JP2008537345A5

JP2008537345A5 -

Info

Publication number: JP2008537345A5
Application number: JP2008506918A
Authority: JP
Filing date: 2006-04-11
Publication date: 2009-02-19
Anticipated expiration: 2026-04-11

Claims

ｐ型又はｎ型ドーピング結晶半導体材料製のアブソーバー（吸収層）と、前記アブソーバー（吸収層）とは逆にドーピングされたアモルファス半導体材料製のエミッタと、前記アブソーバー（吸収層）と前記エミッタとの間の前記アモルファス半導体材料製の真性（高純度）中間層と、前記アブソーバー（吸収層）の光と同じ方向の面上のカバー層と、少数荷電坦体（キャリア）を反射する表面電界を形成する層列と、並びに、前記アブソーバー（吸収層）の前記光と同じ方向の面上の最小の陰影面を備えた一方のオーミックコンタクト構造と、前記アブソーバー（吸収層）の前記光とは反対方向の面上の他方のオーミックコンタクト構造とを備えた層構造のヘテロ接合太陽電池において、
反転した幾何形状の層構造（invertierten Schichtstrukturgeometrie）で、エミッタ（ＥＭ）は、アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の、光とは反対側の下側面（ＬＵ）上に設けられており、カバー層（ＤＳ）は、アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の、光の側の面上に、吸収材料に依存する材料選択により、透明の反射防止膜（ＡＲＳ）としても、少数荷電坦体（キャリア）を反射する表面電界（ＦＳＦ）としても形成された、前記アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）のパッシベーション層（ＰＳ）としても形成されており、前記アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の、光の側の表面（ＬＯ）上のオーミックコンタクト構造（ＯＫＳ）は、前記透明の反射防止膜（ＡＲＳ）を透過し、別のオーミックコンタクト構造（ＵＫＳ）は、大部分、前記アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の、前記光とは反対側の下側面（ＬＵ）上の前記エミッタ（ＥＭ）上に形成されていることを特徴とするヘテロ接合太陽電池。
透明の反射防止膜（ＡＲＳ）を貫通するコンタクト構造（ＯＫＳ）の下側に、アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）内に荷電坦体（キャリア）を反射する領域（ｎ^＋）が形成されている請求項１記載のヘテロ接合太陽電池。
アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）は、ｎ型ドーピング結晶シリコン（ｎｃ−Ｓｉ）製であり、エミッタ（ＥＭ）は、ｐ型ドーピングアモルファスシリコン（ｐ a−Ｓｉ：Ｈ）製であり、真性（高純度）中間層（ＩＺＳ）は、非ドーピングアモルファスシリコン（ｉａ−Ｓｉ：Ｈ）製である請求項１又は２記載のヘテロ接合太陽電池。
透明の反射防止膜（ＡＲＳ）は、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）製である請求項１から３迄の何れか１記載のヘテロ接合太陽電池。
一方のオーミックコンタクト構造（ＯＫＳ）は、アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の、光の側の表面（ＬＯ）上に銀（Ａｇ）製のコンタクトフィンガ又は格子（ＫＧ）として形成されており、他方のオーミックコンタクト構造（ＵＫＳ）は、金（Ａｕ）製の平坦な薄金属層（ＭＳ）として形成されている請求項１から４迄の何れか１記載のヘテロ接合太陽電池。
アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）は、自己保持型のウエーハである請求項１から５迄の何れか１記載のヘテロ接合太陽電池。
太陽電池（ＳＺ）の各層用の薄膜構造及び支持ガラス基板は、アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の光とは反対側の下側面（ＬＵ）上に設けられている請求項１から６迄の何れか１記載のヘテロ接合太陽電池。