JP2009034960A - 反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版 - Google Patents

反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版 Download PDF

Info

Publication number
JP2009034960A
JP2009034960A JP2007203392A JP2007203392A JP2009034960A JP 2009034960 A JP2009034960 A JP 2009034960A JP 2007203392 A JP2007203392 A JP 2007203392A JP 2007203392 A JP2007203392 A JP 2007203392A JP 2009034960 A JP2009034960 A JP 2009034960A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
offset printing
removal plate
reverse offset
layer
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007203392A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5211577B2 (ja
Inventor
Ryohei Matsubara
亮平 松原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2007203392A priority Critical patent/JP5211577B2/ja
Publication of JP2009034960A publication Critical patent/JP2009034960A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5211577B2 publication Critical patent/JP5211577B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)

Abstract

【課題】低解像度部と高解像度部が混在した画像パターンを形成することが可能な反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版を提供する。
【解決手段】複数の凸部と凹部とが並べられ前記凹部に表面処理層が形成された反転オフセット印刷用除去版の再生方法であって、前記表面処理層を剥離して清浄な除去版材料面を前記凹部に形成する工程と、前記凸部に金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を形成する工程と、前記凹部に表面処理を施す工程と、前記金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を前記凸部から剥離する工程とを含む。
【選択図】図5

Description

本発明は、反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版に関するものである。
近年、電子部品の低コスト化および微細化に対応するため、画像パターンを印刷法により形成することが試みられている。
微細な画像パターンが形成可能な印刷法として、反転オフセット印刷法が提案されている(特許文献1参照)。
反転オフセット印刷法について図2を用いて説明する。
まず、剥離性表面を有するブランケット11に、転写物を含むインキ21を塗布、予備乾燥してブランケット11表面に転写物22を形成する。
次に、転写物22を反転オフセット印刷用除去版(以下除去版ともいう)31に密着させ離すことで、ブランケット11に転写物23を形成する。
次に、転写物23を基材41に密着させ離すことで、パターンが形成された基材42を得る印刷方法である。
特開2000−289320号公報
しかし、反転オフセット印刷法は、低解像度部と高解像度部が混在した画像パターンを形成することは困難である。
図3、図4を用いて説明する。
図3は、凹部および凸部の壁面が版面にほぼ垂直に形成された除去版31と、転写物が全面に形成されたブランケット14が接触している状態を説明するための断面図である。
ブランケット14は除去版31との接触時の圧力により変形する。
低解像度部32の凹部の開口巾に対して凹部の版深が小さい場合は、低解像度部32においては、その凹版領域の大部分にブランケット14が接触してしまう。
これにより、ブランケット14の除去版31の凹部に接触した部分の転写物がブランケット14から除去されてしまい、パターン内部の大部分が抜けてしまう。
低解像度部32の凹版領域とブランケット14の接触を避けるために除去版31の版深を深くすると、高解像度部33の凸部のアスペクト比(版深÷開口巾)が大きくなり、凸部の強度が低下するという問題が生じてしまう。
図4は、除去版の形成方法の一例を説明するための断面図である。
除去版31となる基板34上にレジスト35が形成されており、ウェットエッチングすることにより除去版を形成する。ウェットエッチングは等方的であり版深と同程度にサイドエッチングが生じる。低解像度部32の版深を深くすると、高解像度部33の解像度が損なわれるという問題が生じてしまう。
そのため、除去版31の凹部に表面処理を施し、版深が浅い場合に凹部に接触してもパターン抜けが起こらない工夫が考えられる。しかしながら、シランカップリング剤などで表面処理を施した場合でも、経時的な劣化や洗浄作業の繰り返しなどにより、その機能が損なわれることがある。
本発明は、前記事情を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、低解像度部と高解像度部が混在した画像パターンを形成することが可能な反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版を提供することにある。
請求項1記載の発明は、複数の凸部と凹部とが並べられ前記凹部に表面処理層が形成された反転オフセット印刷用除去版の再生方法であって、前記表面処理層を剥離して清浄な除去版材料面を前記凹部に形成する工程と、前記凸部に金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を形成する工程と、前記凹部に表面処理を施す工程と、前記金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を前記凸部から剥離する工程とを含むことを特徴とする。
請求項2記載の発明は、前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有し、前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層の形成は、前記凸部に金属膜を形成し、前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたネガ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ネガ型レジストをパターニングして前記凸部の前記金属膜が臨むネガ型レジスト箇所を開口させ、前記開口に臨む前記金属膜の表面に金属層若しくは金属酸化物層を形成し、リフトオフ法により前記ネガ型レジストを剥離することによりなされることを特徴とする。
請求項3記載の発明は、前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有し、前記凸部に対する前記樹脂層の形成は、前記反転オフセット印刷用除去版の凸部に金属膜を形成し、前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたポジ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ポジ型レジストをパターニングすることにより前記金属膜の表面に前記ポジ型レジストを残存させることでなされることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有するとともに前記凸部に金属膜が形成され、前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層の形成は、前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたネガ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ネガ型レジストをパターニングして前記凸部の前記金属膜が臨むネガ型レジスト箇所を開口させ、前記開口に臨む前記金属膜の表面に金属層若しくは金属酸化物層を形成し、リフトオフ法により前記ネガ型レジストを剥離することによりなされることを特徴とする。
請求項5記載の発明は、前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有するとともに前記凸部に金属膜が形成され、前記凸部に対する前記樹脂層の形成は、前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたポジ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ポジ型レジストをパターニングすることにより前記金属膜の表面に前記ポジ型レジストを残存させることでなされることを特徴とする。
請求項6記載の発明は、前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層の形成は、反転オフセット印刷用ブランケットから金属材料若しくは金属酸化物材料若しくは樹脂材料を前記凸部に転写することによりなされることを特徴とする。
請求項7記載の発明は、前記表面処理層の剥離は、前記表面処理層に酸素プラズマ若しくは紫外線を照射することによりなされることを特徴とする。
請求項8記載の発明は、前記表面処理層は、撥インキ剤で形成されていることを特徴とする。
請求項9記載の発明は、インキをインキ膜形成基材上に塗布してインキ膜を形成するインキ膜形成工程と、複数の凸部と凹部とが並べられた反転オフセット印刷用除去版を前記インキ膜に接触させて前記凸部に前記インキ膜を転写させることで前記インキ膜の不要部を前記インキ膜形成基材から除去する除去工程と、前記インキ膜形成基材上に残った前記インキ膜の要部を被印刷基板に転写する転写工程とを備える反転オフセット印刷法に使用する反転オフセット印刷用除去版であって、前記凸部に金属膜が形成されていることを特徴とする。
請求項10記載の発明は、前記凹部に表面処理層が形成されていることを特徴とする。
請求項11記載の発明は、前記表面処理層は、撥インキ剤で形成されていることを特徴とする。
本発明によれば凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版の表面処理剤の経時変化や洗浄工程の繰り返しによりその効果が薄れたとしても、表面処理を再度施すことによってその除去版を繰り返し利用することが出来る。
まず本発明の除去版を図1を用いて説明する。
図1は除去版の平面図(a)、断面図(b)の一例である。
除去版51は、複数の凸部と凹部とが並べられ、凹部の側面部、底部に表面処理を施すことにより、側面部、底部にブランケット上のインキ液膜が接触しても除去されず、よって画像パターン中の抜けがなくなる。
すなわち、除去版51の凹部には表面処理層が形成されている。
本発明の実施形態において、表面処理は撥インキ処理であることが望ましい。
すなわち、凹部の表面処理層を撥インキ剤を用いて形成することで、パターン抜けを著しく少なくすることが出来る。
本発明の実施形態において、反転オフセット印刷用除去版51の凸部に金属膜が形成されていることが望ましい。金属膜を有している場合、その後除去版51を再生する場合にプロセスが容易になるためである。
具体的には、反転オフセット印刷用除去版51を再生するプロセスにおいて凸部に金属膜を形成すれば除去版51を再生するプロセスが容易になるが、予め凸部に金属膜が形成されている反転オフセット印刷用除去版51を用いれば、除去版を再生するプロセスにおいて凸部に金属膜を形成するプロセスが省略できるため、除去版51の再生プロセスの容易化を図る上でより一層有利となる。
本発明の実施形態において、反転オフセット印刷用除去版の再生方法は、表面処理層を剥離して清浄な除去版材料面を凹部に形成する工程と、凸部に金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を形成する工程と、凹部に表面処理を施す工程と、金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を凸部から剥離する工程とを含むことが望ましい。
経時変化した表面処理層の上から繰り返し表面処理を施しても、例えばシランカップリング剤などの場合、結合する官能基が表面に現れていない、若しくは少ないため、その機能を十分に発揮できない恐れがある。
また、再生前の除去版と同様に用いるためには、再生に用いた一時的な材料は全て剥離することが望ましい。
本発明の実施形態において、凸部を表面処理から保護するために、一時的に凸部上に金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を形成することが望ましい。
金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層の形成方法は特に限定されるものではないが、凸部に形成された金属膜をマスクとして、除去版裏面からの露光によりネガ型レジストをパターニング、金属層などをリフトオフ法によって形成する方法や、同様にポジ型レジストをパターニングして樹脂層を形成する方法、反転オフセット印刷用ブランケットから金属材料若しくは金属酸化物材料若しくは樹脂材料を凸部に転写して形成する方法などがあるが、これらに限定されるものではない。
本発明の実施形態における清浄な除去版材料面の形成方法は、特に限定されるものではないが、酸素プラズマ若しくは紫外線を表面処理層に照射することすることが望ましい。
特に酸素プラズマ法は短時間で清浄な面が形成されるため好ましい。
本発明の実施形態における除去版の材料は、ガラス、ステンレスなどの金属、各種レジスト材料などが用いられるが、これらに限定されるものではない。また、非画像部のパターン形成方法としては、サンドブラスト、フォトリソグラフィー、エッチング、FIB(収束イオンビーム)、ナノインプリンティング法などがある。
本発明の実施形態におけるブランケットの材料は、インキ液膜の形成、除去版による非画像部のインキ除去、基材への転写が可能なものが用いられる。また、変形の少ない材料が好ましいが、ある程度の柔軟性が求められる。
このような材料として、シリコーン系エラストマー、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴムなどを用いることが出来る。
また、ブランケット表面の濡れ性を調製するため、ブランケット表面にフッ素樹脂およびシリコーンの塗布、プラズマ処理、UVオゾン洗浄処理などの表面処理を施しても良い。
本発明の実施形態における撥インキ処理、すなわち、表面処理層の形成は、シリコーンやシランカップリング剤を用いた化学的処理、フッ素プラズマなどの物理的処理などが挙げられるが、長期安定性などを考慮するとガラスや金属表面に対するシランカップリング処理が好ましい。
カップリング剤は用いるインキによって異なるが、撥水性や撥油性の高いフッ素元素やシロキサン基が含まれるものが好ましい。上記の例として、長鎖フルオロアルキルシラン、加水分解性基含有シロキサン、フルオロアルキル基含有オリゴマー、フルオロエーテル基含有ポリマー、パーフルオロアルキル基含有ポリマーなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
以下、実施例をもとに説明する。
(実施例1)
実施例1について説明する。
凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版の作製方法および再生方法を図5に示す。
除去版の材料として、ガラス61を用いた。
ガラス61上にクロム層62をスパッタにより50nm、アルミ層63をスパッタにより50nm製膜した(a)。
次いで、ポジレジスト層64を製膜し、該ポジレスト層64を用いたフォトリソ、エッチング、レジスト剥離によりクロム62およびアルミ63の非画像パターンを形成した(b)。
パターンは図1に示すパターンを100mm×100mmの中央付近に100個×100個配置したものである。
図1に示すパターンの各部寸法は、領域が250μm×250μmに高解像度部ライン/スペース幅が5μm/5μm、低解像度部矩形が140μm×210μmである。
次いで、フッ酸を用いたガラスエッチングにより、版深5μmになるように複数の凹部および凸部を並べて形成した。
次いで、表面処理剤として撥インキ性のフルオロアルキルシラン(GE東芝シリコーン製TSL8233)を用い、これをイソプロピルアルコールに0.5重量%で溶解させた溶液に10分浸漬後、120℃で10分乾燥させることによりガラス表面およびアルミ表面にシランカップリング剤を化学的に結合させた(c)。
しかる後、アルミ層63をエッチング液(りん酸:酢酸:硝酸:水=85:5:5:5)により剥離した(d)。
これにより、凸部に金属膜(クロム62)が形成され且つ凹部に撥インキ処理を施した反転オフセット印刷用除去版51を作製することが出来た。なお、図中符号52は撥インキ処理された凹部を示す。
言い換えると、反転オフセット印刷用除去版51は、インキをインキ膜形成基材上に塗布してインキ膜を形成するインキ膜形成工程と、複数の凸部と凹部とが並べられた反転オフセット印刷用除去版をインキ膜に接触させて凸部にインキ膜を転写させることでインキ膜の不要部をインキ膜形成基材から除去する除去工程と、インキ膜形成基材上に残ったインキ膜の要部を被印刷基板に転写する転写工程とを備える反転オフセット印刷法に使用する反転オフセット印刷用除去版である。
そして、反転オフセット印刷用除去版51は凸部に金属膜(クロム62)が形成されたものである。
また、反転オフセット印刷用除去版51は凹部に表面処理層が形成され、該表面処理層は、撥インキ剤で形成されている。
除去版51の再生方法は次の通りである。
まず、除去版51に酸素プラズマ(100Pa、400W、1分)を照射し、凹部の表面処理を剥離して清浄な除去版材料面を形成した(e)。
このとき、水に対する接触角は3.6度であり、ガラスの水に対する接触角(3.5度)とほぼ同じであったことから、清浄な除去版材料(ガラス)面が形成されたと思われる。
しかる後、ネガ型レジスト67を製膜(f)、除去版裏面から露光して現像することで、除去版凸部が開口したパターンを形成した(g)。なお、図中符号67‘はパターニングされたネガレジストを示す。
言い換えると、金属膜(クロム62)マスクとして、反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたネガ型レジスト67を反転オフセット印刷用除去版51の裏面から露光したのち現像することでネガ型レジスト67をパターニングして凸部の金属膜(クロム62)が臨むネガ型レジスト67箇所を開口させた。
次いで、蒸着法によりアルミを50nm製膜し、リフトオフすることにより凸部にのみアルミ63を形成した(h)。
言い換えると、ネガ型レジスト67の開口に臨む金属膜(クロム62)の表面に金属層としてアルミ63からなる金属層を形成した。
表面処理剤として撥インキ性のフルオロアルキルシラン(GE東芝シリコーン製TSL8233)を用い、120℃で10分乾燥させることによりガラスおよびアルミ層63の表面にシランカップリング剤を化学的に結合させた(i)。
言い換えると、凹部に表面処理剤からなる表面処理層が形成された。
しかる後、アルミ層63をエッチング液(りん酸:酢酸:硝酸:水=85:5:5:5)により剥離した(j)。
これにより、凸部に金属膜(クロム62)が形成され且つ凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版51を再生することが出来た。
また、上述したように、反転オフセット印刷用除去版51の凸部に金属膜(クロム62)を形成することで、金属膜(クロム62)をマスクとして利用することでアルミ63からなる金属層の形成が容易に行え、したがって、反転オフセット印刷用除去版51を再生するプロセスが容易となる効果が奏される。
(実施例2)
次に実施例2について説明する。
実施例2では、表面処理剤として撥インキ性のパーフルオロエーテル基含有ポリマー(フロロテクノロジー製FG5010)を用いた以外は、実施例1と同様である。
実施例1と同様の方法で再生を行った結果、凸部に金属膜が形成され且つ凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版を再生することが出来た。
(実施例3)
次に実施例3について説明する。
実施例1と同様に作製した除去版の再生方法を図6に示す。
まず、再生すべき除去版51を用意する(a)。
除去版51の表面に酸素プラズマ(100Pa、400W、1分)を照射し、凹部の表面処理層を剥離して清浄な除去版材料面を形成した(b)。
このとき、水に対する接触角は3.6度であり、ガラスの水に対する接触角(3.5度)とほぼ同じであったことから、清浄な除去版材料(ガラス)面が形成されたと思われる。
なお、図中符号65はエッチングされたガラスを示す。
しかる後、ポジ型レジスト68を製膜(c)、除去版裏面から露光して現像することで除去版凸部上にのみレジスト膜68を形成した(d)。
言い換えると、金属膜(クロム62)をマスクとして、除去版の表面に製膜されたポジ型レジスト68を反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することでポジ型レジスト68をパターニングすることにより金属膜(クロム層62)の表面にポジ型レジスト68を残存させることによって、凸部に樹脂層を形成した。
なお、図中符号68‘はパターニングされたポジレジストを示す。
表面処理剤として撥インキ性のフルオロアルキルシラン(GE東芝シリコーン製TSL8233)を用い、これをイソプロピルアルコールに0.5重量%で溶解させた溶液に10分浸漬後、120℃で10分乾燥させることによりガラス表面にシランカップリング剤を化学的に結合させた(e)。
言い換えると、凹部に表面処理剤からなる表面処理層が形成された。
しかる後、ポジ型レジスト68‘をアセトンによって剥離した(f)。
これにより、凸部に金属膜(クロム62)が形成され且つ凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版51を再生することが出来た。
また、上述したように、反転オフセット印刷用除去版51の凸部に金属膜(クロム62)を形成することで、金属膜(クロム62)をマスクとして利用することでポジ型レジスト膜68からなる樹脂層の形成が容易に行え、したがって、反転オフセット印刷用除去版51を再生するプロセスが容易となる効果が奏される。
(実施例4)
次に実施例4について説明する。
除去版の再生方法を図7に示す。
まず、除去版の凸部の金属膜(クロム62)をエッチング液(硝酸アンモニウムセリウム:過塩素酸:水=34:16:150)により剥離し、凸部表面がガラスである除去版を得る(a)。
次に、除去版に紫外線(185nm、254nm、15分)を照射し、凹部の表面処理層を剥離して清浄な除去版材料面を形成した(b)。
このとき、水に対する接触角は4.0度であり、ガラスの水に対する接触角(3.5度)に近い値であったことから、清浄な除去版材料(ガラス)面が形成されたと思われる。
しかる後、銀粒子水分散液(平均粒径20nm、住友電気工業株式会社製)にポリエチレンオキサイド(平均分子量10,000、アルドリッチ製)を、(ポリエチレンオキサイド/銀粒子/水)=(1/8/31)の重量比となるように溶解させたインキを反転オフセット印刷用ブランケットにバーコータ(#6)で塗布した後、室温で3分間乾燥させ、インキ膜を形成、除去版の凸部に転写して200℃で30分焼成し、除去版凸部に銀の膜を形成した(c)。
言い換えると、反転オフセット印刷用ブランケットから金属材料を凸部に転写することにより凸部に金属膜(銀)を形成した。
次いで、表面処理剤として撥インキ性のフルオロアルキルシラン(GE東芝シリコーン株式会社の商品名TSL8233)を用い、これをイソプロピルアルコールに0.5重量%で溶解させた溶液に10分浸漬後、120℃で10分乾燥させることによりガラスおよび銀表面にシランカップリング剤を化学的に結合させた(d)。
しかる後、銀をエッチング液(りん酸:酢酸:硝酸:水=85:5:5:5)により剥離した(e)。
これにより、凸部はガラスで凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版51'を再生することが出来た。
(実施例5)
次に実施例5について説明する。
実施例4で用いた反転オフセット印刷用除去版の再生方法を図8に示す。
まず、再生すべき除去版51'を用意する(a)。
次いで、除去版51'に酸素プラズマ(100Pa、400W、1分)を照射し、凹部の表面処理を剥離して清浄な除去版材料面を形成した(b)。
このとき、水に対する接触角は3.6度であり、ガラスの水に対する接触角(3.5度)とほぼ同じであったことから、清浄な除去版材料(ガラス)面が形成されたと思われる。
しかる後、ポジ型レジスト68を反転オフセット印刷用ブランケットにバーコータ(#6)で塗布した後、室温で1分間乾燥させ、インキ膜を形成、除去版の凸部に転写して70度で20分乾燥、除去版凸部に樹脂層を形成した(c)。
言い換えると、反転オフセット印刷用ブランケットから樹脂材料を凸部に転写することにより凸部に樹脂層を形成した。
次いで、表面処理剤として撥インキ性のフルオロアルキルシラン(GE東芝シリコーン株式会社の商品名TSL8233)を用い、これをイソプロピルアルコールに0.5重量%で溶解させた溶液に10分浸漬後、120℃で10分乾燥させることによりガラス表面にシランカップリング剤を化学的に結合させた(d)。しかる後、樹脂層をアセトンにより剥離した(e)。
これにより、凸部はガラスで凹部に表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版51'を再生することが出来た。
(比較例1)
次に比較例1について説明する。
比較例1では、実施例2と同様に作製した表面処理を施した反転オフセット印刷用除去版を、アセトンを含ませたウェスで100回擦り洗いをした結果、表面処理を施した部分の水に対する接触角が114度から74度に低下し、撥インキ性が薄れていることが明らかとなった。
なお、本発明により再生した反転オフセット印刷用除去版およびこれを用いた画像形成方法は、低解像度部と高解像度部が混在した画像を形成することが可能となるため、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ、カラーフィルタなどのデバイスに応用することが出来る。
本発明の除去版を説明するための図である。 反転オフセット印刷の工程を説明するための断面図である。 除去版とブランケットが接触している状態を説明するための断面図である。 ウェットエッチングによる除去版の作製方法を説明するための断面図である。 反転オフセット印刷用除去版の再生方法の一例を示す断面図である。 反転オフセット印刷用除去版の再生方法の一例を示す断面図である。 反転オフセット印刷用除去版の再生方法の一例を示す断面図である。 反転オフセット印刷用除去版の再生方法の一例を示す断面図である。
符号の説明
11……ブランケット、12……転写物22が全面に形成されたブランケット、13……転写物23が形成されたブランケット、14……転写物が全面に形成されたブランケット、21……インキ、22……予備乾燥された転写物、23……ブランケット上に残った画像部の転写物、24……除去版により除去された非画像部の転写物、31……除去版、32……除去版の低解像度部、33……除去版の高解像度部、34……除去版となる基板、35……レジスト、41……基材、42……転写物が形成された基板、51……本発明の凸部金属膜付除去版、51'……本発明の凸部金属膜無除去版、52……撥インキ処理された凹部、61……ガラス、62……クロム層、63……アルミ層、64……レジスト層、65……エッチングされたガラス、66……撥インキ処理層、67……ネガレジスト、67‘……パターニングされたネガレジスト、68……ポジレジスト、68‘……パターニングされたポジレジスト、69……銀層。

Claims (11)

  1. 複数の凸部と凹部とが並べられ前記凹部に表面処理層が形成された反転オフセット印刷用除去版の再生方法であって、
    前記表面処理層を剥離して清浄な除去版材料面を前記凹部に形成する工程と、
    前記凸部に金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を形成する工程と、
    前記凹部に表面処理を施す工程と、
    前記金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層を前記凸部から剥離する工程と、
    を含むことを特徴とする反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
  2. 前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有し、
    前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層の形成は、
    前記凸部に金属膜を形成し、
    前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたネガ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ネガ型レジストをパターニングして前記凸部の前記金属膜が臨むネガ型レジスト箇所を開口させ、
    前記開口に臨む前記金属膜の表面に金属層若しくは金属酸化物層を形成し、
    リフトオフ法により前記ネガ型レジストを剥離することによりなされる、
    ことを特徴とする請求項1記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
  3. 前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有し、
    前記凸部に対する前記樹脂層の形成は、
    前記反転オフセット印刷用除去版の凸部に金属膜を形成し、
    前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたポジ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ポジ型レジストをパターニングすることにより前記金属膜の表面に前記ポジ型レジストを残存させることでなされる、
    ことを特徴とする請求項1記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
  4. 前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有するとともに前記凸部に金属膜が形成され、
    前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層の形成は、
    前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたネガ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ネガ型レジストをパターニングして前記凸部の前記金属膜が臨むネガ型レジスト箇所を開口させ、
    前記開口に臨む前記金属膜の表面に金属層若しくは金属酸化物層を形成し、
    リフトオフ法により前記ネガ型レジストを剥離することによりなされる、
    ことを特徴とする請求項1記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
  5. 前記反転オフセット印刷用除去版は、前記複数の凸部と凹部とが並べられた表面を有するとともに前記凸部に金属膜が形成され、
    前記凸部に対する前記樹脂層の形成は、
    前記金属膜をマスクとして、前記反転オフセット印刷用除去版の表面に製膜されたポジ型レジストを前記反転オフセット印刷用除去版の裏面から露光したのち現像することで前記ポジ型レジストをパターニングすることにより前記金属膜の表面に前記ポジ型レジストを残存させることでなされる、
    ことを特徴とする請求項1記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
  6. 前記凸部に対する前記金属層若しくは金属酸化物層若しくは樹脂層の形成は、
    反転オフセット印刷用ブランケットから金属材料若しくは金属酸化物材料若しくは樹脂材料を前記凸部に転写することによりなされる、
    ことを特徴とする請求項1記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
  7. 前記表面処理層の剥離は、前記表面処理層に酸素プラズマ若しくは紫外線を照射することによりなされる、
    ことを特徴とする請求項1乃至6に何れか1項記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
  8. 前記表面処理層は、撥インキ剤で形成されている、
    ことを特徴とする請求項1乃至7に何れか1項記載の反転オフセット印刷用除去版の再生方法。
  9. インキをインキ膜形成基材上に塗布してインキ膜を形成するインキ膜形成工程と、複数の凸部と凹部とが並べられた反転オフセット印刷用除去版を前記インキ膜に接触させて前記凸部に前記インキ膜を転写させることで前記インキ膜の不要部を前記インキ膜形成基材から除去する除去工程と、前記インキ膜形成基材上に残った前記インキ膜の要部を被印刷基板に転写する転写工程とを備える反転オフセット印刷法に使用する反転オフセット印刷用除去版であって、
    前記凸部に金属膜が形成されている、
    ことを特徴とする反転オフセット印刷用除去版。
  10. 前記凹部に表面処理層が形成されている、
    ことを特徴とする請求項9記載の反転オフセット印刷用除去版。
  11. 前記表面処理層は、撥インキ剤で形成されている、
    ことを特徴とする請求項10記載の反転オフセット印刷用除去版。
JP2007203392A 2007-08-03 2007-08-03 反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版 Expired - Fee Related JP5211577B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007203392A JP5211577B2 (ja) 2007-08-03 2007-08-03 反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007203392A JP5211577B2 (ja) 2007-08-03 2007-08-03 反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009034960A true JP2009034960A (ja) 2009-02-19
JP5211577B2 JP5211577B2 (ja) 2013-06-12

Family

ID=40437324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007203392A Expired - Fee Related JP5211577B2 (ja) 2007-08-03 2007-08-03 反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5211577B2 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52134431A (en) * 1976-05-04 1977-11-10 Hitachi Ltd Image formation
JPH02204717A (ja) * 1989-02-03 1990-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造法
JP2003318191A (ja) * 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp デバイス、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子装置
JP2005310406A (ja) * 2004-04-16 2005-11-04 Toppan Printing Co Ltd 除去版、有機el表示装置の製造方法、及び、有機el表示装置の製造装置
JP2006168297A (ja) * 2004-12-20 2006-06-29 Sony Corp 印刷版および印刷版の製造方法
JP2006343601A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Toppan Printing Co Ltd 版および版の再生方法
JP2007093839A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Toppan Printing Co Ltd 版および版の再生方法
JP2007160769A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Toppan Printing Co Ltd 反転オフセット印刷用除去版およびこれを用いた導電パターンの形成方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52134431A (en) * 1976-05-04 1977-11-10 Hitachi Ltd Image formation
JPH02204717A (ja) * 1989-02-03 1990-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造法
JP2003318191A (ja) * 2002-04-22 2003-11-07 Seiko Epson Corp デバイス、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子装置
JP2005310406A (ja) * 2004-04-16 2005-11-04 Toppan Printing Co Ltd 除去版、有機el表示装置の製造方法、及び、有機el表示装置の製造装置
JP2006168297A (ja) * 2004-12-20 2006-06-29 Sony Corp 印刷版および印刷版の製造方法
JP2006343601A (ja) * 2005-06-09 2006-12-21 Toppan Printing Co Ltd 版および版の再生方法
JP2007093839A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Toppan Printing Co Ltd 版および版の再生方法
JP2007160769A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Toppan Printing Co Ltd 反転オフセット印刷用除去版およびこれを用いた導電パターンの形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5211577B2 (ja) 2013-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6805809B2 (en) Decal transfer microfabrication
CN101198904B (zh) 亚微米印花转移光刻术
US20070267764A1 (en) Mold for photocuring nano-imprint and its fabrication process
US20050084804A1 (en) Low surface energy templates
JP2007144995A (ja) 光硬化ナノインプリント用モールド及びその製造方法
EP1275031A1 (en) A substrate for and a process in connection with the product of structures
Zaouk et al. Introduction to microfabrication techniques
WO2008082650A1 (en) Imprint fluid control
JP5761320B2 (ja) マイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法
JP2008221491A (ja) ナノインプリント用モールドおよびその製造方法
KR20130088565A (ko) 그래핀을 이용한 초극자외선용 펠리클 및 그 제조방법
JP2014078713A (ja) ブロック共重合体組織、装置、およびブロック共重合体組織化構造
US9164377B2 (en) Method for cleaning imprinting mask
JP2010146668A (ja) パターンドメディアの作製方法
JP4036820B2 (ja) サブ波長構造体の製造
JP5211577B2 (ja) 反転オフセット印刷用除去版の再生方法および反転オフセット印刷用除去版
JP5168805B2 (ja) 凸版反転オフセット印刷用凸版およびその製造方法、あるいはそれを用いた印刷物製造方法
JP6236918B2 (ja) ナノインプリント用テンプレートの製造方法
JP5261873B2 (ja) 反転オフセット印刷用除去版およびこれを用いた転写物の製造方法
JP5428449B2 (ja) マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版
JP2009069592A (ja) レジスト基板及び該レジスト基板を用いた密着露光方法
JP2008087459A (ja) 凸版反転オフセット印刷用凸版及びその製造方法、並びに印刷物の製造方法
JP2007035998A (ja) インプリント用モールド
JP5326192B2 (ja) インプリント用モールド及びインプリント用モールド製造方法
KR100285384B1 (ko) 막의 패터닝 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100727

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110721

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121211

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130211

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5211577

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160308

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees