気を不活性ガスへ置換
するのに非常に時間がかかるという問題点があった。

【０００４】置換時間を短縮するためには、装置内部を
まず真空ポンプ等によって装置内の空気を排出し、真空
に近い状態にした後、不活性ガスを充填する方法がある
が、真空に耐える強固で密閉度の高い構造が必要となる
ため、装置コストが上昇するという新たな問題点が生じ
る。

【０００５】また、接合工程部分へ局所的に不活性ガス
を吹き付ける方法では、吹き付ける不活性ガスが接合時
の温度低下を招くのを防ぐため、不活性ガスを加熱する
必要があったり、雰囲気を安定させるために多量の不活
性ガスを吹き付けるため、ランニングコストが上昇する
とという問題点があった。

【０００６】さらに、接合工程部分へ局所的に不活性ガ
スを吹き付ける方法では、吹き付けている不活性ガスの
流量が多いこと、吹き付けているガスの温度分布にムラ
が生じることから、接合位置の補正に欠かせない画像認
識にも悪影響を及ぼす恐れがあるという問題点があっ
た。

【０００７】さらに、接合工程部分へ局所的に不活性ガ
スを吹き付ける方法では、局所的に吹き付け、接合部分
のみ低酸素濃度とするため、前もって半田を溶融させる
ことができないので、接合する部材同士の間に半田片を
挟み込んだ後に半田を溶融させるか、超音波振動等の外
力を与えて酸化被膜を破壊する等の方式をとる場合が多
く、前者では接合時間がかかり、後者では振動を与える
機構が新たに必要となるという問題点があった。

【０００８】本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、局所的な不活性ガ
スの流れにより効率よく不活性ガス雰囲気を形成するこ
とで、低コストで安定した低酸素濃度の環境を形成する
ことができ、接合に酸化しやすい半田材料を容易に使用
することができる半導体接合装置を提供することであ
る。

【０００９】本発明の他の目的は、半導体部品の接合位
置の決定に必要な画像による認識においても、高温下で
の空気の熱膨張による空気の密度変化による、画像観察
時の像の揺らぎの悪影響を極めて小さく押さえることが
できる半導体接合装置を提供することである。

【００１０】さらに他の目的は、予め半田を溶融させた
後に半導体部品の接合を行うことができ、加熱加圧によ
る接合時間を最小に押さえることができる半導体接合装
置を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
すべく、以下に掲げる構成とした。請求項１記載の発明
の要旨は、部品の接合を行う半導体接合装置であって、
部品を搭載する第１の基台と、該第１の基台の外周に空
間を設けて囲む筐体と、前記第１の基台上部に設けられ
た開口部と、前記筐体の中に第１の不活性ガスを供給す
る第１の供給手段と、前記筐体の中に第２の不活性ガス
を前記開口部の形成される面と同一面内で旋回流となる
ように供給する第２の供給手段とを具備することを特徴
とする半導体接合装置に存する。また請求項２記載の発
明の要旨は、部品の接合を行う半導体接合装置であっ
て、部品を搭載する第１の基台と、該第１の基台の外周
に空間を設けて囲む筐体と、前記第１の基台上部に設け
られた開口部と、前記筐体の中の前記第１の基台に搭載
された部品に第１の不活性ガスを供給する第１の供給手
段と、前記筐体の中から前記開口部に至る流れを形成す
るように第２の不活性ガスを供給する第２の供給手段と
を具備することを特徴とする半導体接合装置に存する。
また請求項３記載の発明の要旨は、前記筐体の内周に
は、前記開口部にかけて徐々に面積が小さくなるスロー
プが形成されていることを特徴とする請求項１又は２記
載の半導体接合装置に存する。また請求項４記載の発明
の要旨は、前記第１の供給手段は、前記第１の基台より
も下部から前記第１の不活性ガスを供給することを特徴
とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体接合装
置に存する。また請求項５記載の発明の要旨は、前記第
２の供給手段によって供給される前記第２の不活性ガス
が前記第１の基台に搭載された部品に供給されることを
妨げる制御壁を具備することを特徴とする請求項１乃至
４のいずれかに記載の半導体接合装置に存する。また請
求項６記載の発明の要旨は、前記第１の基台周囲に前記
第１の基台の下部に位置し、突出するように設けられた
第２の基台を具備することを特徴とする請求項１乃至５
のいずれかに記載の半導体接合装置に存する。また請求
項７記載の発明の要旨は、前記筐体の中の空間より前記
開口部での前記不活性ガスのレイノルズ数を低くなるよ
うに設定したことを特徴とする請求項１乃至６のいずれ
かに記載の半導体接合装置に存する。また請求項８記載
の発明の要旨は、前記第１の基台がヒータであることを
特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体接
合装置に存する。また請求項９記載の発明の要旨は、前
記第２の基台が放熱フィンであることを特徴とする請求
項１乃至８のいずれかに記載の半導体接合装置に存す
る。また請求項１０記載の発明の要旨は、前記第１の不
活性ガスおよび前記第２の不活性ガスは、窒素ガスある
いはアルゴンガスであることを特徴とする請求項１乃至
９のいずれかに記載の半導体接合装置に存する。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００１３】（第１の実施の形態）図１は、本発明に係
る半導体接合装置の第１の実施の形態の斜視図であり、
図２は、図１に示す円形加熱ステージ、窒素雰囲気形成
機構および断熱冷却ユニットのそれぞれの側断面であ
り、図３は、図１に示す窒素雰囲気形成機構の近傍の側
断面の拡大図であり、図４は、図１に示す窒素雰囲気形
成機構の窒素吹き出しノズルに形成された噴出孔での断
面図である。なお、図１乃至図４の記載されている矢印
は、窒素ガスの流れを示している。

【００１４】第１の実施の形態は、図１を参照すると、
円形加熱ステージ１と、窒素雰囲気形成機構２と、断熱
冷却ユニット３とからなり、不活性ガスである窒素ガス
により不活性ガス雰囲気である窒素雰囲気を形成してセ
ラミックパッケージ７に半導体部品２５をＡｕＳｎ半田
を用いて加熱接合する。

【００１５】円形加熱ステージ１は、図２を参照する
と、セラミックパッケージ７を加熱する円形ヒータ４
と、円形ヒータ４を支える支持部材５と、放熱フィン６
とからなり、断熱冷却ユニット３に取り付けられてい
る。円形ヒータ４および支持部材５には、配管経路１１
が形成されており、直接セラミックパッケージ７を円形
ヒータ４上に配管経路１１を用いて真空吸着して固定
し、円形ヒータ４の熱をセラミックパッケージ７に直接
伝達する。また、放熱フィン６は、窒素雰囲気を形成す
るために円形ヒータ４の上面に供給される窒素ガスを予
備加熱する。

【００１６】断熱冷却ユニット３は、図２を参照する
と、円形加熱ステージ１を固定する断熱台座８と、断熱
を行う断熱部材９と、効果的に冷却を行う冷却ユニット
１０とからなり、断熱台座８および断熱部材９には、円
形ヒータ４の上面にセラミックパッケージ７を真空吸着
するために配管経路１１から真空吸引する機能が付加さ
れている。

【００１７】窒素雰囲気形成機構２は、図２乃至図４を
参照すると、下段窒素注入口１２を有するヒータカバー
１３と、上段窒素注入口１４を有するノズルカバー１５
と、上段窒素を吹き出す吹き出しノズル１６と、上段窒
素と下段窒素との混濁を防ぐ方向制御壁１７とからな
る。放熱フィン６の下面と、断熱台座８および断熱部材
９とヒータカバー１３とにより断熱室１８が形成され、
円形ヒータ４および放熱フィン６の上面と、吹き出しノ
ズル１６とにより窒素室１９が形成され、ノズルカバー
１５と、吹き出しノズル１６とにより予備室２０が形成
されている。なお、上段窒素とは、上段窒素注入口１４
から供給される窒素ガスのことであり、下段窒素とは、
下段窒素注入口１２から供給される窒素ガスのことであ
る。

【００１８】吹き出しノズル１６には、円形ヒータ４の
上部に設けられた上部開口部２２にかけて徐々に面積が
小さくなるスロープ１６ａが形成され、窒素室１９の下
部の直径よりも上部開口部２２の直径の方が短くなって
いる。また、吹き出しノズル１６には、上段窒素を窒素
室１９内に吹き出す噴出孔２１が複数形成されており、
噴出孔２１は、窒素室１９内の方向制御壁１７の上部に
吹き出すように形成されていると共に、窒素室１９の中
心から同じ方向にずれて吹き出すよう形成され、窒素室
１９内に吹き出した上段窒素は、窒素室１９で旋回して
旋回流を形成する。また、上段窒素は、上部開口部２２
の形成される面と同一面内で旋回流を形成するように窒
素室１９内に吹き出される。

【００１９】下段窒素は、下段窒素注入口１２からヒー
タカバー１３内に入り、断熱室１８で断熱台座８および
放熱フィン６と熱交換を行って温度を高めて放熱フィン
６とヒータカバー１３との隙間から窒素室１９へ吹き出
す。さらに窒素室１９内に設けられた方向制御壁１７に
よって円形ヒータ４の中心へ方向を変え、円形ヒータ４
上に固定されているセラミックパッケージ７に直接あた
る。窒素が熱交換されながらセラミックパッケージ７に
噴射され、なおかつ少流量のため、直接噴射による温度
降下の影響は無視できる。

【００２０】一方上段窒素は、上段窒素注入口１４から
予備室２０内へ入り、噴出孔２１から窒素室１９内へ吹
き出す。吹き出された上段窒素は、方向制御壁１７のた
め、下段窒素とすぐには混流せず、吹き出しノズル１６
のスロープ１６ａを旋回し、遠心力によってスロープ１
６ａ面を旋回しながら上昇し、さらに下段窒素の上昇す
る流れに伴って上部開口部２２から大気中に放出され
る。

【００２１】窒素室１９に吹き出された上段窒素は、セ
ラミックパッケージ７に直接あたらず、セラミックパッ
ケージ７に噴射されている下段窒素を上段窒素の旋回流
と共に上部開口部２２より大気へ効率よく放出する働き
も併せ持つ。また、窒素室１９に吹き出された上段窒素
を旋回流としていることで、ある程度の流量を流しても
上部開口部２２から外部空気を巻き込むことなく、大気
等の周辺部との隔絶を行うことができる。下段窒素と上
段窒素との流量バランスをとり、特に上段窒素のレイノ
ルズ数が低くなるように設計することで、ヒータの中心
部での窒素濃度を上げることができる。

【００２２】上部開口部２２および方向制御壁１７の中
心の開口は、できるだけ小さくした方が効率よく窒素濃
度を上げることができるが、セラミックパッケージ７の
供給、半導体部品２５の加熱接合に必要なだけの大きさ
を確保する必要がある。具体的には、少なくともセラミ
ックパッケージ７および半導体部品２５の外形サイズ、
セラミックパッケージ７および半導体部品２５を供給す
るハンドのサイズ、接合ヘッド３４を挿入できるサイズ
を確保する必要がある。

【００２３】第１の実施の形態で、必要とされる窒素流
量は、上部開口部２２および方向制御壁１７の開口が直
径４０ｍｍの場合で上段窒素と下段窒素とを合わせて１
０リットル／ｍｉｎ以下であり、１０リットル／ｍｉｎ
程度の窒素を供給することで上部が外部空気と接触して
いる図１の状態でも酸素濃度を５００ｐｐｍ以下にする
ことができる。さらに図６（ｂ）に示すように接合ヘッ
ド３４が挿入されている状態では、酸素濃度を１００ｐ
ｐｍ以下にすることができる。また、上部開口部２２お
よび方向制御壁１７の開口の径を直径４０ｍｍよりも小
さくすることができれば、接合ヘッドが挿入されていな
い状態でも酸素濃度を１００ｐｐｍ以下とすることも可
能である。

【００２４】また第１の実施の形態では、窒素室１９内
から外部への窒素ガスの流れが形成されているため、通
常問題とされることが多い、高温下での空気の熱膨張に
よる空気の密度ムラ、一般に陽炎と呼ばれる現象によ
る、画像観察時の像の揺らぎの悪影響を極めて小さく押
さえることができる。たとえば、ステージ温度が２５０
℃で、位置決めに必要とされるＣＣＤカメラで画像認識
を行った場合、通常の場合だと視野に対し、２〜３％程
度揺らいでしまうが、第１の実施の形態では０．２％程
度まで押さえることができる。

【００２５】次に、第１の実施の形態の加熱接合動作に
ついて図５および図６を参照して詳細に説明する。図５
は、本発明に係る半導体接合装置の第１の実施の形態の
接合動作を説明するための模式図であり、図６は、本発
明に係る半導体接合装置の第１の実施の形態の接合ヘッ
ド挿入時の様子を示す斜視図である。

【００２６】まず、円形ヒータ４上に何らかのハンドリ
ング装置又は作業者によってセラミックパッケージ７を
供給し、供給されたセラミックパッケージ７を円形ヒー
タ４によって直接加熱させる。セラミックパッケージ７
の接合面には、Ａｕメッキが施されている。

【００２７】次に画像認識カメラ２３を移動機構２６に
よって移動させながら位置決めステージ２４上の半導体
部品２５と、セラミックパッケージ７とを画像認識し、
画像認識カメラ２３により画像認識結果に基づいて位置
補正機構２７により半導体部品２５とセラミックパッケ
ージ７との接合位置を補正する。

【００２８】次に半田供給装置２８において、半田リー
ル２９からカッター３０によって所定長さに切り出され
たＡｕＳｎの半田片３１を、半田供給ヘッド３２の先端
の半田吸着ノズル３３が真空吸着し、移動機構２６によ
って円形ヒータ４上のセラミックパッケージ７へ供給を
行う。このとき既に低酸素濃度雰囲気が形成されてお
り、酸化被膜の形成速度が遅くなっているため、円形ヒ
ータ４の温度をセラミックパッケージ７上の半田片３１
が溶融する温度まで上昇させることができる。

【００２９】次に半導体部品２５を接合ヘッド３４に真
空吸着した状態で接合ヘッド３４を移動機構２６によっ
てセラミックパッケージ７上に移動させ、半導体部品２
５をセラミックパッケージ７に供給して溶融した半田片
３１に接合し、円形ヒータ４の温度を半田片３１の溶融
点以下まで下げて冷却固定後、接合ヘッド３４を上昇さ
せる。

【００３０】半田片３１供給から半導体部品２５接合ま
での時間がかかりその間に酸化被膜が形成される恐れが
ある場合や、何らかの理由で上部開口部２２および方向
制御壁１７の開口を大きくとる必要があって要求される
に低酸素濃度雰囲気を形成することが難しい場合には、
図６（ｂ）に示すように、接合ヘッド３４を窒素室１９
内へ挿入した後に円形ヒータ４の温度を上昇させること
で、中心部での流れの乱れがなくなるため、なお一層窒
素濃度の上昇が期待でき、安定した窒素ガス雰囲気が実
現することができ、接合ヘッド３４の挿入開始と同時に
円形ヒータ４の温度を上昇させて半田片３１を溶融さ
せ、接触後、円形ヒータ４の温度を下げて冷却し、半導
体部品２５をセラミックパッケージ７に固定する。

【００３１】また、接合位置精度の要求が厳しくない場
合は、半田の凝固を待たずに接合を完了させて接合ヘッ
ド３４を上昇させ、その後円形ヒータ４の温度を下げて
冷却し、半導体部品２５をセラミックパッケージ７に固
着すれば、接合時間を短縮することができる。

【００３２】第１の実施の形態では、不活性ガスとして
窒素ガスを使用したが、アルゴンガス等の不活性ガスを
使用しても同様の効果が得られることはいうまでもな
く、他の実施の形態でも同様である。

【００３３】以上説明したように、第１の実施の形態に
よれば、局所的な不活性ガスの流れにより効率よく不活
性ガス雰囲気を形成することで、低コストで安定した低
酸素濃度の環境を形成することができ、接合に酸化しや
すい半田材料を容易に使用することができるという効果
を奏する。

【００３４】さらに第１の実施の形態によれば、半導体
部品の接合位置の決定に必要な画像による認識において
も、高温下での空気の熱膨張による空気の密度変化によ
る、画像観察時の像の揺らぎの悪影響を極めて小さく押
さえることができるという効果を奏する。

【００３５】さらに第１の実施の形態によれば、予め半
田を溶融させた後に半導体部品の接合を行うことがで
き、加熱加圧による接合時間を最小に押さえることがで
きるという効果を奏する。

【００３６】（第２の実施の形態）図７は、本発明に係
る半導体接合装置の第２の実施の形態の斜視図であり、
図８は、図７に示す半導体接合装置の展開図であり、図
９は、本発明に係る半導体接合装置の第２の実施の形態
の接合動作を説明するための模式図である。

【００３７】第２の実施の形態は、複数のセラミックパ
ッケージ７を同時に加熱し、個々のセラミックパッケー
ジ７にそれぞれ順次半導体部品２５を接合できる構成と
なっている点で第１の実施の形態と異なり、複数のセラ
ミックパッケージ７を並べて半導体部品２５を接合する
ため、図７および図８に示すように上部の開口を大きく
あける必要がある。

【００３８】第１の実施の形態に比べて上部の開口が大
きく、流れが複雑になるため窒素雰囲気を形成する性能
は劣るが、接合ヘッド３４側に上部の開口の面積を狭め
る突起３６をつけることで大型開口部３７の楕円形状の
長・短軸の窒素濃度の差を縮小することができ、さらに
接合ヘッド３４側からも窒素を供給することで十分な低
酸素濃度雰囲気が形成できる。

【００３９】ヒータ３８上にワークトレー３９を設置
し、テーブル４０によって窒素雰囲気形成機構４１側へ
移動する。上下テーブル４２によって窒素雰囲気形成機
構４１へ下側から押し当てることで、ワークトレー３９
上のセラミックパッケージ４３上には窒素雰囲気が形成
される。この状態で半田片３１を供給し、接合ヘッド３
４を下降させると酸素濃度は下がり、安定した接合が可
能である。

【００４０】なお、本発明が上記各実施形態に限定され
ず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施形態は
適宜変更され得ることは明らかである。また、上記構成
部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定され
ず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にす
ることができる。なお、各図において、同一構成要素に
は同一符号を付している。

【００４１】

【発明の効果】本発明の半導体接合装置は、局所的な不
活性ガスの流れにより効率よく不活性ガス雰囲気を形成
することで、低コストで安定した低酸素濃度の環境を形
成することができ、接合に酸化しやすい半田材料を容易
に使用することができるという効果を奏する。

【００４２】さらに本発明の半導体接合装置は、半導体
部品の接合位置の決定に必要な画像による認識において
も、高温下での空気の熱膨張による空気の密度変化によ
る、画像観察時の像の揺らぎの悪影響を極めて小さく押
さえることができるという効果を奏する。

【００４３】さらに本発明の半導体接合装置は、予め半
田を溶融させた後に半導体部品の接合を行うことがで
き、加熱加圧による接合時間を最小に押さえることがで
きるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体接合装置の第１の実施の形
態の斜視図である。

【図２】図１に示す円形加熱ステージ、窒素雰囲気形成
機構および断熱冷却ユニットのそれぞれの側断面であ
る。

【図３】図１に示す窒素雰囲気形成機構の近傍の側断面
の拡大図である。

【図４】図１に示す窒素雰囲気形成機構の窒素吹き出し
ノズルに形成された噴出孔での断面図である。

【図５】本発明に係る半導体接合装置の第１の実施の形
態の接合動作を説明するための模式図である。

【図６】本発明に係る半導体接合装置の第１の実施の形
態の接合ヘッド挿入時の様子を示す斜視図である。

【図７】本発明に係る半導体接合装置の第２の実施の形
態の斜視図である。

【図８】図７に示す半導体接合装置の展開図である。

【図９】本発明に係る半導体接合装置の第２の実施の形
態の接合動作を説明するための模式図である。

【符号の説明】

１ 円形加熱ステージ ２ 窒素雰囲気形成機構 ３ 断熱冷却ユニット ４ 円形ヒータ ５ 支持部材 ６ 放熱フィン ７ セラミックパッケージ ８ 断熱台座 ９ 断熱部材 １０ 冷却ユニット １１ 配管経路 １２ 下段窒素注入口 １３ ヒータカバー １４ 上段窒素注入口 １５ ノズルカバー １６ 吹き出しノズル １７ 方向制御壁 １８ 断熱室 １９ 窒素室 ２０ 予備室 ２１ 噴出孔 ２２ 上部開口部

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 部品の接合を行う半導体接合装置であっ
   て、 部品を搭載する第１の基台と、 該第１の基台の外周に空間を設けて囲む筐体と、 前記第１の基台上部に設けられた開口部と、 前記筐体の中に第１の不活性ガスを供給する第１の供給
   手段と、 前記筐体の中に第２の不活性ガスを前記開口部の形成さ
   れる面と同一面内で旋回流となるように供給する第２の
   供給手段とを具備することを特徴とする半導体接合装
   置。
2. 【請求項２】 部品の接合を行う半導体接合装置であっ
   て、 部品を搭載する第１の基台と、 該第１の基台の外周に空間を設けて囲む筐体と、 前記第１の基台上部に設けられた開口部と、 前記筐体の中の前記第１の基台に搭載された部品に第１
   の不活性ガスを供給する第１の供給手段と、 前記筐体の中から前記開口部に至る流れを形成するよう
   に第２の不活性ガスを供給する第２の供給手段とを具備
   することを特徴とする半導体接合装置。
3. 【請求項３】 前記筐体の内周には、前記開口部にかけ
   て徐々に面積が小さくなるスロープが形成されているこ
   とを特徴とする請求項１又は２記載の半導体接合装置。
4. 【請求項４】 前記第１の供給手段は、前記第１の基台
   よりも下部から前記第１の不活性ガスを供給することを
   特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体接
   合装置。
5. 【請求項５】 前記第２の供給手段によって供給される
   前記第２の不活性ガスが前記第１の基台に搭載された部
   品に供給されることを妨げる制御壁を具備することを特
   徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体接合
   装置。
6. 【請求項６】 前記第１の基台周囲に前記第１の基台の
   下部に位置し、突出するように設けられた第２の基台を
   具備することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに
   記載の半導体接合装置。
7. 【請求項７】 前記筐体の中の空間より前記開口部での
   前記不活性ガスのレイノルズ数を低くなるように設定し
   たことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の
   半導体接合装置。
8. 【請求項８】 前記第１の基台がヒータであることを特
   徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体接合
   装置。
9. 【請求項９】 前記第２の基台が放熱フィンであること
   を特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体
   接合装置。
10. 【請求項１０】 前記第１の不活性ガスおよび前記第２
    の不活性ガスは、窒素ガスあるいはアルゴンガスである
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の半
    導体接合装置。