JP2009054935A - 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 219
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 383
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims abstract description 79
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 71
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 78
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 69
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 29
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 20
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 19
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 17
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 claims description 16
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 5
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229960001231 choline Drugs 0.000 claims description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 5
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 81
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 32
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 26
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 21
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 20
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 20
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 17
- -1 sodium Chemical class 0.000 description 17
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 17
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 16
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 14
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 14
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 14
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 12
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 9
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 8
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 8
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 7
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 7
- HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,4-benzodioxine-3-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)O)COC2=C1 HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 6
- 229940075419 choline hydroxide Drugs 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 3
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003899 bactericide agent Substances 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 3
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 3
- VFHDWENBWYCAIB-UHFFFAOYSA-M hydrogen carbonate;tetramethylazanium Chemical compound OC([O-])=O.C[N+](C)(C)C VFHDWENBWYCAIB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 3
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- LESFYQKBUCDEQP-UHFFFAOYSA-N tetraazanium;2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(carboxylatomethyl)amino]acetate Chemical compound N.N.N.N.OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O LESFYQKBUCDEQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- SOIAEOTUSNFHMI-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethylamino)ethane-1,1-diol Chemical compound NCCNCC(O)O SOIAEOTUSNFHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- QWCKQJZIFLGMSD-UHFFFAOYSA-N 2-Aminobutanoic acid Natural products CCC(N)C(O)=O QWCKQJZIFLGMSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUCWUAFNGCMZDB-UHFFFAOYSA-N 2-amino-3-nitrophenol Chemical compound NC1=C(O)C=CC=C1[N+]([O-])=O KUCWUAFNGCMZDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000408939 Atalopedes campestris Species 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QWCKQJZIFLGMSD-GSVOUGTGSA-N D-alpha-aminobutyric acid Chemical compound CC[C@@H](N)C(O)=O QWCKQJZIFLGMSD-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N Gluconic acid Natural products OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- RUSUZAGBORAKPY-UHFFFAOYSA-N acetic acid;n'-[2-(2-aminoethylamino)ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.NCCNCCNCCN RUSUZAGBORAKPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003254 anti-foaming effect Effects 0.000 description 1
- 229940121375 antifungal agent Drugs 0.000 description 1
- 239000003429 antifungal agent Substances 0.000 description 1
- 239000013556 antirust agent Substances 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- KYQODXQIAJFKPH-UHFFFAOYSA-N diazanium;2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxylatomethyl)amino]acetate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OC(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O KYQODXQIAJFKPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDHHNSIGXVMRCX-UHFFFAOYSA-N diazanium;2-[carboxylatomethyl(2-hydroxyethyl)amino]acetate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OCCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O QDHHNSIGXVMRCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003063 hydroxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229940031574 hydroxymethyl cellulose Drugs 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001935 peptisation Methods 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007793 ph indicator Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N quinaldic acid Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFKQWRYCFCYIRO-UHFFFAOYSA-N tetraethylazanium Chemical compound C(C)[N+](CC)(CC)CC.C(C)[N+](CC)(CC)CC FFKQWRYCFCYIRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJZPIORVERXPPR-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium;carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C WJZPIORVERXPPR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKWFRVVFRZYIFP-UHFFFAOYSA-N triazanium;2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]acetate Chemical compound N.N.N.OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O XKWFRVVFRZYIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNEOHLHCKGUAEB-UHFFFAOYSA-N trimethylphenylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 ZNEOHLHCKGUAEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000000230 xanthan gum Substances 0.000 description 1
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 description 1
- 235000010493 xanthan gum Nutrition 0.000 description 1
- 229940082509 xanthan gum Drugs 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体ウエハ研磨用組成物は。テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子よりなるコロイダルシリカを含有し、かつ水に分散したシリカ粒子の濃度が0.5〜50重量%であることを特徴とする。テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子に含まれるテトラエチルアンモニウムの濃度は、テトラエチルアンモニウム/シリカのモル比として5×10-4〜2.5×10-2の範囲にあることが好ましい。
【選択図】図1
Description
すなわち、第1の発明は、粒子の内部にテトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子よりなるコロイダルシリカを含有し、かつ水に分散したシリカ粒子の濃度が0.5〜50重量%である半導体ウエハ研磨用組成物である。
さらに、この半導体ウエハ研磨用組成物は、テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子に含まれるテトラエチルアンモニウムの濃度が、テトラエチルアンモニウム/シリカのモル比として5×10-4〜2.5×10-2の範囲にあることが好ましい。
なお、本発明における「水酸化テトラエチルアンモニウムを含有」とは、当該成分が、シリカ粒子の表面に固定化された状態、シリカ粒子の内部に固定化された状態および水に溶解している状態の少なくとも一つの形態で存在することを意味する。
さらに、この半導体ウエハ研磨用組成物は、25℃における酸解離定数の逆数の対数値(pKa)が8.0〜12.5の弱酸および強塩基を組み合わせた緩衝溶液を含み、かつpH8〜11の間で緩衝作用を有することが好ましい。弱酸を構成する陰イオンが、炭酸イオンおよび炭酸水素イオンのうち少なくとも一つであり、かつ強塩基を構成する陽イオンがコリンイオン、テトラメチルアンモニウムイオンおよびテトラエチルアンモニウムイオンのうち少なくとも一つであることがより好ましい。
また、第2の発明において、テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子として、平均粒子径が15〜50nmであり、かつ球状の粒子群となっているコロイダルシリカを含有していることが好ましい。
第1の発明の半導体ウエハ研磨用組成物において、粒子の内部にテトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子よりなるコロイダルシリカは、好ましくは電子顕微鏡観察によるシリカ粒子の平均短径が5〜30nmであり、かつシリカ粒子の濃度が0.5〜50重量%であり、後記の製造方法で製造することができる。シリカ粒子の平均短径が5nmより小さいと、研磨速度が低く、粒子の凝集が起こりやすくコロイドの安定性に欠ける。また、30nmよりも大きいとスクラッチが発生しやすく、研磨面の平坦性も低くなる。
第2の発明の半導体ウエハ研磨用組成物において、テトラエチルアンモニウムを含むシリカを主成分とする被膜を表面に配することによりテトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子よりなるコロイダルシリカは、好ましくは電子顕微鏡観察によるシリカ粒子の平均粒子径が15〜50nmであり、かつシリカの濃度が0.5〜50重量%であり、後記の製造方法で製造することができる。シリカ粒子の平均短径が15nmより小さいと、研磨速度が低く、粒子の凝集が起こりやすくコロイドの安定性に欠ける。また、50nmよりも大きいとスクラッチが発生しやすく、研磨面の平坦性も低くなる。
また、シリカ粒子内部および表面にテトラエチルアンモニウムが固定されていると、シリカ粒子のゼータ電位が本来の負電荷よりも若干弱くなっていることも確認されており、このようなことも影響していると推定される。
また、このようなビルドアップの手法を用いない製法でもよい。例えば、オートクレーブを用いて120℃以上に活性珪酸と水酸化テトラエチルアンモニウムを含む液を加熱して一気に10nmより大きい粒子とすることもでき、あるいは、解膠法を用いてゲル状シリカをゾルにする方法でもよい。
上記のように水酸化テトラエチルアンモニウムを用いて核となる種ゾルの作製を行う代わりに、市販のシリカゾルを種ゾルとすることもできる。また、水酸化テトラエチルアンモニウムと水酸化テトラメチルアンモニウムとの混合アルカリを使用することもできる。また、水酸化テトラメチルアンモニウムを使用して種ゾルを作製し、粒子成長(ビルドアップ)にだけ水酸化テトラエチルアンモニウムを使用することもできる。また、水酸化テトラメチルアンモニウムの代わりに水酸化コリンを使用することもできる。
水酸化テトラエチルアンモニウムを使用して前述した特定の条件下で粒子成長を行うと、非球状の異形粒子群となっている第1の発明で好適に用いられるテトラエチルアンモニウムで固定化されたシリカ粒子からなるコロイダルシリカが得られる。なお、後述するように市販の球状シリカを種ゾルに使用して、粒子成長(ビルドアップ)にだけ水酸化テトラエチルアンモニウムを使用すると、球状の粒子からなる第2の発明で好適に用いられるテトラエチルアンモニウムで固定化されたコロイダルシリカが得られる。
非球状の異形粒子群となっているコロイダルシリカとは、具体的には、後述する製造例1の図1に示されるような形状のシリカ粒子を含有するコロイダルシリカである。長径/短径比は1.5〜15の範囲にある。その粒子は、非直線状に伸長している粒子が大半を占めており、一部は伸長していない粒子も存在する。これは一例であって、製造条件によってその形状はさまざまとなるが、真球状でない粒子が大半を占めている。
アルカリ剤として水酸化テトラメチルアンモニウムと水酸化テトラエチルアンモニウムとを併用しても上記のテトラエチルアンモニウムを含むシリカを主成分とする被膜を表面に配したシリカ粒子よりなるコロイダルシリカを得ることができる。水酸化テトラメチルアンモニウムの代わりに水酸化コリンを使用することもできる。
これに対し、第1の発明で好適に用いられるテトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子はヒュームドシリカの一次粒子に似た形状をしているが、凝集による二次粒子の形成はなく、スラリーの外観は透明ないし半透明になっている。第1の発明で好適に用いられるテトラエチルアンモニウムが固定化された非球状シリカ粒子を用いた半導体ウエハ研磨用組成物は、真球状のシリカ粒子に比べ研磨速度は高く、かつスクラッチを発生することはなく良好な鏡面研磨が達成できる。
すなわち、テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子1重量部に対して、テトラエチルアンモニウムを固定化していない球状のシリカやヒュームドシリカはシリカ重量で1〜10重量部配合することができる。好ましくは、テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子1重量部に対して、テトラエチルアンモニウムを固定化していない球状コロイダルシリカはシリカ重量で2〜8重量部配合される。
上記水溶性高分子としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、マレイン酸・ビニル共重合体、キサンタンガム、セルロース誘導体などいずれも使用できるが、セルロース誘導体またはポリビニルアルコール、ポリエチレングリコールから選ばれた1種以上であるのが好ましい。セルロース誘導体としてはヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどが使用できるが、ヒドロキシエチルセルロースが好ましい。分子量5000以下のポリエチレングリコールは更に好ましい。
本発明の半導体ウエハ研磨用組成物の物性を改良するため、殺菌剤、防カビ剤、pH指示薬、湿潤剤、水混和性有機溶剤、凍結防止剤、防錆剤、研磨終点検出剤、着色剤、沈降防止剤などを適宜配合することができる。分散剤、沈降防止剤としては、水溶性の有機物、無機層状化合物などが挙げられる。また、本発明の半導体ウエハ研磨用組成物は水溶液としているが、有機溶媒を添加してもかまわない。特に、エチレングリコールやグリセリンは凍結防止剤や湿潤剤として好ましい。また、イソプロピルアルコールなどは表面張力を下げる効果が大きい。本発明の半導体ウエハ研磨用組成物は、研磨時にコロイダルシリカ等の他の研磨剤、塩基、添加剤、水等を混合して調製してもよい。
実施例での測定は以下の装置を使用した。
(1)TEM観察:(株)日立製作所、透過型電子顕微鏡 H−7500型を使用した。
(2)BET法比表面積:(株)島津製作所、フローソーブ2300型を使用した。
(3)TEAOHおよびTMAOHのイオンクロマト分析:ダイオネクス社、イオンクロマトICS−1500を使用した。具体的には、液相TEAOHおよび液相TMAOHは、サンプルを1000倍から5000倍に純水で希釈し測定を行った。また、全TEAOHおよび全TMAOHの測定には前処理としてサンプル5gに3gの20重量%NaOHと純水を加え、80℃で加熱しシリカを完全に溶解させた。この溶解液を1000倍から5000倍に純水で希釈し測定を行い、全TEAOH量および全TMAOH量を求めた。
(4)全TEAOHおよび全TMAOH分析:(株)島津製作所、全有機体炭素計TOC−5000A、SSM−5000Aを使用した。炭素量よりTEAOHおよびTMAOHに換算し、前記イオンクロマト分析の数値の確認を行った。具体的には、全有機体炭素量(TOC)は、全炭素量(TC)と無機体炭素量(IC)を測定後TOC=TC−ICにより求めた。TC測定の標準として炭素量1重量%のグルコース水溶液を用い、IC測定の標準として炭素量1重量%の炭酸ナトリウムを用いた。超純水を炭素量0重量%の標準とし、それぞれ先に示した標準を用い、TCは150μlと300μl、またICは250μlで検量線を作成した。サンプルのTC測定ではサンプルを約100mg採取し、900℃燃焼炉で燃焼させた。また、IC測定ではサンプルを約20mg採取し、(1+1)燐酸を約10ml添加し200℃燃焼炉で反応を促進した。なお、炭素計による全TEAOHおよび全TMAOHの分析結果は、イオンクロマト分析の数値と良く一致したので、記述の明瞭化のため以下の実施例中には記載を避けた。
(5)金属元素分析:(株)堀場製作所、ICP発光分析計、ULTIMA2を使用した。
(A)TEAOH:市販の20重量%TEAOH水溶液(SACHEM INC.製)
(B)TMAOH:市販の25重量%TMAOH水溶液。以下でTMAOHと略記することもある。
(C)水酸化コリン:市販の48重量%コリン水溶液。
(D)炭酸水素テトラメチルアンモニウム:上記の25重量%TMAOH水溶液に炭酸ガスを吹き込んでpH8.4まで中和して作製した。化学分析による組成は33重量%炭酸水素テトラメチルアンモニウム水溶液であった。以下でTMAHCO3と略記することもある。
(E)炭酸テトラメチルアンモニウム:TMAOHと炭酸水素テトラメチルアンモニウムを実施例記載の所定のモル比となる量で混合して作製した。以下で(TMA)2CO3と略記することもある。
脱イオン水2810gにJIS3号珪酸ソーダ(SiO2:28.8重量%、Na2O:9.7重量%、H2O:61.5重量%)520gを加えて均一に混合しシリカ濃度4.5重量%の希釈珪酸ソーダを作製した。この希釈珪酸ソーダを予め塩酸によって再生したH型強酸性カチオン交換樹脂(オルガノ(株)製アンバーライトIR120B)1200mlのカラムに通して脱アルカリし、シリカ濃度3.7重量%でpH2.9の活性珪酸4040gを得た。
脱イオン水2810gにJIS3号珪酸ソーダ(SiO2:28.8重量%、Na2O:9.7重量%、H2O:61.5重量%)520gを加えて均一に混合しシリカ濃度4.5重量%の希釈珪酸ソーダを作製した。この希釈珪酸ソーダを予め塩酸によって再生したH型強酸性カチオン交換樹脂(オルガノ(株)製アンバーライトIR120B)1200mlのカラムに通して脱アルカリし、シリカ濃度3.7重量%でpH2.9の活性珪酸4040gを得た。
脱イオン水2810gにJIS3号珪酸ソーダ(SiO2:28.8重量%、Na2O:9.7重量%、H2O:61.5重量%)520gを加えて均一に混合しシリカ濃度4.5重量%の希釈珪酸ソーダを作製した。この希釈珪酸ソーダを予め塩酸によって再生したH型強酸性カチオン交換樹脂(オルガノ(株)製アンバーライトIR120B)1200mlのカラムに通して脱アルカリし、シリカ濃度3.7重量%でpH2.9の活性珪酸4040gを得た。
脱イオン水2810gにJIS3号珪酸ソーダ(SiO2:28.8重量%、Na2O:9.7重量%、H2O:61.5重量%)520gを加えて均一に混合しシリカ濃度4.5重量%の希釈珪酸ソーダを作製した。この希釈珪酸ソーダを予め塩酸によって再生したH型強酸性カチオン交換樹脂(オルガノ(株)製アンバーライトIR120B)1200mlのカラムに通して脱アルカリし、シリカ濃度3.7重量%でpH2.9の活性珪酸4040gを得た。
この活性珪酸は、シリカ当たりのNaの含有率が80ppmで、シリカ当たりのCu、Zn、Cr、Ca、Mg、Feの含有率がそれぞれ360ppb、2600ppb、1800ppb、11100ppb、18000ppb、28200ppbであった。次いで、この活性珪酸を予め塩酸によって再生したH型キレート樹脂(オルガノ(株)製アンバーライトIRC748)100mlのカラムに通し、シリカ濃度3.0重量%でpH3.2の活性珪酸4950gを得た。この活性珪酸は、シリカ当たりのCu、Zn、Cr、Ca、Mg、Feの含有率がそれぞれ90ppb、780ppb、600ppb、6900ppb、9800ppb、12600ppbであった。キレート樹脂により金属イオンの低減が出来ることが確認できた。
シリカ当たりのNaの含有率は10ppmで、シリカ当たりのCu、Zn、Cr、Ca、Mg、Feの含有率がそれぞれ50ppb、400ppb、400ppb、3500ppb、5000ppb、8000ppbであった。キレート樹脂との接触およびTEAOHの使用により金属イオンの少ないコロイダルシリカが得られた。
脱イオン水2810gにJIS3号珪酸ソーダ(SiO2:28.8重量%、Na2O:9.7重量%、H2O:61.5重量%)520gを加えて均一に混合しシリカ濃度4.5重量%の希釈珪酸ソーダを作製した。この希釈珪酸ソーダを予め塩酸によって再生したH型強酸性カチオン交換樹脂(オルガノ(株)製アンバーライトIR120B)1200mlのカラムに通して脱アルカリし、シリカ濃度3.7重量%でpH2.9の活性珪酸4040gを得た。
<半導体ウエハの平面研磨試験>
実施例および比較例に使用した研磨用組成物は以下の方法で調製した。
製造例1で製造したTEAOHが固定化されたシリカ粒子よりなるシリカ濃度20重量%の金属イオンの少ないコロイダルシリカに、添加成分としてpHを安定させ、かつ研磨速度を高くしpH緩衝溶液組成となるように表4の実施例1の欄に示す量のTMAOHとTMAHCO3とを加えて研磨剤原液を調製した。この研磨剤原液を表4の実施例1の欄に示すSiO2濃度になるように純水を加え希釈してシリカ濃度の異なる4水準の研磨用組成物を調製した。
製造例4で製造したTEAOHが固定化されたシリカ粒子よりなるシリカ濃度30重量%の金属イオンの少ないコロイダルシリカに、添加成分としてpHを安定させ、かつ研磨速度を高くしpH緩衝溶液組成となるように表4の実施例2の欄に示す量のTMAOHとTMAHCO3とを加えて研磨剤原液を調製した。この研磨剤原液を表4の実施例2の欄に示すSiO2濃度になるように純水を加え希釈してシリカ濃度の異なる4水準の研磨用組成物を調製した。
比較例として、表3のAに示す市販のコロイダルシリカ(日本化学工業(株)製「シリカドール40L」)に、添加成分としてpHを安定させ、かつ研磨速度を高くしpH緩衝溶液組成となるように表5の比較例1の欄に示す量のTMAOHとTMAHCO3とを加えて研磨剤原液を調製した。この研磨剤原液を表5の比較例1の欄に示すSiO2濃度になるように純水を加え希釈してシリカ濃度の異なる4水準の研磨用組成物を調製した。
比較例として、表3のBに示す市販のコロイダルシリカ(日本化学工業(株)製「シリカドールSF」)に、添加成分としてpHを安定させ、かつ研磨速度を高くしpH緩衝溶液組成となるように表5の比較例2の欄に示す量のTMAOHとTMAHCO3とを加えて研磨剤原液を調製した。この研磨剤原液を表5の比較例2の欄に示すSiO2濃度になるように純水を加え希釈してシリカ濃度の異なる4水準の研磨用組成物を調製した。
上記で調製した研磨用組成物を使用して下記の加工条件で研磨試験を実施した。
研磨装置:スピードファム(株)製 SH−24型
定盤回転数:70rpm
荷重:200g/cm2
プレッシャープレート回転数:60rpm
研磨パッド:ニッタ・ハース(株)製SUBA600
研磨用組成物供給量:100ml/分
研磨加工時間:5分
被研磨物:6インチシリコンウエハ
研磨後洗浄:アンモニア水スクラブ洗浄後、純水スクラブ洗浄30秒
ウエハの研磨後の洗浄は、1重量%アンモニア水溶液および純水を用いてブラシスクラブ洗浄各30秒実施した後、窒素ブローを施しながらスピン乾燥を行った。
図2の結果より実施例1および2は、比較例に比べ直線の勾配が小さく、濃度変化に対する速度の変化が比較例より小さいことがわかる。また、シリカ濃度が低い領域では、比較例に比べ明らかに研磨速度が高く、実施例の研磨用組成物は低い濃度で能力を発揮することが確認された。
<半導体ウエハのエッジ研磨試験>
実施例および比較例に使用した研磨用組成物は以下の方法で調製した。
(実施例3の研磨用組成物の調製)
製造例2で製造したTEAOHが固定化されたシリカ粒子よりなるシリカ濃度20重量%の金属イオンの少ないコロイダルシリカに、添加成分としてpHを安定させ、かつ研磨速度を高くしpH緩衝溶液組成となるように表6の実施例3の欄に示す量のTMAOHとTMAHCO3とを加えて研磨剤原液を調製した。この研磨剤原液を表6の実施例3の欄に示すSiO2濃度になるように純水を加え希釈してシリカ濃度の異なる4水準の研磨用組成物を調製した。
製造例5に示した球状のコロイダルシリカの表面をTEAOHを含むシリカで被覆したシリカ濃度30重量%の金属イオンの少ないコロイダルシリカに、添加成分としてpHを安定させ、かつ研磨速度を高くしpH緩衝溶液組成となるように表7の実施例4の欄に示す量のTMAOHとTMAHCO3とを加えて研磨剤原液を調製した。この研磨剤原液を表7の実施例4の欄に示すSiO2濃度になるように純水を加え希釈してシリカ濃度の異なる5水準の研磨用組成物を調製した。
比較例として、表3のCに示すコロイダルシリカ(日本化学工業(株)製「シリカドール30G30」に、添加成分としてpHを安定させ、かつ研磨速度を高くしpH緩衝溶液組成となるように表8の比較例3の欄に示す量のTMAOHとTMAHCO3とを加えて研磨剤原液を調製した。この研磨剤原液を表8の比較例3の欄に示すSiO2濃度になるように純水を加え希釈してシリカ濃度の異なる5水準の研磨用組成物を調製した。
比較例として、表3のBに示す市販のコロイダルシリカ(日本化学工業(株)製「シリカドールSF」に、添加成分としてpHを安定させ、かつ研磨速度を高くしpH緩衝溶液組成となるように表9の比較例4の欄に示す量のTMAOHとTMAHCO3とを加えて研磨剤原液を調製した。この研磨剤原液を表9の比較例4の欄に示すSiO2濃度になるように純水を加え希釈してシリカ濃度の異なる6水準の研磨用組成物を調製した。
比較例として、表3のAに示す市販のコロイダルシリカ(日本化学工業(株)製「シリカドール40L」に、添加成分としてpHを安定させ、かつ研磨速度を高くしpH緩衝溶液組成となるように表10の比較例5の欄に示す量のTMAOHとTMAHCO3とを加えて研磨剤原液を調製した。この研磨剤原液を表10の比較例5の欄に示すSiO2濃度になるように純水を加え希釈してシリカ濃度の異なる6水準の研磨用組成物を調製した。
(加工条件)
研磨装置:スピードファム(株)製、EP−200XW型エッジポリッシュ装置
ウエハ回転数:2000回/分
研磨時間:60秒/枚
研磨用組成物流量:3L/分
研磨布:suba400
荷重:40N/ユニット
被研磨物:8インチシリコンウエハ
研磨後洗浄:1重量%アンモニア水30秒の後、純水洗浄30秒
上記にて得られたウエハについて、研磨速度は、研磨前後のウエハの重量差より求めた。吸着面に生じるヘイズ及シミの状態、集光灯下での目視観察にて実施した。エッジポリッシュが不完全であることによって発生する削り残りについては、800倍での光学顕微鏡観察をワーク全周に対し実施した。その結果を表6〜10に併記した。
図3の結果より実施例3〜4は、比較例3〜4に比べ直線の勾配が小さく、濃度変化に対する速度の変化が小さいことがわかる。また、シリカ濃度が低い領域では、比較例に比べ研磨速度が高い傾向にあり、実施例の研磨用組成物は低い濃度で能力を発揮することが確認された。
Claims (11)
- 粒子の内部にテトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子よりなるコロイダルシリカを含有し、かつ水に分散したシリカ粒子の濃度が0.5〜50重量%であることを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物。
- テトラエチルアンモニウムを含むシリカを主成分とする被膜を表面に配することによりテトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子よりなるコロイダルシリカを含有し、かつ水に分散したシリカ粒子の濃度が0.5〜50重量%であることを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物。
- 前記テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子に含まれるテトラエチルアンモニウムの濃度が、テトラエチルアンモニウム/シリカのモル比として5×10-4〜2.5×10-2の範囲にあることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウエハ研磨用組成物。
- 前記テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子が水に分散したコロイド溶液であり、水酸化テトラエチルアンモニウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウムの少なくとも一方を含有し、25℃におけるpHが8〜11であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体ウエハ研磨用組成物。
- 25℃における酸解離定数の逆数の対数値(pKa)が8.0〜12.5の弱酸および強塩基を組み合わせた緩衝溶液を含み、かつpH8〜11の間で緩衝作用を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体ウエハ研磨用組成物。
- 前記弱酸を構成する陰イオンが、炭酸イオンおよび炭酸水素イオンのうち少なくとも一つであり、かつ前記強塩基を構成する陽イオンがコリンイオン、テトラメチルアンモニウムイオンまたはテトラエチルアンモニウムイオンのうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項5に記載の半導体ウエハ研磨用組成物。
- 前記テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子と、テトラエチルアンモニウムが固定化されていない球状シリカ粒子との混合物で構成され、該テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子の濃度が0.5〜10重量%であり、かつシリカ粒子の総濃度が0.5〜50重量%であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体ウエハ研磨用組成物。
- シリカ当たりのアルカリ金属の含有率が50ppm以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体ウエハ研磨用組成物。
- 前記テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子として、電子顕微鏡観察による平均短径が5〜30nmであり、かつ長径/短径比が1.5〜15の非球状の異形粒子群となっているコロイダルシリカを含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハ研磨用組成物。
- 前記テトラエチルアンモニウムが固定化されたシリカ粒子として、電子顕微鏡観察による平均粒子径が15〜50nmであり、かつ球状の粒子群となっているコロイダルシリカを含有することを特徴とする請求項2に記載の半導体ウエハ研磨用組成物。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体ウエハ研磨用組成物を用いて、半導体ウエハの平面またはエッジ部分を研磨することを特徴とする半導体ウエハ研磨方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007222518A JP5275595B2 (ja) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法 |
TW097130766A TW200914593A (en) | 2007-08-29 | 2008-08-13 | Polishing compound for semiconductor wafer and polishing method |
US12/230,353 US20090223136A1 (en) | 2007-08-29 | 2008-08-28 | Polishing compound for semiconductor wafer polishing and polishing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007222518A JP5275595B2 (ja) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009054935A true JP2009054935A (ja) | 2009-03-12 |
JP5275595B2 JP5275595B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=40505722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007222518A Active JP5275595B2 (ja) | 2007-08-29 | 2007-08-29 | 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090223136A1 (ja) |
JP (1) | JP5275595B2 (ja) |
TW (1) | TW200914593A (ja) |
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JP2017525793A (ja) * | 2014-06-25 | 2017-09-07 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | コロイダルシリカ化学機械研磨組成物 |
JP2019206718A (ja) * | 2014-06-25 | 2019-12-05 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 銅バリアの化学機械研磨組成物 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
TW200914593A (en) | 2009-04-01 |
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US20090223136A1 (en) | 2009-09-10 |
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