JP2007123426A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高い半導体装置及びこれを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の外部端子５０を有する半導体モジュール１００を用意する工程と、半導体モジュール１００に、ポジ型の感光性樹脂６０を、外部端子５０を連続的に覆うように設ける工程と、露光処理及び現像処理を行って感光性樹脂６０の一部を除去し、互いに独立して配置された複数の樹脂層７０を、それぞれが、いずれかの外部端子５０の基端部を覆い、かつ、上端部を露出させるように形成する工程と、を含む。感光性樹脂６０は、外部端子５０の上端部を覆う第１の部分６１と、基端部を覆う第２の部分６２と、第２の部分よりも外側の第３の部分６３とを含むように形成する。露光処理によって、第１及び第３の部分６１，６３のみにおいて、感光性樹脂６０を底面まで感光させる。そして、現像処理によって、第１及び第３の部分６１，６３を除去する。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。

半導体基板に外部端子が形成された半導体装置が知られている。そして、このタイプの半導体装置では、外部端子の根元を補強するために補強層を形成することが知られている。当該補強層は、特に、半導体装置がマザーボード等に実装された後に、外部端子の根元を補強するための役割を果たす。詳しくは、半導体基板とマザーボードとの膨張係数が異なる場合などには、半導体装置をマザーボードに実装した後に、外部端子の根元に応力が集中することが考えられる。補強層は、この場合に、外部端子の破損を防止する役割を果たすことができる。

ところで、一般的に、補強層は樹脂によって形成されるが、樹脂層は内部応力を発生させる。そして、樹脂層の体積が大きくなると、内部応力は大きくなる。半導体装置の信頼性をさらに高めるためには、補強層を、大きな内部応力を発生させない構造とすることが好ましい。
国際公開第０１／０７１８０５号パンフレット

本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置及びこれを効率よく製造する方法を提供することにある。

（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された複数の外部端子と、を含む半導体モジュールを用意する工程と、
前記半導体モジュールに、ポジ型の感光性樹脂を、前記複数の外部端子を連続的に覆うように設ける工程と、
露光処理及び現像処理を行って前記感光性樹脂の一部を除去し、互いに分離して配置されてなる複数の樹脂層を、それぞれが、対応するいずれか１つの前記外部端子の基端部を覆い、かつ、上端部を露出させるように形成する工程と、
を含み、
前記感光性樹脂を、それぞれの前記外部端子の前記上端部を覆う第１の部分と、前記外部端子の前記基端部を覆う第２の部分と、前記第２の部分よりも外側の第３の部分とを含むように形成し、
前記露光処理によって、前記第１及び第３の部分のみにおいて、前記感光性樹脂を底面まで感光させ、
前記現像処理によって、前記第１及び第３の部分を除去する。本発明によると、外部端子の根元を補強することが可能で、かつ、内部応力が小さい樹脂層を有する、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記感光性樹脂を、前記第２の部分が、前記第１及び第３の部分よりも厚くなるように形成してもよい。
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記外部端子は、基端面と平行な平面で切断した断面が、前記基端面よりも大きくなる部分を有してもよい。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記外部端子で光を遮ることによって、前記感光性樹脂の前記第２の部分で感光反応が起こらないように前記露光処理を行ってもよい。
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記露光処理を、前記感光性樹脂を覆うマスクを利用せずに行ってもよい。
（６）本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された複数の外部端子と、
互いに分離して配置された複数の樹脂層と、
を含み、
それぞれの前記複数の樹脂層は、対応するいずれか１つの前記外部端子の基端部を覆うように、かつ、上端部を露出させるように形成されてなる。本発明によると、外部端子の根元を補強することが可能で、かつ、内部応力が小さい樹脂層を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。

（第１の実施の形態）
図１〜図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１に示す、半導体モジュール１００を用意する工程を含む。図１は、半導体モジュール１００の断面の一部拡大図である。以下、半導体モジュール１００の構造について説明する。

半導体モジュール１００は、図１に示すように、半導体基板１０を含む。半導体基板１０は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板１０の全体形状は特に限定されるものではないが、例えば、ウエハ状をなしていてもよい。ウエハ状の半導体基板１０は、複数の半導体装置となる領域を含んでいてもよい。ただし、半導体基板１０は、チップ状をなしていてもよい。半導体基板１０は、１つ又は複数の（半導体チップには１つの、半導体ウエハには複数の）集積回路１２を有する。集積回路１２は、半導体装置となる領域毎に形成されていてもよい。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。また、半導体基板１０は複数の電極１４を有する。電極１４は、半導体基板１０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極１４は、集積回路１２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１２に電気的に接続されていない電極を含めて、電極１４と称してもよい。電極１４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。さらに、半導体基板１０は、パッシベーション膜１６を有してもよい。パッシベーション膜１６はそれぞれの電極１４（例えば、電極１４の中央部であってもよい）を露出させる開口を有する。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂等で形成してもよい。

半導体モジュール１００は、樹脂層２０を含んでいてもよい。樹脂層２０は、半導体基板１０上（パッシベーション膜１６上）に形成されてなる。樹脂層２０は、電極１４を避ける（露出させる）ように形成されてなる。図１に示すように、樹脂層２０は、半導体基板１０の端部を避けて中央部に形成されていてもよい。樹脂層２０は、応力緩和機能を有してもよい。樹脂層２０の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。樹脂層２０は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成することができる。

半導体モジュール１００は、導電パッド３０を含んでいてもよい。導電パッド３０は、図１に示すように、樹脂層２０上に形成されていてもよい。導電パッド３０は、電極１４と電気的に接続されていてもよい。すなわち、導電パッド３０は、電極１４上から引き出されて樹脂層２０上に至るように形成された導電パターン３２の一部であってもよい。なお、導電パッド３０は、ランド状に拡がった形状をなしていてもよい。

半導体モジュール１００は、図１に示すように、レジスト層４０を有してもよい。レジスト層４０は、導電パターン３２の少なくとも一部を覆っている。レジスト層４０には、導電パッド３０の中央部を露出させる開口が形成されていてもよい。このとき、レジスト層４０は、導電パッド３０の周縁部を覆ってもよい。

半導体モジュール１００は、図１に示すように、半導体基板１０上に形成された複数の外部端子５０を含む。外部端子５０は、導電パッド３０と電気的に接続されてなる。外部端子５０は、導電パッドと電気的に接続された導電部材５５の一部を指していてもよい。外部端子５０は、導電部材５５のうち、レジスト層４０から露出した部分（レジスト層４０上に突出した部分）を指していてもよい。例えば、外部端子５０は、レジスト層４０の開口に充填された接続部５２を介して、導電パッド３０と電気的に接続されていてもよい。このとき、外部端子５０の基端面５４の一部は、接続部５２と対向していてもよい。また、外部端子５０の基端面５４の他の一部は、レジスト層４０と対向していてもよい。なお、導電部材５５は、一体的に形成されていてもよい。すなわち、外部端子５０と接続部５２とは一体的に形成されていてもよい。外部端子５０は、基端面５４と平行な平面で切断した断面形状が、基端面５４から先端面に向かって、連続的に小さくなる形状をなしていてもよい。外部端子５０は、例えば、半球状をなしていてもよい。なお、外部端子５０（導電部材５５）の材料は特に限定されるものではないが、例えば、はんだを利用してもよい。

半導体モジュール１００は、以上の構成をなしていてもよい。なお、半導体モジュール１００を製造する方法は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの方法を適用してもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、半導体モジュール１００に、ポジ型の感光性樹脂６０を、複数の外部端子５０を連続的に覆うように設けることを含む。ここで、図２（Ａ）は、図１に示す半導体モジュール１００に感光性樹脂６０を設けた様子を示す図である。また、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の一部拡大図である。そして、図２（Ｃ）は、半導体モジュール１００に感光性樹脂６０が設けられた様子を示す上視図である。なお、図２（Ｃ）において、破線は外部端子５０を示し、一点鎖線は、第１の部分６１、第２の部分６２、及び、第３の部分６３の境界を示す。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、感光性樹脂６０を、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、それぞれの外部端子５０の上端部（上面）を覆う第１の部分６１と、外部端子５０の基端部を覆う第２の部分６２と、第２の部分６２よりも外側の第３の部分６３とを含むように形成する。なお、第２の部分６２は、第１の部分６１よりも外側の部分であってもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、感光性樹脂６０を、第２の部分６２の厚みが、第１及び第３の部分６１，６３よりも厚くなるように形成してもよい。逆に言うと、第１及び第３の部分６１，６３よりも厚みが厚い部分を指して、第２の部分６２と称してもよい。ここで、感光性樹脂６０（第１の部分６１及び第２の部分６２並びに第３の部分６３）の厚みとは、感光性樹脂６０の、半導体基板１０の厚み方向への幅を指していてもよい。例えば、第１の部分６１の厚みとは、第１の部分６１（感光性樹脂６０）の表面から外部端子５０の上端面までの、半導体基板１０の厚み方向への幅（図２（Ｂ）における距離Ｄ）を指していてもよい。あるいは、感光性樹脂６０の厚みとは、感光性樹脂６０の、後述する露光処理で照射される光の進行方向（指向方向）の幅を指していてもよい。感光性樹脂６０の厚みは、例えば、感光性樹脂６０の粘度や、レジスト層４０及び外部端子５０との親和性、あるいは、感光性樹脂６０の使用量を調整することで制御してもよい。

感光性樹脂６０は、外部端子５０をすべて覆うように形成してもよい。また、感光性樹脂６０は、レジスト層４０をすべて覆うように形成してもよい。このとき、感光性樹脂６０は、半導体モジュール１００の外部端子５０が形成された面をすべて覆うように設けてもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、露光現像処理を行って感光性樹脂６０の一部を除去して、相互に分離（独立）して配置される複数の樹脂層７０を形成することを含む。樹脂層７０は、それぞれが、対応するいずれか１つの外部端子５０の基端部を覆い、かつ、上端部を露出させるように形成する。以下、この工程について説明する。

はじめに、感光性樹脂６０に露光処理を行う。具体的には、図３（Ａ）に示すように、感光性樹脂６０に、光２００を照射する。光２００は、例えば紫外光であってもよい。光２００は、強い直進性を示す光であってもよい。このとき、光２００は、感光性樹脂６０の厚み方向（半導体基板１０の厚み方向）に指向性を示す光であってもよい。当該露光処理では、図３（Ａ）に示すように、光２００を、感光性樹脂６０の表面から照射してもよい。この場合、感光性樹脂６０では、表面から底面に向かって感光反応が進んでいく。ここで、感光性樹脂６０の底面とは、感光性樹脂６０の半導体基板１０と対向する面である。また、感光性樹脂６０の表面とは、感光性樹脂６０の、底面とは反対側の面である。なお、本工程では、感光性樹脂６０（特に、第２の部分６２）への光２００の照射を妨げるための他の部材（マスク）を利用することなく、露光処理を行ってもよい。これによると、半導体装置を効率よく製造することができる。但し、マスクを利用して本工程を行ってもよい。

当該露光処理によって、図３（Ｂ）に示すように、第１及び第３の部分６１，６３のみにおいて、感光性樹脂６０を底面まで感光させる。言い換えると、露光処理は、感光性樹脂６０の感光反応領域が、第１及び第３の部分６１，６３のみにおいて、感光性樹脂６０の表面から底面に至るように行ってもよい。すなわち、当該露光処理は、第２の部分６２において、感光性樹脂６０の底面が感光しないように行う。

そして、現像処理を行って、第１及び第３の部分６１，６３を除去する。例えば、感光性樹脂６０を現像液に浸すことによって、感光性樹脂６０のうち、感光反応した領域を除去してもよい（図３（Ｃ）参照）。最後に、パターニングされた感光性樹脂を硬化（重合）させて、図３（Ｃ）に示す、樹脂層７０を形成してもよい。

本実施の形態に係る半導体装置では、感光性樹脂６０として、ポジ型の材料を利用する。すなわち、感光性樹脂６０は、光２００が照射されることによって感光反応し、現像液への溶解性が高くなる性質を示す。そして、光２００を感光性樹脂６０の表面から照射することで、感光性樹脂６０の感光反応は、感光性樹脂６０の表面から底面に向かって進行させることができる。そのため、露光処理を、感光反応が、第１及び第３の部分６１，６３において感光性樹脂６０の底面（底部）に至るように行えば、現像処理によって、第１及び第３の部分６１，６３を、すべて除去することができる。また、第２の部分６２の底面（底部）が感光反応しないように露光処理を行うことで、第２の部分６２の底部が残るように、現像処理がなされる。すなわち、ポジ型の感光性の樹脂を利用することで、感光性樹脂６０を、容易かつ効率よくパターニングすることができる。

特に、第２の部分６２が、第１及び第３の部分６１，６３よりも厚くなるように形成されている場合には、両者の厚みの違いを利用して、第２の部分６２の底部が感光反応しないように露光処理を行ってもよい。詳しくは、第１及び第３の部分６１，６３において感光性樹脂６０の底部が感光反応するように、かつ、第２の部分６２において感光性樹脂の底部が感光反応しないように、光２００のエネルギーや照射時間を調整して、露光処理を行ってもよい。これによると、マスクを利用せずに感光性樹脂６０をパターニングすることができるため、半導体装置を効率よく製造することができる。

なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によると、感光性樹脂６０から第１の部分６１が除去されるため、外部端子５０の上端部が露出するように樹脂層７０を形成することができる。また、感光性樹脂６０から第３の部分６３が除去されるため、複数の樹脂層７０を、相互に分離（独立）するように形成することができる。さらに、第２の部分６２の底部が残るように感光性樹脂６０がパターニングされることから、外部端子５０の基端部を覆うように、樹脂層７０を形成することができる。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、さらに、検査工程や、半導体基板１０を切断する工程を含んでいてもよい。これにより、図４に示す、半導体装置１を製造してもよい。但し、半導体基板１０を切断する前の状態を指して、半導体装置と称してもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によると、信頼性の高い半導体装置を、効率よく製造することが可能になる。以下、その効果について説明する。

外部端子と、該外部端子の基端部（根元）を補強するための補強層とを有する半導体装置が知られている。当該補強層は、マザーボード等に実装された半導体装置の外部端子に応力がかかった場合に、外部端子（特に外部端子の根元部）を補強する役割を担う部材である。特に、半導体基板とマザーボードとの熱膨張係数に差があるときには、実装後の半導体装置の信頼性を確保するために重要な役割を果たす。このタイプの半導体装置の信頼性を高めるためには、補強層が、大きな内部応力を発生させない構造をなしていることが好ましい。補強層は、通常樹脂層であり、その体積が大きいほど、内部応力が大きくなる。逆に言うと、補強層の体積を小さくすることができれば、補強層の内部応力が小さくなり、半導体装置の信頼性を高めることができる。

ところで、半導体装置１では、複数の樹脂層７０が、互いに分離して（独立して）配置されてなる。また、半導体装置１では、複数の樹脂層７０が、それぞれ、対応するいずれか１つの外部端子５０の基端部を覆うように、かつ、上端部を露出させるように形成されてなる。このことから、樹脂層７０によると、個々の樹脂層の体積を小さくすることができるとともに、外部端子５０の基端部を保護する役割を十分果たすことができる。まとめると、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によると、外部端子５０の基端部（根元部）を補強することが可能で、かつ、体積の小さい（内部応力が小さい）樹脂層７０を有する信頼性の高い半導体装置１を、効率よく製造することができる。

半導体装置１は、図４に示すように、半導体基板１０（半導体チップ１１）と、半導体基板１０上に形成された複数の外部端子５０と、互いに分離して配置された複数の樹脂層７０と、を含む。そして、半導体装置１では、それぞれの樹脂層７０は、対応するいずれか１つの外部端子５０の基端部を覆うように、かつ、上端部（上面）を露出させるように形成されてなる。樹脂層７０を、根元補強層と称してもよい。そして、図５には、半導体装置１が実装された回路基板１０００を、図６には、半導体装置１を有する電子機器であるノート型パーソナルコンピュータ２０００を、それぞれ示す。

（第２の実施形態）
図７（Ａ）〜図７（Ｄ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図７（Ａ）に示す、半導体モジュール１０１を用意することを含む。半導体モジュール１０１は、外部端子８０を含む。外部端子８０は、半導体基板１０上に設けられてなる。外部端子８０は、基端面８２が半導体基板１０と対向するように設けられてなる。外部端子８０は、基端面８２が、半導体基板１０導電パッド（電極であってもよい）と対向して電気的に接続されていてもよい。外部端子８０は、基端面８２と平行な平面（半導体基板１０の表面と平行な平面、あるいは、露光工程で照射される光の進行方向と直交する平面であってもよい）で切断した断面が、基端面８２よりも大きくなる部分を有する形状をなす。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図７（Ｂ）に示すように、半導体モジュール１０１に、ポジ型の感光性樹脂９０を設けることを含む。感光性樹脂９０は、外部端子８０の上端部を覆う第１の部分９１と、外部端子８０の基端部を覆う第２の部分９２と、第２の部分９２の外側に配置された第３の部分９３とを含むように形成する。第１及び第２の領域９１，９２は、外部端子８０とオーバーラップする領域内に形成された部分であってもよい。そして、感光性樹脂９０の第３の部分９３は、外部端子８０よりも外側の部分であってもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、露光現像処理を行って第１及び第３の部分９１，９３を除去し、パターニングされた感光性樹脂９０（第２の部分９２）を硬化させることによって、図７（Ｄ）に示す、樹脂層９５を形成することを含んでいてもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によると、第２の部分９２への光の照射を、外部端子８０によって遮ることができる。すなわち、外部端子８０で光を遮ることによって、図７（Ｃ）に示すように、感光性樹脂９０の第２の部分９２で感光反応が起こらないように露光処理を行うことができる。そのため、光を遮断するための他の部材（マスク）を利用することなく、第２の部分９２に光が照射されることを防止することができる。そのため、感光性樹脂９０の形状や、露光処理で照射する光のエネルギーや照射時間を厳密に調整することなく、第２の部分９２が感光反応しないように露光処理を行うことができる。そのため、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することが可能になる。なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、感光性樹脂９０は、図７（Ｂ）に示すように、表面が平坦面になるように形成してもよい。

なお、本発明は、電子モジュールに適用してもよい。例えば、外部端子８０が形成された配線基板に対して、本発明を適用してもよい。このとき、配線基板を、インターポーザと称してもよい。本発明を電子モジュールに適用した場合でも、信頼性の高い電子モジュールを効率よく製造することが可能になる。

なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。 図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。 図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。 図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。 図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。 図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。 図７（Ａ）〜図７（Ｄ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。

符号の説明

１…半導体装置、 １０…半導体基板、 １２…集積回路、 １４…電極、 １６…パッシベーション膜、 ２０…樹脂層、 ３０…導電パッド、 ３２…導電パターン、 ４０…レジスト層、 ５０…外部端子、 ５２…接続部、 ５４…基端面、 ５５…導電部材、 ６０…感光性樹脂、 ６１…第１の部分、 ６２…第２の部分、 ６３…第３の部分、 ７０…樹脂層、 ８０…外部端子、 ８２…基端面、 ９０…感光性樹脂、 ９１…第１の部分、 ９２…第２の部分、 ９３…第３の部分、 ９５…樹脂層、 １００…半導体モジュール、 １０１…半導体モジュール

Claims (6)

1. 半導体基板と、前記半導体基板上に形成された複数の外部端子と、を含む半導体モジュールを用意する工程と、
   前記半導体モジュールに、ポジ型の感光性樹脂を、前記複数の外部端子を連続的に覆うように設ける工程と、
   露光処理及び現像処理を行って前記感光性樹脂の一部を除去し、互いに分離して配置されてなる複数の樹脂層を、それぞれが、対応するいずれか１つの前記外部端子の基端部を覆い、かつ、上端部を露出させるように形成する工程と、
   を含み、
   前記感光性樹脂を、それぞれの前記外部端子の前記上端部を覆う第１の部分と、前記外部端子の前記基端部を覆う第２の部分と、前記第２の部分よりも外側の第３の部分とを含むように形成し、
   前記露光処理によって、前記第１及び第３の部分のみにおいて、前記感光性樹脂を底面まで感光させ、
   前記現像処理によって、前記第１及び第３の部分を除去する半導体装置の製造方法。
2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   前記感光性樹脂を、前記第２の部分が、前記第１及び第３の部分よりも厚くなるように形成する半導体装置の製造方法。
3. 請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
   前記外部端子は、基端面と平行な平面で切断した断面が、前記基端面よりも大きくなる部分を有する半導体装置の製造方法。
4. 請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
   前記外部端子で光を遮ることによって、前記感光性樹脂の前記第２の部分で感光反応が起こらないように前記露光処理を行う半導体装置の製造方法。
5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記露光処理を、前記感光性樹脂を覆うマスクを利用せずに行う半導体装置の製造方法。
6. 半導体基板と、
   前記半導体基板上に形成された複数の外部端子と、
   互いに分離して配置された複数の樹脂層と、
   を含み、
   それぞれの前記複数の樹脂層は、対応するいずれか１つの前記外部端子の基端部を覆うように、かつ、上端部を露出させるように形成されてなる半導体装置。

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