JP2006057121A - 窒化シリコン膜の製造方法及び表示装置用フィルム - Google Patents
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 63
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 10
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 9
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 19
- 230000006837 decompression Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 92
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 7
- AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Cl AFYPFACVUDMOHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010571 fourier transform-infrared absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000004715 ethylene vinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- -1 for example Polymers 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- RZXDTJIXPSCHCI-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene-2,5-diol Chemical compound OC(=C)CCC(O)=C RZXDTJIXPSCHCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明に係る窒化シリコン膜の製造方法は、冷却可能な基材ホルダ4上にプラスチックフィルム15が設置され、かつ、このプラスチックフィルム15の上方に加熱可能なタングステンワイヤ6が設けられた真空槽2の内部を、減圧装置3により減圧して真空状態にする減圧工程と、減圧工程により減圧された真空槽2の内部に、シャワーヘッド5によりシランガス、アンモニアガス及び水素ガスを導入するガス導入工程と、ガス導入工程により真空槽2の内部に導入されたガスを、タングステンワイヤ6を加熱しつつタングステンワイヤ6により接触分解するガス分解工程と、ガス分解工程により得られるガスの分解種を、基材ホルダ4を冷却しつつプラスチックフィルム15の表面に堆積させることにより、プラスチックフィルム15の表面に窒化シリコン膜を形成する成膜工程とを有する。
【選択図】 図1
Description
[実施例A]
実施例Aでは、CVD装置1においてシリコン基板(Si基板)を設置し、このSi基板の表面に表1の条件で窒化シリコン膜18を形成した。このとき、タングステンワイヤ6とSi基板との離間距離DCSは100mmと接近させたが、プレート11を冷媒13により積極的に冷却したので、Si基板の温度を100℃に抑えつつ窒化シリコン膜18の形成時間を短縮することができた。その窒化シリコン膜18について膜の形成速度及びN/Si比を表す屈折率を測定するとともに、BHFエッチングレートを測定して緻密性を評価した。この測定結果を表2に示す。
[比較例a]
比較例aでは、実施例Aと同様にCVD装置1においてSi基板を設置し、このSi基板の表面に水素ガスを供給することなく窒化シリコン膜を形成した(他の条件については実施例Aにおけると同様である。)。その窒化シリコン膜について、膜の形成速度、屈折率及びBHFエッチングレートを測定した結果を表2に示す。
[実施例B]
実施例Bでは、CVD装置1においてSi基板を設置し、このSi基板の表面に表3の条件で窒化シリコン膜を形成した。この窒化シリコン膜の諸特性は表4に示すとおりである。
[実施例C]
実施例Cでは、CVD装置1において基材にポリカーボネート(帝人化成株式会社製、ピュアエース)を使用し、その温度を100℃に抑制した状態で表面に膜厚50nmの窒化シリコン膜18を形成した。これにより得られた表示装置用フィルム19の全光線透過率及び水分透過度を測定し、併せて株式会社ヤナコ計測製のガス透過測定装置により酸素透過度を測定した。また、分光光度計(株式会社日立製作所製、U4000)により表面反射率を測定し、超微小硬度計(株式会社島津製作所製、DUH2000)によりビッカース硬度を測定し、可撓性についてはφ10mm×150mmの長棒に表示装置用フィルム19を3回巻き、これを長棒から剥離させた後に表示装置用フィルム19の表面にクラックがあるか否かで判断した。この実施例Cについての測定結果は表5に示す。
[実施例D]
実施例Dでは、実施例Cと同様にCVD装置1においてポリカーボネートを使用し、その温度を100℃に抑制した状態で表面に膜厚100nmの窒化シリコン膜18を形成した。これにより得られた表示装置用フィルム19の全光線透過率等の測定方法は実施例Cと同様であり、測定結果は表5に示す。
[実施例E]
実施例Eでは、CVD装置1においてポリエステル(東洋紡績株式会社製、コスモシャイン)を使用し、その温度を100℃に抑制した状態で表面に膜厚50nmの窒化シリコン膜18を形成した。これにより得られた表示装置用フィルム19の全光線透過率等の測定方法は実施例Cと同様であり、測定結果は表5に示す。
[実施例F]
実施例Fでは、実施例Eと同様にCVD装置1においてポリエステルを使用し、その温度を100℃に抑制した状態で表面に膜厚100nmの窒化シリコン膜18を形成した。これにより得られた表示装置用フィルム19の全光線透過率等の測定方法は実施例Cと同様であり、測定結果は表5に示す。
[比較例c]
比較例cでは、CVD装置1において基材にポリカーボネート(帝人化成株式会社製、ピュアエース)を使用し、その温度を100℃に抑制した状態でシャワーヘッド5により水素ガスを供給することなく表面に膜厚50nmの窒化シリコン膜を形成した。これにより得られた表示装置用フィルムの全光線透過率等の測定方法は実施例Cと同様であり、測定結果は表5に示す。
[比較例d]
比較例dでは、比較例cと同様にCVD装置1においてポリカーボネートを使用し、その温度を100℃に抑制した状態で表面に膜厚100nmの窒化シリコン膜を形成した。これにより得られた表示装置用フィルムの全光線透過率等の測定方法は実施例Cと同様であり、測定結果は表5に示す。
[比較例e]
比較例eでは、CVD装置1においてポリエステル(東洋紡績株式会社製、コスモシャイン)を使用し、その温度を100℃に抑制した状態で表面に膜厚50nmの窒化シリコン膜を形成した。これにより得られた表示装置用フィルムの全光線透過率等の測定方法は実施例Cと同様であり、測定結果は表5に示す。
[比較例f]
比較例fでは、比較例eと同様にCVD装置1においてポリエステルを使用し、その温度を100℃に抑制した状態で表面に膜厚100nmの窒化シリコン膜を形成した。これにより得られた表示装置用フィルムの全光線透過率等の測定方法は実施例Cと同様であり、測定結果は表5に示す。
[実施例G]
実施例Gでは、ポリカーボネート(帝人化成株式会社製、ピュアエース)を電子天秤で重量測定した後に150℃の真空恒温槽に60分間入れて加熱乾燥処理し、この処理後の重量を再度電子天秤で測定して乾燥減量を算出し、揮発成分を1重量%以下に調整した。次いで、この基材に窒化シリコン膜18を形成して表示装置用フィルム19とし、図3に示すようにこれをEL素子20が配置されたガラス板21上に接着剤22により貼着してサンプル23とし、このサンプル23を60℃、相対湿度95%の恒温槽に500時間投入した。恒温槽から取り出したサンプル23のEL素子20の表面を観察し、ダークスポット(灰黒色に変色した部分)を観察して腐食の発生状況を調べた。この結果は表6に示す。
[実施例H]
実施例Hでは、実施例Gと同様にポリエステル(東洋紡績株式会社製、コスモシャイン)を加熱乾燥処理し、これを用いて表示装置用フィルム19を製造しサンプル23を作製した。サンプル23の観察結果は表6に示す。
[比較例g]
比較例gでは、ポリカーボネート(帝人化成株式会社製、ピュアエース)を加熱乾燥処理することなく用いて表示装置用フィルム19を製造し、サンプル23を作製した。サンプル23の観察結果は表6に示す。
[比較例h]
比較例hでは、ポリエステル(東洋紡績株式会社製、コスモシャイン)を加熱乾燥処理することなく用いて表示装置用フィルム19を製造し、サンプル23を作製した。サンプル23の観察結果は表6に示す。
2 真空槽
3 減圧装置(減圧手段)
4 基材ホルダ(テーブル)
5 シャワーヘッド(ガス導入手段)
6 タングステンワイヤ(タングステン線)
15 プラスチックフィルム
16 窒化シリコン膜
19 表示装置用フィルム
Claims (9)
- 基材の表面に触媒CVD法により窒化シリコン膜を形成する窒化シリコン膜の製造方法であって、
冷却可能なテーブル上に基材が設置され、かつ、該基材の上方に加熱可能な触媒体が設けられた真空槽の内部を、減圧手段により減圧して真空状態にする減圧工程と、
該減圧工程により減圧された真空槽の内部に、ガス導入手段によりシランガス、アンモニアガス及び水素ガスを導入するガス導入工程と、
該ガス導入工程により前記真空槽の内部に導入されたガスを、前記触媒体を加熱しつつ該触媒体により接触分解するガス分解工程と、
該ガス分解工程により得られる前記ガスの分解種を、前記テーブルを冷却しつつ前記基材の表面に堆積させることにより、該基材の表面に窒化シリコン膜を形成する成膜工程とを有することを特徴とする窒化シリコン膜の製造方法。 - 前記触媒体がタングステン線であることを特徴とする請求項1に記載の窒化シリコン膜の製造方法。
- 前記基材がプラスチックフィルムであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の窒化シリコン膜の製造方法。
- 前記基材の揮発成分が1重量%以下であることを特徴とする請求項3に記載の窒化シリコン膜の形成方法。
- 前記プラスチックフィルムがポリエステル、ポリカーボネート又はポリサルホンであることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の窒化シリコン膜の製造方法。
- 前記成膜工程において、前記テーブルの冷却により前記基材の温度を150℃以下に保つことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の窒化シリコン膜の製造方法。
- 前記窒化シリコン膜が、全光線透過率80%以上、水分透過度0.1g/(m2・日)以下、及び、酸素透過度0.01cc/(m2・日)以下の特性を具備することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の窒化シリコン膜の製造方法。
- 透明なプラスチックフィルムの表面に窒化シリコン膜が形成されてなり、全光線透過率80%以上、水分透過度0.1g/(m2・日)以下、及び、酸素透過度0.01cc/(m2・日)以下の特性を具備することを特徴とする表示装置用フィルム。
- 前記プラスチックフィルムがポリエステル、ポリカーボネート又はポリサルホンであることを特徴とする請求項8に記載の表示装置用フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2004238090A JP4589054B2 (ja) | 2004-08-18 | 2004-08-18 | 表示装置用フィルムの製造方法 |
Publications (2)
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---|---|
JP2006057121A true JP2006057121A (ja) | 2006-03-02 |
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007245433A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Tohcello Co Ltd | ガスバリアフィルム |
JP2008231571A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-10-02 | Tohcello Co Ltd | 薄膜、及びその薄膜製造方法 |
JP2008231570A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-10-02 | Tohcello Co Ltd | 薄膜、及びその製造方法 |
WO2009001924A1 (ja) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Ulvac, Inc. | 樹脂基板 |
JP2009031612A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Ulvac Japan Ltd | 樹脂基板 |
JP2009031611A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Ulvac Japan Ltd | 樹脂基板 |
JP2009263731A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Fujifilm Corp | 成膜方法及び装置 |
WO2010010622A1 (ja) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
JP2011063851A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | ガスバリア膜およびガスバリアフィルム |
WO2012020771A1 (ja) | 2010-08-13 | 2012-02-16 | 旭硝子株式会社 | 積層体および積層体の製造方法 |
US20220064396A1 (en) * | 2020-09-03 | 2022-03-03 | Guangdong Technion Israel Institute Of Technology | Method for preparing modified polypropylene film |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001310412A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-06 | Mitsui Chemicals Inc | ガスバリアーフィルム |
JP2001316489A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-13 | Mitsui Chemicals Inc | ポリオレフィン系フィルム |
JP2003309119A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | シリコン窒化膜の成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2004292877A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Ishikawa Seisakusho Ltd | 窒化シリコン膜及びその製造方法 |
-
2004
- 2004-08-18 JP JP2004238090A patent/JP4589054B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001310412A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-06 | Mitsui Chemicals Inc | ガスバリアーフィルム |
JP2001316489A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-13 | Mitsui Chemicals Inc | ポリオレフィン系フィルム |
JP2003309119A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | シリコン窒化膜の成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2004292877A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Ishikawa Seisakusho Ltd | 窒化シリコン膜及びその製造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007245433A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Tohcello Co Ltd | ガスバリアフィルム |
JP2008231571A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-10-02 | Tohcello Co Ltd | 薄膜、及びその薄膜製造方法 |
JP2008231570A (ja) * | 2007-02-23 | 2008-10-02 | Tohcello Co Ltd | 薄膜、及びその製造方法 |
EP2168763A4 (en) * | 2007-06-27 | 2010-09-29 | Ulvac Inc | RESIN SUBSTRATE |
WO2009001924A1 (ja) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Ulvac, Inc. | 樹脂基板 |
JP2009006568A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Ulvac Japan Ltd | 樹脂基板 |
EP2168763A1 (en) * | 2007-06-27 | 2010-03-31 | Ulvac, Inc. | Resin substrate |
JP2009031612A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Ulvac Japan Ltd | 樹脂基板 |
JP2009031611A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Ulvac Japan Ltd | 樹脂基板 |
JP2009263731A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Fujifilm Corp | 成膜方法及び装置 |
WO2010010622A1 (ja) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
JPWO2010010622A1 (ja) * | 2008-07-24 | 2012-01-05 | 富士電機株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
US8497524B2 (en) | 2008-07-24 | 2013-07-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic el device and method for manufacturing the same |
JP2011063851A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | ガスバリア膜およびガスバリアフィルム |
WO2012020771A1 (ja) | 2010-08-13 | 2012-02-16 | 旭硝子株式会社 | 積層体および積層体の製造方法 |
US20220064396A1 (en) * | 2020-09-03 | 2022-03-03 | Guangdong Technion Israel Institute Of Technology | Method for preparing modified polypropylene film |
US11597808B2 (en) * | 2020-09-03 | 2023-03-07 | Guangdong Technion Israel Institute Of Technology | Method for preparing modified polypropylene film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4589054B2 (ja) | 2010-12-01 |
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