JP2009057267A - プラスチック基板上へのZnO単結晶の堆積方法 - Google Patents
プラスチック基板上へのZnO単結晶の堆積方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】ポリイミドからなるプラスチック性の基板13を400〜500℃で加熱するとともに、酸素とジエチル亜鉛ガスとを供給する。このとき、所定の圧力に調整されたチャンバ11内に基板13を載置し、チャンバ11内に対する酸素とジエチル亜鉛ガスとの供給流量比率が100:1〜50としてもよいし、また基板13に対して波長200〜680nmの光を照射し、基板13を200〜500℃で加熱するようにしてもよい。
【選択図】図1
Description
Gyu-Chul Yi et al.,Semicond.Sci.Tech 20 (2005)S22-S34
11 チャンバ
13 基板
14 ステージ
16 ポンプ
17 圧力センサ
18 バタフライバルブ
21 RFヒータ
23、24 供給管
Claims (5)
- プラスチック基板を400〜500℃で加熱するとともに、酸素とジエチル亜鉛ガスとを供給すること
を特徴とするプラスチック基板上へのZnO単結晶の堆積方法。 - プラスチック基板を200〜500℃で加熱するとともに、上記プラスチック基板に対して波長200〜680nmの光を照射し、さらに酸素とジエチル亜鉛ガスとを供給すること
を特徴とするプラスチック基板上へのZnO単結晶の堆積方法。 - ポリイミドからなるプラスチック基板に対して、上記ジエチル亜鉛ガスと酸素を供給すること
を特徴とする請求項1又は2記載のプラスチック基板上へのZnO単結晶の堆積方法。 - 所定の圧力に調整されたチャンバ内に上記プラスチック基板を載置し、
上記チャンバ内に対する酸素とジエチル亜鉛ガスとの供給流量比率が100:1〜50であること
を特徴とする請求項1〜3のうち何れか1項記載のプラスチック基板上へのZnO単結晶の堆積方法。 - 5Torr±20%の圧力に調整されたチャンバ内に上記プラスチック基板を載置し、
当該プラスチック基板を450℃±20%で加熱し、
上記チャンバ内への酸素の供給流量を100sccm±20%とし、
上記チャンバ内へのジエチル亜鉛ガスの供給流量5sccm±20%、このジエチル亜鉛ガスのキャリアとしてのArの供給流量60sccm±20%とすること
を特徴とする請求項1記載のプラスチック基板上へのZnO単結晶の堆積方法。
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