JP2009059819A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009059819A JP2009059819A JP2007224625A JP2007224625A JP2009059819A JP 2009059819 A JP2009059819 A JP 2009059819A JP 2007224625 A JP2007224625 A JP 2007224625A JP 2007224625 A JP2007224625 A JP 2007224625A JP 2009059819 A JP2009059819 A JP 2009059819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- semiconductor substrate
- forming
- back surface
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 半導体チップ2a内の回路素子に接続され、当該半導体チップ2a上の側面部近傍に形成されたパッド電極4と、前記パッド電極4上に形成された支持体7と、前記半導体チップ2aの側面部及び裏面部に形成された絶縁膜9と、前記パッド電極4の裏面に接続され、前記絶縁膜9に接するようにして前記半導体チップ2aの側面部から裏面部に延在する配線層10と、前記配線層10を含めた半導体チップ2aの裏面を被覆するように形成された第1の保護膜11と、前記第1の保護膜11に形成された開口部12を介して前記配線層10に接続された導電端子13と、前記第1の保護膜11と前記導電端子13との隙間Sを埋設する第2の保護膜14とを有することを特徴とする。
【選択図】 図9
Description
Claims (5)
- 半導体チップ内の回路素子に接続され、当該半導体チップ上に形成されたパッドと、
前記パッドを含む前記半導体チップ上に形成された支持体と、
前記半導体チップの側面部及び裏面部に形成された絶縁膜と、
前記パッドの裏面に接続され、前記絶縁膜に接するようにして前記半導体チップの側面部から裏面部に延在する配線と、
前記配線を含めた半導体チップの裏面を被覆するように形成された第1の保護膜と、
前記第1の保護膜に形成された開口部を介して前記配線に接続された導電端子と、
前記第1の保護膜と前記導電端子との隙間を埋設するように形成された第2の保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の保護膜がレジスト膜または無機絶縁膜から成り、前記第2の保護膜が樹脂膜から成ることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- パッドが形成された半導体基板を用意し、
前記パッドを含む前記半導体基板上に支持体を形成する工程と、
前記半導体基板をその裏面側から一部除去して前記パッドを露出するための開口部を形成する工程と、
前記パッドの裏面に接続し、かつ前記半導体基板の裏面に延在する配線を形成する工程と、
前記配線を含めた半導体チップの裏面を被覆するように第1の保護膜を形成する工程と、
前記第1の保護膜に形成された開口部を介して前記配線に接続された導電端子を形成する工程と、
前記第1の保護膜と前記導電端子との隙間を埋設するように第2の保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1の絶縁膜を介してパッドが形成された半導体基板を用意し、
前記パッドを含む前記半導体基板上に支持体を形成する工程と、
前記半導体基板をその裏面側から一部除去して前記第1の絶縁膜を露出させる工程と、
前記半導体基板の裏面全体に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1及び第2の絶縁膜を一部除去して前記パッドを露出させる工程と、
前記パッドの裏面に接続し、かつ前記半導体基板の裏面に延在する配線を形成する工程と、
前記配線を含めた半導体チップの裏面を被覆するように第1の保護膜を形成する工程と、
前記第1の保護膜に形成された開口部を介して前記配線に接続された導電端子を形成する工程と、
前記第1の保護膜と前記導電端子との隙間を埋設するように第2の保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の保護膜を形成する工程が、前記半導体基板の裏面全体に前記第2の保護膜を形成した後、当該第2の保護膜を異方性エッチングして前記導電端子の側壁部に残膜させる工程から成ることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007224625A JP2009059819A (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007224625A JP2009059819A (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009059819A true JP2009059819A (ja) | 2009-03-19 |
Family
ID=40555314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007224625A Pending JP2009059819A (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009059819A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006820A (ja) * | 2002-04-23 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007123426A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-08-30 JP JP2007224625A patent/JP2009059819A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006820A (ja) * | 2002-04-23 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007123426A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009032929A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100671921B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR100563887B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP4758712B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9231018B2 (en) | Wafer level packaging structure for image sensors and wafer level packaging method for image sensors | |
JP4743631B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9601531B2 (en) | Wafer-level packaging structure for image sensors with packaging cover dike structures corresponding to scribe line regions | |
US20070096329A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
US8178977B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP5101157B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007180395A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8786093B2 (en) | Chip package and method for forming the same | |
JP2002231854A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4828261B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20110204487A1 (en) | Semiconductor device and electronic apparatus | |
JP4511148B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4764710B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2004342862A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、疑似ウェーハ及びその製造方法、並びにマルチチップモジュール | |
JP5238929B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007242714A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2009059819A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5555400B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5122184B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007242812A (ja) | 半導体装置の製造方法及び支持テープ | |
JP2005294875A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110215 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110531 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120807 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130129 |