KR20160104895A

KR20160104895A - 그래핀 성장 장치

Info

Publication number: KR20160104895A
Application number: KR1020150027740A
Authority: KR
Inventors: 윤선호; 구분회; 피중호
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2015-02-27
Filing date: 2015-02-27
Publication date: 2016-09-06
Also published as: KR101717476B1

Abstract

실시예는 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되고, 서셉터가 배치되며 밀폐 공간을 이루는 돔(dome); 상기 돔 내부에 배치되고, 상기 서셉터 방향으로 원료 기체를 공급하는 원료 공급부; 및 상기 돔을 가열하는 히터를 포함하고, 상기 원료 공급부는 상기 돔 외부로부터 원료 기체가 공급되는 헤드와 상기 헤드로부터 상기 서셉터 방향으로 원료 기체를 토출하는 분사구를 포함하고, 상기 분사구에서 상기 원재료가 토출되는 노즐은 상기 서셉터의 중앙에 대하여 비대칭으로 배치되는 그래핀 성장 장치를 제공한다.

Description

그래핀 성장 장치{APPARATUS FOR GROWING A GRAPHENE}

실시예는 그래핀 성장 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 CVD(chemical vapor deposition) 방법으로 그래핀을 성장시키는 장치에 관한 것이다.

탄소 원자들로 구성된 저차원 나노 물질로는 풀러렌(fullerene), 탄소나노튜브(carbon Nanotube), 그래핀(graphene), 흑연(graphite) 등이 존재한다. 즉, 탄소 원자들이 6 각형 모양의 배열을 이루면서 공 모양이 되면 0 차원 구조인 풀러렌, 1 차원적으로 말리면 탄소나노튜브, 2 차원상에서 원자 한 층으로 이루어지면 그래핀, 3 차원으로 쌓이면 흑연으로 구분을 할 수 있다.

그래핀은 전기적/기계적/화학적인 특성이 매우 안정적이고 뛰어날 뿐만 아니라 우수한 전도성 물질로서 실리콘보다 100 배 빠르게 전자를 이동시키며 구리보다도 약 100배 가량 더 많은 전류를 흐르게 할 수 있는데, 흑연으로부터 그래핀을 분리하는 방법이 발견되면서 실험을 통하여 증명되었으며 현재까지 많은 연구가 진행되고 있다.

그래핀은 상대적으로 가벼운 원소인 탄소만으로 이루어져 1 차원 또는 2 차원 나노패턴을 가공하기가 매우 용이하다는 장점이 있으며, 이를 활용하면 반도체-도체 성질을 조절할 수 있을 뿐만 아니라 탄소가 가지는 화학결합의 다양성을 이용해 센서, 메모리 등 광범위한 기능성 소자의 제작도 가능하다.

그래핀의 뛰어난 전기적/기계적/화학적 성질에도 불구하고 그 동안 대량 합성법이 개발되지 못했기 때문에 실제 적용 가능한 기술에 대한 연구는 매우 제한적이었다.

종래의 대량 합성법은 주로 흑연을 기계적으로 분쇄하여 용액 상에 분산시킨 후 자기조립 현상을 이용해 박막으로 만드는 것이었다. 비교적 저렴한 비용으로 합성이 가능하다는 장점이 있지만 수많은 그래핀 조각들이 서로 겹치면서 연결된 구조로 인해 전기적, 기계적 성질은 기대에 미치지 못했다.

그래핀은 디스플레이 분야 특히, 대표적인 투명전극인 인듐주석산화물(Indium TinOxide; ITO)의 대체물로 사용될 수 있다.

ITO는 디스플레이, 터치스크린, 태양전지 등에 광범위하게 응용되고 있지만 최근 인듐의 고갈로 인해 단가가 상승하면서 대체물질의 시급한 개발이 요구되어 왔다. 또한 깨어지기 쉬운 ITO의 특성으로 인해 접거나 휘거나 늘릴 수 있는 차세대 전자제품에의 응용이 큰 제약을 받아왔다.

그래핀은 뛰어난 신축성, 유연성 및 투명도를 동시에 가지면서도 상대적으로 간단한 방법으로 합성 및 패터닝이 가능하다는 장점을 가진다.

종래의 CVD(chemical vapor deposition) 방식의 그래핀 성장 장치는 노즐에서 원재료를 분사하여 그래핀을 성장시킬 수 있다. 그래핀 성장 장치는 챔버 내에 밀폐 공간을 이루는 돔을 형성되고, 돔의 내부에 그래핀의 성장을 위한 서셉터를 배치할 수 있다.

돔의 하부에 히터가 배치되어 챔버 내부를 가열하고, 챔버의 외부에는 에어 공급부가 배치되어 챔버 내부로 에어를 공급하여 챔버 내부의 온도 조절, 특히 냉각을 할 수 있다.

도 1은 종래의 그래핀 성장 장치의 노즐의 구조를 나타낸 도면이다.

그래핀 성장을 위한 원재료인 반응 기체는 샤워 헤드 등의 형태의 분사구(165)를 통하여 서셉터(Susceptor, 130) 상에 공급한다. 서셉터(130)와 대향하는 면의 분사구(165)에 복수 개의 노즐(nozzle)이 구비되어, 노즐을 통하여 공급된 반응 기체는 서셉터(130) 전 표면에 균일하게 분사될 수 있다.

그러나, 종래의 그래핀 성장 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.

서셉터(Susceptor, 130) 상에서 성장되는 그래핀은 균일한 두께로 크랙(crack) 없이 성장되어야 하는데, 한 쌍의 분사구(165)가 대칭적으로 배치될 때 그래핀의 막 두께가 균일하지 않을 수 있다.

이러한 그래핀 두께의 불균일은 반응 기체의 분사 방향이 서로 동일하지 않을 수도 있고, 서셉터의 중앙 영역과 가장 자리 영역에서 원심력이 달라서 반응 기체의 이동 방향이 달라지는 점에 기인할 수 있다.

실시예는 그래핀 성장 장치에서 서셉터 상에 균일한 두께의 그래핀 박막이 성장되는 그래핀 성장 장치를 제공하고자 한다.

각각의 노즐들 사이의 거리가 일정하지 않을 수 있다.

각각의 노즐들의 직경이 일정하지 않을 수 있다.

복수 개의 분사구가 구비되고, 상기 각각의 분사구에 배치된 노즐의 개수가 서도 다를 수 있다.

분사구는 상기 서셉터의 표면과 기설정된 각도를 이룰 수 있다.

분사구는 복수 개의 노즐을 포함하고, 상기 노즐들에서 상기 원료 기체가 분사되는 각도는 일정하지 않을 수 있다.

분사구는 복수 개의 노즐을 포함하고, 상기 노즐들에서 분사되는 원료 기체의 진행 방향과 상기 서셉터의 표면의 법선과 이루는 각도는, 상기 서셉터의 중앙과 대응되는 영역에서 가장 작을 수 있다.

분사구는 복수 개의 노즐을 포함하고, 상기 노즐들에서 분사되는 원료 기체의 진행 방향과 상기 서셉터의 표면의 법선과 이루는 각도는, 상기 서셉터의 가장 자리와 대응되는 영역에서 가장 클 수 있다.

실시예에 따른 그래핀 성장 장치는, CVD 공정으로 그래핀을 성장시킬 때 서셉터의 전영역 원료 기체를 고루 분사하여 그래핀이 일정한 두께로 성장될 수 있으며, 특정 영역에서 그래핀의 두께가 두껍거나 얇게 성장되면 원료 기체 등의 분사 방향과 분사량을 조절하여 그래핀의 일정한 두께로의 성장을 기할 수 있다.

상술한 그래핀 성장 장치에서 성장된 그래핀은 두께가 균일하게 크랙이 발생하지 않으므로 품질이 우수하며, OLED(Organic light emitting device) 등의 디스플레이 분야의 재료 특히, 투명전극인 인듐주석산화물(Indium TinOxide; ITO)의 대체물로 사용될 수 있다.

도 1은 종래의 그래핀 성장 장치의 노즐의 구조를 나타낸 도면이고,
도 2는 그래핀 성장 장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 3은 도 2의 그래핀 성장 장치에서 노즐 구조의 제1 실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 도 2의 그래핀 성장 장치에서 노즐 구조의 제2 실시예를 나타낸 도면이고,
도 5는 도 2의 그래핀 성장 장치에서 노즐 구조의 제3 실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 도 2의 그래핀 성장 장치에서 노즐의 수직 방향의 배치를 나타낸 도면이고,
도 7은 도 2의 그래핀 성장 장치에서 노즐 구조의 제4 실시예를 나타낸 도면이다.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.

실시예에 따른 그래핀 성장 장치는 CVD(화학 기상 증착) 방법으로 그래핀을 성장시킬 수 있고, 특히 그래핀 성장을 위한 원재료인 반응 기체를 공급하는 분사구의 노즐이 비대칭으로 구비되어, 그래핀 박막이 서셉터의 전 영역에서 균일하게 분사될 수 있다.

도 2는 그래핀 성장 장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.

실시예에 따른 그래핀 성장 장치(200)는 CVD(chemical vapor deposition) 방법으로 그래핀을 성장하는 장치이다.

그래핀 성장 장치(200)는 챔버(210) 내에 밀폐 공간을 이루고 석영(quartz)로 이루어지는 돔(dome, 220)이 배치되고, 돔(220)의 내부에 서셉터(230)가 배치되고, 서셉터(230) 상에 박막(thin film) 형상의 그래핀(g)이 성장될 수 있다.

서셉터(230)의 상부에는 도시되지는 않았으나, 원료 공급부가 배치되는데, 원료 공급부는 헤드와 분사구를 포함하여 이루어지고, 분사구의 상세한 구조는 후술한다.

돔(220)의 하부에는 히터(240)가 배치되어 챔버(210) 내부를 가열할 수 있고, 챔버(210)의 외부에는 에어 공급부(air blower, 250)가 배치되어 챔버(210) 내부로 에어를 공급하고 챔버(210) 내부의 온도를 조절할 수 있다.

돔(220) 내부의 공간은 격벽(partition, 270)을 기준으로 상부 영역(a)과 하부 영역(b)으로 나뉠 수 있는데, 격벽(270)은 반드시 물리적으로 돔(220) 내부를 구획하지 않고 가상의 분리막일 수도 있다.

돔(220) 내부로 반응 기체를 공급하기 위한 원료 공급부는 헤드를 통하여 주입된 반응 기체를 복수 개의 노즐(nozzle)이 구비된 분사구를 통하여 서셉터(230) 상에 공급한다.

분사구는 서셉터(230)의 상부 방향으로 복수 개가 구비되어, 헤드를 통하여 공급된 반응 기체는 분사구의 노즐을 통하여 서셉터(230)의 상부로 분사된 후, 중력에 의하여 하강하면 서셉터(230) 방향으로 향할 수 있다.

에어 공급부(250)는 챔버(210)의 하부에 대응하는 위치에 배치되고, 에어 공급부(250)로부터 에어가 공급되는 영역의 챔버(201)에 입구가 형성될 수 있다. 그리고, 챔버(210)의 상부에는 출구가 형성되어, 에어 공급부(250)로부터 입구를 통하여 주입된 에어(air)를 배출할 수 있는데 출구는 챔버(210)의 하부에 배치될 수도 있다.

실시예에 따른 그래핀 성장 장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.

히터(240)를 가열하여 챔버(210) 내부를 800℃ 이상으로 승온하는데, 공정 가스로 수소(H₂)나 아르곤(Ar) 또는 이들의 혼합 기체가 챔버(210) 내부로 주입될 수 있다. 그리고, 챔버(210)와 돔(220)이 가열된 후, 원료 공급부(260)에서 원료 기체를 서셉터(230) 상에 분사할 수 있다.

그리고, 수소 기체를 이용하여 어닐링(annealing) 공정을 진행할 수 있는데, 어닐링 공정을 통하여 챔버(210) 내부의 온도를 서서히 낮추어서 재료의 경도와 강도를 낮출 수 있다.

그리고, 메탄(CH4) 들을 챔버(210) 내부로 공급하여 탄소 성분이 금속 촉매(metal catalyst)로 확산(diffusion)될 수 있는데, 이때 금속 촉매로는 구리(Cu) 또는 니켈(Ni) 등이 사용될 수 있다.

그리고, 챔버(210) 내의 온도를 내리며 금속 등에 침투된 탄소(carbon)을 outdiffusion 등의 방법으로 제거할 수 있다.

이때, 800℃ 이상의 온도로 승온된 챔버(210) 내부의 열을 빼기 위하여, 도 2에 도시된 바와 같이 에어 공급기(250)로부터 에어(air)를 챔버(210) 내부로 공급할 수 있는데 이러한 냉각 공정이 제조되는 그래핀의 품질에 가장 큰 영향을 미칠 수 있는데, 상술한 그래핀 성장 장치에서는 챔버(210)의 내부의 냉각 속도(cooling speed)를 5℃/초(second) 이상으로 유지할 수 있으며, 10℃/초(second) 정도로 유지할 수 있다.

상술한 그래핀 성장 장치에서 원료 공급부(260)에서 원료 기체가 분사되는 분사구 내지 노즐은 비대칭의 형상으로 구비될 수 있으며, 이하에서 후술한다.

도 3은 도 2의 그래핀 성장 장치에서 노즐 구조의 제1 실시예를 나타낸 도면이다.

서셉터(230) 상에 배치된 한 쌍의 분사구(265a, 265b)가 배치되는데, 한 쌍의 분사구(265a, 265b)는 서셉터(230)의 중앙에 대하여 대칭으로 배치될 수 있다. 이때, 각각의 분사구(265a, 265b) 내에는 복수 개의 노즐(nozzle)의 배치되고, 노즐(nozzle)에서 서셉터(230)를 향하여 원료 기체가 분사되는 방향이 화살표로 도시되고 있으며, 이해의 편의를 위하여 화살표가 수평 방향으로 도시되고 있으나 실제 분사 방향은 도 6 내지 도 7을 참조할 수 있다.

도 3에서 노즐 간의 간격(d1, d2)이 일정하지 않고 서로 다를 수 있는데, 즉 노즐들이 서로 뷸규칙한 간격으로 배치될 수 있다. 이러한 노즐들의 불규칙한 배치는 서셉터(230)의 각 영역으로 분사되는 원료 기체의 분포를 조절할 수 있다.

그리고, 도 3에서 분사구(265a, 265b) 상의 노즐의 배치 간격이 일부 영역에서는 동일하고, 일부 영역에서는 다를 수 있다.

따라서, 노즐들이 규칙적으로 배치되었을 때 그래핀 박막의 두께가 불균일하다면 그래핀 박막의 두께가 두꺼운 영역에서는 노즐 간의 간격(d1)을 크게 하고, 그래핀 박막의 두께가 얇은 영역에서는 노즐 간의 간격(d2)을 작게 하여 분사구(265a, 265b) 내의 노즐을 제조할 수 있고, 이러한 방법으로 제조된 노즐이 배치된 분사구(265a, 265b)를 통하여 원료 기체를 서셉터(230) 방향으로 분사하면 서셉터(230) 상의 전 영역에 원료 기체가 고르게 분사되어 그래핀 박막이 고른 두께로 성장될 수 있다.

도 3에서 분사구(265a, 265b) 상의 노즐의 불균일한 배치는, 서셉터(230) 상에 성장되는 그래핀의 두께 분포에 따라 변경될 수 있다.

도 4는 도 2의 그래핀 성장 장치에서 노즐 구조의 제2 실시예를 나타낸 도면이다.

도 3에 도시된 실시예에서는 분사구(265a, 265b)의 배치는 대칭을 이루되 노즐 간의 간격이 불균일한데, 본 실시예에서는 노즐 간의 간격은 동일하나 분사구(265a, 265b)가 비대칭을 이루며 길이가 서로 다르게 배치되고 있다.

본 실시예에서는 도 4에서 좌측의 분사구(265a)에 비하여 우측의 분사구(265b)가 길고 보다 많은 노즐이 구비되어, 서셉터(230)의 우측 영역에 보다 많은 원료 기체가 공급될 수 있다. 도 1에 도시된 종래의 분사구(165)를 사용하였을 때 서셉터(230) 상의 좌측 영역에서 그래핀의 두께가 두껍다면, 도 4에 도시된 구조의 분사구(265a, 265b)를 사용할 수 있다.

도 4에 도시된 분사구(265a, 265b)의 불균일한 배치는, 서셉터(230) 상에 성장되는 그래핀의 두께 분포에 따라 변경될 수 있다.

도 5는 도 2의 그래핀 성장 장치에서 노즐 구조의 제3 실시예를 나타낸 도면이다.

본 실시예에서는 하나의 분사구(265) 만을 도시하고 있으나, 다른 실시예와 같이 한 쌍의 분사구(265)가 서셉터(230) 상에 배치될 수 있다.

상술한 실시예들에서는 분사구 내의 노즐의 크기 내지 직경은 동일하나, 본 실시예에서는 서셉터(230) 상에 배치된 분사구(265) 내에는 노즐(nozzle)의 직경(R1, R2, R3, R4)이 일정하지 않고 서로 상이할 수 있다. 또한, 서셉터(230) 상에 배치된 분사구(265) 내에는 노즐(nozzle)의 직경(R1, R2, R3, R4)이 일부는 서로 상이하고, 일부는 서로 동일할 수도 있다.

이러한 노즐의 직경 내지 크기의 불규칙한 배치는 서셉터(230)의 각 영역으로 분사되는 원료 기체의 분포를 조절할 수 있다.

따라서, 노즐들이 동일한 크기로 배치되었을 때 그래핀 박막의 두께가 불균일하다면 그래핀 박막의 두께가 얇은 영역에서는 노즐의 직경(R1)을 크게 하고, 그래핀 박막의 두께가 두꺼운 영역에서는 노즐의 직경(R4)을 작게 할 수 있고, 이러한 방법으로 제조된 노즐이 배치된 분사구(265)를 통하여 원료 기체를 서셉터(230) 방향으로 분사하면 서셉터(230) 상의 전 영역에 원료 기체가 고르게 분사되어 그래핀 박막이 고른 두께로 성장될 수 있다.

본 실시예에서는 서셉터(230)의 중앙 영역 방향의 노즐의 직경(R1)이 가장 크고 서셉터(230)의 가장 자리 영역 방향의 노즐의 직경(R4)이 가장 작으나, 그래핀의 성장 두께에 따라 달리 설계될 수 있다.

도 6은 도 2의 그래핀 성장 장치에서 노즐의 수직 방향의 배치를 나타낸 도면이다.

서셉터(230)의 상의 분사구(265a, 265b)의 배치를 수직 방향으로 도시하고 있는데, 각각의 분사구(265a, 265b)는 서셉터(230)의 표면에 대하여 기설정된 각도(θ)를 이루며 배치될 수 있으며, 도 3 내지 도 5에 도시된 분사구(265, 265a, 265b)의 수직 방향의 배치는 도 6과 같을 수 있다.

도 6에서 분사구(265a , 265b)를 통하여 분사된 상부 방향으로 원료 기체는, 서셉터(230) 방향으로 하강할 수 있다.

도 7은 도 2의 그래핀 성장 장치에서 노즐 구조의 제4 실시예를 나타낸 도면이다.

본 실시예에서는 하나의 분사구 만을 도시하고 있으나, 다른 실시예와 같이 한 쌍의 분사구가 서셉터(230) 상에 배치될 수 있다.

본 실시예에서 서셉터(230) 상에 배치된 분사구 내의 노즐에서 서셉터(230)으로 분사 내지 토출되는 원료 기체의 진행 방향이 서로 다를 수 있다.

즉, 노즐에서 분사되는 원료 기체가 서셉터(230)와 수직한 방향(점선으로 도시됨)과 이루는 각도들이 서로 다를 수 있는데, 보다 상세하게는 서셉터의 중앙(center)에 가장 인접한 제1 노즐에서 분사되는 원료 기체의 진행 방향이 서셉터(230)와 수직한 방향(점선으로 도시됨), 즉 서셉터(230)의 표면에 법선인 방향과 이루는 각도(θ1)가 가장 작고, 서셉터의 중앙(center)가 가장 멀리 배치된 제4 노즐에서 분사되는 원료 기체의 진행 방향이 서셉터(230)와 수직한 방향(점선으로 도시됨)과 이루는 각도(θ4)가 가장 클 수 있다.

제1 노즐 내지 제4 노즐에서 분사되는 원료 기체가 서셉터(230)와 수직한 방향(점선으로 도시됨)과 이루는 각도(θ1, θ2, θ3, θ4)가 일정하지 않고, 특히 도 7에서 돔(dome) 내부의 공정 가스의 펌핑(pumping) 방향에 따라 다를 수 있다.

보다 상세하게는, 공정 가스의 펌핑과 멀리 배치된 서셉터의 중앙(center)에서는 펌핑의 힘이 작을 수 있으므로 제1 노즐에서 분사되는 원료 기체의 진행 방향이 서셉터(230)와 수직한 방향(점선으로 도시됨)과 이루는 각도(θ1)가 작을 수 있고, 펌핑의 힘이 가장 큰 서셉터의 가장 자리 영역에 배치된 제4 노즐에서 분사되는 원료 기체의 진행 방향이 서셉터(230)와 수직한 방향(점선으로 도시됨)과 이루는 각도(θ4)가 가장 클 수 있다.

즉, 제1 노즐 내지 제4 노즐에서 분사되는 원료 기체의 분사 방향을, 펌핑 등 외력을 고려하여, 달리하여 서셉터(230)의 전 영역에 원료 기체가 고루 도달할 수 있다.

그리고, 제1 노즐 내지 제4 노즐에서 분사되는 원료 기체의 진행 방향에 따라서, 제1 노즐에서 분사되는 원료 기체의 진행 방향이 서셉터(230)와 수직한 방향과 이루는 각도(θ1)가 가장 크고, 가장 자리 영역에 배치된 제4 노즐에서 분사되는 원료 기체의 진행 방향이 서셉터(230)와 수직한 방향과 이루는 각도(θ4)가 가장 작을 수도 있다.

본 실시예에서 제1 노즐 내지 제4 노즐에서 분사되는 원료 기체가 서셉터(230)와 수직한 방향(점선으로 도시됨)과 이루는 각도(θ1, θ2, θ3, θ4)는, 상술한 펌핑 외에 다른 외력이 존재할 때 그에 따라 변경될 수 있다. 또한, 상술한 실시예들에서 원료 공급부에서는 기체 상태의 원료 외에 액체나 다른 상태의 원료가 공급될 수도 있다.

상술한 그래핀 성장 장치는, CVD 공정으로 그래핀을 성장시킬 때 서셉터의 전영역 원료 기체를 고루 분사하여 그래핀이 일정한 두께로 성장될 수 있으며, 특정 영역에서 그래핀의 두께가 두껍거나 얇게 성장되면 원료 기체 등의 분사 방향과 분사량을 조절하여 그래핀의 일정한 두께로의 성장을 기할 수 있다.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

200: 그래핀 성장 장치 210: 챔버
220: 돔 130, 230: 서셉터
240: 히터 250: 에어 공급부
165, 265, 265a, 265b: 분사구
270: 격벽

Claims

챔버;
상기 챔버 내부에 배치되고, 서셉터가 배치되며 밀폐 공간을 이루는 돔(dome);
상기 돔 내부에 배치되고, 상기 서셉터 방향으로 원료 기체를 공급하는 원료 공급부; 및
상기 돔을 가열하는 히터를 포함하고,
상기 원료 공급부는 상기 돔의 외부로부터 원료 기체가 공급되는 헤드와 상기 헤드로부터 상기 서셉터 방향으로 원료 기체를 분사하는 분사구를 포함하고, 상기 분사구에서 상기 원재료가 토출되는 노즐들은 상기 서셉터의 중앙에 대하여 비대칭으로 배치되는 그래핀 성장 장치.
제1 항에 있어서,
상기 각각의 노즐들 사이의 거리가 일정하지 않은 그래핀 성장 장치.
제1 항에 있어서,
상기 각각의 노즐들의 직경이 일정하지 않은 그래핀 성장 장치.
제1 항에 있어서,
복수 개의 분사구가 구비되고, 상기 각각의 분사구에 배치된 노즐의 개수가 서도 다른 그래핀 성장 장치.
제1 항에 있어서,
상기 분사구는 상기 서셉터의 표면과 기설정된 각도를 이루는 그래핀 성장 장치.
제1 항에 있어서,
상기 분사구는 복수 개의 노즐을 포함하고, 상기 노즐들에서 상기 원료 기체가 분사되는 각도는 일정하지 않은 그래핀 성장 장치.
제6 항에 있어서,
상기 분사구는 복수 개의 노즐을 포함하고,
상기 노즐들에서 분사되는 원료 기체의 진행 방향과 상기 서셉터의 표면의 법선과 이루는 각도는, 상기 서셉터의 중앙과 대응되는 영역에서 가장 작은 그래핀 성장 장치.
제6 항에 있어서,
상기 분사구는 복수 개의 노즐을 포함하고,
상기 노즐들에서 분사되는 원료 기체의 진행 방향과 상기 서셉터의 표면의 법선과 이루는 각도는, 상기 서셉터의 가장 자리와 대응되는 영역에서 가장 큰 그래핀 성장 장치.