JP2009062251A - 多結晶シリコンの製造装置及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】反応炉に対をなして立設されているシリコン芯棒の対向側面にも原料ガスを十分に行き渡らせて、シリコン芯棒の上端部にも多結晶シリコンを有効にかつ表面状態良く析出させ、シリコンロッド表面の凹凸の発生を防止する。
【解決手段】反応炉の内底部に配設された少なくとも一対の電極5にシリコン芯棒4をそれぞれ立設状態に取り付けるとともに、これらシリコン芯棒4の上端部間を繋ぐ連結部材12を取り付け、電極5に通電することによりシリコン芯棒4を発熱させて、シリコン芯棒4の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造装置において、連結部材12における両シリコン芯棒4の取り付け間隔L1が、これらシリコン芯棒4が立設される一対の電極5における取り付け間隔L2よりも大きく設定されている。
【選択図】図2
【解決手段】反応炉の内底部に配設された少なくとも一対の電極5にシリコン芯棒4をそれぞれ立設状態に取り付けるとともに、これらシリコン芯棒4の上端部間を繋ぐ連結部材12を取り付け、電極5に通電することによりシリコン芯棒4を発熱させて、シリコン芯棒4の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造装置において、連結部材12における両シリコン芯棒4の取り付け間隔L1が、これらシリコン芯棒4が立設される一対の電極5における取り付け間隔L2よりも大きく設定されている。
【選択図】図2
Description
本発明は加熱したシリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させて多結晶シリコンのロッドを製造する多結晶シリコンの製造装置及び製造方法に関する。
従来、この種の多結晶シリコン製造装置としては、シーメンス法による製造装置が知られており、例えば特許文献1〜3に示されるものがある。これら特許文献に示される多結晶シリコンの製造装置では、密閉された反応炉内にシリコン芯棒からなるシードを多数配設して加熱しておき、この反応炉にクロロシランガスと水素ガスとの混合ガスからなる原料ガスを供給して、加熱したシリコン芯棒に接触させ、その表面に原料ガスの加熱分解によって生じた多結晶シリコンを析出させる構成である。
このような多結晶シリコン製造装置において、シードとなるシリコン芯棒は、反応炉の内底部に配設した電極に立設状態に固定され、その上端部が、短尺の連結部材によって一対ずつ連結されることにより、全体として鳥居形状となるように固定されている。このように組み立てられたシード組み立て体は、運転時には電極から通電することでシリコン芯棒の抵抗熱によって発熱を起こし、シリコン芯棒全体を原料ガスの分解温度である例えば1050度までに加熱することにより、表面に多結晶シリコンを析出させるようになっている。
特開2006−206387号公報
特開2001−278611号公報
特開2002−338226号公報
ところで、上述した多結晶シリコン製造装置において、反応炉の内底部には、シリコン芯棒を固定する電極とともに、炉内に原料ガスを供給するノズルが多数配設され、また反応後のガスを炉外に排出するための排気口も設けられる。このため、シリコン芯棒が狭い相互間隔の下に密集して立設されることになり、このシリコン芯棒の表面、特に対をなしている両シリコン芯棒の対向側面に原料ガスが十分に行き渡りにくい。しかも、ノズルから噴出された原料ガスは、シリコン芯棒の表面に接触しながら上方に流れ、その間に多結晶シリコンの析出反応が進むため、シリコン芯棒の上部においては原料ガスの濃度が低下する傾向にある。また、シリコン芯棒の上部と連結部材とで囲まれた領域では周囲からの輻射熱のために表面温度が高くなる傾向がある。このため、シリコン芯棒の上端部、特に連結部材で囲まれた領域は、原料ガス濃度が低い上に表面温度が高く、それ故にシリコンロッドの表面が凹凸になる傾向があった。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、反応炉に対をなして立設されているシリコン芯棒の対向側面にも原料ガスを十分に行き渡らせて、シリコン芯棒の上端部にも多結晶シリコンを有効にかつ表面状態良く析出させ、シリコンロッド表面の凹凸の発生を防止することができる多結晶シリコン製造装置及び製造方法の提供を目的とする。
本発明の多結晶シリコン製造装置は、反応炉の内底部に配設された少なくとも一対の電極にシリコン芯棒をそれぞれ立設状態に取り付けるとともに、これらシリコン芯棒の上端部間を繋ぐ連結部材を取り付け、前記電極に通電することによりシリコン芯棒を発熱させて、該シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造装置において、前記連結部材における両シリコン芯棒の取り付け間隔が、これらシリコン芯棒が立設される前記一対の電極における取り付け間隔よりも大きく設定されていることを特徴とする。
また、本発明の多結晶シリコン製造方法は、反応炉の内底部に配設された少なくとも一対の電極にシリコン芯棒をそれぞれ立設状態に取り付けるとともに、これらシリコン芯棒の上端部間を繋ぐ連結部材を取り付け、前記電極に通電することによりシリコン芯棒を発熱させて、該シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、 前記一対の電極に取り付けた両シリコン芯棒における上端部の相互間隔を下端部の相互間隔よりも大きくした状態にして、該シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させることを特徴とする。
すなわち、反応炉の内底部は電極等が配置されてスペースに空きがない状態となっており、このため、各対をなしている両シリコン芯棒の下端部間の離間距離は、電極等の設置間隔によって制約を受けるが、上端部は、比較的スペースに余裕のある広い空間内に設置されるので、この上端部の相互間隔を大きくすることにより、両シリコン芯棒の対向側面間への原料ガスの通りが良くなるとともに、輻射熱による表面温度の上昇も抑えることができ、その部分に支障なく多結晶シリコンを析出させることができるものである。
本発明における多結晶シリコン製造装置及び製造方法によれば、対をなすシリコン芯棒において、電極等が設置されていることによりスペースに余裕のない下端部に比べて、スペースに余裕のある上端部の離間間隔を広くしたことにより、特に上端部の対向側面間への原料ガスの通りを良くして、シリコン芯棒の全体に多結晶シリコンを有効にかつ表面状態良く析出させることができ、シリコンロッド表面の凹凸の発生を防止することができる。
以下に本発明の実施の形態を図1〜図3に基づいて説明する。
図1は本発明が適用される多結晶シリコン製造装置の反応炉1の全体図であって、炉底を構成する基台2と、この基台2上に脱着自在に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ3とを具備している。
図1は本発明が適用される多結晶シリコン製造装置の反応炉1の全体図であって、炉底を構成する基台2と、この基台2上に脱着自在に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ3とを具備している。
基台2上には、図1に示すように、生成される多結晶シリコンの種棒となるシリコン芯棒4が取り付けられる複数対の電極5と、クロロシランガスと水素ガスとを混合してなる原料ガスを炉内に噴出するための噴出ノズル6と、反応後のガスを炉外に排出するための排気口7とがそれぞれ複数設けられている。これら電極5は基台2上に一定の間隔をおいてほぼ同心円状に配置されている。また、原料ガスの噴出ノズル6は、各シリコン芯棒4に対して均一に原料ガスを供給することができるように、適宜の間隔をあけながら複数設置されている。これら噴出ノズル6は、反応炉1の外部の原料ガス供給源8に接続されている。また、排気口7も、基台2上に適宜の間隔をあけながら複数設置され、排ガス処理系9に接続されている。さらに、反応炉1の中心部には図示略のヒータが設けられる。
各電極5は、カーボンからなるほぼ円柱状に形成され、基台2に垂直に立設されており、図2に示すように、その軸心に沿って孔11が形成され、その孔11内に、シリコン芯棒4の下端部が挿入状態に取り付けられている。
これらシリコン芯棒4は、下端部が電極5内に差し込まれた状態に固定されることにより、図1及び図2に示すように上方に延びて立設されており、そのうちの二本ずつを対として連結するように、上端部に1本の短尺の連結部材(ワタリ)12が取り付けられている。この連結部材12もシリコン芯棒4と同じシリコンによって形成される。これら二本のシリコン芯棒4とこれらを連結する連結部材12とによって、全体として逆U字の鳥居形状となるようにシード組み立て体13が組み立てられている。
そして、両電極5間に通電することでシリコン芯棒4を発熱させ、該シリコン芯棒4全体を原料ガスの分解温度にまで上昇させることによりシリコン芯棒4の表面上に多結晶シリコンを析出させる構成である。
これらシリコン芯棒4は、下端部が電極5内に差し込まれた状態に固定されることにより、図1及び図2に示すように上方に延びて立設されており、そのうちの二本ずつを対として連結するように、上端部に1本の短尺の連結部材(ワタリ)12が取り付けられている。この連結部材12もシリコン芯棒4と同じシリコンによって形成される。これら二本のシリコン芯棒4とこれらを連結する連結部材12とによって、全体として逆U字の鳥居形状となるようにシード組み立て体13が組み立てられている。
そして、両電極5間に通電することでシリコン芯棒4を発熱させ、該シリコン芯棒4全体を原料ガスの分解温度にまで上昇させることによりシリコン芯棒4の表面上に多結晶シリコンを析出させる構成である。
この場合、連結部材12の両端部には、図2及び図3に示すように貫通孔14が形成されている。これら貫通孔14は、円形断面形状に形成されかつ互いが平行となる位置関係に配置されており、これら各貫通孔14に、対をなす二本のシリコン芯棒4の上端部が挿入されている。各シリコン芯棒4は、全体としては角柱状に形成されているが、その上端部4aは、貫通孔14の形状に合わせて円柱形状に形成され、これにより貫通孔14内でその軸心を中心として回転自在とされている。このため、シリコン芯棒4に連結部材12を取り付ける際に、シリコン芯棒4を微小に回転させながら貫通孔14に挿入したり、あるいは各シリコン芯棒4に連結部材12を取り付けた後に、全体的な調整をする際にシリコン芯棒4を回転させながら姿勢を変えたりすることにより、各シリコン芯棒4相互の姿勢や位置関係を正しく微調整することができるようになっている。
また、この連結部材12の両端部の貫通孔14の相互間隔(連結部材12における両シリコン芯棒4の取り付け間隔)L1は、シリコン芯棒11が取り付けられる電極5における取り付け間隔(両電極5の孔11の間隔)L2よりも大きくなるように設定されており、その結果、連結部材12をシリコン芯棒4に取り付けた場合に、対をなす二本のシリコン芯棒4の上部が、図2の右側に示したように、当該シリコン芯棒4の下部よりも開いた状態に組み立てられるようになっている。これにより、対をなす両シリコン芯棒4において対向している側面間の上部空間(図2でAで示す空間)に対して、噴出ノズル6から上方に向けて噴出された原料ガスの通りが良くなり、シリコン芯棒4の上部内側にも原料ガスが十分に行き渡って、当該シリコン芯棒4内への多結晶シリコン析出を支障無く行うことができる。
以上詳細に説明したように本実施形態における多結晶シリコン製造装置では、連結部材12の両貫通孔14の間隔L1を、これが取り付けられるシリコン芯棒4に対する電極5間の設置間隔L2よりも大きく設定したので、その二本のシリコン芯棒4は、その下端部よりも上端部の相互間隔が広がって取り付けられることになる。したがって、該シリコン芯棒4の上部内側への原料ガスの通りが良くなり、これによって該シリコン芯棒4内に原料ガスが行き渡るとともに、輻射熱による表面温度の上昇も抑えることができ、当該箇所に多結晶シリコンを支障なく析出させることができる。これにより、凹凸がなく表面状態の良いシリコンロッドを製造することできる。
前述したように、反応炉1の基台2には原料ガスの噴出ノズル6、電極5などが配置されてスペースに空きがないが、シリコン芯棒4の間隔が広げられるのは、反応炉1内の上部空間であり、このスペースに余裕がある上部空間を、多結晶シリコンの析出のために有効に利用することが可能となる。
前述したように、反応炉1の基台2には原料ガスの噴出ノズル6、電極5などが配置されてスペースに空きがないが、シリコン芯棒4の間隔が広げられるのは、反応炉1内の上部空間であり、このスペースに余裕がある上部空間を、多結晶シリコンの析出のために有効に利用することが可能となる。
また、連結部材12によってシリコン芯棒4の上部が広げられた状態となって、この連結部材12を二本のシリコン芯棒4が内側に向けて挟むように押圧することになるから、これらシリコン芯棒4と連結部材12との接触圧が高められ、その接触箇所の電気抵抗が小さくなって、シード組み立て体13全体の通電加熱を円滑に行うことができる。
なお、本発明においては、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変更をすることが可能である。例えば、シリコン芯棒を角柱状としたが、断面四角形以外の多角形や円形、楕円形でもよい。
1 反応炉
2 基台
3 ベルジャ
4 シリコン芯棒
4a 上端部
5 電極
6 噴出ノズル
7 排気口
11 孔
12 連結部材
13 シード組み立て体
14 貫通孔
2 基台
3 ベルジャ
4 シリコン芯棒
4a 上端部
5 電極
6 噴出ノズル
7 排気口
11 孔
12 連結部材
13 シード組み立て体
14 貫通孔
Claims (2)
- 反応炉の内底部に配設された少なくとも一対の電極にシリコン芯棒をそれぞれ立設状態に取り付けるとともに、これらシリコン芯棒の上端部間を繋ぐ連結部材を取り付け、前記電極に通電することによりシリコン芯棒を発熱させて、該シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造装置において、
前記連結部材における両シリコン芯棒の取り付け間隔が、これらシリコン芯棒が立設される前記一対の電極における取り付け間隔よりも大きく設定されていることを特徴とする多結晶シリコンの製造装置。 - 反応炉の内底部に配設された少なくとも一対の電極にシリコン芯棒をそれぞれ立設状態に取り付けるとともに、これらシリコン芯棒の上端部間を繋ぐ連結部材を取り付け、前記電極に通電することによりシリコン芯棒を発熱させて、該シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、
前記一対の電極に取り付けた両シリコン芯棒における上端部の相互間隔を下端部の相互間隔よりも大きくした状態にして、該シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007233881A JP2009062251A (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | 多結晶シリコンの製造装置及び製造方法 |
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JP2007233881A JP2009062251A (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | 多結晶シリコンの製造装置及び製造方法 |
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ID=40557190
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JP2007233881A Withdrawn JP2009062251A (ja) | 2007-09-10 | 2007-09-10 | 多結晶シリコンの製造装置及び製造方法 |
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JP (1) | JP2009062251A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2075233A3 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-29 | Mitsubishi Materials Corporation | Silicon seed rod assembly of polycrystalline silicon, method of forming the same, polycrystalline silicon producing apparatus, and method of producing polycrystalline silicon |
-
2007
- 2007-09-10 JP JP2007233881A patent/JP2009062251A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2075233A3 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-29 | Mitsubishi Materials Corporation | Silicon seed rod assembly of polycrystalline silicon, method of forming the same, polycrystalline silicon producing apparatus, and method of producing polycrystalline silicon |
US9090962B2 (en) | 2007-12-28 | 2015-07-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Silicon seed rod assembly of polycrystalline silicon, method of forming the same, polycrystalline silicon producing apparatus, and method of producing polycrystalline silicon |
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