JP2008527347A5

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Publication number: JP2008527347A5
Application number: JP2007550383A
Authority: JP
Filing date: 2005-12-15
Publication date: 2008-12-25
Anticipated expiration: 2025-12-15

Claims

工業用フィールド装置で用いるためのダイヤフラム診断システムであって、
プロセス流体にフィールド装置を結合するように構成され、複数の層と、複数の層の中の工業用プロセスのプロセス流体に触れる第一の層と、を含むダイヤフラムと、
ダイヤフラムに結合されてダイヤフラムの電気パラメータを監視し、監視された電気パラメータの変化に基づきダイヤフラムの動作状態を応答的に推測する診断回路と、
を含むダイヤフラム診断システム。
変化が所定の限度を超えた場合、ダイヤフラムの推測された動作状態を示す警告信号を生成するように適合された警告生成機能をさらに含む、請求項１記載のダイヤフラム診断システム。
電気パラメータがダイヤフラムの静電容量を含む、請求項１記載のダイヤフラム診断システム。
分離ダイヤフラムを時変信号で掃引するように適合され、電気パラメータがダイヤフラムの複素電気パラメータを含む信号生成器をさらに含む、請求項１記載のダイヤフラム診断システム。
ダイヤフラムを監視し、時変信号に基づいて、格納された基礎値信号に対する電気パラメータの変化を検出するように適合された複素信号分析システムをさらに含む、請求項４記載のダイヤフラム診断システム。
複数の層が少なくとも一つの導電層を含む、請求項１記載のダイヤフラム診断。
複数の層が少なくとも一つの誘電層を含む、請求項１記載のダイヤフラム診断。
複数の層が、
少なくとも二つの導電層と、
少なくとも二つの導電層を隔てる少なくとも一つの誘電層と、
を含む、請求項１記載のダイヤフラム診断。
電気パラメータが、少なくとも二つの導電層の容量性電位を含む、請求項８記載のダイヤフラム診断。
変化の程度が、第一の導電層の表面領域の変化の程度を示す、請求項１記載のダイヤフラム診断システム。
診断回路が、第一の層に対する複数の導電層の一つ以上の電気パラメータを監視するように適合される、請求項１記載のダイヤフラム診断システム。
分離ダイヤフラムの動作状態を推測するための方法であって、
複数の層と、複数の層の中のプロセス流体に直接触れる第一の層とを含む分離ダイヤフラムを備えることと、
分離ダイヤフラムに電気信号を与えることと、
与えられた電気信号に対する分離ダイヤフラムの電気パラメータの測定された変化から、分離ダイヤフラムの動作状態を応答的に推測することと、
を含む方法。
電気信号が時変要素を有する、請求項１２記載の方法。
測定された変化が所定の限度を越えた場合、分離ダイヤフラムの劣化状態を示す警告信号を生成することをさらに含む、請求項１２の方法。
ある周波数範囲を含む電気信号を生成することと、
分離ダイヤフラムを経由して周波数範囲を伝送することと、
を適用するステップを含む、請求項１２記載の方法。
分離ダイヤフラムの電気パラメータを監視することと、
格納された基礎測定値に対する監視された電気パラメータの変化を計算することと、
を推測するステップを含む、請求項１２記載の方法。
電気パラメータが分離ダイヤフラムの時定数を含む、請求項１２記載の方法。
電気パラメータが分離ダイヤフラムの複素電気パラメータを含む、請求項１２記載の方法。
工業用フィールド装置で用いるためのダイヤフラム診断システムであって、
プロセス流体にフィールド装置を結合するように構成され、複数の層と、複数の層の中の工業用プロセスのプロセス流体に触れる第一の層とを含む静電容量エレメントと、
静電容量エレメントに結合されて静電容量エレメントの電気パラメータを監視し、監視された電気パラメータの変化に基づき静電容量エレメントの動作状態を応答的に推測する診断回路と、
を含むダイヤフラム診断システム。
工業用フィールド装置が、パイプ部内に延びる分岐バーを有する渦流量計を含み、静電容量エレメントがパイプ部の薄肉部を含み、薄肉部を通して、パイプ内の流体流による分岐バーの動きが伝えられる、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
工業用フィールド装置が、パイプ部に結合された圧力センサを含み、静電容量エレメントが、液封された毛細管を通して、遠隔センサに、パイプ部内の流体流からの圧力を伝えるように適合された柔軟な分離ダイヤフラムを含む、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
制御センタへの伝送のための推測された動作状態を示す警告信号を生成するように適合された警告生成機能をさらに含む、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
変化の大きさが、静電容量エレメントの損傷の程度を示す、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
測定された変化が、静電容量エレメントの複素インピーダンスを含む、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
診断回路が、
時変要素を有する電気信号で静電容量エレメントを掃引するように適合された信号生成器と、
静電容量エレメントを監視し、格納された基礎測定値に対する静電容量エレメントの一つ以上の電気パラメータの変化に基づき静電容量エレメントの動作状態を推測するように適合された複素信号分析システムと、
をさらに含む、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
診断回路が、第一の層に対する複数の導電層の一つ以上の電気パラメータを監視するように適合される、請求項１９記載のダイヤフラム診断システム。
複数の層が、
少なくとも二つの導電層と、
少なくとも二つの導電層を隔てる少なくとも一つの誘電層と、
を含み、
少なくとも一つの誘電層が多孔質材料を含む、請求項１９記載のダイヤフラム診断。
第一の層を通してプロセス流体が漏出している場合、電気パラメータの突然の変化に基づき動作状態が推測される、請求項２７記載のダイヤフラム。