JP2008536250A - Y−mux分割方法 - Google Patents
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Abstract
ページ部分(210,250)に編成されたメモリにおけるマルチプレクサ回路は、複数のページ部分グローバルビット線(214,254)をセンスアンプ(201)の入力に接続するように構成された複数のビット選択マルチプレクサ(216,256)を有する。データバイトに編成された複数のカラムアドレス線は各ページ部分を含む。複数のカラムマルチプレクサ(212,252)は、データバイトを含むアドレス線の各々がページ部分グローバルビット線(214,254)の一方に接続されるように、データバイトをページ部分グローバルビット線(214,254)に接続する。
Description
本発明は半導体集積回路装置に関し、特に複数のカラムデコーダ接続を組込んだメモリ回路に関する。
図1において、先行技術のビット選択回路は、それぞれ8ビットに編成された複数のアドレスバイトを含む。半導体メモリチップは、通常メモリアレイを行と列とに編成する。メモリアレイ素子の各行は、一般にワード線として知られる接続を共有する。メモリアレイ素子の各列は、一般にビット線(B7,B6,…,B0)として知られる接続を共有する。あるメモリセルにおける1本のワード線とビット線とに固有の交点は、当該セルに読出書込機能を持たせるのに用いられる。一般に、8本のビット線が1バイトとして編成され、メモリアレイ内でデータを処理するのに都合がよいサイズのグループ分けがなされる。
メモリアレイのどのビット線も、パスゲートトランジスタによってアレイ外部の周辺論理回路に接続される。図1は、ビット選択マルチプレクサ(mux)内に含まれる8個のパスゲートトランジスタ(3個のみ図示)を含む。メモリ読出動作の間、同一バイトの8本のビット線を周辺論理回路に接続させる8個のパスゲートは、yデコーダ出力信号によってイネーブルにされる(たとえばデコーダ信号Y0はBYTE0をイネーブルにする)。次の8ビットのデータが読出されると、隣接するバイトの8本のビット線を接続する8個のパスゲートが、別のyデコーダ信号によってイネーブルにされる(すなわち、デコーダ信号Y1がBYTE1をイネーブルにする)。デコーダ信号(Y0,Y1,…,Y127)に接続されたパスゲートトランジスタは、総称してyマルチプレクサまたはy−muxとして知られる。
y−muxによって送られるビット線信号は、ビット選択マルチプレクサに送られる前に編成された形で接続される。byte0からbyte127のビットB0はすべて、グローバルビット線GBL0に接続される。同様に、byte0からbyte127のビットB1はすべて、グローバルビット線GBL1に接続される。残りのビット線によって類似の接続が繰返される。ビット選択マルチプレクサは検出中1度に1本のグローバルビット線を選択し、選択されたビット線をセンスアンプSAに接続する。
しかし、先行技術のビット選択マルチプレクサは、メモリサイズが大きくなるほど欠陥がある。具体的には、メモリページにおけるバイト数(メモリページサイズとも称する)が増加するほど、グローバルビット線に接続されるパスゲート数が増加する。これによりグローバルビット線への電気負荷が増大することから、センスアンプSAの検出速度が遅くなる。したがって、ビット線への電気負荷を増大させることなくメモリページにおけるバイト数を継続的に増加させ、それによってセンスアンプの検出速度を維持する方法が必要である。
発明の概要
本発明は、メモリアレイを部分に、例示的な実施の形態においては下位のページ部分と上位のページ部分とに、分割する。各メモリページはメモリバイトの総数の半分をアドレス指定し、それによってメモリページ内のグローバルビット線の長さを縮小させる。下位
および上位のメモリページについては、互いに別個のメモリページマルチプレクサを採用する。各マルチプレクサは共通のセンスアンプに接続される。
本発明は、メモリアレイを部分に、例示的な実施の形態においては下位のページ部分と上位のページ部分とに、分割する。各メモリページはメモリバイトの総数の半分をアドレス指定し、それによってメモリページ内のグローバルビット線の長さを縮小させる。下位
および上位のメモリページについては、互いに別個のメモリページマルチプレクサを採用する。各マルチプレクサは共通のセンスアンプに接続される。
動作に際して、各ページ部分について1つのビット選択muxが存在する。たとえば、下位のビット選択muxまたは上位のビット選択muxのいずれか一方のみが、所与の時間に1本のビット線を選択しセンスアンプに接続するよう動作する。このように動作し、所与のいずれの時間においても、1つのマルチプレクサのみが1つのビット線信号を接続させるようにすることによって、下位のメモリページに関連する読出動作が上位のメモリページに関連する読出動作を妨げることはない。当業者は、ページが2つの部分に分割されている場合、下位および上位のグローバルビット線が図1の先行技術におけるグローバルビット線の半分程度の長さであることを認識するであろう。したがって、グローバルビット線は先行技術のグローバルビット線の半分程度の電気負荷を呈する。本発明による、グローバルビット線の長さの縮小と負荷の減少とに応じて動作が高速化する。
発明の詳細な説明
図2を参照し、ビット選択回路200の例示的な実施の形態は、下位のメモリページ部分210と上位のメモリページ部分250とを備える。下位のページy−mux部分212は、下位のメモリページ部分210のアドレスバイトBYTE0からBYTE63を含み、合計64バイトがアドレス指定されている。上位のページy−mux部分252は、上位のメモリページ部分250のアドレスバイトBYTE64からBYTE127を含み、上位のページにおいては合計64アドレスバイト、下位および上位のメモリページを合せて考えると合計128アドレスバイトを供する。アドレスバイトBYTE0からBYTE127の各々は、8本のビット線B0からB7を含む。当業者は、図2において共通の表記が用いられていることを認識し、さらに、たとえばアドレスBYTE0のビット線B0はアドレスBYTE1のビット線B0とは異なった別個のものであることがわかるであろう。
図2を参照し、ビット選択回路200の例示的な実施の形態は、下位のメモリページ部分210と上位のメモリページ部分250とを備える。下位のページy−mux部分212は、下位のメモリページ部分210のアドレスバイトBYTE0からBYTE63を含み、合計64バイトがアドレス指定されている。上位のページy−mux部分252は、上位のメモリページ部分250のアドレスバイトBYTE64からBYTE127を含み、上位のページにおいては合計64アドレスバイト、下位および上位のメモリページを合せて考えると合計128アドレスバイトを供する。アドレスバイトBYTE0からBYTE127の各々は、8本のビット線B0からB7を含む。当業者は、図2において共通の表記が用いられていることを認識し、さらに、たとえばアドレスBYTE0のビット線B0はアドレスBYTE1のビット線B0とは異なった別個のものであることがわかるであろう。
下位のページy−mux部分212におけるパスゲートトランジスタは、アドレスバイトBYTE0からBYTE63を含むビット線を、下位のグローバルビット線LGBL0からLGBL7を含む下位のグローバルビット線グループ214に接続する。BYTE0からBYTE63を含むビット線B0は、下位のグローバルビット線LGBL0に接続される。BYTE0からBYTE63を含むビット線B1は、下位のグローバルビット線LGBL1に接続される。BYTE0からBYTE63における残りのビット線によって類似の接続が繰返される。
上位のページy−mux部分252におけるパスゲートトランジスタは、アドレスバイトBYTE63からBYTE127を含むビット線を、上位のグローバルビット線UGBL0からUGBL7を含む上位のグローバルビット線グループ254に接続する。
BYTE64からBYTE127を含むビット線B0は、上位のグローバルビット線UGBL0に接続される。BYTE64からBYTE127を含むビット線B1は、上位のグローバルビット線UGBL1に接続される。BYTE64からBYTE127における残りのビット線によって類似の接続が繰返される。
下位のグローバルビット線グループ214は、下位のビット選択mux216によってセンスアンプ201に接続される。下位のビット選択mux216は、8個のmuxトランジスタからなり、8個の下位のビット選択制御信号のうちの1つが各トランジスタのゲート端子に接続される。下位のグローバルビット線LGBL0は、下位のビット選択制御信号LBS0に対応したトランジスタによってセンスアンプ201に接続される。下位の
グローバルビット線LGBL1は、下位のビット選択制御信号LBS1に対応したトランジスタによってセンスアンプ201に接続される。残りの下位のグローバルビット線LGBL2からLGBL7は、類似の方法で接続される。
グローバルビット線LGBL1は、下位のビット選択制御信号LBS1に対応したトランジスタによってセンスアンプ201に接続される。残りの下位のグローバルビット線LGBL2からLGBL7は、類似の方法で接続される。
上位のグローバルビット線グループ254は、上位のビット選択mux256によってセンスアンプ201に接続される。上位のビット選択mux256は、8個のmuxトランジスタからなり、8個の上位のビット選択制御信号のうちの1つが各トランジスタのゲート端子に接続される。上位のグローバルビット線UGBL0は、上位のビット選択制御信号UBS0に対応したトランジスタによってセンスアンプ201に接続される。上位のグローバルビット線UGBL1は、上位のビット選択制御信号UBS1に対応したトランジスタによってセンスアンプ201に接続される。残りの上位のグローバルビット線UGBL2からUGBL7は、類似の方法で接続される。
動作に際して、下位のビット選択mux216および上位のビット選択mux256の一方のみが、所与の時間に一本のビット線を選択しセンスアンプ201に接続するよう動作する。所与のいずれの時間においても、1つのマルチプレクサのみが1つのビット線信号を接続させるように動作することによって、下位のメモリページ部分210に関連する読出動作が上位のメモリページ部分250に関連する読出動作を妨げることはない。
当業者は、上述の下位および上位のグローバルビット線が図1の先行技術におけるグローバルビット線の半分程度の長さであり、したがって先行技術のグローバルビット線の僅か半分程度の電気負荷を呈することを認識するであろう。本発明による、グローバルビット線の長さの縮小と負荷の減少とにより、センスアンプ201の動作が高速化する。
上述の明細書において、本発明をその具体的な実施の形態を参照して説明した。しかしながら、添付の請求項に記載の本発明のより広範な精神および範囲から逸脱することなく種々の変形および変更を行なうことができるのは明らかであろう。たとえば例示的な実施形態では、メモリページ分割は、合計128バイトがアドレス指定されている上位および下位のメモリページについて示されている。しかしながら、ページサイズが異なる他の実施形態も可能である。より大きなメモリページサイズが求められる場合は、上述の分割方法を繰返すことによってグローバルビット線負荷を一定値に保ち、特定のビット選択muxに対応するバイト数を制限することができる。さらに、負荷の影響を一層減少させるために、8よりもさらに少ない数のビットを1つのビット選択muxに対応付けることも可能である。8未満の数のバイトを各ビット選択muxに対応付けることは、センスアンプのさらなる高速化が必要な場合に望ましいであろう。したがって明細書および図面は、限定的な意味ではなく例示的な意味で考慮されるべきである。
Claims (7)
- 電子回路であって、
行と列とに編成されたメモリセルアレイを有するメモリ回路を備え、前記メモリ回路は、センスアンプ入力およびセンスアンプ出力を有するセンスアンプと、第1のビット選択マルチプレクサと、第2のビット選択マルチプレクサとをさらに含み、前記第1のビット選択マルチプレクサおよび第2のビット選択マルチプレクサは複数の第1ページグローバルビット線および複数の第2ページグローバルビット線のいずれか一方を前記センスアンプ入力に接続するように構成され、
複数の第1ページデータバイトロケーションにアクセスすることができるように編成された複数の第1ページビットアドレス線をさらに備え、前記複数の第1ページデータバイトロケーションの各々は前記複数の第1ページグローバルビット線と同数の固有の第1ページビットアドレス線を有し、
複数の第2ページデータバイトロケーションにアクセスすることができるように編成された複数の第2ページビットアドレス線をさらに備え、前記複数の第2ページデータバイトロケーションの各々は前記複数の第2ページグローバルビット線と同数の固有の第2ページビットアドレス線を有し、
前記複数の第1ページデータバイトロケーションのうちの1つを含む前記複数の第1ページビットアドレス線の各々が前記複数の第1ページグローバルビット線のうちの1つに接続されるように、前記複数の第1ページデータバイトロケーションのうちの当該1つを前記複数の第1ページグローバルビット線のうちの1つに接続するように構成された第1のページカラムマルチプレクサと、
前記複数の第2ページデータバイトロケーションのうちの1つを含む前記複数の第2ページビットアドレス線の各々が前記複数の第2ページグローバルビット線のうちの1つに接続されるように、前記複数の第2ページデータバイトロケーションのうちの当該1つを前記複数の第2ページグローバルビット線のうちの1つに接続するように構成された第2のページカラムマルチプレクサとをさらに備える、電子回路。 - 前記複数の第1ページデータグローバルビット線は8本の第1ページグローバルビット線であり、前記複数の第2ページデータグローバルビット線は8本の第2ページグローバルビット線であり、
前記複数の第1ページデータバイトロケーションは64個の第1ページデータバイトロケーションであり、前記複数の第2ページデータバイトロケーションは64個の第2ページデータバイトロケーションである、請求項1に記載の電子回路。 - 前記第1のビット選択マルチプレクサおよび前記第2のビット選択マルチプレクサは、NMOSトランジスタをさらに含み、
前記第1のページカラムマルチプレクサおよび前記第2のページカラムマルチプレクサは、NMOSトランジスタをさらに含む、請求項1に記載の電子回路。 - マルチプレクサ回路を分割し動作させるための方法であって、
メモリアレイを複数のページ部分にさらに分割するステップを備え、複数のページ部分の各々はデータバイトロケーションにアクセスするために編成された複数のカラムビット線を有し、
固有のカラムビット線マルチプレクサと、固有のビット選択マルチプレクサと、1組の固有のメモリページグローバルビット線とを各メモリページ部分に設けるステップと、
前記カラムビット線マルチプレクサを用いて、少なくとも1つのメモリページ部分の特定のデータバイトロケーションを前記メモリページグローバルビット線に接続し、前記ビット選択マルチプレクサのうちの多くて1つをイネーブルにして、多くて1本のメモリページグローバルビット線をセンスアンプ入力に接続することにより、メモリを読出すステ
ップとをさらに備える、方法。 - 電子回路であって、
行と列とに編成されたメモリセルアレイを有するメモリ回路を備え、前記列はページ部分にさらに編成され、前記メモリ回路は、センスアンプ入力およびセンスアンプ出力を有するセンスアンプと、複数のビット選択マルチプレクサとをさらに含み、複数のビット選択マルチプレクサは、複数のページ部分グローバルビット線のうちの1つを前記センスアンプ入力に接続するように構成され、
各ページ部分を含む複数のカラムアドレス線をさらに備え、前記複数のカラムアドレス線は複数のページ部分データバイトロケーションにアクセスすることができるように編成され、前記複数のページ部分データバイトロケーションの各々は、前記複数のページ部分グローバルビット線と同数の固有のカラムアドレス線を有し、
前記複数のページ部分データバイトロケーションのうちの1つを含む前記複数のカラムアドレス線の各々が前記複数のページ部分グローバルビット線のうちの1つに接続されるように、前記複数のページ部分データバイトロケーションのうちの当該1つを前記複数のページ部分グローバルビット線のうちの1つに接続するように構成された複数のカラムマルチプレクサをさらに備える、電子回路。 - 前記複数のページ部分は下位のメモリページと上位のメモリページとを含み、
前記複数のビット選択マルチプレクサは下位のビット選択マルチプレクサと上位のビット選択マルチプレクサとを含み、
前記ページ部分データバイトロケーションは8本のカラムアドレス線を含み、
前記複数のカラムマルチプレクサは下位のページカラムマルチプレクサと上位のページカラムマルチプレクサとを含み、
前記ページ部分グローバルビット線は下位のグローバルビット線と上位のグローバルビット線とを含む、請求項5に記載の電子回路。 - 装置であって、
行と列とに編成され、2値データを保存するための記憶手段と、
入力信号を受け、出力信号を出力するための増幅手段と、
複数の第1ページグローバルビット線信号のうちの1つと、複数の第2ページグローバルビット線信号のうちの1つとを、前記増幅手段への入力信号として選択するための第1ビット選択手段および第2ビット選択手段と、
複数の第1ページバイトロケーションのうちの1つを選択するための第1ページバイトアドレス指定手段とを備え、前記複数の第1ページバイトロケーションは、前記複数の第1ページグローバルビット線と同数の固有の第1ページビットカラム信号を伝え、
複数の第2ページバイトロケーションのうちの1つを選択するための第2ページバイトアドレス指定手段をさらに備え、前記複数の第2ページバイトロケーションは、前記複数の第2ページグローバルビット線と同数の固有の第2ページビットカラム信号を伝え、
前記固有の第1ページカラム信号の各々が前記複数の第1ページグローバルビット線信号のうちの1つに接続されるように、前記複数の第1ページバイトロケーションのうちの1つを前記複数の第1ページグローバルビット線信号に接続するための第1ページカラムマルチプレクサ手段と、
前記固有の第2ページカラム信号の各々が前記複数の第2ページグローバルビット線信号のうちの1つに接続されるように、前記複数の第2ページバイトロケーションのうちの1つを前記複数の第2ページグローバルビット線信号に接続するための第2ページカラムマルチプレクサ手段とをさらに備える、装置。
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