JP2008509597A - ワイヤ・ボンドを放射素子として使用してアンテナを構築する装置および方法 - Google Patents

ワイヤ・ボンドを放射素子として使用してアンテナを構築する装置および方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008509597A
JP2008509597A JP2007524785A JP2007524785A JP2008509597A JP 2008509597 A JP2008509597 A JP 2008509597A JP 2007524785 A JP2007524785 A JP 2007524785A JP 2007524785 A JP2007524785 A JP 2007524785A JP 2008509597 A JP2008509597 A JP 2008509597A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
antenna
wire
chip
substrate
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007524785A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008509597A5 (ja
JP4608547B2 (ja
Inventor
ガウチャー、ブライアン、ポール
リウ、ドゥイキシアン
フェイファ、ウルリッチ、リチャード、ルドルフ
ズウィック、トーマス、マーチン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JP2008509597A publication Critical patent/JP2008509597A/ja
Publication of JP2008509597A5 publication Critical patent/JP2008509597A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4608547B2 publication Critical patent/JP4608547B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q23/00—Antennas with active circuits or circuit elements integrated within them or attached to them
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/24—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q7/00—Loop antennas with a substantially uniform current distribution around the loop and having a directional radiation pattern in a plane perpendicular to the plane of the loop
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/16—Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/30—Resonant antennas with feed to end of elongated active element, e.g. unipole
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0612—Layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012—Semiconductor purity grades
    • H01L2924/01204—4N purity grades, i.e. 99.99%
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20751—Diameter ranges larger or equal to 10 microns less than 20 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H01L2924/30111—Impedance matching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)

Abstract

【課題】ワイヤ・ボンドを放射素子として使用して構築するアンテナおよび一体型アンテナ・パッケージ装置および方法を提供すること。
【解決手段】基板またはチップに取り付けられた放射素子としての１つまたは複数のワイヤを使用して構築されるアンテナが設けられ、ワイヤ・ボンディング方法を使用して、ワイヤに関するループ・プロファイルを取り付け、形成することができる。アンテナをＩＣチップ（例えばＩＣトランシーバ、受信機、送信機など）と共に一体的にパッケージ化して、一体型ワイヤレスまたはＲＦ（無線周波数）通信システムを構築することができる。例えば、例示的アンテナ・デバイス（２０）は、金属パッド（２３）および（２４）に接続され支持される第１ワイヤ素子（２２）と、金属パッド（２６）および（２７）に接続され支持される第２ワイヤ素子（２５）とを備えるダイポール・アンテナを有する基板（２１）を備える。金属パッド（２３）および（２６）は、例えばＲＦ回路に接続される一体型アンテナ・フィード・ネットワークに対する接触パッドである。金属パッド（２４）および（２７）は、それぞれのワイヤ素子（２２）および（２５）の端部（フィードされない）を取り付け、支持する終端パッドである。任意選択の金属遮蔽素子（２８）および（２９）が、電磁場が基板（２１）を貫くのを防止し、それによって損失を低減し、アンテナ効率を向上させるために、基板／チップ（２１）上のワイヤ素子（２２）および（２５）下に形成される。
【選択図】図３

Description

本発明は、一般に、１つまたは複数のワイヤを基板またはチップに取り付けられた放射素子として使用するアンテナ・デバイスを構築する装置（apparatus）および方法に関し、ワイヤ・ボンディング方法を使用して、ワイヤのためのループ・プロファイルを取り付け、形成することができる。さらに、本発明は、放射ワイヤ素子で形成されたアンテナをＩＣ（集積回路）チップと一体的にパッケージングすることにより、完全に一体化されたワイヤレスまたはＲＦ（無線周波数）通信システムを構築する装置および方法に関する。
ワイヤレスＰＡＮ（パーソナル・エリア・ネットワーク）、ワイヤレスＬＡＮ（ローカル・エリア・ネットワーク）、ワイヤレスＷＡＮ（広域ネットワーク）、セルラ・ネットワーク、あるいはほぼ任意の無線ネットワークまたはシステムなどのワイヤレスネットワーク内のデバイス間のワイヤレス接続性および通信を実現するために、所望の信号をネットワークの他の要素に効率的に放射（送信）し、またはネットワークの他の要素から受信するためのアンテナを受信機および送信機（またはトランシーバ）に装備することが必要である。
ミリメートル波無線通信システムなどの従来型無線通信システムでは、離散的構成要素が、プリント回路基板、パッケージ、または基板上に封入（encapsulate）され、または個々に低い一体化レベルで取り付けられる。ミリメートル波応用例では、これらの無線通信システムは一般に、費用がかかり、かつ大きい導波路、パッケージ・レベルまたはボード・レベルのマイクロストリップ構造、ならびに半導体チップと送信機または受信機アンテナを相互接続するワイヤ・ボンドを使用して構築される。
１つまたは複数のワイヤ（またはワイヤ・ボンド）を放射素子として使用するアンテナおよび一体型アンテナ・パッケージ装置および方法を提供すること。
本発明の例示的実施形態は、１つまたは複数のワイヤを基板またはチップに取り付けられた放射素子として使用してアンテナ・デバイスを構築する装置および方法を含む。１つの例示的実施形態では、基板またはチップにワイヤを取り付け、ワイヤのためのループ・プロファイルを形成するためにワイヤ・ボンディング方法が使用される。モノポール・アンテナ、ダイポール・アンテナ、折返しダイポール・アンテナ、ループ・アンテナ、またはエンド・ファイア・アンテナ（end-fire antenna array）、あるいはその他のタイプのアンテナ・アレイを含む様々なタイプのアンテナを形成するために、１つまたは複数のワイヤ（またはワイヤ・ボンド）を放射素子として使用して、本発明の例示的実施形態によるアンテナを構築することができる。
本発明の例示的実施形態は、放射ワイヤ素子で形成された１つまたは複数のアンテナをＩＣ（集積回路）チップと共にパッケージングすることにより、完全に一体化されたワイヤレスまたはＲＦ（無線周波数）通信システムを構築する装置および方法をさらに含む。実際に、放射ワイヤまたはワイヤ・ボンド素子で形成されたアンテナを、オンチップＲＦ（無線周波数）またはマイクロ波集積回路（例えば受信機、送信機、トランシーバなど）に直接取り付け、プラスチック／誘電体封止材（encapsulant）内にパッケージ化して、完全に一体化されたＲＦまたはワイヤレス通信デバイスを構築することができる。
本発明の上記およびその他の例示的実施形態、態様、目的、特徴、および利点を、添付の図面と共に読むべきである以下の例示的実施形態の詳細な説明で述べ、または本発明の上記およびその他の例示的実施形態、態様、目的、特徴、および利点は、以下の例示的実施形態の詳細な説明から明らかとなるであろう。
本明細書で説明する本発明の例示的実施形態は、基板または半導体チップの表面に取り付けられた放射素子として１つまたは複数のワイヤ素子を使用してアンテナを構築する装置および方法を含む。本発明の一実施形態では、ワイヤは、ワイヤを基板またはチップに取り付け、所望のワイヤ・ループ・プロファイルを形成するためにワイヤ・ボンド方法を使用して形成されるワイヤ・ボンドを含む。ワイヤ・ボンド放射素子で形成される本発明の例示的実施形態によるアンテナ・デバイスは、例えばワイヤ寸法、精度、および運動輪郭（motion contour）に関して現在の（または将来の）ボンディング技術で実現可能であり、現在の（または将来の）ボンディング技術と整合性のあるワイヤ・ループ・プロファイルを使用する。さらに、ワイヤ・ボンディング方法を使用して放射素子としてワイヤを形成することにより、本発明によるアンテナ・デバイスの大量製造について正確な配置および再現性が可能となる。本発明の例示的実施形態によるワイヤ・ボンディング方法、およびアンテナ・デバイスを構築するためにそのような方法を使用することについての簡潔な説明をこれから与える。
一般には、ワイヤ・ボンディングは、チップ−基板相互接続を形成して電力および信号分配のための電気的経路を与えるために半導体製造で一般的に使用される方法である。当技術分野で周知のように、ワイヤ・ボンディングは一般に、非常に細い直径のワイヤを使用して、ダイ（die）上のパッドをリード・フレーム（または基板）に接続するものである。一般には、「ボール・ボンディング」技法および「ウェッジ・ボンディング（wedgebonding）」方法として知られる、実装することのできるいくつかのワイヤ・ボンディング方法が存在する。両者のタイプのワイヤ・ボンディング方法についての基本的ステップは、（ｉ）（通常はチップ上に）第１ボンドを形成すること、（ｉｉ）ワイヤ・ループを形成すること、および（ｉｉｉ）（通常は基板上に）第２ボンドを形成することを含む。
ボール・ボンディング技法とウェッジ・ボンディング技法の間には様々な違いがある。１つの違いは、「ボール・ボンディング」では、各ボンド・サイクルの最初にフリー・エア・ボール（free air ball）が形成され、ボールをパッドにボンディングすることによって第１ボンドが達成されるのに対して、「ウェッジ・ボンディング」では、力および超音波エネルギーを使用してデバイスにワイヤがボンディングされる。ボール・ボンディングでは、少なくとも９９．９９％の純度を有する金（Ａｕ）ワイヤで形成されたボンド・ワイヤが一般に使用される。あるいは、ワイヤ・ボンド・デバイスに何らかの修正を行うことにより、銅（Ｃｕ）ワイヤをボール・ボンディングすることもできる。そのような場合、フリー・エア・ボール形成中のＣｕ酸化を防止するためにガス環境が形成される。ＡｕボンディングとＣｕボンディングはどちらも高い温度で実施され、「サーモソニック・ボンディング（thermosonic bounding）」と呼ばれるプロセスである。熱および超音波エネルギーを使用するからである。ウェッジ・ボンディングでは、高い温度でＡｕワイヤを使用して、または室温でアルミニウム（Ａｌ）ワイヤを使用してワイヤ・ボンドを形成することができる。
ボール・ボンディングとウェッジ・ボンディングの別の違いは、ワイヤ・ルーピングに関するものである。ワイヤ・ボンドのループとは、ワイヤ・ボンドの各端部の取付け地点間のワイヤの曲線または弧を指す。具体的には、ボール・ボンディングは、第１ボンドから第２ボンドにワイヤをルーピングする方向に関して制限を課さず、これにより、ボール・ボンディング・ルーピングが極めて柔軟性のあるものとなる。一方、従来のウェッジ・ボンディング・デバイスでは、ボンドをワイヤ方向に対して平行に配置することだけが可能である。ボール・ボンディングとウェッジ・ボンディングの別の違いは、ボール・ボンディングを使用するボンディングの速度を最速のウェッジ・ボンダの速度の２倍超にできることである。
本発明によれば、応用例またはアンテナ設計に応じて、ボール・ボンディング方法またはウェッジ・ボンディング方法を使用して、基板またはチップ上にワイヤ・ボンドを放射素子として形成することができる。速度が速く、コストが低く、ルーピング能力がより柔軟であることにより、ボール・ボンディングは今日最も一般的に使用される相互接続である。しかし、ファイン・ピッチ応用例では、ボール・ボンディングまたはウェッジ・ボンディングを選択するとき、小型で信頼性の高いボンドを達成し、ループを維持し、ボンドを正確に配置することを含むいくつかの要素を考慮すべきである。
以下の表１に、現在存在するワイヤ・ボンディング・ツール（例えばワイヤ・ボンダ）を使用して達成することのできる、ファイン・ピッチ・ワイヤ・ボンディング応用例についての典型的な仕様を列挙する。
Figure 2008509597
図１に、本発明の例示的実施形態による、表Ｉに列挙する仕様に従ってファイン・ピッチ・ワイヤ・ボンディング方法を使用して設計することのできる放射素子としてのワイヤを有するアンテナの略図を示す。より具体的には、図１は、ボール・ボンド（ball bond）（１３）および（１４）にそれぞれ接続される第１および第２の４分の１波長ワイヤ素子（１１）および（１２）を含む半波長ダイポール素子を有するダイポール・アンテナ（１０）の略図を示す。図１では、ボール・ボンドがフィード・ネットワーク（feednetwork）（例えば差動フィード・ネットワーク）のパッド接続にボンディングされ、ワイヤ（１１）および（１２）の他端が（例えば図２、３、および４を参照しながら以下で説明する）基板またはチップに接続されると仮定する。
図１に示すように、ファイン・ピッチ・ボールおよびワイヤ・ボンディングのためのワイヤ・ボンディング・ツールは、ボンド・ピッチ（ＢＰ）（例えばチップ上のワイヤ・ボンド間の間隔）３５〜４５ミクロン（およびボール・ボンディングについて最小３５ミクロンのボール・ボンド・ピッチ（ＢＰ））、最小ワイヤ直径１５〜２５．４ミクロン、２．４ｍｍ未満の高精度ワイヤ・スパンについて±１ワイヤ直径のワイヤ・スウェイ（wire sway）、３σ標準偏差配置精度（ＰＡ）±５ミクロン、最大ワイヤ・ボンド長（ＬＷ）７．６ｍｍ、最小ワイヤ・ループ高（ＬＨ）１００ミクロン、および最小ボール直径（ＢＤ）４３ミクロンを形成することができる。以下で説明するように、これらのワイヤ・ボンド仕様は、ミリメートル波応用例向けの放射素子としてのワイヤ・ボンドを有するアンテナ・デバイスを構築するのに適している。
さらに、ワイヤ・ループ・プロファイルを画定するために、現在のワイヤ・ボンディング・ツールは、いくつかのワイヤ・ループ、例えばＪワイヤ・ループ（J-wire loop）、ＲＦループ、スピンダ・ループ・プロファイル（spinderloop profile）などをプログラムすることを可能にする。利用可能なループ・プロファイルのほとんどは、ワイヤ・ボンディング・ツール・チップの可能な運動輪郭に適用される実験的統計的方法で導出される。通常、周知かつ一般的に使用される形状／輪郭／ループ・プロファイルは、ワイヤをネッキングする（neck）ことなく、可能な最短のワイヤ・ボンドまたは最短のボンディング・ピッチあるいはその両方を実現するための特定のパッケージ・タイプまたはチップ取付け技法に関係する。
ワイヤ・ボンドを形成するように組み合わされる複数の組の対応するリンク機構／ばね対（linkage/springpair）としてワイヤ・ボンドをモデリングすることによってボンディング・ワイヤ・プロファイル制限を解析することができ、ボンディング・ワイヤの弾塑性変形をシミュレートする２つのリンク機構の曲げ角度によってばねの弾性および可塑性の係数が求められる。これらの研究を用いて、チップ−基板相互接続にとって望ましくないが、本発明の例示的実施形態によるアンテナ用の放射素子としては適しており、効果的である様々なワイヤ・ループ・プロファイルが存在することを示すことができる。輪郭運動プロセスを利用して自動化ファイン・ピッチ・ワイヤ・ボンディング・ツールの機能に準拠するワイヤ・ループ・プロファイルを達成するのに、手動ワイヤ・ボンダを使用することができる。本明細書で説明する本発明の例示的実施形態は、実現可能であり、ワイヤの寸法、精度、および運動輪郭に関するワイヤ・ボンディング技術の制限と整合するワイヤ・ループ・プロファイルを使用する。
図２および３は、本発明の例示的実施形態によるアンテナ・デバイスを示す略図である。より具体的には、図２および３は、放射素子としてのワイヤ・ボンドで形成されたダイポール・アンテナを備える例示的実施形態アンテナ・デバイス（２０）を示し、図２は、アンテナ・デバイス（２０）の概略上面図を示し、図３は、線２Ｂ−２Ｂに沿って切り取られた図２のアンテナ・デバイス（２０）の概略断面図である。例示のために、ダイポール・アンテナ・デバイスと、そのようなデバイスの半導体ＩＣパッケージへの一体化を具体的に参照しながら本発明の例示的実施形態を説明する。本発明は何らかの特定のアンテナ・タイプまたは動作周波数に限定されないことを理解されたい。むしろ、本発明は、例えばワイヤ・ボンディング方法で形成された放射素子としてのワイヤを使用して設計することのできる、所与の応用例または動作周波数あるいはその両方に適したどんなアンテナ・タイプにもより一般的に適用可能である。
ここで図２および３を参照すると、例示的アンテナ・デバイス（２０）は、図１の例示的フレームワーク（構成）に基づくダイポール・アンテナ構造を有する基板（２１）（またはチップ（ダイ））を備える。より具体的には、ダイポール・アンテナは、金属パッド（２３）および（２４）に接続され、支持される第１ワイヤ素子（２２）と、金属パッド（２６）および（２７）に接続され、支持される第２ワイヤ素子（２５）とを備える。第１および第２ワイヤ素子（２２）および（２５）は、それぞれ第１および第２の４分の１波長（１／４波長）ワイヤ素子である。図２および３の例示的実施形態では、金属パッド（２３）および（２６）は、ＲＦ回路に接続される一体型アンテナ・フィード・ネットワークに対する接触パッドである。金属パッド（２４）および（２７）は、それぞれのワイヤ素子（２２）および（２５）の端部（フィードされない）を取り付け、支持する終端パッドである。各ワイヤは、それが接続され、支持される始点および終点を有する。例示的アンテナ・デバイス（２０）は、基板／チップ（２１）上のそれぞれのワイヤ素子（２２）および（２５）下に形成された任意選択の金属遮蔽素子（２８）および（２９）をさらに備える。金属遮蔽素子（２８）および（２９）は、電磁場が基板（２１）を貫くのを防止し、それによって損失を低減し、アンテナ効率を向上させるために、基板（２１）とワイヤ（２２）および（２５）の間に含まれていてよい。接触パッド（２３）、（２４）、（２６）、および（２７）、ならびに遮蔽素子（２８）および（２９）を、基板／チップ（２１）の上部金属層の一部として形成することができる。
アンテナ実装に応じて、基板／チップ（２１）は、例えば、融解石英（ＳｉＯ２）、アルミナ、ポリスチレン、セラミック、テフロン（登録商標）・ベースの基板、ＦＲ４などの誘電体／絶縁材料、あるいは高抵抗率シリコンまたはＧａＡｓなどの半導体材料を含む任意の適切な材料を含むことができる。
さらに、例示的アンテナ・デバイス（２０）は、図２および３にファントム（phantom）（点線）で示される環境保護用のアンテナ封入（カプセル封じ）層（３０）を含む。応用例に応じて、封入層（３０）は、アンテナおよび基板／チップを封入するパッケージ・カバー（プラスチック・カバー）でよい。具体的には、例えば、基板／チップ（２１）を、それに接続されるアンテナと共にチップ・パッケージ内部にパッケージングするために、低コスト・プラスチック・パッケージ内にチップおよびアンテナを封入することができる。他の実施形態では、基板／チップ（２１）の上に誘電体材料の層を形成することができ、それによってアンテナ・ワイヤ素子がそのような層内に埋め込まれる。
本発明の例示的実施形態によれば、ワイヤ素子（２２）および（２５）が基板／チップ（２１）に取り付けられ、大量製造のための正確な配置および再現性を可能にするワイヤ・ボンディング・マシンを使用して、そのようなワイヤ素子のループ・プロファイルが形成される。この点で、周知の技法を使用して、本発明の例示的実施形態によるループ・プロファイルをワイヤ・ボンダに対してプログラムし、所与のアンテナ・タイプについて最適な／所望の放射効率を実現することができる。
図２および３に、例示的ダイポール・アンテナ・デバイス（２０）に関する様々なパラメータまたは寸法あるいはその両方を示す。これらは、例えば応用例、アンテナ・タイプ、または動作周波数、あるいはそれらの組合せに応じて変化する可能性がある。具体的には、基板／チップ（２１）が、面積寸法（ＣＸ）および（ＣＹ）ならびに厚さ（ＣＺ）を有するほぼ正方形として示されている。さらに、封止材／カバー（３０）が、寸法（ＰＸ）、（ＰＹ）、および（ＰＺ）を有するものとして示されている。ワイヤ素子（２２）および（２５）が、ワイヤ直径（ＤＷ）、横方向スパン（Ｓ）、およびピッチ（Ｐ）で分離されるフィード・ポイントをそれぞれ有するものとして示されている。金属接触パッド（２３）、（２４）、（２６）、および（２７）が幅（ＷＣ）を有するものとして示されており、金属遮蔽（２８）および（２９）が幅（ＷＳ）を有するものとして示されている。終端パッド（２４）および（２７）が、基板／チップ（２１）を横切る横方向延長部分（Ｌ）で分離されるものとして示されている。フィード・パッド（２３）および（２６）がギャップ（ＧＦ）で分離されるものとして示されており、金属遮蔽および接触パッドが、ギャップ（Ｇ）で分離されるものとして示されている。さらに、ワイヤ素子（２２）および（２５）が、それぞれの金属遮蔽（２８）および（２９）を覆うループ高（ＬＨ）を有するものと示されている。
以下の表２に、本発明の例示的実施形態による、図２および３のフレームワーク（構成）に基づく６０ＧＨｚダイポール・アンテナ設計に関する上記のパラメータ／寸法についての例示的値を列挙する。
Figure 2008509597
図２および３に示すフレームワークと、表ＩＩに列挙するパラメータ値を有する例示的ダイポール・アンテナ実施形態では、１００μｍのループ高（ＬＨ）が、列挙される寸法を有するチップおよびパッケージと共に実装するのに適している。
ＲＦまたはワイヤレス通信チップを構築するのに、本発明の例示的実施形態によるアンテナをＩＣチップと共に比較的小さいパッケージとして一体的にパッケージングできることを理解されたい。例えば、図４は、本発明の例示的実施形態による、アンテナおよびＩＣチップを一体的にパッケージングする装置（４０）の概略斜視図である。具体的には、図４は、低コストＱＦＮ（Quad Flat Nonleaded）パッケージ構造を使用してＩＣチップと共にパッケージングされる、図２および３の例示的実施形態を参照しながら上記で議論したのと同様のフレームワークを有する完全に一体化されたオンチップ・ダイポール・アンテナを示す。
具体的には、図４を参照すると、装置（４０）は、リードレス（セラミック）チップ・キャリア（４２）に取り付けられたＩＣチップ（４１）表面と、低コスト・プラスチック材料で形成することのできる、ＩＣパッケージを封入するファントム（点線）で示されるパッケージ封入部（package encapsulation）（４３）（パッケージ・カバー）とを備える。チップ・キャリア（４２）は、キャリア基板（４２）の４つのすべての辺上に形成された複数のパッド（４４）を有するリード・フレームを有する。チップ（４１）（またはダイ）は、チップ（４１）の能動面（activesurface）の周囲に分布する複数のボンド・パッド（４５）（または金属領域）を有する。ボンド・パッド（４５）は、ＩＣチップ（４１）とパッケージ接点（４４）との間の電気的接続（例えばグランド、電源、Ｉ／Ｏなど）を行うために、ワイヤ・ボンディングで形成されたワイヤ（４６）でリード・フレームのパッド（４４）に接続される。チップ・キャリア（４２）は、ダイ（４１）が取り付けられるダイ・パドル（４７）をさらに有する。
さらに、装置（４０）は、図２および３を参照しながら上記で議論したダイポール・アンテナと同様のフレームワークを有するダイポール・アンテナを備える。具体的には、図４の例示的ダイポール・アンテナは、金属パッド（４９）および（５０）に接続され支持される第１ワイヤ素子（４８）と、金属パッド（５２）および（５３）に接続され支持される第２ワイヤ素子（５１）とを有する。第１および第２ワイヤ素子（４８）および（５１）は、それぞれ第１および第２の４分の１波長ワイヤ素子である。金属パッド（４９）および（５２）は、ＲＦ回路に接続される一体型アンテナ・フィード・ネットワークに対する接触パッドである。金属パッド（５０）および（５３）は、それぞれワイヤ素子（４８）および（５１）の（フィードされない）部分を取り付け、支持する終端パッドである。
接触パッド（４９）および（５２）は、チップ（４１）の集積回路に接続される一体型アンテナ・フィード・ネットワーク（差動フィード（differential feed））へのダイポール・アンテナの接続を可能にする。フィード・ネットワーク・フレームワークは、例えば、所与の応用例に対して望ましいインピーダンス、またはアンテナが接続されるデバイスのタイプ、あるいはその両方に応じて変化する。例えば、アンテナが送信機システムに接続される場合、フィード・ネットワークは、電力増幅器に対する適切な接続およびインピーダンス整合を実現するように設計される。別の例では、アンテナが受信機システムに接続される場合、フィード・ネットワークは、ＬＮＡ（低ノイズ増幅器）に対する適切な接続およびインピーダンス整合を実現するように設計される。
例示的装置（４０）は、基板損失およびその誘電率に応じて、電磁場が基板（４１）を貫くのを防止するために、チップ（４１）上のワイヤ素子（４８）および（５１）下に形成された金属遮蔽素子をさらに備えることができる。グランド遮蔽のサイズは、アンテナの放射効率に影響を及ぼす可能性があり、全体のチップ幾何形状によって制限される。
図４の例示的実施形態は、完全に一体化されたオンチップ・アンテナの１つの例示的実施形態に過ぎないこと、および本明細書の教示に基づいて他のフレームワークを当業者は容易に思い描けることを理解されたい。例えば、ダイポール・アンテナ以外のアンテナ構造をワイヤ・ボンドで形成し、上述と同様にパッケージ化することができる。実際、以下で説明する図９〜１２は、本発明の例示的実施形態によるワイヤ・ボンドを使用して構築することのできる様々なアンテナの略図を示す。さらに、図４では図示するアンテナは１つであるが、２つのアンテナを用いて、本発明の他の例示的実施形態によるＩＣパッケージを構築することができ、例えば、一方のアンテナは送信用の一体化送信機回路に接続され、他方のアンテナは受信用の一体化受信機回路に接続される。さらに、図４では、チップ（４１）の表面上に位置するワイヤ終端接点（５０）および（５３）を示すが、より広いワイヤ・スパンを考慮する場合、パッケージ・リード・パッド（４４）上に配置されたワイヤ終端でアンテナを形成することができる。実際、１つまたは複数のリード・ワイヤをアンテナの放射素子として使用することもできる。
本発明によるワイヤ・ボンドを放射素子として使用するアンテナ設計の電気的特性および特徴を求めるために、ＲＦ、ワイヤレス、パッケージング、およびオプトエレクトロニック設計用の市販の周知のＩＥ３Ｄ ＥＭシミュレーション・ソフトウェア・ツールであるＥＭ（電磁）シミュレーション・ソフトウェアを使用して、６０ＧＨｚダイポール・アンテナ設計についてコンピュータ・シミュレーションを実施した。具体的には、ワイヤ素子（６１）および（６２）、接触パッド（６３）、（６４）、（６５）、および（６６）、ならびに金属遮蔽（６７）および（６８）を有する、図５に示す空気（真空）環境内のモデル差動フィード・ダイポール・アンテナ（６０）についてシミュレーションを実施した。モデル・ダイポール・アンテナ（６０）について、上記の表ＩＩで述べたワイヤ、パッド、および遮蔽パラメータ、例えばループ高１００ミクロン、ループ・スパン（Ｓ）１０１２．５ミクロン、および遮蔽の幅３００ミクロンなどを指定した。
図６に、図５の空気中のモデル・ダイポール・アンテナ（６０）のシミュレートした反射減衰量のグラフを示す。具体的には、図６は、モデル６０ＧＨｚダイポール・アンテナについての、シミュレートした入力インピーダンス整合パラメータ（Ｓ１１）のｄＢ単位のグラフを示す。図６は、例示的ダイポール・アンテナ実施形態が６０ＧＨｚ周波数帯で約６ＧＨｚの帯域幅を与えることを示し、帯域幅は、７５オーム・フィード・ケーブルに対してＳ１１が約−１０ｄＢ以上であると測定された周波数範囲に基づいて定義される。さらに、図７は、図５のモデル・ダイポール・アンテナのシミュレートしたアンテナおよび放射効率のグラフを示す。上述のように、基板損失およびその誘電率に応じて、電磁場が基板に達するのを防止するためにグランド遮蔽を使用することができ、そのようなグランド遮蔽のサイズが放射効率に影響を及ぼす。
図８に、図５のモデル６０ＧＨｚダイポール・アンテナのシミュレートした仰角放射パターン（elevation radiation pattern）の（極座標グラフ（polar graph）を使用した）グラフを示す。図８に示す仰角放射パターンは、図５に示すデカルト座標系を仮定し、ｚ軸はアンテナ遮蔽およびパッドの平面に対して垂直な方向に延び、ｘ軸は、アンテナの平面に沿って、ダイポール・アンテナの軸に沿う方向に縦方向に延び、ｙ軸は、ダイポール・アンテナの軸に垂直な方向に縦方向に延びる。図８は、一般にダイポール・アンテナに関して典型的な、ＺＹ平面（φ＝９０度）、およびＺＸ平面（φ＝０度）で定義される垂直平面内で得られた仰角放射パターンを示す。
さらに、ワイヤの延長による周波数シフトに関する上限を予測するために、典型的なワイヤ・ボンダの３σ配置精度の影響をシミュレートした。そのような公差による周波数のシフトは１％未満であることをシミュレーションは示している。
例えば図１、２、３、および４を参照しながら上記で議論した例示的実施形態は本発明によるアンテナおよびＩＣパッケージの例示的実施形態に過ぎないこと、ならびに本発明の装置および方法を使用してＩＣチップと共に構築およびパッケージ化することのできる他のアンテナ・タイプを当業者は容易に思い浮かべられることを理解されたい。例えば、本明細書で説明する例示的ダイポール・アンテナに加えて、例えばモノポール、折り返し（folded）ダイポール、ループ、エンド・ファイア・アンテナ・アレイ構造などの他のアンテナを、本発明によるワイヤ素子を使用して構築することができる。アンテナのタイプに応じて、中間接続（接触パッド）を設けて曲折ワイヤ構造オンチップ（meanderwire structure on-chip）を形成することができる。
例えば、図９〜１２は、本発明の例示的実施形態による、ワイヤ・ボンドを使用して構築することのできるアンテナを示す略図である。図９〜１２に示す例示的アンテナ・フレームワークを、例えば図４を参照しながら上記で議論したＩＣチップと共にパッケージ化することができる。具体的には、図９は、対応するパッド（７２〜７７）に接続される、ループとして配置された複数の別々のワイヤ・ボンド素子（７１ａ〜７１ｅ）と共に形成されるループ・アンテナ（７０）の略図を示す。図９の例示的実施形態では、パッド（７２）および（７７）が、フィード・ネットワークへのフィード・ポイント（例えば差動フィード）であると仮定される。さらに、パッド（７３〜７６）が様々なワイヤ・ボンド素子に対する接続ポイントであることが示されており、それによって曲折ワイヤ構造が可能となる。
さらに、図１０は、３つのワイヤ・ボンド（８１ａ、８１ｂ、８１ｃ）およびパッド（８２〜８５）を使用して形成される折返しダイポール・アンテナ（８０）の略図を示す。図１０の例示的実施形態では、ワイヤ・ボンド素子（８１ａ）および（８１ｂ）は、第１（フィード）の半波長ダイポール素子を有する４分の１波長素子であり、ワイヤ・ボンド素子（８１ｃ）は第２の半波長ダイポール素子を有する。第１および第２半波長素子は、互いにほぼ平行に配設され、ギャップで分離される。素子（８１ａ）および（８１ｂ）の端部は、接触パッド（８４）および（８５）で第２ダイポール素子（８１ｃ）の端部に接続（短絡）される。
次に、図１１は、本発明の例示的実施形態によるモノポール・アンテナ（９０）の略図を示す。モノポール・アンテナ（９０）は、パッド（９２）および（９３）に取り付けられた１つのワイヤ・ボンド（９１）を使用して形成される。
さらに、図１２は、本発明の例示的実施形態によるエンド・ファイア・アンテナ（１００）の略図を示す。例示的アンテナ（１００）は、パッド（１０５〜１１２）にそれぞれ接続された複数の平行半波長素子（１０１〜１０４）を有する。エンド・ファイア・アレイ構造と同じく、１８０度位相のずれた電流を素子（１０１〜１０４）に給電することができる。
本発明の実施形態によるアンテナおよび一体型アンテナ・パッケージに関連する様々な利点を当業者は容易に理解されよう。例えば、本発明の例示的実施形態によるアンテナ・デバイスは、例えばＲＦおよびマイクロ波周波数で動作することができ、同時に、高利得／指向性／放射効率、広帯域幅、半球または全方向放射パターン、インピーダンスなどのアンテナ性能特性を実現して、アンテナが例えば音声通信、データ通信、またはレーダー応用例に適したものとなる。
さらに、本発明による例示的アンテナ設計は、大量アンテナ製造能力を可能にする。さらに、本発明の例示的実施形態による一体型ＩＣパッケージは、アンテナをトランシーバ・チップなどのＩＣチップと共に一体的にパッケージ化することを可能にし、それにより、トランシーバとアンテナの間の損失が非常に低い、コンパクトな設計が得られる。実際、そのようなＩＣパッケージ設計は、高周波数入出力信号を有するトランシーバ・チップの使用をやめる（go off）必要をなくし、それによって低損失設計が得られる。
別の利点は、そのようなアンテナを有するワイヤ・ボンド・アンテナ設計およびＩＣパッケージが、ポイントツーポイント・システムまたはレーダー・システムなどの指向性アンテナ応用例のための集束アンテナの中心に配置するのに非常に適した放射パターンを提供することである。実際、本発明によるアンテナおよび一体型アンテナ・パッケージは、一体型フェーズド・アレイ・アンテナ・システム、パーソナル・エリア・ネットワーク、レーダー・フィード、冗長度による高信頼性、ポイントツーポイント・システムなどの多数の応用例を可能にする。さらに、本発明による一体型アンテナ／ＩＣチップ・パッケージの使用により、かなりのスペース、サイズ、コスト、および重量が節約され、このことは、ほぼ任意の商用または軍事応用例にとって貴重である。
さらに、本発明の他の例示的実施形態では、ビーム形成またはビームステアリング・アンテナ応用例向けにアンテナに所望の指向性を与えるために、基板上に形成された２つ以上のアンテナの配列を有するアンテナを構築することができる。一般には、フェーズド・アレイ・アンテナを使用して指向性アンテナ・ビーム・パターンを得ることができ、各ワイヤ・ボンド・アンテナに対する入力信号位相が、指向性アンテナ・パターンを電子的に走査し、または所望の方向に向けるように制御される。
例示のために添付の図面を参照しながら本明細書で例示的実施形態を説明したが、本発明はそうした厳密な実施形態に限定されず、本発明の範囲から逸脱することなく本明細書で様々な他の変更および修正を与えることができることを理解されたい。
本発明の例示的実施形態による、ファイン・ピッチ・ワイヤ・ボンディング方法に関する仕様に従って設計することのできる放射素子としてのワイヤを有するアンテナを示す略図である。 本発明の例示的実施形態によるアンテナの概略平面図である。 線２Ｂ−２Ｂに沿って切り取られた図２に示す例示的アンテナの概略断面図である。 本発明の例示的実施形態による、アンテナおよびＩＣ（集積回路）チップを一体的にパッケージングする装置の概略斜視図である。 本発明の例示的実施形態によるダイポール・アンテナのコンピュータ・モデルを示す図である。 図５のモデル・ダイポール・アンテナのシミュレートした反射減衰量を示すグラフである。 図５のモデル・ダイポール・アンテナのシミュレートしたアンテナおよび放射効率を示すグラフである。 図５のモデル・ダイポール・アンテナのシミュレートした放射パターンを示すグラフである。 本発明の例示的実施形態による、ワイヤ・ボンドを使用して形成することのできるタイプのアンテナの略図である。 本発明の例示的実施形態による、ワイヤ・ボンドを使用して形成することのできるタイプのアンテナの略図である。 本発明の例示的実施形態による、ワイヤ・ボンドを使用して形成することのできるタイプのアンテナの略図である。 本発明の例示的実施形態による、ワイヤ・ボンドを使用して形成することのできるタイプのアンテナの略図である。

Claims (31)

  1. 基板と、
    放射素子としての少なくとも１つのワイヤを有するアンテナであって、前記少なくとも１つのワイヤが前記基板の表面に取り付けられるアンテナと
    を備えるアンテナ・デバイス。
  2. 前記少なくとも１つのワイヤを封入する、前記基板の前記表面上に形成された誘電体材料をさらに備える請求項１に記載のデバイス。
  3. 前記基板およびアンテナの上に形成されたカバーをさらに備える請求項１に記載のデバイス。
  4. 前記アンテナがモノポール・アンテナを含む請求項１に記載のデバイス。
  5. 前記アンテナがダイポール・アンテナを含む請求項１に記載のデバイス。
  6. 前記アンテナがループ・アンテナを含む請求項１に記載のデバイス。
  7. 前記アンテナがエンド・ファイア・アンテナを含む請求項１に記載のデバイス。
  8. 前記アンテナがアンテナ・アレイを含む請求項１に記載のデバイス。
  9. 前記少なくとも１つのワイヤが、前記基板の前記表面の上にループ部分を有し、前記ワイヤの少なくとも一端が、前記基板の前記表面に結合される請求項１に記載のデバイス。
  10. 前記基板の前記表面上の、前記ワイヤの前記ループ部分の少なくとも一部の下に形成された金属遮蔽をさらに備える請求項９に記載のデバイス。
  11. 前記基板が、前記アンテナに接続されたフィード・ネットワークをさらに有する請求項１に記載のデバイス。
  12. 前記フィード・ネットワークがインピーダンス整合ネットワークを含む請求項１１に記載のデバイス。
  13. 前記フィード・ネットワークが、前記少なくとも１つのワイヤをＩＣチップの集積回路に接続する請求項１１に記載のデバイス。
  14. 前記集積回路が、受信機、送信機、またはトランシーバ回路を含む請求項１３に記載のデバイス。
  15. ＩＣ（集積回路）チップと、
    放射素子としての少なくとも１つのワイヤを有するアンテナであって、前記少なくとも１つのワイヤが前記ＩＣチップの表面に取り付けられるアンテナと
    を備える一体型通信デバイス。
  16. 前記ＩＣチップおよびアンテナを封入するカバーをさらに備える請求項１５に記載のデバイス。
  17. 前記ＩＣチップが、トランシーバ、受信機、または送信機を含む集積回路を備える請求項１５に記載のデバイス。
  18. 前記ＩＣチップが、少なくとも１つのワイヤを前記集積回路に接続するアンテナ・フィード・ネットワークを含む請求項１７に記載のデバイス。
  19. 前記少なくとも１つのワイヤがワイヤ・ボンドである請求項１５に記載のデバイス。
  20. キャリア基板と、
    前記キャリア基板に取り付けられたＩＣチップと、
    放射素子として少なくとも１つのワイヤを有するアンテナであって、前記少なくとも１つのワイヤが前記ＩＣチップの能動面に結合されるアンテナと、
    前記ＩＣチップおよびアンテナを封入するパッケージ・カバーと
    を備えるＩＣ（集積回路）パッケージ装置。
  21. 前記アンテナがモノポール・アンテナを含む請求項２０に記載の装置。
  22. 前記アンテナがダイポール・アンテナを含む請求項２０に記載の装置。
  23. 前記アンテナがループ・アンテナを含む請求項２０に記載の装置。
  24. 前記アンテナがエンド・ファイア・アンテナを含む請求項２０に記載の装置。
  25. 前記アンテナがアンテナ・アレイを含む請求項２０に記載の装置。
  26. 前記ＩＣチップが、トランシーバ、受信機、または送信機を含む集積回路を備える請求項２０に記載の装置。
  27. 前記ＩＣチップが、前記少なくとも１つのワイヤをワイヤ・ボンドで前記集積回路に接続するアンテナ・フィード・ネットワークを備える請求項２６に記載の装置。
  28. 前記少なくとも１つのワイヤがワイヤ・ボンドである請求項２０に記載の装置。
  29. 前記ワイヤ・ボンドが、前記キャリア基板に結合された１つの端部を有する請求項２８に記載の装置。
  30. 前記ワイヤ・ボンドが、前記キャリア基板のリード・フレームに接続される請求項２８に記載の装置。
  31. 前記ＩＣチップの前記能動面上の、前記少なくとも１つのワイヤの少なくとも一部の下に形成された金属遮蔽をさらに備える請求項２０に記載の装置。
JP2007524785A 2004-08-06 2005-02-23 ワイヤ・ボンドを放射素子として使用してアンテナを構築する装置および方法 Expired - Fee Related JP4608547B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/912,959 US7295161B2 (en) 2004-08-06 2004-08-06 Apparatus and methods for constructing antennas using wire bonds as radiating elements
PCT/US2005/005706 WO2006022836A1 (en) 2004-08-06 2005-02-23 Apparatus and methods for constructing antennas using wire bonds as radiating elements

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008509597A true JP2008509597A (ja) 2008-03-27
JP2008509597A5 JP2008509597A5 (ja) 2009-07-02
JP4608547B2 JP4608547B2 (ja) 2011-01-12

Family

ID=34961149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007524785A Expired - Fee Related JP4608547B2 (ja) 2004-08-06 2005-02-23 ワイヤ・ボンドを放射素子として使用してアンテナを構築する装置および方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7295161B2 (ja)
EP (1) EP1782503A1 (ja)
JP (1) JP4608547B2 (ja)
KR (1) KR100962848B1 (ja)
CN (1) CN101023560B (ja)
CA (1) CA2575845C (ja)
TW (1) TWI356525B (ja)
WO (1) WO2006022836A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014102826A (ja) * 2012-11-20 2014-06-05 Xerox Corp プリントされた無線周波数識別（ｒｆｉｄ）タグに関する装置および方法
JP2015181283A (ja) * 2009-06-10 2015-10-15 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 超高速データ転送速度能力を有する短距離通信のためのミリメートル波無線相互接続（ｍ２ｗ２相互接続）方法
US9564687B2 (en) 2012-12-03 2017-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd Directive antenna apparatus mounted on a board
KR101804232B1 (ko) 2013-07-04 2018-01-10 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디 와이어 접합 중에 자유 에어 볼 크기를 측정하기 위한 방법 및 장치

Families Citing this family (208)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7864113B2 (en) * 2005-03-31 2011-01-04 Georgia Tech Research Corporation Module, filter, and antenna technology for millimeter waves multi-gigabits wireless systems
US7912499B2 (en) * 2005-03-31 2011-03-22 Black Sand Technologies, Inc. Techniques for partitioning radios in wireless communication systems
US8467827B2 (en) * 2005-03-31 2013-06-18 Black Sand Technologies, Inc. Techniques for partitioning radios in wireless communication systems
US20060276157A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Chen Zhi N Apparatus and methods for packaging antennas with integrated circuit chips for millimeter wave applications
US7342299B2 (en) * 2005-09-21 2008-03-11 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for packaging antennas with integrated circuit chips for millimeter wave applications
US7586193B2 (en) * 2005-10-07 2009-09-08 Nhew R&D Pty Ltd Mm-wave antenna using conventional IC packaging
US8674888B2 (en) * 2006-06-21 2014-03-18 Broadcom Corporation Integrated circuit with power supply line antenna structure and methods for use therewith
US20090009408A1 (en) * 2006-06-21 2009-01-08 Broadcom Corporation Integrated circuit with bonding wire antenna structure and methods for use therewith
US7546671B2 (en) * 2006-09-26 2009-06-16 Micromechanic And Automation Technology Ltd. Method of forming an inlay substrate having an antenna wire
US8608080B2 (en) 2006-09-26 2013-12-17 Feinics Amatech Teoranta Inlays for security documents
JP4316607B2 (ja) * 2006-12-27 2009-08-19 株式会社東芝 アンテナ装置及び無線通信装置
US7796684B2 (en) * 2007-02-26 2010-09-14 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. RF transceiver adapted for signal isolators and proximity sensors
US7580001B2 (en) * 2007-05-25 2009-08-25 Freescale Semiconductor, Inc. Antenna structure for integrated circuit die using bond wire
US7768457B2 (en) * 2007-06-22 2010-08-03 Vubiq, Inc. Integrated antenna and chip package and method of manufacturing thereof
US7768407B2 (en) * 2007-06-22 2010-08-03 Avery Dennison Corporation Foldable RFID device interposer and method
US20090021352A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency ic device and electronic apparatus
US7741720B2 (en) * 2007-09-25 2010-06-22 Silverbrook Research Pty Ltd Electronic device with wire bonds adhered between integrated circuits dies and printed circuit boards
KR100946545B1 (ko) * 2007-11-29 2010-03-11 엘지이노텍 주식회사 고주파 모듈
KR101014778B1 (ko) * 2008-02-28 2011-02-14 연세대학교 산학협력단 칩 안테나와 반도체 패키지 및 이를 포함하는 초광대역통신 시스템
KR100973043B1 (ko) * 2008-02-29 2010-07-29 연세대학교 산학협력단 빔 형성 칩 안테나와 반도체 패키지 및 이를 포함하는근거리 개인 통신망 시스템
US8040291B2 (en) * 2008-05-23 2011-10-18 University Of Maryland F-inverted compact antenna for wireless sensor networks and manufacturing method
US8854152B2 (en) * 2009-02-25 2014-10-07 Kyocera Corporation High-frequency module including a conductor with a slot therein and a conductive wire crossing over the slot and physically contacting the conductor
US8179333B2 (en) * 2009-05-08 2012-05-15 Anokiwave, Inc. Antennas using chip-package interconnections for millimeter-wave wireless communication
US8301092B2 (en) * 2009-06-09 2012-10-30 Broadcom Corporation Method and system for a low noise amplifier utilizing a leaky wave antenna
US9893406B2 (en) 2009-08-19 2018-02-13 Vubiq Networks, Inc. Method of forming a waveguide interface by providing a mold to form a support block of the interface
US9088058B2 (en) 2009-08-19 2015-07-21 Vubiq Networks, Inc. Waveguide interface with a launch transducer and a circular interface plate
WO2011025241A2 (ko) * 2009-08-26 2011-03-03 연세대학교 산학협력단 본딩 와이어 안테나 통신 모듈
KR101133146B1 (ko) * 2009-08-26 2012-04-06 연세대학교 산학협력단 본딩 와이어 안테나 통신 모듈
WO2011030609A1 (ja) * 2009-09-09 2011-03-17 株式会社村田製作所 アンテナ、その製造方法及び無線ｉｃデバイス
JP5480299B2 (ja) 2010-01-05 2014-04-23 株式会社東芝 アンテナ及び無線装置
CN103119714B (zh) * 2010-09-21 2016-08-17 德克萨斯仪器股份有限公司 利用亚毫米波和介电波导的芯片到芯片通信
JP5172925B2 (ja) 2010-09-24 2013-03-27 株式会社東芝 無線装置
SG180056A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-30 Sony Corp An antenna
JP2012147403A (ja) * 2011-01-14 2012-08-02 Mitsumi Electric Co Ltd 高周波モジュール
JP5417389B2 (ja) 2011-07-13 2014-02-12 株式会社東芝 無線装置
JP5414749B2 (ja) 2011-07-13 2014-02-12 株式会社東芝 無線装置
US9252107B2 (en) * 2012-05-31 2016-02-02 Skyworks Solutions, Inc. Semiconductor package having a metal paint layer
US10009065B2 (en) 2012-12-05 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Backhaul link for distributed antenna system
US9113347B2 (en) 2012-12-05 2015-08-18 At&T Intellectual Property I, Lp Backhaul link for distributed antenna system
JP6121705B2 (ja) 2012-12-12 2017-04-26 株式会社東芝 無線装置
US9362613B2 (en) * 2013-03-07 2016-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bond wire antenna
US9525524B2 (en) 2013-05-31 2016-12-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Remote distributed antenna system
US9999038B2 (en) 2013-05-31 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Remote distributed antenna system
US20140354494A1 (en) * 2013-06-03 2014-12-04 Daniel A. Katz Wrist Worn Device with Inverted F Antenna
US8897697B1 (en) 2013-11-06 2014-11-25 At&T Intellectual Property I, Lp Millimeter-wave surface-wave communications
US9537205B2 (en) 2013-11-08 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3D antenna for integrated circuits
US9692101B2 (en) 2014-08-26 2017-06-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided wave couplers for coupling electromagnetic waves between a waveguide surface and a surface of a wire
US9768833B2 (en) 2014-09-15 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for sensing a condition in a transmission medium of electromagnetic waves
US10063280B2 (en) 2014-09-17 2018-08-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Monitoring and mitigating conditions in a communication network
US9893025B2 (en) * 2014-10-01 2018-02-13 Analog Devices Global High isolation wideband switch
US9615269B2 (en) 2014-10-02 2017-04-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus that provides fault tolerance in a communication network
US9685992B2 (en) 2014-10-03 2017-06-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Circuit panel network and methods thereof
US9503189B2 (en) 2014-10-10 2016-11-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for arranging communication sessions in a communication system
US9973299B2 (en) 2014-10-14 2018-05-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting a mode of communication in a communication network
US9762289B2 (en) 2014-10-14 2017-09-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transmitting or receiving signals in a transportation system
US9653770B2 (en) 2014-10-21 2017-05-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided wave coupler, coupling module and methods for use therewith
US9312919B1 (en) 2014-10-21 2016-04-12 At&T Intellectual Property I, Lp Transmission device with impairment compensation and methods for use therewith
US9769020B2 (en) 2014-10-21 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for responding to events affecting communications in a communication network
US9577306B2 (en) 2014-10-21 2017-02-21 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device and methods for use therewith
US9627768B2 (en) 2014-10-21 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device with non-fundamental mode propagation and methods for use therewith
US9520945B2 (en) 2014-10-21 2016-12-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for providing communication services and methods thereof
US9780834B2 (en) 2014-10-21 2017-10-03 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transmitting electromagnetic waves
US10340573B2 (en) 2016-10-26 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with cylindrical coupling device and methods for use therewith
US9800327B2 (en) 2014-11-20 2017-10-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for controlling operations of a communication device and methods thereof
US10243784B2 (en) 2014-11-20 2019-03-26 At&T Intellectual Property I, L.P. System for generating topology information and methods thereof
US9544006B2 (en) 2014-11-20 2017-01-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission device with mode division multiplexing and methods for use therewith
US9461706B1 (en) 2015-07-31 2016-10-04 At&T Intellectual Property I, Lp Method and apparatus for exchanging communication signals
US9954287B2 (en) 2014-11-20 2018-04-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for converting wireless signals and electromagnetic waves and methods thereof
US9742462B2 (en) 2014-12-04 2017-08-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and communication interfaces and methods for use therewith
US9997819B2 (en) 2015-06-09 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and method for facilitating propagation of electromagnetic waves via a core
US10009067B2 (en) 2014-12-04 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for configuring a communication interface
US10144036B2 (en) 2015-01-30 2018-12-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mitigating interference affecting a propagation of electromagnetic waves guided by a transmission medium
US9876570B2 (en) 2015-02-20 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, Lp Guided-wave transmission device with non-fundamental mode propagation and methods for use therewith
US9749013B2 (en) 2015-03-17 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for reducing attenuation of electromagnetic waves guided by a transmission medium
US9705561B2 (en) 2015-04-24 2017-07-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Directional coupling device and methods for use therewith
US10224981B2 (en) 2015-04-24 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, Lp Passive electrical coupling device and methods for use therewith
US9948354B2 (en) 2015-04-28 2018-04-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Magnetic coupling device with reflective plate and methods for use therewith
US9793954B2 (en) 2015-04-28 2017-10-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Magnetic coupling device and methods for use therewith
US9871282B2 (en) 2015-05-14 2018-01-16 At&T Intellectual Property I, L.P. At least one transmission medium having a dielectric surface that is covered at least in part by a second dielectric
US9490869B1 (en) 2015-05-14 2016-11-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium having multiple cores and methods for use therewith
US9748626B2 (en) 2015-05-14 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Plurality of cables having different cross-sectional shapes which are bundled together to form a transmission medium
US10650940B2 (en) 2015-05-15 2020-05-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium having a conductive material and methods for use therewith
US9917341B2 (en) 2015-05-27 2018-03-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and method for launching electromagnetic waves and for modifying radial dimensions of the propagating electromagnetic waves
US9866309B2 (en) 2015-06-03 2018-01-09 At&T Intellectual Property I, Lp Host node device and methods for use therewith
US10103801B2 (en) 2015-06-03 2018-10-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Host node device and methods for use therewith
US10812174B2 (en) 2015-06-03 2020-10-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Client node device and methods for use therewith
US9912381B2 (en) 2015-06-03 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, Lp Network termination and methods for use therewith
US9913139B2 (en) 2015-06-09 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Signal fingerprinting for authentication of communicating devices
CN104952820A (zh) * 2015-06-10 2015-09-30 苏州波锐捷通信技术有限公司 将键合线用于毫米波射频通信的芯片封装
US9608692B2 (en) 2015-06-11 2017-03-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Repeater and methods for use therewith
US10142086B2 (en) 2015-06-11 2018-11-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Repeater and methods for use therewith
US9820146B2 (en) 2015-06-12 2017-11-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for authentication and identity management of communicating devices
US9667317B2 (en) 2015-06-15 2017-05-30 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for providing security using network traffic adjustments
US9865911B2 (en) 2015-06-25 2018-01-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Waveguide system for slot radiating first electromagnetic waves that are combined into a non-fundamental wave mode second electromagnetic wave on a transmission medium
US9640850B2 (en) 2015-06-25 2017-05-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for inducing a non-fundamental wave mode on a transmission medium
US9509415B1 (en) 2015-06-25 2016-11-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for inducing a fundamental wave mode on a transmission medium
US10044409B2 (en) 2015-07-14 2018-08-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and methods for use therewith
US10033108B2 (en) 2015-07-14 2018-07-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating an electromagnetic wave having a wave mode that mitigates interference
US10170840B2 (en) 2015-07-14 2019-01-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for sending or receiving electromagnetic signals
US10341142B2 (en) 2015-07-14 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating non-interfering electromagnetic waves on an uninsulated conductor
US9722318B2 (en) 2015-07-14 2017-08-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for coupling an antenna to a device
US10320586B2 (en) 2015-07-14 2019-06-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating non-interfering electromagnetic waves on an insulated transmission medium
US9882257B2 (en) 2015-07-14 2018-01-30 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US10148016B2 (en) 2015-07-14 2018-12-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for communicating utilizing an antenna array
US10033107B2 (en) 2015-07-14 2018-07-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for coupling an antenna to a device
US9628116B2 (en) 2015-07-14 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for transmitting wireless signals
US10205655B2 (en) 2015-07-14 2019-02-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for communicating utilizing an antenna array and multiple communication paths
US9853342B2 (en) 2015-07-14 2017-12-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Dielectric transmission medium connector and methods for use therewith
US9847566B2 (en) 2015-07-14 2017-12-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting a field of a signal to mitigate interference
US9608740B2 (en) 2015-07-15 2017-03-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US10090606B2 (en) 2015-07-15 2018-10-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system with dielectric array and methods for use therewith
US9793951B2 (en) 2015-07-15 2017-10-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US9749053B2 (en) 2015-07-23 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Node device, repeater and methods for use therewith
US9948333B2 (en) 2015-07-23 2018-04-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for wireless communications to mitigate interference
US9912027B2 (en) 2015-07-23 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for exchanging communication signals
US9871283B2 (en) 2015-07-23 2018-01-16 At&T Intellectual Property I, Lp Transmission medium having a dielectric core comprised of plural members connected by a ball and socket configuration
US9967173B2 (en) 2015-07-31 2018-05-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for authentication and identity management of communicating devices
US9735833B2 (en) 2015-07-31 2017-08-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communications management in a neighborhood network
US9904535B2 (en) 2015-09-14 2018-02-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for distributing software
US10009063B2 (en) 2015-09-16 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an out-of-band reference signal
US10136434B2 (en) 2015-09-16 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an ultra-wideband control channel
US10079661B2 (en) 2015-09-16 2018-09-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having a clock reference
US9769128B2 (en) 2015-09-28 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for encryption of communications over a network
US9729197B2 (en) 2015-10-01 2017-08-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communicating network management traffic over a network
US9876264B2 (en) 2015-10-02 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, Lp Communication system, guided wave switch and methods for use therewith
US10665942B2 (en) 2015-10-16 2020-05-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting wireless communications
US10355367B2 (en) 2015-10-16 2019-07-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna structure for exchanging wireless signals
CN105552063A (zh) * 2016-02-03 2016-05-04 深圳佰维存储科技有限公司 Sip封装结构
TWI589059B (zh) * 2016-03-28 2017-06-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件
US9912419B1 (en) 2016-08-24 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for managing a fault in a distributed antenna system
US9860075B1 (en) 2016-08-26 2018-01-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and communication node for broadband distribution
US10291311B2 (en) 2016-09-09 2019-05-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mitigating a fault in a distributed antenna system
US11437726B2 (en) 2016-09-13 2022-09-06 Given Imaging Ltd. Compact helix antenna for in-vivo devices
US11032819B2 (en) 2016-09-15 2021-06-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having a control channel reference signal
US10135146B2 (en) 2016-10-18 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via circuits
US10340600B2 (en) 2016-10-18 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via plural waveguide systems
US10135147B2 (en) 2016-10-18 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via an antenna
US10811767B2 (en) 2016-10-21 2020-10-20 At&T Intellectual Property I, L.P. System and dielectric antenna with convex dielectric radome
US10374316B2 (en) 2016-10-21 2019-08-06 At&T Intellectual Property I, L.P. System and dielectric antenna with non-uniform dielectric
US9876605B1 (en) 2016-10-21 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher and coupling system to support desired guided wave mode
US9991580B2 (en) 2016-10-21 2018-06-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher and coupling system for guided wave mode cancellation
US10312567B2 (en) 2016-10-26 2019-06-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with planar strip antenna and methods for use therewith
US10225025B2 (en) 2016-11-03 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for detecting a fault in a communication system
US10498044B2 (en) 2016-11-03 2019-12-03 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for configuring a surface of an antenna
US10291334B2 (en) 2016-11-03 2019-05-14 At&T Intellectual Property I, L.P. System for detecting a fault in a communication system
US10224634B2 (en) 2016-11-03 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for adjusting an operational characteristic of an antenna
US10340603B2 (en) 2016-11-23 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system having shielded structural configurations for assembly
US10535928B2 (en) 2016-11-23 2020-01-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system and methods for use therewith
US10340601B2 (en) 2016-11-23 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-antenna system and methods for use therewith
US10178445B2 (en) 2016-11-23 2019-01-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods, devices, and systems for load balancing between a plurality of waveguides
US10090594B2 (en) 2016-11-23 2018-10-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system having structural configurations for assembly
US10305190B2 (en) 2016-12-01 2019-05-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Reflecting dielectric antenna system and methods for use therewith
US10361489B2 (en) 2016-12-01 2019-07-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Dielectric dish antenna system and methods for use therewith
US10694379B2 (en) 2016-12-06 2020-06-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Waveguide system with device-based authentication and methods for use therewith
US10382976B2 (en) 2016-12-06 2019-08-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for managing wireless communications based on communication paths and network device positions
US10819035B2 (en) 2016-12-06 2020-10-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with helical antenna and methods for use therewith
US9927517B1 (en) 2016-12-06 2018-03-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for sensing rainfall
US10637149B2 (en) 2016-12-06 2020-04-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Injection molded dielectric antenna and methods for use therewith
US10439675B2 (en) 2016-12-06 2019-10-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for repeating guided wave communication signals
US10135145B2 (en) 2016-12-06 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating an electromagnetic wave along a transmission medium
US10755542B2 (en) 2016-12-06 2020-08-25 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for surveillance via guided wave communication
US10727599B2 (en) 2016-12-06 2020-07-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with slot antenna and methods for use therewith
US10326494B2 (en) 2016-12-06 2019-06-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for measurement de-embedding and methods for use therewith
US10020844B2 (en) 2016-12-06 2018-07-10 T&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for broadcast communication via guided waves
US10389029B2 (en) 2016-12-07 2019-08-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-feed dielectric antenna system with core selection and methods for use therewith
US9893795B1 (en) 2016-12-07 2018-02-13 At&T Intellectual Property I, Lp Method and repeater for broadband distribution
US10359749B2 (en) 2016-12-07 2019-07-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for utilities management via guided wave communication
US10446936B2 (en) 2016-12-07 2019-10-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US10027397B2 (en) 2016-12-07 2018-07-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Distributed antenna system and methods for use therewith
US10243270B2 (en) 2016-12-07 2019-03-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Beam adaptive multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US10139820B2 (en) 2016-12-07 2018-11-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for deploying equipment of a communication system
US10547348B2 (en) 2016-12-07 2020-01-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for switching transmission mediums in a communication system
US10168695B2 (en) 2016-12-07 2019-01-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for controlling an unmanned aircraft
US10938108B2 (en) 2016-12-08 2021-03-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Frequency selective multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US10389037B2 (en) 2016-12-08 2019-08-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for selecting sections of an antenna array and use therewith
US10326689B2 (en) 2016-12-08 2019-06-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and system for providing alternative communication paths
US9998870B1 (en) 2016-12-08 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for proximity sensing
US10530505B2 (en) 2016-12-08 2020-01-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching electromagnetic waves along a transmission medium
US10069535B2 (en) 2016-12-08 2018-09-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching electromagnetic waves having a certain electric field structure
US9911020B1 (en) 2016-12-08 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for tracking via a radio frequency identification device
US10916969B2 (en) 2016-12-08 2021-02-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for providing power using an inductive coupling
US10411356B2 (en) 2016-12-08 2019-09-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for selectively targeting communication devices with an antenna array
US10601494B2 (en) 2016-12-08 2020-03-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Dual-band communication device and method for use therewith
US10777873B2 (en) 2016-12-08 2020-09-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mounting network devices
US10103422B2 (en) 2016-12-08 2018-10-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mounting network devices
US10264586B2 (en) 2016-12-09 2019-04-16 At&T Mobility Ii Llc Cloud-based packet controller and methods for use therewith
US10340983B2 (en) 2016-12-09 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for surveying remote sites via guided wave communications
US9838896B1 (en) 2016-12-09 2017-12-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for assessing network coverage
DE102017200131A1 (de) * 2017-01-05 2018-07-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Antennenvorrichtung, Antennenarray, elektrische Schaltung mit einer Antennenvorrichtung und Bändchenbondantenne
DE102017200129A1 (de) 2017-01-05 2018-07-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Ndip-Antenne
DE102017200130A1 (de) 2017-01-05 2018-07-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bändchenbondantennen
DE102017200132A1 (de) * 2017-01-05 2018-07-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Antennenvorrichtung mit Bonddrähten
CN106602271B (zh) * 2017-02-20 2024-02-02 长城信息股份有限公司 一种结构强化型天线
US9973940B1 (en) 2017-02-27 2018-05-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for dynamic impedance matching of a guided wave launcher
US10298293B2 (en) 2017-03-13 2019-05-21 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus of communication utilizing wireless network devices
KR102209123B1 (ko) 2017-12-19 2021-01-28 삼성전자 주식회사 안테나와 rf 소자를 포함하는 모듈 및 이를 포함하는 기지국
US10818997B2 (en) 2017-12-29 2020-10-27 Vubiq Networks, Inc. Waveguide interface and printed circuit board launch transducer assembly and methods of use thereof
KR102664821B1 (ko) * 2018-01-24 2024-05-10 스냅 인코포레이티드 웨어러블 디바이스들을 위한 하이브리드 안테나 시스템
CN108963420A (zh) * 2018-04-23 2018-12-07 易力声科技(深圳)有限公司 一种由接合线制作而成的高弹性天线
CN108538823B (zh) * 2018-04-25 2020-06-19 成都聚利中宇科技有限公司 集成单极子天线的封装芯片及其加工方法
CN108987914A (zh) * 2018-07-05 2018-12-11 易力声科技(深圳)有限公司 一种利用接合线作调频的贴片天线
US11460525B2 (en) * 2020-02-12 2022-10-04 GE Precision Healthcare LLC Systems and methods for toroidal twinax cable trap
US11276655B2 (en) * 2020-05-22 2022-03-15 InnogritTechnologies Co., Ltd. Ground reference shape for high speed interconnect
US11901623B2 (en) * 2020-08-18 2024-02-13 Georgia Tech Research Corporation RF systems on antenna and method of fabrication
EP3979408A1 (en) 2020-09-30 2022-04-06 Infineon Technologies Austria AG Transmitter component, receiver component, transceiver circuit, and gate driver circuit with integrated antenna structure
EP4275160A1 (en) 2021-01-11 2023-11-15 Nexite Ltd. Contactless and automatic operations of a retail store
IT202100001301A1 (it) * 2021-01-25 2022-07-25 St Microelectronics Srl Dispositivo a semiconduttore e procedimento di fabbricazione corrispondente
US20230186239A1 (en) * 2021-12-13 2023-06-15 Nexite Ltd. Systems and methods for presence estimation for missing products

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006067478A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Kobayashi Kirokushi Co Ltd Ｒｆｉｄデータキャリア

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3940046A (en) * 1974-03-20 1976-02-24 Libbey-Owens-Ford Company Soldering apparatus
US5202752A (en) * 1990-05-16 1993-04-13 Nec Corporation Monolithic integrated circuit device
US5682143A (en) * 1994-09-09 1997-10-28 International Business Machines Corporation Radio frequency identification tag
TW280897B (ja) 1994-10-27 1996-07-11 Ibm
US6281794B1 (en) * 1998-01-02 2001-08-28 Intermec Ip Corp. Radio frequency transponder with improved read distance
JPH11306306A (ja) 1998-04-20 1999-11-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 非接触式ｉｃカード
EP0977145A3 (en) 1998-07-28 2002-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Radio IC card
US6373447B1 (en) * 1998-12-28 2002-04-16 Kawasaki Steel Corporation On-chip antenna, and systems utilizing same
JP2001024145A (ja) 1999-07-13 2001-01-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2002141722A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Toppan Forms Co Ltd Ｉｃチップブリッジ型アンテナ
JP5214082B2 (ja) * 2001-07-25 2013-06-19 インヴェンサス・コーポレイション 半導体装置
JP2003108958A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Konica Corp Ｉｃカード及びｉｃカードの製造方法
KR100910769B1 (ko) * 2002-06-11 2009-08-04 삼성테크윈 주식회사 Ｉｃ 카드 및, 그것의 제조 방법
JP4367013B2 (ja) * 2002-10-28 2009-11-18 セイコーエプソン株式会社 非接触通信媒体
EP1563570A1 (en) 2002-11-07 2005-08-17 Fractus, S.A. Integrated circuit package including miniature antenna
US20040245651A1 (en) * 2003-06-09 2004-12-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
JP3973624B2 (ja) * 2003-12-24 2007-09-12 富士通株式会社 高周波デバイス
US6967282B2 (en) * 2004-03-05 2005-11-22 Raytheon Company Flip chip MMIC on board performance using periodic electromagnetic bandgap structures

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006067478A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Kobayashi Kirokushi Co Ltd Ｒｆｉｄデータキャリア

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015181283A (ja) * 2009-06-10 2015-10-15 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 超高速データ転送速度能力を有する短距離通信のためのミリメートル波無線相互接続（ｍ２ｗ２相互接続）方法
JP2014102826A (ja) * 2012-11-20 2014-06-05 Xerox Corp プリントされた無線周波数識別（ｒｆｉｄ）タグに関する装置および方法
US9564687B2 (en) 2012-12-03 2017-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd Directive antenna apparatus mounted on a board
KR101804232B1 (ko) 2013-07-04 2018-01-10 에이에스엠 테크놀러지 싱가포르 피티이 엘티디 와이어 접합 중에 자유 에어 볼 크기를 측정하기 위한 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CA2575845A1 (en) 2006-03-02
CN101023560B (zh) 2014-07-23
CN101023560A (zh) 2007-08-22
US7295161B2 (en) 2007-11-13
WO2006022836A1 (en) 2006-03-02
EP1782503A1 (en) 2007-05-09
JP4608547B2 (ja) 2011-01-12
TW200629646A (en) 2006-08-16
KR20070042995A (ko) 2007-04-24
TWI356525B (en) 2012-01-11
US20060028378A1 (en) 2006-02-09
CA2575845C (en) 2013-02-19
KR100962848B1 (ko) 2010-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4608547B2 (ja) ワイヤ・ボンドを放射素子として使用してアンテナを構築する装置および方法
CA2637038C (en) Apparatus and methods for packaging integrated cirguit chips with antennas formed from package lead wires
US7444734B2 (en) Apparatus and methods for constructing antennas using vias as radiating elements formed in a substrate
US8378469B2 (en) Apparatus and methods for packaging antennas with integrated circuit chips for millimeter wave applications
US7504721B2 (en) Apparatus and methods for packaging dielectric resonator antennas with integrated circuit chips
US8451618B2 (en) Integrated antennas in wafer level package
KR101776821B1 (ko) 기판 구조들을 이용하는 전자기 신호의 재지향
US7119745B2 (en) Apparatus and method for constructing and packaging printed antenna devices
US20060276157A1 (en) Apparatus and methods for packaging antennas with integrated circuit chips for millimeter wave applications
US11955692B2 (en) Microelectronic device package with integrated antenna

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080207

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090512

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20090512

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20090620

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090630

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100420

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100715

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100928

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101008

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees