JP2009066773A - インプリント用モールドおよび微細パターン形成方法 - Google Patents
インプリント用モールドおよび微細パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009066773A JP2009066773A JP2007234539A JP2007234539A JP2009066773A JP 2009066773 A JP2009066773 A JP 2009066773A JP 2007234539 A JP2007234539 A JP 2007234539A JP 2007234539 A JP2007234539 A JP 2007234539A JP 2009066773 A JP2009066773 A JP 2009066773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imprint mold
- mold
- substrate
- side wall
- imprint
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
【課題】インプリント用モールドの凹凸パターンのうち、特に凸部の根元部に対する応力集中を緩和してインプリントモールドの寿命を向上させ、プロセスコストで低減したインプリント用モールドおよびそれを用いた微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板20の上に加工材料である光硬化性樹脂22を塗布し、その上面にインプリント用モールド30を重ね、加熱しながら圧力を加え、紫外線を照射して硬化させた後、離型する。このインプリント用モールド30に凹凸の微細構造を形成する際、凹部は、底部、側壁部、および底部と側壁部との間で傾きが連続的に変化するラウンド部を備えた形状とする。
【選択図】図4
【解決手段】基板20の上に加工材料である光硬化性樹脂22を塗布し、その上面にインプリント用モールド30を重ね、加熱しながら圧力を加え、紫外線を照射して硬化させた後、離型する。このインプリント用モールド30に凹凸の微細構造を形成する際、凹部は、底部、側壁部、および底部と側壁部との間で傾きが連続的に変化するラウンド部を備えた形状とする。
【選択図】図4
Description
この発明は、基板上に微細構造を形成する際に用いるインプリント用モールドおよび微細パターン形成方法に関するものである。
インプリント法を用いたパターン形成方法に関して特許文献1,特許文献2が開示されている。
ここで特許文献1,2に示されている従来のインプリント法によるパターン形成方法について図1を基に説明する。
ここで特許文献1,2に示されている従来のインプリント法によるパターン形成方法について図1を基に説明する。
まず図1(A)に示すように、基板20の上面に光硬化性樹脂22を塗布し、(B)に示すように、凹凸を有するインプリント用モールド10を必要に応じて加熱しながら光硬化性樹脂22に対して押しつけ、光硬化性樹脂22を硬化させる。その後、硬化した光硬化性樹脂24からインプリント用モールド10を離型する。
特開2000−194142号公報
特表2006−521682号公報
ところが前記従来のインプリント法によるパターン形成方法では、インプリント用モールドのプレス時または離型時にインプリント用モールドの凸部の根元部分(図1(D)のx部分)に応力が集中する。そのため、インプリント用モールドを繰り返し用いると、上記応力集中によりインプリント用モールドの凹凸パターンが、ある時点で破壊してしまうという問題があった。
図2はその応力集中により発生したクラックの様子を示している。図2は凸部を上方に向けた走査型電子顕微鏡写真である。このように凸部の根元部の左右にそれぞれクラックが生じている。
図2はその応力集中により発生したクラックの様子を示している。図2は凸部を上方に向けた走査型電子顕微鏡写真である。このように凸部の根元部の左右にそれぞれクラックが生じている。
そのため、インプリント法により大量のパターンを形成する場合には、インプリント用モールドを予め大量に準備しておく必要があり、このことがプロセスコストの増大を招いていた。
そこで、この発明の目的は、インプリント用モールドの凹凸パターンのうち、特に凸部の根元部に対する応力集中を緩和してインプリントモールドの寿命を向上させ、前述の問題を解消したインプリント用モールドおよびそれを用いた微細パターン形成方法を提供することにある。
前記課題を解決するためにこの発明のインプリント用モールドは、
基板上に形成する微細構造に対応する位置に凹部を備えた基材からなり、
前記凹部は、底部、側壁部、および前記底部と前記側壁部との間で傾きが連続的に変化するラウンド部を備えた形状とする。
基板上に形成する微細構造に対応する位置に凹部を備えた基材からなり、
前記凹部は、底部、側壁部、および前記底部と前記側壁部との間で傾きが連続的に変化するラウンド部を備えた形状とする。
また、この発明の微細パターン形成方法は、基板に光硬化性樹脂を塗布して光硬化性樹脂膜を形成する工程と、
加熱しながら前記光硬化性樹脂膜にモールドの凹部形成面を圧着する工程と、
前記モールドの前記凹部とは反対面側から光を照射する工程と、
前記基板から前記モールドを引き離す工程と、
を備える微細パターン形成方法であって、
前記モールドの前記凹部は、底部、側壁部、および前記底部と前記側壁部との間で傾きが連続的に変化するラウンド部を備えた形状とする。
加熱しながら前記光硬化性樹脂膜にモールドの凹部形成面を圧着する工程と、
前記モールドの前記凹部とは反対面側から光を照射する工程と、
前記基板から前記モールドを引き離す工程と、
を備える微細パターン形成方法であって、
前記モールドの前記凹部は、底部、側壁部、および前記底部と前記側壁部との間で傾きが連続的に変化するラウンド部を備えた形状とする。
このように、底部から側壁部にかけてラウンド部を備えることにより、インプリント用モールドの底部から側壁部にかけての部位(すなわち凸部の根元部)に応力集中(ストレス)が掛かることがなくクラックの発生が防止できる。
また、前記ラウンド部は平面または複数の平面で構成してもよいが、このラウンド部を曲面で構成すれば、インプリント用モールドのパターン全体に応力集中が掛かることがなくパターンの破壊がより効果的に防止できる。
さらに、前記底部と前記側壁部との間のなす角度を90°よりも大きくし、前記凹部の開口を前記底部よりも広くすれば、インプリント用モールドを基板から剥がしやすくなり、その分さらにインプリント用モールドに掛かる応力集中を軽減できる。
この発明によれば、プレスおよび離型の際の応力集中が緩和されて損傷を防止することができ、インプリント用モールドの凹凸パターンの長寿命化が図れる。そのためプロセスコストを増大させることなく微細パターンを形成することができる。
《第1の実施形態》
図3は第1の実施形態に係るインプリント用モールドの構成およびその製造手順を示す図である。製造手順の各段階を図3の(A)〜(G)に合わせて説明する。
図3は第1の実施形態に係るインプリント用モールドの構成およびその製造手順を示す図である。製造手順の各段階を図3の(A)〜(G)に合わせて説明する。
(A)石英基板31を用意する。
(B)石英基板31の上面に給電膜(Ti膜およびCu膜)32を、蒸着法によりTi0.01μm、Cu0.1μmの順に成膜する。
(C)給電膜32の上面にフォトリソグラフィによりレジスト膜33をパターン化する。
(D)後にRIEマスクとなるNi膜34を電解メッキ法により1μm成膜する。
(E)全体を有機溶剤に浸漬することによりレジスト膜33を除去する。
(F)給電膜32の露出している不要な部分をエッチングにより除去する。
(G)Ni膜34をマスクとしてRIE(反応性イオンエッチング)により石英基板31に所望の深さを有する凹部35を形成する。
(B)石英基板31の上面に給電膜(Ti膜およびCu膜)32を、蒸着法によりTi0.01μm、Cu0.1μmの順に成膜する。
(C)給電膜32の上面にフォトリソグラフィによりレジスト膜33をパターン化する。
(D)後にRIEマスクとなるNi膜34を電解メッキ法により1μm成膜する。
(E)全体を有機溶剤に浸漬することによりレジスト膜33を除去する。
(F)給電膜32の露出している不要な部分をエッチングにより除去する。
(G)Ni膜34をマスクとしてRIE(反応性イオンエッチング)により石英基板31に所望の深さを有する凹部35を形成する。
上記RIEの条件は次のとおりである。
[ステップ1]
ガス(流量):C4F8(50sccm)、O2(5sccm)
背圧:0.67Pa
バイアス:400W
処理温度:60℃
処理時間:20分
[ステップ2]
ガス(流量):C4F8(50sccm)
背圧 :0.67Pa
バイアス :400W
処理温度 :60℃
処理時間 :5分
ステップ1ではガスにO2を混入することで、石英の側壁や底部への有機膜(C4F8プラズマ起因のフッ素系有機膜)形成が抑制される。すなわち、O2の混入によりO2プラズマが生じ、O2プラズマにより上記フッ素系有機膜がアッシングされて、減少する。そのため基板面に対してほぼ垂直にエッチングされる。一方、ステップ2ではO2を混入していないため、C4F8ガスにより石英の側壁や底部に有機膜が形成される。この有機膜が石英材料のエッチングを阻害する。石英の底部は、バイアスによって加速されたイオンソースにより物理的にエッチングされるが、側壁に近づくにつれ物理的なエッチングが低下するため、モールドの底部が丸くなる。すなわち凹部の底部から側壁にかけて、凹部内面の傾きが連続的に変化するラウンド部となる。
[ステップ1]
ガス(流量):C4F8(50sccm)、O2(5sccm)
背圧:0.67Pa
バイアス:400W
処理温度:60℃
処理時間:20分
[ステップ2]
ガス(流量):C4F8(50sccm)
背圧 :0.67Pa
バイアス :400W
処理温度 :60℃
処理時間 :5分
ステップ1ではガスにO2を混入することで、石英の側壁や底部への有機膜(C4F8プラズマ起因のフッ素系有機膜)形成が抑制される。すなわち、O2の混入によりO2プラズマが生じ、O2プラズマにより上記フッ素系有機膜がアッシングされて、減少する。そのため基板面に対してほぼ垂直にエッチングされる。一方、ステップ2ではO2を混入していないため、C4F8ガスにより石英の側壁や底部に有機膜が形成される。この有機膜が石英材料のエッチングを阻害する。石英の底部は、バイアスによって加速されたイオンソースにより物理的にエッチングされるが、側壁に近づくにつれ物理的なエッチングが低下するため、モールドの底部が丸くなる。すなわち凹部の底部から側壁にかけて、凹部内面の傾きが連続的に変化するラウンド部となる。
上記RIE条件により、凹部内面の傾きが底部から側壁にかけて連続的に変化し、ラウンド部の曲率半径が5μmのモールドパターンを形成できる。
その後、インプリント用モールド30に対して離型剤処理を行う。
たとえば離型剤としてオプツールDSX(ダイキン工業製)を用い、この離型剤に1分間ディッピングする。
たとえば離型剤としてオプツールDSX(ダイキン工業製)を用い、この離型剤に1分間ディッピングする。
離型剤としてはこれ以外にもフッ素系樹脂やシリコーン系樹脂、シランカップリング剤等を用いることもできる。
このようにインプリント用モールドの凸部の根元部を丸くすることによって、プレス時や離型時の凸部の根元部への応力集中を緩和することができる。これにより、インプリントプロセスによるインプリント用モールドの破損を抑制できるため、プロセスコストを低減できる。
上記Rは3μm以上とすることによって離型性が向上し、パターン欠陥を抑制できる。
上述の例では石英基板31を用いたが、基板は石英以外にも、ガラス、Si、金属材料、セラミック、プラスチックなどでもよい。
また、RIEマスクとしてNi以外にCr、Cu、Ti、Al、Cu、レジストなどを用いることができる。
また、RIEマスクの成膜にはメッキ法以外にも、リフトオフ法、ドライエッチング法などを用いてもよい。
また、必要とする凹部35の深さに応じて上記ステップ1の処理時間を変えてもよい。
また、パターンの開口率などパターンレイアウトによってRIEの適正処理条件は異なる。RIE条件はパターンレイアウトに応じた適正処理条件を選択して行う。
さらに、必要に応じて、ウエットエッチング等の方法でNi膜(RIEマスク)を除去しても良い。
《第2の実施形態》
第2の実施形態ではインプリント法による微細パターン形成方法について示す。
(1)インプリント用モールドと加工材料は以下のとおりである。
[インプリント用モールド]
第1の実施形態で示した製造方法により、図4(A)に示す寸法・形状に形成したインプリント用モールド30を用いる。
第2の実施形態ではインプリント法による微細パターン形成方法について示す。
(1)インプリント用モールドと加工材料は以下のとおりである。
[インプリント用モールド]
第1の実施形態で示した製造方法により、図4(A)に示す寸法・形状に形成したインプリント用モールド30を用いる。
図4(A)において、各部の寸法は次のとおりである。
石英基板の厚みT:0.5mm
凸部の頂部の幅w:5μm
凹部の深さd:7μm
凹部の底部と側壁部とのなす角度θ:100°
凹部内面のラウンド部の曲率R:3μm以上
[加工材料]
熱可塑性の光硬化性樹脂(ガラス転移温度(Tg)=40℃)
ここで、離型を容易にするための、凹部底部と側壁部とのなす角度θは、約95°以上であることが望ましいが、その限りではない。
石英基板の厚みT:0.5mm
凸部の頂部の幅w:5μm
凹部の深さd:7μm
凹部の底部と側壁部とのなす角度θ:100°
凹部内面のラウンド部の曲率R:3μm以上
[加工材料]
熱可塑性の光硬化性樹脂(ガラス転移温度(Tg)=40℃)
ここで、離型を容易にするための、凹部底部と側壁部とのなす角度θは、約95°以上であることが望ましいが、その限りではない。
また、加工材料は、熱可塑性であればよく、必ずしも光硬化性を有する必要はない。
加工材料としては、例えばアクリル系光硬化性樹脂、PET、PMMAなどを使用できる。
加工材料としては、例えばアクリル系光硬化性樹脂、PET、PMMAなどを使用できる。
加工材料のガラス転移温度Tgについてもこの限りではない。
また、言うまでもなくインプリント用モールドの基板材質・厚み、凹部の深さ、凸部の幅はこの限りではなく、必要に応じて定めればよい。
また、言うまでもなくインプリント用モールドの基板材質・厚み、凹部の深さ、凸部の幅はこの限りではなく、必要に応じて定めればよい。
(2)上記インプリント用モールドを準備した後、図4(B)に示すように、基板20上に光硬化性樹脂22をスクリーン印刷法で10μmの厚さに形成する。
塗布方法はこの限りではなく、例えばスピンコート法などによってもよい。
塗布方法はこの限りではなく、例えばスピンコート法などによってもよい。
(3)次に、図4(C)に示すように、基板20にインプリント用モールド30を重ね合わせ、70℃に加熱しながら10MPaの圧力で押し付ける。
このときの加熱温度は光硬化性樹脂のTg以上であればよい。圧力は光硬化性樹脂22に所望の凹凸を形成でき、かつ光硬化性樹脂22が熱硬化しない範囲であればよい。
(4)その後、光硬化性樹脂22とインプリント用モールド30を冷却する。
(5)続いて、露光量100mJ/cm2で光硬化性樹脂22を紫外線露光する。
照射量は、光硬化性材料の感度によって決まる。通常10mJ/cm2〜1000mJ/cm2が適当であるが、この限りではない。例えば冷却のみで樹脂パターンが充分な強度が得られる場合には、この露光工程は省略してもよい。
また、露光は前記冷却が完了する前に行ってもよい。
また、露光は前記冷却が完了する前に行ってもよい。
(6)最後に、図4(D)に示すように、インプリント用モールド30を撓ませながら、硬化後の光硬化性樹脂25から離型する。
このようにインプリント用モールドを撓ませることで、撓みによって生じる応力が利用でき、離型に必要な力を抑えることができる。そのため、インプリント用モールドの基板(石英基板)や加工材料(樹脂)に対する負荷を低減でき、歩留まりが向上する。
このようにインプリント用モールドを撓ませることで、撓みによって生じる応力が利用でき、離型に必要な力を抑えることができる。そのため、インプリント用モールドの基板(石英基板)や加工材料(樹脂)に対する負荷を低減でき、歩留まりが向上する。
また、このようにインプリント用モールドを撓ませる離型方法によると、通常ならインプリント用モールドの凸部に対して横方向の負荷が加わるため、凸部の根元部への応力集中のためにインプリント用モールドの基板および微細パターンが破壊しやすいが、この発明のインプリント用モールドは、凹部内面の傾きが連続的に変化するラウンド部であり、凹部内面の傾きが底部から側壁にかけて連続的に変化する形状であるため、上記応力集中が緩和され、インプリント用モールドの微細パターンの破壊は抑制できる。そのため、インプリント用モールドの基板、微細パターン、および加工材料のパターンのそれぞれの破損を抑制でき、歩留まりが向上する。特にアスペクト1以上の高アスペクトパターンではこの効果が顕著である。
10,30−インプリント用モールド
20−基板
22−光硬化性樹脂(硬化前)
24,25−光硬化性樹脂(硬化後)
31−石英基板
32−給電膜(Cu膜)
33−レジスト膜
34−ニッケル膜
35−凹部
20−基板
22−光硬化性樹脂(硬化前)
24,25−光硬化性樹脂(硬化後)
31−石英基板
32−給電膜(Cu膜)
33−レジスト膜
34−ニッケル膜
35−凹部
Claims (6)
- 基板上に形成する微細構造に対応する位置に凹部を備えた基材からなるインプリント用モールドであって、
前記凹部は、底部、側壁部、および前記底部と前記側壁部との間で傾きが連続的に変化するラウンド部を備えた形状であることを特徴とするインプリント用モールド。 - 前記ラウンド部は曲面からなる、請求項1に記載のインプリント用モールド。
- 前記底部と前記側壁部との間のなす角度が90°よりも大きく、前記凹部の開口が前記底部よりも広い、請求項1または2に記載のインプリント用モールド。
- 基板に光硬化性樹脂を塗布して光硬化性樹脂膜を形成する工程と、
加熱しながら前記光硬化性樹脂膜にモールドの凹部形成面を圧着する工程と、
前記モールドの前記凹部とは反対面側から光を照射する工程と、
前記基板から前記モールドを引き離す工程と、
を備える微細パターン形成方法であって、
前記モールドの前記凹部は、底部、側壁部、および前記底部と前記側壁部との間で傾きが連続的に変化するラウンド部を備えた形状であることを特徴とする微細パターン形成方法。 - 前記ラウンド部は曲面からなる、請求項4に記載の微細パターン形成方法。
- 前記底部と前記側壁部との間のなす角度が90°よりも大きく、前記凹部の開口が前記底部よりも広い、請求項4または5に記載の微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007234539A JP2009066773A (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | インプリント用モールドおよび微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007234539A JP2009066773A (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | インプリント用モールドおよび微細パターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009066773A true JP2009066773A (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=40603564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007234539A Pending JP2009066773A (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | インプリント用モールドおよび微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009066773A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012212779A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Fujifilm Corp | モールドの製造方法 |
JP2016048762A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-07 | 株式会社東芝 | パターンデータ作成方法、テンプレートおよび半導体装置の製造方法 |
JP2018101782A (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | キヤノン株式会社 | リセッションを含むインプリントリソグラフィのためのテンプレート、そのテンプレートを使用する装置及び物品を製造する方法 |
-
2007
- 2007-09-10 JP JP2007234539A patent/JP2009066773A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012212779A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Fujifilm Corp | モールドの製造方法 |
TWI483308B (zh) * | 2011-03-31 | 2015-05-01 | Fujifilm Corp | 模具的製造方法 |
JP2016048762A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-07 | 株式会社東芝 | パターンデータ作成方法、テンプレートおよび半導体装置の製造方法 |
US9971342B2 (en) | 2014-08-28 | 2018-05-15 | Toshiba Memory Corporation | Pattern data creating method, template, and semiconductor device manufacturing method |
JP2018101782A (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | キヤノン株式会社 | リセッションを含むインプリントリソグラフィのためのテンプレート、そのテンプレートを使用する装置及び物品を製造する方法 |
JP7005325B2 (ja) | 2016-12-21 | 2022-01-21 | キヤノン株式会社 | テンプレート、インプリントリソグラフィのための装置及び半導体デバイスを製造する方法 |
US11670509B2 (en) | 2016-12-21 | 2023-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Template for imprint lithography including a recession, an apparatus of using the template, and a method of fabricating an article |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3907504B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用モールド | |
JP5499668B2 (ja) | インプリント用モールドおよび該モールドを用いたパターン形成方法 | |
JP5935385B2 (ja) | ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法及びレプリカテンプレート | |
JP2011066238A (ja) | パターン形成用テンプレートの作製方法 | |
JP4262267B2 (ja) | モールド、インプリント装置及びデバイスの製造方法 | |
JP2008078550A (ja) | インプリントモールドおよびその製造方法およびパターン形成方法 | |
JP2007027361A (ja) | インプリント用モールド | |
JP2010287625A (ja) | テンプレート及びパターン形成方法 | |
JP4307040B2 (ja) | 微細表面構造をもつ物品の製造方法 | |
JP2008119870A (ja) | インプリントモールド | |
JP2008200997A (ja) | ナノインプリント用金型の製造方法 | |
WO2005106931A1 (ja) | 形状転写方法 | |
JP2009066773A (ja) | インプリント用モールドおよび微細パターン形成方法 | |
JP5114848B2 (ja) | インプリント用モールドの欠陥修正方法及びインプリント用モールドの製造方法 | |
JP6106949B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5349777B2 (ja) | 光学素子の製造方法 | |
JP2007210275A (ja) | インプリント用モールド | |
JP5326192B2 (ja) | インプリント用モールド及びインプリント用モールド製造方法 | |
JP2007035998A (ja) | インプリント用モールド | |
JP2009194170A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
JP6036865B2 (ja) | インプリント用モールド | |
JP5376930B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2009217903A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP5790798B2 (ja) | インプリント用モールドおよび該モールドを用いたパターン形成方法 | |
JP2011199136A (ja) | インプリント用モールド及びその作製方法並びにパターン転写体 |