JP2008519297A5 - - Google Patents
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Claims (27)
- 少なくとも1つのシリコン含有部分と少なくとも1つの塩基水溶液に可溶な部分とを備えたポリマーを含む上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記反射防止コーティング及び障壁層材料は、1.5から1.7までの屈折率を有する、請求項1に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記ポリマーは、少なくとも1つのフッ素含有部分をさらに備える、請求項1に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記シリコン含有部分は、Si−Si、Si−C、Si−N又はSi−Oを含む、請求項1に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記シリコン含有部分はSiOを含み、前記ポリマーは有機シロキサンである、請求項1に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記ポリマーは有機シルセスキオキサンである、請求項5に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記少なくとも1つの塩基水溶液に可溶な部分は、ヒドロキシル、カルボン酸、スルホンアミド、ジカルボキシイミド、N−ヒドロキシジカルボキシイミド、アミノ基、及びイミノ基からなる群から選択される、請求項1に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記少なくとも1つの塩基水溶液に可溶な部分はフルオロアルコールである、請求項7に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記フルオロアルコールは、トリフルオロカルビノール又はヘキサフルオロカルビノールである、請求項8に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記ポリマーは、少なくとも1つの酸に不安定な部分をさらに備える、請求項1に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 1−ブタノール、メタノール、エタノール、1−プロパノール、エチレングリコール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、1,2−プロパンジオール、1−メチル−2−ブタノール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、1−ヘプタノール、2−ヘプタノール、3−ヘプタノール、4−ヘプタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、2,4−ジメチル−3−ペンタノール、3−エチル−2−ペンタノール、1−メチルシクロペンタノール、2−メチル−1−ヘキサノール、2−メチル−2−ヘキサノール、2−メチル−3−ヘキサノール、3−メチル−3−ヘキサノール、4−メチル−3−ヘキサノール、5−メチル−1−ヘキサノール、5−メチル−2−ヘキサノール、5−メチル−3−ヘキサノール、4−メチルシクロヘキサノール、及び1,3−プロパンジオールから成る群から選択される少なくとも1つの溶媒をさらに含む、請求項1に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記塩基水溶液に可溶な部分は、ヒドロキシル、カルボン酸、スルホンアミド、ジカルボキシイミド、N−ヒドロキシ−ジカルボキシイミド、アミノ基、及びイミノ基から成る群から選択される、請求項12に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記塩基水溶液に可溶な部分はフルオロアルコールである、請求項13に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記ポリマーは、構造
各々のR2は、フッ素、フッ素化された直鎖又は分岐アルキル、フルオロシクロアルキル、フルオロアリール、及びそれらの任意の組合せから成る群から独立に選択され、
各々のAは、酸素原子、イオウ原子、NR3、直鎖又は分岐アルキル、直鎖又は分岐フルオロアルキル、シクロアルキル又はフルオロシクロアルキル、及びフルオロアリールから成る群から独立に選択され、pは0又は1であり、
各々のR3は、水素、ハロゲン、直鎖又は分岐アルキル、直鎖又は分岐フルオロアルキル、シクロアルキル、フルオロシクロアルキル、フルオロアリール、及びそれらの任意の組合せから成る群から独立に選択される、請求項1に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。 - R2及びR3は、酸素、イオウ及び窒素のうち少なくとも1つをさらに含む、請求項15に記載の上面反射防止コーティング及び障壁層材料。
- 前記酸に不安定な部分は、
- 基板上にパターン付けされた材料層を形成する方法であって、
表面上に材料層を有する基板を準備して、前記基板上にフォトレジスト組成物を堆積して前記材料層上にフォトレジスト層を形成するステップと、
前記フォトレジスト層の上に上面反射防止コーティング及び障壁層材料を塗布し、それによってコーティングされた基板を形成するステップであって、前記上面反射防止コーティング及び障壁層材料は、少なくとも1つのシリコン含有部分と少なくとも1つの塩基水溶液に可溶な部分を含む、ステップと、
前記コーティングされた基板を画像形成放射でパターン状に露光するステップと、
前記上面反射防止コーティング及び障壁層材料と前記フォトレジスト層の部分とを同時に前記コーティングされた基板から除去して、前記材料層上にパターン付けされたフォトレジスト層を形成するステップと、
前記フォトレジスト層のパターンを前記材料層に転写するステップと
を含む方法。 - 前記上面反射防止コーティング及び障壁層材料と前記フォトレジスト層の部分とは、前記レジスト層を塩基性水溶液の現像液に接触させることによって除去され、前記塩基性水溶液の現像液は、0.263Nのテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである、請求項23に記載の方法。
- 前記材料層は、セラミック、誘電体、金属及び半導体から成る群から選択される、請求項23に記載の方法。
- 前記画像形成放射は193nm放射、157nm放射、及び248nm放射から選択される、請求項23に記載の方法。
- 前記コーティングされた基板を画像形成放射でパターン状に露光する前に、画像形成媒体を前記コーティングされた基板に塗布するステップをさらに含む、請求項23に記載の方法。
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