JP2009023983A - エチニル基含有有橋脂環式化合物、絶縁膜形成材料、絶縁膜及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁膜を形成しうる重合性化合物として、下記式(1)
(式中、Zは有橋脂環骨格を示し、Xは複素環又はその前駆構造を含む2価以上の有機基を示し、Yは置換基を有していてもよいエチニル基を含む基を示す。Rは水素原子又は炭化水素基を示す。mは1〜5の整数、nは2〜7の整数、kは0〜5の整数を示す。n+k=2〜7である。分子内の複数のX、Y、及び複数存在する場合のRは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい)で表されるエチニル基含有有橋脂環式化合物。特に、Zとしてアダマンタン骨格、Xとしてベンズイミダゾリル基を有する化合物が好ましい。
【選択図】なし
Description
で表されるエチニル基含有有橋脂環式化合物を提供する。
(アミノ基含有アダマンタン誘導体の合成)
乾燥終了後、得られた沈殿を還流管を備えた反応容器へ移し、テトラヒドロフラン(THF)1.83kgを加え、窒素雰囲気下で加熱還流することによりTHF洗浄を施した。再度固形分を濾別し、真空乾燥機で乾燥した生成物のNMRスペクトル、赤外線吸収スペクトルを測定したところ、図1に示されるNMRスペクトルデータ及び図2に示される赤外線吸収スペクトルデータにより、上記式(C)で表されるアミノ基含有アダマンタン誘導体が形成されていることを確認した。アミノ基含有アダマンタン誘導体の収量は24.5g、収率は90%であった。
[NMRスペクトルデータ]
1H−NMR(DMSO−d6) δ(ppm):2.32(12H<−CH2−>),4.60(16H<−NH2>),6.62−6.97(12H<芳香環プロトン>), 7.53−7.78(12H<芳香環プロトン>),7.87(8H),8.24(8H) 12.85(4H)
[赤外線吸収スペクトルデータ(cm-1)]
3419(N−H<伸縮振動>),2933(−CH2−のC−H<伸縮振動>),1623(−C=N−<伸縮振動>),1420−1520(芳香環<面内振動>),1280(芳香族−NH2<伸縮振動>)
(エチニル基含有アダマンタン誘導体の合成)
[NMRスペクトルデータ]
1H−NMR(DMSO−d6) δ(ppm):2.32(12H<アダマンタン −CH2−>),4.38(4H<エチニル C−H>),7.54−8.26(6H<芳香環 C−H>),13.05(4H<イミダゾール N−H)
[赤外線吸収スペクトルデータ(cm-1)]
3422(N−H<伸縮振動>),2930(−CH2−のC−H<伸縮振動>),2220(エチニル基の<伸縮振動>,1620(−C=N−<伸縮振動>),1420−1520(芳香環<面内振動>),1280(芳香族−N−H<伸縮振動>),809(C−H<面外変角振動>
3方コックを備えた30mLフラスコに撹拌子を入れ、容器内に窒素を導入しながら、上記で得られたエチニル基含有アダマンタン誘導体800mg、およびDMAcと1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)の混合液(重量比1:1)を入れ、30℃で1時間撹拌し、エチニル基含有アダマンタン誘導体の10重量%溶液とした。溶解後、室温に戻し、0.2μm及び0.1μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過し、薬液(絶縁膜形成材料)とした。
上記で調製した薬液を、シリコンウェハー上に2〜3mL滴下し、回転数を1000〜3000rpmで調整し、スピン塗布した。続いて、窒素雰囲気下、石英製チャンバー内で、温度を室温から400℃に上げ、加熱焼成することで、膜を得た。得られた膜の膜厚は267nmであり、比誘電率は3.0であった。
[赤外線吸収スペクトルデータ(cm-1)]
3422(N−H<伸縮振動>),2930(−CH2−のC−H<伸縮振動>),1620(−C=N−<伸縮振動>),1420−1520(芳香環<面内振動>),1280(芳香族−N−H<伸縮振動>),806(C−H<面外変角振動>
(エチニル基含有アダマンタン誘導体の合成)
[NMRスペクトルデータ]
1H−NMR(DMSO−d6) δ(ppm):2.1(12H),4.0−4.1(4H),7.2−8.2(28H),13.1(4H)
上記で得られた式(I)で表されるエチニル基含有アダマンタン誘導体をDMAcと1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)の混合液(重量比1:1)に溶解させ、エチニル基含有アダマンタン誘導体の10重量%溶液を調製した。
上記で調製した薬液(絶縁膜形成材料)を、スピンコータを用いてシリコンウェハー上に塗布した。塗布ウェハーを電気炉中、窒素雰囲気下、350℃で1時間加熱することにより、架橋反応を進行させた。こうして得られた薄膜(膜厚:300nm)の電気特性を調べたところ、比誘電率は3.1であった。また、薄膜を空気中に放置しても、薄膜の吸湿による電流値の上昇は見られなかった。
(薬液の調製)
3方コックを備えた30mLフラスコに撹拌子を入れ、容器内に窒素を導入しながら、下記式(F)で表されるカルボン酸化合物255mg、下記式(G)で表されるアミン化合物550mg、およびDMAcとDMIの混合液(重量比1:1)を入れ、30℃で1時間撹拌し、前記2つの化合物の10重量%(合計濃度)溶液とした。溶解後、室温に戻し、0.2μm及び0.1μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過し、薬液(絶縁膜形成材料)とした。
上記で調製した薬液を、シリコンウェハー上に2〜3mL滴下し、回転数を1000〜3000rpmで調整し、スピン塗布した。続いて、窒素雰囲気下、石英製チャンバー内で、温度を室温から400℃に上げ、加熱焼成することで、膜を得た。得られた膜の膜厚は260nmであり、比誘電率は3.5であった。
[赤外線吸収スペクトルデータ(cm-1)]
3419(N−H<伸縮振動>),2933(−CH2−のC−H<伸縮振動>),1626(−C=N−<伸縮振動>),1420−1520(芳香環<面内振動>),1282(芳香族−N−H<伸縮振動>),806(C−H<面外変角振動>
実施例1、実施例2及び比較例1で得られた絶縁膜につき、周波数1kHz〜1MHzで、プローブ法により比誘電率を測定した。比較例1で作製した膜の比誘電率が3.5であるのに対し、実施例1及び実施例2で作製した膜(エチニル型)の比誘電率はそれぞれ3.0、3.1であった。実施例では、極性の高い未反応末端がないため低い比誘電率の膜が得られ、低極性のエチニル基の低誘電率化効果が確認された。
Claims (10)
- Xにおける複素環又はその前駆構造を含む2価以上の有機基が、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、オキサゾリル基、ベンズオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンズチアゾリル基、これらの複素環式基の前駆体となる基、前記複素環式基又はその前駆体となる基が2以上結合した基、又は前記複素環式基又はその前駆体となる基の1又は2以上と芳香族炭化水素基が結合した基である請求項1記載のエチニル基含有有橋脂環式化合物。
- 請求項1〜4の何れかの項に記載のエチニル基含有有橋脂環式化合物を含む絶縁膜形成材料。
- 請求項1〜4の何れかの項に記載のエチニル基含有有橋脂環式化合物とともに、他のエチニル基含有化合物を含む請求項5記載の絶縁膜形成材料。
- エチニル基含有有橋脂環式化合物が有機溶媒に溶解した溶液である請求項5又は6記載の絶縁膜形成材料。
- 請求項5〜7の何れかの項に記載の絶縁膜形成材料を重合反応に付して得られる空孔構造を有するポリマー。
- 請求項8記載の空孔構造を有するポリマーからなる絶縁膜。
- 請求項7記載の絶縁膜形成材料を基材上に塗布した後、重合反応に付して空孔構造を有するポリマーからなる絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007208644A JP5095299B2 (ja) | 2007-06-21 | 2007-08-09 | エチニル基含有有橋脂環式化合物、絶縁膜形成材料、絶縁膜及びその製造方法 |
TW97119829A TW200911758A (en) | 2007-06-14 | 2008-05-29 | Thin-film materials, thin films and producing method thereof |
US12/155,750 US20090004508A1 (en) | 2007-06-14 | 2008-06-09 | Thin-film materials, thin films and producing method thereof |
EP08010623A EP2003123A3 (en) | 2007-06-14 | 2008-06-11 | Thin-film materials, thin films and producing method thereof |
KR1020080056017A KR20080110544A (ko) | 2007-06-14 | 2008-06-13 | 박막 형성 재료, 박막 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007164379 | 2007-06-21 | ||
JP2007164379 | 2007-06-21 | ||
JP2007208644A JP5095299B2 (ja) | 2007-06-21 | 2007-08-09 | エチニル基含有有橋脂環式化合物、絶縁膜形成材料、絶縁膜及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009023983A true JP2009023983A (ja) | 2009-02-05 |
JP5095299B2 JP5095299B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=40396139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007208644A Expired - Fee Related JP5095299B2 (ja) | 2007-06-14 | 2007-08-09 | エチニル基含有有橋脂環式化合物、絶縁膜形成材料、絶縁膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5095299B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003252982A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Fujitsu Ltd | 有機絶縁膜材料、その製造方法、有機絶縁膜の形成方法、及び、有機絶縁膜を設けた半導体装置 |
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JP2008063451A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 芳香族エチニル化合物、樹脂組成物、ワニス、樹脂膜、半導体装置 |
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