JP2009004536A - 熱伝導性樹脂シート及びこれを用いたパワーモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 樹脂と、界面活性剤で被覆され熱伝導性で且つ絶縁性の充填材とを備え、上記充填材を上記樹脂中に分散させる。また、熱伝導性で且つ絶縁性の充填材と、界面活性剤とを備え、上記充填材と上記界面活性剤を上記樹脂中に分散させる。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明に係る実施の形態1における熱伝導性樹脂シート4の断面を模式化してその一部を示した模式図である。図1において、熱伝導性樹脂シート4は、例えば窒化アルミニウムからなる粒子状の充填材1がマトリックス樹脂3中に充填されており、充填材1の接触により伝熱路を確保して熱伝導性を高め、充填材1間の隙間が樹脂3で埋められている。さらに充填材1には例えばカルボン酸エステルを含む界面活性剤2が0.1μm程度コーティングされている。
この熱伝導性樹脂シート4においては、界面活性剤2により充填材1同士の接触抵抗が小さくなるため、充填材1の充填量を増大することができる。また樹脂3が空間に回りこみ易くなるため、空隙率を小さくすることができる。
なお、界面活性剤2の厚さは、充填材1同士の接触抵抗を小さくでき、熱伝導を妨げない厚さとすることが好ましく。0.01〜10μm程度がよい。さらに好ましくは0.1〜1μm程度がよい。
図2は、本発明に係る実施の形態2における熱伝導性樹脂シート4の断面を模式化してその一部を示した模式図である。図2において、熱伝導性樹脂シート4は、例えば窒化アルミニウムからなる粒子状の充填材1がマトリックス樹脂3中に充填されており、充填材1の接触により伝熱路を確保して熱伝導性を高め、充填材1間の隙間が樹脂3で埋められている。さらに充填材1と樹脂3とを混練する際にカルボン酸エステルを含む界面活性剤2をマトリクスとなる樹脂3にあらかじめ溶解させ界面活性剤2を混合させた。
この熱伝導性樹脂シート4においては、界面活性剤2により充填材1同士の接触抵抗が小さくなるため、充填材1の充填量を増大することができる。また樹脂3が空間に回りこみ易くなるため、空隙率を小さくすることができる。
界面活性剤2は、充填材1同士の接触抵抗を小さくでき、熱伝導を妨げない程度混合されていることが好ましく、例えば充填材の総質量に対して0.0005〜30質量%程度とすればよい。
界面活性剤2は、樹脂3に分散させて混合させてもよい。
図3は、本発明に係る実施の形態3における熱伝導性樹脂シート4の断面を模式化してその一部を示した模式図である。図3において、熱伝導性樹脂シート4は例えば窒化アルミニウムからなる粒子状の充填材1と例えば窒化硼素からなる扁平状充填材5がマトリックス樹脂3中に充填されており、充填材1と扁平状充填材5の隙間が樹脂3で埋められている。さらに充填材1には例えばカルボン酸エステルを含む界面活性剤2が0.1μm程度コーティングされている。この熱伝導性樹脂シート4は、充填材1の接触により伝熱路を確保して熱伝導性を高め、さらに充填材1の間に扁平状充填材5が介在することにより、熱伝導性樹脂シート4の厚さ方向に分布する隣接する充填材1同士が、扁平状充填材5により繋がれ、伝熱経路を形成するため、熱が熱伝導性樹脂シート4の厚さ方向に伝わり易くなる。扁平状充填材5は界面活性剤2により充填材1の周囲にすべり込みやすいため、充填率を向上できるとともに、厚さ方向に配列しやすくなり、厚さ方向の熱伝導性を向上させることができる。
図5は、本発明に係る実施の形態4における熱伝導性樹脂シート4の断面を模式化してその一部を示した模式図である。図5において、熱伝導性樹脂シート4は例えば窒化アルミニウムからなる粒子状の充填材1と例えば窒化硼素からなる扁平状充填材5がマトリックス樹脂3中に充填されており、充填材1と扁平状充填材5の隙間が樹脂3で埋められている。さらに充填材1、扁平状充填材5および樹脂3を混練する際にカルボン酸エステルを含む界面活性剤2をマトリクスとなる樹脂3にあらかじめ溶解させ界面活性剤2を混合させた。
この熱伝導性樹脂シート4においては、界面活性剤2により充填材1および扁平状充填材5の接触抵抗が小さくなるため、充填材1および扁平状充填材5の充填量を増大することができる。また樹脂3が空間に回りこみ易くなるため、空隙率を小さくすることができる。
界面活性剤2は、充填材1同士の接触抵抗を小さくでき、熱伝導を妨げない程度混合されていることが好ましく、例えば充填材の総質量に対して0.0005〜30質量%程度とすればよい。
界面活性剤2は、樹脂3に分散させて混合させてもよい。
さらに添加量を増大させると粒子状の充填材1と扁平状充填材5の量を増やせなくなり、熱伝導率を低下させ好ましくないため、20質量%以下程度とするのが好ましい。さらに好ましくは、10質量%以下である。
界面活性剤2を用いない場合粒子状の充填材1と扁平状充填材5との滑りが悪いことにより、分散性が悪くなり、樹脂3が回りこみにくくなってボイドが発生しやすく、ボイドに起因した絶縁破壊が起こるものと思われる。少量であると、粒子状の充填材1と扁平状充填材5の表面にまわりこめず、分散性が改善できない。また多すぎると凝集により分散性が悪くなることによりボイドが発生し破壊電界を低下させるものと思われる。
充填材1あるいは扁平状充填材5の表面には通常凹凸が存在するが、界面活性剤2が吸着することにより、該凹凸を緩和でき表面は滑らかになる。さらに界面活性材2は潤滑性を有するので、充填材同士がぶつかる場合に比べ、摩擦抵抗を著しく小さくできる。この効果を発現するためには、界面活性剤2の添加量が所定量を越える必要がある。充填材全体に回りこませ、厚さを確保するためである。
さらに界面活性剤2は、分子内に親水性の部分と疎水性(親油性)の部分を併せ持つため、親水、親油のバランスによって2相界面に強く吸着されて、界面の自由エネルギーを著しく低下させる作用を示すことができる。したがって、これらの作用はモノエステル化合物よりも、ジエステルやそれ以上の多エステル化合物の方が効果が高い。
本実施の形態では、界面活性剤2を樹脂3に分散させる例について述べたが、充填材1もしくは扁平状充填材5、あるいは両方にコーティングさせてもよい。予めコーティングさせることにより、確実に充填材1あるいは扁平状充填材5の表面の凹凸に吸着させることができる。
イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、イソペンチルアルコール、イソヘキサノール、イソハプタノール、イソオクタノール、ジメチルオクタノール、イソノナノール、イソデカノール、イソウンデカノール、イソドデカノール、イソトリデカノール、イソテトラデカノール、イソペンタデカノール、ヘキシルデカノール、イソステアリルアルコール、イソノナデカノール、オクチルドデカノール、2−エチルヘキサノール、2−ブチルオクタノール、2−オクチルドデカノールなどの分岐アルコール、ウンデセノール、ラウロレノール、ミリストレノール、パルミトレノール、オレイルアルコール、ブラシジルアルコール、アラキジルアルコールなどの不飽和アルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、ヘプタンジオール、オクタンジオール、ノナンジオールデカンジオール、ピナコール、ヒドロベンゾイン、ベンズピナコール、シクロペンタン-1,4-ジオール、ダイマージオール、ネオペンチルグリコール、グリセリン、トリメチロールプロパンおよびその縮合物、トリメチロールエタン、ペンタエリスリットおよびその縮合物、ソルビット(ソルビトール)、グリセリン縮合物、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどの2価以上のアルコールを用いてもよい。
このようにして得られたエステル化合物は、常温で液体または固体であり、融点が180℃以下のものである。
これらの界面活性剤は1種類で用いても、複数用いてもよい。カルボン酸エステルと併せて用いてもよい。
エポキシ樹脂組成物の硬化剤としては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ハイミック酸などの脂環式酸無水物、ドデセニル無水コハク酸などの脂肪族酸無水物、無水フタル酸、無水トリメリット酸などの芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、アジピン酸ジヒドラジドなどの有機ジヒドラジド、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、ジメチルベンジルアミン、1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン、およびその誘導体、2−メチルイミダゾール、2−エチルー4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾールなどのイミダゾール類が挙げられる。これらの硬化剤は2種以上を併用しても良い。
熱伝導性樹脂シート4に上記のようなカップリング剤を含有させると、発熱部となる電子機器の電力半導体素子23を搭載する基材やヒートシンク部材24などとの接着強度が向上し、さらに好ましい。
上記実施の形態1〜4の熱伝導性樹脂シート4は、例えば次の工程により作製できる。
まず、所定量の熱硬化性樹脂の主剤とこの主剤を硬化させるのに必要な量の硬化剤とを含む熱硬化性樹脂組成物と、この熱硬化性樹脂組成物と例えば同重量の溶剤とを混合し、上記熱硬化性樹脂組成物の溶液とする。
)フィルムや金属板などの基材に、ドクターブレード法で塗布する。
図8は、本発明の実施の形態6に係るパワーモジュールの断面模式図である。
図8に示すように、本実施の形態のパワ−モジュール20は、配線材と放熱部材とを兼ねるリードフレーム22の第1の面に電力半導体素子23が載置されており、リードフレーム22の電力半導体素子23が載置された面に対向する反対側の第2の面に、上記実施の形態1〜3に係る熱伝導性樹脂シート4の硬化体21を介してヒートシンク部材24が設けられている。電力半導体素子23は、やはりリードフレーム22に載置された制御用半導体素子25と金属線26で接続されている。そして、熱伝導性樹脂シートの硬化体21、リードフレーム22、ヒートシンク部材24、電力半導体素子23、制御用半導体素子25、金属線26などのパワーモジュール構成部材はモールド樹脂27により封止されている。
実施例1.
樹脂3として、主剤である液状のジャパンエポキシレジン株式会社製ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エピコート828)質量100に対し、四国化成工業株式会社製硬化剤1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール(キュアゾール2PN−CN)1質量%を含む熱硬化性樹脂組成物に、メチルエチルケトンを101質量%添加、撹拌して、熱硬化性樹脂組成物の溶液を調製した。
さらに、上記熱伝導性樹脂シートを120℃で1時間と160℃で3時間の加熱を行い熱伝導性樹脂シートの硬化体とし、この硬化体の厚さ方向の熱伝導率KMをレーザーフラッシュ法で測定した。
熱硬化性樹脂組成物の溶液に、充填材1として、平均粒径DRが30μmの東洋アルミ株式会社製窒化アルミ充填材(TOYALNITE FLD)、扁平状充填材5として、長径DLが7μmの電気化学工業株式会社製窒化硼素充填材(GP)を用い、全充填材に対する充填材1の体積含有率をVR、全充填材に対する扁平状充填材5の体積含有率をVLとして種々の配合比で予備混合した。さらに充填材1、扁平状充填材5の総質量100に対して、界面活性剤2として、1質量%の花王株式会社製ソルビタンモノステアレート(レオドールAS-10V)を熱硬化性樹脂組成物の溶液中に添加して十分に溶解したコンパウンドとし、実施例2〜7として上記実施例1と同様にして、熱伝導性樹脂シート4を作製し、加熱後の硬化体の厚さ方向の熱伝導率KMをレーザーフラッシュ法で測定した。
熱硬化性樹脂組成物の溶液に、扁平状充填材5として、長径DLが7μmの電気化学工業株式会社製窒化硼素充填材(GP)を用い、扁平状充填材5の総質量100に対して、界面活性剤2として、1質量%の花王株式会社製ソルビタンモノステアレート(レオドールAS-10V)を添加して十分に溶解したコンパウンドとし、実施例8として上記実施例1と同様にして、熱伝導性樹脂シート4を作製し、加熱後の硬化体の厚さ方向の熱伝導率KMをレーザーフラッシュ法で測定した。
比較例として、上記実施例1〜8と同様にして、界面活性剤2を添加させない熱伝導性樹脂シートを作製し、加熱後の硬化体の厚さ方向の熱伝導率KRをレーザーフラッシュ法で測定した。
表1に実施例1〜8および比較例1〜8の配合比VL/VR、熱伝導率KM、KM/KR (ただし、KRは配合比VL/VRに対応させて同配合比の熱伝導率を対比させている)を示す。これより、VL/VRが30/70〜70/30の範囲で高い熱伝導率KMが得られ、さらに界面活性剤2を混合させると熱伝導率KMを向上できることがわかる。また、VL/VRが30/70〜70/30の範囲において、KM/KRが1.3程度となり、界面活性剤2を混合させる効果も高くなる。
実施例2と同様にして熱硬化性樹脂組成物の溶液に、充填材1として、平均粒径DRが30μmの東洋アルミ株式会社製窒化アルミ充填材(TOYALNITE FLD)、扁平状充填材5として、長径DLが7μmの電気化学工業株式会社製窒化硼素充填材(GP)を用い、VL/VRを50/50に固定して、充填材1、扁平状充填材5の総質量100に対して、界面活性剤2として、1質量%の花王株式会社製ポリエチレングリコールジステアレート(エマノーン3299V)、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油(エマノーンCH-60(K))、グリセロールモノステアレート(レオドールMS-60)、ソルビタンモノラウレート(レオドールSP-L10)、ポリオキシエチレン(20)ソルビタンモノステアレート(レオドールTW-S120V)、ポリオキシエチレン(30)ソルビトールテトラオレエート(レオドール430)、および日本エマルジョン株式会社製トリステアリン酸ポリオキシエチレングリセリル(EMALEX GWS-303)をそれぞれ表2に示すように混合させ、熱伝導性樹脂シート4を作製し、実施例9〜15とし、硬化体の熱伝導率KMを測定するとともに、VL/VRが50/50で界面活性剤2を用いない比較例5の熱伝導率KRを参照して、KM/KRを求めた。これより、界面活性剤2を替えても、熱伝導率の向上効果が観られることがわかる。
実施例1の熱伝導性樹脂シート4を用い、実施の形態5のパワーモジュール20のリードフレーム22の第2の面と銅のヒートシンク部材24とを接着した。さらに、トランスファーモールド法により、モールド樹脂27で封止して、パワーモジュール20とした。さらに、パワーモジュール20をフルパワーで稼動させた状態で、リードフレーム22の第1の面と、銅のヒートシック部材24の中央部にとりつけた熱電対により、温度を測定した。その結果、定常となった時のリードフレーム22とヒートシンク部材24との温度差は5℃と小さいことが確認できた。同様に実施例2〜16についてもほぼ5℃以内となり、熱伝導性樹脂シート4の放熱性が確認できた。
Claims (7)
- 樹脂と、界面活性剤で被覆され、熱伝導性で、且つ絶縁性の充填材とを備え、
上記充填材は、上記樹脂中に分散されていることを特徴とする熱伝導性樹脂シート。 - 樹脂と、熱伝導性で、且つ絶縁性の充填材と、界面活性剤とを備え、
上記充填材と上記界面活性剤は、上記樹脂中に分散されていることを特徴とする熱伝導性樹脂シート。 - 充填材は、粒径状充填材と扁平状充填材を含むことを特徴とする請求項1あるいは請求項2記載の熱伝導性樹脂シート。
- 粒径状充填材および扁平状充填材の少なくともいずれかは界面活性剤で被覆されていることを特徴とする請求項3記載の熱伝導性樹脂シート。
- 界面活性剤は、カルボン酸エステル化合物を含むことを特徴とする請求項1あるいは請求項2記載の熱伝導性樹脂シート。
- 界面活性剤は、充填材の総質量に対して0.0005〜30質量%であることを特徴とする請求項2記載の熱伝導性樹脂シート。
- 電力半導体素子と、上記電力半導体素子から発生する熱を放熱する放熱部材と、上記放熱部材と接着された請求項1乃至6のいずれかに記載の熱伝導性樹脂シートの硬化体と、
を備えたことを特徴とするパワーモジュール。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012033768A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着体 |
JP2013225636A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-10-31 | Nippon Shokubai Co Ltd | 熱伝導性材料 |
JP2014033119A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
WO2017126608A1 (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 株式会社トクヤマ | 熱伝導性フィラー組成物、その利用および製法 |
JP2018162367A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | トヨタ自動車株式会社 | 金属積層構造体 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252572A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Toshiba Corp | 放熱体 |
JPH07162177A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Toshiba Electron Eng Corp | 放熱体 |
JP2002050713A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び電力変換装置 |
JP2006210597A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁シートおよびその製造方法、並びに上記絶縁シートを用いたパワーモジュール |
-
2007
- 2007-06-21 JP JP2007163596A patent/JP2009004536A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06252572A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Toshiba Corp | 放熱体 |
JPH07162177A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Toshiba Electron Eng Corp | 放熱体 |
JP2002050713A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び電力変換装置 |
JP2006210597A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁シートおよびその製造方法、並びに上記絶縁シートを用いたパワーモジュール |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012033768A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着体 |
JP2013225636A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-10-31 | Nippon Shokubai Co Ltd | 熱伝導性材料 |
JP2014033119A (ja) * | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
WO2017126608A1 (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 株式会社トクヤマ | 熱伝導性フィラー組成物、その利用および製法 |
JPWO2017126608A1 (ja) * | 2016-01-19 | 2018-11-08 | 株式会社トクヤマ | 熱伝導性フィラー組成物、その利用および製法 |
JP2018162367A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | トヨタ自動車株式会社 | 金属積層構造体 |
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