JP2009065642A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 遮光されていない複数の画素部を有する有効画素部と遮光された複数の画素部を有する遮光画素部とを有する撮像素子と、前記有効画素部からの出力信号の基準値を設定する信号処理部と、撮影条件又は環境条件に応じて、前記遮光画素部における前記基準値の設定に用いる領域を切り替える制御部とを有する撮像装置を提供する。
【選択図】 図5
Description
図1において、101はレンズおよび絞りからなる光学系である。102はメカニカルシャッタである。103は入射光を電気信号に変換する撮像素子である。104は撮像素子103から出力される画像信号に対してアナログ信号処理を行うアナログ信号処理回路である。105はアナログ信号処理回路104の内部において相関二重サンプリングを行うCDS回路である。106はアナログ信号処理回路104の内部においてアナログ信号を増幅させる信号増幅器である。107はOBクランプを行うクランプ回路である。108はアナログ信号処理回路104の内部においてアナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換器である。110は撮像素子103およびアナログ信号処理回路104を動作させる信号を発生するタイミング信号発生回路である。111は光学系101、メカニカルシャッタ102および撮像素子103の駆動回路である。112は撮影した画像データに必要なデジタル信号処理を行うデジタル信号処理回路である。113は信号処理された画像データを記憶する画像メモリである。114は撮像装置から取り外し可能な記録媒体である。115は信号処理された画像データを記録媒体114に記録する記録回路である。116は信号処理された画像データを表示する画像表示装置である。117は画像表示装置116に画像を表示するための制御を行う表示回路である。118は撮像装置全体を制御するシステム制御部である。このシステム制御部118は、タイミング信号発生回路110、駆動回路111、デジタル信号処理回路112、画像メモリ113、記録回路115、表示回路117、不揮発性メモリ119、および、揮発性メモリ120の動作を制御する。119はシステム制御部118で実行される制御方法を記載したプログラム、プログラムを実行する際に使用されるパラメータ、および、キズアドレス等の補正データを記憶しておく不揮発性メモリ(ROM)である。120は不揮発性メモリ119に記憶されたプログラム、制御データおよび補正データを必要に応じて記憶する揮発性メモリ(RAM)である。121は撮像素子103あるいはその周辺回路の温度を検出する温度検出部である。122は撮像素子103の蓄積時間を設定する蓄積時間設定部である。システム制御部118は、蓄積時間設定部122で設定された蓄積時間に応じて、タイミング信号発生回路110に撮像素子103の駆動の指示を送る。123はISO感度設定などの撮影条件設定や、静止画撮影と動画撮影の切り替えなどを行う、撮影モード設定部である。
図3は本発明の第1の実施形態におけるアナログ信号処理回路104を詳細に説明するためのブロック図である。
図4は本発明の第2の実施形態におけるデジタル信号処理回路112を詳細に説明するためのブロック図である。
102 メカニカルシャッタ
103 撮像素子
104 アナログ信号処理回路
105 CDS回路
106 信号増幅器
107 クランプ回路
108 A/D変換器
110 タイミング信号発生回路
111 駆動回路
112 デジタル信号処理回路
113 画像メモリ
114 記録媒体
115 記録回路
116 画像表示装置
117 表示回路
118 システム制御部
119 不揮発性メモリ
120 揮発性メモリ
121 温度検出部
122 蓄積時間設定部
123 撮影モード設定部
Claims (14)
- 被写体像を受光して画像信号を生成する有効画素部と、遮光された複数の画素部を有する遮光画素部とを有する撮像素子と、
前記有効画素部からの出力信号の基準値を設定する信号処理部と、
前記撮像素子の蓄積時間、前記撮像素子の環境温度、および、前記撮像素子から出力された信号のゲインの少なくともいずれかに応じて、前記遮光画素部における前記基準値の設定に用いる領域を切り替える制御部を有し、
前記遮光画素部は、構成の異なる第1の遮光画素部と第2の遮光画素部を備え、
前記制御部は、前記基準値の設定に用いる領域として、第1の遮光画素部を用いる場合と、前記第1の遮光画素部と前記第2の遮光画素部との両方を用いる場合を、切り替えることを特徴とする撮像装置。 - 第1の遮光画素部と前記第2の遮光画素部のうち、前記第1の遮光画素部のみが光電変換素子を有することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 第1の遮光画素部と前記第2の遮光画素部は光電変換素子を有し、
第1の遮光画素部と前記第2の遮光画素部のうち、前記第1の遮光画素部のみが光電変換素子にて生成された電荷を出力するための層を有することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記制御部は、前記撮像素子の蓄積時間が閾値未満であれば、前記第1の遮光画素部と前記第2の遮光画素部との両方の出力信号を用いて前記基準値を設定し、前記撮像素子の蓄積時間が閾値以上であれば、前記第1の遮光画素部のみの出力信号を用いて前記基準値を設定することを特徴とする請求項2または3に記載の撮像装置。
- 前記制御部は、前記撮像素子の出力信号のゲインが閾値以上であれば、前記第1の遮光画素部と前記第2の遮光画素部との両方の出力信号を用いて前記基準値を設定し、前記撮像素子の蓄積時間が閾値未満であれば、前記第1の遮光画素部のみの出力信号を用いて前記基準値を設定することを特徴とする請求項2または3に記載の撮像装置。
- 前記制御部は、前記撮像素子の環境温度が閾値未満であれば、前記第1の遮光画素部と前記第2の遮光画素部との両方の出力信号を用いて前記基準値を設定し、前記撮像素子の環境温度が閾値以上であれば、前記第1の遮光画素部のみの出力信号を用いて前記基準値を設定することを特徴とする請求項2または3に記載の撮像装置。
- 前記信号処理部は、前記遮光画素部の信号に基づいて、前記有効画素部の信号の基準値を調整するフィードバック方式のクランプ回路で構成されており、
前記撮像素子の蓄積時間、前記撮像素子の環境温度、および、前記撮像素子から出力された信号のゲインの少なくともいずれかに応じて、フィードバックゲインを切り替えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の撮像装置。 - 前記クランプ回路は、前記撮像素子の蓄積時間が閾値未満であれば、閾値以上である場合に比較して、前記フィードバックゲインを高く設定することを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。
- 前記クランプ回路は、前記撮像素子の環境温度が閾値未満であれば、閾値以上である場合に比較して、前記フィードバックゲインを高く設定することを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。
- 前記クランプ回路は、前記撮像素子の出力信号のゲインが閾値以上であれば、閾値未満である場合に比較して、前記フィードバックゲインを高く設定することを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。
- 前記信号処理部は、前記撮像素子の行毎に前記有効画素部の信号の基準値を算出し、
前記撮像素子の蓄積時間、前記撮像素子の環境温度、および、前記撮像素子から出力された信号のゲインの少なくともいずれかに応じて、前記基準値を平滑化するか否かを切り替えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の撮像装置。 - 前記信号処理部は、前記撮像素子の蓄積時間が閾値未満であれば、前記基準値の平滑化を行わず、前記撮像素子の蓄積時間が閾値以上であれば、前記基準値の平滑化を行うことを特徴とする請求項11に記載の撮像装置。
- 前記信号処理部は、前記撮像素子の環境温度が閾値未満であれば、前記基準値の平滑化を行わず、前記撮像素子の環境温度が閾値以上であれば、前記基準値の平滑化を行うことを特徴とする請求項11に記載の撮像装置。
- 前記信号処理部は、前記撮像素子の出力信号のゲインが閾値以上であれば、前記基準値の平滑化を行わず、前記撮像素子の出力信号のゲインが閾値未満であれば、前記基準値の平滑化を行うことを特徴とする請求項11に記載の撮像装置。
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