JP2009059818A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 従来のW−CSPは、コンタクト2と外部電極4との間は、幅の狭い再配線5がある。しかし発熱量の多いCSPは、面実装であるが故、Si基板の裏面から放熱できず、温度上昇する。よって再配線のネック部分でクラックや断線を発生する。
【解決手段】 半導体チ装置20には、放熱に寄与する外部電極24が最上層に設けられ、下層には、瞬時に発生する熱を溜めるヒートシンク電極29が設けられる。
そのため、発熱する部分では、従来の再配線が無く、面積の大きい外部電極を配置できるため、放熱性の向上が実現できる。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体チ装置20には、放熱に寄与する外部電極24が最上層に設けられ、下層には、瞬時に発生する熱を溜めるヒートシンク電極29が設けられる。
そのため、発熱する部分では、従来の再配線が無く、面積の大きい外部電極を配置できるため、放熱性の向上が実現できる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置に関するものである。
近年、携帯電話やデジタルカメラなどの情報端末の普及により、それに搭載される半導体装置には、集積化と共に、薄膜化、小型化、軽量化が要求されている。これを実現する方法の一つとして、半導体装置を半導体チップの大きさに近づけるCSP技術(Chip Size Package または Chip Scale Package)がある。
特に、リードフレームや実装基板を用いないW−CSP技術(Wafer Level−Chip Size Package または Wafer Level−Chip Scale Package)は、製造コストの低減などが期待でき、最終的な小型のパッケージを実現するものとして注目を集めている。
特に、リードフレームや実装基板を用いないW−CSP技術(Wafer Level−Chip Size Package または Wafer Level−Chip Scale Package)は、製造コストの低減などが期待でき、最終的な小型のパッケージを実現するものとして注目を集めている。
図6は、一般的なW−CSPの構造であり、一端が半導体チップ1の電極パッドにコンタクト2を介して接続される電極3、他端が外部電極4と電気的に接続された再配線5と、外部電極4より成る一体の電極を有し、前記半導体チップ1を覆うソルダーレジスト(図面では省略した)と、前記外部電極4を露出させるようにソルダーレジストがパターニングされ、その露出部に設けられたソルダーボール6により成る。
図6は、あくまでも模式的に示したもので、実際は、図7の様に外部電極4にはソルダーボール6がマトリックス状に数多く形成され、コンタクト2から伸びる再配線5は、チップ1表面のパターンの間を迂回しながら設けられている。
一方、このW−CSPは、実装基板に対してフェイスダウンで実装するため、熱のパスは、再配線、外部電極、更にはそこに設けられたソルダーボール6であり、熱を外部に放出することが難しかった。
今までは、半導体チップ1として、小信号系のLSIに応用されていたが、近年大信号系で駆動電流も大きく、小信号系のLSIよりも大量に発熱するLSIもW−CSPに応用する要求があり、その放熱に問題があった。
また再配線の幅が細いため、従来構造の電極3および外部電極4にはネックが形成され、チップ自体が発熱するため、そのネックの所にクラックが入ったり、断線する問題があった。
一方、このW−CSPは、実装基板に対してフェイスダウンで実装するため、熱のパスは、再配線、外部電極、更にはそこに設けられたソルダーボール6であり、熱を外部に放出することが難しかった。
今までは、半導体チップ1として、小信号系のLSIに応用されていたが、近年大信号系で駆動電流も大きく、小信号系のLSIよりも大量に発熱するLSIもW−CSPに応用する要求があり、その放熱に問題があった。
また再配線の幅が細いため、従来構造の電極3および外部電極4にはネックが形成され、チップ自体が発熱するため、そのネックの所にクラックが入ったり、断線する問題があった。
従来では、コンタクトを介して接続される電極3と外部電極4は、電極3および外部電極4よりもその幅が狭い再配線5で接続されていた。端子数が100ピン以上とその数か多いものに適用されていた。
しかし本発明は、チップサイズに対して、端子の数が4個から8個、せいぜい10〜20個程度の数しか設けられないものであり、更には、低温の第1の領域と、前記第1の領域よりも高温な第2の領域があり、この第2の領域から発生する熱を放熱させて、その部分の駆動能力を高めんとするものである。
しかし本発明は、チップサイズに対して、端子の数が4個から8個、せいぜい10〜20個程度の数しか設けられないものであり、更には、低温の第1の領域と、前記第1の領域よりも高温な第2の領域があり、この第2の領域から発生する熱を放熱させて、その部分の駆動能力を高めんとするものである。
具体的には、
半導体チップの最表面に位置する複数の外部電極は、前記外部電極の下層に設けられたヒートシンク電極とのコンタクト領域も含めて矩形とし、
前記複数の外部電極の下層には、前記半導体チップに形成された能動素子と電気的に接続され、前記能動素子から発生する熱を蓄熱する前記ヒートシンク電極とを有する事で解決するものである。
更には、半導体チップの最表面に位置する複数の外部電極は、第1の外部電極と第2の外部電極のタイプに分類され、
一方の第1の外部電極は、表面に設けられる端子が位置する前記第1の外部電極の幅の方が、下層メタルとのコンタクト領域に位置する前記第1の外部電極の幅より大きく形成され、
他方の第1の外部電極は、前記半導体チップの短辺の半分以上の長さを持ち、
前記外部電極の下層には、前記半導体チップに形成された能動素子から発生する熱を蓄熱する前記ヒートシンク電極とを有する事で解決するものである。
半導体チップの最表面に位置する複数の外部電極は、前記外部電極の下層に設けられたヒートシンク電極とのコンタクト領域も含めて矩形とし、
前記複数の外部電極の下層には、前記半導体チップに形成された能動素子と電気的に接続され、前記能動素子から発生する熱を蓄熱する前記ヒートシンク電極とを有する事で解決するものである。
更には、半導体チップの最表面に位置する複数の外部電極は、第1の外部電極と第2の外部電極のタイプに分類され、
一方の第1の外部電極は、表面に設けられる端子が位置する前記第1の外部電極の幅の方が、下層メタルとのコンタクト領域に位置する前記第1の外部電極の幅より大きく形成され、
他方の第1の外部電極は、前記半導体チップの短辺の半分以上の長さを持ち、
前記外部電極の下層には、前記半導体チップに形成された能動素子から発生する熱を蓄熱する前記ヒートシンク電極とを有する事で解決するものである。
以上の如き構造により、フェイスダウン型半導体装置の問題であるチップ表面の放熱機能を改善でき、その結果駆動能力を更に拡大できるものである。
ただし、当然のことではあるが、フェイスダウン実装された際の、半導体装置の裏面には、放熱フィンが設けられても良いし、この半導体装置とこの装置が設けられる実装基板との間には、アンダーフィルの如き、熱伝導性の優れた絶縁性材料が設けられても良い。
前述したように、半導体チップの表面に、コンタクトから端子に到るまでの領域に、面積の大きい外部電極を配置すれば、従来の再配線5に対応する部分も含めて幅の広い大きな電極にできる。よって熱伝導のパスが広がり、放熱性を向上させることができる。
しかも、前記外部電極の下層にヒートシンク電極を配置すれば、半導体素子からの熱を一旦このヒートシンク電極に蓄熱させることができ、瞬時の発熱に対する破壊を抑止することができる。
また大電流が流れる部分は、従来構造の様なネックがないため、熱膨張係数αの違いにより外部電極の部分のクラック発生を抑止することができる。
また大電流が流れる部分は、従来構造の様なネックがないため、熱膨張係数αの違いにより外部電極の部分のクラック発生を抑止することができる。
以下、本発明の実施の形態を説明する前に、本発明の概要を述べる。
フェイスダウン型半導体装置20は、別名としてフリップチップとも呼ばれ、一般には、従来例の欄で述べたようなW−CSPの構造でなる。このW−CSPは、IC、LSI等に適用され、入出力端子6・・・も100以上と非常に多いものもあり、チップ表面の端子を、BGAの如くマトリックス状に再配置していた。またチップの周囲に並べられたボンディングパッドは、実装基板に実装する事を考慮すると、そのサイズが小さいため、それぞれが再配線5を用いて再配置され、大きいサイズにして並べ変えられた。その並べかえられた外部電極4は、サイズも大きく、且つ数も多いため、外部電極4を縫うように幅の狭い再配線5が用いられた。
フェイスダウン型半導体装置20は、別名としてフリップチップとも呼ばれ、一般には、従来例の欄で述べたようなW−CSPの構造でなる。このW−CSPは、IC、LSI等に適用され、入出力端子6・・・も100以上と非常に多いものもあり、チップ表面の端子を、BGAの如くマトリックス状に再配置していた。またチップの周囲に並べられたボンディングパッドは、実装基板に実装する事を考慮すると、そのサイズが小さいため、それぞれが再配線5を用いて再配置され、大きいサイズにして並べ変えられた。その並べかえられた外部電極4は、サイズも大きく、且つ数も多いため、外部電極4を縫うように幅の狭い再配線5が用いられた。
一方、本発明は、図1Aの様に、前記端子21の数が4〜10程度であり、本実施例では8端子、6〜20端子程度のIC、LSIに適用するものであり、他のLSIと比べてみても、その端子数21が極端に少ないものである。
つまり、従来の再配線5を用いて製造すれば、その再配線5の周りには、空き領域が存在し、この空き領域を有効に活用しようとして考えられたものである。また急激な温度上昇を吸収すべく、外部電極の下にそれに相当する電極を配置するものである。
つまり、従来の再配線5を用いて製造すれば、その再配線5の周りには、空き領域が存在し、この空き領域を有効に活用しようとして考えられたものである。また急激な温度上昇を吸収すべく、外部電極の下にそれに相当する電極を配置するものである。
更には、半導体装置20の全面が全て実質同一温度で上昇しているものではない。つまり、図3に示すように、低温な第1の領域22と、前記第1の領域22よりも高温な第2の領域23があり、外部電極24aは、この第2の領域23を被覆することにより、効果的に半導体装置20の熱を放出するものである。
このLSIからなる半導体装置20は、例えば、大電流を必要とするモータのドライバ用のLSIであり、またはLED等の照明用の駆動回路である。そのため、駆動回路の特にトランジスタの部分が、第2の領域23で、図3では、斜線の部分であり、駆動回路以外の回路の部分が、斜線以外の部分22である。
では、具体的に、図1Aの構造について説明する。
Siの半導体基板は、通常の半導体プロセスを用いて形成されている。図面では、省略したが、熱拡散やイオン注入によるPN接合の形成により、トランジスタ、ダイオード等が形成され、いわゆるIC、LSIまたはシステムLSIが形成されている。当然デジタル系のMOS型素子、リニア系のBIP型素子、混在のデジタル−リニア型のどちらでも良い。
具体的な回路としては、モータドライバ、LEDドライバ等である。
シリコン基板には通常の半導体素子が形成され、半導体チップ25が形成されている。この半導体チップ25は、ウェハのまま製造され、図1Aの端子21が形成された後で、矩形にダイシングされている。また最近では、Si基板の厚みが200μm以下の場合もあり、その場合、レーザダイシングの場合もある。
シリコン基板には通常の半導体素子が形成され、半導体チップ25が形成されている。この半導体チップ25は、ウェハのまま製造され、図1Aの端子21が形成された後で、矩形にダイシングされている。また最近では、Si基板の厚みが200μm以下の場合もあり、その場合、レーザダイシングの場合もある。
この矩形の半導体チップ25は、2対の対向する側辺があり、ここでは、上下の側辺を第1の側辺26A、第2の側辺26B、左右の側辺を第3の側辺27A、第4の側辺27Bとする。
そして第1の側辺と平行な中心線をLhとする。
そして半導体装置20には、入出力に必要な外部電極24が8つ設けられている。この外部電極24は、最上層のメタル層に形成されている。この外部電極24の下層は、第1のコンタクト28を介してヒートシンク電極29が形成されている。そしてこのヒートシンク電極29の下層は、第2のコンタクト30を介して、半導体チップのボンディングパッド31とコンタクトされ、このボンディングパッド31は、何層かのメタル配線を経てPN接合から成る半導体素子と電気的に接続されている。
前記ボンディングパッドは、通常はワイヤボンディングする場所である。一般に、ワイヤボンディングタイプを利用してWLP型を兼用するため、本実施例は、更に2層のメタルが形成されることになる。
もし前記兼用を考えない場合、ボンディングパッドを省略できる。
またボンディングパッド31を覆う絶縁層は、ポリイミド樹脂、シリコン窒化膜などのパシベーション膜32である。また層間絶縁層33は、パシベーション膜と同一またはシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜等の絶縁層でも良い。また外部電極24を覆う絶縁性被膜34は、ソルダーレジスト層である。
そしてソルダーレジスト等の絶縁被膜を介して円形の開口部が設けられ、そこに端子21が設けられている。この端子には、Ni、Auがメッキされ、その上に例えばロウ材から成る半田が形成される。またロウ材の代わりに、Au、Ag、Al等のバンプが設けられても良い。また符合35は、チッピング防止用にフィルムが形成されている。
本発明の特徴は、外部電極24と下層のヒートシンク電極29にある。例えば図3に示すように斜線の部分が高熱である場合、外部電極のCとFの部分が発熱する部分である。しかし外部電極もヒートシンク電極も電気的分離に必要な幅、ここでは20μmの幅で縦横が隔てられて、カードを並べるように配置されている。ヒートシンク電極に関しては、図2Aに示した。外部電極とヒートシンク電極は、実質同じサイズで夫々対応して設けられている。
よって外部電極は、半導体チップの全域に並べられた格好となり、外部電極から外部に熱を放出することができる。また下層のヒートシンク電極は、瞬時の発熱をヒートシンクの如く蓄熱することができる。
図2Bは、図2Aの複数のヒートシンク電極29・・・を一枚の電極としてまとめたものである。ここで太線は、外部電極24を示す。
例えばボンディングパッド31の上に、コンタクト電極36を配置し、このコンタクト電極36を囲むように29Bが設けられても良い。
チップの周囲に相当するコンタクト電極の側辺を除いた3辺を囲むように配置しても良い。また群れと成って近接して配置された電極を囲みチップの周囲まで延在した、平面的に凹凸形状のヒートシンク電極でも良い。これは、図2Aと比べ、分離幅も無く一枚のヒートシンク電極となるため、熱容量は拡大される。
更に、コンタクト電極の部分がボンディングパッドであっても良い。すれば、コンタクト電極が要らない為、1層分のメタル層が省ける。
以上、外部電極24は、従来構造としての再配線5を有する構造を取らないのでネックの発生もなく、Cuとシリコンチップとの熱膨張係数の違いによるネック切れ等の不具合を防止することができる。
尚、この外部電極は、AlまたはCuを主材料とし、下層には、例えばバリア膜として下層からTi、TiNが積層されても良い。またCuを採用する場合、電解メッキで形成されても良いし、無電解メッキ、その上に電解メッキ膜が形成されても良い。また表面に半田等のロウ材を用いる場合、Cuの表面に下層からNiメッキ、Auメッキを施しても良い。
またCuの膜厚は、例えば3〜10μmの内、厚めの膜厚を選択することで、ヒートシンクの機能も持たせられ、熱伝導が良好に成る。
一方、図1Bに於いて、端子22の下方にポストが採用されても良い。このポストは、竹の様にしなるため、応力の緩和が可能であり、また比較的厚く形成されるため、ヒートシンクとしての機能が、よりも向上する特徴を有する。
続いて、第2の実施の形態について説明する。
本実施例では、ヒートシンク電極29の構造は、実質前実施例と同じである。
また端子21の数も同様で、8端子とした。ここでも4〜10程度であり、多くても、6〜20端子程度のIC、LSIに適用するものである。
ここで外部電極24は、二つのタイプに分けられ、一方は、前実施例と同様でネックを形成しない外部電極24a、他方は、再配線を持った外部電極24bに分かれる。
これら外部電極24は、半導体装置の最上層に形成され、外部電極24bは、第1のコンタクト28により半導体装置のSi基板に形成されている半導体素子と電気的に接続されている。これは図5に示すように、ボンディングパッド31と接続される。またここではコンタクト孔の深さの関係で間にヒートシンク電極29と同層で形成される電極40が形成されている。再配線41は、端子E、Hは、明らかに配線がある。一方A、D、Gは、コンタクトと端子の距離が短いため、第1のコンタクト周りの電極と端子周りの電極とを接続する部分は、端子側が広くコンタクト28側で狭くなるように、両側の直線がカタカナのハの字の形状を成している。
この外部電極24bの配置領域は、温度の低い部分であり、ここでは第1の領域として定義する。当然、前記第1の領域よりも温度の高い部分があり、これは、端子C、Fが配置された領域およびその周囲の部分であり、第2の領域として定義する。この部分は、放熱を必要とし、ここでは、外部電極24aが配置される。
この外部電極24aは、再配線の有する外部電極24bよりもそのサイズが大きく、再配線を有していない。そしてサイズの異なる矩形がいくつも合体したような、多側辺体である。
この外部電極24aは、対向する側辺26A、26Bに一端を近接して配置され、中心線を超えて配置されている。例えば端子Cは、側辺26Aに近接して配置され、周囲を囲む5端子B、D、F、G、Hに近接して配置されている。
側辺は、L1〜L5を最低必要とし、また側辺26Aに近接配置のL0も必要であるため、少なくとも6側辺以上で多側辺体を構成する。これは、端子Fも同様である。
側辺は、L1〜L5を最低必要とし、また側辺26Aに近接配置のL0も必要であるため、少なくとも6側辺以上で多側辺体を構成する。これは、端子Fも同様である。
ここでヒートシンク電極29は、図3、図4で一点鎖線で示し、一体で形成されている。図2Bと考えは同じであり、図3Bのヒートシンク電極と比べ、分離幅も無く一枚のヒートシンク電極となるため、熱容量は拡大される。断面図としては、図5に示した。
図3Bは、外部電極は図3Aと同じで、ヒートシンク電極29がカードの如く並べられたものである。
これら2つの実施例に於いて、ヒートシンク電極は、外部電極24aと重畳している。例えば図3Aの外部電極24aは、一枚のヒートシンク電極29と重畳している。一方、図3Bの外部電極24aは、少なくとも5枚のヒートシンク電極c、d、e、i、jと重畳している。もう一つの外部電極は、a、b、c、f、g、hと重畳している。
層間絶縁膜、パシベーション膜およびソルダーレジストは、前実施例と同様である。黒くハッチングされた部分は、半田ボールを示し、ソルダーレジストは、この部分を丸く開口し、そこに半田ボールが形成される。
第2の領域は、局部的であり、その熱がチップに加わり、チップクラック等も問題となる。よって裏面全面に、保護シートを貼り付け、チッピングを保護しながら、前述したヒートシンク電極で熱をためると同時に、外部電極で放出している。よって本半導体装置の熱による特性劣化、駆動能力低下、電極のクラック、チッピング等を一度に解決することができる。
また保護シートは、フィラーの入った放熱性の優れたものでも良い。
第2の領域は、局部的であり、その熱がチップに加わり、チップクラック等も問題となる。よって裏面全面に、保護シートを貼り付け、チッピングを保護しながら、前述したヒートシンク電極で熱をためると同時に、外部電極で放出している。よって本半導体装置の熱による特性劣化、駆動能力低下、電極のクラック、チッピング等を一度に解決することができる。
また保護シートは、フィラーの入った放熱性の優れたものでも良い。
20:半導体装置
21:端子
22:第1の領域
23:第2の領域
24:外部電極
25:半導体チップ
29:ヒートシンク電極
21:端子
22:第1の領域
23:第2の領域
24:外部電極
25:半導体チップ
29:ヒートシンク電極
Claims (11)
- 半導体チップの表面にフェイスダウン用の外部電極が複数設けられた半導体装置であり、
前記半導体チップの最表面に位置する前記複数の外部電極は、前記外部電極の下層に設けられたヒートシンク電極とのコンタクト領域も含めて矩形とし、
前記複数の外部電極の下層には、前記半導体チップに形成された能動素子と電気的に接続され、前記能動素子から発生する熱を蓄熱する前記ヒートシンク電極とを有する事を特徴とした半導体装置。 - 前記複数の外部電極を被覆する絶縁性被膜の開口部には、ロウ材が設けられる請求項1記載の半導体装置。
- 前記ヒートシンク電極は、前記複数の外部電極の夫々と対応して設けられる請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ヒートシンク電極は、前記外部電極の複数と重畳し、前記外部電極よりもそのサイズを大とした請求項1に記載の半導体装置。
- 前記外部電極の下層に位置し、前記半導体チップの実質周囲に設けられたコンタクト電極と、前記コンタクト電極の配置領域を囲むように少なくとも1枚の電極で成る前記ヒートシンク電極から成る請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体チップの表面にフェイスダウン用の外部電極が複数設けられた半導体装置であり、
前記半導体チップの最表面に位置する前記複数の外部電極は、第1の外部電極と第2の外部電極のタイプに分類され、
一方の第1の外部電極は、表面に設けられる端子が位置する前記第1の外部電極の幅の方が、下層メタルとのコンタクト領域に位置する前記第1の外部電極の幅より大きく形成され、
他方の第1の外部電極は、前記半導体チップの短辺の半分以上の長さを持ち、
前記外部電極の下層には、前記半導体チップに形成された能動素子から発生する熱を蓄熱する前記ヒートシンク電極とを有する事を特徴とした半導体装置。 - 前記複数の外部電極を被覆する絶縁性被膜の開口部には、ロウ材が設けられる請求項1記載の半導体装置。
- 前記ヒートシンク電極は、前記複数の外部電極の夫々と対応して設けられる請求項6に記載の半導体装置。
- 前記ヒートシンク電極は、前記外部電極の複数と重畳する請求項6に記載の半導体装置。
- 前記ヒートシンク電極は、前記外部電極の下層に位置し、前記半導体チップの実質周囲に設けられたコンタクト電極で囲まれた1枚の電極で成る請求項9に記載の半導体装置。
- 前記半導体チップの裏面には、チッピング防止としてフィルムが貼りあわされている請求項1、または請求項6に記載の半導体装置。
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