JP2009058484A - 電子部品のフィレット幅検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品の外周部に充填される充填物、特に、樹脂のフィレット幅を的確に求めることのできる電子部品のフィレット幅検査装置を提供する。
【解決手段】電子部品１００の外周部の境界検出に適した同軸落射照明２と樹脂フィレット１０１の外周部の境界検出に適した斜方照明３とを選択的かつ独立的に作動させ、同軸落射照明２が作動する間に撮像された同軸落射画像と斜方照明３が作動する間に撮像された斜方画像とを画像記憶手段６に記憶させる。電子部品１００の外周部の境界を同軸落射画像の輝度変化から求める一方、樹脂フィレット１０１の外周部の境界を斜方画像の輝度変化から求めることで、電子部品１００の外周部の正確な境界と樹脂フィレット１０１の外周部の正確な境界に基いて電子部品１００の外周から樹脂フィレット１０１の外周部の境界に至る樹脂幅すなわちフィレット幅ｈを求める。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板に装着された電子部品の外周部に充填される樹脂の充填状態を検査する電子部品のフィレット幅検査装置に関する。

基板に装着された電子部品の外周部に充填される充填物の状態を検査するための技術としては、例えば、特許文献１に開示される半田フィレット検査装置が公知である。

この半田フィレット検査装置は、電子部品の上面を垂直に照明する同軸落射照明と電子部品の外周部を斜め上方から照明する斜方照明とを備え、これら２種類の照明を使用して撮像した画像を正規化し、同軸落射照明で得られた輝度の一次元配列と斜方照明で得られた輝度の一次元配列から求まる偏角表現を利用して半田フィレットの傾斜を検出するようにしている。

具体的には、図１４の断面図に示されるように、電子部品１００の外周部つまり図１４中で電子部品１００の右側に充填された充填物１０１のフィレット幅を検出する際に、電子部品１００の内側から外側に向う方向すなわち図１４中の左から右に向かう方向で画像の輝度を見ていき、輝度の極大値が検出される点を電子部品１００の外周部の境界としている。

このため、フィレットの状態によっては、検出された極大値が図１４の例のように電子部品１００から離れていることがあり、正しく電子部品１００の外周部の境界を検出できないことがあるという課題がある。

さらに、充填物１０１の外周部の境界の検出に際しては、前述した偏角表現により電子部品１００の外周部の境界から外側に向かって図１４中の左から右に向かう方向で充填物１０１の傾斜の変化を見ていき、傾斜が水平になる部分を充填物１０１の外周部の境界としている。

この際、充填物１０１が半田であれば、充填物１０１の傾斜が水平になる位置とフィレット端とが概ね一致するが、充填物１０１が樹脂である場合には、フィレット端から先にも更に染み出し成分が存在するため、傾斜が水平になる位置をフィレット端として認識すると染み出し成分の端を計測することになり、フィレット端つまりフィレットの外周部の境界を正確に検出できないという課題がある。

また、充填物１０１が樹脂である場合においては、特に、電子部品１００の周囲に塗布された直後の樹脂が電子部品１００の外周において基板１０２に向けて下に凸となる湾曲した光沢のある曲面を形成する。更に、樹脂の表面が波打っていたり、樹脂の塗布具合によって基板１０２と樹脂との境界が滑らかな曲線とならない場合もあり、しかも、樹脂の乾燥状態によっては表面で光が乱反射して反射光に変動が生じたり、基板１０２の色にも個体差やムラがあるため、樹脂と基板１０２の反射は一定ではない。

このため、輝度の極大値を検出するだけでは電子部品１００の外周部の境界を正しく検出することが難しく、また、偏角表現を利用して充填物１０１の傾斜を調べるだけでは樹脂の外周部の境界を安定して検出することが難しい。

また、基板上にマーキングを形成しておき、このマーキングが充填物で覆われているか否かによって充填状態の適否を判定するようにしたものか特許文献２として開示されているが、このものは基板にマーキングを形成する必要があり、基板の製造が煩雑になるといった欠点がある。

特開２００１−２２８０９２号公報 特開２００６−２８６７４４号公報

そこで、本発明の課題は、電子部品の外周部に充填される充填物、特に、樹脂のフィレット幅を的確に求めることのできる電子部品のフィレット幅検査装置を提供することにある。

本発明による電子部品のフィレット幅検査装置は、
基板に装着されて其の外周部に樹脂を充填された電子部品の上面を垂直に照明する同軸落射照明と、前記電子部品の外周部から外側にオフセットされて前記電子部品の外周部を斜め上方から照明する斜方照明と、前記電子部品の上面を垂直上方から撮像するカメラとを有し、前記カメラで撮像された画像を解析して前記電子部品の外周部の境界から前記樹脂の外周部の境界に至る樹脂幅を測定するようにした電子部品のフィレット幅検査装置であり前記課題を達成するため、特に、
前記同軸落射照明と斜方照明とを選択的に作動させる切替制御部と、前記同軸落射照明が作動する間に前記カメラで撮像された同軸落射画像と前記斜方照明が作動する間に前記カメラで撮像された斜方画像とを記憶する画像記憶手段と、
前記画像記憶手段に記憶された同軸落射画像の輝度変化に基いて前記電子部品の外周部の境界を求める電子部品境界検出手段と、
前記画像記憶手段に記憶された斜方画像の輝度変化に基いて前記樹脂の外周部の境界を求めるフィレット境界検出手段と、
前記電子部品境界検出手段で求められた電子部品の外周部の境界と前記フィレット境界検出手段で求められた樹脂の外周部の境界とに基いて前記電子部品の外周部の境界から前記樹脂の外周部の境界に至る樹脂幅を求めるフィレット幅計測手段とを備えたことを特徴とする構成を有する。

以上の構成において、同軸落射照明と斜方照明とを選択的に作動させ、同軸落射照明が作動する間にカメラで撮像された同軸落射画像の輝度変化に基いて電子部品の外周部の境界を求める。電子部品の上面は平坦な鏡面に近いため、同軸落射照明を使用すると正反射が得られる反面、電子部品の外周に電子部品の境界から基板にかけて下に凸の状態で湾曲して分布するフィレット部分では同軸落射照明と同じ方向に位置するカメラの方向には反射が得られにくいので、背景に対して高コントラストな電子部品の画像を取得できる。この結果、電子部品境界検出手段は、同軸落射画像の輝度変化に基いて電子部品の外周部の境界を的確に検出できる。
また、斜方照明が作動する間にカメラで撮像された斜方画像の輝度変化に基いて樹脂の外周部の境界を求める。斜方照明では電子部品と其の外周部周辺が斜め上方から照明されるため、樹脂フィレットの斜めに下向きに湾曲している部分から高い反射が得られる反面、電子部品の上面からの反射は得られにくいので、背景に対して高コントラストな樹脂フィレットの画像を取得できる。この結果、フィレット境界検出手段は、斜方照明画像の輝度変化に基いて樹脂の外周部の境界を的確に検出できる。
このように、本発明のフィレット幅検査装置では、電子部品の外周部の境界検出に適した同軸落射照明と樹脂フィレットの外周部の境界検出に適した斜方照明とを選択的かつ独立的に作動させ、同軸落射照明が作動する間にカメラで撮像された同軸落射画像と斜方照明が作動する間にカメラで撮像された斜方画像とを画像記憶手段に記憶させておき、電子部品の外周部の境界は同軸落射画像から電子部品境界検出手段が求める一方、樹脂フィレットの外周部の境界は斜方画像からフィレット境界検出手段が求めるようにしているので、フィレット幅計測手段は、電子部品境界検出手段で求められた電子部品の外周部の正確な境界とフィレット境界検出手段で求められた樹脂の外周部の正確な境界とに基いて、樹脂の乾燥状態で変わる反射光の変動や基板の個体差や色ムラといった外乱の影響を受けることなく電子部品の外周から樹脂の外周部の境界に至る樹脂幅すなわちフィレット幅を適切に求めることができるようになる。

本発明による電子部品のフィレット幅検査装置は、電子部品の外周部の境界検出に適した同軸落射照明と樹脂フィレットの外周部の境界検出に適した斜方照明とを選択的かつ独立的に作動させ、同軸落射照明が作動する間にカメラで撮像された同軸落射画像と斜方照明が作動する間にカメラで撮像された斜方画像とを画像記憶手段に記憶させておき、電子部品の外周部の境界は同軸落射画像から電子部品境界検出手段が求める一方、樹脂フィレットの外周部の境界は斜方画像からフィレット境界検出手段が求めるようにしているので、フィレット幅計測手段は、電子部品境界検出手段で求められた電子部品の外周部の正確な境界とフィレット境界検出手段で求められた樹脂の外周部の正確な境界とに基いて、樹脂の乾燥状態で変わる反射光の変動や基板の個体差や色ムラといった外乱の影響を受けることなく電子部品の外周から樹脂の外周部の境界に至る樹脂幅すなわちフィレット幅を適切に求めることができる。

以下、図面を参照して本発明を適用したフィレット幅検査装置の実施形態の幾つかについて具体的に説明する。

図１は一実施形態のフィレット幅検査装置１の構成の概略について示した機能ブロック図、また、図２は同フィレット幅検査装置１のハードウェア構成の概略について示したブロック図である。

フィレット幅検査装置１は、図１に示される通り、基板１０２に装着されて其の外周部に充填物としての樹脂１０１を充填された電子部品１００の上面を垂直に照明する同軸落射照明２と、電子部品１００の外周部から外側にオフセットされて電子部品１００の外周部を斜め上方から照明する斜方照明３と、電子部品１００の上面を垂直上方から撮像するＣＣＤカメラ４を備える。

同軸落射照明２は光の透過と反射を許容するハーフミラーを水平面に対して４５度の角度で保持し、その側方たとえば図１中で右側に位置する光源からの光を屈折させて電子部品１００の上面に対して垂直に照射する機能を有する。

ＣＣＤカメラ４は電子部品１００の垂直上方に位置するが、前述した通り、ＣＣＤカメラ４と電子部品１００の間にはハーフミラーが介在するだけであるので、ＣＣＤカメラ４で電子部品１００の上面と其の周辺部を撮像する際の妨げとはならない。

この実施形態では平面視が矩形状の電子部品１００を想定しているので、斜方照明３は、額縁状の矩形フレームの４辺の各々に取り付けられた４つの直線状の照明具もしくは其れ自体が額縁状の矩形フレームの体裁をなす照明具によって構成されている。照明は、矩形以外に、直線状、リング状、ドーム状等、ドームの一部が点灯する形態をなし、複数または一つの角度で対象物を照射する。但し、照明の構成を限定するものではない。

同軸落射照明２および斜方照明３の構造に関しては既に公知であるので詳細な説明は省略する。

この実施形態のフィレット幅検査装置１は、前述した各構成要素に加え、更に、同軸落射照明２と斜方照明３とを選択的に作動させる切替制御部５と、同軸落射照明２が作動する間にＣＣＤカメラ４で撮像された画像である同軸落射画像と斜方照明３が作動する間にＣＣＤカメラ４で撮像された画像である斜方画像とを記憶する画像記憶手段６と、画像記憶手段６に記憶された同軸落射画像の輝度変化に基いて電子部品１００の外周部の境界を求める電子部品境界検出手段７と、画像記憶手段６に記憶された斜方画像の輝度変化に基いて樹脂１０１の外周部の境界を求めるフィレット境界検出手段８と、電子部品境界検出手段７で求められた電子部品１００の外周部の境界とフィレット境界検出手段８で求められた樹脂１０１の外周部の境界とに基いて電子部品１００の外周部から樹脂１０１の外周部の境界に至る樹脂幅すなわちフィレット幅を求めるフィレット幅計測手段９を備える。

また、このフィレット幅検査装置１は、画像記憶手段６に記憶された同軸落射画像の輝度変化に基いて樹脂１０１の内周部の境界を求める這い上がり境界検出手段１０と、這い上がり境界検出手段１０で求められた樹脂１０１の内周部の境界と電子部品境界検出手段７で求められた電子部品１００の外周部の境界とに基いて樹脂１０１の内周部の境界から電子部品１００の外周部の境界に至る樹脂幅を求める這い上がりサイズ計測手段１１を備える他、フィレット幅計測手段９で求められた樹脂幅が適正範囲内にあるか否かを判定するフィレット幅判定手段１２と、這い上がりサイズ計測手段１１で求められた樹脂幅が適正範囲内にあるか否かを判定する這い上がり判定手段１３を備える。

フィレット幅検査装置１のハードウェアの主要部は、図２に示されるように、マイクロプロセッサ１４と、マイクロプロセッサ１４の制御プログラム等を格納した書き換え可能なＲＯＭ１５と、演算処理用のワークメモリとして機能するＲＡＭ１６と、図１中の画像記憶手段として機能する画像メモリ１７によって構成され、同軸落射照明２および斜方照明３とＣＣＤカメラ４の各々が、入出力回路１８やドライバ１９，２０を介してマイクロプロセッサ１４からの指令で駆動制御されるようになっている。

また、画像メモリ１７はフレームメモリＡとフレームメモリＢによって構成され、ＣＣＤカメラ４で撮像された同軸落射画像がフレームメモリＡに取り込まれる一方、ＣＣＤカメラ４で撮像された斜方画像がフレームメモリＢに取り込まれるようになっている。

キーボード２１は検査実行指令をマイクロプロセッサ１４に入力したり各種の設定値をＲＯＭ１５にパラメータとして設定する際に利用されるマン・マシン・インターフェイスである。

モニタ２２はフィレット幅判定手段１２や這い上がり判定手段１３の判定結果を表示出力するためのマシン・マン・インターフェイスとして機能する。

インターフェイス２３は当該フィレット幅検査装置１を外部の上位装置たとえばＦＡ工場内のセルコントローラ等に接続するためのマシン・マシン・インターフェイスである。

キーボード２１からの入力やモニタ２２への出力に代えてインターフェイス２３を利用して上位装置との間で各種の指令や判定結果のデータの遣り取り等を行うようにすることで、ハンドリングロボット等を利用して検査対象である電子部品１００や基板１０２の段取り換えを自動化し、新たな検査対象である電子部品１００や基板１０２が持ち込まれる度にフィレットの検査を行なうようにすることも可能である。

図１に示される切替制御部５，電子部品境界検出手段７，フィレット境界検出手段８，這い上がり境界検出手段１０，フィレット幅計測手段９，這い上がりサイズ計測手段１１，フィレット幅判定手段１２，這い上がり判定手段１３の機能は、具体的には、図２中のマイクロプロセッサ１４とＲＯＭ１５内の制御プログラムを機能実現手段として達成される。

図３〜図６は切替制御部５，電子部品境界検出手段７，フィレット境界検出手段８，這い上がり境界検出手段１０，フィレット幅計測手段９，這い上がりサイズ計測手段１１，フィレット幅判定手段１２，這い上がり判定手段１３として機能するマイクロプロセッサ１４の処理動作の概略を示したフローチャートである。

次に、図３〜図６を参照してフィレット幅検査装置１の全体的な動作について具体的に説明する。

電子部品１００および樹脂１０１を実装した基板１０２が斜方照明３の下方の基板セット位置に適切に載置された後、キーボード２１もしくはインターフェイス２３を介してマイクロプロセッサ１４に検査実行指令が入力されると、切替制御部５として機能するマイクロプロセッサ１４は、まず、同軸落射照明２を点灯させる（ステップＳ１）。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、ＣＣＤカメラ４に画像の取り込みを行わせ（ステップＳ２）、ＣＣＤカメラ４で撮像された画像を同軸落射画像として画像メモリ１７のフレームメモリＡに保存する（ステップＳ３）。

フレームメモリＡに保存された同軸落射画像の一例を図９（ａ）に示す。電子部品１００の上面は平坦な鏡面に近いので電子部品１００の上面で同軸落射照明２の光が強く反射されるが、電子部品１００の境界から基板１０２にかけて下に凸の状態で湾曲して分布する樹脂フィレット１０１の部分では同軸落射照明２の光が乱反射されるので、図９（ａ）に示されるように、同軸落射画像における電子部品相当部分が明部となる一方、それ以外の部分つまり同軸落射画像における基板相当部分と樹脂フィレット相当部分が暗部となり、コントラストの高い画像を得ることができる。

次いで、切替制御部５として機能するマイクロプロセッサ１４は、同軸落射照明２を消灯させて（ステップＳ４）、斜方照明３を点灯させる（ステップＳ５）。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、ＣＣＤカメラ４に画像の取り込みを行わせ（ステップＳ６）、ＣＣＤカメラ４で撮像された画像を斜方画像として画像メモリ１７のフレームメモリＢに保存した後（ステップＳ７）、切替制御部５として機能するマイクロプロセッサ１４が、斜方照明３を消灯させる（ステップＳ８）。

フレームメモリＢに保存された斜方画像の一例を図９（ｂ）に示す。電子部品１００の上面は平坦な鏡面に近いので斜め上方から電子部品１００の上面に差し込む斜方照明３の光は側方に反射されてＣＣＤカメラ４のレンズには入らないが、電子部品１００の境界から基板１０２にかけて下に凸の状態で湾曲して分布する樹脂フィレット１０１の部分では湾曲の曲率に応じて斜方照明３の光が乱反射されて其の一部がＣＣＤカメラ４のレンズに入射するので、図９（ｂ）に示されるように、斜方画像における電子部品相当部分と基板相当部分が暗部となる一方、樹脂フィレット１０１に相当する部分が明部となり、コントラストの高い画像を得ることができる。但し、樹脂フィレット１０１と電子部品１００とが繋がる部分や樹脂フィレット１０１と基板１０２とが繋がる部分、要するに、樹脂フィレット１０１の外周側の端部と内周側の端部の略水平部分では、電子部品１００の上面の場合と同様に斜方画像の輝度が相対的に低くなるので、電子部品１００の内側から外側に向けて斜方画像の輝度を見ていくと、図９（ｂ）に示されるように、樹脂フィレット１０１と電子部品１００とが繋がる部分で輝度が低目となってから湾曲部分で改めて明るくなり、樹脂フィレット１０１と基板１０２とが繋がる部分で再び輝度が低目となる点が特徴的である。

電子部品１００から外側に向かう方向に座標位置を表す数直線をとり、縦軸に斜方画像の輝度を示すと、樹脂フィレット１０１に相当する部分の斜方画像の輝度変化は、電子部品１００の外周部、つまり、図８のチップ端を始点として、図８に示されるような曲線となる。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、画像メモリ１７のフレームメモリＡに保存された同軸落射画像の輝度データに基いて電子部品１００の輪郭を表す外周座標を求め（ステップＳ９）、更に、ここで求めた外周座標に従って当該外周座標に外接するワーク座標系上の矩形を求める（ステップＳ１０）。

図９（ａ）あるいは図８に示される通り、同軸落射画像においては電子部品１００の上面のみが同軸落射照明２の光を強く反射して明部となるので、電子部品１００の輪郭を表す外周座標は、例えば、明部と暗部との間の中間的な値からなる閾値を利用した明暗の比較処理や単純な微分処理等によって精度よく求めることができる。

電子部品１００の輪郭を表す外周座標Ｄ１と当該外周座標Ｄ１に外接するワーク座標系上の矩形Ｄ２との関係の一例を図７（ａ）に示す。ＣＣＤカメラ４の姿勢によって決まるワーク座標系を基準として必ずしも基板１０２が正しい姿勢で基板セット位置に載置されるといった保証はなく、また、基板１０２が正しい姿勢で基板セット位置に載置されたとしても、電子部品１００が僅かに姿勢を捻らせた状態で基板１０２に取り付けられているといった場合もあるので、ワーク座標系に対して電子部品１００の姿勢が傾いている可能性もある。また、例えば、図７（ａ）に示されるように、電子部品１００の外周部よりも内側に樹脂フィレット１０１が乗り上げる這い上がりといった現象が発生する場合もあるので、同軸落射画像の輝度データに基いて明暗の比較や微分処理等で求められた電子部品１００の輪郭が必ずしも電子部品１００本来の輪郭を適切に表しているといった保証もない。

従って、姿勢の傾きが画像処理に与える影響を除去したり這い上がりによって生じる外乱の影響で輪郭の検出精度が劣化するのを防止する必要上、マイクロプロセッサ１４は、ステップＳ９で求めた電子部品１００の輪郭を表す外周座標Ｄ１とステップＳ１０で求めた当該外周座標Ｄ１に外接するワーク座標系上の矩形Ｄ２とに基いて、外周座標Ｄ１の各辺と此の辺に対応する矩形Ｄ２の各辺を同時に含む４つの帯状の領域を求め、これらの領域を有効領域Ａ１〜Ａ４として例えば図７（ａ）に示されるようにしてフレームメモリＡ，Ｂに対して設定し（ステップＳ１１）、電子部品１００の本来の輪郭を適切に抽出するための処理を開始する。

なお、帯状の有効領域Ａ１〜Ａ４の幅と長さは、フィレット幅の検査対象となる電子部品１００の種類に応じて予めＲＯＭ１５にパラメータとして設定されている。

電子部品１００の本来の輪郭を適切に抽出するための処理を開始したマイクロプロセッサ１４は、まず、有効領域を特定するための指標ｉの値を一旦０にリセットし（ステップＳ１２）、該指標ｉの値を１インクリメントして初期値１とした後（ステップＳ１３）、該指標ｉの現在値に基いて帯状の有効領域Ａｉを選択し、当該有効領域Ａｉ内に含まれる外周座標Ｄ１の１辺分の点データを読み込み、これらの点データに対して正常な辺を構成する点データを選別し、例えば最小２乗法による直線回帰式等を適用して外周座標Ｄ１の１辺に相当する直線Ｓｉを求める（ステップＳ１４）。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、指標ｉの現在値が有効領域の総数に相当する比較値４に達しているか否かを判定し（ステップＳ１５）、達していなければ、指標ｉの値が比較値４に達するまでの間、指標ｉの値を逐次インクリメントし、該指標ｉの現在値に基いて前記と同様にしてステップＳ１４の処理を繰り返し実行することで、外周座標Ｄ１の４辺の各々に相当する直線Ｓ１〜Ｓ４の全てを求める。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、求められた４つの直線Ｓ１〜Ｓ４に基いて、ワーク座標系に対する電子部品１００の傾きの有無や電子部品１００上への樹脂フィレット１０１の這い上がりといった現象の有無とは無関係な電子部品１００の輪郭形状を例えば図７（ｂ）のようにして特定すると共に（ステップＳ１６）、ワーク座標系に対する電子部品１００の傾きθをＲＡＭ１６に記憶させる（ステップＳ１７）。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、抽出された電子部品１００の輪郭形状に対し、その４辺Ｓ１〜Ｓ４の各々に対応させて樹脂フィレット１０１の充填状態を検査するための検査領域Ｂ１〜Ｂ４を設定する（ステップＳ１８）。

この検査領域Ｂ１〜Ｂ４は概念的には前述した帯状の有効領域Ａ１〜Ａ４に類似するが、樹脂フィレット１０４の充填状態を的確に検査するために電子部品１００の輪郭形状を形成する各辺Ｓ１〜Ｓ４に沿って設定される点、および、その帯の長さが各辺Ｓ１〜Ｓ４と同等あるいは其れ以上の長さで設定される点が前述した有効領域Ａ１〜Ａ４の場合とは相違する。

なお、帯状の検査領域Ｂ１〜Ｂ４の幅と長さは、フィレット幅の検査対象となる電子部品１００の種類に応じて予めＲＯＭ１５にパラメータとして設定されている。

１つの辺Ｓｉに対応して設定された検査領域Ｂｉの状態を図１０の概念図に示す。この検査領域Ｂｉは、具体的には、画像メモリ１７のフレームメモリＡとフレームメモリＢに対して設定される検査領域であり、多数の輝度データの配列を表している。以下、帯状の検査領域Ｂｉにおいて図１０中の直線Ｓｉに平行な一列の輝度データの並びを列、また、図１０中の直線Ｓｉに直交する一列の輝度データの並びを行と称する。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、検査領域を特定するための指標ｉの値を一旦０にリセットし（ステップＳ１９）、樹脂フィレット１０１の這い上がりサイズに関わる異常検出回数を計数するカウンタＣ１と樹脂フィレット１０１のフィレット幅に関わる異常検出回数を計数するカウンタＣ２の値を共に０にリセットし（ステップＳ２０）、改めて指標ｉの値を１インクリメントして初期値１とする（ステップＳ２１）。

そして、フレームメモリＡに対して設定された検査領域Ｂｉ内の輝度データの行を特定するための指標ｊの値を一旦０にリセットし（ステップＳ２２）、改めて指標ｊの値を１インクリメントして初期値１とし（ステップＳ２３）、更に、樹脂フィレット１０１の這い上がりの検出が完了したことを記憶するフラグＦの値を０に初期化して這い上がりの検出が完了していないことを記憶する（ステップＳ２４）。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、フレームメモリＡに対して設定された検査領域Ｂｉ内の輝度データの列を特定するための指標ｋの値を一旦０にリセットし（ステップＳ２５）、改めて指標ｋの値を１インクリメントして初期値１とする（ステップＳ２６）。

そして、マイクロプロセッサ１４は、フレームメモリＡに対して設定された検査領域Ｂｉから、傾きθつまりワーク座標系に対する電子部品１００の姿勢の傾きに従って、直線Ｓｉに直交する第ｊ行の輝度データから第ｋ列の輝度データを読み込み（ステップＳ２７）、この輝度データのスポットが電子部品１００の内側つまり図１０の例で言えば直線Ｓｉよりも左側にあるか否かを判定し（ステップＳ２８）、内側にあれば、更に、この時点で既にフラグＦに１がセットされているか否か、要するに、樹脂フィレット１０１の這い上がりの検出が完了しているか否かを判定する（ステップＳ２９）。

フラグＦに１がセットされていなければ、この時点では未だ樹脂フィレット１０１の這い上がりの検出が完了していないことを意味するので、這い上がり境界検出手段１０として機能するマイクロプロセッサ１４が、当該ｊ，ｋスポットの輝度データをパラメータ設定の閾値と比較し、当該輝度データが図９（ａ）に示される同軸落射画像の暗部に相当する輝度を有するものであるか否かを判定する（ステップＳ３０）。

当該ｊ，ｋスポットの輝度データが暗部に相当するものでなければ、この輝度データは樹脂フィレット１０１に覆われていない電子部品１００の上面の画像に相当するものであり、この時点では未だ樹脂フィレット１０１における這い上がりの端部は検出されていないことを意味するので、這い上がり境界検出手段１０として機能するマイクロプロセッサ１４は、輝度データの列を特定するための指標ｋの値を１インクリメントし（ステップＳ２６）、更新された指標ｋの値に従って、読み込み対象とする輝度データの位置を直線Ｓｉに接近する方向へと１列分だけ進め、前記と同様にして、ステップＳ２７〜ステップＳ３０の処理を繰り返し実行する。

この結果、図１０に示されるような検査領域Ｂｉにおいて、電子部品１００の中央部相当位置から外側に向けて、つまり、図１０の例で言えば左から右に向けて順にｊ，ｋスポットの輝度データが読み込まれる。そして、この輝度データが閾値を超えて暗くなるとステップＳ３０の判定結果が真となる。

ステップＳ３０の判定結果が真となった場合には、輝度データの輝度が明部に相当する明るさから暗部に相当する明るさに推移したこと、つまり、電子部品１００の外周部分を覆う樹脂フィレット１０１の電子部品１００寄りの立ち上がり即ち這い上がりの端部が検出されたことを意味するので、這い上がり境界検出手段１０として機能するマイクロプロセッサ１４は、当該輝度データの座標値ｋを這い上がり位置記憶レジスタｄに記憶し（ステップＳ３１）、フラグＦに１をセットして、樹脂フィレット１０１の這い上がりの検出が完了したことを記憶する（ステップＳ３２）。

図９（ａ）に示される通り、電子部品１００の上面は平坦な鏡面に近いので電子部品１００の上面で同軸落射照明２の光が強く反射されるが、電子部品１００の境界から基板１０２にかけて下に凸の状態で湾曲して分布する樹脂フィレット１０１の部分では同軸落射照明２の光が乱反射されるので、同軸落射画像における電子部品相当部分が明部となる一方、それ以外の部分つまり同軸落射画像における基板相当部分と樹脂フィレット相当部分が暗部となり、コントラストの高い同軸落射画像が得られているので、ｊ，ｋスポットの輝度データを閾値と比較するといった単純な処理で樹脂フィレット１０１の這い上がりの端部位置を的確に検出することができる。

フラグＦに１がセットされた後はステップＳ３０〜ステップＳ３２の処理は非実行とされるので、マイクロプロセッサ１４は、輝度データの列を特定するための指標ｋの値をインクリメントしながら（ステップＳ２６）、更新された指標ｋの値に従って読み込み対象とする輝度データの位置を直線Ｓｉに接近する方向へと順に１列分ずつ読み進め（ステップＳ２７）、この輝度データのスポットが電子部品１００の内側つまり図１０の例で言えば直線Ｓｉよりも左側にあるか否かを判定するといった処理を繰り返し実行する（ステップＳ２８）。

そして、新たに読み込まれた輝度データのスポットが直線Ｓｉ上に到達したことがステップＳ２８の判定処理で確認されると、電子部品境界検出手段７として機能するマイクロプロセッサ１４が、当該輝度データの座標値ｋを電子部品１００の外周部の境界として電子部品境界記憶レジスタｅに記憶する（ステップＳ３３）。

但し、電子部品１００の外周部分を覆う樹脂フィレット１０１が電子部品１００上に這い上がっていない場合には、前述したステップＳ３０の判定処理で暗部相当の輝度データが検出されないままステップＳ２８の判定結果が偽となって電子部品１００の外周部の境界のみが検出されることになる。この場合はフラグＦの値は初期値０に保持されたままとなるので、樹脂フィレット１０１の這い上がりが存在しないことが分かる。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、フラグＦに１がセットされているか否か、即ち、樹脂フィレット１０１の這い上がりの検出が行なわれているか否かを判定し（ステップＳ３４）、這い上がりの検出が行なわれている場合に限り、這い上がりサイズ計測手段１１として機能するマイクロプロセッサ１４が、電子部品境界記憶レジスタｅの値すなわち電子部品境界検出手段７で求められた電子部品１００の外周部の境界と、這い上がり位置記憶レジスタｄの値すなわち這い上がり境界検出手段１０で求められた樹脂フィレット１０１の内周部の這い上がりの端部とに基いて、樹脂１０１の内周部の境界から電子部品１００の外周部の境界に至る樹脂幅である這い上がりサイズ｜ｅ−ｄ｜を求め、この樹脂幅｜ｅ−ｄ｜を這い上がりサイズ記憶レジスタｇに記憶させる（ステップＳ３５）。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、この樹脂幅ｇの値が樹脂幅の適正範囲の設定値ε１〜ε２の範囲内に入っているか否かを判定し（ステップＳ３６）、適正範囲から外れている場合に限り、樹脂フィレット１０１の這い上がりサイズに関わる異常検出回数を計数するカウンタＣ１の値をカウントアップする（ステップＳ３７）。

なお、ステップＳ３４の判定結果が偽となり、樹脂フィレット１０１の這い上がりの検出が行なわれていないことが明らかとなった場合には、這い上がりが存在しないことを意味するので、ステップＳ３５〜ステップＳ３７の処理はスキップされる。

次いで、フィレット境界検出手段８として機能するマイクロプロセッサ１４が、フレームメモリＢに対して設定された検査領域Ｂｉから、傾きθつまりワーク座標系に対する電子部品１００の姿勢の傾きに従って、直線Ｓｉに直交する第ｊ行の第１列〜第ｎ列までの輝度データを電子部品１００の内側から外側に向かう方向、つまり、図１０で言えば左から右へ向かう方向で全てサーチし、輝度が最大となる輝度データと輝度が最小となる輝度データを求め、輝度が最大となる輝度データに対応する列の値ｋをラッチする（ステップＳ３８）。なお、ｎは図１０に示される通り第ｊ行の最終列の輝度データに対応するｋの値である。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、輝度データの最大値から輝度データの最小値を引いて差分を求め（ステップＳ３９）、この差分が規定値を超えているか否か、つまり、斜方画像が適正に撮像されているか否かを判定する（ステップＳ４０）。そして、差分が規定値を超え、斜方画像が適正に撮像されている場合に限り、フィレット境界検出手段８として機能するマイクロプロセッサ１４が、設定値である検出比率を前記差分に乗じ、この値を輝度データの最小値に加算してフィレット幅検出レベルを求め、この値を検出レベル記憶レジスタＬＶに記憶させる（ステップＳ４１）。

ステップＳ４１の処理で求められたフィレット幅検出レベルＬＶは、樹脂フィレット１０１の外周部の境界に相当する輝度の予測値である。

図９（ｂ）および図８に示される通り、フレームメモリＢに保存された斜方画像の輝度データには、電子部品１００の内側から外側に向けて斜方画像の輝度を見ていくと、樹脂フィレット１０１と電子部品１００とが繋がる部分で輝度が低目となってから樹脂フィレット１０１の湾曲部分で改めて明るくなり、樹脂フィレット１０１と基板１０２とが繋がる部分で再び輝度が低目となる特徴がある。

従って、輝度データの明るさが最大となる点つまり図８中のＰ１点を基準として電子部品１００の内側から外側に向かう方向つまり図８で言えば左から右へ向かう方向で輝度データをサーチし、輝度データの値が単純減少的に減少して樹脂フィレット１０１の外周部の境界に相当する輝度の予測値であるフィレット幅検出レベルＬＶを上から下に横切るときの輝度データの座標値ｋを特定すれば、その値が即ち樹脂フィレット１０１の外周部の境界に相当する位置つまり図８におけるフィレット座標である。

背景技術の欄でも述べた通り、電子部品１００の周囲に塗布された樹脂は電子部品１００の外周において基板１０２に向けて下に凸となる湾曲した光沢のある曲面を形成し、樹脂フィレット１０１の表面が波打っていたり、樹脂の塗布具合によって基板１０２と樹脂フィレット１０１との境界が滑らかな曲線とならない場合もあり、更には、樹脂の乾燥状態によって光の反射状態が変動したり、基板１０２の色にも様々なものがあり、樹脂フィレット１０１の表面や基板１０２の反射は一定ではないが、特定の樹脂と特定の基板１０２の組み合わせ、即ち、色や反射率および樹脂の収縮やヒケ（フィレット面の曲率に影響を与える要素）等に関連する要素に対応させて、輝度の最大値Ｐ１と最小値Ｐ２を求め、その偏差の範囲で樹脂フィレット１０１の表面の各位置で樹脂フィレット１０１の表面の輝度がどのように変化するかを実験的に求めれば、樹脂フィレット１０１の表面の輝度がどのような値になった時に樹脂１０１の外周部の境界が検出されるかを予測することが可能である。

要するに、フィレット幅検出レベルＬＶは（輝度の最大値−輝度の最小値）×検出比率＋輝度の最小値によって求められる値であり、係数となる検出比率の値は、色や反射率および樹脂の収縮やヒケ（フィレット面の曲率に影響を与える要素）等に関連する特定の組み合わせ要素に対応して設定することが可能である。例えば、或る樹脂と或る基板１０２の組み合わせにおいては輝度の最大値Ｐ１に相当する位置を起点として最大値−最小値で表される差分の５０パーセント分の輝度が減少した位置が実質的なフィレット座標であり、また、別の或る樹脂と或る基板１０２の組み合わせにおいては輝度の最大値Ｐ１に相当する位置を起点として最大値−最小値で表される差分の４０パーセント分の輝度が減少した位置が実質的なフィレット座標であるといった具合である。

つまり、この実施例では、樹脂フィレット１０１の外周部の境界であるフィレット座標そのものを光学的に検知するのではなく、輝度の最大値Ｐ１と最小値Ｐ２および其の差分と係数である検出比率の設定値とに基いて樹脂フィレット１０１の外周部の境界を予測するのであるから、例えば、図１４に示されるように、フィレット端から先に不用意な染み出し成分等が存在したとしても、この染み出し成分の境界が樹脂フィレット１０１の外周部の境界として検知されることはなく、樹脂フィレット１０１の外周部の境界がある筈の位置を本来のフィレット端として認識することが可能である。

フィレット端すなわち樹脂フィレット１０１の外周部の境界の認識に関わる処理は、以下のようにして実施される。

フィレット境界検出手段８として機能するマイクロプロセッサ１４は、まず、ステップＳ３８の処理でラッチされていた指標ｋの値を１インクリメントし（ステップＳ４２）、フレームメモリＢに対して設定された検査領域Ｂｉから傾きθつまりワーク座標系に対する電子部品１００の姿勢の傾きに従って直線Ｓｉに直交する第ｊ行の第ｋ列の輝度データ、即ち、輝度の最大値を記憶したところから電子部品１００の外側に向けて１列分だけ読み込み位置を進めた輝度データを読み込み（ステップＳ４３）、この輝度データがフィレット幅検出レベルＬＶよりも明るいか否かを判定する（ステップＳ４４）。

この時点で読み込まれている輝度データがフィレット幅検出レベルＬＶよりも明るければ、この輝度データが樹脂フィレット１０１の外周部の境界つまり図８に示されるフィレット端（フィレット座標）よりも電子部品１００側寄りに位置するフィレット１０１上の輝度データであることを意味するので、フィレット境界検出手段８として機能するマイクロプロセッサ１４は、改めて指標ｋの値を１インクリメントし（ステップＳ４２）、更新された指標ｋの値に従って、読み込み対象とする輝度データの位置を電子部品１００の外側に向けて更に１列分だけ進め、前記と同様にして、ステップＳ４３〜ステップＳ４４の処理を繰り返し実行する。

このようにして、フィレット境界検出手段８として機能するマイクロプロセッサ１４が、フレームメモリＢの検査領域Ｂｉにおける斜方画像の輝度変化を電子部品１００の内側から外側に向かう方向で順にサーチしていく間に、フィレット幅検出レベルＬＶと同等または其れ以下の輝度を有する輝度データが検出されると、ステップＳ４４の判定結果が偽となる。

ステップＳ４４の判定結果が偽となった場合には、樹脂フィレット１０１の外周部の境界がある筈の位置の輝度データが検出されたことを意味するので、フィレット境界検出手段８として機能するマイクロプロセッサ１４は、当該輝度データの座標値ｋをフィレット端位置記憶レジスタｆに記憶し（ステップＳ４５）、また、フィレット幅計測手段９として機能するマイクロプロセッサ１４が、フィレット端位置記憶レジスタｆの値つまりフィレット境界検出手段８で求められた樹脂フィレット１０１の外周部の境界と、電子部品境界記憶レジスタｅの値すなわち電子部品境界検出手段７で求められた電子部品１００の外周部の境界とに基いて、電子部品１００の外周部から樹脂フィレット１０１の外周部の境界に至る樹脂幅であるフィレット幅｜ｆ−ｅ｜を求め、この樹脂幅｜ｆ−ｅ｜をフィレット幅記憶レジスタｈに記憶させる（ステップＳ４６）。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、この樹脂幅ｈの値が樹脂幅の適正範囲の設定値ε３〜ε４の範囲内に入っているか否かを判定し（ステップＳ４７）、適正範囲から外れている場合に限り、樹脂フィレット１０１のフィレット幅に関わる異常検出回数を計数するカウンタＣ２の値をカウントアップする（ステップＳ４８）。

なお、ステップＳ４０の判定結果が偽となり、輝度データの最大値と輝度データの最小値の差分が規定値を超えていない場合には、特定の樹脂と特定の基板１０２の組み合わせによって決まる色や反射率および樹脂の収縮やヒケ（フィレット面の曲率に影響を与える要素）等に関連した特性で決まる筈の輝度の変化が当初の想定範囲と一致していないことを意味するので、樹脂の外周部の境界検出の予測に用いるフィレット幅検出レベルＬＶを当初の手続に従って求めてもフィレット端を適切に認識することはできないので、ステップＳ４１〜ステップＳ４８の処理はスキップされる。或いは、輝度データの最大値と輝度データの最小値の差分が規定値を超えていないことを以って異常の判断を下し、ステップＳ４８の処理のみを実行してフィレット幅に関わる異常検出回数を計数するカウンタＣ２の値をカウントアップするようにしてもよい。

次いで、マイクロプロセッサ１４は、フレームメモリＡ，Ｂに対して設定された検査領域Ｂｉ内の輝度データの行を特定するための指標ｊの値が輝度データの最終行に対応する値ｍに達しているか否か、つまり、設定された１つの検査領域Ｂｉに対し、図１０中の直線Ｓｉに直交する全ての行の輝度データの並びについて這い上がりサイズｇとフィレット幅ｈの算出処理および這い上がりサイズｇとフィレット幅ｈの適不適に関わる評価処理が完了しているか否かを判定する（ステップＳ４９）。

指標ｊの値が輝度データの最終行に対応する値ｍに達していなければ、この１つの検査領域Ｂｉ内において這い上がりサイズｇとフィレット幅ｈの算出処理および這い上がりサイズｇとフィレット幅ｈの適不適に関わる評価処理を実行すべき対象となる他の行の輝度データが存在することを意味するので、マイクロプロセッサ１４は、検査領域Ｂｉ内の輝度データの行を特定するための指標ｊの値を改めて１インクリメントし（ステップＳ２３）、フラグＦおよび指標ｋの値を０に初期化して（ステップＳ２４，ステップＳ２５）、前記と同様の処理を繰り返し実行する（ステップＳ２６〜ステップＳ４９）。

最終的に、ステップＳ４９の判定結果が偽となった時点で、この１つの検査領域Ｂｉ内の全ての行の輝度データの並びについて這い上がりサイズｇとフィレット幅ｈの算出処理および這い上がりサイズｇとフィレット幅ｈの適不適に関わる評価処理が完了し、カウンタＣ１には当該１つの検査領域Ｂｉ内における樹脂フィレット１０１の這い上がりサイズの異常検出回数が積算的に記憶され、また、カウンタＣ２には当該１つの検査領域Ｂｉ内における樹脂フィレット１０１のフィレット幅の異常検出回数が積算的に記憶されることになる。

このようにしてステップＳ４９の判定結果が偽となると、這い上がり判定手段１３として機能するマイクロプロセッサ１４は、カウンタＣ１の値が許容値を超えているか否か、つまり、当該１つの検査領域Ｂｉ内における樹脂フィレット１０１の這い上がりサイズに全体としての異常が認められるか否かを判定し（ステップＳ５０）、カウンタＣ１の値が許容値を超えた場合つまり這い上がりサイズに全体としての異常が認められた場合に限り、当該検査領域Ｂｉに這い上がりサイズの異常があることを示す信号を外部出力し、モニタ２２に這い上がりサイズに異常のある旨の表示をするか、或いは、工場内のセルコントローラ等を初めとする上位装置に同様の内容を通知する（ステップＳ５１）。

また、フィレット幅判定手段１２として機能するマイクロプロセッサ１４は、カウンタＣ２の値が許容値を超えているか否か、つまり、当該１つの検査領域Ｂｉ内における樹脂フィレット１０１のフィレット幅に全体としての異常が認められるか否かを判定し（ステップＳ５２）、カウンタＣ２の値が許容値を超えた場合つまりフィレット幅に全体としての異常が認められた場合に限り、当該検査領域Ｂｉにフィレット幅の異常があることを示す信号を外部出力し、モニタ２２にフィレット幅に異常のある旨の表示をするか、或いは、工場内のセルコントローラ等を初めとする上位装置に同様の内容を通知する（ステップＳ５３）。

次いで、マイクロプロセッサ１４は検査領域を特定するための指標ｉの値が検査領域の総数４に達しているか否か、つまり、設定された４つの検査領域Ｂ１〜Ｂ４の全てに対し、這い上がりサイズの異常の有無およびフィレット幅の異常の有無に関する判定処理が行われているか否かを判定する（ステップＳ５４）。

指標ｉの値が４に達していなければ、這い上がりサイズの異常の有無およびフィレット幅の異常の有無に関する判定処理を実行すべき対象となる他の検査領域が存在することを意味するので、マイクロプロセッサ１４は、カウンタＣ１，Ｃ２をリセットし（ステップＳ２０）、検査領域を特定するための指標ｉの値を１インクリメントし（ステップＳ２１）、検査領域Ｂｉ内の輝度データの行を特定するための指標ｊの値を一旦０にリセットした上で（ステップＳ２２）、前記と同様の処理を繰り返し実行する（ステップＳ２３〜ステップＳ５４）。

最終的に、ステップＳ５４の判定結果が偽となった時点で、４つの検査領域Ｂ１〜Ｂ４の全てに対し、這い上がりサイズの異常の有無およびフィレット幅の異常の有無に関する判定処理が完了し、斜方照明３の下方の基板セット位置に載置された基板１０２に実装された電子部品１００の樹脂フィレット１０１を一巡した異常検出処理が終了し、マイクロプロセッサ１４は、新たな検査実行指令の入力を待つ初期の待機状態に復帰する。

この実施形態では、特に、電子部品１００の周囲を内側から外側に向けて１ラインずつスキャンして得た図８のような斜方画像の輝度プロファイルを参照し、画像の輝度がフィレット部で一旦暗くなった後明るくなり、その後、また暗くなるという特徴を利用し、輝度の最大値と最小値が一定以上にあるときにフィレットがあると判定し、予め設定した検出比率を使用して（最大値−最小値）×検出比率＋最小値となる検出レベルＬＶを算出し、検出レベルＬＶと同じ輝度を持つ座標をフィレット端として特定するようにしているので、単純に輝度を閾値と比較したり単純な微分処理を利用して明暗の境界を直接的に検出する公知技術とは相違し、仮に、図１４に示されるように、フィレット端から先に不用意な染み出し成分等が存在したとしても、この染み出し成分の境界が樹脂フィレット１０１の外周部の境界として検知されることはなく、樹脂フィレット１０１の外周部の境界がある筈の位置を本来のフィレット端として的確に認識することができ、フィレットの色むら等の問題にも対処することが可能となる。

次に、他の幾つかの実施形態について簡単に説明する。

図１１に示すフィレット幅検査装置２４は専らフィレット幅ｈに関わる異常検出に特化したフィレット幅検査装置であり、同軸落射照明２，斜方照明３，ＣＣＤカメラ４，切替制御部５，画像記憶手段６，電子部品境界検出手段７，フィレット境界検出手段８，フィレット幅計測手段９，フィレット幅判定手段１２のみを備える。
ハードウェアの構成に関しては図２に示した実施形態と同様であり、また、切替制御部５，電子部品境界検出手段７，フィレット境界検出手段８，フィレット幅計測手段９，フィレット幅判定手段１２の機能に関しては前述した実施形態と同様である。

図１２に示すフィレット幅検査装置２５は専ら這い上がりサイズｇに関わる異常検出に特化したフィレット幅検査装置であり、同軸落射照明２，斜方照明３，ＣＣＤカメラ４，切替制御部５，画像記憶手段６，電子部品境界検出手段７，這い上がり境界検出手段１０，這い上がりサイズ計測手段１１，這い上がり判定手段１３のみを備える。
ハードウェアの構成に関しては図２に示した実施形態と同様であり、また、切替制御部５，電子部品境界検出手段７，這い上がり境界検出手段１０，這い上がりサイズ計測手段１１，這い上がり判定手段１３の機能に関しては最初に説明した実施形態と同様である。

図１３に示すフィレット幅検査装置２６は専らフィレット幅ｈに関わる異常検出に特化したフィレット幅検査装置であり、同軸落射照明２，斜方照明３，ＣＣＤカメラ４，切替制御部５，画像記憶手段６，電子部品境界検出手段７，ノイズ除去手段２７，フィレット境界検出手段８，フィレット幅計測手段９，フィレット幅判定手段１２を備える。
ハードウェアの構成に関しては図２に示した実施形態と同様である。この実施形態のフィレット幅検査装置２６は、特に、画像記憶手段６を構成する画像メモリ１７のフレームメモリＢに記憶された斜方画像の輝度と同フレームメモリＡに記憶された同軸落射画像の輝度の差分をとって樹脂フィレット１０１に映り込むノイズを除去し、ノイズを除去した後の斜方画像をフィレット境界検出手段８に読み込ませるノイズ除去手段２７を備えることから、フィレット境界検出手段８による樹脂フィレット１０１の外周部の境界検出の精度、ひいては、フィレット幅計測手段９によるフィレット幅の測定精度やフィレット幅判定手段１２による異常の有無の判定精度を更に向上させることができる。
切替制御部５，電子部品境界検出手段７，フィレット境界検出手段８，フィレット幅計測手段９，フィレット幅判定手段１２の機能に関しては最初に説明した実施形態と同様であるが、フレームメモリＡへの同軸落射画像の取り込みとフレームメモリＢへの斜方画像の取り込みが完了した時点でノイズ除去手段２７が斜方画像の輝度と同軸落射画像の輝度の差分をとって樹脂フィレット１０１に映り込むノイズを除去した斜方画像の輝度を求め、この輝度データを画像メモリ１７のフレームメモリＢに再格納してから、ノイズ除去後の斜方画像の輝度データに基いて、フィレット境界検出手段８が樹脂１０１の外周部の境界を求めるための処理を開始する点が最初に説明した実施形態とは異なる。

また、このノイズ除去手段２７は図１に示した最初の実施形態のフィレット幅検査装置１に併設することも可能である。
その場合、図３に示されるステップＳ８の処理が完了した時点で、ノイズ除去手段２７として機能するマイクロプロセッサ１４が、フレームメモリＢに記憶された斜方画像の輝度とフレームメモリＡに記憶された同軸落射画像の輝度の差分をとって樹脂フィレット１０１に映り込むノイズを除去した輝度データを求め、この輝度データを改めてフレームメモリＢに再格納する処理を実行する。
ステップＳ９以降の処理に関しては既に図３〜図６を参照して説明した通りである。

本発明を適用した一実施形態のフィレット幅検査装置の構成の概略について示した機能ブロック図である。 同実施形態のフィレット幅検査装置のハードウェア構成の概略について示したブロック図である。 同実施形態のフィレット幅検査装置の切替制御部，電子部品境界検出手段，フィレット境界検出手段，這い上がり境界検出手段，フィレット幅計測手段，這い上がりサイズ計測手段，フィレット幅判定手段，這い上がり判定手段として機能するマイクロプロセッサの処理動作の概略を示したフローチャートである。 同マイクロプロセッサの処理動作の概略を示したフローチャートの続きである。 同マイクロプロセッサの処理動作の概略を示したフローチャートの続きである。 同マイクロプロセッサの処理動作の概略を示したフローチャートの続きである。 電子部品の形状抽出処理に関わる作用原理図で、図７（ａ）は電子部品の輪郭を表す外周座標Ｄ１と当該外周座標Ｄ１に外接するワーク座標系上の矩形Ｄ２との関係を示し、図７（ｂ）はワーク座標系に対する電子部品の傾きや電子部品上への樹脂フィレットの這い上がりといった現象とは無関係に抽出された電子部品の形状について示している。 電子部品から外側に向かう方向に座標位置を表す数直線をとり縦軸に輝度をとって、電子部品の輪郭を境界として、境界の内側（左側）に同軸落射画像の輝度を示し、境界の外側（右側）に斜方画像の輝度を示した作用原理図である。 画像記憶手段に取り込まれる画像の特徴を表した概念図であり、図９（ａ）は同軸落射画像を示し、図９（ｂ）は斜方画像を示している。 電子部品の輪郭形状を形成する直線の一つＳｉに対応して設定された検査領域Ｂｉの状態を示した概念図である。 他の一実施形態のフィレット幅検査装置の構成の概略について示した機能ブロック図である。 更に他の一実施形態のフィレット幅検査装置の構成の概略について示した機能ブロック図である。 更に他の一実施形態のフィレット幅検査装置の構成の概略について示した機能ブロック図である。 電子部品の外周部に充填された充填物によって形成されるフィレットの状態を簡略化して示した断面図である。

符号の説明

１ フィレット幅検査装置
２ 同軸落射照明
３ 斜方照明
４ カメラ（ＣＣＤカメラ）
５ 切替制御部
６ 画像記憶手段
７ 電子部品境界検出手段
８ フィレット境界検出手段
９ フィレット幅計測手段
１０ 這い上がり境界検出手段
１１ 這い上がりサイズ計測手段
１２ フィレット幅判定手段
１３ 這い上がり判定手段
１４ マイクロプロセッサ
１５ ＲＯＭ
１６ ＲＡＭ
１７ 画像メモリ
１８ 入出力回路
１９，２０ ドライバ
２１ キーボード
２２ モニタ
２３ インターフェイス
２４ フィレット幅検査装置
２５ フィレット幅検査装置
２６ フィレット幅検査装置
２７ ノイズ除去手段
１００ 電子部品
１０１ 充填物（樹脂）
１０２ 基板

Claims (5)

1. 基板に装着されて其の外周部に樹脂を充填された電子部品の上面を垂直に照明する同軸落射照明と、前記電子部品の外周部から外側にオフセットされて前記電子部品の外周部を斜め上方から照明する斜方照明と、前記電子部品の上面を垂直上方から撮像するカメラとを有し、前記カメラで撮像された画像を解析して前記電子部品の外周部の境界から前記樹脂の外周部の境界に至る樹脂幅を測定するようにした電子部品のフィレット幅検査装置であって、
   前記同軸落射照明と斜方照明とを選択的に作動させる切替制御部と、前記同軸落射照明が作動する間に前記カメラで撮像された同軸落射画像と前記斜方照明が作動する間に前記カメラで撮像された斜方画像とを記憶する画像記憶手段と、
   前記画像記憶手段に記憶された同軸落射画像の輝度変化に基いて前記電子部品の外周部の境界を求める電子部品境界検出手段と、
   前記画像記憶手段に記憶された斜方画像の輝度変化に基いて前記樹脂の外周部の境界を求めるフィレット境界検出手段と、
   前記電子部品境界検出手段で求められた電子部品の外周部の境界と前記フィレット境界検出手段で求められた樹脂の外周部の境界とに基いて前記電子部品の外周部から前記樹脂の外周部の境界に至る樹脂幅を求めるフィレット幅計測手段とを備えたことを特徴とする電子部品のフィレット幅検査装置。
2. 前記画像記憶手段に記憶された同軸落射画像の輝度変化に基いて前記樹脂の内周部の境界を求める這い上がり境界検出手段と、
   前記這い上がり境界検出手段で求められた樹脂の内周部の境界と前記電子部品境界検出手段で求められた電子部品の外周部の境界とに基いて前記樹脂の内周部の境界から前記電子部品の外周部の境界に至る樹脂幅を求める這い上がりサイズ計測手段とを併設したことを特徴とする請求項１記載の電子部品のフィレット幅検査装置。
3. 前記フィレット幅計測手段で求められた樹脂幅が適正範囲内にあるか否かを判定するフィレット幅判定手段と、
   前記這い上がりサイズ計測手段で求められた樹脂幅が適正範囲内にあるか否かを判定する這い上がり判定手段とを備えたことを特徴とする請求項２記載の電子部品のフィレット幅検査装置。
4. 前記フィレット境界検出手段が、前記画像記憶手段に記憶された斜方画像の輝度変化を前記電子部品の内側から外側に向かう方向でサーチして輝度の最大値と最小値を求め、
   前記最大値と最小値および予め設定された検出比率に基いて樹脂の外周部の境界に相当する輝度を予測し、
   前記斜方画像の輝度が前記最大値から徐々に減少して前記予測された輝度に低下する画像上の位置を前記樹脂の外周部の境界と見做すことを特徴とした請求項１，請求項２または請求項３の何れか一項に記載の電子部品のフィレット幅検査装置。
5. 前記画像記憶手段に記憶された斜方画像の輝度と同軸落射画像の輝度の差分をとって前記樹脂に映り込むノイズを除去するノイズ除去手段を併設したことを特徴とする請求項１，請求項２，請求項３または請求項４の何れか一項に記載の電子部品のフィレット幅検査装置。

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