JPH05196500A - 測光装置 - Google Patents
測光装置Info
- Publication number
- JPH05196500A JPH05196500A JP4032716A JP3271692A JPH05196500A JP H05196500 A JPH05196500 A JP H05196500A JP 4032716 A JP4032716 A JP 4032716A JP 3271692 A JP3271692 A JP 3271692A JP H05196500 A JPH05196500 A JP H05196500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- output
- capacitor
- input
- photodiode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 入出力特性の検出範囲を段階的に切換えるこ
とができるようにし、常時広い検出範囲を持つ測光装置
を提供する。 【構成】 フォトダイオードＰＤと直列に、切換えスイ
ッチＳＷを介して、容量の異なる４つのコンデンサＣ１
〜Ｃ４を接続し、入射光に比例してフォトダイオードＰ
Ｄから出力される電流ＩP を切換えスイッチＳＷで選択
された１つのコンデンサに蓄積し、電圧ＶC に変換す
る。この充電電圧ＶC をＣ−ＭＯＳ型の第１のシュミッ
トインバータ２４に入力し、パルス出力電圧を発生させ
る。切換えスイッチＳＷはマイクロコンピュータ２２か
らの制御信号ＳC によって作動し、所定のコンデンサを
フォトダイオードＰＤに選択接続し、これによって周波
数決定用の容量値を自動的に切換え、光量−周波数変換
回路３０の入出力特性の検出範囲を段階的に切換え設定
できるように構成したものである。
とができるようにし、常時広い検出範囲を持つ測光装置
を提供する。 【構成】 フォトダイオードＰＤと直列に、切換えスイ
ッチＳＷを介して、容量の異なる４つのコンデンサＣ１
〜Ｃ４を接続し、入射光に比例してフォトダイオードＰ
Ｄから出力される電流ＩP を切換えスイッチＳＷで選択
された１つのコンデンサに蓄積し、電圧ＶC に変換す
る。この充電電圧ＶC をＣ−ＭＯＳ型の第１のシュミッ
トインバータ２４に入力し、パルス出力電圧を発生させ
る。切換えスイッチＳＷはマイクロコンピュータ２２か
らの制御信号ＳC によって作動し、所定のコンデンサを
フォトダイオードＰＤに選択接続し、これによって周波
数決定用の容量値を自動的に切換え、光量−周波数変換
回路３０の入出力特性の検出範囲を段階的に切換え設定
できるように構成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的には照度（光量）
−周波数変換方式の電子的測光装置に関し、特に、簡単
な構成で発振回路の入出力特性の検出範囲を切換えるこ
とができるようにした電子的測光装置に関するものであ
る。
−周波数変換方式の電子的測光装置に関し、特に、簡単
な構成で発振回路の入出力特性の検出範囲を切換えるこ
とができるようにした電子的測光装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、電子的測光装置にはフォ
トダイオード、フォトトランジスタ等の光検出素子が使
用されているが、例えば、フォトダイオードを使用した
照度（光量）−周波数変換方式の従来の測光装置の一例
を図５に示す。この測光装置は光検出素子であるフォト
ダイオードＰＤと静電容量型の負荷であるコンデンサＣ
とアナログスイッチ２３とＣ−ＭＯＳ型の第１のシュミ
ットインバータ２４とで光量−周波数変換回路３０を構
成しており、フォトダイオードＰＤとコンデンサＣとは
アナログスイッチ２３を介して直列に接続され、入射す
る光の照度又は光量に比例してフォトダイオードＰＤを
流れる電流ＩP をアナログスイッチ２３を介してコンデ
ンサＣに蓄積し、電圧ＶC に変換する。このコンデンサ
Ｃに蓄積される電圧ＶC はＣ−ＭＯＳ型の第１のシュミ
ットインバータ２４でパルス信号に変換される。第１の
シュミットインバータ２４は高レベルのスレッショルド
電圧ＶTHと低レベルのスレッショルド電圧ＶTLの２つの
スレッショルド電圧を有し、入力電圧が高レベルのスレ
ッショルド電圧ＶTHより低いときには高レベルの出力電
圧ＶH を発生し、また、入力電圧が高レベルのスレッシ
ョルド電圧ＶTHに達すると出力電圧が高レベルＶH から
低レベルＶL に切換わり、そして入力電圧が低レベルの
スレッショルド電圧ＶTLに降下するまで低レベルの出力
電圧ＶL を保持し、入力電圧が低レベルのスレッショル
ド電圧ＶTLに降下したときに出力電圧が低レベルＶL か
ら高レベルＶH に切換わるように動作する。従って、フ
ォトダイオードＰＤに光が入射せず、電流ＩP が流れな
いときには、即ち、コンデンサＣに電荷が蓄積されない
ときには、その出力電圧は高レベルＶH であり、また、
コンデンサＣの充電電圧ＶC が高レベルのスレッショル
ド電圧ＶTHに等しくなると、シュミットインバータ２４
の出力電圧は高レベルから低レベルＶL に切換わる。さ
らに、コンデンサＣの蓄積電荷が放電によりシュミット
インバータ２４の低レベルのスレッショルド電圧ＶTLに
まで低下すると、シュミットインバータ２４の出力電圧
は低レベルＶL から高レベルＶH に切換わる。従って、
第１のシュミットインバータ２４からはコンデンサＣの
充放電に対応した周期のパルス電圧が出力され、かくし
てフォトダイオードＰＤに入射する光の照度又は光量が
周波数信号に変換されることになる。
トダイオード、フォトトランジスタ等の光検出素子が使
用されているが、例えば、フォトダイオードを使用した
照度（光量）−周波数変換方式の従来の測光装置の一例
を図５に示す。この測光装置は光検出素子であるフォト
ダイオードＰＤと静電容量型の負荷であるコンデンサＣ
とアナログスイッチ２３とＣ−ＭＯＳ型の第１のシュミ
ットインバータ２４とで光量−周波数変換回路３０を構
成しており、フォトダイオードＰＤとコンデンサＣとは
アナログスイッチ２３を介して直列に接続され、入射す
る光の照度又は光量に比例してフォトダイオードＰＤを
流れる電流ＩP をアナログスイッチ２３を介してコンデ
ンサＣに蓄積し、電圧ＶC に変換する。このコンデンサ
Ｃに蓄積される電圧ＶC はＣ−ＭＯＳ型の第１のシュミ
ットインバータ２４でパルス信号に変換される。第１の
シュミットインバータ２４は高レベルのスレッショルド
電圧ＶTHと低レベルのスレッショルド電圧ＶTLの２つの
スレッショルド電圧を有し、入力電圧が高レベルのスレ
ッショルド電圧ＶTHより低いときには高レベルの出力電
圧ＶH を発生し、また、入力電圧が高レベルのスレッシ
ョルド電圧ＶTHに達すると出力電圧が高レベルＶH から
低レベルＶL に切換わり、そして入力電圧が低レベルの
スレッショルド電圧ＶTLに降下するまで低レベルの出力
電圧ＶL を保持し、入力電圧が低レベルのスレッショル
ド電圧ＶTLに降下したときに出力電圧が低レベルＶL か
ら高レベルＶH に切換わるように動作する。従って、フ
ォトダイオードＰＤに光が入射せず、電流ＩP が流れな
いときには、即ち、コンデンサＣに電荷が蓄積されない
ときには、その出力電圧は高レベルＶH であり、また、
コンデンサＣの充電電圧ＶC が高レベルのスレッショル
ド電圧ＶTHに等しくなると、シュミットインバータ２４
の出力電圧は高レベルから低レベルＶL に切換わる。さ
らに、コンデンサＣの蓄積電荷が放電によりシュミット
インバータ２４の低レベルのスレッショルド電圧ＶTLに
まで低下すると、シュミットインバータ２４の出力電圧
は低レベルＶL から高レベルＶH に切換わる。従って、
第１のシュミットインバータ２４からはコンデンサＣの
充放電に対応した周期のパルス電圧が出力され、かくし
てフォトダイオードＰＤに入射する光の照度又は光量が
周波数信号に変換されることになる。
【０００３】一方、アナログスイッチ２３は２つの固定
接点ｘ0 及びｘ1 と１つの可動接点ｘを有し、可動接点
ｘはコンデンサＣに接続され、第１の固定接点ｘ0 はフ
ォトダイオードＰＤに接続され、そして第２の固定接点
ｘ1 は放電用抵抗Ｒに接続されている。また、このアナ
ログスイッチ２３の可動接点ｘは、その制御線２４ａを
通じて第１のシュミットインバータ２４から高レベル出
力電圧ＶH が印加されたときには、第１の固定接点ｘ0
と接続され、逆に低レベル出力電圧ＶL が印加されたと
きには、可動接点ｘは第２の固定接点ｘ1 と接続される
ように構成されている。
接点ｘ0 及びｘ1 と１つの可動接点ｘを有し、可動接点
ｘはコンデンサＣに接続され、第１の固定接点ｘ0 はフ
ォトダイオードＰＤに接続され、そして第２の固定接点
ｘ1 は放電用抵抗Ｒに接続されている。また、このアナ
ログスイッチ２３の可動接点ｘは、その制御線２４ａを
通じて第１のシュミットインバータ２４から高レベル出
力電圧ＶH が印加されたときには、第１の固定接点ｘ0
と接続され、逆に低レベル出力電圧ＶL が印加されたと
きには、可動接点ｘは第２の固定接点ｘ1 と接続される
ように構成されている。
【０００４】上記構成において、フォトダイオードＰＤ
に電流が流れず、従ってコンデンサＣに電荷が蓄積され
ない初期状態においては、第１のシュミットインバータ
２４の出力は高レベルＶH にあるから、アナログスイッ
チ２３の可動接点ｘは第１の固定接点ｘ0 と接続されて
いる。光量の測定が開始されると、フォトダイオードＰ
Ｄに電流ＩP が流れ、コンデンサＣは充電される。コン
デンサＣの充電電圧ＶC が第１のシュミットインバータ
２４の高レベルのスレッショルド電圧ＶTHに達すると、
このシュミットインバータ２４の出力電圧は高レベルＶ
H から低レベルＶL に切換わる。これによってアナログ
スイッチ２３の可動接点ｘは第２の固定接点ｘ1 側に切
換わり、コンデンサＣの充電電圧ＶC は抵抗Ｒを介して
放電される。放電によってコンデンサＣの充電電圧ＶC
が第１のシュミットインバータ２４の低レベルスレッシ
ョルド電圧ＶTLにまで降下すると、このシュミットイン
バータ２４の出力電圧は低レベルＶL から高レベルＶH
に切換わる。これによってアナログスイッチ２３の可動
接点ｘが再び第１の固定接点ｘ0 と接続され、コンデン
サＣに充電電流が流れる。以下、同様の動作が繰り返さ
れる結果、第１のシュミットインバータ２４の出力電
圧、即ち、光量−周波数変換回路３０からの出力電圧Ｖ
1 は、図６に示すように、コンデンサＣの充放電周期に
対応する周波数のパルス波形となる。
に電流が流れず、従ってコンデンサＣに電荷が蓄積され
ない初期状態においては、第１のシュミットインバータ
２４の出力は高レベルＶH にあるから、アナログスイッ
チ２３の可動接点ｘは第１の固定接点ｘ0 と接続されて
いる。光量の測定が開始されると、フォトダイオードＰ
Ｄに電流ＩP が流れ、コンデンサＣは充電される。コン
デンサＣの充電電圧ＶC が第１のシュミットインバータ
２４の高レベルのスレッショルド電圧ＶTHに達すると、
このシュミットインバータ２４の出力電圧は高レベルＶ
H から低レベルＶL に切換わる。これによってアナログ
スイッチ２３の可動接点ｘは第２の固定接点ｘ1 側に切
換わり、コンデンサＣの充電電圧ＶC は抵抗Ｒを介して
放電される。放電によってコンデンサＣの充電電圧ＶC
が第１のシュミットインバータ２４の低レベルスレッシ
ョルド電圧ＶTLにまで降下すると、このシュミットイン
バータ２４の出力電圧は低レベルＶL から高レベルＶH
に切換わる。これによってアナログスイッチ２３の可動
接点ｘが再び第１の固定接点ｘ0 と接続され、コンデン
サＣに充電電流が流れる。以下、同様の動作が繰り返さ
れる結果、第１のシュミットインバータ２４の出力電
圧、即ち、光量−周波数変換回路３０からの出力電圧Ｖ
1 は、図６に示すように、コンデンサＣの充放電周期に
対応する周波数のパルス波形となる。
【０００５】この第１のシュミットインバータ２４の出
力電圧Ｖ1 は、本例では、第１のシュミットインバータ
２４と同じＣ−ＭＯＳ型の第２のシュミットインバータ
２５に供給される。この第２のシュミットインバータ２
５も高レベルのスレッショルド電圧ＶTHと低レベルのス
レッショルド電圧ＶTLの２つのスレッショルド電圧を有
し、同様に動作する。即ち、第１のシュミットインバー
タ２４から高レベルの電圧信号ＶH が入力されていると
きには低レベルの電圧出力ＶL を発生し、低レベルの電
圧信号ＶL が入力されているときには高レベルの電圧出
力ＶH を発生する。従って、第２のシュミットインバー
タ２５からは第１のシュミットインバータ２４のパルス
波形を反転した同じ周波数Ｆ0 の出力電圧が発生され、
演算計測部であるマイクロコンピュータ２２に供給され
る。
力電圧Ｖ1 は、本例では、第１のシュミットインバータ
２４と同じＣ−ＭＯＳ型の第２のシュミットインバータ
２５に供給される。この第２のシュミットインバータ２
５も高レベルのスレッショルド電圧ＶTHと低レベルのス
レッショルド電圧ＶTLの２つのスレッショルド電圧を有
し、同様に動作する。即ち、第１のシュミットインバー
タ２４から高レベルの電圧信号ＶH が入力されていると
きには低レベルの電圧出力ＶL を発生し、低レベルの電
圧信号ＶL が入力されているときには高レベルの電圧出
力ＶH を発生する。従って、第２のシュミットインバー
タ２５からは第１のシュミットインバータ２４のパルス
波形を反転した同じ周波数Ｆ0 の出力電圧が発生され、
演算計測部であるマイクロコンピュータ２２に供給され
る。
【０００６】マイクロコンピュータ２２は光量−周波数
変換回路３０から第２のシュミットインバータ２５を通
じて入力される周波数信号Ｆ0 のパルス数を計数するカ
ウンタ部２２ａと、フォトダイオードＰＤ及び変換回路
の入出力特性の演算処理プログラムを記憶しているＲＯ
Ｍ（リード・オンリー・メモリ）を含む記憶部２２ｂ
と、カウンタ部２２ａで計数された一定時間内のパルス
数から、記憶部２２ｂのプログラムに従ってフォトダイ
オードＰＤの出力電流の大きさを検出し、照度又は光量
を算出する演算処理部２２ｃとから構成されており、か
くして、フォトダイオードＰＤに入射する光の照度又は
光量を求めることができる。
変換回路３０から第２のシュミットインバータ２５を通
じて入力される周波数信号Ｆ0 のパルス数を計数するカ
ウンタ部２２ａと、フォトダイオードＰＤ及び変換回路
の入出力特性の演算処理プログラムを記憶しているＲＯ
Ｍ（リード・オンリー・メモリ）を含む記憶部２２ｂ
と、カウンタ部２２ａで計数された一定時間内のパルス
数から、記憶部２２ｂのプログラムに従ってフォトダイ
オードＰＤの出力電流の大きさを検出し、照度又は光量
を算出する演算処理部２２ｃとから構成されており、か
くして、フォトダイオードＰＤに入射する光の照度又は
光量を求めることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の測光装置においては、光量−周波数変換回路（発振
回路）３０の入出力特性、即ち、フォトダイオードＰＤ
の出力電流ＩP と発振周波数Ｆ0 の関係は発振回路を構
成する素子によって定まり、固定である。従って、測定
できる光量（照度）の検出範囲はこの入出力特性曲線で
決まってしまう。例えば、全く制約条件がないときの入
出力特性は図７に示すようになり、フォトダイオードＰ
Ｄの出力電流ＩP が０．０１〜１０００μＡの変化に対
して発振周波数Ｆ0 は１００Ｈｚ〜１０ＭＨｚまで変化
する。即ち、５０ｄＢ（倍）の検出領域を持つことにな
る。しかしながら、実際には多くの制約条件があり、例
えばマイクロコンピュータ２２の内蔵カウンタ（カウン
タ部２２ａ）或は汎用カウンタの性能により発振周波数
Ｆ0 の上限が４００ＫＨｚであり、また、変調光システ
ムによる発振周波数Ｆ0 の下限が１ＫＨｚであるとする
と、実際には２５ｄＢの検出範囲しか持たないことにな
る。これでは測定範囲が狭く、微少な光量から大きな光
量までの広い範囲の光量測定が１つの測光装置では行な
えないという重大な欠点がある。
成の測光装置においては、光量−周波数変換回路（発振
回路）３０の入出力特性、即ち、フォトダイオードＰＤ
の出力電流ＩP と発振周波数Ｆ0 の関係は発振回路を構
成する素子によって定まり、固定である。従って、測定
できる光量（照度）の検出範囲はこの入出力特性曲線で
決まってしまう。例えば、全く制約条件がないときの入
出力特性は図７に示すようになり、フォトダイオードＰ
Ｄの出力電流ＩP が０．０１〜１０００μＡの変化に対
して発振周波数Ｆ0 は１００Ｈｚ〜１０ＭＨｚまで変化
する。即ち、５０ｄＢ（倍）の検出領域を持つことにな
る。しかしながら、実際には多くの制約条件があり、例
えばマイクロコンピュータ２２の内蔵カウンタ（カウン
タ部２２ａ）或は汎用カウンタの性能により発振周波数
Ｆ0 の上限が４００ＫＨｚであり、また、変調光システ
ムによる発振周波数Ｆ0 の下限が１ＫＨｚであるとする
と、実際には２５ｄＢの検出範囲しか持たないことにな
る。これでは測定範囲が狭く、微少な光量から大きな光
量までの広い範囲の光量測定が１つの測光装置では行な
えないという重大な欠点がある。
【０００８】従って、本発明の目的は、簡単な構成で発
振回路の入出力特性の検出範囲を段階的に切換えること
ができるようにし、制約条件があっても広い範囲にわた
って光量を検出することができるようにした高信頼性、
小型の測光装置を提供することである。
振回路の入出力特性の検出範囲を段階的に切換えること
ができるようにし、制約条件があっても広い範囲にわた
って光量を検出することができるようにした高信頼性、
小型の測光装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は本発明に係る
測光装置によって達成される。要約すれば、本発明は、
受光量に応じて出力電流が変化する光検出素子と、該光
検出素子からの出力電流を容量の異なる複数の静電容量
型の負荷の１つに供給する第１のスイッチ手段と、該第
１のスイッチ手段により選択された１つの負荷に充電さ
れた充電電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、充
電電圧が基準電圧に達したとき毎に出力信号レベルを変
化させる電圧検出手段と、該電圧検出手段からの出力信
号レベルの変化によって前記充電された負荷の放電路を
形成する第２のスイッチ手段とを具備することを特徴と
する測光装置である。
測光装置によって達成される。要約すれば、本発明は、
受光量に応じて出力電流が変化する光検出素子と、該光
検出素子からの出力電流を容量の異なる複数の静電容量
型の負荷の１つに供給する第１のスイッチ手段と、該第
１のスイッチ手段により選択された１つの負荷に充電さ
れた充電電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、充
電電圧が基準電圧に達したとき毎に出力信号レベルを変
化させる電圧検出手段と、該電圧検出手段からの出力信
号レベルの変化によって前記充電された負荷の放電路を
形成する第２のスイッチ手段とを具備することを特徴と
する測光装置である。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について添付図面を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
【００１１】図１は本発明による測光装置の一実施例を
示す回路構成図である。本実施例の測光装置では光検出
素子としてフォトダイオードＰＤを使用し、このフォト
ダイオードＰＤと直列に、切換えスイッチＳＷを介し
て、容量の異なる複数の静電容量型の負荷、本実施例で
はコンデンサＣ１〜Ｃ４、を接続し、入射する光の照度
又は光量に比例してフォトダイオードＰＤから出力され
る電流ＩP を切換えスイッチＳＷで選択された１つのコ
ンデンサに蓄積し、電圧ＶC に変換する。このコンデン
サに蓄積された電圧ＶC は、例えばＣ−ＭＯＳ型の第１
のシュミットインバータ２４に入力される。なお、シュ
ミットインバータ２４の機能、動作態様等は上述した通
りであるので、ここでは省略する。
示す回路構成図である。本実施例の測光装置では光検出
素子としてフォトダイオードＰＤを使用し、このフォト
ダイオードＰＤと直列に、切換えスイッチＳＷを介し
て、容量の異なる複数の静電容量型の負荷、本実施例で
はコンデンサＣ１〜Ｃ４、を接続し、入射する光の照度
又は光量に比例してフォトダイオードＰＤから出力され
る電流ＩP を切換えスイッチＳＷで選択された１つのコ
ンデンサに蓄積し、電圧ＶC に変換する。このコンデン
サに蓄積された電圧ＶC は、例えばＣ−ＭＯＳ型の第１
のシュミットインバータ２４に入力される。なお、シュ
ミットインバータ２４の機能、動作態様等は上述した通
りであるので、ここでは省略する。
【００１２】また、本実施例ではアナログスイッチの代
わりにダイオードＤ１を使用し、このダイオードＤ１
を、第１のシュミットインバータ２４の出力と入力間に
フォトダイオードＰＤとは逆極性で、抵抗Ｒ１を介して
接続し、照度（光量）−周波数変換回路３０を構成して
いる。
わりにダイオードＤ１を使用し、このダイオードＤ１
を、第１のシュミットインバータ２４の出力と入力間に
フォトダイオードＰＤとは逆極性で、抵抗Ｒ１を介して
接続し、照度（光量）−周波数変換回路３０を構成して
いる。
【００１３】ここで、アナログスイッチの代わりにダイ
オードＤ１を使用したのは、アナログスイッチの使用に
よって光量−周波数変換の特性が不安定となり、光量計
測における誤差が大きくなり、信頼性に欠けるという欠
点を除去するためである。即ち、上記図５においてアナ
ログスイッチ２３の可動接点ｘが固定接点ｘ1 側に接続
されている場合、即ち、コンデンサＣの放電時に、フォ
トダイオードＰＤから出力されている電流はその接合容
量Ｃj やアナログスイッチ２３の固定接点ｘ0の端子容
量Ｃi を充電しているため、可動接点ｘが固定接点ｘ0
側に切換わったときに、これら容量Ｃj 及びＣi に蓄積
された電荷がコンデンサＣに放電される。このため、充
電開始時にはコンデンサＣの電圧がＶTLから若干高い電
圧に上昇しており、コンデンサＣの充電はこの上昇した
電圧から始まって高レベルのスレッショルド電圧ＶTHに
なるまでの時間行なわれることになる。従って、充電に
要する時間が短くなる。その結果、照度（光量）−周波
数変換の特性が不安定となり、光量計測における誤差が
大きくなり、信頼性に欠けるという欠点が生じるのであ
る。
オードＤ１を使用したのは、アナログスイッチの使用に
よって光量−周波数変換の特性が不安定となり、光量計
測における誤差が大きくなり、信頼性に欠けるという欠
点を除去するためである。即ち、上記図５においてアナ
ログスイッチ２３の可動接点ｘが固定接点ｘ1 側に接続
されている場合、即ち、コンデンサＣの放電時に、フォ
トダイオードＰＤから出力されている電流はその接合容
量Ｃj やアナログスイッチ２３の固定接点ｘ0の端子容
量Ｃi を充電しているため、可動接点ｘが固定接点ｘ0
側に切換わったときに、これら容量Ｃj 及びＣi に蓄積
された電荷がコンデンサＣに放電される。このため、充
電開始時にはコンデンサＣの電圧がＶTLから若干高い電
圧に上昇しており、コンデンサＣの充電はこの上昇した
電圧から始まって高レベルのスレッショルド電圧ＶTHに
なるまでの時間行なわれることになる。従って、充電に
要する時間が短くなる。その結果、照度（光量）−周波
数変換の特性が不安定となり、光量計測における誤差が
大きくなり、信頼性に欠けるという欠点が生じるのであ
る。
【００１４】図１に示す本実施例の構成において、フォ
トダイオードＰＤに電流が流れず、従って、切換えスイ
ッチＳＷで選択されたコンデンサ、例えばコンデンサＣ
１、に電荷が蓄積されない初期状態においては、第１の
シュミットインバータ２４の出力電圧は高レベルＶH に
あるから、ダイオードＤ１は逆方向にバイアスされ、ス
イッチオフと同じ機能をなす。それ故、抵抗Ｒ１には電
流が流れず、コンデンサＣ１は充電可能状態にある。光
量の測定が開始されると、フォトダイオードＰＤに電流
ＩP が流れ、コンデンサＣ１は充電される。このコンデ
ンサＣ１の充電電圧ＶC が第１のシュミットインバータ
２４の高レベルのスレッショルド電圧ＶTHに達すると、
このシュミットインバータ２４の出力電圧は高レベルＶ
H から低レベルＶL に切換わる。これによってダイオー
ドＤ１は順方向にバイアスされ、スイッチオンと同じ機
能をなすから、コンデンサＣ１の充電電圧ＶC 及びフォ
トダイオードＰＤの出力電流ＩP は抵抗Ｒ１及びダイオ
ードＤ１を介して流れ、コンデンサＣ１の充電電圧は放
電される。放電によってコンデンサＣ１の充電電圧ＶC
がシュミットインバータ２４の低レベルスレッショルド
電圧ＶTLにまで降下すると、シュミットインバータ２４
の出力電圧は低レベルＶL から高レベルＶHに切換わ
る。これによってダイオードＤ１は再び逆バイアスされ
てオフ状態となるから、コンデンサＣ１に充電電流が流
れる。以下、同様の動作が繰り返される結果、第１のシ
ュミットインバータ２４の出力電圧Ｖ1 の波形は前述し
た図６に示すようになる。
トダイオードＰＤに電流が流れず、従って、切換えスイ
ッチＳＷで選択されたコンデンサ、例えばコンデンサＣ
１、に電荷が蓄積されない初期状態においては、第１の
シュミットインバータ２４の出力電圧は高レベルＶH に
あるから、ダイオードＤ１は逆方向にバイアスされ、ス
イッチオフと同じ機能をなす。それ故、抵抗Ｒ１には電
流が流れず、コンデンサＣ１は充電可能状態にある。光
量の測定が開始されると、フォトダイオードＰＤに電流
ＩP が流れ、コンデンサＣ１は充電される。このコンデ
ンサＣ１の充電電圧ＶC が第１のシュミットインバータ
２４の高レベルのスレッショルド電圧ＶTHに達すると、
このシュミットインバータ２４の出力電圧は高レベルＶ
H から低レベルＶL に切換わる。これによってダイオー
ドＤ１は順方向にバイアスされ、スイッチオンと同じ機
能をなすから、コンデンサＣ１の充電電圧ＶC 及びフォ
トダイオードＰＤの出力電流ＩP は抵抗Ｒ１及びダイオ
ードＤ１を介して流れ、コンデンサＣ１の充電電圧は放
電される。放電によってコンデンサＣ１の充電電圧ＶC
がシュミットインバータ２４の低レベルスレッショルド
電圧ＶTLにまで降下すると、シュミットインバータ２４
の出力電圧は低レベルＶL から高レベルＶHに切換わ
る。これによってダイオードＤ１は再び逆バイアスされ
てオフ状態となるから、コンデンサＣ１に充電電流が流
れる。以下、同様の動作が繰り返される結果、第１のシ
ュミットインバータ２４の出力電圧Ｖ1 の波形は前述し
た図６に示すようになる。
【００１５】また、本実施例では、第１のシュミットイ
ンバータ２４の出力側に構成簡単な波形整形回路を接続
し、出力電圧Ｖ1 を波形整形して出力電圧Ｖ1 の低レベ
ル出力電圧ＶL の持続時間、即ち、切換えスイッチＳＷ
で選択されたコンデンサの放電時間を長くし、汎用カウ
ンタやマイクロコンピュータ内蔵のカウンタのような安
価なカウンタにより出力波形を十分な精度で計測するこ
とができるようにしてある。
ンバータ２４の出力側に構成簡単な波形整形回路を接続
し、出力電圧Ｖ1 を波形整形して出力電圧Ｖ1 の低レベ
ル出力電圧ＶL の持続時間、即ち、切換えスイッチＳＷ
で選択されたコンデンサの放電時間を長くし、汎用カウ
ンタやマイクロコンピュータ内蔵のカウンタのような安
価なカウンタにより出力波形を十分な精度で計測するこ
とができるようにしてある。
【００１６】上記波形整形回路は第１のシュミットイン
バータ２４の出力側と第２のシュミットインバータ２５
の入力側との間に直列に第３のシュミットインバータ３
１とダイオードＤ２を接続し、このダイオードＤ２の出
力側と接地間に抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ５を並列に接
続した構成を有し、この波形整形回路で波形整形された
出力信号が第２のシュミットインバータ２５の入力に供
給される。
バータ２４の出力側と第２のシュミットインバータ２５
の入力側との間に直列に第３のシュミットインバータ３
１とダイオードＤ２を接続し、このダイオードＤ２の出
力側と接地間に抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ５を並列に接
続した構成を有し、この波形整形回路で波形整形された
出力信号が第２のシュミットインバータ２５の入力に供
給される。
【００１７】次に、上記波形整形回路の動作について簡
単に説明する。第１のシュミットインバータ２４の出力
電圧Ｖ1 は第３のシュミットインバータ３１によって反
転され、その出力電圧波形は図２の（Ａ）に示すように
なる。この出力波形はその高レベルの部分、即ち、切換
えスイッチＳＷで選択されたコンデンサ、例えばコンデ
ンサＣ１、の放電時間Ｔｄに対応する部分がダイオード
Ｄ２を通じてコンデンサＣ５を充電し、低レベルの部
分、即ち、コンデンサＣ１の充電時間Δｔに対応する部
分はダイオードＤ２が逆バイアスとなるので阻止され
る。従って、第３のシュミットインバータ３１の出力波
形が高レベルから低レベルになると、コンデンサＣ５に
充電された電圧は時定数τ＝Ｃ5 ・Ｒ2 （ただしＣ5 は
コンデンサＣ５の容量、Ｒ2 は抵抗Ｒ２の抵抗値）に従
って抵抗Ｒ２を通じて除々に放電するから、第２のシュ
ミットインバータ２５の入力に供給される電圧波形は図
２の（Ｂ）に示すようになる。その結果、第２のシュミ
ットインバータ２５の出力電圧波形は図２の（Ｃ）に示
すようになり、コンデンサＣ１の放電時間Ｔｄよりも長
い所要の時間幅Ｔｄ' を得ることができる。この時間幅
Ｔｄ' は波形整形回路のコンデンサＣ５及び抵抗Ｒ２の
値Ｃ5 、Ｒ2 を適当に設定することによって所望の任意
の値に設定できるから、汎用カウンタやマイクロコンピ
ュータ内蔵のカウンタのようなある程度の性能を有する
安価なカウンタによって確実に計測することができる時
間幅Ｔｄ' に容易に設定することができる。
単に説明する。第１のシュミットインバータ２４の出力
電圧Ｖ1 は第３のシュミットインバータ３１によって反
転され、その出力電圧波形は図２の（Ａ）に示すように
なる。この出力波形はその高レベルの部分、即ち、切換
えスイッチＳＷで選択されたコンデンサ、例えばコンデ
ンサＣ１、の放電時間Ｔｄに対応する部分がダイオード
Ｄ２を通じてコンデンサＣ５を充電し、低レベルの部
分、即ち、コンデンサＣ１の充電時間Δｔに対応する部
分はダイオードＤ２が逆バイアスとなるので阻止され
る。従って、第３のシュミットインバータ３１の出力波
形が高レベルから低レベルになると、コンデンサＣ５に
充電された電圧は時定数τ＝Ｃ5 ・Ｒ2 （ただしＣ5 は
コンデンサＣ５の容量、Ｒ2 は抵抗Ｒ２の抵抗値）に従
って抵抗Ｒ２を通じて除々に放電するから、第２のシュ
ミットインバータ２５の入力に供給される電圧波形は図
２の（Ｂ）に示すようになる。その結果、第２のシュミ
ットインバータ２５の出力電圧波形は図２の（Ｃ）に示
すようになり、コンデンサＣ１の放電時間Ｔｄよりも長
い所要の時間幅Ｔｄ' を得ることができる。この時間幅
Ｔｄ' は波形整形回路のコンデンサＣ５及び抵抗Ｒ２の
値Ｃ5 、Ｒ2 を適当に設定することによって所望の任意
の値に設定できるから、汎用カウンタやマイクロコンピ
ュータ内蔵のカウンタのようなある程度の性能を有する
安価なカウンタによって確実に計測することができる時
間幅Ｔｄ' に容易に設定することができる。
【００１８】なお、本実施例では、切換えスイッチＳＷ
はマイクロコンピュータ２２の制御ポート２２ｄからの
制御信号ＳC によって作動し、指示された所定のコンデ
ンサを選択接続するように構成されており、これによっ
て発振回路の周波数決定用の容量値を自動的に切換え、
光量−周波数変換回路３０の入出力特性の検出範囲を段
階的に切換え設定できるようにしてある。このコンデン
サＣ１〜Ｃ４の切換えは他の手段により自動的に行なう
ようにしても、或は手動で行なうようにしても良いこと
は勿論である。
はマイクロコンピュータ２２の制御ポート２２ｄからの
制御信号ＳC によって作動し、指示された所定のコンデ
ンサを選択接続するように構成されており、これによっ
て発振回路の周波数決定用の容量値を自動的に切換え、
光量−周波数変換回路３０の入出力特性の検出範囲を段
階的に切換え設定できるようにしてある。このコンデン
サＣ１〜Ｃ４の切換えは他の手段により自動的に行なう
ようにしても、或は手動で行なうようにしても良いこと
は勿論である。
【００１９】今、４つのコンデンサＣ１〜Ｃ４の容量値
がＣ１＜Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ４であるとすると、切換えスイ
ッチＳＷによりコンデンサＣ１が選択接続されていると
きには、例えば図３にＡで示す入出力特性（レンジＡ）
となり、コンデンサＣ２が選択接続されているときには
図３にＢで示す入出力特性（レンジＢ）となり、コンデ
ンサＣ３が選択接続されているときには図３にＣで示す
入出力特性（レンジＣ）となり、そしてコンデンサＣ４
が選択接続されているときには図３にＤで示す入出力特
性（レンジＤ）となる。即ち、光量−周波数変換回路３
０の容量負荷の値を増加させるに従い、入出力特性は発
振周波数が低くなる方向へほぼ平行に移動する。これに
よって、前述したように、マイクロコンピュータ２２の
内蔵カウンタ或は汎用カウンタの性能により発振周波数
Ｆ0 の上限が４００ＫＨｚであり、また、変調光システ
ムによる発振周波数Ｆ0 の下限が１ＫＨｚであるという
制約があっても、図３のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４つの入出力
特性を切換えて使用することにより、検出できるフォト
ダイオードＰＤの出力電流ＩP の範囲は０．０１μＡか
ら１０００μＡまでとなるから、発振周波数Ｆ0 は１０
０Ｈｚ〜１０ＭＨｚとなり、全く制約がないときと同じ
検出範囲を持つことになる。即ち、５０ｄＢまで計測す
ることが可能になる（電圧で言うと、１０μＶ〜１Ｖの
計測に相当する）。かくして、本実施例によれば、種々
の制約があっても、簡単な構成により検出範囲のレンジ
を切換えることができるから、正確に測定できる光量の
下限が低くなり、かつ正確に測定できる光量の上限が高
くなる。従って、常に広い検出範囲を持つことになり、
微少な光量から大きな光量まで安価なカウンタの使用に
より十分な精度で計測することができる。さらに、レン
ジ切換えにより測定する光量に適当した入出力特性を設
定することができるから、正確に測定できる光量範囲が
広くなるだけでなく、測定精度が一段と高くなり、信頼
性が一層向上するという利点もある。
がＣ１＜Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ４であるとすると、切換えスイ
ッチＳＷによりコンデンサＣ１が選択接続されていると
きには、例えば図３にＡで示す入出力特性（レンジＡ）
となり、コンデンサＣ２が選択接続されているときには
図３にＢで示す入出力特性（レンジＢ）となり、コンデ
ンサＣ３が選択接続されているときには図３にＣで示す
入出力特性（レンジＣ）となり、そしてコンデンサＣ４
が選択接続されているときには図３にＤで示す入出力特
性（レンジＤ）となる。即ち、光量−周波数変換回路３
０の容量負荷の値を増加させるに従い、入出力特性は発
振周波数が低くなる方向へほぼ平行に移動する。これに
よって、前述したように、マイクロコンピュータ２２の
内蔵カウンタ或は汎用カウンタの性能により発振周波数
Ｆ0 の上限が４００ＫＨｚであり、また、変調光システ
ムによる発振周波数Ｆ0 の下限が１ＫＨｚであるという
制約があっても、図３のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４つの入出力
特性を切換えて使用することにより、検出できるフォト
ダイオードＰＤの出力電流ＩP の範囲は０．０１μＡか
ら１０００μＡまでとなるから、発振周波数Ｆ0 は１０
０Ｈｚ〜１０ＭＨｚとなり、全く制約がないときと同じ
検出範囲を持つことになる。即ち、５０ｄＢまで計測す
ることが可能になる（電圧で言うと、１０μＶ〜１Ｖの
計測に相当する）。かくして、本実施例によれば、種々
の制約があっても、簡単な構成により検出範囲のレンジ
を切換えることができるから、正確に測定できる光量の
下限が低くなり、かつ正確に測定できる光量の上限が高
くなる。従って、常に広い検出範囲を持つことになり、
微少な光量から大きな光量まで安価なカウンタの使用に
より十分な精度で計測することができる。さらに、レン
ジ切換えにより測定する光量に適当した入出力特性を設
定することができるから、正確に測定できる光量範囲が
広くなるだけでなく、測定精度が一段と高くなり、信頼
性が一層向上するという利点もある。
【００２０】図４は上述した本実施例の測光装置の動作
態様を説明するフローチャートである。まず、スタート
時には光量−周波数変換回路３０の入出力特性を計測で
きる周波数の一番低いレンジＤに自動的に設定し、フォ
トダイオードＰＤに入射する光量に対応するデータ入力
より発振周波数Ｆ0 を検出し、この発振周波数Ｆ0 がレ
ンジＤの上限周波数ＦMAX より高いか否かを判断し、上
限周波数ＦMAX より低い場合（ＹＥＳ）には発振周波数
Ｆ0 がレンジＤの下限周波数ＦMIN より高いか否かを判
断する。また、上限周波数ＦMAX 以上である場合（Ｎ
Ｏ）には検出レンジを次に高いレンジ（レンジＣ）に切
換える指示を発し、切換え可能である場合（ＹＥＳ）に
は同様の動作を行なわせ、切換え可能でない場合（Ｎ
Ｏ）にはオーバーフロー出力を発する。一方、発振周波
数Ｆ0 がレンジＤの下限周波数ＦMINより低い場合（Ｙ
ＥＳ）には検出レンジを次に低いレンジ（本例では存在
せず）に切換える指示を発し、切換え可能である場合
（ＹＥＳ）には同様の動作を行なわせ、切換え可能でな
い場合（ＮＯ）にはアンダーフロー出力を発する。以
下、データ入力毎に同様の動作を繰り返す。
態様を説明するフローチャートである。まず、スタート
時には光量−周波数変換回路３０の入出力特性を計測で
きる周波数の一番低いレンジＤに自動的に設定し、フォ
トダイオードＰＤに入射する光量に対応するデータ入力
より発振周波数Ｆ0 を検出し、この発振周波数Ｆ0 がレ
ンジＤの上限周波数ＦMAX より高いか否かを判断し、上
限周波数ＦMAX より低い場合（ＹＥＳ）には発振周波数
Ｆ0 がレンジＤの下限周波数ＦMIN より高いか否かを判
断する。また、上限周波数ＦMAX 以上である場合（Ｎ
Ｏ）には検出レンジを次に高いレンジ（レンジＣ）に切
換える指示を発し、切換え可能である場合（ＹＥＳ）に
は同様の動作を行なわせ、切換え可能でない場合（Ｎ
Ｏ）にはオーバーフロー出力を発する。一方、発振周波
数Ｆ0 がレンジＤの下限周波数ＦMINより低い場合（Ｙ
ＥＳ）には検出レンジを次に低いレンジ（本例では存在
せず）に切換える指示を発し、切換え可能である場合
（ＹＥＳ）には同様の動作を行なわせ、切換え可能でな
い場合（ＮＯ）にはアンダーフロー出力を発する。以
下、データ入力毎に同様の動作を繰り返す。
【００２１】なお、本発明による電子的測光装置は単に
照度（光量）を測定するだけでなく、種々のオイルの汚
れ或は劣化やオイル以外の光が透過し得る液体、気体等
の汚れ或は劣化を計測できる。例えば自動車のエンジン
オイル等の潤滑油の汚れ或は劣化を検出する装置等に適
用して有用なものである。
照度（光量）を測定するだけでなく、種々のオイルの汚
れ或は劣化やオイル以外の光が透過し得る液体、気体等
の汚れ或は劣化を計測できる。例えば自動車のエンジン
オイル等の潤滑油の汚れ或は劣化を検出する装置等に適
用して有用なものである。
【００２２】また、上記実施例は本発明の単なる例示に
過ぎず、回路構成、使用する素子等は必要に応じて任意
に変更できるものである。例えば、Ｃ−ＭＯＳシュミッ
トインバータ以外のインバータや他の回路素子を使用す
ることもでき、また、フォトダイオード以外の光検出素
子やマイクロコンピュータ以外の素子を使用してもよい
ことは勿論である。さらに、光量−周波数変換回路から
発生される周波数出力は方形波パルス以外のパルスでも
よい。
過ぎず、回路構成、使用する素子等は必要に応じて任意
に変更できるものである。例えば、Ｃ−ＭＯＳシュミッ
トインバータ以外のインバータや他の回路素子を使用す
ることもでき、また、フォトダイオード以外の光検出素
子やマイクロコンピュータ以外の素子を使用してもよい
ことは勿論である。さらに、光量−周波数変換回路から
発生される周波数出力は方形波パルス以外のパルスでも
よい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による測光
装置は、発振回路の入出力特性を段階的に切換え設定す
ることができるので、種々の制約があっても、検出範囲
のレンジ切換えにより、正確に測定できる光量の下限が
低くなり、かつ正確に測定できる光量の上限が高くな
る。従って、常に広い検出範囲を持つことになり、微少
な光量から大きな光量まで安価なカウンタの使用により
十分な精度で計測することができる。また、レンジ切換
えにより測定する光量に適当した入出力特性を設定する
ことができるから、測定精度が一段と高くなり、信頼性
が一層向上する。さらに、検出範囲のレンジ切換えは、
１個の切換えスイッチと複数の容量素子よりなる極めて
簡単かつ安価な回路構成を単に付加するのみで良いか
ら、殆どコストアップになることなく装置の性能を一段
と高くすることができる等の多くの顕著な効果がある。
装置は、発振回路の入出力特性を段階的に切換え設定す
ることができるので、種々の制約があっても、検出範囲
のレンジ切換えにより、正確に測定できる光量の下限が
低くなり、かつ正確に測定できる光量の上限が高くな
る。従って、常に広い検出範囲を持つことになり、微少
な光量から大きな光量まで安価なカウンタの使用により
十分な精度で計測することができる。また、レンジ切換
えにより測定する光量に適当した入出力特性を設定する
ことができるから、測定精度が一段と高くなり、信頼性
が一層向上する。さらに、検出範囲のレンジ切換えは、
１個の切換えスイッチと複数の容量素子よりなる極めて
簡単かつ安価な回路構成を単に付加するのみで良いか
ら、殆どコストアップになることなく装置の性能を一段
と高くすることができる等の多くの顕著な効果がある。
【図１】本発明による測光装置の一実施例を示す回路構
成図である。
成図である。
【図２】図１に示す本発明の第１の実施例に使用された
波形整形回路の各部における電圧出力を示す波形図であ
る。
波形整形回路の各部における電圧出力を示す波形図であ
る。
【図３】図１に示す本発明の第１の実施例の入出力特性
を示す図である。
を示す図である。
【図４】図１に示す本発明の第１の実施例の動作態様を
説明するフローチャートである。
説明するフローチャートである。
【図５】従来の測光装置の一具体例を示す回路構成図で
ある。
ある。
【図６】測光装置に使用されているシュミットインバー
タの電圧出力を示す波形図である。
タの電圧出力を示す波形図である。
【図７】測光装置の代表的な入出力特性を示す図であ
る。
る。
２２ マイクロコンピュータ ２４、２５、３１ シュミットインバータ ３０ 照度（光量）−周波数変換回路 ＰＤ フォトダイオード ＳＷ 切換えスイッチ Ｃ１〜Ｃ５ コンデンサ Ｒ１、Ｒ２ 抵抗 Ｄ１、Ｄ２ ダイオード
Claims (3)
- 【請求項１】 受光量に応じて出力電流が変化する光検
出素子と、該光検出素子からの出力電流を容量の異なる
複数の静電容量型の負荷の１つに供給する第１のスイッ
チ手段と、該第１のスイッチ手段により選択された１つ
の負荷に充電された充電電圧と予め設定された基準電圧
とを比較し、充電電圧が基準電圧に達したとき毎に出力
信号レベルを変化させる電圧検出手段と、該電圧検出手
段からの出力信号レベルの変化によって前記充電された
負荷の放電路を形成する第２のスイッチ手段とを具備す
ることを特徴とする測光装置。 - 【請求項２】 前記電圧検出手段は、前記充電電圧が前
記基準電圧に達したとき毎にパルス信号を発生するパル
ス発振回路であることを特徴とする請求項１の測光装
置。 - 【請求項３】 前記第１のスイッチ手段は制御手段によ
り前記複数の負荷を前記光検出素子に自動的に選択接続
し、測光可能な入出力特性の検出範囲を自動的に切換え
ることを特徴とする請求項１の測光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032716A JPH05196500A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 測光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032716A JPH05196500A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 測光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196500A true JPH05196500A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=12366565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4032716A Pending JPH05196500A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 測光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05196500A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008134097A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Matsushita Electric Works Ltd | センサ装置 |
| JP2009042676A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Tpo Displays Corp | 表示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58165364U (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-04 | いすゞ自動車株式会社 | 内燃機関の排気マニホ−ルド用ガスケツト |
| JPS5994114U (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-26 | 三菱自動車工業株式会社 | エンジンの排気管取付装置 |
| JPH01280616A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-10 | Ngk Insulators Ltd | 内燃機関排気チャネル用の断熱セラミック鋳ぐるみ体及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-01-22 JP JP4032716A patent/JPH05196500A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58165364U (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-04 | いすゞ自動車株式会社 | 内燃機関の排気マニホ−ルド用ガスケツト |
| JPS5994114U (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-26 | 三菱自動車工業株式会社 | エンジンの排気管取付装置 |
| JPH01280616A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-10 | Ngk Insulators Ltd | 内燃機関排気チャネル用の断熱セラミック鋳ぐるみ体及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008134097A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Matsushita Electric Works Ltd | センサ装置 |
| JP2009042676A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Tpo Displays Corp | 表示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101788609B (zh) | 电阻值测量方法及装置、电容值测量方法及装置 | |
| US8155903B2 (en) | Method and circuit arrangement for measuring a capacitance | |
| US20140368223A1 (en) | Capacitance measurement device and electronic device thereof | |
| GB2195457A (en) | Measuring the ratio r/r of a resistance half-bridge | |
| WO2015011916A1 (ja) | 電流測定装置 | |
| JPH05196500A (ja) | 測光装置 | |
| JPH05164609A (ja) | 測光装置 | |
| US4556789A (en) | Measuring circuit for photo-receiving intensity of photosensor | |
| JPH05196499A (ja) | 測光装置 | |
| EP0028509A1 (en) | Indicator for measuring thickness | |
| JP2657445B2 (ja) | 光量測定装置 | |
| US4838698A (en) | Extinction type detector | |
| JP2832873B2 (ja) | 電子的測定装置 | |
| JPH0670588B2 (ja) | 測光装置 | |
| JPH04324328A (ja) | 測光装置 | |
| JP2676596B2 (ja) | 光量測定装置 | |
| JPH0694525A (ja) | 測光装置 | |
| JPH0827211B2 (ja) | 光量測定装置 | |
| JP3790659B2 (ja) | 光学的検出装置 | |
| US4945378A (en) | Circuit for detecting back light | |
| US7224193B2 (en) | Current-voltage conversion circuit | |
| KR100211114B1 (ko) | 액체 레벨 검출기 | |
| JPH0670587B2 (ja) | 測光装置 | |
| JP3817460B2 (ja) | 光検出装置 | |
| JP2568407B2 (ja) | 光電スイツチ |