JP2009042676A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】表示部に併設されたイメージセンサのイメージ検出を、中間値も処理可能にした表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、それぞれ液晶素子を含み、入射光を検出する光検出手段と、前記光検出手段で検出された入射光の輝度に応じたアナログの第1のデータを保持する保持手段と、前記保持手段で保持された前記第1のデータに基づいた第2のデータを作成するデータ決定手段とを含み、行に対応するゲート線と列に対応するソース線との各交点部にマトリクス状に配置された複数の表示画素部と、前記ゲート線を選択的に活性化するゲート線駆動回路と、 前記ソース線に表示データを供給するソース線駆動回路と、前記データ決定手段により出力された前記第2のデータを前記ソース線を介して検出出力データを取り出す出力手段と、前記入射光の強さに対する前記検出出力データの判定基準を変更可能な検出感度制御手段とを備える。
【選択図】図3

Description

本発明は表示装置に係り、特に指紋認証を行うのに好適なイメージセンサを有する表示装置に関する。
特にセキュリティ上の要請から、指紋認証等のイメージ取得を画面上で行う表示装置が携帯型電話機、PDA、コンピュータ等で多用されるようになっている。
このような表示装置では、トランジスタスイッチを介して設けられた液晶容量がマトリクス状に配置された通常の液晶表示装置に加えて、液晶表示装置の全部または一部の画素ごとに指紋等からの反射光を検出する光センサ、この光センサで検出された光量に応じた電圧を保持するキャパシタ、このキャパシタに蓄積された電圧を1ビットデータに変換するA/D変換器よりなるイメージセンサを表示装置の表面層に積層したハイブリッド形式のものが知られている(特許文献1参照)。
図1は特許文献1に開示された従来の指紋認証可能な表示装置の基本構成を示す回路図であり、1画素分が表示されている。
ソース線Skとゲート線Gとの交点に、ゲート線にゲートが、ソース線にソースが接続されたトランジスタ10が設けられ、このトランジスタ10のドレインと接地間に容量CLCとして示された液晶素子が接続されており、通常の液晶表示装置と同様の構成を有している。
一方、指紋データ取得部20も設けられており、カソードが電源Vddに接続され、アノードがサンプルスイッチ12に接続され、このサンプルスイッチ12の他端には、フォトダイオードで受光量に応じて発生した電荷を蓄積するホールドコンデンサ13の一端が接続され、他端は接地されている。
サンプルスイッチ12とホールドコンデンサ13との接続ノードN1とソース線Skとの間にはリフレッシュ手段18と読み出しスイッチ19が接続されている。
リフレッシュ手段18は第1のリフレッシュスイッチ14,リフレッシュバッファ15,第2および第3のリフレッシュスイッチ16および17を有しており、これらはループ状に接続されている。リフレッシュバッファ15はそれぞれゲートが共通接続され、相補型トランジスタが電源VddとVss間に直列接続された第1のインバータ151および第2のインバータ152の2段から成っている。
このような従来の表示装置では、読み出しスイッチ19をオフとすれば、通常の液晶表示装置となる。この際、サンプルスイッチ12を所定の期間でオンしてフォトダイオード11で発生した電荷のサンプリングを行い、この電荷をホールドコンデンサ13に蓄積する。ここで蓄積されたものは電荷量に比例したアナログ値である。このアナログ値はスイッチ14を通じてリフレッシュバッファ15に導かれるが、このリフレッシュバッファは一種のスタティックメモリになっており、トランジスタのしきい値とホールドコンデンサ13に蓄積されたアナログ値との比較で白黒に相当する0あるいは1の2値ディジタルデータが得られる。トランジスタ19がオフであるため、トランジスタ14をオフとしておけば、トランジスタ16,17を介してこのディジタルデータはホールドコンデンサに再度蓄積される。
ホールドコンデンサ13に蓄積されたデータは読み出しタイミングにおいて、トランジスタ12,14,16をオフし、トランジスタ17と19をオンすることによりソース線Skに読み出される。なお、ソース線Skは液晶表示のためのデータ供給とフォトダイオードからのデータ出力を行うことになるが、これらは通常時分割で行われる。
このように、従来のイメージセンサ付きの液晶表示装置では、通常の表示を行いつつ、指紋などからの反射光を検出した結果は画素内部で変換されてディジタルの1ビットデータ、すなわち白黒の2値データとして出力されるようになっている。
特開2006−121452号公報(国際特許公開 WO2006/043216号公報に対応)
しかしながら、このようなイメージセンサ付き液晶表示装置にあっては、主要な用途である
指紋認証において必ずしも十分に機能しない場合がある。すなわち、汚れや濃淡差が大きい場合、保存されている基準データとの比較において、1ビットデータでは十分な情報が得られず、認証精度の低下を招くおそれがある。
また、光センサの特性によっては、白黒の判定基準によっては白または黒で飽和してしまい、いわゆる黒つぶれあるいは白つぶれという現象が生じ、正常な認識ができない場合もある。
これらの事態に対処するためには、指紋センサを複数ビットでサンプリングできるようにし、多ビット化により中間値の処理を可能にすることが考えられるが、指紋センサに対して表示装置上に形成が許される面積は限られており、各画素に複数ビット処理の構成を設けることは不可能であった。
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、併設されたイメージセンサにより、中間値の処理を可能にした表示装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、それぞれ液晶素子を含み、入射光を検出する光検出手段と、前記光検出手段で検出された入射光の輝度に応じたアナログの第1のデータを保持する保持手段と、前記保持手段で保持された前記第1のデータに基づいた第2のデータを作成するデータ決定手段とを含み、行に対応するゲート線と列に対応するソース線との各交点部にマトリクス状に配置された複数の表示画素部と、前記ゲート線を選択的に活性化するゲート線駆動回路と、前記ソース線に表示データを供給するソース線駆動回路と、前記データ決定手段により出力された前記第2のデータを前記ソース線を介して検出出力データを取り出す出力手段と、前記入射光の強さに対する前記検出出力データの判定基準を変更可能な検出感度制御手段とを備えた表示装置が提供される。
本発明によれば、従来と同様の1ビット構成のままで、中間データの処理が可能となり、認証データとの比較を高い精度で行うことができる。
以下、図面を参照して本発明にかかるその実施例のいくつかを説明する。
図2は本願発明が適用される液晶表示装置100の一実施例の概略構成を示すブロック図である。
液晶アレイ120は1画素に相当する表示画素110がマトリクス状に配設されたもので、各ピクセル110は、ゲートがゲート線GLに、ソースがソース線SLに接続されたトランジスタ111を介して容量として表される液晶素子112が接地との間に接続されている。この液晶素子112に並列に電荷蓄積量を制御可能な補助的な蓄積容量113も設けられている。
ソース線SLはタイミング制御器130の制御のもとで入力データIDからソース線へ印加する電圧に相当する信号を出力するディジタル構成のソースドライバ140と、このソースドライバ140の出力信号により印加電圧を発生するアナログ構成のソースドライバ150により駆動される。
また、ゲート線GLはタイミング制御器130で制御されるゲートドライバ160により1ラインごとに順次活性化される。
ソースドライバ150により駆動されたソース線SLと、ゲートドライバ160により駆動されたゲート線GLとの交点にあるトランジスタ111により液晶素子112への電荷蓄積状態は制御され、液晶の透過率が変化して表示が変化される。
この実施例では、指紋認証を行うイメージセンサとして、次のような構成を有している。
各ピクセル110内に入力光LIを検出する光センサ114およびこの光センサ114の出力を記憶する保持手段115が設けられている。
また、本願発明で特徴的な感度制御手段116が各ピクセル110に対して作用するように設けられている。この感度制御手段116はタイミング制御器130で制御されるが、その作用の仕方は後述するように様々である。
指紋からの反射光は光センサ114で検出され、光量に応じて発生する電流の値が変わるため、一定時間にコンデンサに貯まる電荷量が変わり、これを容量値Cで除算すれば電圧が求められる。この電圧値は保持手段115に記憶され、ソース線に表示データに応じた信号が供給されない期間にソース線SLを介して取り出され、AD変換器170でディジタルデータに変換され、このデータはエンコーダ180によりエンコードされ、指紋のイメージに応じた明暗データである出力データODを得るようになっている。この際、感度制御手段116が検出感度を変更制御し、指紋データを取り出すのに最適なレベルを探索する。
次にこのような構成を用いてイメージセンサの感度を制御するための手段について説明する。
以下の実施例では感度制御手段116の例を具体的に示しつつ説明する。
図3はサンプリング間隔を変更するようにした本発明の第1の実施例の概略構成を示す模式的回路図、図4(a)(b)はその動作を示すタイミングチャートである。
光センサ114はあるサンプリング時間で光を検出する。このため、図3においては、サンプリングパルス幅変更回路121を設け、サンプリングパルスのパルス幅をW1とW2の間で変更可能としている。ここでサンプリングパルス幅変更回路は121は通常のパルス幅制御を行う回路であって、当業者には周知のものである。
この実施例における動作を図4を参照して説明する。図4はサンプル(S)時間の変更を示しており、図4(a)はサンプル時間を長くとった例、図4(b)はサンプル時間を短くした例を示している。なお、サンプルホールド期間は常に一定であるので、これらの図から、サンプリングパルス幅が長くなれば、それに応じてホールド(H)時間が短くなり、サンプリングパルス幅が短くなれば、それに応じてホールド時間は短くなることがわかる。
図4(a)から明らかなように、サンプル時間が長いと電荷の発生量が多くなり、保持手段115としてのキャパシタに蓄積されるキャパシタ電圧Vcが上昇し、これをコンパレータ122により一定のしきい値と比較すると、破線で示されるしきい値電圧を超えているため、レベル1と判断される。一方、図4(b)の場合には同じ入射光量に対してもサンプル時間が短いため電圧が上昇せず、しきい値に達しないため、レベル0と判断される。
したがって、サンプリング時間を変えて何回か同じ検出を繰り返すことにより、ある光量において、最適なレベル0と1の変化が得られるサンプリング時間を決定することができる。
この実施例においては、しきい値を超えた場合にレベル1と判断したが、レベル0と判断するようにしても良い。
また、サンプリングパルスのバルス幅は2のべき乗の少なくとも4段階、好ましくは16段階以上に変化させるようにすることにより、適切なパターン判定が可能となる。
図5は本発明の第2の実施例の概略構成を示す模式的回路図である。この実施例においてもサンプリング時間を変えるようにしているが、第1の実施例とは手法が異なり、光センサ14を動作させるための電源電圧を固定とし、電源供給時間を画素ごとに設けられたサンプルスイッチ131とこのサンプルスイッチの開閉を制御するスイッチ制御器132により変更可能としたものである。
この実施例では、光センサの電源への接続を制御するだけの簡単な構成であるので、表示領域を犠牲にすることが少なく、開口率が向上するという利点を有する。また、タイミング制御はきわめて正確に行うことができるため、時定数を気にせずにサンプリング時間を正確に制御することが可能となる。
図6は図5の構成における動作を示すタイミングチャートであり、図4の場合とはサンプリングパルス幅の変更の代わりにサンプルスイッチのオン期間が変更されていることがわかる。
サンプルスイッチのオン期間を変更することにより、同じ光の強さに対してもレベル1と0が得られることは図4の場合と全く同じであることがわかる。
図7は本発明の第3の実施例の概略構成を示す模式的回路図である。この実施例においてはサンプリング時間は一定のままで、レベル判定のためのしきい値を変更するようにしたものである。すなわち、アナログディジタル変換器であるコンパレータ/リフレッシュ回路122に対してレベルの判定基準となる参照電圧Vrefを設定して供給する参照電圧設定器141が設けられており、この参照電圧Vrefを例えば2のべき乗の少なくとも4段階、好ましくは16段階以上に変更して出力できるようになっている。このような多値の電圧を得るには、良く知られているように、抵抗分割で取り出すようにすれば良く、きわめて正確な参照レベル設定が可能である。
このような構成による動作は図8(a)(b)に示されており、同じサンプルパルスで同じサンプル期間を適用した場合でも、図8(a)のように参照レベルVref1として低く設定するとレベル1として検出され、図8(b)のように参照レベルVref2として高く設定するとレベル0として検出されることになる。
図9は本発明の第4の実施例の概略構成を示す模式的回路図である。この実施例においては、サンプリングバルスやサンプリング時間は一定であるが、保持手段である容量を可変としたものである。図9の場合、スイッチS1、S2、S3、S4で接続される容量151、152、153、154の容量値はそれぞれ8C、4C、2C、Cの関係になっており、それぞれの容量で発生するキャパシタ電圧はそれぞれVc1、Vc2、Vc3、Vc4となる。
光センサ114で発生する電荷量が一定であれば、容量が大きいほど発生電圧が低くなる。図10はこのような動作を示しており、図10(a)の場合には、スイッチS1をオンとすることにより容量151のみに電荷を蓄積するようにしているので、電位は急激に上がってしきい値Vthを超えてレベル1が検出される。これに対し、図10(b)の場合には、スイッチS1、S2、S3、S4が全部オンとなっているため、容量151、152、153、154に電荷が分散して蓄積されるため、電位上昇は緩慢となり、ホールド期間になってもしきい値Vthを超えず、レベル0として検出される。
図11は本発明の第5および第6の実施例の概略構成を示す模式的概念図である。ここでは光センサ114,保持手段115,コンパレータ/リフレッシュ回路122等の構成はそのままで、検出されるべき光について着目している。
まず第5の実施例としては、液晶層161の下側に設けられるバックライト162の光量をバックライト制御器163から出力される電圧を変更することにより変えている。
これにより、バックライトの光量が増加すれば、指紋164により反射して光センサ114に入射する光量も増加するので、キャパシタ電圧の上昇の傾きが異なることになる。
第6の実施例としてはバックライト光量を一定にしておき、光検出の際の液晶層151の透過率を変更するものである。液晶の透過率はソース線SLを通じて供給される液晶への印加電圧を変化させることにより変えられる。
図12はこの第6の実施例の場合の動作を示しており、図12(a)では液晶層は透過率が最大のホワイトレベルであるため、指紋164で反射する光も多く、キャパシタ電圧の上昇率が高いため、しきい値Vthを超えてレベル1が検出される。これに対し、図12(b)の場合には、液晶が透過率の低いグレイレベルになっているため、指紋164で反射する光は少なく、キャパシタ電圧は緩慢に上昇し、サンプル期間にしきい値Vthを超えることができず、レベル0が検出される。
これらのバックライト自身の光量と液晶層の透過率の双方を変えるようにすることもできる。
図13はこのような種々の方法を用いてイメージセンサの感度を制御する方法を示すタイミングチャートである。ここでは2進4ビットで指定される15段階の感度レベルを選択できるものとし、液晶表示素子は320行を有しているものとする。
図13ではセンスレベル3(2進数0011)、センスレベル8(2進数1000)、センスレベル15(2進数1111)の3つのレベルについてイメージ検出を行った様子を示している。
各レベルについての検出手順は同じであり、まず入射光の検出を行い、A/D変換を行ってしきい値レベルを設定し、それに基づき各行の検出データを320行まで順次読み出す。
図14では図13のレベル3、8、15についての検出データが得られた状態を示している。この検出データを観察し、白の飛びや黒のつぶれがなく指紋が良好に観察できるレベルはこの3つのレベルのうちどれが適当かを決定し、例えばレベル8が良好であった場合、その上下のレベルについて再度同様の検出を行うことにより最良レベルを決定することができる。
レベル決定においては、レベル1から順にすべてのデータをとって最良レベルを決定することもできる。
以上の実施例では、センスレベルを変更可能な数を2のべき乗としていたが表示装置における追加回路の配置スペースの量に応じて自由に設定することができる。
このように、本発明にかかる表示装置では、従来と同様の1ビット構成のままで、中間データの処理が可能となり、認証データとの比較を高い精度で行うことができる。
また、このような液晶表示装置は図15に示すような携帯型電話装置1に搭載されるディスプレイ装置100として好適であるが、携帯型電話装置に限られることなく、ディジタルカメラ、個人用情報端末装置(PDA)、ノート型コンピュータ、デスクトップコンビュータ、テレビ受像器、車載ディスプレイ、ポータブルDVDプレーヤのいずかのような各種電子装置に適用されるものである。
従来の指紋認証可能な表示装置の基本構成を示す回路図である。 本願発明が適用される液晶表示装置100の一実施例の概略構成を示すブロック図である。 サンプリング間隔を変更するようにした本発明の第1の実施例の概略構成を示す模式的回路図である。 図3の構成における動作を示すタイミングチャートである。 本発明の第2の実施例の概略構成を示す模式的回路図である。 図5の構成における動作を示すタイミングチャートである。 本発明の第3の実施例の概略構成を示す模式的回路図である。 図7の構成における動作を示すタイミングチャートである。 本発明の第4の実施例の概略構成を示す模式的回路図である。 図9の構成における動作を示すタイミングチャートである。 本発明の第5および第6の実施例の概略構成を示す模式的概念図である。 第6の実施例の場合の動作を示し イメージセンサのセンスレベルを変えて画像データを得る方法を示すタイミングチャートである。 図13において、各レベルの検出データが得られた様子を示す説明図である。 本発明にかかる表示装置が搭載される携帯型電話装置の一例を示す斜視図である。
符号の説明
100 液晶表示装置
110 表示画素
111 トランジスタ
112 液晶素子
113 蓄積容量
114 光センサ
115 保持手段
116 感度制御手段
120 液晶アレイ
121 サンプリングパルス幅変更回路
122 コンパレータ/リフレッシュ回路
130 タイミング制御器
131 スイッチ
132 スイッチ制御器
140 ソースドライバ
141 参照電圧設定器
150 ソースドライバ
151、152、153、154 容量
160 ゲートドライバ
161 液晶層
162 バックライト
163 バックライト制御器
164 指紋
170 A/D変換器
180 エンコーダ

Claims (13)

  1. それぞれ液晶素子を含み、入射光を検出する光検出手段と、前記光検出手段で検出された入射光の輝度に応じたアナログの第1のデータを保持する保持手段と、前記保持手段で保持された前記第1のデータに基づいた第2のデータを作成するデータ決定手段とを含み、行に対応するゲート線と列に対応するソース線との各交点部にマトリクス状に配置された複数の表示画素部と、
    前記ゲート線を選択的に活性化するゲート線駆動回路と、
    前記ソース線に表示データを供給するソース線駆動回路と、
    前記データ決定手段により出力された前記第2のデータを前記ソース線を介して検出出力データを取り出す出力手段と、
    前記入射光の強さに対する前記検出出力データの判定基準を変更可能な検出感度制御手段とを備えた表示装置。
  2. 前記光検出手段がフォトダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記保持手段が前記光検出手段にスイッチを介して接続された容量素子であることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
  4. 前記データ決定手段が前記容量素子に蓄積された電荷による電圧を比較して状態を変える電圧比較器を備えたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の表示装置。
  5. 前記検出感度制御手段が、前記光検出手段の動作と非動作を時分割で制御し、前記第1のデータを制御することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  6. 前記検出感度制御手段が、前記光検出手段から出力される第1のデータが電流であり、前記電流値を制御することにより前記第1のデータを制御することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  7. 前記保持手段は複数の容量素子が並列接続された容量部により構成され、この容量部の容量を前記検出感度制御手段が制御することにより、前記第1のデータを制御することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  8. 前記複数の容量素子は2進重み付けされた容量を有することを特徴とする請求項7に記載の表示装置
  9. 前記検出感度制御手段が、前記第1のデータに対する前記電圧比較器の大小の判定を前記電圧比較器に与えられる基準電圧を変化させることで制御するようにした、請求項4に記載の表示装置。
  10. 前記検出感度制御手段が、バックライトの光量を変える光量制御器である、請求項1に記載の表示装置。
  11. 前記検出感度制御手段が、液晶の透過率を変えるべく前記液晶素子への印加電圧を変化させる電圧制御器である、請求項1に記載の表示装置。
  12. 前記検出感度制御手段は、前記検出出力データの判定基準を2のべき乗の数について変更可能なことを特徴とする、請求項1,5,6,7,9〜11のいずれかに記載の表示装置。
  13. 請求項1ないし12のいずれかに記載の液晶表示装置を備え、携帯型電話装置、ディジタルカメラ、個人用情報端末装置(PDA)、ノート型コンピュータ、デスクトップコンビュータ、テレビ受像器、車載ディスプレイ、ポータブルDVDプレーヤのいずかである電子装置。
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