JP2009069360A - 光素子実装方法、及び、光素子実装装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光導波路デバイスにおける光の入出射位置を、正確かつ低コストで確認する光素子実装方法、及び、光素子実装装置を提供する。
【解決手段】紫外光照射部４６を駆動させて、ステージ４２上の光導波路デバイス２０へ向かって紫外光を照射する。照射された紫外光は、第１導波路コア３０内で散乱または励起されて蛍光を示し、第１導波路コア３０の入射端面３１Ｂから出射される。したがって、この出射された光を画像中で輝度の高い部分（明るい部分）としてとらえることができ入射端面３１Ｂの位置を容易に確認することができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、発光素子や受光素子などの光素子を導波路へ実装するための光素子実装方法、及び、この光素子実装方法を実施するための光素子実装装置に関する。

近年、コンピュータの処理能力向上に伴い、コンピュータや各種装置間の電気配線がシステム全体の性能を制限する「配線ボトルネック」という問題が生じている。そして、配線ボトルネックを解消する手段として、機器内や機器間等の短距離の光配線（光インターコネクション）が注目されている。光インターコネクションの実現には通信分野と比較して経済的な光技術が求められ、構成部品と実装方法の両面からの低コスト化が課題である。

ところで、発光素子や受光素子などの光素子の光導波路への実装方法では、光素子の位置合わせとして、光素子を駆動させ光入力強度を監視して位置合わせを行うアクティブアライメントによる実装、光部品に用意された位置認識マークを手がかりに位置合わせを行うパッシブアライメントによる実装がある。アクティブアライメントでは、導波路の光の入出射位置を正確に判断することができるが、コスト高になる。一方、パッシブアライメントでは、位置認識マークからの相対位置として類推される光の入出射位置が、実際の光軸と必ずしも一致せず、正確な光結合の効率が低いという問題がある。

これに対し、特許文献１では、光源から出射される光を導波路内に入射し、入射した光が導波路を伝搬し、導波路から出射される。この出射した光を撮像装置によって撮像し、得られた画像に基づいて、光部品の位置決めを決定し、実装対象に光部品を実装する方法が提案されている。

しかし、特許文献１の方法では光導波路の受発光素子搭載位置（光の入射または出射位置）の一方に、すでに光素子が実装されていた場合には、導波路内への光の入射が困難であり、もう一方の光素子の実装に対して同様の方法を適用することはできない。その為、１の導波路への２つ目の光素子の実装については、従来からのアクティブアライメントによる実装でコスト高となるか、若しくはパッシブアライメントにより光結合効率が低下するという問題がある。

また、光源からの光を光導波路内に入射させる為には、光の入射手段を光導波路の入出射光の光軸上に配置する必要がある。その為、両端にマイクロミラーなどの９０度光路変換機能を備えた光導波路と、片端のみに９０度光路変換機能を備えた光導波路では、光の入射手段の位置を大きく変更する必要があり、実装装置の構成や段取り替えが煩雑になるという問題がある。
特開２００７−１７５５９公報

本発明は、上記問題を解決すべく成されたものであり、光導波路デバイスにおける光の入出射位置を、低コストで正確に確認する光素子実装方法、及び、光素子実装装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の態様の光素子実装方法は、光を導く導波路コアと、この導波路コアを包囲するクラッド部とを備えた高分子光導波路デバイスに、発光素子及び受光素子の少なくとも１つを含んで構成される光素子を実装する光素子実装方法であって、前記高分子光導波路デバイスへ紫外光を照射し、前記紫外光が照射された状態で前記導波路コアの光の入出射位置を含んで前記高分子光導波路デバイスを撮像装置により撮影し、前記撮影された画像中の明暗の差により、他部分よりも明るい部分または他部分よりも暗い部分が前記導波路コアの光の入出射位置であると判断して、前記導波路コアの光の入出射位置への前記発光素子及び前記受光素子の少なくとも一方の配置を行って前記光素子を実装する、ものである。

本発明の第１の態様の光素子実装方法では、導波路コアの形成されている高分子光導波路デバイスへ紫外光を照射する。照射された紫外光は、高分子光導波路デバイス中で散乱もしくは励起され、導波路コアおよび導波路コアを包囲するクラッド部を伝搬して光の入出射位置を含む導波路の端部から出射される。紫外光の照射による散乱および励起が主に導波路コア部を形成する材料において生じる場合、当該散乱および励起による光は、導波路コア端部の光の入出射位置より射出される。一方、紫外光照射による散乱と励起が主に導波路クラッド部で生じる場合には、光の入出射位置を除く導波路端部から射出される。そこで、紫外光が照射された状態で、この入出射位置を含んで高分子光導波路デバイスを撮像装置により撮影する。この出射光を撮影装置で撮影することにより、撮影された画像中の他部分よりも明るい部分または暗い部分を入出射位置として確認でき、導波路コアの光の入出射位置へ正確に発光素子及び受光素子の少なくとも一方の配置を行うことができる。

なお、本発明の第１の態様の光素子実装方法は、前記紫外光の光軸と前記撮像装置の光軸との成す角度が０°〜９０°であること、を特徴とすることができる。

光導波路デバイスに付属される治具で反射された光が撮像装置へ入り込むことを抑制するために、紫外光の光軸と撮像装置の光軸との成す角度は、０°〜９０°であることが好ましい。

また、本発明の第２の態様の光素子実装装置は、光を導く導波路コアと、この導波路コアを包囲するクラッド部とを備えた高分子光導波路デバイスへ紫外光を照射する光照射部と、前記導波路コアの光の入出射位置を含んで前記高分子光導波路デバイスを撮影する撮像装置と、を備えている。

本発明の第２の態様の光素子実装装置では、光照射部からの紫外光で高分子光導波路デバイスへ照射し、撮像装置で導波路コアの光の入出射位置を含んで高分子光導波路デバイスを撮影する。これにより、撮影された画像中に導波路コアの光の入出射位置から、もしくは、導波路コアの光の入出射位置を除く部分から出射される光を確認することができ、容易に導波路コアの端部、すなわち、光素子の実装位置を特定することができる。

なお、本発明の第２の態様の光素子実装装置は、前記撮像装置で撮影された画像中の他部分よりも明るい（暗い）部分に前記導波路コアの光の入出射位置が配置されていると判断する判断手段と、前記判断手段により判断された前記導波路コアの光の入出射位置に発光素子または受光素子を実装する実装手段と、を備えたことを特徴とすることもできる。

このように、判断手段による判断に基づいて、実装手段により適切な位置に光素子を実装することができる。

以上説明したように本発明によれば、紫外光を照射した状態での撮影画像に基づいて、光導波路デバイスにおける光の入出射位置を、低コストで正確に確認することができる。

図９には、光導波路デバイスと光導波路デバイスへ照射される光の関係が模式的に示されている。光導波路デバイスＤは、通常図９（Ａ）に示すように、伝搬する信号光の波長領域の他、可視光Ｋに対しても透明であり、信号光入出射部Ｃから信号光と同等の光軸に沿って入射される光以外は、屈折率の境界で屈折しながら光導波路デバイスＤを通過し、そのまま光導波路デバイスＤ外へ抜ける。そのため、光導波路デバイスＤの信号光入出射部Ｃを撮像しても、信号光の光軸を意識せずに可視光Ｋを照射した場合、信号光入出射部Ｃへ到達する光は僅かであり、信号光入出射部Ｃの位置（光結合位置）を認識することは困難である。

一方、高分子光導波路デバイスは、一般に短波長域で吸収を持ち、高分子光導波路デバイスを構成する高分子や重合開始剤は、紫外光Ｕの照射により蛍光を示す。そのため、紫外光Ｕが信号光の光軸以外から照射されたとしても、光導波路デバイスＤ内で散乱もしくは励起された光が光導波路デバイスＤのコア部（導波路部）を伝搬し、信号光の入出射部Ｃから出射される（図９（Ｂ）参照）。

また、光導波路デバイスＤ内のクラッド部における散乱もしくは励起が支配的である場合には、信号光の入出射部Ｃ以外の光導波路デバイス端部より出射される（図９（Ｃ）参照）。

本発明は、このような高分子光導波路の紫外光に対する特性を用いて、光の入射位置を特定するものである。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。

（光導波路デバイス及び光素子の構成）
まず、本発明に係る光素子実装方法によって実装される光素子としての発光素子１２Ｂを備えた発光部１２、光素子としての受光素子１４Ｂを備えた受光部１４、及び、光導波路デバイス２０について説明する。

光導波路デバイス２０は、図１に示すように、長方形板状のクラッド部２２を備えている。クラッド部２２は、光導波路デバイス２０の本体をなす部分であり、透明樹脂フィルムなどで構成することができる。クラッド部２２の長手方向の一端辺及び他端辺には、第１ミラー面２４、及び、第２ミラー面２６が構成されている。第１ミラー面２４、及び、第２ミラー面２６は、クラッド部２２の上面２２Ａと４５度の角度をなす傾斜面で構成され、光の光路を変換する光路変換面として機能する。なお、ここで４５度の角度は、機械的精度上、例えば±１０％程度振れていても良い。

クラッド部２２には、クラッド部２２に覆われるように、光を導く第１導波路コア３０及び第２導波路コア３２が形成されている。第１導波路コア３０及び第２導波路コア３２は、クラッド部２２よりも屈折率の高い材料で構成されている。

図２にも示すように、第１導波路コア３０は、クラッド部２２の長手方向に配置される第１上部導波路コア部３０Ａ及び、クラッド部２２の厚み方向に配置される第１端部導波路コア部３０Ｂ、３０Ｃとで構成されている。第１上部導波路コア部３０Ａは、一端が第１ミラー面２４に配置され、他端が第２ミラー面２６に配置されている。第１端部導波路コア部３０Ｂは、一端が第１上部導波路コア部３０Ａと第１ミラー面２４で連続され、他端がクラッド部２２の下面２２Ｄに配置されている。第１端部導波路コア部３０Ｃは、一端が第１上部導波路コア部３０Ａと第２ミラー面２６で連続され、他端がクラッド部２２の下面２２Ｄに配置されている。第１端部導波路コア部３０Ｂの下面２２Ｄ側の端面（以下「第１入射端面３１Ｂ」という）が、光の入射位置となり、第１端部導波路コア部３０Ｃの下面２２Ｄ側の端面（以下「第１出射端面３１Ｃ」という）が、光の出射位置となる。

第２導波路コア３２は、第１導波路コア３０と平行に配置され、第１上部導波路コア部３０Ａ、第１端部導波路コア部３０Ｂ、３０Ｃに各々対応する、第２上部導波路コア部３２Ａ、第２端部導波路コア部３２Ｂ、３２Ｃを備えている。第２導波路コア３２では、第２端部導波路コア部３２Ｂの下面２２Ｄ側の端面（以下「第２出射端面３３Ｂ」という）が、光の出射位置となり、第２端部導波路コア部３２Ｃの下面２２Ｄ側の端面（以下「第２入射端面３３Ｃ」という）が、光の入射位置となる。

第１端部導波路コア部３０Ｂ、３０Ｃ、および第２端部導波路コア部３２Ｂ、３２Ｃは省略することが可能である。このとき入射端面３１Ｂ、３３Ｂ、および出射端面３１Ｃ、３３Ｃを通過して入出射する信号光は、クラッド部２２の厚み方向に自由伝搬し、ミラー面２４および２６を介して第１導波路コア３０および第２導波路コア３２と結合する。

また、光導波路デバイス２０の長手方向の一方、または両方の端部はクラッド部上面２２Ａと９０度の角度を成すように構成されていても良い。このとき光の入出射位置は第１導波路コア３０Ａおよび第２導波路コア３２Ａの端部となる。

本実施形態の、光導波路デバイス２０は、例えば、シリコーン樹脂を用いた鋳型による複製方法、スタンパーを用いた方法、ダイシングソーを用いた切削による方法、直接露光法など、様々な方法を用いて製造することができる。また、ミラー面２４は、４５°の角度付きブレードを備えたダイシングソーを用いて切断することにより構成することができる。

なお、第１導波路コア３０及び第２導波路コア３２は、硬化性樹脂を用いて形成することができる。硬化性樹脂としては、放射線硬化性、電子線硬化性、熱硬化性等の樹脂を用いることができ、中でも紫外線硬化性樹脂及び熱硬化性樹脂が好ましく用いられる。紫外線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂としては、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物が好ましく用いられる。また、前記紫外線硬化性樹脂としてエポキシ系、ポリイミド系、アクリル系紫外線硬化性樹脂が好ましく用いられる。

また、クラッド部２２についても、硬化性樹脂を用いて形成することができる。クラッド部２２用のフィルムとしては、硬化性樹脂を塗布して硬化させた層、高分子材料の溶剤溶液を塗布して乾燥して得られる高分子膜等が挙げられる。硬化性樹脂としては紫外線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂が好ましく用いられ、例えば、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物を用いることができる。

発光部１２は、図１に示すように、基材１２Ａ及び発光素子１２Ｂを備えている。本実施形態では、発光素子１２Ｂとしてレーザ光を発光する複数の発光点が２次元配列された面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ；Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ）を用いることとする。なお、発光素子としては、面発光レーザに限定されるものではなく、ＬＥＤやその他の発光素子を用いることもできる。

受光部１４は、基板１４Ａ及び受光素子１４Ｂを備えている。本実施形態では、受光素子１４Ｂとしてフォトダイオードを用いる例について説明するが、フォトダイオードに限定されるものではなく、ＣＣＤやその他の受光素子を用いることもできる。

（光素子実装装置）
本発明の光素子実装方法は、図３に示す光素子実装装置４０で実施することができる。光素子実装装置４０は、ステージ４２、搬送実装部４４、紫外光照射部４６、及び、撮像装置４８を備えている。

ステージ４２は長方形板状とされ、長方形の長手方向Ｘ及び短手方向Ｙへ移動可能とされている。搬送実装部４４は、ステージ４２の上側に配置されており、アーム４４Ａで部材を短手方向Ｙの外側から保持可能とされている。搬送実装部４４についても長手方向Ｘ及び短手方向Ｙへ移動可能とされ、更に、ステージ４２の厚み方向Ｚにも移動可能とされている。

搬送実装部４４による発光部１２および受光部１４の保持は、図３に示した側面を挟み込む方法の他、吸着ノズルによって電子部品を真空吸着する方法がある。

紫外光照射部４６は、ステージ４２の上側にステージ４２の上面から離間して配置されている。紫外光照射部４６は、光軸がステージ面と平行になるように、ステージ４２へ向かって紫外光を出射可能とされている。なお、紫外光照射部４６から出射される紫外光は、必ずしも前述の角度で照射される必要はないが、撮像装置４８の光軸と紫外光照射部４６の光軸でなす角が、０°〜９０°の範囲であることが好ましい。光導波路デバイス２０に付属される治具で反射された光が撮像装置４８の受光部へ入り込むことを抑制するためである。また、ここでの紫外光は、波長２００ｎｍ〜３８０ｎｍの近紫外光であることが好ましい。波長が２００ｎｍ未満の遠紫外光は、光導波路デバイス２０へダメージを与えることを防止するためである。

紫外光照射部３６の光源としては、上記波長領域の紫外線を主成分とするあらゆる光源を用いることができ、例えば、放電灯、ＬＥＤ等を用いることができる。

高圧水銀灯やメタルハライドランプ等の放電灯は、複数の波長ピークをもつブロードなスペクトルの光を照射することが可能であるため、広範な材料で構成される光導波路デバイスに適応させることができる。なお、放電灯を使用する場合には、熱線による光素子の変形（寸法変化）を抑制するために、熱線カットフィルタを備えたものを使用することが好ましい。

また、ＬＥＤを紫外光照射部４６の光源として用いることにより、短波長の紫外光による高分子光導波路デバイス２０のダメージを防止することができる。また、熱線による光素子の変形（寸法変化）についても防止することができる。

撮像装置３８は、ステージ４２の上側にステージ４２の上面から離間して光軸がステージ面と約９０°の角度をなすように配置されている。撮像装置４８としては、可視域に感度を持つＣＣＤ撮像素子によるデジタルマイクロスコープなどを用いることができる。

（光素子実装方法）
次に、光素子実装装置４０を用いて光素子を実装する方法について説明する。

図４（Ａ）に示すように、ステージ４２上に光導波路デバイス２０を、実装面（下面２２Ｄ）が上側となるように載置する。また、発光素子１２Ｂがステージ４２側に向くように発光部１２を搬送実装部４４で保持する。

紫外光照射部４６を駆動させて、ステージ４２上の光導波路デバイス２０へ向かって紫外光を照射する。そして、撮像装置４８をＸ−Ｙ方向へ移動させて、入射端面３１Ｂの形成されている部分が含まれるように撮影する。ここで、照射された紫外光は、第１導波路コア３０内で散乱または励起されて蛍光を示し、第１導波路コア３０の入射端面３１Ｂから出射される。したがって、この出射された光を画像中で輝度の高い部分（明るい部分）としてとらえることができ（図５（Ａ）参照）、入射端面３１Ｂの位置を容易に確認することができる。確認ができたら、撮像装置４８を固定して、ステージ４２上での入射端面３１Ｂ位置を記憶しておく。

次に、搬送実装部４４を駆動させて、発光部１２を撮像装置４８と光導波路デバイス２０との間に移動させる。そして、前記固定した撮像装置４８で、発光部１２を発光素子１２Ｂの位置を撮影し、第１導波路コア３０の入射端面３１Ｂと発光素子１２Ｂの位置とが一致するように、搬送実装部４４をＸ−Ｙ方向へ移動させる（図４（Ｂ）参照）。

入射端面３１Ｂと発光素子１２Ｂの位置とが一致した地点で、搬送実装部３４をＺ方向下側へ移動させ、光導波路デバイス２０へ実装する（図４（Ｃ）参照）。

同様にして出射端面３１Ｃの位置を確認して、受光素子１４Ｂと出射端面３１Ｃとを一致させて、受光部１４を実装する。また、入射端面３３Ｃには発光部１２を、出射端面３３Ｂには受光部１４を、同様にして実装することができる。

本実施形態によれば、第１導波路コア３０、第２導波路コア３２の入出射端面から光が出射されるので、撮像装置４８を用いて、正確な入出射端面の位置を確認することができる。また、第１導波路コア３０、第２導波路コア３２の光軸方向に光を入射させる必要がないので、容易に入出射端面の位置を確認することができる。

一方、紫外光照射による散乱および励起が主としてクラッド部２２で生じる場合には、画像中の輝度の低い部分(暗い部分（図５（Ｂ））を入射端面の位置として、それ以外については、上記と同様の手法により光素子を実装することができる。

なお、紫外光が照射された状態の光導波路デバイス２０を撮像装置４８で撮影した後の第１入射端面３１Ｂ等の各入出射端面の確認、及び、確認された位置への発光部１２、受光部１４の配置及び実装は、自動的に行ってもよい。以下、高輝度部分が入出射位置となる場合について例示する。

自動的に行う場合には、光素子実装装置は、図６に示すように、制御部５０及び指示入力部５２をさらに備え、制御部５０を、指示入力部５２、撮像装置４８、紫外光照射部４６、ステージ４２、及び、搬送実装部４４と接続させる。指示入力部５２は、ユーザーが各種の指示を入力するための操作部であり、撮像装置４８、紫外光照射部４６、ステージ４２、及び、搬送実装部４４の駆動指示を入力可能とされている。制御部５０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどを含んで構成されており、光素子実装装置４０全体の制御や入出射端面の確認処理などを実行するための各種プログラムなどが格納されている。

紫外光が照射された状態の光導波路デバイス２０を撮像装置４８で撮影した後、指示入力部５２から入出射端面の確認処理開始指示が入力されると、制御部５０では、図７に示す入出射端面の確認処理が開始される。

まず、ステップＳ１０で撮影画像を記憶し、ステップＳ１２で記憶した画像の平均輝度を算出する。ステップＳ１４で平均輝度よりも所定値以上高い輝度でかつ所定サイズ以上の領域を高輝度領域として検出する。ここで検出された部分を入出射端面として判断し、ステップＳ１６で検出された位置を入出射端面位置Ｐ１として記憶する。このようにして、入出射端面位置を確認（判断）することができる。

次に、図８に示す、実装処理を実行する。本実施形態では、実装処理はユーザーからの実装処理開始指示が入力された後に開始される。この実装処理開始指示を入力する前に、搬送実装部４４に保持された状態の発光部１２または受光部１４を撮像装置４８で撮影し、発光素子１２Ｂの位置または受光素子１４Ｂの位置（光素子位置Ｐ２）を記憶しておく。実装処理開始指示が入力されると、まず、ステップＳ２０で、入出射端面位置Ｐ１及び光素子位置Ｐ２を読み出し、ステップＳ２２で、搬送実装部４４を、入出射端面位置Ｐ１と光素子位置Ｐ２とがＸ−Ｙ平面上で重なり合う位置へ移動させる。ステップＳ２４で、搬送実装部４４を、Ｚ方向下側へ移動させて、発光部１２または受光部１４を光導波路デバイス２０上へ実装する。

このようにして、自動的に光導波路デバイス２０へ光素子を実装することができる。

なお、上記実施形態では、光導波路デバイス２０を光素子実装装置４０のステージ４２上に載置し、光素子を搬送実装部４４で保持しつつ移動させて実装を行ったが、光素子をステージ４２上に載置し、光導波路デバイス２０を搬送実装部４４で保持しつつ移動させて実装を行ってもよい。

前述の実施形態における、発光部１２、受光部１４として、レーザーダイオード、フォトダイオードが、受光点−発光点間距離を５００μｍとして固定されたセラミックパッケージを用意した。また、エポキシ系樹脂によって構成され、５００μｍの間隔で平行に埋設された２本のコアを有し、光の伝播方向の一端に４５度傾斜面による光路変換機能を有する高分子光導波路デバイスを用意した。

無負荷状態での実装精度が±１μｍである光素子実装機の実装ステージ上に、前記セラミックパッケージを設置し、また、前記高分子光導波路デバイスの４５度傾斜面による信号光の出射部が実装ステージ側となるように光素子実装機の搬送実装部に取り付けた。
高圧水銀灯を光源とする紫外光を光導波路デバイスに対して照射した。このとき、紫外光は前記光導波路デバイスの２本の導波路コアを含む面に平行に、導波路コアの延伸方向に対して３０度となる角度で、光導波路デバイスからライトガイドの距離が４０ｍｍとなる位置から照射した。

搬送実装部を望む撮像装置により、光導波路デバイスの４５度傾斜面のコア部が明確に撮像され、コア部とレーザーダイオード発光点が同一位置となるように光導波路デバイスを移動させ、実装を行った。

光導波路デバイスと受発光素子の理想位置からのズレは２μｍであり、良好な光接続が確認された。

本実施の形態の高分子光導波路デバイス、発光部、及び受信部を示す斜視図である。 本実施の形態の高分子光導波路デバイスの、（Ａ）は長手方向の断面図であり、（Ｂ）は短手方向の断面図である。 本実施の形態の光素子実装装置の概略図である。 本実施形態の光素子実装装置での実装手順（Ａ）〜（Ｃ）の説明図である。 本実施形態の高分子光導波路デバイスへ紫外光を照射したときの入出射位置を示す図である。 本実施の形態の光素子実装装置の変形例の概略ブロック図である。 入出射端面の確認処理のフローチャートである。 実装処理のフローチャートである。 光導波路デバイスへ、可視光を照射した場合（Ａ）と、紫外光を照射した場合（Ｂ）（Ｃ）とを模式的に示した図である。

符号の説明

１２ 発光部
１２Ｂ 発光素子
１４ 受光部
１４Ｂ 受光素子
２０ 光導波路デバイス
２２ クラッド部
２４ 第１ミラー面
２６ 第２ミラー面
３０ 第１導波路コア
３１Ｃ 出射端面
３１Ｂ 入射端面
３２ ステージ
３２ 第２導波路コア
３３Ｂ 出射端面
３３Ｃ 入射端面
３４ 搬送実装部
３６ 紫外光照射部
３８ 撮像装置
４０ 光素子実装装置
４２ ステージ
４４ 搬送実装部
４５ 光導波路
４６ 紫外光照射部
４８ 撮像装置
５０ 制御部
５２ 指示入力部

Claims (6)

1. 光を導く導波路コアと、この導波路コアを包囲するクラッド部と、を備えた高分子光導波路デバイスに、発光素子及び受光素子の少なくとも１つを含んで構成される光素子を実装する光素子実装方法であって、
   前記高分子光導波路デバイスへ紫外光を照射し、
   前記紫外光が照射された状態で前記導波路コアの光の入出射位置を含んで前記高分子光導波路デバイスを撮像装置により撮影し、
   前記撮影された画像中の明暗の差により、他部分よりも明るい部分、または他部分よりも暗い部分が前記導波路コアの光の入出射位置であると判断して、前記導波路コアの光の入出射位置への前記発光素子及び前記受光素子の少なくとも一方の配置を行って前記光素子を実装する、光素子実装方法。
2. 前記紫外光の光軸と前記撮像装置の光軸との成す角度が０°〜９０°であること、を特徴とする請求項１に記載の光素子実装方法。
3. 前記紫外光の発光素子が放電灯であること、を特徴とする請求項１または請求項２に記載の光素子実装方法。
4. 前記紫外光の発光素子が発光ダイオードであること、を特徴とする請求項１または請求項２に記載の光素子実装方法。
5. 光を導く導波路コアと、この導波路コアを包囲するクラッド部とを備えた高分子光導波路デバイスへ紫外光を照射する光照射部と、
   前記導波路コアの光の入出射位置を含んで前記高分子光導波路デバイスを撮影する撮像装置と、
   を備えた光素子実装装置。
6. 前記撮像装置で撮影された画像中の明暗の差により、他部分よりも明るい部分、または他部分よりも暗い部分に前記導波路コアの光の入出射位置が配置されていると判断する判断手段と、
   前記判断手段により判断された前記導波路コアの光の入出射位置に発光素子または受光素子を実装する実装手段と、
   を備えた請求項５に記載の光素子実装装置。

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