JP2008508719A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 露出した表面を備えたシリコン基板を提供するステップと、
   前記シリコン基板の露出した表面に１またはそれ以上の酸化物の形成を抑制させるステップとを有し、かかる抑制させるステップが、
   酸化物の存在を低減させるように前記シリコン基板の露出した表面を洗浄するステップと、
   前記洗浄され、露出されたシリコン基板上に直接、実質的に純粋なゲルマニウムの層を堆積させるステップとを備え、前記ゲルマニウム層は、厚さがおおよそ１４オングストロームより小さく、前記堆積された実質的に純粋なゲルマニウム層が、露出した表面を備え、
   酸化物の存在を低減させるように前記実質的に純粋なゲルマニウム層の露出した表面を洗浄するステップと、
   前記洗浄され、露出された実質的に純粋なゲルマニウム層の表面に直接、高ｋ材料の誘電層を形成するステップと、を備えたことを特徴とする半導体構造体を形成する方法。
2. 前記基板を提供するステップが更に、単結晶シリコンの露出した表面を備えたシリコン層を提供するステップからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記ゲルマニウム層を堆積するステップが更に、２次元成長モードでゲルマニウム層を成長させるステップからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 露出された表面を備えた高純度の単結晶シリコン基板層を提供するステップと、
   前記基板の露出された表面に１またはそれ以上の酸化物の形成を抑制させるステップとを有し、かかる抑制させるステップが、
   酸化物の存在を低減させるために基板層の前記露出された表面を洗浄するステップと、
   前記基板層の洗浄され、露出された表面上に高純度ゲルマニウムの層を堆積するステップと、を備え、前記ゲルマニウム層が基板層にエピタキシャルに適合し、５％までの炭素を含み、前記ゲルマニウム層が、臨界厚さよりも小さく、前記堆積されたゲルマニウム層は露出した表面を備え、
   酸化物の存在を低減させるために前記ゲルマニウム層の露出した表面を洗浄するステップと、を備え
   前記ゲルマニウム層の洗浄され、露出した表面に高ｋ材料の誘電層を堆積するステップと、
   を有することを特徴とする半導体構造体を形成する方法。
5. 前記高純度ゲルマニウムの層を堆積するステップが更に、厚さがおおよそ１４オングストロームよりも小さくなるように高純度のゲルマニウム層を堆積するステップからなることを特徴とする請求項４に記載の方法。