JP2012082128A - 多結晶シリコン製造方法 - Google Patents
多結晶シリコン製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012082128A JP2012082128A JP2011202452A JP2011202452A JP2012082128A JP 2012082128 A JP2012082128 A JP 2012082128A JP 2011202452 A JP2011202452 A JP 2011202452A JP 2011202452 A JP2011202452 A JP 2011202452A JP 2012082128 A JP2012082128 A JP 2012082128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core rod
- silicon
- polycrystalline silicon
- holding portion
- silicon core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】反応炉内で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒に原料ガスを接触させることにより前記シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造方法であって、導電材からなる芯棒保持部の上端部に形成された保持孔に、前記シリコン芯棒の下端部を挿入し、挿入された前記シリコン芯棒を前記保持孔の内面に対して押圧して固定する固定手段を、その一部が前記芯棒保持部の前記外面から突出するように設けておき、前記シリコン芯棒の表面に前記多結晶シリコンを析出させ、前記固定手段の形状に応じて形成される前記多結晶シリコンの凸部よりも上方で、前記シリコン芯棒とともに前記多結晶シリコンを切断する。
【選択図】図5
Description
図1は多結晶シリコン製造装置の全体図である。多結晶シリコン製造装置の反応炉10は、炉底を構成する底板部12と、この底板部12上に脱着自在に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ14とを具備している。底板部12の上面はほぼ平坦な水平面に形成される。ベルジャ14は、全体として釣鐘形状をしていて、天井がドーム型であって、その内部空間は中央部が最も高く外周部が最も低く形成されている。また、底板部12及びベルジャ14の壁はジャケット構造(図示略)とされ、冷却水によって冷却される。
電極ユニット30Aは、図3に示すように、反応炉10の底板部12に形成された貫通孔12a内に挿入状態に設けられたホルダ部32と、ホルダ部32の上部に取り付けられてシリコン芯棒20を保持する芯棒保持部34とを備えている。同様に、電極ユニット30Bは、反応炉10の底板部12に形成された貫通孔12a内に挿入状態に設けられたホルダ部33と、ホルダ部33の上部に取り付けられてシリコン芯棒20を保持する芯棒保持部34とを備えている。
たとえば、図6に示す芯棒保持部40は、前記実施形態と同様にシリコン芯棒20が挿入される保持孔40aが上部40bに形成されているが、前記実施形態とは異なり外周面に螺条が形成されておらず、下部40cの外径が上部40bの外径よりも大きい段付円柱状に形成されている。保持孔40aに挿入されたシリコン芯棒20は、芯棒保持部40の上部に水平方向に設けられたねじ穴40dに螺合して、芯棒保持部40の外面から突出する固定ねじ36によって固定されている。
12 底板部
12a 貫通孔
14 ベルジャ
16 噴出ノズル(ガス供給口)
18 ガス排出口
20 シリコン芯棒
20a ボス部
22 連結部材
22a 貫通孔
24 シード組立体
30(30A,30B) 電極ユニット
32 ホルダ部
33 ホルダ部
32a,33a 雌ネジ穴
34,40 芯棒保持部
34a,40a 保持孔
34b,40d ねじ穴
35 ナット
36 固定ねじ(固定手段)
40b 上部
40c 下部
41 ホルダ本体
41a 保持孔
42 ナット部材
42a 内向きフランジ
42b 貫通孔
43 楔部材(固定手段)
43a 嵌入部
43b 突出部
50 原料ガス供給源
52 排ガス処理系
54 電源回路
L 突出長さ
P 凸部
Claims (4)
- 反応炉内で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒に原料ガスを接触させることにより前記シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造方法であって、導電材からなる芯棒保持部の上端部に形成された保持孔に、前記シリコン芯棒の下端部を挿入し、挿入された前記シリコン芯棒を前記保持孔の内面に対して押圧して固定する固定手段を、その一部が前記芯棒保持部の外面から突出するように設けておき、前記シリコン芯棒の表面に前記多結晶シリコンを析出させ、前記固定手段の形状に応じて形成される前記多結晶シリコンの凸部よりも上方で、前記シリコン芯棒とともに前記多結晶シリコンを切断することを特徴とする多結晶シリコン製造方法。
- 前記固定手段は、前記芯棒保持部の前記外面から前記保持孔の内部に連通するねじ穴に螺合する固定ねじであることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコン製造方法。
- 前記固定手段は、前記保持孔の開口部に嵌入される嵌入部と、この嵌入部から伸びる突出部とを有する略L字状の楔部材であることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコン製造方法。
- 前記芯棒保持部の前記外面からの前記固定手段の突出長さは10mm以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の多結晶シリコン製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011202452A JP5742617B2 (ja) | 2010-09-15 | 2011-09-15 | 多結晶シリコン製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010206370 | 2010-09-15 | ||
JP2010206370 | 2010-09-15 | ||
JP2011202452A JP5742617B2 (ja) | 2010-09-15 | 2011-09-15 | 多結晶シリコン製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012082128A true JP2012082128A (ja) | 2012-04-26 |
JP5742617B2 JP5742617B2 (ja) | 2015-07-01 |
Family
ID=46241407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011202452A Active JP5742617B2 (ja) | 2010-09-15 | 2011-09-15 | 多結晶シリコン製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5742617B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012232879A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-29 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | シリコン芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009256188A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-11-05 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコン製造装置 |
JP2010180078A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Tokuyama Corp | 多結晶シリコンの製法 |
-
2011
- 2011-09-15 JP JP2011202452A patent/JP5742617B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009256188A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-11-05 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコン製造装置 |
JP2010180078A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Tokuyama Corp | 多結晶シリコンの製法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012232879A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-29 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | シリコン芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5742617B2 (ja) | 2015-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5434698B2 (ja) | 多結晶シリコン製造装置 | |
US8703248B2 (en) | Polycrystalline silicon reactor | |
EP2138459B1 (en) | Apparatus for producing polycrystalline silicon | |
US8187382B2 (en) | Polycrystalline silicon manufacturing apparatus | |
US8652256B2 (en) | Manufacturing apparatus of polycrystalline silicon | |
JP2007107030A (ja) | 電極の短絡防止方法および短絡防止板 | |
JP2009221058A (ja) | 多結晶シリコン製造装置 | |
JP5742617B2 (ja) | 多結晶シリコン製造方法 | |
JP5761099B2 (ja) | 多結晶シリコン反応炉 | |
KR102015491B1 (ko) | 반응기 및 고순도 실리콘의 제조 방법 | |
JP5157807B2 (ja) | 多結晶シリコン製造装置 | |
JP2006108312A (ja) | 気相成長装置 | |
JP6772753B2 (ja) | 多結晶シリコン反応炉 | |
JP4542859B2 (ja) | 気相成長装置 | |
KR20100083899A (ko) | 다결정 실리콘 로드 제조용 시드 필라멘트 | |
KR20130016740A (ko) | 폴리실리콘 제조장치 | |
US10512954B2 (en) | Method to prevent grounding from a silicon rod to a plate in polycrystalline silicon reactor | |
JP2009062251A (ja) | 多結晶シリコンの製造装置及び製造方法 | |
KR101380767B1 (ko) | 폴리실리콘 제조용 화학기상증착 반응기 | |
JP2009126773A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法及び製造装置 | |
JPS5969141A (ja) | 外熱形プラズマ化学気相生成装置の電極保持装置 | |
JP2002212737A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
US20080044166A1 (en) | Vaporizer apparatus with automatic feeding of a wire into a crucible | |
JP2014060195A (ja) | 気相成長装置及び気相成長用加熱装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140328 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150407 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150420 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5742617 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |