JP2008517472A - サンプル上に周期的及び/又は準周期的パターンを生成するためのシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
a)光子源と、
b)所望のパターンに対応する周期的又は準周期的なパターンを有するマスクであって、光子源から第一の距離に配置されているか、或いはコリメータ、集光器、ミラー、レンズ、フィルター、アパーチャなどの中間の光学部品の後に配置されているマスクと、
c)光子源と逆側でマスクから第二の距離に配置されたサンプルを保持するためのサンプルホルダーであって、強度分布がほぼ一定となり、距離により変わらなくなる範囲内に第二の距離を選定するか、或いはサンプル表面上に所望の平均的な強度分布が得られるように第二の距離を変化させるためのサンプルホルダーと、
を備えたシステムを開示した、この発明により達成される。
a)光子源を準備する工程と、
b)所望のパターンに対応する周期的又は準周期的なパターンを有するマスク(M)を準備する工程と、
c)当該のマスク(M)を光子源(P)から第一の距離に配置するか、或いはコリメータ、集光器、ミラー、レンズ、フィルター、アパーチャなどの中間の光学部品の後に配置する工程と、
d)サンプル(S)を保持するためのサンプルホルダーを準備する工程と、
e)光子源(P)と逆側でマスク(M)から第二の距離にサンプル(S)を配置する工程と、
f)強度分布がほぼ一定となり、距離により変わらなくなる範囲内に第二の距離を選定するか、或いは表面上に所望の平均的な強度分布が得られるように第二の距離を連続的又は離散的な形で変化させる工程と、
g)光子源(P)から放出される放射線を、マスク(M)を通してサンプル(S)に照射する工程と、
を有する方法が規定される。
Claims (14)
- 干渉リソグラフィ法を用いて、一つ又は複数のサンプル上に周期的及び/又は準周期的なパターンを生成するためのシステムであって、
a)光子源(P)と、
b)所望のパターンに対応する周期的又は準周期的なパターンを有するマスク(M)であって、光子源(P)から第一の距離に配置されているか、或いはコリメータ、集光器、ミラー、レンズ、フィルター、アパーチャなどの中間の光学部品の後に配置されているマスク(M)と、
c)光子源(P)と逆側でマスク(M)から第二の距離に配置されたサンプル(S)を保持するためのサンプルホルダーであって、強度分布がほぼ一定となり、距離により変わらなくなる範囲内に第二の距離を選定するか、或いはサンプルの表面上に所望の平均的な強度分布が得られるように第二の距離を変化させるためのサンプルホルダーと、
を備えたシステム。 - 光子源(P)が、1〜100nm、好ましくは、10〜50nmの範囲内の波長を有する光子を主に放出することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 光子源(P)が、レーザー生成プラズマ光源やガス放電光源などのプラズマ光源であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシステム。
- マスク(M)が、直線格子、二次元の直線格子、二次元の部分的に非直線の格子、二次元の周期的な円形格子又は二次元の非周期的な円形格子であることを特徴とする請求項1から3までのいずれか一つに記載のシステム。
- 当該の第一の距離が、少なくとも1mmであることを特徴とする請求項1から4までのいずれか一つに記載のシステム。
- 当該の第二の距離が、マスクの格子の周期よりも大きい、好ましくは、その周期の10〜105 倍の範囲内に有ることを特徴とする請求項1から5までのいずれか一つに記載のシステム。
- 光子源(P)が、ほぼ等方性の放射特性を有し、複数のマスク/サンプルホルダー構成が光子源の周りに配置されていることを特徴とする請求項1から6までのいずれか一つに記載のシステム。
- 干渉リソグラフィ法を用いて、サンプル(S)上に周期的及び/又は準周期的なパターンを生成するための方法であって、
a)光子源(P)を準備する工程と、
b)所望のパターンに対応する周期的又は準周期的なパターンを有するマスク(M)を準備する工程と、
c)当該のマスク(M)を光子源(P)から第一の距離に配置するか、或いはコリメータ、集光器、ミラー、レンズ、フィルター、アパーチャなどの中間の光学部品の後に配置する工程と、
d)サンプル(S)を保持するためのサンプルホルダーを準備する工程と、
e)光子源(P)と逆側でマスク(M)から第二の距離にサンプル(S)を配置する工程と、
f)強度分布がほぼ一定となり、距離により変わらなくなる範囲内に第二の距離を選定するか、或いは表面上で所望の平均的な強度分布が得られるように第二の距離を連続的又は離散的な形で変化させる工程と、
g)光子源(P)から放出される放射線を、マスク(M)を通してサンプル(S)に照射する工程と、
を有する方法。 - ミラー、レンズ、アパーチャ、格子及びフィルターなどの一定数の光学部品によって、光源から放出された光を整形及び濾過することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 放射源が、挿入光源や偏向電磁石などのシンクロトロン放射源であることを特徴とする請求項8又は9に記載の方法。
- サンプル上に所望の線量分布を形成するために、マスク及び/又はサンプルを一緒に、或いは独立して走査することを特徴とする請求項8から10までのいずれか一つに記載の方法。
- マスクとサンプルを通す形で照射ビームを走査させることを特徴とする請求項8から11までのいずれか一つに記載の方法。
- サンプル上に所望の線量分布を形成するために、複数の露光位置又は角度にサンプルを配置することを特徴とする請求項8から12までのいずれか一つに記載の方法。
- 熱の除去及び/又は光源又はサンプルからのコンタミネーションの防止のために、マスクの片側又は両側に、静止した、或いは流れるガスを導入することを特徴とする請求項8から13までのいずれか一つに記載の方法。
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