JP2009017281A - 高周波信号用の給電回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、製造コストを低減させることができるとともに、給電用導波管を複数並置した場合に、占有面積の縮小化を図ることができる高周波信号用の給電回路を得ることを目的とするものである。
【解決手段】給電用導波管1は、第1及び第2金属ブロック2,3により構成されている。第1及び第2金属ブロック2,3の間には、誘電体基板4が介在している。誘電体基板4は、第1狭壁面部1aと第2狭壁面部1bとの間の中間部に配置され、かつ第1及び第2狭壁面部1a,1bに対して平行に配置されている。誘電体基板4の表面及び裏面の両面には、金属膜からなる第1〜3短絡用導電パターン部4b〜4dが給電用導波管1の管軸方向に互いに間隔をおいて形成されている。
【選択図】図3

Description

この発明は、高周波信号の給電系統に用いられ、例えば放射素子と発振器又は負荷との間で高周波信号を伝送するための高周波信号用の給電回路に関するものである。
従来の導波管給電型平面アンテナでは、断面矩形状の給電用導波管の狭壁面部にプローブ挿入孔が設けられており、そのプローブ挿入孔にT字形プローブ又はL字形プローブが給電用導波管の外部から挿入されている。このプローブに高周波信号(電磁波)の電界成分及び磁界成分が結合することにより、給電用導波管から放射素子へ高周波信号が伝わり、放射素子から高周波信号が放射される(例えば、特許文献1参照)。
また、従来のエンドランチャ型の同軸導波管変換器では、給電用導波管の管軸方向の終端面部に、同軸線路が形成されており、その同軸線路の芯線がL字状に折り曲げられて、L字形プローブが形成されている。そのL字形プローブの先端が矩形状導波管の広壁面部に接続されており、L字形プローブの先端と広壁面部とを介して、同軸ケーブル及び給電用導波管の一方から他方へ高周波信号が伝わる(例えば、非特許文献1参照)。
さらに、別の従来の同軸導波管変換器では、複数本の棒状のプローブが管軸方向に互いに間隔をおいて、給電用導波管の広壁面部のプローブ挿入孔に挿入されており、これらのプローブを介して、給電用導波管の内部と外部との一方から他方へ高周波信号が伝わる(例えば、非特許文献2参照)。
特開2000−261238号公報 IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,vol.38,No.2,pp.129−134,June 1990 IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,vol.55,No.5,pp.951−957,May 2007
特許文献1に示すような従来の導波管給電型平面アンテナ、及び非特許文献1に示すような従来の同軸導波管変換器では、プローブの形状がT字形又はL字形となっており、プローブの形状が複雑化しているため、プローブ自体の製造単価が高くなっており、製造コストが高くなっていた。
また、非特許文献2に示すような従来の同軸導波管変換器では、給電用導波管の広壁面部のプローブ挿入孔にプローブが挿入されているため、アレイアンテナの給電装置用に給電用導波管を複数並置して組み合わせた場合に、給電装置全体の占有面積が広壁面部の幅で決まることにより、装置全体のサイズが大型化していた。ここで、一般的な断面矩形状の給電用導波管では、基本モードでの高周波信号の電界成分が広壁面部の幅方向中心箇所を集中して通り、その電界成分が狭壁面部の近傍をほとんど通らないため、棒状のプローブを狭壁面部のプローブ挿入孔に挿入した場合に、プローブにその電界成分が十分に結合せず、放射素子又は同軸線路への高周波信号の給電が困難になっていた。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、製造コストを低減させることができるとともに、給電用導波管を複数並置した場合に、占有面積の縮小化を図ることができる高周波信号用の給電回路を得ることを目的とする。
この発明に係る高周波信号用の給電回路は、プローブ挿入孔が設けられた第1狭壁面部と、第1狭壁面部に対向する第2狭壁面部と、第1及び第2狭壁面部よりも幅広であり互いに対向する第1及び第2広壁面部とを有する断面矩形状の給電用導波管、給電用導波管の第1狭壁面部と第2狭壁面部との間に設けられ、かつ第1及び第2広壁面部の少なくともいずれか一方から第1広壁面部と第2広壁面部との間の中間部まで突出する突出導体、及び給電用導波管の外部からプローブ挿入孔に挿入されて突出導体に接続され、給電用導波管の内部と外部との一方から他方へ高周波信号を伝えるプローブを備えたものである。
この発明の高周波信号用の給電回路は、狭壁面部のプローブ挿入孔にプローブが挿入されており、そのプローブが突出導体を介して第1及び第2広壁面部のいずれか一方に接続されているので、従来の導波管給電型平面アンテナのような特殊形状のプローブを用いないことにより、製造コストを低減させることができる。また、第1狭壁面部のプローブ挿入孔にプローブが挿入されていることにより、給電用導波管を複数並置した場合に、占有面積の縮小化を図ることができる。
以下、この発明を実施するための最良の形態について、図面を参照して説明する。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1によるアレイアンテナの給電装置を示す分解斜視図である。図2は、図1の誘電体基板4を示す平面図である。図3は、図1のIII部を示す断面図である。
図において、給電用導波管1は、中空部を有する断面矩形状の導波管である。また、給電用導波管1は、互いに対向する第1及び第2狭壁面部1a,1bと、第1及び第2狭壁面部1a,1bよりも幅広であり互いに対向する第1及び第2広壁面部1c,1dと、終端壁面部(導波管短絡部)1eとを有している。給電用導波管1の管軸方向の一端は、終端壁面部1eによって閉塞されている。また、給電用導波管1の管軸方向の他端には、伝送用導波管(図示せず)と接続するための接続用開口部(導波管入力部)1fが設けられている。伝送用導波管は、発振器又は負荷と給電用導波管1との間で導波路を形成する。
さらにまた、給電用導波管1は、第1及び第2金属ブロック2,3により構成されている。第1及び第2金属ブロック2,3の間には、誘電体基板4が介在されている(挿入されている)。第1及び第2金属ブロック2,3と誘電体基板4とには、ボルトが貫通しており、そのボルトにナットが螺合されることによって、第1及び第2金属ブロック2,3と誘電体基板4とが一体に組み合わされている(ボルト・ナットともに図示せず)。
第1及び第2金属ブロック2,3には、それぞれ導波路形成用の溝が設けられており、第1及び第2金属ブロック2,3の断面形状は、それぞれコ字状となっている。第1金属ブロック2は、給電用導波管1の第1狭壁面部1aと第1及び第2広壁面部1c,1dの一部(図3における上部)とを形成している。第2金属ブロック3は、給電用導波管1の第2狭壁面部1bと第1及び第2広壁面部1c,1dの一部(図3における下部)とを形成している。
第1金属ブロック2の上面部、即ち給電用導波管1の第1狭壁面部1aには、第1〜第3プローブ挿入孔2a〜2cが給電用導波管1の管軸方向に互いに間隔をおいて設けられている。第1〜第3プローブ挿入孔2a〜2cには、それぞれ棒状の第1〜第3プローブ(同軸プローブ)5〜7が給電用導波管1の外部から挿入されている。互いに隣り合うプローブ5〜7同士(第1〜第3プローブ挿入孔2a〜2cの中心部同士)の間の間隔寸法は、接続用開口部1f側からの終端壁面部1e側への高周波信号の波長を管内波長としたとき、その管内波長(λg)の1/2の奇数整数倍に設定されている(即ち、(2n−1)λg/2;但し、n=正の整数)。
また、第1金属ブロック2の上面部には、第1〜第3プローブ挿入孔2a〜2cの開口(上端)を塞ぎ、かつ第1〜第3プローブ挿入孔2a〜2cの内壁と第1〜第3プローブ5〜7との間の隙間を埋めるように、第1〜第3同軸端子(同軸出力端子)8〜10が設けられている。第1〜第3同軸端子8〜10には、同軸ケーブル(図示せず)が接続されている。また、第1〜第3同軸端子8〜10は、同軸ケーブルを介して、アンテナ素子(図示せず)と接続されている。
第1〜第3プローブ5〜7の上端部と第1〜第3同軸端子8〜10とは、互いに接続されている。第1〜第3プローブ挿入孔2a〜2c、第1〜第3プローブ5〜7及び第1〜第3同軸端子8〜10は、第1広壁面部1cと第2広壁面部1dとの中央に配置されている。ここで、第1〜第3プローブ5〜7は、それぞれ第1〜第3同軸端子8〜10の芯線を兼ねており、即ち、第1〜第3プローブ5〜7の上端部と第1〜第3同軸端子8〜10とによって、同軸線路が形成されている。
誘電体基板4は、第1狭壁面部1aと第2狭壁面部1bとの間の中間部に配置され、かつ第1及び第2狭壁面部1a,1bに対して平行に配置されている。また、誘電体基板4の表裏両面の第1及び第2金属ブロック2,3との接合箇所(図2中、上端部、下端部及び右端部)には、金属膜による導電処理が施されている。
さらに、誘電体基板4の第1及び第2金属ブロック2,3との接合箇所には、第1金属ブロック2と第2金属ブロック3とを電気的に接続するための複数のブロック接続用スルーホール4aが間隔をおいて設けられている。ブロック接続用スルーホール4a同士の間の間隔寸法は、管内波長(λg)の1/2未満の寸法に設定されている。さらにまた、誘電体基板4の表面及び裏面(図3の上面及び下面)の両面には、金属膜からなる第1〜3短絡用導電パターン部4b〜4dが給電用導波管1の管軸方向に互いに間隔をおいて形成されている。
第1及び第3短絡用導電パターン部4b,4dは、第1広壁面部1c側から第1広壁面部1cと第2広壁面部1dとの間の中間部(やや第2広壁面部1d寄り)に渡って形成されている。第2短絡用導体パターン部4cは、第2広壁面部1d側から第1広壁面部1cと第2広壁面部1dとの間の中間部(やや第1広壁面部1c寄り)に渡って形成されている。つまり、第1〜3短絡用導電パターン部4b〜4dは、給電用導波管1の内部空間において、第1及び第2広壁面部1c,1dのうちの一方から、第1広壁面部1cと第2広壁面部1dとの間の中間部まで突出するように配置されており、突出導体を構成している。
第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dの先端部における第1広壁面部1cと第2広壁面部1dとの間の中央箇所には、それぞれプローブ接続用スルーホール4eが設けられている。これらのプローブ接続用スルーホール4eの位置は、第1〜第3プローブ挿入孔2a〜2cの位置に第1及び第2狭壁面部1a,1bに対する垂直方向で対応している。即ち、第1短絡用導体パターン部4bのプローブ接続用スルーホール4eの中心と、第2短絡用導体パターン部4cのプローブ接続用スルーホール4eの中心との間の間隔寸法は、管内波長の1/2の奇数整数倍の寸法に設定されている。これとともに、第2短絡用導体パターン部4cのプローブ接続用スルーホール4eの中心と、第3短絡用導体パターン部4dのプローブ接続用スルーホール4eの中心との間の間隔寸法も、管内波長の1/2の奇数整数倍の寸法に設定されている。
第2短絡用導体パターン部4cのプローブ接続用スルーホール4eの中心と、第3短絡用導体パターン部4dのプローブ接続用スルーホール4eの中心との間の間隔寸法も同様に、管内波長の1/2の奇数整数倍の寸法に設定されている。第3短絡用導体パターン部4dのプローブ接続用スルーホール4eの中心と、終端壁面部1eとの間の間隔寸法は、管内波長の約1/4の奇数整数倍の寸法に設定されている。
ここで、第1〜第3プローブ5〜7の下端部は、それぞれ第1〜第3短絡用導体パターン部4dのプローブ接続用スルーホール4eに挿入されて、第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dに接続されている。つまり、第1プローブ5は、第1短絡用導体パターン部4bを介して、第1広壁面部1cに短絡(電気的・物理的に接続)されている。また、第2プローブ6は、第2短絡用導体パターン部4cを介して、第2広壁面部1dに短絡されている。さらに、第3プローブ7は、第3短絡用導体パターン部4dを介して、第1広壁面部1cに短絡されている。
次に、動作について説明する。図4は、図1の給電用導波管1内の高周波信号の伝搬状態を説明するための説明図である。接続用開口部1fから給電用導波管1内に入力された高周波信号は、基本モードの電磁波における電磁界分布の関係から、各広壁面部1c,1dに対する垂直方向に伝わる電界成分(図中、実線で示す)と、各広壁面部1c,1dに対する平行方向に伝わる磁界成分(図中、破線で示す)とを有している。
高周波信号の磁界成分は、第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dに鎖交(直交)し、第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dがそれぞれ第1〜第3広壁面部1c,1dに短絡されていることにより、第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dに磁界結合が生じる。そして、第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dを介して、磁界成分が第1〜第3プローブ5〜7に伝わる。
また、高周波信号は、接続用開口部1fから終端壁面部1eに伝わると、終端壁面部1eによって反射され、給電用導波管1内で定在波を形成する。ここで、第1短絡用導体パターン部4bと第2短絡用導体パターン部4cとの間、及び第2短絡用導体パターン部4cと第3短絡用導体パターン部4dとの間の寸法がそれぞれ管内波長の1/2の奇数整数倍の寸法に設定されていることにより、第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dの位置は、定在波における電界成分の最大点(定在波の腹)となっている。これにより、第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dで電界結合が生じ、第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dを介して、電界成分が第1〜第3プローブ5〜7に伝わる。
つまり、接続用開口部1fからの高周波信号は、第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dを介して、第1〜第3プローブ5〜7に伝わり、第1〜第3同軸端子8〜10から給電用導波管1の外部へ出力される。そして、第1〜第3同軸端子8〜10から同軸ケーブルを介して放射素子に高周波信号が給電され、その放射素子から空中線へ高周波信号が放射される。
一方、第1〜第3同軸端子8〜10から高周波信号が入力された場合には、第1〜第3プローブ5〜7及び第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dを介して、その高周波信号が給電用導波管1内で合成され、その合成された高周波信号が接続用開口部1fから出力される。
上記のようなアレイアンテナの給電装置では、第1及び第2狭壁面部1a,1bに挿入された第1〜第3プローブ5〜7が誘電体基板4及び第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dを介して、第1及び第2広壁面部1c,1dにそれぞれ接続されているため、従来の導波管給電型平面アンテナのような特殊形状のプローブを用いないことにより、製造コストを低減させることができる。これとともに、第1狭壁面部1bに第1〜第3プローブ5〜7が給電用導波管1の外部から挿入されていることにより、給電用導波管1を複数並置した場合に、占有面積の縮小化を図ることができる。
また、第1及び第2金属ブロック2,3と誘電体基板4とを組み合わせて、第1狭壁面部1aの第1〜第3プローブ挿入孔2a〜2cに第1〜第3プローブ5〜7を挿入することによって、第1〜第3プローブ5〜7が第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dに接続されて、第1〜第3プローブ5〜7が第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dを介して第1又は第2広壁面部1c,1dに接続されるので、組立作業を容易にすることができ、製造効率を向上させることができる。
さらに、第1及び第2短絡用導体パターン部4b,4dと第2短絡用導体パターン部4cが互いに逆向きに配置されているので、第1〜第3プローブ5〜7を同相で励振させることができる。
実施の形態2.
次に、この発明の実施の形態2について説明する。図5は、実施の形態2によるアレイアンテナの給電装置の一部を示す平面図である。なお、図5では、誘電体基板4を示す。実施の形態1では、互いに隣り合うプローブ5〜7同士の間の間隔寸法が管内波長の1/2の奇数整数倍の寸法となっていたが、実施の形態2では、互いに隣り合うプローブ5〜7同士の間の間隔寸法が管内波長の整数倍の寸法に設定されている。また、実施の形態2の第2短絡用導体パターン部4cは、第1広壁面部1c側から第2広壁面部1d側に突出するように配置されている。これによって、隣り合うプローブ5〜7は、いずれも同相で励振される。
上記のような同軸導波管変換器では、互いに隣り合うプローブ5〜7同士の間の間隔寸法が管内波長の整数倍となっている場合であっても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
なお、実施の形態1,2では、アレイアンテナの給電装置について説明したが、実施の形態1,2の構成を同軸導波管変換器として用いることもできる。
また、実施の形態1,2では、第1金属ブロック2の上面部に第1〜第3同軸端子8〜10を設けたが、これらの同軸端子に換えて放射素子を設けてもよい。これによって、給電用導波管1内を伝わる高周波信号をそのまま空中線へ放射可能となり、簡易な構造で、アレイアンテナを構成することができる。
さらに、実施の形態1,2では、第1〜第3プローブ5〜7の3つのプローブと、第1〜第3短絡用導体パターン部4b〜4dの3つの導体パターン部とを用いたが、プローブ及び導体パターン部の数は、3つに限る物ではなく、2つ以下又は4つ以上であってもよい。
実施の形態3.
次に、この発明の実施の形態3について説明する。実施の形態1,2では、この発明の高周波信号用の給電回路をアレイアンテナの給電装置に適用した場合について説明したが、実施の形態3以降では、この発明の高周波信号用の給電回路を電力分配合成装置に適用した場合について説明する。図6は、実施の形態3による電力分配合成装置を示す断面図である。図7は、図6のVII−VII線に沿う断面図である。図8は、図6のVIII−VIII線に沿う断面図である。図9は、図6のIX−IX線に沿う断面図である。
図において、電力分配合成装置本体21の形状は、実施の形態1,2における給電用導波管1を2つ組み合わせたものとほぼ同等の形状となっている。また、電力分配合成装置本体21は、互いに対向する第1及び第2狭壁面部21a,21bと、互いに対向する第1及び第2広壁面部21c,21dと、互いに対向する第1及び第2終端壁面部(導波管短絡部)21e,21fとを有している。第1終端壁面部21eと第2終端壁面部21fとの間の間隔寸法は、管内波長の3倍の整数倍の寸法(3λg)に設定されている。
また、電力分配合成装置本体21は、第1金属ブロック22、第2金属ブロック23、中間部金属ブロック24、第1誘電体基板としての分配側誘電体基板25、第2誘電体基板としての合成側誘電体基板26、第1〜第6分配側プローブ27〜32、合成側プローブ33、第1〜第6分配側同軸端子34〜39及び合成側同軸端子40により構成されている。
ここで、電力分配合成装置本体21は、実施の形態1における給電用導波管1を2つ組み合わせて、その2つの給電用導波管1の接続用開口部1f同士を接合させた構成に、2つの給電用導波管1における第1〜第3プローブ5〜7を第1〜第6分配側プローブ27〜32として用いて、また、2つの給電用導波管1における第1〜第3同軸端子8〜10をそれぞれ第1〜第6分配側同軸端子34〜39として用いて、さらに、2つの給電用導波管1における誘電体基板4を分配側誘電体基板25として用いて、合成側誘電体基板26、合成側プローブ33及び合成側同軸端子40を追加した構成となっている。
第1及び第2金属ブロック22,23には、それぞれ導波路形成用の溝が設けられており、第1及び第2金属ブロック22,23の断面形状は、コ字状となっている。第1金属ブロック22は、第1狭壁面部21aと、第1及び第2広壁面部21c,21dの一部(図6における上部)と、第1及び第2終端壁面部21e,21fの一部とを形成している。
第2金属ブロック23は、第2狭壁面部21bと、第1及び第2広壁面部21c,21dの一部(図6における下部)と、第1及び第2終端壁面部21e,21fの一部とを形成している。中間部金属ブロック24は、第1金属ブロック22と第2金属ブロック23との間に介在されている。また、中間部金属ブロック24は、第1及び第2広壁面部21c,21dの一部(図6における上下方向中間部)と、第1及び第2終端壁面部21e,21fの一部とを形成している。
第1金属ブロック22の上面部、即ち電力分配合成装置本体21の第1狭壁面部21aには、第1〜第6分配側プローブ挿入孔22a〜22fが電力分配合成装置本体21の管軸方向に互いに間隔をおいて設けられている。第1〜第6分配側プローブ27〜32は、それぞれ電力分配合成装置本体21の外部から第1〜第6分配側プローブ挿入孔22a〜22fに挿入されている。また、互いに隣り合う分配側プローブ27〜32同士の間の間隔寸法は、管内波長の1/2の奇数整数倍の寸法に設定されている。第1〜第6分配側同軸端子34〜39は、第1〜第6分配側プローブ挿入孔22a〜22fの開口(上端部)を塞ぎ、かつ第1〜第6分配側プローブ27〜32と第1〜第6分配側プローブ挿入孔22a〜22fの内壁との間の隙間を埋めるように、第1金属ブロック22の上面部に配置されている。
第2金属ブロック23の下面部、即ち電力分配合成装置本体21の第2狭壁面部21aには、合成側プローブ挿入孔23aが設けられている。合成側プローブ挿入孔23aは、第1終端壁面部21eと第2終端壁面部21fとの間の中間部に配置されている。即ち、合成側プローブ挿入孔23aの中心部と第1終端壁面部21eとの間の間隔寸法、及び合成側プローブ挿入孔23aの中心部と第2終端壁面部21fとの間の間隔寸法は、それぞれ管内波長の3/2の奇数整数倍の寸法に設定されている。
合成側プローブ33は、電力分配合成装置本体21の外部から合成側プローブ挿入孔23aに挿入されている。合成側同軸端子40は、合成側プローブ挿入孔23aの開口(下端)を塞ぎ、かつ合成側プローブ33と合成側プローブ挿入孔23aの内壁との間の隙間を埋めるように、第2金属ブロック23の下面部に配置されている。なお、第1〜第6分配側同軸端子34〜39の長さ寸法(第1金属ブロック22の上面部の厚さ寸法)と、合成側同軸端子40の長さ寸法(第1金属ブロック22の上面部の厚さ寸法)とは、入出力インピーダンス調整のため、互いに異なっている。
分配側誘電体基板25は、第1金属ブロック22と中間部金属ブロック24との間に介在されている。合成側誘電体基板26は、第2金属ブロック23と中間部金属ブロック24との間に介在されている。ここで、第1金属ブロック22、第2金属ブロック23、中間部金属ブロック24、分配側誘電体基板25及び合成側誘電体基板26には、複数本の固定用ボルト100が貫通している。この固定用ボルト100によって、第3〜5金属ブロック22〜24、分配側誘電体基板25及び合成側誘電体基板26が一体に組み合わされている。
分配側誘電体基板25の第1金属ブロック22及び中間部金属ブロック24との接合箇所には、金属膜による導電処理が施されている。また、分配側誘電体基板25の第1金属ブロック22及び中間部金属ブロック24との接合箇所には、第1金属ブロック22と中間部金属ブロック24とを電気的に接続するためのブロック接続用スルーホール25aが設けられている。さらに、分配側誘電体基板25の表裏両面には、電力分配合成装置本体21の管軸方向に互いに間隔をおいて、第1〜第6短絡用導体パターン部25b〜25gが金属膜により形成されている。
第1、第3及び第5短絡用導体パターン部25b,25d,25fは、それぞれ第1広壁面部21cから、第1広壁面部21cと第2広壁面部21dとの間の中間部の近傍に渡って配置されている。第2、第4及び第6短絡用導体パターン部25c,25e,25gは、それぞれ第2広壁面部21dから、第1広壁面部21cと第2広壁面部21dとの間の中間部の近傍に渡って配置されている。第1〜第6短絡用導体パターン部25b〜25gにおける第1広壁面部21cと第2広壁面部21dとの間の中央部には、それぞれプローブ接続用スルーホール25hが設けられている。
第1〜第6短絡用導体パターン部25b〜25gのプローブ接続用スルーホール25hの位置は、それぞれ第1〜第6分配側プローブ27〜32の位置に対応している。また、第1〜第6分配側プローブ27〜32の下端部は、これらのプローブ接続用スルーホール25hに挿入されて、第1〜第6短絡用導体パターン部25b〜25gに接続されている。
合成側誘電体基板26の第2金属ブロック23及び中間部金属ブロック24との接合箇所には、金属膜による導電処理が施されている。また、合成側誘電体基板26の第2金属ブロック23及び中間部金属ブロック24との接合箇所には、第2金属ブロック23と中間部金属ブロック24とを電気的に接続するためのブロック接続用スルーホール26aが設けられている。
合成側誘電体基板26には、短絡用導体パターン部26bが金属膜により形成されている。短絡用導体パターン部26bは、第2広壁面部21dから、第1広壁面部21cと第2広壁面部21dとの間の中間部の近傍に渡って配置されている。短絡用導体パターン部26bの位置は、第1及び第2狭壁面部21a,21bに対する垂直方向で合成側プローブ23の位置に対応している。短絡用導体パターン部26bにおける第1広壁面部21cと第2広壁面部21dとの間の中央部には、それぞれプローブ接続用スルーホール26cが設けられている。合成側プローブ23の上端部は、プローブ接続用スルーホール26cに挿入されて、短絡用導体パターン部26bに接続されている。他の構成は、実施の形態1と同様である。
次に、動作について説明する。合成側同軸端子40側から高周波信号が入力された場合、合成側プローブ23を介して、合成側誘電体基板26に高周波信号が伝わり、その高周波信号が合成側誘電体基板26の短絡用導体パターン部26bから、電力分配合成装置本体21の内部空間へ放射される。ここで、電力分配合成装置本体21の内部空間へ放射された電磁波は、実施の形態1における高周波信号と同様の基本モードに、電磁界分布となっている。
そして、分配側誘電体基板25の第1〜第6短絡用導体パターン部25b〜25gで磁界結合と電界結合とが生じることにより、第1〜第6短絡用導体パターン部25b〜25gを介して、高周波信号が第1〜第6分配側プローブ27〜32に伝わり、第1〜第6分配側同軸端子34〜39から高周波信号が出力される。ここで、第1〜第6分配側同軸端子34〜39から出力される高周波信号の電力は、合成側同軸端子40から入力される高周波信号の電力のほぼ1/6倍となっており、高周波信号の電力がほぼ6等分されて分配される。
また、第1〜第6分配側同軸端子34〜39に同軸ケーブルを介して放射素子(図示せず)が接続されている場合、第1〜第6分配側同軸端子34〜39から高周波信号が放射素子に給電され、その放射素子から空中線へ高周波信号が放射される。なお、第1〜第6分配側同軸端子34〜39から高周波信号が入力された場合には、合成側同軸端子40側から高周波信号が入力された場合の逆の動作となり、第1〜第6分配側同軸端子34〜39からそれぞれ入力された高周波信号が合成されて、合成側同軸端子40から出力される。
上記のような電力分配合成装置では、第1分配側誘電体基板25の第1〜第6短絡用導体パターン部25b〜25gに接続された第1〜第6分配側同軸端子プローブ27〜32と、合成側誘電体基板26の短絡用導体パターン部26bに接続された合成側プローブ33によって電力が分配・合成されるので、組立が容易でかつ安価な構成で1対6の電力の分配・合成を行うことができる。
また、電力分配合成装置本体21を複数並置してアレイアンテナの給電装置を構成した場合に、合成側同軸端子40及び第1〜第6分配側同軸端子34〜39を用いていることにより、高周波信号の入力側と出力側をともに同軸線路とすることができ、さらなる占有面積の縮小化を図ることができる。これとともに、レイアウトの自由度をより向上させることができる。
なお、実施の形態3では、第1金属ブロック22の上面部に第1〜第3分配側同軸端子34〜39を設けたが、これらの同軸端子に換えて放射素子を設けてもよい。これによって、合成側同軸端子からの高周波信号をそのまま空中線へ放射可能となり、簡易な構造で、アレイアンテナを構成することができる。
また、実施の形態3では、互いに隣り合う分配側プローブ27〜32同士の間の間隔寸法が管内波長の1/2の奇数整数倍の寸法となっていたが、実施の形態2のように、互いに隣り合う分配側プローブ27〜32同士の間の間隔寸法が管内波長の整数倍の寸法に設定されてもよい。この場合、第1〜第6短絡用導体パターン部25b〜25gは、それぞれ第1広壁面部21c又は第2広壁面部21dから、第1広壁面部21cと第2広壁面部21dとの間の中間部の近傍に渡って配置されていればよい。これによって、隣り合う分配側プローブ27〜32は、いずれも同相で励振される。
実施の形態4.
次に、この発明の実施の形態4について説明する。図10は、実施の形態4による電力分配合成装置を示す断面図である。図11は、図10のXI−XI線に沿う断面図である。図12は、図10のXII−XII線に沿う断面図である。図13は、図10のXIII−XIII線に沿う断面図である。実施の形態3では、合成側プローブ挿入孔23a、合成側プローブ33及び合成側同軸端子40が第2金属ブロック23の下面部(第2狭壁面部21b)に設けられていたが、実施の形態4では、合成側プローブ挿入孔24a、合成側プローブ33及び合成側同軸端子40が中間部金属ブロック24における第2広壁面部21dの形成箇所に設けられている。これらの合成側プローブ挿入孔24a、合成側プローブ33及び合成側同軸端子40は、電力分配合成装置本体21の管軸方向の中央部に配置されている。
第2金属ブロック23の下面部には、電力分配合成装置本体21の管軸方向に互いに間隔をおいて、第7〜第12分配側プローブ挿入孔23b〜23gと、第7〜第12分配側同軸端子41〜47とがそれぞれ電力分配合成装置本体21の管軸方向に間隔をおいて設けられている。これらの分配側プローブ挿入孔23b〜23gには、電力分配合成装置本体21の外部から第7〜第12分配側プローブ47〜52が挿入されている。第7〜第12分配側同軸端子41〜46は、第7〜第12分配側プローブ挿入孔23b〜23gの開口(下端部)を塞ぎ、かつ第7〜第12分配側プローブ挿入孔23b〜23gと第7〜第12分配側プローブ47〜52とのそれぞれの隙間を埋めるように配置されている。
ここで、実施の形態4では、実施の形態3における分配側誘電体基板25が第1分配側誘電体基板(第1誘電体基板)53として用いられ、実施の形態3における分配側誘電体基板25のブロック接続用スルーホール25aは、ブロック接続用スルーホール53aとして用いられ、また、第1〜第6短絡用導体パターン部25b〜25gは、第1〜第6短絡用導体パターン部53b〜53gとして用いられ、さらに、実施の形態3におけるプローブ接続用スルーホール25hは、プローブ接続用スルーホール53hとして用いられる。
また、実施の形態3における合成側誘電体基板26に換えて、第2分配側誘電体基板(第2誘電体基板)54が用いられる。即ち、実施の形態4では、2枚の分配側誘電体基板53,54が用いられる。実施の形態3における合成側誘電体基板26のブロック接続用スルーホール26aは、ブロック接続用スルーホール54aとして用いられる。第2分配側誘電体基板54には、第7〜第12短絡用導体パターン部54b〜54gが設けられている。この第7〜第12短絡用導体パターン部54b〜54gは、第1分配側誘電体基板53の第1〜第6短絡用導体パターン部53b〜53gを、それぞれ上下反転させたパターンとなっている。
第7〜第12短絡用導体パターン部54b〜54gにおける第1広壁面部21cと第2広壁面部21dとの間の中央部には、それぞれプローブ接続用スルーホール54hが設けられている。また、第7〜第12短絡用導体パターン部54b〜54gは、それぞれ第7〜第12分配側プローブ47〜52と接続されている。つまり、第7、第9及び第11分配側プローブ47,49,51は、それぞれ第7、第9及び第11短絡用導体パターン部54b,54d,54fを介して、第2広壁面部21dに接続されている。また、第8、第10及び第12分配側プローブ48,50,52は、それぞれ第8、第10及び第12短絡用導体パターン部54c,54e,54gを介して、第1広壁面部21cに接続されている。他の構成及び動作は、実施の形態3と同様である。
上記のような電力分配合成装置では、合成側プローブ33が第2広壁面部21dの合成側プローブ挿入孔24aに挿入されており、第7〜第12分配側プローブ48〜54がそれぞれ第2狭壁面部21bの第7〜第12分配側プローブ挿入孔23b〜23gに挿入されているので、電力分配合成装置本体21の管軸方向の長さ寸法を変えることなく、分配数を実施の形態3の電力分配合成装置よりも増加させることができる。
実施の形態5.
次に、この発明の実施の形態5について説明する。図14は、実施の形態5による電力分配合成装置を示す断面図である。図15は、図14のXV−XV線に沿う断面図である。図16は、図14のXVI−XVI線に沿う断面図である。実施の形態5では、分配側誘電体基板25及び合成側誘電体基板26には、それぞれ管内波長を調整するための複数の波長調整用開口部25i,26dが設けられている。他の構成及び動作は、実施の形態3と同様である。
上記のような電力分配合成装置では、分配側誘電体基板25に波長調整用開口部25iが設けられ、合成側誘電体基板26に波長調整用開口部26dが設けられているので、波長調整用開口部の大きさを変更することによって管内波長を調整可能となることにより、電力分配合成装置本体21の寸法が設置条件等によって制限される場合であっても、互いに隣り合うプローブ34〜39同士の間隔寸法を基準として管内波長を調整でき、レイアウトの自由度をより向上させることができる。
なお、実施の形態5では、実施の形態3の電力分配合成装置の分配側誘電体基板25及び合成側誘電体基板26に、波長調整用開口部25i,26dを設けたが、実施の形態1,2の同軸導波管変換器の誘電体基板4、又は実施形態4の電力分配合成装置の第1分配側誘電体基板53及び第2分配側誘電体基板54に波長調整用開口部を設けてもよい。
実施の形態6.
次に、この発明の実施の形態6について説明する。図17は、実施の形態6による電力分配合成装置を示す断面図である。実施の形態6では、中間部金属ブロック24の4つの側面のうち長手側の面同士の対向間隔(図中矢示X)が、電力分配合成装置本体21の管軸方向の全域に渡って、第1金属ブロック22の長手側の側面同士の対向間隔(図中矢示Y)、及び第2金属ブロック23の長手側の側面同士の対向間隔よりも狭くなっている。つまり、電力分配合成装置本体21の第1及び第2広壁面部21c,21dの幅方向中間箇所(分配側誘電体基板25と合成側誘電体基板26との間の箇所)での対向間隔が、電力分配合成装置本体21の管軸方向全域に渡って他の箇所の対向間隔よりも狭くなっている。このような構成によって、電力分配合成装置本体21は、リッジ導波管としても機能する。他の構成は、実施の形態3と同様である。なお、このような構成を実施の形態4又は実施の形態5の構成と組み合わせてもよい。
上記のような電力分配合成装置では、中間部金属ブロック24の長手側の側面同士が電力分配合成装置本体21の管軸方向の全域に渡って第1及び第2金属ブロック22,23のそれぞれの長手側の側面同士の対向間隔よりも狭いので、電力分配合成装置本体21がリッジ導波管の機能を兼ねていることにより、実施の形態3の電力分配合器よりも、遮断波長が長く、使用可能周波数帯域を低くすることができる。これとともに、第1及び第2金属ブロック22,23と中間部金属ブロック24とを組み合わせることによってリッジ導波管が形成されるので、一般的なリッジ導波管よりも簡易に製造することができる。
なお、実施の形態1では、中間部金属ブロック24の長手側の側面同士の対向間隔を、第2金属ブロック23の長手側の側面同士の対向間隔、及び第1金属ブロック22の長手側の側面同士の対向間隔よりも狭くしたが、この例に限る物ではなく、中間部金属ブロック24の内周面同士の対向間隔を、第1金属ブロック22の長手側の側面同士の対向間隔、及び第2金属ブロック22の長手側の側面同士の対向間隔よりも広くしてもよく、この場合には、遮断周波数を高く設定することができる。このように、中間部金属ブロック24の内周面同士の対向間隔は、目的の管内波長や周波数帯域に応じて適宜変更することができる。
実施の形態7.
次に、この発明の実施の形態7について説明する。図18は、実施の形態7による電力分配合成装置を示す断面図である。図19は、図18のXIX−XIX線に沿う断面図である。実施の形態7の合成側誘電体基板26では、短絡用導体パターン部26bの第1狭壁面部21a側の端面(図中、上端面)が
第1狭壁面部21a,と第2狭壁面部21bとの間の中央に配置されている。他の構成は、実施の形態3と同様である。なお、このような構成を実施の形態4〜6のいずれかの構成と組み合わせてもよい。
上記のような電力分配合成装置では、短絡用導体パターン部26bの第1狭壁面部21a側の端面が第1狭壁面部21aと第2狭壁面部21bとの間の中央に配置されているので、合成側プローブ33から第1〜第6分配側プローブ27〜32への高周波信号の分配偏差を低減させることができ、第1〜第6分配側プローブ27〜32にほぼ均等に電力を分配することができる。
実施の形態8.
次に、この発明の実施の形態8について説明する。図20は、実施の形態8による電力分配合成装置を示す断面図である。図21は、図20のXXI−XXI線に沿う断面図である。図22は、図20のXXII−XXII線に沿う断面図である。実施の形態8では、第1広壁面部21c及び第2広壁面部21dにおける電力分配合成装置本体21の管軸方向の中央部に、第1狭壁面部21aと第2狭壁面部21bとの間の全域に渡って、インピーダンス調整用の突部21gが設けられている。突部21gは、第1広壁面部21c及び第2広壁面部21dの一方から他方へ向けて突出している。また、突部21gによって、電力分配合成装置本体21の合成側プローブ33の挿入箇所での第1広壁面部21c及び第2広壁面部21dの対向間隔が、他の箇所での対向間隔よりも狭くなっている。他の構成は、実施の形態3と同様である。なお、このような構成を実施の形態4〜7のいずれかの構成と組み合わせてもよい。
上記のような電力分配合成装置では、突部21gによって、第1広壁面部21c及び第2広壁面部21dにおける電力分配合成装置本体21の管軸方向中央部の対向間隔が他の箇所での対向間隔よりも狭くなっているので、合成側同軸端子40を入力端子とした場合に入力インピーダンスを調整可能となり、同軸線路のインピーダンスと導波管とのインピーダンスとの整合を取ることができ、合成側同軸端子40から電力分配合成装置本体21の内部に入力された電力の減衰量を低減させることができる。
なお、実施の形態1〜8では、誘電体基板の短絡用導体パターン部を突出導体として用いたが、突出導体は、短絡用導体パターン部に限るものではなく、例えば図2又は図3におけるハッチング箇所のような残しパターンが加工された導体板(金属板)によっても構成することができる。
また、実施の形態1〜8では、金属ブロック同士の間に誘電体基板を介在させていたが、この例に限る物ではなく、例えば、給電用導波管又は電力分配合成装置本体の第1及び第2広壁面部の幅方向の中央部に、それぞれ給電用導波管の管軸方向に沿って溝を設けて、その溝に誘電体基板を挿し込むことによっても構成することができる。
この発明の実施の形態1によるアレイアンテナの給電装置を示す分解斜視図である。 図1の誘電体基板を示す平面図である。 図1のIII部を示す断面図である。 図1の給電用導波管内の高周波信号の伝搬状態を説明するための説明図である。 この発明の実施の形態2によるアレイアンテナの給電装置の一部を示す平面図である。 この発明の実施の形態3による電力分配合成装置を示す断面図である。 図6のVII−VII線に沿う断面図である。 図6のVIII−VIII線に沿う断面図である。 図6のIX−IX線に沿う断面図である。 この発明の実施の形態4による電力分配合成装置を示す断面図である。 図10のXI−XI線の沿う断面図である。 図10のXII−XII線の沿う断面図である。 図10のXIII−XIII線の沿う断面図である。 この発明の実施の形態5による電力分配合成装置を示す断面図である。 図14のXV−XV線に沿う断面図である。 図14のXVI−XVI線に沿う断面図である。 この発明の実施の形態6による電力分配合成装置を示す断面図である。 この発明の実施の形態7による電力分配合成装置を示す断面図である。 図18のXIX−XIX線に沿う断面図である。 この発明の実施の形態8による電力分配合成装置を示す断面図である。 図20のXXI−XXI線に沿う断面図である。 図20のXXII−XXII線に沿う断面図である。
符号の説明
1 給電用導波管、1a 第1狭壁面部、1b 第2狭壁面部、1c 第1広壁面部、1d 第2広壁面部、1e 終端壁面部、2 金属ブロック、2a〜2c 第1〜第3プローブ挿入孔、3 金属ブロック、4 誘電体基板、4b〜4d 第1〜第3短絡用導体パターン部(突出導体)、5 第1プローブ、6 第2プローブ、7 第3プローブ、21 電力分配合成装置本体、21a 第1狭壁面部、21b 第2狭壁面部、21c 第1広壁面部、21d 第2広壁面部、21e 第1終端壁面部、21f 第2終端壁面部、21g 突部、22 第1金属ブロック、22a〜22f 第1〜第6分配側プローブ挿入孔、23 第2金属ブロック、23a 合成側プローブ挿入孔、23b〜23g 第7〜第12分配側プローブ挿入孔、24 中間部金属ブロック、25 分配側誘電体基板(第1誘電体基板)、25b〜25g 第1〜第6短絡用導体パターン部(突出導体)、25i 波長調整用開口部、26 合成側誘電体基板(第2誘電体基板)、26b 短絡用導体パターン部(突出導体)、26d 波長調整用開口部、27〜32 第1〜第6分配側プローブ、33 合成側プローブ、47〜52 第7〜第12分配側プローブ、53 第1分配側誘電体基板(第1誘電体基板)、53b〜53g 第1〜第6短絡用導体パターン部(突出導体)、54 第2分配側誘電体基板(第2誘電体基板)、54b〜54g 第7〜第12短絡用導体パターン部(突出導体)。

Claims (14)

  1. プローブ挿入孔が設けられた第1狭壁面部と、上記第1狭壁面部に対向する第2狭壁面部と、上記第1及び第2狭壁面部よりも幅広であり互いに対向する第1及び第2広壁面部とを有する断面矩形状の給電用導波管、
    上記給電用導波管の上記第1狭壁面部と上記第2狭壁面部との間に設けられ、かつ上記第1及び第2広壁面部の少なくともいずれか一方から上記第1広壁面部と第2広壁面部との間の中間部まで突出する突出導体、及び
    上記給電用導波管の外部から上記プローブ挿入孔に挿入されて上記突出導体に接続され、上記給電用導波管の内部と外部との一方から他方へ高周波信号を伝えるプローブ
    を備えていることを特徴とする高周波信号用の給電回路。
  2. 上記給電用導波管内の上記第1狭壁面部と上記第2狭壁面部との間の中間部に設けられ、上記第1及び第2広壁面部に接しかつ上記第1及び第2狭壁面部に対して平行に配置された誘電体基板
    をさらに備え、
    上記誘電体基板の表面には、上記突出導体をなす導体パターン部が上記第1及び第2広壁面部の少なくともいずれか一方から、上記第1広壁面部と上記第2広壁面部との間の中間部とに渡って形成されていることを特徴とする請求項1記載の高周波信号用の給電回路。
  3. 上記プローブは、上記給電用導波管の管軸方向に間隔をおいて、複数設けられており、
    上記導体パターン部は、上記各プローブに個別に対応するように上記給電用導波管の管軸方向に間隔をおいて、複数設けられていることを特徴とする請求項2記載の高周波信号用の給電回路。
  4. 互いに隣り合う上記導体パターン部同士の間の間隔寸法は、高周波信号の管内波長の整数倍の寸法に設定されていることを特徴とする請求項3記載の高周波信号用の給電回路。
  5. 互いに隣り合う上記導体パターン部同士の間の間隔寸法は、高周波信号の管内波長の1/2奇数整数倍の寸法に設定されていることを特徴とする請求項3記載の高周波信号用の給電回路。
  6. 互いに隣り合う上記導体パターン部同士のうちの一方は、上記第1広壁面部から上記第1広壁面部と上記第2広壁面部との間の中間部に渡って形成されており、
    互いに隣り合う上記導体パターン部同士のうちの他方は、上記第2広壁面部から上記第1広壁面部と上記第2広壁面部との間の中間部に渡って形成されていることを特徴とする請求項5記載の高周波信号用の給電回路。
  7. 上記給電用導波管は、上記第1狭壁面部を形成する断面コ字状の第1金属ブロックと、上記第2狭壁面部を形成する断面コ字状の第2金属ブロックとによって、組み合わされて構成されており、
    上記誘電体基板は、上記第1金属ブロックと上記第2金属ブロックとの間に介在されていることを特徴とする請求項2から請求項6までのいずれか1項に記載の高周波信号用の給電回路。
  8. 上記給電用導波管の管軸方向の両端は、終端壁面部によって閉塞されており、
    上記プローブは、分配側プローブであり、
    上記第2狭壁面部には、プローブ挿入孔が設けられており、
    上記第2狭壁面部の上記プローブ挿入孔には、上記給電導波管の内部と外部との一方から他方へ高周波信号を伝える合成側プローブが上記給電用導波管の外部から挿入されており、
    上記誘電体基板は、第1誘電体基板であり、
    上記給電用導波管内には、上記第1誘電体基板から第2狭壁面側に間隔をおいて、第2誘電体基板が設けられており、
    上記第2誘電体基板の表面には、上記突出導体をなす導体パターン部が形成されており、
    上記合成側プローブは、上記第2誘電体基板の上記導体パターン部に接続されていることを特徴とする請求項3から請求項6までのいずれか1項に記載の高周波信号用の給電回路。
  9. 上記第2誘電体基板は、上記第2誘電体基板の上記導体パターン部が上記第1狭壁面部と上記第2狭壁面部との間の中央となるように配置されていることを特徴とする請求項8記載の高周波信号用の給電回路。
  10. 上記第1及び第2広壁面部には、上記合成側プローブの挿入箇所での上記第1及び第2広壁面部の対向間隔を、他の箇所の上記第1及び第2広壁面部の対向間隔よりも狭めるように、上記給電導波管のインピーダンス調整用の突部がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の高周波信号用の給電回路。
  11. 上記給電用導波管の管軸方向の両端は、終端壁面部によって閉塞されており、
    上記プローブは、第1分配側プローブであり、
    上記第2狭壁面部には、複数のプローブ挿入孔が上記給電用導波管の管軸方向に互いに間隔をおいて設けられており、
    上記第2狭壁面部の上記各プローブ挿入孔には、第2分配側プローブが挿入されており、
    上記誘電体基板は、上記第1及び第2狭壁面部に対する垂直方向に互いに間隔をおいて配置された第1及び第2誘電体基板であり、
    上記第1及び第2広壁面部のいずれか一方には、プローブ挿入孔が設けられており、
    そのプローブ挿入孔には、上記給電用導波管の内部と外部との一方から他方へ高周波信号を伝える合成側プローブが上記給電用導波管の外部から挿入されていることを特徴とする請求項3から請求項6までのいずれか1項に記載の高周波信号用の給電回路。
  12. 上記給電用導波管は、上記第1狭壁面部を形成する断面コ字状の第1金属ブロックと、上記第2狭壁面部を形成する断面コ字状の第2金属ブロックと、上記第1及び第2金属ブロックの間に配置される中間部金属ブロックとによって、組み合わされて構成されており、
    上記第1誘電体基板は、上記第1金属ブロックと上記中間部金属ブロックとの間に介在されており、
    上記第2誘電体基板は、上記中間部金属ブロックと上記第2金属ブロックとの間に介在されていることを特徴とする請求項8から請求項11までのいずれか1項に記載の高周波信号用の給電回路。
  13. 上記中間部金属ブロックの長手側側面同士の間の間隔は、上記第1及び第2金属ブロックの長手側側面同士の間の間隔と異なっていることを特徴とする請求項12記載の高周波信号用の給電回路。
  14. 上記誘電体基板には、高周波信号の管内波長を調整するため波長調整用開口部が設けられていることを特徴とする請求項2から請求項13までのいずれか1項に記載の高周波信号用の給電回路。
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