JP2008528420A5 - - Google Patents

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  1. 最上面のコンプライアント(compliant)層を形成するためにCVD単結晶ダイヤモンド基板内にＨ２を注入するステップと、
    前記Ｈ２を注入したダイヤモンド基板上にＧａＮ層を成長させるステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
  2. 前記ダイヤモンドのコンプライアント(compliant)層が１１１結晶方向を有している、
    ことを特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 前記成長したＧａＮ層上にダイヤモンド層を成長させることと、
    前記成長したダイヤモンド層内に水素を注入することと、
    前記水素注入して成長したダイヤモンド層上に第２のＧａＮ層を成長させることと
    をさらに含み、前記第２のＧａＮの成長した層が、ｎ型にドープされるかもしくはｐ型にドープされることを特徴とする請求項１記載の方法。
  4. 最上面のコンプライアント(compliant)層を形成するためにＨ２が注入されているCVD単結晶ダイヤモンド基板と、
    前記Ｈ２が注入されたダイヤモンド基板上で成長したＧａＮの層と、
    を含むことを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。
  5. 前記ＧａＮの層が、ｐ型にドープされているかもしくはｎ型にドープされており、さらに、
    ｐ型にドープされているかもしくはｎ型にドープされている前記ＧａＮの層上で成長され、水素を注入された、ダイヤモンドの第２の層と、
    前記ダイヤモンドの第２の層の上で成長させた、ｎ型にドープされているかもしくはｐ型にドープされているＧａＮの第２の層と
    を含む
    ことを特徴とする請求項４記載のダイヤモンド半導体デバイス。
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