JP2009049322A - 記憶素子および記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下部電極11、高抵抗層12、イオン源層13および上部電極14がこの順に配置して形成されている。イオン源層13は、高抵抗層12側に設けられた第1イオン源層13Aと、上部電極14側に設けられた第2イオン源層13Bとの2層を有する。第1イオン源層13Aには少なくともZrが含まれ、第2イオン源層13BにはCu、AgおよびZnのうち少なくとも一種類の金属元素と、Te、SおよびSeのうち少なくとも一種類のカルコゲン元素とが含まれている。
【選択図】図2
Description
上部電極14に正電位(+電位)を印加すると共に、下部電極11に負電位(−電位)またはゼロ電位を印加すると、イオン源層13から、Cu、AgおよびZnのうち少なくとも一種類の金属元素がイオン化して高抵抗層12内を拡散していき、下部電極11側で電子と結合して析出したり、あるいは、高抵抗層12の内部に拡散した状態で留まる。その結果、高抵抗層12の内部に、Cu、AgおよびZnのうち少なくとも一種類の金属元素を多量に含む電流パスが形成されたり、もしくは、高抵抗層12の内部に、Cu、AgおよびZnのうち少なくとも一種類の金属元素による欠陥が多数形成され、高抵抗層12の抵抗値が低くなる。このとき、イオン源層13の抵抗値は、高抵抗層12の記録前の抵抗値に比べて元々低いので、高抵抗層12の抵抗値が低くなることにより、記憶素子10全体の抵抗値も低くなる(つまり、記憶素子10がオンする)。なお、このときの記憶素子10全体の抵抗が書込抵抗となる。
次に、上部電極14に負電位(−電位)を印加すると共に、下部電極11に正電位(+電位)またはゼロ電位を印加すると、高抵抗層12内に形成されていた電流パス、あるいは不純物準位を構成する、Cu、AgおよびZnのうち少なくとも一種類の金属元素がイオン化して、高抵抗層1内を移動してイオン源層13側に戻る。その結果、高抵抗層12内から、電流パス、もしくは、欠陥が消滅して、高抵抗層12の抵抗値が高くなる。このとき、イオン源層13の抵抗値は元々低いので、高抵抗層12の抵抗値が高くなることにより、記憶素子10全体の抵抗値も高くなる(つまり、記憶素子10がオフする)。なお、このときの記憶素子10全体の抵抗が消去抵抗となる。
次に、上記実施の形態の記憶装置1の実施例について、比較例と対比しつつ説明する。
比較例に係る記憶装置2において書込速度を調べるために、書き込み可能な最短パルス幅を計測した。その結果を図5に示す。なお、パルス幅を1n秒(10−9秒)から1m秒(10−5秒)へ徐々に大きくしていったときに、記憶素子30の抵抗が最初に書込抵抗となったときのパルス幅を、書き込み可能な最短パルス幅とした。また、書き込みパルスを印加したときの最大電流を300μAから30μAとした。
比較例に係る記憶装置2において消去特性(消去抵抗の戻り特性)を調べるために、一度も電圧が印加されていない記憶素子30の抵抗(初期抵抗)と、記録消去をそれぞれ一回ずつ行った記憶素子30の抵抗(消去抵抗)を計測した。その結果を図6に示す。なお、図6の縦軸を、消去抵抗を初期抵抗で除算することにより得られた値(比)で表した。したがって、比が1に近いほど、消去抵抗が初期抵抗に近いことを意味し、消去性が良好であることを表している。なお、記録時のパルス幅を10μ秒から1m秒の間とし、消去時のパルス幅を1m秒とした。また、記録時の最大電流を300μAから30μAとし、消去時の最大電流を200μAとした。
比較例に係る記憶装置2においてデータ保持性能を調べるために、加熱加速試験の前後における、記録抵抗と消去抵抗を計測した。その結果を図7〜図11に示す。なお、図7はイオン源層130のZr含有量が20%のときの結果であり、図8はイオン源層130のZr含有量が15%のときの結果であり、図9はイオン源層130のZr含有量が10%のときの結果であり、図10はイオン源層130のZr含有量が5%のときの結果であり、図11はイオン源層130のZr含有量が0%のときの結果である。また、図7〜11の横軸を加熱加速試験前の記録抵抗および消去抵抗のそれぞれの値とし、図7〜11の縦軸を加熱加速試験後の記録抵抗および消去抵抗のそれぞれの値とした。したがって、それぞれの図中に示した傾き1の破線に近い点ほど、加熱加速試験前後の、記録抵抗および消去抵抗の変化量が少ないことを意味しており、図中の点がこの破線付近に集中しているほど、保持性能が高いことを表している。なお、合計20個のサンプルを用意し、各サンプルに対して記録消去を1000回行った。このうち10個のサンプルを記録の状態で終了し、残りの10個のサンプルを消去の状態で終了した。また、加熱加速試験の条件を130度1時間とした。また、記録消去時のパルス幅を10μ秒とした。また、記録時の最大電流を120μAとし、消去時の電流を120μAから200μAの間で変化させたので、図中には広範な抵抗値が現れる結果となった。
Claims (6)
- 第1電極、高抵抗層、イオン源層および第2電極をこの順に配置してなる記憶素子であって、
前記イオン源層は、
前記高抵抗層側に設けられ、少なくともZrを含む第1イオン源層と、
前記第2電極側に設けられ、Cu、AgおよびZnのうち少なくとも一種類の金属元素と、Te、SおよびSeのうち少なくとも一種類のカルコゲン元素とを含む第2イオン源層と
を有する
ことを特徴とする記憶素子。 - 前記第1イオン源層は、Cu、AgおよびZnのうち少なくとも一種類の金属元素と、Te、SおよびSeのうち少なくとも一種類のカルコゲン元素とを含む
ことを特徴とする請求項1に記載の記憶素子。 - 前記第1イオン源層の厚さは、1.5nm以上12.5nm以下である
ことを特徴とする請求項2に記載の記憶素子。 - 前記第1イオン源層の厚さは、3nm以上である
ことを特徴とする請求項2に記載の記憶素子。 - 前記第1イオン源層の厚さは、3nm以上5nm以下である
ことを特徴とする請求項2に記載の記憶素子。 - 第1電極、高抵抗層、イオン源層および第2電極をこの順に配置してなる記憶素子と、
前記第1電極および前記第2電極のいずれか一方の電極に電気的に接続された第1配線と、
前記第1電極および前記第2電極のうち前記第1配線に電気的に接続された電極とは異なる電極に電気的に接続された第2配線と、
前記第1配線に直列挿入され、かつ前記第1電極および前記第2電極の間に印加する電圧を制御するスイッチング素子と
を備え、
前記イオン源層は、
前記高抵抗層側に設けられ、少なくともZrを含む第1イオン源層と、
前記第2電極側に設けられ、Cu、AgおよびZnのうち少なくとも一種類の金属元素と、Te、SおよびSeのうち少なくとも一種類のカルコゲン元素とを含む第2イオン源層と
を有する
ことを特徴とする記憶装置。
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