JP2009010156A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】幅の異なるパターンを同時に容易に形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜1上に複数のライン状のパターンを形成する工程と、複数のライン状のパターンの各側壁に側壁膜を形成する工程と、被加工膜1上、及び複数のライン状のパターンの各側壁に形成された側壁膜間に、複数のライン状のパターンと主元素が同一の材料である材料膜を堆積する工程と、材料膜をエッチングし、側壁膜間でライン状のパターンとして孤立させると共に、被加工膜1上でライン状のパターンより幅の広いパターンを形成する工程と、材料膜をエッチングした後、側壁膜を除去する工程とを備える。
【選択図】図9A
【解決手段】被加工膜1上に複数のライン状のパターンを形成する工程と、複数のライン状のパターンの各側壁に側壁膜を形成する工程と、被加工膜1上、及び複数のライン状のパターンの各側壁に形成された側壁膜間に、複数のライン状のパターンと主元素が同一の材料である材料膜を堆積する工程と、材料膜をエッチングし、側壁膜間でライン状のパターンとして孤立させると共に、被加工膜1上でライン状のパターンより幅の広いパターンを形成する工程と、材料膜をエッチングした後、側壁膜を除去する工程とを備える。
【選択図】図9A
Description
本発明は、パターン形成方法に関する。
半導体装置の微細化の進展に伴い、リソグラフィの解像限界を下回るパターンを形成可能な技術として、ダミーパターンの側面に形成した側壁パターンを下地領域のエッチングのマスクに用いる、いわゆる側壁転写パターン形成方法が知られている。例えば、特許文献1には、下地領域上に第1のマスクパターンを形成した後、下地領域上に第1のピッチで形成した複数のダミーラインパターンの側面に所定マスク部分を有する第2のマスクパターンを形成し、ダミーラインパターンを除去することにより、第1のマスクパターン及び所定マスク部分を下地領域のエッチング時のマスクとして用いる半導体装置の製造方法が記載されている。
しかし、特許文献1に記載の半導体装置の製造方法においては、ダミーラインパターンの側面に形成した第2のマスクパターンの両端部をエッチングする工程を経るので、幅の広い部分を有するラインパターンを同時に形成することが困難である。
特開2006−303022号公報
本発明の目的は、幅の異なるパターンを同時に容易に形成することができるパターン形成方法を提供することにある。
本発明の一態様は、被加工膜上に複数のライン状のパターンを形成する工程と、複数のライン状のパターンの各側壁に側壁膜を形成する工程と、被加工膜上、及び複数のライン状のパターンの各側壁に形成された側壁膜間に、複数のライン状のパターンと主元素が同一の材料である材料膜を堆積する工程と、材料膜をエッチングし、側壁膜間でライン状のパターンとして孤立させると共に、被加工膜上でライン状のパターンより幅の広いパターンを形成する工程と、材料膜をエッチングした後、側壁膜を除去する工程とを備えるパターン形成を提供する。
また、本発明の他の一態様は、被加工膜上に第1の有機膜、第1の無機膜、及び第1のレジストを積層する工程と、第1のレジストに所定形状の第1のパターンを形成する工程と、第1のパターンを第1の無機膜及び第1の有機膜に順次転写して、被加工膜上に第1の有機膜のパターンを形成する工程と、被加工膜上に形成された第1の有機膜のパターンの側壁に、第2の無機膜を形成する工程と、第2の無機膜が側壁に形成された第1の有機膜のパターンを、第1の有機膜と主元素が同一の第2の有機膜で埋める工程と、第2の無機膜と主元素が同一の第3の無機膜を第2の有機膜上に形成する工程と、第3の無機膜上に第2のレジストを堆積し、所定形状の第2のパターンを第2のレジストに形成する工程と、第2のパターンを第3の無機膜及び第2の有機膜に順次転写する工程と、第2のパターンを順次転写した後、第2の無機膜及び第3の無機膜を除去する工程とを備えるパターン形成方法を提供する。
本発明によれば、幅の異なるパターンを同時に容易に形成することができるパターン形成方法を提供することができる。
[第1の実施の形態]
(パターンの形成方法)
図1Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第1の工程の上面図であり、図1Bは、図1AのA−A’線での第1の工程の縦断面図である。
(パターンの形成方法)
図1Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第1の工程の上面図であり、図1Bは、図1AのA−A’線での第1の工程の縦断面図である。
図1Bに示すように、所定の不純物をドープしたポリシリコンから形成される被加工膜1の上に、シリコン窒化膜2をCVD(Chemical Vapor Deposition)により堆積する。そして、カーボンを含有する第1の材料膜又は第1の有機膜としてのカーボン膜3、第1の無機膜としてのSOG(Spin On Glass)4、第1のレジストとしてのレジスト5をこの順にシリコン窒化膜2の上に積層する。一例として、カーボン膜3は500nm、SOG4は80nm、レジスト5は200nmの厚さで形成する。ここで、カーボン膜3は、以下の工程において述べるリソグラフィー法による加工の時に、被加工膜1及びシリコン窒化膜2で反射されてレジスト5に到達する光を低減させることを目的として、露光光を吸収するカーボン(C)を主成分とする。
なお、被加工膜1は、例えば、シリコン酸化物又はシリコン窒化物を含む材料から形成してもよい。また、シリコン窒化膜2を用いずに、被加工膜1の上に直接カーボン膜3を堆積してもよい。この場合には、以下に述べる各工程においてシリコン窒化膜2の上方に施す加工は、被加工膜1の上方においてなされることとなる。また、SOG4を用いずに、カーボン膜3の上に直接レジスト5を堆積してもよい。
図2Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第1の工程に続く第2の工程の上面図であり、図2Bは、第1の実施の形態に係る図2AのA−A’線での第2の工程の縦断面図である。
第2の工程においては、リソグラフィー法を用いて所定の形状のパターンをレジスト5に形成する。具体的には、図2Aに示すように、互いに平行に配列した複数のライン状のパターンをレジスト5に形成する。なお、複数のライン状のパターンはそれぞれ、各ライン状のパターンの端部において互いに結合して櫛状のパターンを形成する。これにより、レジスト5のパターンが形成された領域を除き、SOG4が露出する。
ここで、レジスト5で形成するパターンは、リソグラフィー法によって形成することのできる限界の幅で形成することができる。一例として、レジスト5で形成する櫛状のパターンの櫛の歯(ライン状のパターン)に相当する部分の幅aは45nmに形成し、一のライン状のパターンと隣接する他のライン状のパターンとのピッチbは90nmに形成する。
図3Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第2の工程に続く第3の工程の上面図であり、図3Bは、第1の実施の形態に係る図3AのA−A’線での第3の工程の縦断面図である。
第3の工程においては、レジスト5のパターンをマスクとして、CHF3等のガスを用いたRIE(Reactive Ion Etching)によりSOG4をドライエッチングする。これにより、レジスト5により形成された複数のライン状のパターンがSOG4に転写される。
図4Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第3の工程に続く第4の工程の上面図であり、図4Bは、第1の実施の形態に係る図4AのA−A’線での第4の工程の縦断面図である。
第4の工程では、O2等を用いたプラズマアッシング処理によりレジスト5をSOG4から剥離すると共に、SOG4をマスクとしてカーボン膜3をドライエッチングする。これにより、シリコン窒化膜2上にSOG4のパターンを転写したカーボン膜3が形成される。
図5Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第4の工程に続く第5の工程の上面図であり、図5Bは、第1の実施の形態に係る図5AのA−A’線での第5の工程の縦断面図である。
第5の工程においては、スリミングプロセスを用いて、カーボン膜3の側壁を選択的にサイドエッチングしてカーボン膜3の幅を細める。カーボン膜3は、レジスト5及びSOG4に形成されたパターン寸法よりも細い寸法のパターンに加工される。一例として、A−A’線における断面図に示したカーボン膜3の幅は、SOG4の幅の略1/2にまで加工される。
ここで、スリミングプロセスでは、シリコン窒化膜2に対するエッチングレートよりもカーボン膜3に対するエッチングレートの方が大きいエッチャントを用いてカーボン膜3の側壁をエッチングする。一例として、O2にCl、CF4等を混合したガスを用いたドライエッチングが本実施形態に係るスリミングプロセスに用いられる。また、スリミングプロセスにおいて加工するカーボン膜3の幅は、上記の例に限られず、スリミングプロセスを経た後において、スリミングプロセスを経る前よりもカーボン膜3の幅が減少していればよい。
なお、第2の工程においてSOG4の上に形成したレジスト5のパターン幅をスリミングして、スリミングしたレジスト5のパターンをマスクとして用いてもよい。すなわち、レジスト5のパターンの幅を、第5の工程においてカーボン膜3から形成されるパターンの幅までスリミングして、スリミングしたレジスト5のパターンをSOG4に転写する。そして、SOG4のパターンをカーボン膜3に転写することにより、第5の工程において実施したスリミングプロセスを省略してもよい。
図6Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第5の工程に続く第6の工程の上面図であり、図6Bは、第1の実施の形態に係る図6AのA−A’線での第6の工程の縦断面図である。
第6の工程においては、ウェットエッチングによりSOG4を選択的にエッチングして除去する。ウェットエッチングには、カーボン膜3及びシリコン窒化膜2に対するエッチングレートよりも、SOG4に対するエッチングレートの方が大きいエッチャントを用いる。これにより、シリコン窒化膜2上には、レジスト5及びSOG4に形成されたパターン寸法を細めたパターン寸法を有する複数のライン状のパターンが形成される。
図7Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第6の工程に続く第7の工程の上面図であり、図7Bは、第1の実施の形態に係る図7AのA−A’線での第7の工程の縦断面図である。
第7の工程においては、まず、シリコン窒化膜2の上面に、シリコン酸化膜7をCVD等により一様に堆積する。具体的には、シリコン窒化膜2上に形成されたカーボン膜3のパターンが覆われる厚さのシリコン酸化膜7を、シリコン窒化膜2の上面に堆積する。そして、RIE等のドライエッチングを用いて、シリコン窒化膜2及びカーボン膜3に対してシリコン酸化膜7を選択的に異方性加工する。
これにより、カーボン膜3から形成された複数のライン状のパターンの側壁に、第2の無機膜としてのシリコン酸化膜7からなる側壁膜が形成される。なお、複数のライン状のパターンを有するカーボン膜3の側壁に形成されるシリコン酸化膜7それぞれの間の間隔dが、ライン状のパターンとしてのカーボン膜3の幅cと略等しい厚さとなるように、シリコン酸化膜7は加工される。
図8Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第7の工程に続く第8の工程の上面図であり、図8Bは、第1の実施の形態に係る図8AのA−A’線での第8の工程の縦断面図である。
第8の工程においては、シリコン窒化膜2の上面にカーボン膜3から形成された複数のライン状のパターンと主元素が同一である材料で形成される材料膜又は第2の有機膜としての膜を一様に堆積する。本実施形態においては、材料膜としてのカーボン膜8をシリコン窒化膜2の上面に一様に堆積する。そして、CMP(Chemical Mechanical Polishing)等により堆積したカーボン膜8の上面を平坦化する。この場合に、カーボン膜8で覆われたシリコン酸化膜7から形成されるパターン、及びカーボン膜3から形成されたパターンが表面に露出するまで、カーボン膜8の上面を平坦化する。これにより、シリコン窒化膜2の上にカーボン膜8が形成されると共に、カーボン膜3からなる複数のライン状のパターンの各側壁に形成されたシリコン酸化膜7間にもカーボン膜8が形成される。
図9Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第8の工程に続く第9の工程の上面図であり、図9Bは、第1の実施の形態に係る図9AのB−B’線での第9の工程の縦断面図である。
第9の工程においては、まず、平坦化した後のカーボン膜3、シリコン酸化膜7、及びカーボン膜8の上面に、第3の無機膜としてシリコン酸化膜9を堆積する。更に、堆積したシリコン酸化膜9の上面に第2のレジストとしてのレジスト10を塗布する。そして、リソグラフィー法を用いて、レジスト10を所定形状のパターンに加工する。
この場合に、カーボン膜3により形成される第1のパターン、すなわち、図8AのA−A’線での断面において示されるカーボン膜3のパターン、及びカーボン膜3からなる複数のライン状のパターンの各側壁に形成されたシリコン酸化膜7間のカーボン膜8のパターンの孤立化と、第1のパターンよりも幅が広い第2のパターンの形成とが行われるように、シリコン酸化膜9の上でレジスト10の複数のパターンが位置合わせされる。
すなわち、カーボン膜3から形成されてライン状を有する複数のパターンのそれぞれを結合する端部の領域をエッチングするパターンを、レジスト10から形成する。同時に、カーボン膜3からなる複数のライン状のパターンの各側壁に形成されたシリコン酸化膜7間のカーボン膜8のそれぞれを孤立させる形状のパターンを、レジスト10から形成する。更に、ライン状のパターンを有するカーボン膜3のパターン幅よりも広い幅のパターンを、レジスト10から形成する。
図10Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第9の工程に続く第10の工程の上面図であり、図10Bは、第1の実施の形態に係る図10AのB−B’線での第10の工程の縦断面図である。
第10の工程においては、CHF3等を用いたRIEにより、第9の工程で形成したレジスト10のパターンをマスクとして、シリコン酸化膜9をエッチングする。続いて、O2等を用いたRIEにより、カーボン膜8をシリコン酸化膜9及びシリコン窒化膜2に対して選択的にエッチングする。このとき、シリコン酸化膜9の上のレジスト10もエッチング除去される。これにより、レジスト10のパターンに応じた形状に、カーボン膜8が加工される。
図11Aは、本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成方法の第10の工程に続く第11の工程の上面図であり、図11Bは、第1の実施の形態に係る図11AのB−B’線での第11の工程の縦断面図である。
第11の工程においては、希フッ酸等のエッチャントを用いたウェットエッチングにより、シリコン酸化膜9及びシリコン酸化膜7を、シリコン窒化膜2並びにカーボン膜3及びカーボン膜8に対して選択的にエッチングして除去する。本実施形態では、シリコン酸化膜9とシリコン酸化膜7とが同一材料から形成されているので、希フッ酸を用いた一度のエッチングにより双方を除去できる。これにより、第2の工程においてレジスト5を用いて形成したパターンの幅を細めると共に、第2の工程において形成したライン状のパターンのピッチを狭めたライン状のパターンが形成される。更に、これらのパターンと同時に、これらのパターンよりも幅が広いパターンが形成される。
一例として、第11の工程を経ることによりシリコン窒化膜2の上には、カーボン膜3から形成される幅cが22.5nmのライン状のパターン、及びカーボン膜8から形成される幅dが22.5nmのライン状のパターンが形成される。そして、一例として、カーボン膜3から形成されるライン状のパターンとカーボン膜8から形成されるライン状のパターンとのピッチeは、第2の工程においてレジスト5を用いて形成したライン状のパターンのピッチbの1/2の45nmに形成される。この後、得られたパターン、すなわち図11Aにおいて示されるカーボン膜3及びカーボン膜8から形成されたパターンを、シリコン窒化膜2及び被加工膜1に順次転写して、例えばポリシリコンからなる電極パターンを形成することができる。
(実施の形態の効果)
この第1の実施の形態によれば、リソグラフィー法により形成できるパターン幅よりも細いパターン幅を有すると共に、リソグラフィー法により形成できるピッチよりも狭いピッチの細線パターンと、細線パターンよりも太い幅を有するパターンとを容易に形成することができる。
この第1の実施の形態によれば、リソグラフィー法により形成できるパターン幅よりも細いパターン幅を有すると共に、リソグラフィー法により形成できるピッチよりも狭いピッチの細線パターンと、細線パターンよりも太い幅を有するパターンとを容易に形成することができる。
また、この第1の実施の形態によれば、細線パターンと細線パターンよりも太い幅を有するパターンとを同時に形成することができ、下地層としての被加工膜又はシリコン窒化膜の上で直接行われるリソグラフィー及びエッチングの回数を減少させることができるので、エッチング加工後において、下地層としての被加工膜又はシリコン窒化膜に段差が発生することを抑制できる。
なお、被加工膜1はシリコン等の半導体上に形成されてもよい。この場合、本実施形態において形成する所定のパターンを被加工膜1に転写した後、被加工膜1から形成されるパターンを、被加工膜1の下の半導体の加工に用いるマスクとして機能させてもよい。
[第2の実施の形態]
図12Aは、本発明の第2の実施の形態に係るパターン形成方法の上面図であり、図12Bは、第2の実施の形態に係る図12AのC−C’線での工程の縦断面図である。
図12Aは、本発明の第2の実施の形態に係るパターン形成方法の上面図であり、図12Bは、第2の実施の形態に係る図12AのC−C’線での工程の縦断面図である。
第2の実施の形態においては、シリコン窒化膜2の上に形成するカーボン膜3の形状が第1の実施の形態と異なる点を除き、第1の実施の形態と略同一の工程において所定のパターンを形成する。したがって、第1の実施の形態と略同一の工程についての詳細は省略する。
第2の実施の形態においては、第1の実施の形態の第1の工程から第8の工程と同様にして、図12A及び図12Bに示すような形態を形成することができる。すなわち、第2の実施の形態においては、フィン状のカーボン膜3をシリコン窒化膜2の上に形成した後、形成したフィン状のカーボン膜3の側壁にシリコン酸化膜7を形成する。そして、カーボン膜3が形成されていないシリコン窒化膜2の上の領域にカーボン膜8を堆積する。続いて、カーボン膜8の上面をCMPにより平坦化することにより、図12A及び図12Bに示す形態を形成することができる。
図13Aは、本発明の第2の実施の形態に係るパターン形成方法の図12A及び図12Bに示す工程に続く工程の上面図であり、図13Bは、第2の実施の形態に係る図13AのC−C’線での工程の縦断面図である。
図13Aに示すように、この工程では、まず、シリコン酸化膜9をCMPにより平坦化した後のカーボン膜8上の全面に堆積する。そして、カーボン膜3の領域の上、及びシリコン酸化膜7で挟まれた領域のカーボン膜8の領域の上を含む所定の領域を覆うパターン、並びにカーボン膜3のパターンの幅よりも広い幅を有するパターンを、リソグラフィー法を用いてレジスト10により形成する。
図14Aは、本発明の第2の実施の形態に係るパターン形成方法の図13A及び図13Bに示す工程に続く工程の上面図であり、図14Bは、第2の実施の形態に係る図14AのC−C’線での工程の縦断面図である。
この工程においては、CHF3等を用いたRIEにより、レジスト10のパターンをマスクとして、シリコン酸化膜9をエッチングする。続いて、O2等を用いたRIEにより、カーボン膜8をシリコン酸化膜9及びシリコン窒化膜2に対して選択的にエッチングする。このとき、シリコン酸化膜9の上のレジスト10もエッチング除去される。これにより、レジスト10のパターンに応じた形状を有するカーボン膜8が得られる。
図15Aは、本発明の第2の実施の形態に係るパターン形成方法の図14A及び図14Bに示す工程に続く工程の上面図であり、図15Bは、第2の実施の形態に係る図15AのC−C’線での工程の縦断面図である。
この工程においては、希フッ酸等のエッチャントを用いたウェットエッチングにより、シリコン酸化膜9及びシリコン酸化膜7をシリコン窒化膜2に対して選択的にエッチングして除去する。これにより、カーボン膜8から形成される第1の細線パターンと、カーボン膜3から形成され第1の細線パターンよりも短い長さの第2の細線パターンとが交互に配置されて形成される。また、第1の細線パターン及び第2の細線パターンと同時に、第1の細線パターン及び第2の細線パターンよりも幅が広いパターンが形成される。この後は、第1の実施の形態と同様に、図15Aにおいて示されるカーボン膜3及びカーボン膜8から形成されたパターンを、下地層としてのシリコン窒化膜2及び被加工膜1に順次転写する。第2の実施の形態においても、第1の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。
1 被加工膜
3、8 カーボン膜
4 SOG
5、10 レジスト
7、9 シリコン酸化膜
3、8 カーボン膜
4 SOG
5、10 レジスト
7、9 シリコン酸化膜
Claims (5)
- 被加工膜上に複数のライン状のパターンを形成する工程と、
複数の前記ライン状のパターンの各側壁に側壁膜を形成する工程と、
前記被加工膜上、及び複数の前記ライン状のパターンの各側壁に形成された前記側壁膜間に、複数の前記ライン状のパターンと主元素が同一の材料である材料膜を堆積する工程と、
前記材料膜をエッチングし、前記側壁膜間でライン状のパターンとして孤立させると共に、前記被加工膜上で前記ライン状のパターンより幅の広いパターンを形成する工程と、
前記材料膜をエッチングした後、前記側壁膜を除去する工程と
を備えるパターン形成方法。 - 複数のライン状のパターンを形成する前記工程は、
前記被加工膜上に第1の材料膜を堆積する工程と、
リソグラフィー法により複数の前記ライン状のパターンよりもそれぞれ幅が広いパターンを前記第1の材料膜に複数形成する工程と、
前記第1の材料膜に形成された幅が広い前記パターンをスリミングして、前記第1の材料膜に複数の前記ライン状のパターンを形成する工程と
を有する請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記第1の材料膜はカーボンを含み、前記側壁膜はシリコン酸化物を含む請求項2に記載のパターン形成方法。
- 被加工膜上に第1の有機膜、第1の無機膜、及び第1のレジストを積層する工程と、
前記第1のレジストに所定形状の第1のパターンを形成する工程と、
前記第1のパターンを前記第1の無機膜及び前記第1の有機膜に順次転写して、前記被加工膜上に前記第1の有機膜のパターンを形成する工程と、
前記被加工膜上に形成された前記第1の有機膜のパターンの側壁に、第2の無機膜を形成する工程と、
前記第2の無機膜が側壁に形成された前記第1の有機膜のパターンを、前記第1の有機膜と主元素が同一の第2の有機膜で埋める工程と、
前記第2の無機膜と主元素が同一の第3の無機膜を前記第2の有機膜上に形成する工程と、
前記第3の無機膜上に第2のレジストを堆積し、所定形状の第2のパターンを前記第2のレジストに形成する工程と、
前記第2のパターンを前記第3の無機膜及び前記第2の有機膜に順次転写する工程と、
前記第2のパターンを順次転写した後、前記第2の無機膜及び前記第3の無機膜を除去する工程と
を備えるパターン形成方法。 - 前記第1の有機膜及び前記第2の有機膜がカーボンを含み、前記第2の無機膜及び前記第3の無機膜がシリコン酸化物を含む請求項4に記載のパターン形成方法。
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