JP2009044166A - 窒化シリコン膜の形成方法 - Google Patents
窒化シリコン膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009044166A JP2009044166A JP2008242581A JP2008242581A JP2009044166A JP 2009044166 A JP2009044166 A JP 2009044166A JP 2008242581 A JP2008242581 A JP 2008242581A JP 2008242581 A JP2008242581 A JP 2008242581A JP 2009044166 A JP2009044166 A JP 2009044166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- silicon nitride
- nitride film
- film
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 61
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 71
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 10
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【課題】窒化シリコン膜を成膜する半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成する半導体製造装置であって、四塩化シリコンガスを加熱容器内に吐出する原料ガス導入部と、希釈用窒素ガスが添加されたアンモニアガスを加熱容器内に吐出する希釈ガス導入部とを備え、アンモニアガスに希釈用窒素ガスを添加してアンモニアガスを所定濃度とし、四塩化シリコンガスと希釈用窒素ガスが添加されたアンモニアガスとを同時に吐出し、かつ、四塩化シリコンガスの分圧をアンモニアガスの分圧に対して0.5以上とする四塩化シリコンガス、希釈用窒素ガス及びアンモニアガスの制御を行なう流量制御部とを備えたとこと特徴とする半導体製造装置を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】 図1
【解決手段】シリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成する半導体製造装置であって、四塩化シリコンガスを加熱容器内に吐出する原料ガス導入部と、希釈用窒素ガスが添加されたアンモニアガスを加熱容器内に吐出する希釈ガス導入部とを備え、アンモニアガスに希釈用窒素ガスを添加してアンモニアガスを所定濃度とし、四塩化シリコンガスと希釈用窒素ガスが添加されたアンモニアガスとを同時に吐出し、かつ、四塩化シリコンガスの分圧をアンモニアガスの分圧に対して0.5以上とする四塩化シリコンガス、希釈用窒素ガス及びアンモニアガスの制御を行なう流量制御部とを備えたとこと特徴とする半導体製造装置を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】 図1
Description
この発明は、半導体集積回路のキャパシタなどに用いられる窒化シリコン膜の形成方法に関する。
1トランジスタ1キャパシタで構成されるダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)のキャパシタを構成する誘電体膜として、成膜原料の入手の容易さや取り扱いの容易さなどから窒化シリコン膜が用いられている。この窒化シリコン膜の形成では、シリコン塩化物のガスであるジクロロシラン(SiCl2H2)とアンモニアガスとを原料とした化学的気相成長法(CVD)が用いられている。このCVD法による窒化シリコン膜の成膜のとき、ジクロロシランの供給量が多くなると成膜雰囲気に、塩化アンモニウムを主成分とする副生成物であるパーティクルが発生する問題があるため、ジクロロシランの供給量を、アンモニアの供給量の1/5程度にしている。
ところで、キャパシタを構成する誘電体膜としては、次に示す理由により、一般には1V以上の耐圧が要求される。この要求は、DRAMが用いられる半導体集積回路においては、現状では動作電圧が1.8V程度となっており、その約半分の電圧に対する耐圧がキャパシタに必要となり、余裕をみて実質的には1V以上の耐圧が必要となるからである。ただし、近い将来、DRAMの動作電圧がより低下すれば、キャパシタには0.7V以上の耐圧があればよい状況となる場合もある。
また、キャパシタの誘電体膜には、酸化シリコンを用いた場合に換算した膜厚が4nm以下の誘電特性が必要となる。従って、窒化シリコンを用いる場合、その膜厚を5nm程度まで薄くすることになる。すなわち、以上のことをまとめると、DRAMのキャパシタを構成する誘電体膜に、窒化シリコン膜を用いる場合は、その膜厚を5nmと薄くした状態で、0.7ボルトから1V以上の耐圧が要求されることになる。
しかしながら、上述した従来の窒化シリコンの成膜方法では、形成した窒化シリコン膜中に水素が入り込みやすいため、前述したように薄い膜を形成した場合は、リーク電流が発生しやすく、0.7V以上の耐圧が得られないという問題があった。この発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、膜厚5nm程度の窒化シリコン膜を、リーク電流の発生が抑制されて0.7V以上の耐圧を有した状態で形成できるようにすることを目的とする。
この発明の窒化シリコン膜の形成方法では、成膜対象の基板を例えば600〜700℃と所定温度に加熱した状態で、その基板上に四塩化シリコンガスとアンモニアガスとを、四塩化シリコンガスの分圧がアンモニアガスの分圧に対して0.5以上とした状態で供給しようとするものである。この発明では、四塩化シリコンガスの分圧がアンモニアガスの分圧に対して0.5以上とした状態で供給して窒化シリコン膜を形成するので、シリコンの原料となるガスには水素が含まれていない。
以上説明したように、この発明では、成膜対象の基板を所定温度に加熱した状態で、その基板上に四塩化シリコンガスとアンモニアガスとを、四塩化シリコンガスの分圧がアンモニアガスの分圧に対して0.5以上とした状態で供給しようとするものである。この発明によれば、四塩化シリコンガスの分圧がアンモニアガスの分圧に対して0.5以上とした状態で供給して窒化シリコン膜を形成するので、シリコンの原料となるガスには水素が含まれていない。この結果、形成した窒化シリコン膜中に水素が取り込まれることがほとんどなく、形成した窒化シリコン膜のリーク電流を抑制できるようになる。したがって、この発明によれば、窒化シリコン膜を5nm程度の薄膜としても、0.7V以上の耐圧が得られるようになる。
以下この発明の実施の形態を図を参照して説明する。この実施の形態では、次に示す成膜装置を用いるようにした。この成膜装置は、内部を加熱する機構を備えた加熱容器101を備え、加熱容器101内部には、原料ガス導入部102より四塩化シリコンガスが導入され、また、加熱容器101内部には、添加ガス導入部103より窒素ガスとともにアンモニアガスが供給される。また、加熱容器101内部のガスは、排気部104より排気される。
原料タンク105は、原料となる液体の四塩化シリコン(TCS)106を蓄え、ヒータ107により加熱されてTCSのガスを生成している。この原料タンク105に納められているTCSのガスは、流量制御部108により流量を制御され、原料ガス供給経路109を経て原料ガス導入部102より加熱容器101内部に導入される。なお、原料ガス供給経路109は、内部を通過するTCSガスが液化しないように、供給経路加熱手段110により所定温度に加熱されている。
一方、加熱容器101の添加ガス導入部103には、添加ガス供給経路113を介してアンモニアガスボンベ111および窒素ガスボンベ112が接続されている。アンモニアガスボンベ111からのアンモニアガスは、流量制御部114により流量が制御されて添加ガス供給経路113に導かれる。また、窒素ガスボンベ112からの窒素ガスは、流量制御部115により流量が制御されて添加ガス供給経路113に導かれる。そして、添加ガス供給経路113に導かれたアンモニアガスと窒素ガスは、添加ガス導入部103より加熱容器101内へ導入される。なお窒素ガスは、アンモニアガスを所定の濃度とする希釈ガスとして用いる。
したがって、加熱容器101内には、原料タンク105からTCSガスが供給され、アンモニアガスボンベ111からアンモニアガスが供給され、窒素ガスボンベ112から窒素ガスが供給される。この加熱容器101内にTCSガス,アンモニアガス,窒素ガスが供給された状態で、加熱容器101内配置された成膜対象の基板を加熱すれば、成膜対象の基板上に窒化シリコンの膜が形成できる。以上示したように、この発明では、まず、原料ガスにTCSを用い、このTCSに添加ガスとしてアンモニアガスを加えた熱CVD法で、窒化シリコン膜を形成する。加えて、この発明では、以下に説明するように、加熱容器101内における添加ガスのアンモニアガスに対するTCSガスの分圧比を0.5以上とした。
より詳細に説明すると、まず、加熱容器101内に成膜対象の基板を配置し、この基板を所定温度に加熱する。次に、原料タンク105内のTCS106をヒータ107で加熱してTCSガスを生成し、生成したTCSガスを流量制御部108で供給量を制御して加熱容器101内に供給する。このTCSガスの供給と同時に、アンモニアガスボンベ111よりアンモニアガスを吐出させ、吐出したアンモニアガスを流量制御部114で供給量を制御して加熱容器101内に供給する。なお、アンモニアガスは、窒素ガスボンベ112より吐出して流量制御部115で流量を制御した窒素ガスを添加して所定の濃度としておく。加えて、上記の流量制御部108と流量制御部114の制御により、加熱容器101内におけるTCSガスの分圧をアンモニア(NH3)ガスの分圧の0.5以上の状態とする。
加熱容器101内におけるTCSガスの分圧をアンモニア(NH3)ガスの分圧の0.5以上の状態としたとき、加熱容器101内の温度は、たとえば600〜700℃とし、内部の基板の温度も600〜700℃とする。また、加熱容器101内の全圧は0.2Torrとした。基板温度を600〜700℃とし、加熱容器101内の全圧を0.2Torrとし、かつ、加熱容器101内におけるTCSガスの分圧をアンモニア(NH3)ガスの分圧の0.5以上の状態とした状態では、加熱容器101内に供給された各ガスは、加熱容器101内に載置されて加熱された基板上で分解され、基板上には窒化シリコンの膜が形成される。このとき、加熱容器101内に供給された各ガスの中で、窒化シリコン膜の形成に関与しない他のガスは、排気部104より排気される。
上記のTCSガスとアンモニアガスを原料とした熱CVD法で形成した窒化シリコンの膜は、膜厚が5nmで0.7以上の耐圧が得られる。ここで、加熱容器101内におけるTCSガスの分圧と、この分圧の状態で形成した5nm厚の窒化シリコン膜の単位面積あたりのリーク電流がある値になる電圧値を求めた結果を図2に示す。ここでは、加熱容器101内に供給するアンモニアガスを希釈する窒素ガスの分圧を37mTorrと一定とし、加熱容器101内への供給ガス全圧を200mTorr一定としている。
この図2から明らかなように、上述した熱CVD法による窒化シリコン膜の形成では、TCSガスの分圧が大きいほど形成した窒化シリコン膜の耐圧が向上する。たとえば、TCSガスの分圧が約53mTorrのとき、形成した窒化シリコン膜には0.7Vの耐圧が得られている。この耐圧が得られた窒化シリコン膜を形成したときに供給したアンモニアガスの分圧は、200−37−54=109であり、TCSガスの分圧がアンモニアガスの分圧の約半分となっている。このように、TCSを原料に用いた熱CVD法による窒化シリコン膜の形成では、窒化シリコン膜形成時に供給するTCSガスの分圧をアンモニアガスの分圧の半分以上としておけば、5nmの膜厚の窒化シリコン膜で、0.7V以上の耐圧が得られる。
ところが、従来のように、DCSを原料に用いた熱CVD法で窒化シリコン膜を形成した場合は、窒化シリコン膜形成時に供給するDCSの分圧を大きくしても、形成した窒化シリコンの耐圧は向上しない。これに対し、この発明では、以上に説明したように、まず、窒化シリコン膜を、水素を含まないTCSをシリコンの原料として用いた熱CVD法により形成した。加えて、窒化シリコン膜を形成するときに供給するTCSの分圧を、同時に供給するアンモニアガスの分圧に対して0.5以上となるように制御した。このように、TCSを用いてかつTCSの分圧を制御することで、形成した窒化シリコン膜の電界強度を形成膜厚を変えずに制御し、所望の膜厚で所望の電界強度(耐圧)を得るようにした。
ところで、上述では、窒化シリコン膜をDRAMのキャパシタに用いる場合を例に説明したが、これに限るものではなく、TCSを原料として形成した窒化シリコン膜を、MOSトランジスタのゲート絶縁膜に用いるようにしてもよい。MOSトランジスタのゲート絶縁膜に誘電率の高い窒化シリコン膜を用いることで、SiO2 膜を用いた場合に比較してゲート絶縁膜を厚くできるのでゲート耐圧を向上させることができる。このMOSトランジスタの製造方法について説明する。まず、図3(a)に示すように、シリコンからなる基板301の所定領域を囲うように素子分離領域302を形成し、この後、図3(b)に示すように、基板301の露出面を熱酸化することで、酸化膜303を膜厚0.5〜1.5nmに形成する。
次に、図3(c)に示すように、アンモニア雰囲気で加熱処理した後、酸化膜303上にTCSを原料とした熱CVD法によりシリコン窒化膜を堆積して、膜厚1.0〜3nmの窒化シリコン膜304を形成する。シリコン窒化膜の堆積は、基板301が配置された加熱容器内の全圧を0.2Torrとし、かつ加熱容器内におけるTCSガスの分圧をアンモニアガスの分圧の0.5以上の状態とした状態で、基板301の温度301を600〜700℃とすることで行える。このように、TCSを原料とし、TCSガスの分圧をアンモニアガスの分圧の0.5以上の状態とした熱CVD法により、パーティクルの発生もなく、所期の耐圧を有して窒化シリコン膜を形成することができる。
窒化シリコン膜304を形成した後、図3(d)に示すように、CVD法によりシリコンを堆積することでポリシリコン膜305を膜厚20〜200nm程度に形成し、引き続いて、ポリシリコン膜305上にCVD法により窒化シリコン膜205を膜厚20〜100nm程度に形成する。窒化シリコン膜205の形成は、窒化シリコン膜304の形成と同様である。次いで、図3(e)に示すように、窒化シリコン膜304,ポリシリコン膜305,窒化シリコン膜306を、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術により加工し、ゲート電極305aおよびゲート電極305a下部のゲート絶縁膜304aとゲート電極305a上部のキャップ層306aとを形成する。
ゲート電極305aを形成した後、図3(f)に示すように、ゲート電極305aおよびゲート電極305a下部のゲート絶縁膜304aとゲート電極305a上部のキャップ層306aをマスクとしてイオン注入をすることで、基板301に不純物が低濃度に導入された低濃度領域307を形成する。この低濃度領域307を形成した後、図4(g)に示すように、ゲート電極305aおよびゲート電極305a下部のゲート絶縁膜304aとゲート電極305a上部のキャップ層306aとの側面に、窒化シリコン膜からなる側壁308を形成する。
次に、図4(h)に示すように、ゲート電極305aとゲート電極305a下部のゲート絶縁膜304aとゲート電極305a上部のキャップ層306aと側壁308とをマスクとしてイオン注入することで、基板301に不純物が導入されたソース・ドレイン領域309を形成する。ソース・ドレイン領域309を形成したら、図4(i)に示すように、基板301上に、ゲート電極305aとゲート電極305a下部のゲート絶縁膜304aとゲート電極305a上部のキャップ層306aとを覆ってSiO2膜を堆積し、膜厚300〜1000nm程度の層間絶縁膜310を形成する。
そして、図4(j)に示すように、層間絶縁膜310の所定箇所にコンタクトホール311を形成し、このコンタクトホールを充填して金属膜を形成し、この金属膜を公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術により加工し、図4(k)に示すように、コンタクトプラグ312を介してソース・ドレイン領域309に接続するソース・ドレイン電極312を形成すれば、基板301上に燃すトランジスタが形成される。
この図4(k)に示すMOSトランジスタは、ゲート絶縁膜にSiO2 より誘電率の高い窒化シリコン膜を用いているので、ゲート絶縁膜を厚く形成することができ、ゲート耐圧を向上させることができる。ただし、窒化シリコン膜をゲート絶縁膜に用いる場合は、シリコン基板との界面における界面準位の発生を抑制するために、シリコン基板表面に薄く酸化膜を形成しておいた方がよい。なお、シリコン基板表面に、界面準位を形成することがなければ、直接窒化シリコン膜を形成してゲート絶縁膜として用いるようにしてもよい。そして、このMOSトランジスタは、上述したようにTCSを原料とし、TCSガスの分圧をアンモニアガスの分圧の0.5以上の状態とした熱CVD法により窒化シリコン膜を形成したので、ゲート絶縁膜の耐圧をシリコン酸化膜を用いた場合に比較して向上させることができる。
101…加熱容器、102…原料ガス導入部、103…添加ガス導入部、104…排気部、105…原料タンク、106…四塩化シリコン(TCS)、107…ヒータ、108…流量制御部、109…原料ガス供給経路、110…供給経路加熱手段、111…アンモニアガスボンベ、112…窒素ガスボンベ、113…添加ガス供給経路、114…流量制御部、115…流量制御部。
Claims (4)
- シリコン基板表面に窒化シリコン膜を形成する半導体製造装置であって、
四塩化シリコンガスを加熱容器内に吐出する原料ガス導入部と、
希釈用窒素ガスが添加されたアンモニアガスを加熱容器内に吐出する希釈ガス導入部とを備え、
前記アンモニアガスに前記希釈用窒素ガスを添加してアンモニアガスを所定濃度とし、前記四塩化シリコンガスと前記希釈用窒素ガスが添加されたアンモニアガスとを同時に吐出し、かつ、前記四塩化シリコンガスの分圧を前記アンモニアガスの分圧に対して0.5以上とする四塩化シリコンガス、希釈用窒素ガス及びアンモニアガスの制御を行なう流量制御部と、
を備えたとこと特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1記載の半導体製造装置において、
前記窒化シリコン膜は、前記窒化シリコン膜を形成する前に前記シリコン基板表面に形成された酸化膜の上に形成することを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1記載の半導体製造装置において、
前記窒化シリコン膜は、キャパシタ誘電膜であることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項2記載の半導体製造装置において、
前記窒化シリコン膜は、MOSトランジスタのゲート絶縁膜であることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008242581A JP2009044166A (ja) | 2008-09-22 | 2008-09-22 | 窒化シリコン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008242581A JP2009044166A (ja) | 2008-09-22 | 2008-09-22 | 窒化シリコン膜の形成方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26371899A Division JP4209563B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 窒化シリコン膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009044166A true JP2009044166A (ja) | 2009-02-26 |
Family
ID=40444496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008242581A Pending JP2009044166A (ja) | 2008-09-22 | 2008-09-22 | 窒化シリコン膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009044166A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6250466A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 窒化珪素膜を有する物品の製造法 |
JPH1174485A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-03-16 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-09-22 JP JP2008242581A patent/JP2009044166A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6250466A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 窒化珪素膜を有する物品の製造法 |
JPH1174485A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-03-16 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI838570B (zh) | 使用雙(二乙基胺基)矽烷藉由peald沉積具有經改良品質之氧化矽膜的方法 | |
TWI446522B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP2007088113A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010251654A (ja) | 成膜方法および半導体装置の製造方法 | |
US20080258216A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2006161163A (ja) | チタン窒化膜形成方法及びそのチタン窒化膜を利用した金属−絶縁体−金属キャパシタの下部電極形成方法 | |
JP4624207B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP2012104695A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7531422B2 (en) | Method for fabricating capacitor in semiconductor device using hafnium terbium oxide dielectric layer | |
JP4209563B2 (ja) | 窒化シリコン膜の形成方法 | |
US20130207171A1 (en) | Semiconductor device having capacitor including high-k dielectric | |
JP2003318284A (ja) | 二重誘電膜の構造を有した半導体素子のコンデンサ及びその製造方法 | |
JP4034518B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2004107451A1 (ja) | Mis型電界効果トランジスタを備える半導体装置及びその製造方法並びに金属酸化膜の形成方法 | |
JP2004193409A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
JP4224044B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009044166A (ja) | 窒化シリコン膜の形成方法 | |
JP2008022021A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20110233723A1 (en) | Dielectric film and semiconductor device | |
JP4562751B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
JP4812164B2 (ja) | 半導体素子のキャパシタ製造方法 | |
JP2008235397A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006054382A (ja) | 金属シリケート膜と金属シリケート膜の製造方法および半導体装置と半導体装置の製造方法 | |
KR100557961B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
KR101026477B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110616 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110809 |