JP2008512875A - ストップ−オン−アルミニウム処理を含むウェーハ処理のためのシステム及び方法 - Google Patents
ストップ−オン−アルミニウム処理を含むウェーハ処理のためのシステム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008512875A JP2008512875A JP2007531406A JP2007531406A JP2008512875A JP 2008512875 A JP2008512875 A JP 2008512875A JP 2007531406 A JP2007531406 A JP 2007531406A JP 2007531406 A JP2007531406 A JP 2007531406A JP 2008512875 A JP2008512875 A JP 2008512875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic member
- magnetic
- layer
- etching
- tunnel junction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
Abstract
【選択図】図1
Description
本出願は、2004年9月9日に出願された、Robert Ditizioによる名称「SYSTEM AND METHOD FOR PROCESSING A WAFER INCLUDING STOP−ON−ALUMINUM PROCESSING(ストップ−オン−アルミニウム加工を含むウェーハ処理のためのシステム及び方法)」の米国特許出願10/937,660(代理人整理番号TEGL−01172US0)に対する優先権を主張する。
本発明は、全体的に半導体製造に関し、詳細には磁気トンネル接合デバイスの製造に関する。
Claims (20)
- 磁気トンネル接合デバイスを作製する方法であって、
(a)第1の磁性部材を形成する段階と、
(b)第2の磁性部材を形成する段階と、
(c)前記第1の磁性部材と前記第2の磁性部材との間に配置された誘電材料から構成され、エッチングによって前記第1の磁性部材と前記第2の磁性部材との間に電気短絡を生じることができるほど薄い絶縁トンネル障壁層を形成する段階と、
(d)前記絶縁トンネル障壁層を停止層として使用し、前記第2の磁性部材の選択部分をプラズマエッチングして前記絶縁トンネル層を貫通せずに前記第2の磁性部材が前記第1の部材から電気絶縁されるようにする段階と、
を含む方法。 - 前記方法が更に、前記段階(c)の後で且つ前記段階(d)の前に、
(c1)前記第2の磁性部材の上側表面上にコンタクト層を形成する段階と、
(c2)前記コンタクト層を覆ってパターン化マスクを形成する段階と、
(c3)前記コンタクト層の一部を選択的に除去する段階と、
(c4)前記パターン化マスクを除去する段階と、
を含む請求項1に記載の方法。 - 前記パターン化マスクがハードマスクを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記パターン化マスクがフォトレジストを含む請求項2に記載の方法。
- 前記段階(d)が、
(i)前記第2の磁性部材の大部分を第1のエッチング条件下で選択的にエッチングする段階と、
(ii)前記段階(i)の後に、前記絶縁トンネル障壁層が停止層として機能するように第2のエッチング条件下で前記第2の磁性部材の残余部分を選択的にエッチングする段階と、
を含む請求項1に記載の方法。 - 前記段階(i)が、第1のハロゲンベースの化学的機能性エッチャント化学種を含む第1のプラズマ源ガスを用いてプラズマエッチングする段階を含み、
前記段階(ii)が、アルゴン及び酸素を含む第2のプラズマ源ガスを用いてプラズマエッチングする段階を含む、
ことを特徴とする請求項5に記載の方法。 - 前記段階(i)が、Cl2とBCl3との混合物を含むエッチャント化学種を用いて反応プラズマエッチングする段階を含む請求項5に記載の方法。
- 前記段階(ii)が、前記エッチャント化学種に酸素を付加する段階を含む請求項5に記載の方法。
- 前記磁気トンネル接合デバイスが、磁気ランダムアクセスメモリデバイスで利用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記方法が更に、前記段階(d)に続き、
(1)前記デバイスをHe及びH2を含有する環境内でプラズマ処理して腐食材料を除去する段階と、
(2)任意選択的に、前記処理されたデバイスを洗浄する段階と、
(3)前記デバイスを焼成して前記He及びH2を除去する段階と、
を含む請求項1に記載の方法。 - 前記段階(1)が、100℃から285℃の温度でプラズマ処理を含み、前記環境が、少なくとも96容積%のHeと4容積%未満のH2とを含有し、前記段階(3)が、100℃から285℃の温度で前記デバイスを加熱する段階を含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記第1の磁性部材が、対象とする範囲において印加磁場の存在下で好ましい方向に固定された磁気モーメントを有する固定強磁性層であり、前記第2の磁性部材が、対象とする範囲において印加磁場の存在下で磁気モーメントが自由に回転するフリー強磁性層であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記固定強磁性層が、NiFe、CoFe、CoFeB、NiFeCr、CoNiFe及びこれらの混合物からなる群から選択された材料から形成され、前記フリー強磁性層が、NiFe、CoFe、CoFeB、NiFeCr、CoNiFe及びこれらの混合物からなる群から選択された材料から形成されることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 磁気トンネル接合デバイスを作製する方法であって、
(a)第1の磁性部材を形成する段階と、
(b)第2の磁性部材を形成する段階と、
(c)前記第1の磁性部材と前記第2の磁性部材との間に配置された誘電材料から構成され、エッチングによって前記第1の磁性部材と前記第2の磁性部材との間に電気短絡を生じることができるほど薄い絶縁トンネル障壁層を形成する段階と、
(d)前記第2の磁性部材の上側表面上にコンタクト層を形成する段階と、
(e)前記コンタクト層を覆ってパターン化マスクを形成する段階と、
(f)前記コンタクト層の一部を選択的に除去する段階と、
(g)前記パターン化マスクを除去する段階と、
(h)前記第2の磁性部材及び前記絶縁トンネル障壁層の少なくとも1つの側部が非垂直プロファイルを定め、該プロファイルが前記少なくとも1つの側部から外方に突出することによって前記絶縁トンネルの分離が拡がり、前記第2の磁性部材及び前記絶縁トンネル障壁層の一部を選択的に除去して前記第2の磁性部材が前記第1の磁性部材から電気絶縁されるようにする段階と、
を含む方法。 - 前記方法が更に、前記段階(h)に続いて、(i)前記第2の磁性部材をオーバーエッチングする段階を含む請求項14に記載の方法。
- 前記方法が更に、前記段階(h)に続いて、
(1)前記デバイスをHe及びH2を含有する環境内でプラズマ処理して腐食材料を除去する段階と、
(2)任意選択的に、前記処理されたデバイスを洗浄する段階と、
(3)前記デバイスを焼成して前記He及びH2を除去する段階と、
を含む請求項14に記載の方法。 - (a)第1又は下側磁性部材と、
(b)第1又は上側磁性部材と、
(c)前記第1の磁性部材と前記第2の磁性部材との間に配置された誘電材料から構成された絶縁トンネル障壁層と、
を備え、
前記第2の磁性部材及び前記絶縁トンネル障壁層の少なくとも1つの側部が該少なくとも1つの側部から突出した非垂直プロファイルを定めることを特徴とする磁気トンネル接合デバイス。 - 前記絶縁材料がAl2O3を含むことを特徴とする請求項17に記載の磁気トンネル接合デバイス。
- 前記第1の磁性部材が、特定の範囲において印加磁場の存在下で好ましい方向に固定された磁気モーメントを有する固定強磁性層であり、前記第2の磁性部材が、特定の範囲において印加磁場の存在下で磁気モーメントが自由に回転するフリー強磁性層であることを特徴とする請求項17に記載の磁気トンネル接合デバイス。
- 前記固定強磁性層が、NiFe、CoFe、CoFeB、NiFeCr、CoNiFe及びこれらの混合物からなる群から選択された材料から形成され、前記フリー強磁性層が、NiFe、CoFe、CoFeB、NiFeCr、CoNiFe及びこれらの混合物からなる群から選択された材料から形成されることを特徴とする請求項17に記載の磁気トンネル接合デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/937,660 US7169623B2 (en) | 2004-09-09 | 2004-09-09 | System and method for processing a wafer including stop-on-aluminum processing |
US10/937,660 | 2004-09-09 | ||
PCT/US2005/032303 WO2006029374A2 (en) | 2004-09-09 | 2005-09-09 | System and method for processing a wafer including stop-on-aluminum processing |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008512875A true JP2008512875A (ja) | 2008-04-24 |
JP2008512875A5 JP2008512875A5 (ja) | 2008-10-16 |
JP5261629B2 JP5261629B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=35996768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007531406A Active JP5261629B2 (ja) | 2004-09-09 | 2005-09-09 | ストップ−オン−アルミニウム処理を含むウェーハ処理のためのシステム及び方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7169623B2 (ja) |
JP (1) | JP5261629B2 (ja) |
WO (1) | WO2006029374A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011060918A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | スピン注入磁化反転素子、磁気ランダムアクセスメモリ、光変調器、表示装置、ホログラフィ装置、ホログラム記録装置および光変調器の製造方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7374952B2 (en) * | 2004-06-17 | 2008-05-20 | Infineon Technologies Ag | Methods of patterning a magnetic stack of a magnetic memory cell and structures thereof |
US7368299B2 (en) * | 2004-07-14 | 2008-05-06 | Infineon Technologies Ag | MTJ patterning using free layer wet etching and lift off techniques |
US8193096B2 (en) | 2004-12-13 | 2012-06-05 | Novellus Systems, Inc. | High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry |
US8582252B2 (en) | 2005-11-02 | 2013-11-12 | Seagate Technology Llc | Magnetic layer with grain refining agent |
US7445943B2 (en) * | 2006-10-19 | 2008-11-04 | Everspin Technologies, Inc. | Magnetic tunnel junction memory and method with etch-stop layer |
US7618894B2 (en) * | 2007-07-26 | 2009-11-17 | Unity Semiconductor Corporation | Multi-step selective etching for cross-point memory |
US7880209B2 (en) * | 2008-10-09 | 2011-02-01 | Seagate Technology Llc | MRAM cells including coupled free ferromagnetic layers for stabilization |
KR101527533B1 (ko) * | 2009-01-09 | 2015-06-10 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자의 형성방법 |
JP5058206B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2012-10-24 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子の製造方法 |
US20110143548A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | David Cheung | Ultra low silicon loss high dose implant strip |
JP2012099589A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
US8962493B2 (en) * | 2010-12-13 | 2015-02-24 | Crocus Technology Inc. | Magnetic random access memory cells having improved size and shape characteristics |
US9613825B2 (en) * | 2011-08-26 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Photoresist strip processes for improved device integrity |
US8748197B2 (en) * | 2012-03-14 | 2014-06-10 | Headway Technologies, Inc. | Reverse partial etching scheme for magnetic device applications |
US20140003118A1 (en) * | 2012-07-02 | 2014-01-02 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction self-alignment in magnetic domain wall shift register memory devices |
US20150236248A1 (en) | 2014-02-18 | 2015-08-20 | Everspin Technologies, Inc. | Top electrode etch in a magnetoresistive device and devices manufactured using same |
US9466788B2 (en) * | 2014-02-18 | 2016-10-11 | Everspin Technologies, Inc. | Top electrode etch in a magnetoresistive device and devices manufactured using same |
US9514954B2 (en) | 2014-06-10 | 2016-12-06 | Lam Research Corporation | Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films |
SG11201706167QA (en) * | 2015-02-15 | 2017-09-28 | Acm Res (Shanghai) Inc | Method for removing barrier layer for minimizing sidewall recess |
US9525125B1 (en) * | 2015-08-20 | 2016-12-20 | International Business Machines Corporation | Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire |
US11043251B2 (en) * | 2018-11-30 | 2021-06-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Magnetic tunnel junction device and method of forming same |
CN112563412B (zh) * | 2019-09-25 | 2023-06-23 | 浙江驰拓科技有限公司 | 磁性隧道结刻蚀方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002314170A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Canon Inc | トンネル磁気抵抗素子の加工方法 |
US20020160541A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Durcan D. Mark | Method for forming minimally spaced MRAM structures |
JP2003505873A (ja) * | 1999-07-22 | 2003-02-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 磁気トンネル接合装置を製造する方法 |
JP2003078185A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Nec Corp | 強磁性トンネル接合構造及びその製造方法並びに該強磁性トンネル接合を用いた磁気メモリ |
US20030199104A1 (en) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | Infineon Technologies North America Corp. | Material combinations for tunnel junction cap layer, tunnel junction hard mask and tunnel junction stack seed layer in MRAM processing |
JP2003324187A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Sony Corp | 磁気メモリ装置の製造方法および磁気メモリ装置 |
JP2004214459A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Sony Corp | 不揮発性磁気メモリ装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3854839B2 (ja) * | 2001-10-02 | 2006-12-06 | キヤノン株式会社 | 磁気抵抗素子を用いた不揮発固体メモリ |
JP2004128229A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Nec Corp | 磁性メモリ及びその製造方法 |
US6984529B2 (en) * | 2003-09-10 | 2006-01-10 | Infineon Technologies Ag | Fabrication process for a magnetic tunnel junction device |
-
2004
- 2004-09-09 US US10/937,660 patent/US7169623B2/en active Active - Reinstated
-
2005
- 2005-09-09 WO PCT/US2005/032303 patent/WO2006029374A2/en active Application Filing
- 2005-09-09 JP JP2007531406A patent/JP5261629B2/ja active Active
-
2006
- 2006-04-20 US US11/407,524 patent/US20060186496A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003505873A (ja) * | 1999-07-22 | 2003-02-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 磁気トンネル接合装置を製造する方法 |
JP2002314170A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Canon Inc | トンネル磁気抵抗素子の加工方法 |
US20020160541A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-31 | Durcan D. Mark | Method for forming minimally spaced MRAM structures |
JP2003078185A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Nec Corp | 強磁性トンネル接合構造及びその製造方法並びに該強磁性トンネル接合を用いた磁気メモリ |
US20030199104A1 (en) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | Infineon Technologies North America Corp. | Material combinations for tunnel junction cap layer, tunnel junction hard mask and tunnel junction stack seed layer in MRAM processing |
JP2003324187A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Sony Corp | 磁気メモリ装置の製造方法および磁気メモリ装置 |
JP2004214459A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Sony Corp | 不揮発性磁気メモリ装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011060918A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | スピン注入磁化反転素子、磁気ランダムアクセスメモリ、光変調器、表示装置、ホログラフィ装置、ホログラム記録装置および光変調器の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060051881A1 (en) | 2006-03-09 |
JP5261629B2 (ja) | 2013-08-14 |
US7169623B2 (en) | 2007-01-30 |
WO2006029374A3 (en) | 2006-11-09 |
US20060186496A1 (en) | 2006-08-24 |
WO2006029374A2 (en) | 2006-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5261629B2 (ja) | ストップ−オン−アルミニウム処理を含むウェーハ処理のためのシステム及び方法 | |
US10043851B1 (en) | Etch selectivity by introducing oxidants to noble gas during physical magnetic tunnel junction (MTJ) etching | |
US7955870B2 (en) | Dry etch stop process for eliminating electrical shorting in MRAM device structures | |
US7645618B2 (en) | Dry etch stop process for eliminating electrical shorting in MRAM device structures | |
TWI737607B (zh) | 圖案化磁性通道接面的硬遮罩 | |
US6759263B2 (en) | Method of patterning a layer of magnetic material | |
US11088320B2 (en) | Fabrication of large height top metal electrode for sub-60nm magnetoresistive random access memory (MRAM) devices | |
US7105361B2 (en) | Method of etching a magnetic material | |
US7320942B2 (en) | Method for removal of metallic residue after plasma etching of a metal layer | |
EP1389800A2 (en) | Method for removal of residue from a film stack using a sacrificial mask layer | |
US20040026369A1 (en) | Method of etching magnetic materials | |
US20120276657A1 (en) | Method of patterning of magnetic tunnel junctions | |
US11367832B2 (en) | Method of making magnetoresistive random access memory device | |
KR20040090928A (ko) | Mram 장치 제조 방법 | |
JP5085637B2 (ja) | Mramデバイス構造内の電気的短絡を排除するドライエッチング停止処理 | |
US10921707B2 (en) | Self-adaptive halogen treatment to improve photoresist pattern and magnetoresistive random access memory (MRAM) device uniformity | |
US20200266340A1 (en) | Integrated circuit | |
US20200052196A1 (en) | Avoiding Oxygen Plasma Damage During Hard Mask Etching in Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Fabrication Process | |
KR102399361B1 (ko) | 20 nm 이하 mram 디바이스들을 제조하기 위한 다수의 하드 마스크 패터닝 | |
US20030181056A1 (en) | Method of etching a magnetic material film stack using a hard mask | |
CN101449361A (zh) | 消除磁性随机存取存储器器件结构中的电短路的干法蚀刻停止工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080828 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110711 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111011 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121203 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20121228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130322 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5261629 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |