JP2008508722A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. プラズマ形成により生成されたデブリを、コレクタ・ミラー上の異なる区域において異なるデブリ堆積速度を生じさせるようにプラズマ形成場所に対して位置決めされたＥＵＶ光源コレクタ・ミラーから除去するためのデバイスであって、
   前記コレクタ・ミラーの第１区域を第１温度Ｔ₁に加熱して、前記第１区域からデブリを除去するための第１加熱システムと、
   前記コレクタ・ミラーの第２区域をＴ₁≠Ｔ₂である第２温度Ｔ₂に加熱して、前記第２区域からデブリを除去するための第２加熱システムと、
   を含み、
   前記コレクタ・ミラーはチャンバ内に配置され、該チャンバにエッチング剤が導入されることを特徴とするデバイス。
2. 前記第１加熱システムが放射ヒータを含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
3. 前記プラズマがＳｎを含むことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
4. 前記第１温度Ｔ₁及び前記第２温度Ｔ₂の各々が、堆積したＳｎと前記エッチング剤と間の化学反応を開始させるように、１５０から４００℃までの範囲にあることを特徴とする請求項３に記載のデバイス。
5. 前記エッチング剤が、ＨＢｒ、Ｂｒ₂、Ｃｌ₂、ＨＣｌ、Ｈ₂及びこれらの組み合わせからなるエッチング剤の群から選択されることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。