JP2008511435A - 電気化学的装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)半導体がシリコン又は炭化ケイ素でありかつ1〜1000μmの厚さを有する半導体層と、
(b)MTiO3になる量までのアルカリ土類酸化物MOを含むことができかつ5nm〜1μmの厚さを有する半導体層上のTiO2層と、
(c)TiO2層に-電界を印加することができるように配置された該TiO2層上の不活性金属グリッドと、
(d)半導体層上のオーム接触部と、
を含む。
TiO2(h)+OH-→TiO2+OH
半導体層は、シリコン又は炭化ケイ素で作ることができる。シリコンが通常、費用の理由で好ましいが、炭化ケイ素ウェーハは、TiO2層とのより良好なバンドエネルギー整合性の利点を有する。また、SiCは化学的に不活性であり、これは、幾つかの用途で使用することができる。
半導体層上のオーム接触部は、当技術分野でよく知られているようにあらゆる好適な構成とすることができる。
TiO2層は、半導体層上に蒸着され、例えばSrOなどのアルカリ土類酸化物(MO)を含むことができる。MOの最大量は、層がMTiO3となる量であるが、MOの量は、TiO2に対するモル基準で5%よりも少なくすることができる。幾つかの実施形態では、MOが存在しない、すなわち層がTiO2だけであることが好ましい。
金属グリッドは、不活性金属を含む。金属は、装置を使用することになる条件に対して不活性でなければならない。好適な金属には、例えば金、プラチナなどの貴金属が含まれる。
TiO2層と金属グリッドとの間には、例えば5〜50ÅのTi層などの接着層を用いることができる。
TiO2層は、例えばスパッタリング、電子ビーム蒸着、熱蒸着などの当技術分野で公知のあらゆる好適な方法を使用して半導体層上に蒸着させることができる。好ましい方法は、優れた制御及び実験自由度の利点を有しかつ広面積高品質の膜蒸着に好適な確立した工業プロセスであるDCマグネトロンスパッタリング(DCMS)である。そのようなプロセスは、Cドープ又はNドープTiO2膜を蒸着させるのに使用することができる(例えばTorres,G.R.外の「J.Phys.Chem.B」108、5995−6003(2004年)を参照されたい)。
金属グリッドは、フォトリソグラフィ及び湿式化学エッチングを含む標準的方法を使用してTiO2層上に蒸着される。
TiO2層に印加される電圧は、電流が流れることができるように正孔電流に対するエネルギー障壁を低下させるのに十分のものでなければならない。一般的に、電圧は、少なくとも0.5Vにすることになるが、より小さくすることもできる。
以下に示す実施例の装置では、グリッドとシリコンとの間の4Vの電圧レベルで435mAの電流レベルに達した。
本発明の装置は、OHラジカルを生成するために光を必要とせず、従って暗所で作動させることが好ましいといえる。本装置は、例えば0〜300℃などのあらゆる適当な温度で作動させることができる。
25cm2500μmのn−Si(100)(1〜10オームcm)ウェーハを、トリクロロエチレン(80℃で5分間)、アセトン(80℃で5分間)及びイソプロピルアルコール(80℃で5分)内で入念に洗浄した後に脱イオン水で洗い流した。シリコンは次に、標準RCA処理法(NH4OH:H2O2:H2Oにより80℃で5分間、その後、HCl:H2O2:H2Oにより80℃で5分間)を使用してさらに清浄化した。試料は次に、真空チャンバ内に入れる直前に、6%のHF内で5分間脱酸素処理した。次に、1200Åの厚さまでチタンを蒸着させ、試料は次に、ランプ加熱炉内に入れて、およそ900℃で90秒間急速酸化させた。試料は次に、真空チャンバに戻して、金を蒸着させた(1000Åの金の前に20Åの薄いTi接着層を先行させた)。金グリッドは次に、標準フォトレジストを表面上で回転させ、マスクを介して露光したUV光でパターニングすることによってパターン化させた。レジストをハードベーキングした後に、王水内で金をエッチングして、0.5mmの厚さを有しかつ互いに1mmだけ間隔をおいたワイヤを有するグリッドを生成した。
Claims (14)
- (a)半導体がシリコン又は炭化ケイ素でありかつ1〜1000μmの厚さを有する半導体層と、
(b)MTiO3になる量までのアルカリ土類酸化物MOを含むことができかつ5nm〜1μmの厚さを有する前記半導体層上のTiO2層と、
(c)前記TiO2層に電界を印加することができるように配置された該TiO2層上の不活性金属グリッドと、
(d)前記半導体層上のオーム接触部と、
を含む電気化学的装置。 - 前記半導体層がシリコンである、請求項1に記載の装置。
- 前記半導体層が、500〜600μmの範囲の厚さを有する、請求項1又は請求項2のいずれかに記載の装置。
- 前記アルカリ土類酸化物がSrOである、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記TiO2層のMOの量が、該TiO2に対するモル基準で5%よりも少ない、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記TiO2層内にMOが存在しない、請求項5に記載の装置。
- 前記TiO2層が100〜500Åの厚さである、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の装置。
- 前記金属グリッドが貴金属で作られる、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の装置。
- 前記金属グリッドが、前記TiO2層に均一の電界を印加することができるように配置される、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の装置。
- 請求項1から請求項9のいずれか1項による装置の前記TiO2層の表面においてOHラジカルを生成する方法であって、
(i)H2Oを含む流体に前記表面を接触させる段階と、
(ii)前記装置に電界を印加する段階と、
を含む方法。 - 前記TiO2層に印加される電圧が、電流が流れることができるように正孔電流に対するエネルギー障壁を低下させるのに十分である、請求項10に記載の方法。
- 前記電圧が少なくとも0.5Vである、請求項11に記載の方法。
- 前記OHラジカルが、汚染流体の消毒又は無毒化に使用される、請求項10から請求項12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記流体が、化学汚染物質、細菌及び病原体からなる群から選択される1つ又はそれ以上の成分で汚染されている、請求項13に記載の方法。
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