JP2009042097A - 水素ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
【課題の解決手段】水素ガスセンサ1は、シリコン基板2表面のメンブレン3に対応してキャビティ4を形成し、メンブレン3上にはサーモパイルを設け、サーモパイルは、その温接点部をキャビティ4及びメンブレン3の上方に対応位置するよう配置するとともに、その冷接点部を前記キャビティ4及びメンブレン3の外側に対応位置するよう配置し、温接点部を覆うように黒化させた白金触媒層10を形成したものである。
【選択図】図1
Description
2 シリコン基板
3 メンブレン
4 キャビティ
5 熱電対
6 サーモパイル
7 温接点部
8 冷接点部
9 平坦化絶縁層
10 白金触媒層
11 下層膜
12 ポリシリコン膜
13 絶縁膜
14 アルミニウム膜
15 サーモパイル引き出し電極
21,31 ベース
22 アンプ
34 ケース
35,37 通気口
36 遮光板
Claims (6)
- シリコン基板表面のメンブレンに対応して前記シリコン基板にキャビティを形成し、前記メンブレン上にはサーモパイルを設け、前記サーモパイルは、その温接点部を前記キャビティの上方に対応位置するよう配置するとともに、その冷接点部を前記キャビティの外側に対応位置するよう配置し、前記温接点部を覆うように黒化させた白金による触媒層を形成した水素ガスセンサ。
- 黒化させた白金触媒層は蒸着により形成したことを特徴とする請求項1記載の水素ガスセンサ。
- キャビティはシリコン基板表面側から形成され、有底状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の水素ガスセンサ。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の水素ガスセンサをサーモパイルの出力を増幅するアンプと同一の半導体チップ上に設けたことを特徴とする水素ガスセンサ。
- 請求項1記載の水素ガスセンサを周囲温度検出用の赤外線センサと同一の半導体チップ上に設けたことを特徴とする水素ガスセンサ。
- 請求項1記載の水素ガスセンサを周囲温度検出用の赤外線センサと同一のケース内に設けたことを特徴とする水素ガスセンサ。
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