JP2009031611A - 樹脂基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ポリイミド樹脂層と、このポリイミド樹脂層の上に化学気相成長法により成膜開始温度が50℃以上で成膜された窒化ケイ素を主成分とするSiN層を少なくとも1層有する表面層とを有することを特徴とする樹脂基板。
【選択図】 図1
Description
このポリイミド樹脂層の上に化学気相成長法により成膜開始温度が50℃以上で成膜された窒化ケイ素を主成分とするSiN層を少なくとも1層有する表面層と
を有することを特徴とする樹脂基板。
この樹脂基板上に形成した電気回路層と
を有することを特徴とする電気回路板。
(1)3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物及び1,4−ヒドロキノンジベンゾエート−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物より選ばれる成分を少なくとも1種含む酸成分、好ましくはこれらの酸成分を少なくとも70モル%以上、さらに好ましくは80モル%以上、より好ましくは90モル%以上含む酸成分と、
(2)ジアミン成分としてp−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、m−トリジン及び4,4’−ジアミノベンズアニリドより選ばれる成分を少なくとも1種含むジアミン、好ましくはこれらのジアミン成分を少なくとも70モル%以上、さらに好ましくは80モル%以上、より好ましくは90モル%以上含むジアミン成分とから得られるポリイミドなどを用いることができる。
1)3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と、p−フェニレンジアミン或いはp−フェニレンジアミン及び4,4−ジアミノジフェニルエーテル、
2)3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及びピロメリット酸二無水物と、p−フェニレンジアミン或いはp−フェニレンジアミン及び4,4−ジアミノジフェニルエーテル、
3)ピロメリット酸二無水物と、p−フェニレンジアミン及び4,4−ジアミノジフェニルエーテル、
4)3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とp−フェニレンジアミンとを主成分(合計100モル%中の50モル%以上)として得られるものを挙げることができる。これらのものは、プリント配線板、フレキシブルプリント回路基板、TABテープ等の電子部品の素材として用いられ、広い温度範囲にわたって優れた機械的特性を有し、長期耐熱性を有し、耐加水分解性に優れ、熱分解開始温度が高く、加熱収縮率と線膨張係数が小さい、難燃性に優れるために好ましい。
樹脂層として、ポリイミドフィルム(宇部興産(株)社製ユーピレックスフィルム、Sタイプ、フィルム厚み50μm)を使用した。Cat−CVD法により窒化ケイ素薄膜を形成した。原料ガスにはシランガス、アンモニアガスのみを使用する場合、シランガス導入量は7.5sccm、アンモニアガス導入量は200scccmとした。膜質改善のため水素ガスを添加する場合には、シランガス流量を7.5sccm、アンモニアガス流量を50sccm、水素ガス流量を200sccmとした。原料ガス分解触媒として、ワイヤー径0.5mmφのタングステンワイヤーを均一な膜厚分布になるよう配置し、成膜時には1700℃に加熱し使用した。
ポリイミドフィルムへの成膜条件と同条件にて、シリコンウエハー上に窒化ケイ素薄膜を成膜して得られたサンプルについて、He−Neレーザを光源にしてエリプソメーターで測定した。
水蒸気バリア性評価には、Cat−CVD法で窒化ケイ素薄膜をポリイミドフィルム片面のみに形成した樹脂基板を用いた。分析にはモダンコントロール社製PERMATRAN−W3/31を使用し、測定条件は40℃、90%RHとし、測定面積50mm2で計測した。このときの検出下限は0.02g/m2/dayである。
Cat−CVD法で形成した窒化珪素薄膜上に、高周波スパッタリング法でNiCr薄膜を5nm成膜後、連続してCu薄膜を300nm成膜する。その後、硫酸銅めっき液浴中にて、8μmのCu膜の厚膜メッキを行い試験サンプルとした。試験はJIS C 6471に準じて実施した。
90°剥離強度試験を行った試料のポリイミドフィルム剥離面について蛍光X線分析を行い、検出元素により界面を同定した。
PHI社製Quantum2000走査型X線光電子分光分析装置を使用し計測した。組成分析は、主要な構成元素について、分析領域を100μm×100μmとして、Si2p、N1s、O1s、C1sピークを検出し、PHI社提供の相対感度因子を使用し算出した。窒化ケイ素膜表面からポリイミドフィルム内部まで、アルゴンガスのイオンエッチングと上記組成分析を適当な間隔で繰り返すことにより計測し、深さ方向の原子濃度プロファイルを得ることができる。アルゴンガスによるイオンエッチング領域は、分析領域で十分な平坦度になるよう面積、加速電圧、イオンビームプロファイルなどを設定する。
樹脂基板にポリイミドユーピレックスSフィルム(50μm厚)を使用し、成膜開始時の基板温度を100℃に設定し、成膜時のガス圧を30Paに設定して窒化ケイ素を主成分とする窒化ケイ素薄膜層(SiN層)を膜厚100nmに形成した。この窒化ケイ素薄膜層上にスパッタ法でNiCr膜を5nm、Cu膜を300nm形成したのち、電解メッキでCu膜厚8μmまで形成した。得られたサンプルについて、直後に90°剥離試験を行った結果と大気中、150℃、168時間エージング処理後での試験結果を表1に示す。また、水蒸気透過率も表1に示す。尚、水蒸気透過率の測定には、窒化ケイ素薄膜上に金属層を形成しないものを用いた。以下の例でも同じ。
樹脂基板にポリイミドユーピレックスSフィルム(50μm厚)を使用し、成膜開始時の基板温度を200℃、成膜時のガス圧を4Paに設定して窒化ケイ素を主成分とする窒化ケイ素薄膜層(SiN層)を膜厚50nmに形成した後、基板温度を100℃、ガス圧を30Paに設定し連続して膜厚50nmの2層目の窒化ケイ素薄膜層(SiN層)を形成し、全膜厚100nmの表面層を得た。この表面層上にスパッタ法でNiCr膜を5nm、Cu膜を300nm形成したのち、電解メッキでCu膜厚8μmまで形成し、サンプルを得た。結果を表1に示す。
樹脂基板にポリイミドユーピレックスSフィルム(50μm厚)を使用し、成膜開始時の基板温度を200℃、成膜時のガス圧を4Paに設定して窒化ケイ素を主成分とする窒化ケイ素薄膜層(SiN層)を膜厚50nmに形成した後、基板温度を30℃、ガス圧を30Paに設定し連続して膜厚50nmの窒化ケイ素薄膜層を形成し、全膜厚100nmの表面層を得た。この表面層上にスパッタ法でNiCr膜を5nm、Cu膜を300nm形成したのち、電解メッキでCu膜厚8μmまで形成し、サンプルを得た。結果を表1に示す。
樹脂基板にポリイミドユーピレックスSフィルム(50μm厚)を使用し、成膜開始時の基板温度を100℃、成膜時のガス圧を4Paに設定して窒化ケイ素を主成分とする窒化ケイ素薄膜層(SiN層)を膜厚50nmに形成した後、一旦、成膜装置から大気中に取り出し、再度、成膜装置に戻し、基板温度を100℃、ガス圧を30Paに設定し連続して膜厚50nmの窒化ケイ素薄膜層(SiN層)を形成し、全膜厚100nmの表面層を得た。この表面層の上にスパッタ法でNiCr膜を5nm、Cu膜を300nm形成したのち、電解メッキでCu膜厚8μmまで形成し、サンプルを得た。結果を表1に示す。
樹脂基板にポリイミドユーピレックスSフィルム(50μm厚)を使用し、成膜開始時の基板温度を200℃、成膜時のガス圧を30Paに設定して窒化ケイ素を主成分とする窒化ケイ素薄膜層(SiN層)を膜厚100nmに形成した。この薄膜層上にスパッタ法でNiCr膜を5nm、Cu膜を300nm形成したのち、電解メッキでCu膜厚8μmまで形成し、サンプルを得た。結果を表1に示す。
実施例、比較例で使用したポリイミドユーピレックスSフィルムの水蒸気透過率を表1
に示した。
樹脂基板にポリイミドユーピレックスSフィルム(50μm厚)を使用し、成膜開始時の基板温度を30℃、成膜時のガス圧を30Paに設定して窒化ケイ素を主成分とする窒化ケイ素薄膜層を膜厚100nmに形成した。この薄膜層上にスパッタ法でNiCr膜を5nm、Cu膜を300nm形成したのち、電解メッキでCu膜厚8μmまで形成し、サンプルを得た。結果を表1に示す。
実施例5と同一サンプルにおいて、NiCr膜を形成することなく、窒化ケイ素薄膜層上に直接、スパッタ法でCu膜を300nm形成したのち、電解メッキでCu膜厚8μmまで形成し、サンプルを得た。結果を表1に示す。
1a ポリイミド樹脂ベース層
2 表面層
2a SiN層
2b SiN層
3 電気回路層
4 膜(ガスバリア膜、電極層等)
5 薄膜層
6 薄膜膜
Claims (10)
- ポリイミド樹脂層と、
このポリイミド樹脂層の上に化学気相成長法により成膜開始温度が50℃以上で成膜された窒化ケイ素を主成分とするSiN層を少なくとも1層有する表面層と
を有することを特徴とする樹脂基板。 - 前記SiN層の成膜開始温度が50℃以上170℃以下であることを特徴とする請求項1記載の樹脂基板。
- 前記SiN層の厚みが20〜1000nmの範囲であることを特徴とする請求項1または2記載の樹脂基板。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の樹脂基板と、
この樹脂基板上に形成した電気回路層と
を有することを特徴とする電気回路板。 - 前記電気回路層が、メタライジング用の下地層を有することを特徴とする請求項4記載の電気回路板。
- 前記電気回路層が、メタライジング用の下地層とメッキ層を有することを特徴とする請求項5記載の電気回路板。
- ポリイミド樹脂層の上に、化学気相成長法により成膜開始温度50℃以上の条件で、窒化ケイ素を主成分とするSiN層を形成する工程を有することを特徴とする樹脂基板の製造方法。
- 前記化学気相成長法が、触媒化学気相成長法であることを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記SiN層の成膜開始温度が、50℃以上170℃以下であることを特徴とする請求項7または8記載の方法。
- 前記SiN層の厚みが20〜1000nmの範囲となるように成膜することを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の方法。
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