JP2008508244A

JP2008508244A - 細胞成長を促進するデンドリマーの使用

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Publication number: JP2008508244A
Application number: JP2007523122A
Authority: JP
Inventors: ジャンーピエールマジョラル; アンーマリージャニーヌジャクリーヌカミナデ; ジャンージャックフールニー; ローラングリフェ; マリープーポーマルサン; レミープーポ; セドリックーオリヴィエールトュリン
Original assignee: Centre National de la Recherche Scientifique CNRS; Institut National de la Sante et de la Recherche Medicale INSERM; Rhodia UK Ltd
Current assignee: Centre National de la Recherche Scientifique CNRS; Institut National de la Sante et de la Recherche Medicale INSERM; Solvay Solutions UK Ltd
Priority date: 2004-07-30
Filing date: 2005-07-29
Publication date: 2008-03-21
Also published as: FR2873715B1; FR2873715A1; EP1771548B1; CN101031638A; CN101724599B; US20090142316A1; US8815834B2; WO2006024769A1; ES2389772T3; CA2576721C; BRPI0513972A; CN101031638B; EP1771548A1; CA2576721A1; CN101724599A

Abstract

本発明は、細胞培養の成長を促進するか又は培養細胞を活性化するモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの使用に関する。
【選択図】なし

Description

発明の分野

本発明は、細胞成長を促進するデンドリマーの使用に関する。

デンドリマーは、多官能性の中心核（central core）の周囲に樹状プロセスに従って結合するモノマーにより構成される高分子である。

デンドリマーは、「カスケード分子」ともよばれ、定まった構造を有する高度に枝分かれした官能性ポリマーである。これらの高分子は、それが繰り返し単位の結合に基づいているので、事実上のポリマーである。しかしながら、デンドリマーは、それが樹状構造による特異な性質を有するという点で、標準的ポリマーとは基本的に異なる。デンドリマーの分子量及び形状は正確に制御することが可能であり、すべての官能基は樹状構造の末端に位置して、表面（surface）を形成し、それが官能基へのアクセスを容易にしている。

デンドリマーは、一連の反応の繰り返しにより段階的に組み立てられ、各繰り返し単位及び末端官能基の増加を可能にする。各段階の反応はいわゆる「新世代（new generation）」を形成する。樹状構造は一連の反応の繰り返しにより達成され、各反応サイクルの終りに新世代及びますます多くの同一の枝を得ることを可能にする。数世代の後に、デンドリマーは一般に、周縁部に存在する多数の末端官能基のため、高度に枝分かれして多官能化した球状形態を呈する。

こうしたポリマーは、Ｌａｕｎａｙｅｔａｌ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．，１９９４，３３，１５／１６，１５８９−１５９２により、又は更にＬａｕｎａｙｅｔａｌ．，ＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９９７，５２９，５１−５８により詳細に記載されている。

現在のところ、Ｖｉｖｉｅｒｅｔａｌ．，ＩｍｍｕｎｏｌｏｇｉｅｄｅｓＣａｎｃｅｒｓ（２００３）ｅｄｓＭｅｄｅｃｉｎｅ−ＳｃｉｅｎｃｅｓＦｌａｍｍａｒｉｏｎによって詳細に記載されているように、細胞、特に細胞障害性細胞、特にＮＫタイプの細胞障害性細胞の増殖は、インビトロ又はインビボで、ＩＬ−２、ＩＬ−７、ＩＬ−１５、ＩＬ−１８、ＩＬ−２１又はＩＦＮα／βなどのサイトカインによって本質的に誘導される。これらのサイトカインは一般に、組み換えタンパク質の形態で使用される。しかしながら、いくつかの障害物がそれらの使用を限定している。まず第一に、これらの化合物は遺伝子工学による製造コストが比較的高い。その上、インビボでのこれらの使用は、特にヒトの治療において、その多面的な作用に関連した高い毒性に直面する。

リンパ系細胞の成長を促進するために、例えば植物又は細菌起源の化合物を場合により捜し求めることができる。しかしながら、純粋な天然の分子を大量に得ることの困難性及び天然物質の使用に関連する問題が、ヒトの治療における使用を限定するであろう。

従って、本発明の目的の一つは、製造コストの低い、合成の、本質的に非毒性の化合物を使用して細胞成長を促進する新規な方法を提案することである。

本発明のもう一つの目的は、細胞成長の促進に使用することのできる新規な合成化合物を提案することである。

本発明のもう一つの目的は更に、その細胞成長が製造コストの低い、合成の、本質的に非毒性の化合物によって促進されている細胞を含有する新規な医薬組成物を提案することである。

従って、本発明は、細胞培養の成長を促進するか又は培養細胞を活性化するモノホスホノ又はビスホスホノ末端基（monophosphonic or bisphosphonic terminations）を有するデンドリマーの使用に関する。

本発明により使用されるデンドリマーは、核（core）§により構成され、核に結合鎖（linkage chains）が樹状構造に結合し、前記結合鎖自身が世代鎖（generation chain）によって構成され、場合により中間鎖（intermediate chain）が中心核から最も遠くにある各世代鎖の末端に結合することがあり、モノホスホノ又はビスホスホノ基が結合鎖の核に結合していない方の末端に存在するように構成される。明瞭にするために、これらの要素を図９に図式的に示す。

本発明によれば、モノホスホノ末端基を有するデンドリマー、すなわちモノホスホノデンドリマーは、樹状構造の末端に末端官能基−ＰＯ（ＯＸ）_２を１個有し、ビスホスホノ末端基を有するデンドリマー、すなわちビスホスホノデンドリマーは、樹状構造の末端に末端官能基−ＰＯ（ＯＸ）_２を２個有している。前記式中、Ｘは−Ｈ又は−アルキル、−アリール、−アルカリル若しくは−アラルキル基、又は相当する塩を表し、前記の塩はモノホスホノ又はビスホスホノ末端基とカチオンとの結合によって形成される。所定のホスホノ基に対して、Ｘ基は同一であるか異なることができる。

デンドリマーの塩は、化合物の最終の単離及び精製の際にインシトゥに製造することができる。塩は、酸型で精製した化合物を有機又は無機塩基と反応させて、形成した塩を単離することにより、別個に製造することができる。塩は、アミノ化した塩及び金属塩を含む。適する金属塩は、ナトリウム、カリウム、銅、カルシウム、バリウム、亜鉛、マグネシウム及びアルミニウム塩を含む。ナトリウム及びカリウム塩が好ましい。適する塩基性無機塩は、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化アルミニウム、水酸化リチウム、水酸化マグネシウム、水酸化亜鉛を含む金属塩基から製造される。

有利に、特定の実施態様において、本発明に使用するモノホスホノ又はビスホスホノデンドリマーの塩は、薬学的に許容可能なものである。

本発明によれば、語句「細胞培養の成長を促進する」は、前記デンドリマーを細胞培養に添加することにより、前記デンドリマー不在下に同じ条件下に培養を実施する場合よりも大量の細胞を培養完了時に得ることが可能になるということを意味する。

有利に、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーは、直接に又は間接に、細胞分化を引き起こすこともでき、新規な細胞の取得に導くこともできる。前記の新規な細胞は特に、膜標識の特定の組み合わせにより及び／又は膜標識の発現レベルの特定の組み合わせにより特徴づけることができる。この現象は、「培養細胞の活性化」として知られている。

前記定義の使用の特定の実施態様において、問題の細胞は、造血細胞、すなわち造血幹細胞の分化から生じる細胞である。

本発明はより詳細には、生体試料からＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞で富化した細胞組成物の製造のための、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの前記定義の使用に関する。

本発明による富化細胞組成物は、それが、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞を、その起源の生体試料中の同じ細胞の割合に比較して、より多く含有することを特徴とする。

リンパ系細胞のすべてがこの受容体を発現するわけではなく、それはより詳細には、先天性免疫に含まれる細胞表面に見出され、特に、ＮＫ（ナチュラルキラー）型、γδＴリンパ球型、ＣＤ８αβＴリンパ球型の細胞表面に見出される（Ｓ．Ｂａｕｅｒｅｔａｌ．，Ｓｃｉｅｎｃｅ，１９９９，２８５，７２７−７２９；Ｊ．Ｗｕ，Ｓｃｉｅｎｃｅ，１９９９，２８５，７３０−７３２）。

本発明によれば、「生体試料」とは、生物から採取される任意の組織試料のを意味する。特に、全血及び全血細胞画分、例えば末梢血単核細胞（ＰＢＭＣ）が生体試料とみなされる。

ＰＢＭＣ中に見出される主要な細胞型は、Ｔ及びＢリンパ球、ＮＫ細胞、及び単球型細胞である。

本発明の特定の実施態様によれば、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーは、第ｎ世代（generation n）のものであり、結合価（valency）ｍを有する中心核§を含み、中心核は結合鎖と、好ましくは互いに同一の結合鎖と、ｍ−２個の結合を（但し、ｍが２を超えるものである）、又はｍ−１個の結合を（但し、ｍが１を超えるものである）、又はｍ個の結合を確立することができ、前記結合鎖は、
● 核の周囲に各結合上に樹状構造に結合する世代鎖であって、少なくとも１個の中間鎖が中心核から最も遠くにある世代の各鎖の末端に場合により結合することがあり、末端基が中心核から最も遠くにある世代の各鎖の末端に、若しくはあてはまる場合には、各中間鎖の末端に結合しているものである世代鎖、又は
● 核の周囲に各結合上に結合する中間鎖であって、末端基が各中間鎖の末端に結合しているものである中間鎖、
によって構成され；
前記末端基は式：

（式中、
Ａ_１は、Ｎ；Ｐ＝Ｙ基（式中、ＹはＯ、Ｓ、又は任意の原子を表す）；Ｎ−Ｒ基又はＣ−Ｒ基を表し、ＲはＨ又は１〜１６個の構成員（members）を有し場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’Ｒ’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’及びＲ’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_２は、単結合又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、酸素原子、リン原子又は窒素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、そして前記の各構成員は場合により、Ｈ、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＮＲＲ’基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、ヒドロキシル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜２４個のアリール基若しくはヘテロアリール基（ヘテロ元素は好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_３はＨ、又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は、場合によりヘテロ原子から選択されることがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、各構成員は場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立にＨ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは７〜１６個のアラルキル基、又は

を表し、
特にＡ_３は、

を表すことができ、各Ａ_２は同一か異なっており；
各ＯＸは、各ホスホノ基について同一か又は異なり、ＯＨ、アルキル基が１〜１６個の炭素原子を含むＯアルキル基、アリール基が６〜２４個の炭素原子を含むＯアリール基、アラルキル基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアラルキル基、アルキルアリール基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアルキルアリール基、ＯＳｉＲ’_１Ｒ’_２Ｒ’_３（式中、Ｒ’_１、Ｒ’_２及びＲ’_３は、同一か又は異なり、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表す）、又はＯ⁻Ｍ^＋（式中、Ｍ^＋は元素周期表のＩＡ、ＩＢ、ＩＩＡ、ＩＩＢ又はＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ族の元素のカチオンであり、好ましくはＭ^＋はナトリウム、カリウム、銅、カルシウム、バリウム、亜鉛、マグネシウム、リチウム、及びアルミニウム原子のカチオンから選択され、又は炭素原子１〜１００個の炭化水素基、又は炭素原子０〜１００個の含窒素基、例えばＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４ ^＋（式中、互いに独立にＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は、Ｈ又は、１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）である）を表す）
によって表され；
ｍは１〜２０の整数、特に１〜１０の整数、より特には１〜８の整数を表し；
ｎは０〜１２の整数を表し；
前記中心核§は、１〜５００個の原子を含む基を表し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子が好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子から選択される。

本発明の特定の実施態様によれば、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーは第ｎ世代のものであり、結合価ｍを有する中心核§を含み、中心核は結合鎖と、好ましくは互いに同一の結合鎖と、ｍ−２個の結合を（但し、ｍが２を超えるものである）、又はｍ−１個の結合を（但し、ｍが１を超えるものである）、又はｍ個の結合を確立することができ、ｍが１〜２０の整数、特に１〜１０の整数、より特には１〜８の整数を表し、ｎが０〜１２の整数を表し、前記結合鎖が、
● 核の周囲に各結合上に樹状構造に結合する世代鎖であって、ｎが１を超えるか又は等しいとき、所定の世代の世代鎖が、
− 所定の世代の直ぐ下の世代の世代鎖、又は所定の世代が１のときは核に結合しており、及び
− 所定の世代の直ぐ上の世代の少なくとも２個の世代鎖、又は所定の世代がｎであるときは場合により少なくとも１個の中間鎖に結合することがあり、
末端基が第ｎ世代の各世代鎖の末端に、若しくはあてはまる場合には、各中間鎖の末端に結合しているものである世代鎖、又は
● 核の周囲に各結合上に結合する中間鎖であって、ｎが０のときは、末端基が各中間鎖の末端に結合しているものである中間鎖、
によって構成され；
前記末端基は式：

（式中、
Ａ_１は、Ｎ；Ｐ＝Ｙ基（式中、ＹはＯ、Ｓ、又は任意の原子を表す）；Ｎ−Ｒ基又はＣ−Ｒ基を表し、ＲはＨ又は１〜１６個の構成員を有し場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’Ｒ’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’及びＲ’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_２は、単結合又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、酸素原子、リン原子又は窒素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、そして前記の各構成員は場合により、Ｈ、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＮＲＲ’基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、ヒドロキシル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜２４個のアリール基若しくはヘテロアリール基（ヘテロ元素は好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は、場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_３はＨ、又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は、場合によりヘテロ原子から選択されることがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、各構成員は、場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立にＨ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは７〜１６個のアラルキル基、又は

を表し、
特にＡ_３は、

を表すことができ、各Ａ_２は同一か異なっており；
各ＯＸは、各ホスホノ基について同一か又は異なり、ＯＨ、アルキル基が１〜１６個の炭素原子を含むＯアルキル基、アリール基が６〜２４個の炭素原子を含むＯアリール基、アラルキル基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアラルキル基、アルキルアリール基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアルキルアリール基、ＯＳｉＲ’_１Ｒ’_２Ｒ’_３（式中、Ｒ’_１、Ｒ’_２及びＲ’_３は、同一か又は異なり、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表す）、又はＯ⁻Ｍ^＋（式中、Ｍ^＋は元素周期表のＩＡ、ＩＢ、ＩＩＡ、ＩＩＢ又はＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ族の元素のカチオンであり、好ましくはＭ^＋はナトリウム、カリウム、銅、カルシウム、バリウム、亜鉛、マグネシウム、リチウム、及びアルミニウム原子のカチオンから選択され、又は炭素原子１〜１００個の炭化水素基、又は炭素原子０〜１００個の含窒素基、例えばＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４ ^＋（式中、互いに独立にＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は、Ｈ又は、１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）である）を表す）
によって表され；
前記中心核§は、１〜５００個の原子を含む基を表し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子が好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子から選択される。

結合鎖には、それが世代鎖を含有するか否かによって二つの型がある。同じ分子において、すべての結合鎖は同一か又は異なっている。世代鎖は特に、末端官能基の数を増加させること及びデンドリマーのサイズを制御することを可能にする。

「第ｎ世代のデンドリマー」とは、ｎ個の世代の世代鎖を含むデンドリマーを意味する。そのとき各世代鎖は、それが属する世代によって特徴付けることができる。

従って、第０世代のデンドリマーは、世代鎖を含まず、中間鎖は直接に核に結合している。

第１世代のデンドリマーは、ただ１個の世代の世代鎖を含み、その世代鎖は一方では核に結合し、他方では、場合により少なくとも１個の中間鎖に結合していることがある。

第２世代のデンドリマーについては、第１世代の世代鎖は一方では核に結合し、他方では第２世代の少なくとも２個の世代鎖に結合している。第２世代のそれぞれの世代鎖は第１世代の世代鎖に結合し、場合により少なくとも１個の中間鎖に結合していることがある。

最終的に、一般的には、第ｎ世代のデンドリマーについて、ｎは３〜１２の範囲にあり、ｉは２〜ｎ−１の整数であり、所定の第ｉ世代の世代鎖は、第ｉ−１世代、すなわち所定の世代の直ぐ下の世代の世代鎖に結合し、第ｉ＋１世代、すなわち所定の世代の直ぐ上の世代の世代鎖に結合している。ｉがｎのときには、第ｉ世代の世代鎖は、第ｎ−１世代の世代鎖に結合し、場合により少なくとも１個の中間鎖に結合していることがある。

あてはまる場合には、、所定の世代の世代鎖について、「分岐係数（coefficient of divergence）」とは、所定の世代の世代鎖に結合する所定の世代の直ぐ上の世代の世代鎖の数を意味する。

本発明の好ましい実施態様によれば、分岐係数は２〜５である。

本発明の特定の実施態様によれば、分岐係数は、所定の世代の世代鎖に対して同一であるが、一方ではそれは世代ごとに変化することができる。

本発明の特定の実施態様において、分岐係数は所定のデンドリマーの各世代について同一である。

本発明のなお一層特定の実施態様によれば、分岐係数は２である。

本発明のもう一つの特定の実施態様によれば、第ｎ世代の世代鎖は、分岐係数に相当する数の末端基又は中間鎖に結合している。

有利に、高い分岐係数は、所定の世代のデンドリマーの表面に多数の末端基を有することを可能にする。

本発明の特定の実施態様によれば、世代鎖は同じ世代に対して互いに同一であるが、世代ごとに異なることができる。

本発明のもう一つの特定の実施態様によれば、世代鎖はすべて互いに同一である。

本発明のもう一つの特定の実施態様によれば、核§は：
● 核の周囲に各結合上に樹状構造に結合した世代鎖であって、中心核から最も遠くにある世代の各鎖の末端が末端基か中間鎖のいずれかに結合し、各中間鎖の末端が末端基に結合しているものである世代鎖によってか、又は
● 核の周囲に各結合上に結合した中間鎖であって、各中間鎖の末端が末端基に結合しているものである中間鎖によってか、
いずれかによって構成されるｍ個の同一の結合鎖と、ｍ個の結合を確立する。

所定のデンドリマーに対する本実施態様によれば、中心核から最も離れた世代のすべての世代鎖が、末端基又は中間鎖のいずれかであることができる同一の置換基と結合する。

本発明の代わりの実施態様によれば、核は：
● 核の周囲に各結合上に樹状構造に結合した世代鎖であって、中心核から最も遠くにある世代の各鎖の末端が末端基か中間鎖のいずれかに結合し、各中間鎖の末端が末端基に結合しているものである世代鎖によってか、又は
● 核の周囲に各結合上に結合した中間鎖であって、各中間鎖の末端が末端基に結合しているものである中間鎖によってか、
いずれかによって構成されるそれぞれｍ−２個又はｍ−１個の同一の結合鎖と、ｍ−２個又はｍ−１個の結合を確立し、ｍが３〜２０の整数、特に３〜１０の整数、より特には３〜８の整数であり；
1個又は２個の残りの結合が：
− 前記定義の結合鎖の部分によってか、又は
− 水素原子によってか、又は
− １〜５００個の炭素原子を含む炭化水素基であって、前記炭化水素基が特に、Ｈ又は１〜２００個の構成員を有し、場合により１個以上の二重若しくは三重結合を含有することのある、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖によって構成され、前記の各構成員が場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子が好ましくは窒素原子、酸素原子、リン原子、ケイ素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることがあり、各構成員が場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ、Ｒ’’及びＲ’’’が互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、前記炭化水素鎖の第１の構成員が好ましくは酸素原子又は窒素原子であるような炭化水素基によってか、
いずれかによって構成される同一か又は異なる結合鎖に結合し、場合により一緒に結合することがあり、特に共有結合により結合している。

特に、前記定義の１〜５００個の炭素原子を含む炭化水素基は、発蛍光団又は任意の官能性化学基であることができる。

本発明のもう一つの特定の実施態様によれば、世代鎖は、１〜１２個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、任意の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖から選択され、前記の各構成員が場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子が好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子又はケイ素原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることがあり、各構成員が場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＮＲＲ’基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、ヒドロキシル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、又は炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ、Ｒ及びＲ’が互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す。

本発明の更にもう一つの特定の実施態様によれば、中間鎖は、式：

（式中、
− Ｊは、酸素原子若しくは硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｋは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｌは、０〜１０個の構成員、特に０〜６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は、場合によりヘテロ原子であることができ、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子から選択され、各構成員は場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当する基から選択される。

本発明のより特定の実施態様によれば、核は：
− 窒素原子又はケイ素原子；
− 式：

（式中、Ｇは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子又は＝ＮＲ基を表し、Ｒは、Ｈ又は炭素原子1〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、例えば式：

で表されるチオホスホリル基を表す）
で表される基；
− 式：

で表されるビスフェニルオキシ基、
− 式：

で表される１，２−ジアミノエタン基、
− 式：

で表される１，４−ジアミノブタン基、
− 式：

で表されるシクロトリホスファゼン基（Ｎ_３Ｐ_３又はＰ_３Ｎ_３とも示される）、
− 式：

で表されるシクロテトラホスファゼン基（Ｎ_４Ｐ_４又はＰ_４Ｎ_４とも示される）、
から選択される。

本発明は特に、ＰＡＭＡＭ、ＤＡＢ又はＰＭＭＨ構造のデンドリマーの前記定義の使用に関する。

ＰＡＭＡＭ構造のデンドリマーは特に、Ｄ．Ａ．Ｔｏｍａｌｉａ，Ｈ．Ｂａｋｅｒ，Ｊ．Ｄｅｗａｌｄ，Ｍ．Ｈａｌｌ，Ｇ．Ｋａｌｌｏｓ，Ｓ．Ｍａｒｔｉｎ，Ｊ．Ｒｏｅｃｋ，Ｊ．Ｒｙｄｅｒ，Ｐ．Ｓ．Ｓｍｉｔｈ，Ｐｏｌｙｍ．Ｊ．（Ｔｏｋｙｏ）１９８５，１７，１１７；Ｄ．Ａ．Ｔｏｍａｌｉａ，Ｈ．Ｂａｋｅｒ，Ｊ．Ｄｅｗａｌｄ，Ｍ．Ｈａｌｌ，Ｇ．Ｋａｌｌｏｓ，Ｓ．Ｍａｒｔｉｎ，Ｊ．Ｒｏｅｃｋ，Ｊ．Ｒｙｄｅｒ，Ｐ．Ｓ．Ｓｍｉｔｈ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，１９８６，１９，２４６６に記載されている。

ＤＡＢ構造のデンドリマーは特に、Ｅ．Ｍ．Ｍ．ｄｅＢｒａｂａｎｄｅｒ−ｖａｎｄｅｎＢｅｒｇ，Ｅ．Ｗ．ＭｅｉｊｅｒＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１９９３，３２，１３０８に記載されている。

ＰＭＭＨ構造のデンドリマーは特に、“Ａｇｅｎｅｒａｌｓｙｎｔｈｅｔｉｃｓｔｒａｔｅｇｙｆｏｒｎｅｕｔｒａｌｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓｃｏｎｔａｉｎｉｎｇｄｅｎｄｒｉｍｅｒｓ” ＬａｕｎａｙＮ．，ＣａｍｉｎａｄｅＡ．Ｍ．，ＬａｈａｎａＲ．，ＭａｊｏｒａｌＪ．Ｐ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．１９９４，１０６，１６８２．Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１９９４，３３，１５８９及び “Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓｏｆｂｏｗｌ−ｓｈａｐｅｄｄｅｎｄｒｉｍｅｒｓｆｒｏｍｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ１ｔｏｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ８”ＬａｕｎａｙＮ．，ＣａｍｉｎａｄｅＡ．Ｍ．，ＭａｊｏｒａｌＪ．Ｐ．，Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．１９９７，５２９，５１に記載されている。

ｎ＝４及びｍ＝４の場合の、ＰＡＭＡＭ型デンドリマーの例を下に示す：

ｎ＝５及びｍ＝４の場合の、ＤＡＢ型デンドリマーの例を下に示す：

ｎ＝４及びｍ＝３の場合の、チオホスホリル核を有するＰＭＭＨ型デンドリマーの例を下に示す：

ｎ＝２及びｍ＝６の場合の、中間鎖のない、シクロトリホスファゼン核を有するＰＭＭＨ型デンドリマーの例を下に示す：

ｎ＝２及びｍ＝６の場合の、中間鎖のある、シクロトリホスファゼン核を有するＰＭＭＨ型デンドリマーのもう一つの例を下に示す：

特定の実施態様において、本発明は、下記一般式（１ａ）：

（式中、ｎは０〜３の整数を表し、すなわち、
− ｎ＝０のとき、式（１ａ）は下記式（２ａ）：

に相当し、
− ｎ＝１のとき、式（１ａ）は下記式（３ａ）：

に相当し、
− ｎ＝２のとき、式（１ａ）は下記式（４ａ）：

に相当し、及び
− ｎ＝３のとき、式（１ａ）は下記式（５ａ）：

に相当し、並びに
前記諸式において：
● 中心核§は下記の基：

から選択され；
● ｍは３、６又は８を表し；
● 世代鎖は式：

（式中、
− Ａは、酸素原子、硫黄原子、リン原子又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｂは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｄは、水素原子、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｅは、水素原子、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子、又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｇは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、又は＝ＮＲ基を表し；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当し、
● 中間鎖は式：

（式中、
− Ｊは、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｋは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｌは、０〜１０個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合によりヘテロ原子であることができ、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子から選択され、各構成員は場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当し；
● 末端基は式：

（式中、Ａ_１、Ａ_３及びＸは前に定義されており、各Ｘは同一か又は異なる）
に相当する）
に相当するモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの前記定義の使用に関する。

より特定の実施態様において、本発明は、一般式（１ａ）で表されるデンドリマーの前記定義の使用に関するものであって、そのデンドリマーにおいてＡ_３は：

を表し、
そのとき前記一般式（１ａ）は下記一般式（１）：

に相当し、§、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ａ_１、Ａ_２、Ｘ、ｍ及びｎは前記定義のとおりである。すなわち、本発明はより詳細には、下記一般式（１）：

（式中、ｎは０〜３の整数を表し、すなわち、
− ｎ＝０のとき、式（１）は下記式（２）：

に相当し、
− ｎ＝１のとき、式（１）は下記式（３）：

に相当し、
− ｎ＝２のとき、式（１）は下記式（４）：

に相当し、及び
− ｎ＝３のとき、式（１）は下記式（５）：

（式中、
− Ｊは、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｋは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｌは、０〜１０個の構成員、特に０〜６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員が、場合によりヘテロ原子であることができ、前記へテロ原子が好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子から選択され、各構成員は場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、又は炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当し；
● 末端基は式：

（式中、Ａ_１、Ａ_２及びＸは前に定義されており、各Ｘは同一か又は異なる）
に相当する）
に相当するビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの前記定義の使用に関する。

好ましい実施態様によれば、本発明は、ＰＭＭＨ構造の一般式（１）で表されるデンドリマーの前記定義の使用に関するものであって、そのデンドリマーにおいて、
§は：

を表し；
ｍは６を表し；
ｎは０、１、又は２を表し；
Ａは酸素原子を表し；
Ｂはベンゼン基を表し；
Ｄは水素原子を表し；
Ｅはメチル基を表し；
Ｇは硫黄原子を表し；
Ｊは酸素原子を表し；
Ｋはベンゼン基を表し；
Ｌは２個の炭素原子を有する非置換の直鎖状飽和炭化水素鎖を表し；
Ａ_１は窒素原子を表し；
Ａ_２はＣＨ_２基を表し；
Ｘはメチル基、又は水素原子若しくはナトリウム原子を表し；
前記デンドリマーはＧＣｎで示され、ｎは前記定義のものである。

特に好ましい実施態様によれば、本発明は、下記諸式：

で表される化合物、
又は下記諸式：

及び特に下記式（６）：

で表されるＧＣ１化合物の前記定義の使用に関する。

本発明は更に、下記一般式（７）：

（式中、ｎは０〜３の整数を表し、ｍは３、６又は８を表し、ｐはｍ−１又はｍ−２を表し、及びｊは、ｐがｍ−１を表すときは０、ｐがｍ−２を表すときは１を表し、すなわち：
− ｐ＝ｍ−１のとき、式（７）は下記式（８）：

に相当し、
− ｐ＝ｍ−２のとき、式（７）は下記式（９）：

に相当し、及び
前記諸式において：
● 中心核§は下記の基：

から選択され；
● 世代鎖は式：

（式中、
− Ｊは、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｋは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素は好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｌは、０〜１０個の構成員、特に０〜６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合によりヘテロ原子であることができ、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子から選択され、各構成員は場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、又は炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当し；
● 末端基は式：

（式中、Ａ１、Ａ２及びＸは前に定義されており、各Ｘは同一か又は異なる）
に相当し、
Ｚ_１及びＺ_２は同一か又は異なっており、場合により一緒に結合することがあり、特に共有結合により結合し、及び、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子は好ましくは窒素原子、酸素原子、リン原子、ケイ素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることがあり、各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ、Ｒ’’及びＲ’’’が互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、前記炭化水素鎖の第１の構成員が好ましくは酸素原子又は窒素原子である）
に相当するビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの前記定義の使用に関する。

本発明はより詳細には、ＰＭＭＨ構造の一般式（８）で表されるデンドリマーの前記定義の使用に関するものであって、そのデンドリマーにおいて、
§は：

を表し；
ｍは６を表し；
ｐは５を表し；
ｎは０、１、又は２を表し；
Ａは酸素原子を表し；
Ｂはベンゼン基を表し；
Ｄは水素原子を表し；
Ｅはメチル基を表し；
Ｇは硫黄原子を表し；
Ｊは酸素原子を表し；
Ｋはベンゼン基を表し；
Ｌは２個の炭素原子を有する非置換の直鎖状飽和炭化水素鎖を表し；
Ａ_１は窒素原子を表し；
Ａ_２はＣＨ_２基を表し；
Ｘはメチル基、又は水素原子若しくはナトリウム原子を表し；
Ｚ_１はフェニルオキシ基を表し；
前記デンドリマーはＧＣｎ’で示され、ｎは前記定義のものである。

好ましくは、本発明は特に、
− 下記諸式の化合物：

（式中、ＷはＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、ＰＯ_３Ｈ_２を表し、前記化合物は特に下記式（１０）で表されるＧＣ１’化合物：

に相当する）
− 又は下記式の化合物：

（式中、ＷはＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、Ｒは：

から選択される蛍光性の基を表す）
の前記定義の使用に関し、前記化合物は特に下記諸式の化合物：

に相当するものである使用に関する。

有利に、後者のデンドリマーは蛍光性である。これらのデンドリマーは特に、デンドリマーに結合する細胞の検出の枠内で及び／又は細胞表面にあるデンドリマー結合部位の同定に使用することができる。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、Ｑ_１及びＱ_２は、同一か又は異なり、Ｐ＝Ｓ又はシクロトリホスファゼン（Ｎ_３Ｐ_３）を表し、ｌは、Ｑ_２がＰ＝Ｓを表すときは２を又はＱ_２がＮ_３Ｐ_３を表すときは５を表し、及びｋは、Ｑ_１がＰ＝Ｓを表すときは２を又はＱ_１がＮ_３Ｐ_３，を表すときは５を表し、前記デンドリマーは特に下記諸式：

によって表される）
で表されるビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの前記定義の使用に関する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｒは：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
から選択される基を表す）
で表されるモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの前記定義の使用に関する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｒは：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｓｉ_２Ｍｅ_６、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
から選択される基を表す）
で表されるビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの前記定義の使用に関する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
で表されるモノホスホノ末端基を有するデンドリマーの前記定義の使用に関する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
で表されるビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの前記定義の使用に関する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、ｋは、１、２又は３を表す）
で表されるビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの前記定義の使用に関する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、ｋは、０又は１を表す）
で表されるビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの前記定義の使用に関する。

本発明は更に、下記式：

本発明は更に、下記式：

特定の様態において、本発明は特に、下記諸式：

で表される化合物の前記定義の使用に関する。

本発明のもう一つの特定の実施態様によれば、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞は、ＮＫ細胞、ＣＤ８^＋αβＴリンパ球又はγδＴリンパ球に由来し、特にＮＫ細胞に由来する。

語句「由来」は、本発明の細胞が特に、ＮＫ細胞、ＣＤ８^＋αβＴリンパ球又はγδＴリンパ球の成長促進によって得られることを意味する。

本発明のもう一つの特定の実施態様において、培養の単球系細胞はモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーによって活性化され、単球系細胞の活性化は特に：
− 非活性化細胞に比べて活性化細胞のサイズの増加、及び／又は
− 非活性化細胞に比べてＭＨＣクラスＩ及びクラスＩＩ分子、又はＣＤ１４分子の発現の減少、及び／又は
− ＮＦκＢ因子の核移行の増加
に相当する。

本発明のもう一つの特定の実施態様において、培養の単球系細胞は、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの不在下に培養した単球系細胞に比べてアポトーシスの減少を示す。

本発明は更に、細胞培地に関するものであって、それが少なくとも１種のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマー化合物（dendrimeric compound）を含むことを特徴とする細胞培地に関する。

細胞培地とは、細胞、特に真核細胞の成長に必要なすべての要素（栄養素、成長因子など）を含有する固体又は液体培地を意味する。この種の培地は当業者によく知られている。

本発明の特定の実施態様によれば、前記定義の培地は更に、少なくとも１種の成長因子及び／又はＮＫ細胞活性化因子を含む。

この種の成長因子及び／又はＮＫ細胞活性化因子は、インターロイキンであることができるが、α型又はβ型インターフェロンであることもできる。

本発明のもう一つの好ましい実施態様によれば、前記定義の培地は、ＩＬ−２、ＩＬ−７、ＩＬ−１２、ＩＬ−１５、ＩＬ−１８、又はＩＬ−２１を含む群から選択される少なくとも１種のインターロイキンを含む。

これらのインターロイキンは一般に、細胞、特にＮＫ細胞の培養に使用される。有利に、本発明のデンドリマー存在下に、培地中のこれらの化合物の濃度を、標準培地に比べて低くすることができ、このことが特に前記培地のコスト低下を可能にする。

本発明のもう一つの好ましい実施態様によれば、前記定義の培地はＩＬ−２と組み合わせて少なくとも１種のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマー化合物を含む。

好ましくは、用いるＩＬ−２は、原核生物系（例えばＥｓｃｈｅｒｉｃｈｉａｃｏｌｉ）又は真核生物系（例えばヒト又は昆虫細胞株）において産生される組み換えヒトＩＬ−２である。

本発明の更にもう一つの好ましい実施態様によれば、前記定義の培地に含まれるデンドリマー化合物は、前記定義のデンドリマーに相当する。

本発明の特に好ましい実施態様によれば、前記定義の培地に含まれるデンドリマー化合物は、下記定義のデンドリマー：

又はＧＣ０、ＧＣ１若しくはＧＣ２、特にＧＣ１に相当する。

本発明の極めて特に好ましい実施態様によれば、前記定義の培地は、それが約１０〜約５０μＭ、特に２０μＭの濃度のＧＣ１化合物を、約４〜約４０ｎｇ／ｍｌの濃度に相当する約１００〜約１０００単位／ｍｌ、特に約１６ｎｇ／ｍｌの濃度に相当する約４００単位／ｍｌの濃度のＩＬ−２と組み合わせて含むこと、及びＩＬ−２がヒト組み換えＩＬ−２に相当することを特徴とする。

本発明は更に、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞、特にＮＫ細胞で富化した細胞組成物の製造方法に関するものであって、それが生体試料をモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーと一緒にする工程を含むことを特徴とする方法に関する。

特定の実施態様において、前記方法は、それがリンパ系細胞及び／又は単球系細胞を含むことを特徴とする。

前記定義の方法の好ましい実施態様におよれば、生体試料は、ヒト血液、特にヒト末梢血試料の単核細胞画分によって構成される。

末梢血単核細胞（ＰＢＭＣ）画分は当業者によく知られた方法によって、特に実施例に記載するように密度勾配遠心分離法によって調製される。

前記定義の方法のもう一つの好ましい実施態様によれば、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーは前記定義のデンドリマーに相当する。

前記定義の方法の極めて特に好ましい実施態様によれば、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーは、下記諸式：

で表されるデンドリマー又は、ＧＣ０、ＧＣ１若しくはＧＣ２、特にＧＣ１に相当する。

本発明は更に、前記定義の方法によって得られる、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞、特にＮＫ細胞で富化した細胞組成物に関する。

本発明の好ましい実施態様によれば、前記定義の細胞組成物は更に、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマー、特にＧＣ１を含む。

本発明は更に、活性化単球、又は活性化単球を含む細胞組成物の製造方法に関するものであって、それが単球を含む生体試料をモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーと一緒にする工程を含むことを特徴とする方法に関する。

活性化単球、又は前記活性化単球を含む細胞組成物の製造方法の好ましい実施態様において、生体試料は、ヒト血液、特にヒト末梢血試料の単核細胞画分によって構成される。

活性化単球、又は前記活性化単球を含む細胞組成物の製造方法の好ましい実施態様において、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーは前記定義のデンドリマーに相当する。

活性化単球、又は前記活性化単球を含む細胞組成物の製造方法の好ましい実施態様において、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーは、下記諸式：

で表されるデンドリマー又はＧＣ０、ＧＣ１若しくはＧＣ２、特にＧＣ１に相当する。

特定の実施態様において、前記定義の方法は、活性化単球を含む細胞組成物で始める活性化単球の精製の追加工程を含む。

本発明は更に、前記定義の方法によって得られる活性化単球、又は前記活性化単球を含む細胞組成物に関する。

本発明は更に、医薬組成物に関するものであって、それが、薬学的に許容可能な賦形剤と組み合わせて、活性成分として、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞、特にＮＫ細胞、及び少なくとも１種のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーを含むことを特徴とする医薬組成物に関する。

医薬組成物の好ましい実施態様によれば、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーは前記定義のデンドリマーに相当する。

前記定義の医薬組成物のもう一つの好ましい実施態様によれば、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーは、下記諸式：

前記定義の医薬組成物のもう一つの好ましい実施態様によれば、それは、薬学的に許容可能な賦形剤と組み合わせて、活性成分として、前記定義のＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞及び／又は活性化単球で富化した細胞組成物又は前記定義の活性化単球を含む細胞組成物を含有する。

前記定義の医薬組成物の更にもう一つの特定の実施態様によれば、それは、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞、特にＮＫ細胞を約１０^５〜約５x１０^９の単回用量で個体に投与するのに適している。

本発明は更に、骨髄性白血病若しくは未分化リンパ腫などの造血組織腫瘍及びメラノーマを含む癌を治療及び／又は予防することを意図した薬剤の製造のための、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞、特にＮＫ細胞、及びＧＣ１の使用に関する。

本発明による細胞は、癌細胞に向けた細胞溶解活性を所有する。従って、これらの細胞は、後者によってもたらされる腫瘍をインビボで破壊する目的で癌患者に投与することができる。有利に、これらの細胞は、患者自身からの生体試料か又は健常なドナーからの生体試料かいずれかから調製することができる。

本発明はより詳細には、骨髄性白血病若しくは未分化リンパ腫などの造血組織腫瘍及びメラノーマを含む癌を治療及び／又は予防することを意図した薬剤の製造のための、前記定義のＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞及び／又は活性化単球で富化した細胞組成物、又は前記定義の活性化単球を含む細胞組成物の使用に関する。

本発明は更に、薬学的に許容可能な賦形剤と組み合わせて、活性成分として少なくとも１種のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーを含有する医薬組成物に関する。

本発明はより詳細には、活性成分として少なくとも１種の前記定義のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーを含有する医薬組成物に関するものであって、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーが前記定義のデンドリマーに相当することを特徴とする医薬組成物に関する。

活性成分として少なくとも１種の前記定義のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーを含有する医薬組成物の好ましい実施態様によれば、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーは、下記諸式：

インビボでその効果を生じさせるためには、本発明のデンドリマーは有利に、患者に直接投与することができる。これらの効果は特に、生物内のＮＫ細胞成長の選択的促進によって生じ、それにより前記患者の抗癌防御を強化することが可能になる。

本発明の範囲内で用いられるデンドリマー、及びそのデンドリマーにおいて中心核によって確立できる1個又は２個の結合が、
一方では前記定義の結合鎖によってか、
又は水素原子によってか、
又は１〜５００個の炭素原子を含む炭化水素基によってか、
そのいずれかによって構成される同一か又は異なる結合基に結合するようなデンドリマーは、新規なものである。

従って、本発明は更に、第ｎ世代のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーに関するものであって、結合価ｍを有する中心核§を含み、ｍが３〜２０の整数、特に３〜１０の整数、より特には３〜８の整数を表し、核は、それぞれｍ−２又はｍ−１個の同一の結合鎖と、ｍ−２又はｍ−１個の結合を確立し、結合鎖は：
● 核の周囲に各結合上に樹状構造に結合する世代鎖であって、少なくとも１個の中間鎖が中心核から最も遠くにある世代の各鎖の末端に、場合により結合することがあり、末端基が中心核から最も遠くにある世代の各鎖の末端に、若しくはあてはまる場合には、各中間鎖の末端に結合しているものである世代鎖によってか、又は
● 核の周囲に各結合上に結合する中間鎖であって、末端基が各中間鎖の末端に結合しているものである中間鎖によってかいずれか、
によって構成され；
前記末端基は式：

（式中、
Ａ_１は、Ｎ；Ｐ＝Ｙ基（式中、ＹはＯ、Ｓ、又は任意の原子を表す）；Ｎ−Ｒ基又はＣ−Ｒ基を表し、ＲはＨ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’Ｒ’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’及びＲ’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_２は、単結合又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、酸素原子、リン原子又は窒素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、そして前記の各構成員は場合により、Ｈ、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＮＲＲ’基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、ヒドロキシル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜２４個のアリール基若しくはヘテロアリール基（ヘテロ元素は好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は、場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_３はＨ、又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は、場合によりヘテロ原子から選択されることがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、各構成員は場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立にＨ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは７〜１６個のアラルキル基、又は

を表し、
特にＡ_３は、

を表すことができ、各Ａ_２は同一か異なっており；
各ＯＸは、各ホスホノ基について同一か又は異なり、ＯＨ、アルキル基が１〜１６個の炭素原子を含むＯアルキル基、アリール基が６〜２４個の炭素原子を含むＯアリール基、アラルキル基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアラルキル基、アルキルアリール基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアルキルアリール基、ＯＳｉＲ’_１Ｒ’_２Ｒ’_３（式中、Ｒ’_１、Ｒ’_２及びＲ’_３は、同一か又は異なり、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表す）、又はＯ⁻Ｍ^＋（式中、Ｍ^＋は元素周期表のＩＡ、ＩＢ、ＩＩＡ、ＩＩＢ又はＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ族の元素のカチオンであり、好ましくはＭ^＋はナトリウム、カリウム、銅、カルシウム、バリウム、亜鉛、マグネシウム、リチウム、及びアルミニウム原子のカチオンから選択され、又は炭素原子１〜１００個の炭化水素基、又は炭素原子０〜１００個の含窒素基、例えばＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４ ^＋（式中、互いに独立にＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は、Ｈ又は、１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）である）を表す）
によって表され；
ｎは０〜１２の整数を表し；
1個又は２個の残りの結合は、
一方では前記定義の結合鎖によってか、
又は水素原子によってか、
又は１〜５００個の炭素原子を含む炭化水素基であって、
前記炭化水素基が特に、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖によって構成され、前記の各構成員が場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子が好ましくは窒素原子、酸素原子、リン原子、ケイ素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることができ、各構成員が場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ、Ｒ’’及びＲ’’’が互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、前記炭化水素鎖の第１の構成員が好ましくは酸素原子又は窒素原子であるような炭化水素基によってか、
いずれかによって構成される同一か又は異なる結合鎖に結合し、場合により一緒に結合することがあり、特に共有結合により結合しており；
前記中心核§は、１〜５００個の原子を含む基を表し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子が好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子から選択されるものであるデンドリマーに関する。

特に、前記定義の１〜５００個の原子を含む炭化水素基は、発蛍光団又は任意の官能性化学基であることができる。

本発明は更に、第ｎ世代のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーに関するものであって、ｎは０〜１２の整数を表し、結合価ｍを有する中心核§を含み、ｍが３〜２０の整数、特に３〜１０の整数、より特には３〜８の整数を表し、核は、それぞれｍ−２又はｍ−１個の同一の結合鎖と、ｍ−２又はｍ−１個の結合を確立し、結合鎖は：
● 核の周囲に各結合上に樹状構造に結合する世代鎖であって、ｎが１を超えるか又は等しいとき、所定の世代の世代鎖が、
− 所定の世代の直ぐ下の世代の世代鎖、又は所定の世代が１のときは核に結合しており、及び
− 所定の世代の直ぐ上の世代の少なくとも２個の世代鎖、又は所定の世代がｎであるときは、場合により少なくとも１個の中間鎖に結合することがあり、
末端基が第ｎ世代の各世代鎖の外側に、若しくはあてはまる場合には、各中間鎖の末端に結合しているものである世代鎖、又は
● 核の周囲に各結合上に結合する中間鎖であって、ｎが０のときは、末端基が各中間鎖の末端に結合しているものである中間鎖、
によって構成され；
前記末端基は、式：

（式中、
Ａ_１は、Ｎ；Ｐ＝Ｙ基（式中、ＹはＯ、Ｓ、又は任意の原子を表す）；Ｎ−Ｒ基又はＣ−Ｒ基を表し、ＲはＨ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’Ｒ’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’及びＲ’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_２は、単結合又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、酸素原子、リン原子又は窒素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、そして前記の各構成員は場合により、Ｈ、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＮＲＲ’基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、ヒドロキシル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜２４個のアリール基若しくはヘテロアリール基（ヘテロ元素は好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は、場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_３はＨ、又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は、場合によりヘテロ原子から選択されることがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、各構成員は、場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立にＨ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは７〜１６個のアラルキル基、又は

を表し、
特にＡ_３は、

を表すことができ、各Ａ_２は同一か異なっており；
各ＯＸは、各ホスホノ基について同一か又は異なり、ＯＨ、アルキル基が１〜１６個の炭素原子を含むＯアルキル基、アリール基が６〜２４個の炭素原子を含むＯアリール基、アラルキル基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアラルキル基、アルキルアリール基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアルキルアリール基、ＯＳｉＲ’_１Ｒ’_２Ｒ’_３（式中、Ｒ’_１、Ｒ’_２及びＲ’_３は、同一か又は異なり、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表す）、又はＯ⁻Ｍ^＋（式中、Ｍ^＋は元素周期表のＩＡ、ＩＢ、ＩＩＡ、ＩＩＢ又はＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ族の元素のカチオンであり、Ｍ^＋は好ましくはナトリウム、カリウム、銅、カルシウム、バリウム、亜鉛、マグネシウム、リチウム、及びアルミニウム原子のカチオンから選択され、又は炭素原子１〜１００個の炭化水素基、又は炭素原子０〜１００個の含窒素基、例えばＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４ ^＋（式中、互いに独立にＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は、Ｈ又は、１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することのある直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）である）を表す）
によって表され；
1個又は２個の残りの結合は、
一方では前記定義の結合鎖によってか、
又は水素原子によってか、
又は１〜５００個の炭素原子を含む炭化水素基であって、
前記炭化水素基が特に、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖によって構成され、前記の各構成員が場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子が好ましくは窒素原子、酸素原子、リン原子、ケイ素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択することができ、各構成員が場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ、Ｒ’’及びＲ’’’が互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、前記炭化水素鎖の第１の構成員が好ましくは酸素原子又は窒素原子であるような炭化水素基によってか、
いずれかによって構成される同一か又は異なる結合鎖に結合し、場合により一緒に結合することがあり、特に共有結合により結合しており；
前記中心核§は、１〜５００個の原子を含む基を表し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子が好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子から選択されるものであるデンドリマーに関する。

前記定義のデンドリマーの特定の実施態様によれば、世代鎖は、１〜１２個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、任意の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖のから選択され、前記の各構成員が場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子が好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子又はケイ素原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることができ、各構成員が場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＮＲＲ’基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、ヒドロキシル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、又は炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ、Ｒ及びＲ’が互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す。

前記定義のデンドリマーのもう一つの好ましい実施態様によれば、中間鎖は、式：

（式中、
− Ｊは、酸素原子若しくは硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｋは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｌは、０〜１０個の構成員、特に０〜６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有する、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員が、場合によりヘテロ原子であることができ、前記へテロ原子が好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子から選択され、各構成員は場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、又は炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当する基から選択される。

前記定義のデンドリマーの更にもう一つの実施態様によれば、核は：
− 窒素原子又はケイ素原子；
− 式：

（式中、Ｇは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子又は＝ＮＲ基を表し、Ｒは、Ｈ又は炭素原子1〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、又は炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、例えば式：

で表されるビスフェニルオキシ基、
− 式：

で表される１，２−ジアミノエタン基、
− 式：

で表される１，４−ジアミノブタン基、
− 式：

で表されるシクロトリホスファゼン基、
− 式：

で表されるシクロテトラホスファゼン基、
から選択される。

本発明の特に好ましい実施態様によれば、前記定義のデンドリマーは、ＰＭＭＨ、ＰＡＭＡＭ又はＤＡＢ構造を有する。

本発明のもう一つの特に好ましい実施態様によれば、前記定義のデンドリマーは、下記一般式（７）：

から選択され；
● 世代鎖は式：

（式中、
− Ｊは、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｋは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｌは、０〜１０個の構成員、特に０〜６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員が場合により、ヘテロ原子であることができ、前記へテロ原子が好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子から選択され、各構成員は場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、又は炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当し；
● 末端基は式：

（式中、Ａ１、Ａ２及びＸは前に定義されており、各Ｘは同一か又は異なる）
に相当し、
Ｚ_１及びＺ_２は同一か又は異なっており、場合により一緒に結合することがあり、特に共有結合により結合し、及び、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員が場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子が好ましくは窒素原子、酸素原子、リン原子、ケイ素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることがあり、各構成員が場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ、Ｒ’’及びＲ’’’が互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、前記炭化水素鎖の第１の構成員が好ましくは酸素原子又は窒素原子である）
に相当するビスホスホノ末端基を有する。

本発明の更にもう一つの特に好ましい実施態様によれば、前記定義のデンドリマーは、ＰＭＭＨ構造を有し、一般式（８）に相当するものあって、そのデンドリマーにおいて、
§は：

本発明の極めて特に好ましい実施態様によれば、前記定義のデンドリマーは、下記諸式：

（式中、ＷはＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、ＰＯ_３Ｈ_２を表し、前記デンドリマーは特に下記式（１０）のＧＣ１’化合物：

に相当する）
で表される化合物に相当する。

本発明のもう一つの特に好ましい実施態様によれば、前記定義のデンドリマーは、下記式：

から選択される蛍光性の基を表す）
で表される化合物に相当し、
前記デンドリマーが特に下記諸式：

で表される化合物に相当する。

これらの化合物は有利に、蛍光性である。それらの合成を実施例８８〜９０に記載する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、Ｑ_１及びＱ_２は、同一か又は異なり、Ｐ＝Ｓ又はシクロトリホスファゼン（Ｎ_３Ｐ_３）を表し、ｌは、Ｑ_２がＰ＝Ｓを表すときは２を又はＱ_２がＮ_３Ｐ_３を表すときは５を表し、及びｋは、Ｑ_１がＰ＝Ｓを表すときは２を又はＱ_１がＮ_３Ｐ_３，を表すときは５を表す）で表されるビスホスホノ末端基を有するデンドリマーに関するものであって、前記デンドリマーは、特に下記諸式：

によって表される。

これらのデンドリマーの諸式において、Ｐ_３Ｎ_３はシクロトリホスファゼン核を表す。

これらのビスホスホノ末端基を有するデンドリマーは、分岐係数が所定のデンドリマーに対して世代ごとに変化することを特徴とする。更に、これらの各デンドリマーに対して、少なくとも一つの世代は２を超える分岐係数に相当する。

諸式：

で表される化合物は、式：

で表される化合物から合成することができ、この化合物はそれ自体、実施例４０で明確にされ、Ｖ．Ｍａｒａｖａｌｅｔａｌ．Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．（２００３）４２，１８２２に記載された化合物６−２−５から合成することができる。

諸式：

で表される化合物は、式：

で表される化合物から合成することができ、この化合物はそれ自体、実施例４０で明確にされ、Ｖ．Ｍａｒａｖａｌｅｔａｌ．Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．（２００３）４２，１８２２に記載された化合物６−５−２から合成することができる。

諸式：

で表される化合物は、式：

で表される化合物から合成することができ、この化合物はそれ自体、実施例４０で明確にされ、Ｖ．Ｍａｒａｖａｌｅｔａｌ．Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．（２００３）４２，１８２２に記載された化合物６−５−５から合成することができる。

本発明の化合物の合成はより詳細に、実施例７７〜８５に記載する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｒは：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
から選択される基を表す）
で表されるモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーに関する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｒは：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｓｉ_２Ｍｅ_６、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
から選択される基を表す）
で表されるビスホスホノ末端基を有するデンドリマーに関する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
で表されるモノホスホノ末端基を有するデンドリマーに関する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
で表されるビスホスホノ末端基を有するデンドリマーに関する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、ｋは、１、２又は３を表す）
で表されるビスホスホノ末端基を有するデンドリマーに関する。

本発明は更に、下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、ｋは、０又は１を表す）
で表されるビスホスホノ末端基を有するデンドリマーに関する。

本発明は更に、下記式：

本発明は更に、下記式：

本発明は更に、リンパ系細胞に関するものであって、そのリンパ系細胞が、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現し及び生体試料が起源であり及び／又は標準条件下に培養されるリンパ系細胞よりも強くＮＫＧ２Ｄ受容体を発現することを特徴とするリンパ系細胞に関する。

特定の実施態様によれば、本発明は特に、ＮＫＧ２Ｄ受容体の発現レベルが、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現し及び生体試料が起源であり及び／又は標準条件下に培養されるリンパ系細胞のＮＫＧ２Ｄ受容体発現レベルよりも２〜５倍大きいことを特徴とする前記定義のリンパ系細胞に関する。

もう一つの特定の実施態様によれば、本発明は特に、ＮＫＧ２Ｄ受容体の発現レベルが、フィコエリトリンで標識したＢｅｃｋｍａｎ−Ｃｏｕｌｔｅｒ−Ｉｍｍｕｎｏｔｅｃｈの抗ＮＫＧ２Ｄ抗体（クローンＯＮ７２）を用いてＣｏｕｌｔｅｒＥｐｉｃｓＸＬ装置で測定する平均蛍光強度（ＭＦＩ）約５〜約２０に相当することを特徴とする前記定義のリンパ系細胞に関する。

本発明の更にもう一つの特定の実施態様によれば、前記定義のリンパ系細胞は、ＮＫ細胞、ＣＤ８^＋αβＴリンパ球又はγδＴリンパ球に由来する。

本発明の好ましい実施態様によれば、前記定義のリンパ系細胞は、ＮＫ細胞に由来する。

本発明のもう一つの好ましい実施態様によれば、前記定義のリンパ系細胞は、ＴＬＲ２受容体を発現する。

本発明の特に好ましい実施態様によれば、前記定義のリンパ系細胞は、ＴＬＲ２受容体の発現レベルが、フィコエリトリンで標識したＢｉｏＬｅｇｅｎｄの抗ＴＬＲ２抗体（クローンＴＬ２．１）を用いてＣｏｕｌｔｅｒＥｐｉｃｓＸＬ装置で測定する平均蛍光強度（ＭＦＩ）約１〜約３に相当することを特徴とする。

本発明は更に、医薬粗製物に関するものであって、その医薬粗製物が、薬学的に許容可能な賦形剤と組み合わせて、活性成分として前記定義のリンパ系細胞を含むことを特徴とする医薬組成物に関する。

本発明の特定の実施態様によれば、活性成分として前記定義のリンパ系細胞を含む前記定義の医薬組成物は、前記定義のリンパ系細胞を約１０^５〜約５x１０^９の単回用量で個体に投与するのに適していることを特徴とする。

本発明は更に、骨髄性白血病若しくは未分化リンパ腫などの造血組織腫瘍及びメラノーマを含む癌を治療及び／又は予防することを意図した薬剤の製造のための、前記定義のリンパ系細胞の使用に関する。

一般に、本発明のモノ及びビスホスホノデンドリマーはそれぞれ、国際出願ＷＯ２００５／００５２０３２及びＷＯ２００５／００５２０３１に示すようにして製造することができる。

特に、本発明に使用するモノホスホノデンドリマーは、下記のように製造することができる。製造方法の記載を容易にするために、以下に定義する。モノホスホノデンドリマーは：
− 結合価ｍの中心核§；
− 場合により、核の周囲の樹状構造の世代鎖；
− 核の周囲の各結合の末端にある中間鎖、又は必要なら場合により各世代鎖の末端にある中間鎖；及び
− 式：

（式中、各Ｘは、所定の末端基について同一か又は異なり、−Ｍｅ、−Ｈ、又は／Ｍ^＋ラジカル（ここでＭ^＋はカチオンである）を表す）
で表される各中間鎖末端にある樹状構造の末端基；
によって構成することができ、
ｎは、当該デンドリマーの世代を表し；それは０〜１２の整数を表し、
ｍは１より大きいか又は等しい整数を表す。

中心核§は結合価ｍの少なくとも1個の原子によって構成される。

中心核§は好ましくは、少なくとも1個のリン原子を表す。核§は好ましくは、下記の基：ＳＰＣｌ_３、Ｐ_３Ｎ_３Ｃｌ_６、Ｐ_４Ｎ_４Ｃｌ_８、

から選択される。

中心核§は好ましくは、式：

で表されるものである。

ｎは好ましくは、０〜３である。

ｍは好ましくは、３、４及び６から選択される。

モノホスホノデンドリマーは好ましくは、デンドリマーに末端基−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＸ）_２をグラフト化した市販のデンドリマーに相当する。

前記市販のデンドリマーは特に、末端官能基−ＮＨ_２、−ＯＨ又は−ＣＯＯＨを有するＤＡＢ−ＡＭ型のデンドリマー、ＰＡＭＡＭ型のデンドリマー（特にＳｔａｒｂｕｓｔ（登録商標））、又は更に、特にシクロホスファゼン−ＰＭＭＨ若しくはチオホスホリル−ＰＭＭＨなどのＰＭＭＨ型のデンドリマー：

並びにもっと後の世代のデンドリマーから選択される。

これらのデンドリマーはすべてＡｌｄｒｉｃｈによって市販されている。

Ｍは好ましくは、周期表のＩＡ、ＩＢ、ＩＩＡ、ＩＩＢ、又はＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ族の元素を表し；Ｍは好ましくは、ナトリウム、カリウム、銅、カルシウム、バリウム、亜鉛、マグネシウム、リチウム及びアルミニウム原子から、更により好ましくはナトリウム、リチウム及びカリウム原子から選択される。

Ｍ^＋は、原子、例えば金属原子のカチオン、又はカチオン型で安定に存在できる任意の基由来のカチオンである。前記カチオンは、特にアンモニウム塩、単独又は混合物で、特にカチオン界面活性剤との混合物から選択することができる。

Ｍ^＋は好ましくは、ＨＮＥｔ_３ ^＋などの含窒素塩基のカチオンを表す。

世代鎖は、１〜１２個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある直鎖状又は分岐状の炭化水素鎖から選択され、前記の各構成員は場合により、ヘテロ原子、アリール基、ヘテロアリール基、＞Ｃ＝Ｏ、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることがあり、各構成員は場合により、−アルキル、−Ｈａｌ、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−Ｏアルキル、−アリール、−アラルキルから選択される1個以上の置換基によって置換することができ、前記式で、Ｒ及びＲ’は同一か又は異なり、独立に、水素原子、又は−アルキル、−アリール、−アラルキル基を表す。

同一の又は異なる世代鎖は好ましくは、式：

（式中、
Ａは、酸素原子、硫黄原子、リン原子又は-ＮＲ−基を表し；
Ｂは、−アリール−、−ヘテロアリール−、−アルキル−基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ，−アルキル、−アリール、−アラルキル基によって置換することができ；
Ｃは炭素原子を表し、
Ｄ及びＥは同一か又は異なり、独立に、水素原子、−アルキル、−Ｏアルキル、−アリール、−アラルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−アルキル、−アリール、−アラルキル基によって置換することができ；
Ｇは、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子又は＝ＮＲ基を表し；
Ｎは窒素原子を表し；
Ｐはリン原子を表し；
＜は各世代鎖の末端に位置する２個の結合を表す）
によって表される。

前記一般式（Ｃ１）において、Ａは好ましくは酸素原子を表す。

前記一般式（Ｃ１）において、Ｂは好ましくはフェニル核を表し、場合によりハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−アルキル、−アリール、−アラルキル基によって置換されることがあり；更により好ましくは、Ｂは非置換のフェニル核を表す。

前記一般式（Ｃ１）において、Ｄは好ましくは水素原子を表す。

前記一般式（Ｃ１）において、Ｅは好ましくは−アルキル基を表す。

前記一般式（Ｃ１）において、Ｇは好ましくは硫黄原子を表す。

もう一つの好ましい態様によれば、世代鎖は、式：

（式中、
Ａ’及びＢ’は独立に、−アルキル，−アルケニル，−アルキニル基を表し、それぞれは場合により、−アルキル、−Ｈａｌ、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−Ｏアルキル、−アリール、−アラルキルから選択される１個以上の置換基によって置換することができ；
Ｒ、Ｒ’は前に定義のとおりである）
によって表される。
Ａ’は好ましくは−アルキル−を、更により好ましくは−エチル−を表す。
Ｂ’は好ましくは−アルキル−を、更により好ましくは−エチル−を表す。
Ｒは好ましくは水素原子を表す。

もう一つの好ましい態様によれば、世代鎖は、式：

（式中、
Ａ’’は、−アルキル−、−アルケニル−、−アルキニル−基を表し、それぞれは場合により、−アルキル、−Ｈａｌ、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−Ｏアルキル、−アリール、−アラルキルから選択される１個以上の置換基によって置換することができ、ＲＲ’は前に定義のとおりである）
によって表される。
Ａ’’は好ましくは−アルキル−を、更により好ましくは−プロピル−を表す。

もう一つの好ましい態様によれば、第０世代の本発明によるデンドリマーは、世代鎖を含まない。特に、世代鎖が諸式（Ｃ１’）又は（Ｃ１’’）によって表される場合、第０世代の相当するデンドリマーは世代鎖を含まない。

中間鎖は、１〜１２個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、任意の直鎖状又は分岐状炭化水素鎖から選択され、前記の各構成員は場合により、ヘテロ原子、アリール基、ヘテロアリール基、＞Ｃ＝Ｏ、＞Ｃ＝ＮＲから選択することができ、各構成員は場合により、−アルキル、−Ｈａｌ、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−Ｏアルキル、−アリール、−アラルキルから選択される１個以上の置換基によって置換することができ、そこでＲ、Ｒ’は前に定義のとおりである。

中間鎖は好ましくは、その末端に単結合を有する。

中間鎖は、同一か又は異なり、式：

（式中、
Ｊは、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
Ｋは、−アリール−、−ヘテロアリール−、−アルキル−基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−アルキル、−アリール、−アラルキル基によって置換することができ；
Ｌは、１〜６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあるか、及び／又は場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することがある、直鎖状又は分岐状の炭化水素鎖を表し、前記の各結合は場合により、-ＯＨ、−ＮＲＲ’、−Ｏアルキル、−アルキル、−Ｈａｌ、−ＮＯ_２、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−アリール、−アラルキルから選択される１個以上の置換基によって置換することができる）
によって表される。
Ｒ及びＲ’は、同一か又は異なり、独立に水素原子又は−アルキル、−アリール、−アラルキル基を表す。

前記式（Ｃ２）において、Ｊは好ましくは酸素原子を表す。

前記式（Ｃ２）において、Ｋは好ましくは、フェニル核を表し、場合により置換されることがあり；更により好ましくは、Ｋは非置換のフェニル核を表す。

前記式（Ｃ２）において、Ｌは、−アルキル−、−アルケニル−又は−アルキニル−基を表し、それぞれは場合により、−ＯＨ、−ＮＲＲ’、−Ｏアルキルから選択される１個以上の置換基によって置換することができ；更により好ましくは、Ｌは−アルキル−基を表し、場合により、−ＯＨ基、又は−アルケニル−基によって置換されることがあり；更により好ましくは、Ｌは−アルキル−基を表し、場合により、−ＯＨ基によって置換されることがある。

もう一つの好ましい態様によれば、中間鎖は、式（Ｃ２’）：

（式中、Ｌ’’は、１〜６個の構成員を有する−アルキル−鎖を表し、場合により、−ＯＨ、−ＮＲＲ’、−Ｏアルキルから選択される１個以上の置換基によって置換されることがあり；更により好ましくは、Ｌは−アルキル−を表し、好ましくは−メチル−基を表す）
によって表すことができる。

世代鎖は好ましくは同一である。

前掲の諸式（Ｃ１）及び（Ｃ２）において、Ｊ及びＫはそれぞれ好ましくは、Ａ、Ｂに等しい。

デンドリマーは好ましくは、下記式（Ｉ）：

（式中、
§、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、Ｎ、Ｐ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｘ、ｍ、ｎ、＜は、前に定義のとおりである）
によって表すことができる。

もう一つの好ましい態様によれば、デンドリマーは、下記式（Ｉ−２）：

（式中、
§、Ａ’、Ｂ’、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｘ、Ｌ’’、ｍ、ｎは前に定義のとおりである）
によって表すことができる。

もう一つの好ましい態様によれば、デンドリマーは、下記式（Ｉ−３）：

（式中、
§、Ａ’’、Ｎ、Ｐ、Ｘ、Ｌ’’、ｍ、ｎは前に定義のとおりである）
によって表すことができる。

前記式において、｛｝^ｎは、前記の基の第ｎ世代の樹状構造を示す。

−ａｌｋ、−アルキル又は−アルキル−基はアルキル基、すなわち１〜２０個の炭素原子、好ましくは１〜５個の炭素原子を有する、直鎖状又は分岐状鎖の飽和炭化水素基を表す。

それらが直鎖状であるときは、特にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、及びオクタデシル基に言及することができる。

それらが分岐状であるとき、又は１個以上のアルキル基によって置換されるときは、特にイソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、２−エチルヘキシル基、２−メチルブチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基及び３−メチルヘプチル基に言及することができる。

−アルケニル又は−アルケニル−は、少なくとも１個の炭素間二重結合を含有し、且つ鎖に約２〜約１５個の炭素原子を有する直鎖状又は分岐状であることができる脂肪族炭化水素基を示す。好ましいアルケニル基は、鎖に２〜約１２個の炭素原子を有し；更により好ましくは、鎖に約２〜約４個の炭素原子を有する。「分岐状」は、１個以上の低級アルキル基、例えばメチル基、エチル基又はプロピル基が、直鎖状アルケニル鎖に結合していることを示す。アルケニル基型の例は、エテニル基、プロペニル基、ｎ−ブテニル基、ｉ−ブテニル基、３−メチルブト−２−エニル基、ｎ−ペンテニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、シクロヘキシルブテニル基及びデセニル基を含む。

アルキニル基又は−アルキニル−は、少なくとも１個の炭素間三重結合を含有し、且つ鎖に２〜約１５個の炭素原子を有する直鎖状又は分岐状であることができる脂肪族炭化水素基を示す。好ましいアルキニル基は、鎖に２〜約１２個の炭素原子を有し；更に好ましくは、鎖に約２〜約４個の炭素原子を有する。「分岐状」は、１個以上の低級アルキル基、例えばメチル基、エチル基、又はプロピル基が、直鎖状アルキニル鎖に結合していることを示す。アルキニル基型の例は、エチニル基、プロピニル基、ｎ−ブチニル基、２−ブチニル基、３−メチルブチニル基、ｎ−ペンチニル基、ヘプチニル基、オクチニル基及びデシニル基を含む。

ハロゲン原子のうちで、より詳細には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子、好ましくはフッ素原子に言及することができる。

−アリール又は−アリール−基は、アリール基、すなわち６〜１０個の炭素原子を有する単環式又は二環式芳香族炭化水素系基を表す。

アリール基のうちで、特にフェニル基又はナフチル基に言及することができ、より特には少なくとも１個のハロゲン原子によって置換したフェニル基又はナフチル基に言及することができる。

−アラルキル（−アリールアルキル）基のうちで、特にベンジル基又はフェネチル基に言及することができる。

用語「ヘテロ原子」は、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子又は硫黄原子を示す。

−ヘテロアリール又は−ヘテロアリール−は、ヘテロアリール基、すなわち、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子から選択される１個以上のヘテロ原子を含む、５〜１０個の炭素原子を有する単環式又は二環式芳香族系基を示す。ヘテロアリール基のうちで、ピラジニル基、チエニル基、オキサゾリル基、フラザニル基、ピロリル基、１，２，４−チアジアゾリル基、ナフチリジニル基、ピリダジニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン基、イミダゾ［２，１−ｂ］チアゾリル基、シンノリニル基、トリアジニル基、ベンゾフラザニル基、アザインドリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチエニル基、チエノピリジニル基、チエノピリミジニル基、ピロロピリジル基、イミダゾピリジル基、ベンゾアザインドール基、１，２，４−トリアジニル基、ベンゾチアゾリル基、フラニル基、イミダゾリル基、インドリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリジニル基、イソオキサゾリル基、イソキノリニル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、プリニル基、キナゾリニル基、キノリニル基、イソキノリル基、１，３，４−チアジアゾリル基、チアゾリル基、トリアジニル基、イソチアゾリル基、カルバゾリル基、及びそれらの縮合又はフェニル核との縮合から生じる相当する基に言及することができる。好ましいヘテロアリール基は、チエニル基、ピロリル基、キノキサリニルキ基、フラニル基、イミダゾリル基、インドリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、キナゾリニル基、キノリニル基、チアゾリル基、カルバゾリル基、チアジアゾリル基、及びフェニル核との縮合から生じる基、並びにより特には、キノリニル基、カルバゾリル基チアジアゾリル基を含む。

「相当するデンドリマー」とは、同じ核、世代鎖、中間鎖及び別個の末端基を有する同じ世代のデンドリマーを意味する。

モノホスホノデンドリマーは、−ＰＯ_３Ｘ_２官能基をグラフト化することを可能にする、それ自体周知の任意の方法、及び／又は当業者の範囲内の任意の方法を適用するか若しくは適合させることによって、特にＬａｒｏｃｋによりＣｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅＯｒｇａｎｉｃＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎｓ，ＶＣＨＰｕｂ．，１９８９に記載された方法を適用するか若しくは適合させることによって、又は以下の実施例に記載する方法を適用するか若しくは適合させることによって製造することができる。

この後に記載する反応においては、反応性の官能基が最終生成物に求められる場合、反応への望ましくない関与を回避するために、反応性の官能基、例えばヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、チオ基、カルボキシ基を保護することが必要であることがある。通常の保護基を、標準的手順に従って使用することができる。例えば、Ｔ．Ｗ．ＧｒｅｅｎａｎｄＰ．Ｇ．Ｍ．ＷｕｔｓのＰｒｏｔｅｃｔｉｖｅＧｒｏｕｐｓｉｎＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＪｏｈｎＷｉｌｅｙａｎｄＳｏｎｓ，１９９１；Ｊ．Ｆ．Ｗ．ＭｃＯｍｉｅのＰｒｏｔｅｃｔｉｖｅＧｒｏｕｐｓｉｎＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＰｌｅｎｕｍＰｒｅｓｓ，１９７３を参照せよ。

−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＸ）_２末端基を含む本発明によるデンドリマーの製造方法は：
（ｉ） −ＰＯ_３Ｍｅ_２官能性を有する相当する化合物と反応することのできる末端基を有する、相当するデンドリマーの反応であり、デンドリマーの末端基が例えば：−ＣＨＯ、−ＣＨ＝ＮＲ、又は−Ｐ（＝Ｇ）Ｃｌ_２であることができるものであるような反応；
（ｉｉ）次に場合により、ＸがＨ又はＭを表すとき、−ＰＯ_３Ｍｅ_２末端基を有する（ｉ）で得たデンドリマーを、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２末端基を有する相当するデンドリマーに変換することからなる工程、
（ｉｉｉ）次に場合により、ＸがＭを表すとき、Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２末端基を有する（ｉｉ）で得たデンドリマーを、Ｐ（＝Ｏ）（ＯＭ）_２又はＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）（ＯＭ）末端基を有する相当するデンドリマーの塩に変換する工程、
を含む。

工程（ｉ）は、−ＣＨＯ、−ＣＨ＝ＮＲ、又は−Ｐ（＝Ｓ）Ｃｌ_２末端官能基を有する同じ第ｎ世代の相当するデンドリマーの、
式Ｚ−ＰＯ_３Ｍｅ_２で表される化合物（式中、Ｚはそれぞれ：
− 官能基が−ＣＨＯ又は−ＣＨ＝ＮＲであるとき、−Ｈを表すか又は、
− 前記官能基が−Ｐ（＝Ｓ）Ｃｌ_２を表すとき、前に定義の中間鎖を表すか、いずれかを表す）
との反応を含む。

第１の選択肢によれば、工程（ｉ）は、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９７，６２，４８３４に記載する方法を適用するか又は適合させることによって、−ＣＨＯ又は−ＣＨ＝ＮＲ末端基を有する相当するデンドリマーへの、ＨＰＯ_３Ｍｅ_２の作用を含む。

より正確には、この反応は、非プロトン性の極性溶媒、例えばＴＨＦ、クロロホルム、ジクロロメタン、アセトニトリル中の溶液において、好ましくは溶媒なしで、有機又は無機塩基の存在下に、好ましくはトリエチルアミンなどの含窒素塩基の存在下に、−８０°Ｃ〜１００°Ｃの温度で、好ましくは周囲温度で、撹拌下に実施する。

式ＨＰＯ_３Ｍｅ_２で表される化合物は、市販品として入手可能（Ａｌｄｒｉｃｈ）であるか、又はそれ自体周知の方法により製造することができる。

第２の選択肢によれば、工程（ｉ）は、−Ｐ（＝Ｓ）Ｃｌ_２末端基を有する出発デンドリマーへの、式Ｚ−ＰＯ_３Ｍｅ_２（式中、Ｚは前に定義の中間鎖を表す）で表される化合物の作用を含む。

この反応は、非プロトン性の極性溶媒、例えばＴＨＦ、クロロホルム、ジクロロメタン、アセトニトリル、アセトン、ＤＭＦ、好ましくはＴＨＦ中の溶液において、有機又は無機塩基の存在下に、好ましくは炭酸セシウムなどの炭酸塩型塩基の存在下に、−８０°Ｃ〜１００°Ｃの温度で、好ましくは周囲温度で、撹拌下に実施する。
（ｉｉ）次に場合により、ＸがＨ又はＭを表すとき、
− 有機の非プロトン性の極性溶媒、例えばクロロホルム、ジクロロメタン、アセトニトリル、好ましくはアセトニトリル中の、ハロゲン化トリメチルシラン、好ましくは臭化トリメチルシラン（Ｍｅ_３ＳｉＢｒ）の作用（その操作は好ましくは、反応混合物を−８０°Ｃ〜１００°Ｃの温度に、好ましくは約０°Ｃに保ちながら、ハロゲン化トリメチルシランをゆっくり添加することによって実施する）によって、
− 次に、反応混合物に添加した無水ＭｅＯＨの作用によって、
−ＰＯ_３Ｍｅ_２末端基を有する（ｉ）で得たデンドリマーを、−ＰＯ_３Ｈ_２末端基を有する相当するデンドリマーに変換することからなる工程。
（ｉｉｉ）次に場合により、ＸがＭを表すとき、−ＰＯ_３Ｈ_２末端基を有する（ｉｉ）で得たデンドリマーを、−ＰＯ_３Ｍｅ_２末端基を有する相当するデンドリマーの塩に変換することからなる工程。

より正確には、デンドリマーが式（Ｉ−１）：

（式中、§、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、Ｎ、Ｐ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｘ、ｍ、ｎ、＜は、前に定義のとおりである）
で表されるとき、
工程（ｉ）は、式：

（式中、Ｙは：
− −Ｊ−Ｋ−Ｌ’（式中、Ｌ’は-ＣＨＯ又は-ＣＨ＝ＮＲ基を表す）；
− 又は−Ｃｌ；
のいずれかを表す）
で表される相当するデンドリマーｎへの、
式Ｚ−ＰＯ_３Ｍｅ_２（式中、Ｚはそれぞれ：
− Ｙが−Ｊ−Ｋ−Ｌ’を表すときは、Ｈ−；
− 又はＹがＣｌを表すときは、Ｈ−Ｊ−Ｋ−Ｌ−；
のいずれかを表す）
で表される化合物の反応を含み、
（ｉｉ）次に場合により、ＸがＨ又はＭを表すときは、（ｉ）で得た式（ＩＩＩ−１）（式中、Ｘはメチル基を表す）で表されるデンドリマーを、下記反応図式：

（式中、§、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、Ｎ、Ｐ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、ｎ、ｍ、＜は、前に定義のとおりである）
に従って、
式（Ｉ−１）（式中、Ｘは水素原子を表す）に相当するデンドリマーに変換することからなる工程、
（ｉｉｉ）次に場合により、ＸがＭを表すときは、（ｉｉ）で得た式（ＩＶ−１）で表されるデンドリマーを、相当する塩に変換することからなる工程を含む。

式（ＩＩＩ−１）で表される生成物は、下記の方法のいずれか一つにより、工程（ｉ）に従って得られる：

工程（ｉ）の第１の選択肢によれば、式（ＩＩＩ−１）で表される生成物は下記反応：

（式中、§、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、Ｎ、Ｐ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｌ’、ｍ、ｎ、＜は、前に定義のとおりである）
によって得られる。

この反応は、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９７，６２，４８３４に記載する方法を適用するか又は適合させることによって実施することができる。

より正確には、この反応は、場合により非プロトン性の極性溶媒、例えばＴＨＦ、ジクロロメタン、クロロホルム又はアセトニトリル中の溶液であり、好ましくは溶媒なしで、有機又は無機の塩基、好ましくはトリエチルアミンなどの含窒素塩基の存在下に、−８０°Ｃ〜１００°Ｃの温度で、好ましくは周囲温度で、撹拌下に実施する。

式（ＶＩ）で表される化合物は、市販品として入手可能（Ａｌｄｒｉｃｈ）であるか又はそれ自体周知の方法により製造することができる。

式（Ｖ）で表されるデンドリマーは、市販品として入手可能（Ａｌｄｒｉｃｈ）であるか又はそれ自体周知の方法により製造することができる。

第２の選択肢によれば、式（ＩＩＩ−１）で表される化合物は、下記反応：

（式中、
§、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、Ｎ、Ｐ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、ｍ、ｎは前に定義のとおりである）
により得られる。

この反応は、場合により非プロトン性の極性溶媒、例えばＴＨＦ、クロロホルム、ジクロロメタン、アセトニトリル、アセトン、ＤＭＦ、好ましくはＴＨＦ中の溶液で、有機又は無機の塩基、好ましくは炭酸セシウムなどの炭酸塩型塩基の存在下に、−８０°Ｃ〜１００°Ｃの温度で、好ましくは周囲温度で、撹拌下に実施する。

式（ＶＩＩ）で表されるデンドリマーは、市販品として入手可能（Ａｌｄｒｉｃｈ）であるか又はそれ自体周知の方法により製造することができる。

式（Ｖ）又は（ＶＩＩ）で表されるデンドリマーは、特に：

から選択することができる。

より正確には、本発明のデンドリマーが、下記式（Ｉ−２）：

（式中、§、Ａ’、Ｂ’、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｘ、Ｌ’’、ｍ、ｎは、前に定義のとおりである）

又は下記式（Ｉ−３）：

（式中、§、Ａ’’、Ｎ、Ｐ、Ｘ、Ｌ’’、ｍ、ｎは、前に定義のとおりである）
によって表されるとき、
その方法は、式：

（式中、Ｒは、＞アルキル基である）
で表される相当するデンドリマーｎへの、
式Ｈ−ＰＯ_３Ｍｅ_２（ＶＩ）で表される化合物との反応を含む工程（ｉ）
を含む。

この反応は、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９７，６２，４８３４に記載される方法を適用するか又は適合させることにより実施することができる。

より正確には、この反応は、場合により非プロトン性の極性溶媒、例えばＴＨＦ、クロロホルム、ジクロロメタン、アセトニトリル中の溶液であり、好ましくは溶媒なしで、有機又は無機の塩基、好ましくはトリエチルアミンなどの含窒素塩基の存在下に、−８０°Ｃ〜１００°Ｃの温度で、好ましくは周囲温度で、撹拌下に実施する。

式：

で表されるデンドリマーは、式：

で表される、相当する市販のデンドリマーから、
末端−ＮＨ_２基を、所要の−Ｎ＝Ｒ末端官能基に変換することを可能にする、それ自体周知の任意の反応を適用するか又は適合させることによって得ることができる。そのような方法は、当業者の範囲内で、特にＬａｒｏｃｋｅｔａｌ．（前記）により記載されている。

式（ＸＶＩ）及び（ＸＶＩＩ）で表されるデンドリマーは、市販品として入手可能であり、特に、ＤＡＢ又はＰＡＭＡＭ型デンドリマーから選択することができる。
（ｉｉ）その方法は、次に場合により、ＸがＨ又はＭを表すとき、（ｉ）で得た式（ＩＩＩ−２）又は（ＩＩＩ−３）で表されるデンドリマー（式中、Ｘはメチル基を表す）を、下記反応図式：

に従って、式（Ｉ）で表される相当するデンドリマー（式中、Ｘは水素原子を表す）に変換することからなる工程、
（ｉｉｉ）次に場合により、ＸがＭを表すとき、（ｉｉ）で得た式（ＩＶ）のデンドリマーを、相当する塩に変換することからなる工程を含む。

すべての場合に、反応（ｉｉ）は：
− 有機非プロトン性の極性溶媒、例えばアセトニトリル、クロロホルム又はジクロロメタン、好ましくはアセトニトリル中で、ハロゲン化トリメチルシラン、好ましくは臭化トリメチルシラン（Ｍｅ_３ＳｉＢｒ）の作用（その操作は好ましくは、反応混合物を−８０°Ｃ〜１００°Ｃの温度に、好ましくは約０°Ｃに保ちながら、ハロゲン化トリメチルシランをゆっくり添加することにより実施される）によって、
− 次に、反応混合物に添加した無水ＭｅＯＨの作用によって、
実施される。

工程（ｉｉｉ）において、デンドリマーの酸性塩は、Ｚが水素原子を表す末端鎖を有するデンドリマーから、周知の方法を適用するか又は適合させることによって、塩基を添加して得ることができる。操作は好ましくは、適当なプロトン性又は非プロトン性の極性溶媒、例えばアルコール、水、ＴＨＦ、ジクロロメタン、クロロホルム、アセトニトリル、ＤＭＦ、好ましくは水中の溶液で、所望の塩に応じて、有機又は無機の塩基、例えば水酸化物、炭酸塩、含窒素塩基、好ましくは水酸化ナトリウム、水酸化リチウム又は水酸化カリウムの存在下に、撹拌下に実施される。

式（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）又は（ＩＩ−３）で表されるデンドリマーに対して前記末端官能基の異なる末端基を有する出発デンドリマーを使用する場合、その方法は、前記の基を前記の所望の官能基に変換することを可能にする追加の予備工程を含む。例えば、カルボン酸又はヒドロキシル型の末端基を有するデンドリマーの場合においては、前記のカルボン酸又はヒドロキシル型の末端基を、式（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）又は（ＩＩ−３）で表されるデンドリマーに相当する−ＮＨ_２、−ＣＨＯ、−Ｃ＝ＮＲ又は−ＰＳＣｌ_２型の官能基に変換することを可能にする任意の反応を実施することで十分である。そのような反応は、当業者に知られているか、及び／又はＬａｒｏｃｋｅｔａｌ（前記）により検討された反応を適用するか又は適合させることによって実施することができる。

第０世代のデンドリマーを得るために、上の反応は、所望の官能性を有する、核から操作する同じ様態で実施することができる。例えば、世代反応は、ＰＳＣｌ_３、Ｐ_３Ｎ_３Ｃｌ_６、Ｐ_４Ｎ_４Ｃｌ_８、又は

の核から操作して実施することができる。

式（ＶＩＩＩ）：

（式中、
Ｚは、Ｈ又は−ＪＨ官能基の保護基を表し；これらの保護基はそれ自体知られており、上述のＧｒｅｅｎｅｔａｌ．又はＭｃＯｍｉｅｅｔａｌ．において確認することができる。好ましくは、Ｊが酸素原子を表すとき、ＺはＴＢＤＭＳ基（ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチル−シリル基）を表す。
Ｊは、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
Ｋは、−アリール−、−ヘテロアリール−、−アルキル−基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−アルキル、−アリール、−アラルキル基によって置換することができ；
Ｌは、１〜６個の構成員を有する直鎖状又は分岐状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合により、ヘテロ原子、好ましくは窒素原子から選択することができ、及び／又は、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することがあり、前記の各結合は場合により、−ＯＨ、−ＮＲＲ’、−Ｏアルキル、−アルキル、−Ｈａｌ、−ＮＯ_２、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−アリール、−アラルキルから選択した１個以上の置換基によって置換されることがあり、
Ｒ、Ｒ’は、同一か又は異なり、互いに独立に、水素原子又は−アルキル、−アリール、−アラルキル基を表し、
上の式（ＶＩＩＩ）において、Ｊは好ましくは酸素原子を表し、
上の式（ＶＩＩＩ）において、Ｋは好ましくはフェニル核を表し、場合により置換されることがあり；更により好ましくは、Ｋは非置換のフェニル核を表し、
上の式（ＶＩＩＩ）において、Ｌは好ましくは−アルキル−基（場合により、−ＯＨ基によって置換されるることがある）、又は−アルケニル−基を表し；更により好ましくは、Ｌは−アルキル−基を表す）
で表される化合物について、
これらは次のようにして得ることができる：

（式中、Ｚ，Ｊ，Ｋ，Ｌは前に定義のとおりであり、Ｈａｌはハロゲン原子、好ましくは臭素原子を表す）

式（ＶＩＩＩ）で、Ｚ＝Ｈの場合において、式（ＶＩＩＩ）で表される生成物は、Ｚが保護基である式（ＶＩＩＩ）で表される生成物から、保護基Ｚの脱保護のための任意の周知方法、特にＧｒｅｅｎｅｔａｌ．又はＭｃＯｍｉｅｅｔａｌ．（前記）に記載された方法を適用するか適合させることによって得られる。特に、Ｊ＝Ｏ及びＺ＝ＴＢＤＭＳの場合に、その方法は、テトラブチルアンモニウムフルオリド、好ましくは２当量のテトラブチルアンモニウムフルオリドの作用によって、撹拌下に、非プロトン性の極性溶媒、例えばＴＨＦ、クロロホルム、ジクロロメタン、アセトニトリル、ＤＭＦ、好ましくはＴＨＦ中の溶液で、−８０°Ｃ〜１００°Ｃの温度で、好ましくは周囲温度で、実施される。

Ｚが保護基である式（ＶＩＩＩ）で表される生成物は、式（ＩＸ）で表される生成物から、特にＢ．Ａ．Ａｒｂｕｚｏｖ，Ｐｕｒｅａｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．１９６４，９，３０７に記載されるＡｒｂｕｚｏｖ反応、又は任意の等価な反応を適用するか適合させることによって得られる。特に、式（ＩＸ）で表される生成物は、式：

で表される亜リン酸トリメチルの存在下に、撹拌下に、非プロトン性の極性溶媒、例えばＴＨＦ、クロロホルム、ジクロロメタン、アセトニトリル中の溶液で、好ましくは溶媒なしで、−８０°Ｃ〜１５０°Ｃの温度で、好ましくは約８０°Ｃで反応される。

式（ＩＸ）で表される生成物は、Ｏｌｓｚｅｗｓｋｉｅｔａｌ．によりＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９４，５９，４２８５−４２９６に記載された方法を適用するか又は適合させることによって得ることができる。

特に、その方法は次のように実施することができる：

（式中、Ｚ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｈａｌは、上記定義のとおりであり、Ｌ’’は、水素原子及び炭素原子が形式的に脱離した場合にＬに相当する基を表す）

式（ＩＸ）で表される生成物は、式（ＸＩＶ）で表される生成物から、トリフルオロアセテート基をハロゲン原子、特に臭素原子により置換するための任意の周知の反応を適用するか又は適合させることによって、例えば撹拌下にＬｉＢｒの作用によって、非プロトン性の極性溶媒、例えばＴＨＦ、クロロホルム、ジクロロメタン、アセトニトリル、ＤＭＦ、好ましくはＴＨＦ中の溶液で、許容可能な反応収率を得るのに必要な時間、例えば５〜２０時間還流下に、得られる。

式（ＸＩＶ）で表される生成物は、式（ＸＩＩＩ）で表される生成物から、ヒドロキシ官能基をトリフルオロアセテート基により置換するための任意の周知の反応を適用するか又は適合させることによって、特に撹拌下にトリフルオロ酢酸無水物（ＣＦ_３ＣＯ）_２Ｏの作用によって、非プロトン性の極性溶媒、例えばＴＨＦ、クロロホルム、ジクロロメタン、アセトニトリル、ＤＭＦ、好ましくはＴＨＦ中の溶液で、許容可能な反応収率を得るのに必要な時間、例えば５分〜５時間還流下に、得られる。

式（ＸＩＩＩ）で表される生成物は、式（ＸＩＩ）で表される生成物から、アルデヒド官能基を水酸基に還元するための任意の周知の反応を適用するか又は適合させることによって、特にＮａＨＢＯ４などの還元剤又は任意の等価な作用物質の作用によって、プロトン性又は非プロトン性の極性溶媒、例えばエーテル、ＴＨＦ、アルコール、水、好ましくはＴＨＦ／ＥｔＯＨ混合物（５／１）中の溶液で、許容可能な反応収率を得るのに必要な時間、例えば1時間〜１０日間還流下に、得られる。

式（ＸＩＩ）で表される生成物は、式(ＸＩ）で表される生成物から、保護基Ｚ又は任意の他の適当な保護基により−ＪＨ官能基を保護するための任意の周知の反応を適用するか又は適合させることによって、上述のＧｒｅｅｎｅｔａｌ．又はＷｕｔｓｅｔａｌ．により記載された方法を適用するか又は適合させることによって得られる。ＴＢＤＭＳによる保護の場合、操作は、特にＣｌ−ＴＢＤＭＳ（ＸＶ）の作用によって、撹拌下に、非プロトン性の極性溶媒、例えばＴＨＦ、クロロホルム、ジクロロメタン、アセトニトリル、ＤＭＦ、好ましくはジクロロメタン中の溶液で、トリエチルアミンなどの塩基（２当量）の存在下に、−８０°Ｃ〜１００°Ｃの温度で、好ましくは周囲温度で実施される。

式（ＸＩ）で表される生成物は、市販品として入手可能であり、特にＡｌｄｒｉｃｈから得ることができる。

上の方法の記載において、二つの基がそれぞれ、出発物質及び最終生成物に含まれ、それらの構造が同一であり、一方を他方から得ることができる場合、二つの基は「相当する」ものであると言う。

場合により、前記の方法は更に、工程（ｉ）、（ｉｉ）若しくは（ｉｉｉ）で得られた生成物又は工程（ｉ）、（ｉｉ）若しくは（ｉｉｉ）で形成された最終中間生成物を単離することからなる工程を含むことがある。

このようにして製造した化合物は、反応混合物から通常の方法で回収することができる。例えば、化合物は、反応混合物から溶媒を蒸留することによって、又は、必要に応じて、溶液混合物から溶媒を蒸留後、残留物を水に注ぎ入れて、水に不混和性の有機溶媒で抽出し、抽出液から溶媒を蒸留することによって回収することができる。更に必要に応じて、生成物は更に、多様な技術、例えば再結晶、再沈殿又は多様なクロマトグラフィー技術、特にカラムクロマトグラフィー又は分取用薄層クロマトグラフィーによって精製することができる。

基本又は中間生成物は、周知の方法、例えば参照実施例に記載する方法又はそれらの自明な等価物を適用するか又は適合させることによって製造できる。

本発明に使用するビスホスホノデンドリマーは下記のようにして製造することができる。製造方法の記載を容易にするために以下に定義する。

第ｎ世代のビスホスホノデンドリマーは：
− 結合価ｍの中心核§；
− 場合により核の周囲の樹状構造の世代鎖；
− 各世代鎖の末端にある又は、あてはまる場合には、、核の周囲の各結合の末端にある中間鎖；及び
− 各中間鎖の末端にある末端基であって、あてはまる場合には、、前記末端基が式：

（式中、
−Ａ１＜は、−ＣＲ＜基又は、−ヘテロ原子＜を表し；
各Ａ２は、同一か又は異なり、独立に、単結合又は１〜６個の構成員を有する直鎖状又は分岐状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合により、ヘテロ原子、好ましくは窒素原子から選択されることがあり、各構成員は場合により、−アルキル、−Ｈａｌ、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−Ｏアルキル、−アリール、−アラルキルから選択される１個以上の置換基によって置換することができ；
各Ｘは、各ホスホノ基について同一か又は異なり、−アルキル、−アリール基、−Ｈ、又は／Ｍ^＋（式中、Ｍ^＋はカチオンである）を表し、
ｍは、１を超えるか又は等しい整数を表し；
ｎは、０〜１２の整数を表し；
＜は、Ａ１上に位置する２個の結合を表す）
によって表されることを特徴とする末端基、
を含むものと特徴付けることができる。

好ましくは、用いるデンドリマーは、デンドリマーの表面に−（Ａ１）＜［Ａ２−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＸ）_２］_２末端基をグラフト化した、市販品として入手可能なデンドリマーに相当する。

前記の市販品として入手可能なデンドリマーは特に、上述のデンドリマーから選択される。

Ａ１は好ましくは、−ＣＨ＜又は−Ｎ＜基を表す。

−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＸ）_２基は好ましくは、ジェム位に存在する。

Ｘは好ましくは、−メチルなどの−アルキル基を表す。

Ａ２は好ましくは、−Ｍｅ−を表す。

中心核§は、結合価ｍの少なくとも１個の原子によって構成される。

中心核§は、１を超えるか又は等しい結合価ｍを有する任意の原子又は基から選択することができる。§は好ましくは、少なくとも１個のヘテロ原子を含む。

Ｍ^＋は、原子、例えば金属原子のカチオンであるか、又はカチオン型で安定であることができる任意の基に由来するカチオンである。前記カチオンは特に、含窒素塩基の塩、特にアンモニウム塩、単独又は混合物で、特にカチオン界面活性剤との混合物から選択することができる。

Ｍ^＋は好ましくは、周期表のＩＡ、ＩＢ、ＩＩＡ、ＩＩＢ又はＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ族の元素のカチオンを表し；Ｍは好ましくは、ナトリウム、カリウム、銅、カルシウム、バリウム、亜鉛、マグネシウム、リチウム及びアルミニウム、更により好ましくは、ナトリウム、リチウム及びカリウム原子から選択される。

もう一つの好ましい態様によれば、Ｍ^＋は、ＨＮＥｔ_３ ^＋などの含窒素塩基のカチオンを表す。

核§は好ましくは、下記の基：

から選択される。

中心核§は好ましくは、式：

である。
ｍは、１〜２０の整数、特に１〜１０の整数、より特に１〜８の整数、更により好ましくは３〜８の整数、及びより特に、３、４又は６を表す。
ｎは、デンドリマーの世代数を表し、それは０〜１２の整数、好ましくは０〜３の整数を表す。

世代鎖は、モノホスホノデンドリマーについて与えられる定義に従い、前記定義のものから選択される。

世代鎖は、同一か又は異なり、好ましくは式：

（式中、
Ａは、酸素原子、硫黄原子、リン原子又は−ＮＲ−基を表し；
Ｂは、−アリール−、−ヘテロアリール−、−アルキル−基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−アルキル、−アリール、−アラルキル基によって置換することができ；
Ｃは、炭素原子を表し、
Ｄ及びＥは、同一か又は異なり、独立に水素原子、−アルキル、−Ｏアルキル、−アリール、−アラルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−アルキル、−アリール、−アラルキル基によって置換することができ；
Ｇは、硫黄原子、酸素原子、窒素原子、セレン原子、テルル原子又は＝ＮＲ基を表し；
Ｎは窒素原子を表し；
Ｐはリン原子を表す）
によって表される。

前記一般式（Ｃ１）において、Ａは好ましくは、酸素原子を表す。

前記一般式（Ｃ１）において、Ｂは好ましくは、フェニル核を表し、場合によりハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−アルキル、−アリール、−アラルキル基によって置換されることがあり；更により好ましくは、Ｂは非置換のフェニル核を表す。

前掲の一般式（Ｃ１）において、Ｄは好ましくは、水素原子を表す。

前掲の一般式（Ｃ１）において、Ｅは好ましくは、−アルキル基を表す。

前記一般式（Ｃ１）において、Ｇは好ましくは、硫黄原子を表す。

もう一つの好ましい態様によれば、世代鎖は、式：

（式中、
Ａ’及びＢ’は独立に、−アルキル−、−アルケニル−、−アルキニル−基を表し、それぞれは場合により、−アルキル、−Ｈａｌ、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−Ｏアルキル、−アリール、−アラルキルから選択される１個以上の置換基によって置換されることがあり；
Ｒ、Ｒ’は前に定義のとおりである）
によって表される。

Ａ’は好ましくは−アルキル−を表し、更により好ましくは−エチル−を表す。Ｂ’は好ましくは−アルキル−を表し、更により好ましくは−エチル−を表す。

Ｒは好ましくは水素原子を表す。

もう一つの好ましい態様によれば、世代鎖は、式：

（式中、
Ａ’’は、−アルキル−、−アルケニル−、−アルキニル−基を表し、それぞれは場合により、−アルキル、−Ｈａｌ、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−Ｏアルキル、−アリール、−アラルキル（式中、ＲＲ’は前に定義のとおりである）から選択される１個以上の置換基によって置換されるることがある）
によって表される。

Ａ’’は好ましくは−アルキル−を表し、更により好ましくは−プロピル−を表す。

もう一つの好ましい態様によれば、第０世代のデンドリマーは世代鎖を含まない。特に、世代鎖が諸式（Ｃ１’）又は（Ｃ１’’）によって表される場合、第０世代の相当するデンドリマーは世代鎖を含まない。

中間鎖は、モノホスホノデンドリマーについて定義した中間鎖から選択される。

中間鎖は好ましくは、それらの末端に単結合を有する。

中間鎖は、同一か又は異なり、好ましくは前記定義の式：

によって表される。

前記式（Ｃ２）において、Ｋは好ましくは、フェニル核を表し、場合により置換されることがあり；更に好ましくは、Ｋは非置換のフェニル核を表す。

前記式（Ｃ２）において、Ｌは好ましくは、−（ａｌｋ）_ａ−基を表し、又はＬは−Ｃ（Ｄ）＝Ｎ−Ｎ（Ｅ）−（ａｌｋ）_ａ−基：
（式中、Ｃは炭素原子を表し、
Ｄ及びＥは、同一か又は異なり、独立に、水素原子、−アルキル、−Ｏアルキル、−アリール、−アラルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−アルキル、−アリール、−アラルキル基によって置換することができ；
ａは０又は１を表し；
Ｒ、Ｒ’は前に定義のとおりである）
を表す。

もう一つの好ましい態様によれば、中間鎖は式：

（式中、Ａ’、Ｂ’、Ｒ、Ｒ’は前に定義のとおりである）
によって表される。

Ａ’は好ましくは−アルキル−を表し；更により好ましくは−エチル−を表す。

Ｂ’は好ましくは−アルキル−を表し；更により好ましくは−エチル−を表す。

Ｒは好ましくは水素原子を表す。

もう一つの好ましい態様によれば、中間鎖は式：

（式中、Ａ’’は前に定義のとおりである）
によって表される。

Ａ’’は好ましくは−アルキル−基を表し；更により好ましくは−プロピル−を表す。

世代鎖は好ましくは同一である。

前掲の諸式（Ｃ１）及び（Ｃ２）において、Ｊ及びＫは好ましくはそれぞれＡ、Ｂに等しい。

ビスホスホノデンドリマーは好ましくは下記式（Ｉ−１ｉ）：

（式中、
§、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、Ｎ、Ｐ、Ｊ、Ｋ、Ｘ、Ａ２、ｍ、ｎは前に定義のとおりであり、｛｝^ｎは前記デンドリマーの世代鎖ｎの樹状構造を示し、ａは０又は１を表し；Ａ２は好ましくは−アルキル−基を表す）
によって表すことができる。

ビスホスホノデンドリマーは好ましくは下記式（Ｉ−１ｉｉ）：

（式中、
§、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、Ｎ、Ｐ、Ｊ、Ｋ、Ｘ、Ａ２、ｍ、ｎは前に定義のとおりであり、｛｝^ｎは前記デンドリマーの世代鎖ｎの樹状構造を示し、ａは０又は１を表し；Ａ２は好ましくは単結合を表す）
によって表すことができる。

もう一つの好ましい態様によれば、ビスホスホノデンドリマーは下記式（Ｉ−２）：

（式中、
§、Ａ’、Ｂ’、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｘ、Ａ２、ｍ、ｎは前に定義のとおりであり、｛｝^ｎは前記デンドリマーの世代鎖ｎの樹状構造を示す）
によって表すことができる。

もう一つの好ましい態様によれば、ビスホスホノデンドリマーは下記式（Ｉ−３）：

（式中、
§、Ａ’’、Ｎ、Ｐ、Ｘ、Ａ２、ｍ、ｎは前に定義のとおりであり、｛｝^ｎは前記デンドリマーの世代鎖ｎの樹状構造を示す）
によって表すことができる。

−ａｌｋ、−アルキル又は−アルキル−、−アルケニル又は−アルケニル−、−アルキニル又は−アルキニル−基は上述の意味を有する。

ハロゲン原子（Ｈａｌ）のうちで、より特には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子、好ましくはフッ素原子に言及することができる。

−アリール又は−アリール−、−アラルキル（−アルキルアリール）、−ヘテロアリール又は−ヘテロアリール−基は上述の意味を有する。

「相当するデンドリマー」とは、同じ核、世代鎖、中間鎖及び別個の末端基を有するデンドリマーを意味する。

ビスホスホノデンドリマーは、−ＰＯ_３Ｘ_２官能基、特に−（Ａ１）＜［Ａ２−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＸ）_２］_２のグラフト化を可能にする、それ自体周知の及び／又は当業者の範囲内の任意の方法を、特にＬａｒｏｃｋによりＣｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅＯｒｇａｎｉｃＴｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎｓ，ＶＣＨＰｕｂ．，１９８９に記載された方法を適用するか若しくは適合させることによって又は以下の実施例に記載する方法を適用するか若しくは適合させることによって製造することができる。

下記の反応において、反応性の官能基が最終生成物に所望される場合、反応へのそれらの望ましくない関与を回避するために、反応性の官能基、例えばヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、チオ基、カルボキシ基を保護することが必要なことがある。通常の保護基は、標準的手順に従って使用することができる。例えば、Ｔ．Ｗ．ＧｒｅｅｎａｎｄＰ．Ｇ．Ｍ．ＷｕｔｓのＰｒｏｔｅｃｔｉｖｅＧｒｏｕｐｓｉｎＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＪｏｈｎＷｉｌｅｙａｎｄＳｏｎｓ，１９９１；Ｊ．Ｆ．Ｗ．ＭｃＯｍｉｅのＰｒｏｔｅｃｔｉｖｅＧｒｏｕｐｓｉｎＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＰｌｅｎｕｍＰｒｅｓｓ，１９７３を参照せよ。

−Ａ_１＜［Ａ２−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＸ）_２］_２末端基を含む本発明のデンドリマーの製造方法は：
（ｉ） −ＣＨＯ、−ＣＨ＝ＮＲ、−ＮＨ_２又は−Ｐ（＝Ｇ）Ｃｌ_２末端基を有する相当するデンドリマーの、
１又は２個の−ＰＯ_３Ｘ_２官能性を有する相当する化合物との反応；
（ｉｉ）次に場合により、ＸがＨ又はＭを表すとき、−ＰＯ_３Ｍｅ_２末端官能基を有する（ｉ）で得たデンドリマーを、−Ａ１＜［Ａ２−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２］_２末端基を有する相当するデンドリマーに変換することからなる工程、
（ｉｉｉ）次に場合により、ＸがＭを表すとき、−Ａ１＜［Ａ２−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２］_２末端基を有する（ｉｉ）で得たデンドリマーを、−Ａ１＜［Ａ２−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＭ）_２］_２末端基を有する相当するデンドリマーの塩に変換することからなる工程、
を含む。

相当する出発デンドリマーは、市販品として入手可能（Ａｌｄｒｉｃｈ）であるか又はそれ自体周知の方法に従って製造することができる。

より正確には、工程（ｉ）は次の選択肢に従って実施することができる：

第１の選択肢によれば、ビスホスホノデンドリマーが式（Ｉ−１ｉ）：

（式中、§、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、Ｎ、Ｐ、Ｊ、Ｋ、Ａ２、Ａｌｋ、Ｘ、ａ、ｍ、ｎ、＜は前に定義のとおりである）
で表されるとき、
工程（ｉ）は、式：

（式中、Ｙは−Ｃｌを表す）
で表される同じ世代ｎの相当するデンドリマーへの、
式：

で表される化合物の反応を含む。

この反応は、非プロトン性の極性溶媒、例えばＴＨＦ、アセトニトリル、クロロホルム、ジクロロメタン、ＤＭＦ又はアセトン、好ましくはＴＨＦ中の溶液で、炭酸セシウムなどの有機又は無機塩基の存在下に、−８０°Ｃ〜１００°Ｃの温度で、好ましくは周囲温度で、撹拌下に実施される。

式（ＩＩ−１ｉ）において、Ｇは好ましくはＳを表す。

式（ＩＩ−１ｉ）で表されるデンドリマーは好ましくは：ＳＰＣｌ_３、Ｐ_３Ｎ_３Ｃｌ_６、

から選択される。

第２の選択肢によれば、デンドリマーが式（Ｉ−２’）又は（Ｉ−３）：

（式中、§、Ａ’、Ａ’’、Ｂ’、Ｂ’’、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ａ２、Ｘ、ｍ、ｎ、＜は前に定義のとおりである）
によって表されるとき、
工程（ｉ）は、
式：

で表される同じ世代ｎの相当するデンドリマーへの、
式：

で表される化合物の、
式：

で表される相当する化合物存在下での反応を含む。

この反応は、場合により水溶液に希釈して、−５°Ｃと混合物の還流温度との間の温度で、撹拌下に実施されることがある。

式（ＩＶ）及び（Ｖ’）で表される化合物は、市販品として入手可能（Ａｌｄｒｉｃｈ）であるか又は、それ自体周知の方法に従って製造することができる。

式（ＩＩ−２’）及び（ＩＩ−３）で表されるデンドリマーは、市販品として入手可能（Ａｌｄｒｉｃｈ）である。それらは好ましくは、上述のＤＡＢ又はＰＡＭＡＭ型のものである。

第３の選択肢によれば、デンドリマーが式（Ｉ−１ｉｉ）：

（式中、
§、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、Ｎ、Ｐ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｘ、Ａ２、ｍ、ｎ、ａは前に定義のとおりである）
によって表されるとき、
工程（ｉ）は式：

（式中、Ｌ’は-ＣＨＯ基を表す）
で表される相当するデンドリマーへの、
式：

（式中、ａｌｋは、式（Ｉ−１ｉｉ）で前に定義のａｌｋに相当し、アルケニル基を現わす）
で表される化合物の、
式：

で表される化合物存在下での反応を含む。

この反応は、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９７，６２，４８３４に記載された方法を適用するか又は適合させることによって実施することができる。

好ましくは、その操作は、極性の非プロトン性溶剤、例えばＴＨＦ、クロロホルム、ジクロロメタン、又はアセトニトリル、好ましくはＣＨ_２Ｃｌ_２中で、デンドリマーへの（ＶＩ’）及び（ＶＩＩ’）の同時添加により、−８０°Ｃ〜５０°Ｃの温度で、好ましくは約０°Ｃで実施される。

式（ＶＩ’）及び（ＶＩＩ’）で表される化合物は、市販品として入手可能であるか又はそれ自体周知の方法に従って製造することができる。

式（ＩＩ−１ｉｉ）で表されるデンドリマーは好ましくは：ＳＰＣｌ_３、Ｐ_３Ｎ_３Ｃｌ_６、

から選択される。

Ｘ＝Ｈ又はＭのデンドリマー化合物を得るために、工程（ｉ）は好ましくは、Ｘ＝Ｍｅの場合の式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）又は（ＶＩ）で表される試薬を用いて実施される。工程（ｉｉ）は次いで、Ｘ＝Ｍｅの場合の（ｉ）で得た式（Ｉ−１ｉ）、（Ｉ−２’）、（Ｉ−３’）、（Ｉ−１ｉｉ）で表される化合物から出発して実施される。

工程（ｉｉ）は好ましくは：
− 有機非プロトン性の極性溶媒、例えばアセトニトリル、クロロホルム又はジクロロメタン、好ましくはアセトニトリル中で、ハロゲン化トリメチルシラン、好ましくは臭化トリメチルシラン（Ｍｅ_３ＳｉＢｒ）の作用（その操作は好ましくは、反応混合物を−８０°Ｃ〜５０°Ｃの温度に、好ましくは約０°Ｃに保ちながら、ハロゲン化トリメチルシランをゆっくり添加することによって実施される）によって、
− 次にその反応混合物に添加する無水ＭｅＯＨの作用によって、
実施される。

工程（ｉｉｉ）において、ビスホスホノデンドリマーの酸性塩は、Ｘが水素原子を表す末端基を有するビスホスホノデンドリマーから、塩基を添加することによる周知の方法を適用するか又は適合させることによって得ることができる。その操作は好ましくは、撹拌下に、適当な極性のプロトン性又は非プロトン性溶媒、例えばＴＨＦ、クロロホルム、ジクロロメタン、ＤＭＦ、アセトニトリル、アルコール類、水、好ましくは水中の溶液で、所望の塩に応じて有機又は無機塩基、例えば水酸化ナトリウム、水酸化リチウム又は水酸化カリウムの存在下に実施される。

式（ＩＩ−１ｉ）、（ＩＩ−１ｉｉ）、（ＩＩ−２’）又は（ＩＩ−３）で表されるデンドリマーについて上述の末端官能基の異なる末端基を有する出発デンドリマーを用いる場合、その方法は、前記の基を前記の所望官能基に変換することを可能にする追加の予備的工程を含む。例えば、カルボン酸又はヒドロキシル型の末端基を有するデンドリマーの場合、前記カルボン酸又はヒドロキシル型の基を、式（ＩＩ−１ｉ）、（ＩＩ−１ｉｉ）、（ＩＩ−２’）又は（ＩＩ−３）で表されるデンドリマーに相当する−ＮＨ_２、−ＣＨＯ、−ＣＨ＝ＮＲ又は−ＰＳＣｌ_２型の官能基に変換することを可能にする任意の反応を実施することで十分である。そのような反応は、当業者に知られているか及び／又はＬａｒｏｃｋｅｔａｌ．（前記）により検討された反応を適用するか若しくは適合させることによって実施することができる。

第０世代のデンドリマーを得るために、前記反応は、所望の官能性を有する核から操作することによって、同じ様態で実施することができる。例えば世代反応は、ＰＳＣｌ_３、Ｐ_３Ｎ_３Ｃｌ_６、Ｐ_４Ｎ_４Ｃｌ_８、又は

の核から操作することによって実施することができる。
式（ＩＩＩ）：

（式中、
Ｘは、Ｈ、-アルキル、−アリール又はＭ^＋基（式中、Ｍ^＋はカチオンを表す）を表し；
Ｊは、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
Ｋは、−アリール−、−ヘテロアリール−、−アルキル−基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−アルキル、−アリール、−アラルキル基によって置換することができ；
各Ａ２は、同一か又は異なり、独立に、単結合又は１〜６個の構成員を有する直鎖状又は分岐状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合により、ヘテロ原子、好ましくは窒素原子から選択することができ、各構成員は場合により、−アルキル、−Ｈａｌ、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、−Ｏアルキル、−アリール、−アラルキルから選択される１個以上の置換基によって置換することができ；
−ａｌｋ−はアルキル基を表し；
ａは０又は１を表し；
ここで、
− 前記式（ＩＩＩ）において、Ｊは好ましくは酸素原子を表し；
− 前記式（ＩＩＩ）において、Ｋは好ましくは、フェニル核を表し、場合により置換されることがあり；更により好ましくは、Ｋは非置換のフェニル核を表し；
− 前記式（ＩＩＩ）において、−ａｌｋ−は好ましくは、−エチル−基を表し；
− 前記式（ＩＩＩ）において、Ａ２は好ましくは、−アルキル−基を表し、更により好ましくは、−メチル−を表し；
− 前記式（ＩＩＩ）において、Ｘは好ましくは、-Ｈ又は-Ｍｅをあらわす）
で表される化合物について、
これらの化合物は、式（ＶＩＩＩ’）で表される化合物から、次のようにして：

（式中、式（Ｖ’）において、−Ａ２’−は、Ａ２に相当する基である）
得ることができる。

この反応は、それ自体周知の方法、特にＩ．Ｌｉｎｚａｇａｅｔａｌ．，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ２００２，５８，８９７３−８９７８に記載された方法を適用するか又は適合させることによって実施することができる。その操作は特に、化合物（ＶＩＩＩ’）及び（ＩＶ）、次いで化合物（Ｖ’）を、場合により水溶液に希釈し、好ましくは−５〜２５°Ｃの温度で、好ましくは約０°Ｃで、ゆっくり添加することによって実施されることがある。反応混合物は次いで、周囲温度に適応するように放置され、次いで場合により還流下に反応させることがある。

前記方法の記載において、二つの基がそれぞれ出発物質及び最終生成物に含まれて、それらの構造が同一であり、それらを互いから得ることができる場合、二つの基は「相当する」と言う。

場合により、前記方法は更に、工程（ｉ）、（ｉｉ）、及び／又は（ｉｉｉ）で得る生成物を単離することからなる工程を含むことがある。

このようにして製造した化合物は、反応混合物から通常の手段で回収することができる。例えば、化合物は、反応混合物から溶媒を蒸留することによって、又は、必要に応じて、溶液混合物から溶媒を蒸留後、残留物を水に注ぎ入れて、水に不混和性の有機溶媒で抽出し、抽出液から溶媒を蒸留することによって回収することができる。更に必要に応じて、生成物を更に、多様な技術、例えば再結晶、再沈殿又は多様なクロマトグラフィー技術、特にカラムクロマトグラフィー又は分取用薄層クロマトグラフィーによって精製することができる。

本発明により使用する化合物が不斉中心を含有することができることは理解される。これらの不斉中心は独立に、Ｒ又はＳの立体配置にあることができる。本発明により使用するある種の化合物が更に幾何異性を有することは当業者に明らかである。本発明が前記式（Ｉ）で表される化合物の個々の幾何異性体及び立体異性体並びに前記のものの混合物（ラセミ混合物を含む）を含むことは理解されなければならない。これらの異性体は、その混合物から、周知の方法、例えばクロマトグラフィー技術又は再結晶技術を適用するか又は適合させることによって分離することができ、又はその中間体の適当な異性体から出発して別々に製造される。

このテキストの目的に対して、互変異性型が、所定の基の引用、例えばチオ基／メルカプト基又はオキソ基／ヒドロキシ基に含まれることは理解される。

本発明により使用する化合物は容易に製造することができるか、又は溶媒和物（例えば水和物）の形態で本発明の工程中につくることができる。本発明により使用する化合物の水和物は、ジオキサン、テトラヒドロフラン又はメタノールなどの有機溶媒を用いて、水／有機溶媒の混合物からの再結晶によって容易に製造することができる。

基本物質又は中間体は、周知の方法、例えば参照実施例に記載する方法又はその自明の化学的等価物を適用するか又は適合させることによって製造することができる。

１個又は２個の核結合が世代鎖により占有されていない本発明のモノホスホノ又はビスホスホノデンドリマー、すなわち１個又は２個の枝が欠けているモノホスホノ又はビスホスホノデンドリマーは、実施例９１に記載するようにして製造される。簡単に言えば、モノホスホノ又はビスホスホノデンドリマーに対して上に既述したデンドリマーを伸ばす工程を実施する前に、世代鎖の伸長を許さない１個又は２個の基（例えば、フェノール基など）を核に結合するのである。

《図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄ、図１Ｅ、図１Ｆ、図１Ｇ》
抗ＣＤ３−ＦＩＴＣ抗体（Ｘ軸）及び抗ＣＤ５６−ＰＣ５抗体（Ｙ軸）で標識した初期ＰＢＭＣ集団に由来する、フローサイトメトリーにより分離した細胞の蛍光強度を表す図である。区分１はＣＤ３⁻ＣＤ５６^＋細胞（２３％）に相当し、区分２はＣＤ３^＋ＣＤ５６^＋細胞（６％）に相当し、区分３はＣＤ３⁻ＣＤ５６⁻細胞に相当し、区分４はＣＤ３^＋ＣＤ５６⁻細胞（５０％）に相当する。デンドリマーＧＣ１の存在下に培養し、抗ＣＤ３−ＦＩＴＣ抗体（Ｘ軸）及び抗ＣＤ５６−ＰＣ５抗体（Ｙ軸）で標識した初期ＰＭＢＣ集団に由来する、フローサイトメトリーにより分離した細胞の蛍光強度を表す図である。区分１はＣＤ３⁻ＣＤ５６^＋細胞（７６％）に相当し、区分２はＣＤ３^＋ＣＤ５６^＋細胞（１４％）に相当し、区分３はＣＤ３⁻ＣＤ５６⁻細胞に相当し、区分４はＣＤ３^＋ＣＤ５６⁻細胞（８％）に相当する。デンドリマーＧＣ１の存在下に培養し、抗ＣＤ１６−ＰＥ抗体（Ｘ軸）及び抗ＣＤ５６−ＰＣ５抗体（Ｙ軸）で標識した初期ＰＭＢＣ集団に由来する、フローサイトメトリーにより分離した細胞の蛍光強度を表す図である。区分１はＣＤ１６⁻ＣＤ５６^＋細胞に相当し、区分２はＣＤ１６^＋ＣＤ５６^＋細胞に相当し、区分３はＣＤ１６⁻ＣＤ５６⁻細胞に相当し、区分４はＣＤ１６^＋ＣＤ５６⁻細胞に相当する。デンドリマーＧＣ１の存在下に培養し、ＧＡＭ（ヤギ抗マウス）−ＦＩＴＣ抗体タグ付きの抗ＮＫＧ２Ｄ抗体（Ｘ軸）及び抗ＣＤ５６−ＰＣ５抗体（Ｙ軸）で標識した初期ＰＭＢＣ集団に由来する、フローサイトメトリーにより分離した細胞の蛍光強度を表す図である。区分１はＮＫＧ２Ｄ⁻ＣＤ５６^＋細胞に相当し、区分２はＮＫＧ２Ｄ^＋ＣＤ５６^＋細胞に相当し、区分３はＮＫＧ２Ｄ⁻ＣＤ５６⁻細胞に相当し、区分４はＮＫＧ２Ｄ^＋ＣＤ５６⁻細胞に相当する。デンドリマーＧＣ１の存在下に培養し、ＧＡＭ（ヤギ抗マウス）−ＦＩＴＣ抗体タグ付きの抗ＮＫｐ３０抗体（Ｘ軸）及び抗ＣＤ５６−ＰＣ５抗体（Ｙ軸）で標識した初期ＰＭＢＣ集団に由来する、フローサイトメトリーにより分離した細胞の蛍光強度を表す図である。区分１はＮＫｐ３０⁻ＣＤ５６^＋細胞に相当し、区分２はＮＫｐ３０^＋ＣＤ５６^＋細胞に相当し、区分３はＮＫｐ３０⁻ＣＤ５６⁻細胞に相当し、区分４はＮＫｐ３０^＋ＣＤ５６⁻細胞に相当する。デンドリマーＧＣ１の存在下に培養し、抗ＮＫｐ４４−ＰＥ抗体（Ｘ軸）及び抗ＣＤ５６−ＰＣ５抗体（Ｙ軸）で標識した初期ＰＭＢＣ集団に由来する、フローサイトメトリーにより分離した細胞の蛍光強度を表す図である。区分１はＮＫｐ４４⁻ＣＤ５６^＋細胞に相当し、区分２はＮＫｐ４４^＋ＣＤ５６^＋細胞に相当し、区分３はＮＫｐ４４⁻ＣＤ５６⁻細胞に相当し、区分４はＮＫｐ４４^＋ＣＤ５６⁻細胞に相当する。デンドリマーＧＣ１の存在下に培養し、ＧＡＭ（ヤギ抗マウス）−ＦＩＴＣ抗体タグ付きの抗ＣＤ８５ｊ（ＩＬＴ２）抗体（Ｘ軸）及び抗ＣＤ５６−ＰＣ５抗体（Ｙ軸）で標識した初期ＰＭＢＣ集団に由来する、フローサイトメトリーにより分離した細胞の蛍光強度を表す図である。区分１はＣＤ８５ｊ⁻ＣＤ５６^＋細胞に相当し、区分２はＣＤ８５ｊ^＋ＣＤ５６^＋細胞に相当し、区分３はＣＤ８５ｊ⁻ＣＤ５６⁻細胞に相当し、区分４はＣＤ８５ｊ^＋ＣＤ５６⁻細胞に相当する。

《図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、図２Ｄ》
図２Ａ、２Ｂ、２Ｃ及び２Ｄはそれぞれ、４名の異なるドナーに由来する、ＧＣ１の存在下のＰＢＭＣ培養のリンパ球組成物を表す。Ｙ軸は、細胞数を単位：百万で表す。棒グラフＤ０は、実験開始時の細胞数を表し、棒グラフＧＣ１は、ＧＣ１存在下１５日間培養後に存在する細胞数を表し（ＮＫ細胞（縦線）、Ｔγδ細胞（白色）及びＴαβ細胞（点々））、対照の棒グラフは、標準培地存在下１５日間培養後に存在する細胞数を表す（ＮＫ細胞（縦線）、Ｔγδ細胞（白色）及びＴαβ細胞（点々））。

《図３》
ＧＣ１存在下（＋ＧＣ１）又はＧＣ１不在下（−ＧＣ１）に４名の異なるドナー（白丸、黒丸、白三角、黒三角）からのＰＢＭＣ培養後に得たＮＫ細胞数を表す図である。Ｘ軸は、細胞数を単位：百万で表し、Ｙ軸は、培養時間（週）を表す図である。

《図４Ａ、図４Ｂ》
可変濃度のＧＣ１存在下（Ｘ軸、単位：μＭ）にＰＢＭＣ培養によって得たＮＫ細胞数（Ｙ軸、単位：百万）を表す図である。は、標準培養液（０）、ＧＣ０、ＧＣ１、ＧＣ２又はアザビスホスホノ基単独（モノマー）存在下に、異なるドナー（白丸、黒丸）からのＰＢＭＣ培養によって得たＮＫ細胞数（Ｙ軸、単位：百万）を表す図である。

《図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ》
図５Ａ及び５Ｂは、蛍光膜標識で標識したリンパ腫細胞Ｂ（図５Ａ）又は蛍光膜標識で標識した結腸癌腫（図５Ｂ）によって、ＧＣ１を用いて得たＮＫ細胞まで運ばれた蛍光（蛍光強度、Ｙ軸）を、時間（Ｘ軸、単位：分）の関数として表す。図５Ｃは、ＮＫ細胞による癌細胞（ｔａｒｇｅｔ）のトロゴサイトーシス（矢印）が見える、共焦点顕微鏡下に撮影した写真を表す。

《図６Ａ、図６Ｂ》
リダイレクトされた細胞溶解実験を図式的に表す図である。実験では、ＦｃＲを用いて標的細胞（Ｐ８１５）に付着した（Ｉｇ）抗体によって実施したＮＫ細胞受容体の刺激に続いて、ＮＫ細胞が標的細胞（Ｐ８１５）の溶解を引き起こす。ＧＣ１で得たＮＫ細胞を用いて実施したリダイレクトされた溶解実験の結果（Ｙ軸、特異的溶解の百分率）を、任意の抗体（白三角）、対照抗体（黒三角）、抗ＮＫＧ２Ｄ抗体（黒丸）又は抗ＮＫｐ３０抗体（白丸）の存在下におけるＥ：Ｔ比（有効細胞数：標的細胞数）（Ｘ軸）の関数として表す図である。

《図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ》
図７Ａ〜７Ｃは、バーキットリンパ腫細胞（図７Ａ）、ＬＭＣＫ５６２細胞（図７Ｂ）又は自己のＰＢＭＣ（図７Ｃ）について、ＧＣ１で得たＮＫ細胞による溶解（特異的溶解の百分率、Ｙ軸）を、Ｅ：Ｔ比（Ｘ軸）の関数として表す。

《図８》
白血病又は癌腫細胞系の細胞に関して、ＧＣ１で得たＮＫ１細胞が及ぼした細胞毒性（Ｘ軸、特異的溶解の百分率）を、Ｅ：Ｔ比１：１（白色棒）又は１０：１（灰色棒）の関数として表す図である。

《図９》
図式的な３例のデンドリマー、すなわちｎ＝４及びｍ＝３の第４世代デンドリマー（Ａ、左）、ｎ＝３及びｍ＝６の第３世代デンドリマー（Ｂ、右）並びにｎ＝０及びｍ＝６の第０世代デンドリマー（Ｃ、下）を表す図である。デンドリマーの構造的要素が表されている。すなわち、１を超えるか又は等しい世代のデンドリマーについては世代鎖（Ｄ）が結合し、第０世代のデンドリマーについては中間鎖（Ｅ）が直接結合している核（§）、世代鎖末端に結合した中間鎖（Ｅ）、更に末端基（ｆ）に結合している中間鎖、デンドリマーの表面を形成する混合末端基である。結合鎖は、核に結合した１個の世代鎖を含む一群の世代鎖、及びこの鎖に直接か又は他の世代鎖を介して結合する一組の他の世代鎖によって構成される。

《図１０Ａ及び図１０Ｂ》
フローサイトメトリーにより分離した全リンパ球母集団を、そのサイズ（Ｘ軸、ＦＳｌｉｎ）及びその粒度（ＰＭＴ１ｌｉｎ）の関数として表し、並びに蛍光デンドリマー存在下に培養するために選択したリンパ球集団（円）を表す図である。ＩＬ２存在下、又は蛍光デンドリマー（ＧＣ１Ｆ）及びＩＬ２存在下、又はＧＣ１及びＩＬ２存在下での前記リンパ球の、４時間後（Ａ）、２４時間後（Ｂ）又は１５日後（Ｃ）の培養結果を表す図である。Ｘ軸は蛍光強度（任意の単位）を表し、Ｙ軸は細胞数（任意の単位）を表す。

《図１１》
健常ドナーに由来するＰＢＭＣ及び多発性骨髄腫に罹った癌患者に由来するＰＢＭＣをＧＣ１存在下に２．５週間にわたり培養した後に得たＮＫ細胞数（充満円）（Ｙ軸、単位：百万）を、培養開始時に存在するＮＫ細胞数（中空円）に関連させて表す図である。

《図１２Ａ及び図１２Ｂ》
得られたＮＫ細胞数（Ｙ軸、単位：百万）を、ＩＬ２（中空四角）、ＩＬ１５（中空三角）、ＩＬ２＋ＩＬ１５（中空円）、ＩＬ２＋ＧＣ１（充満四角）、ＩＬ１５＋ＧＣ１（充満三角）及びＩＬ２＋ＩＬ１５＋ＧＣ１（充満円）存在下での健常ドナーからのＰＢＭＣ培養期間（Ｘ軸、単位：日）の関数として表す図である。健常ドナーのＰＢＭＣ培養液中のＮＫ細胞百分率（Ｙ軸）を、ＩＬ２（中空四角）、ＩＬ１５（中空三角）、ＩＬ２＋ＩＬ１５（中空円）、ＩＬ２＋ＧＣ１（充満四角）、ＩＬ１５＋ＧＣ１（充満三角）及びＩＬ２＋ＩＬ１５＋ＧＣ１（充満円）存在下での培養期間（Ｘ軸、単位：日）の関数として表す図である。

《図１３》
ＮＫ細胞増殖に対するＮａ塩末端を有するＰＭＭＨ型リン含有デンドリマーの効果を表す図である。０は、ＩＬ２だけ（デンドリマー無し）による培地における増殖に相当する。他の数は、ナトリウム塩の形態にある当該デンドリマーの例数に相当する。

《図１４Ａ、図１４Ｂ、図１５Ｃ及び図１４Ｄ》
デンドリマーＧＣ１不在下に（左）又は存在下に（右）培養した単球の、光学顕微鏡下に観察したスライドの写真を表す図である。横棒は３０μｍを表す。ＧＣ１存在下に（黒色棒）又は不在下に（灰色棒）培養液の単球上への標識ＨＬＡ−Ａ、Ｂ、Ｃ、ＣＤ１４及びＨＬＡ−ＤＲの発現のフローサイトメトリー分析（Ｘ軸、平均蛍光強度（ＭＦＩ））を表す図である。星印記号（＊＊＊）は、Ｓｔｕｄｅｎｔ検定におけるＭＦＩの有意差（ｐ＜０．００１）を表す。結果は、３名のドナーの代表値である。ＧＣ１不在下に（三角）又は存在下に（丸）培養した単球内のＮＦκＢｐ５０の核移行（Ｙ軸、ＲＬＵｘ１０^６）（ＲＬＵ：相対発光単位）を表す図である。生存単球数（Ｙ軸、単位：百万）を、ＧＣ１不在下に（灰色棒）又は存在下に（黒色棒）培養した単球の培養期間（Ｘ軸、単位：日）の関数として表し、アネキシン−Ｖに陽性の単球の百分率（Ｙ軸）を、ＧＣ１不在下に（灰色棒）又は存在下に（黒色棒）培養した単球の培養期間の関数として表す図である（左から２番目のグラフ）。アネキシン−Ｖに陽性の単球の百分率は、ＦＩＴＣで標識した抗アネキシン−Ｖ抗体を用いるフローサイトメトリーによって測定される。ＧＣ１不在下に６日間培養した単球についてのアネキシン−Ｖに陽性の単球の百分率の測定の例（左から３番目のグラフ：アネキシン−Ｖに陽性の単球３５％）及びＧＣ１存在下に６日間培養した単球についてのアネキシン−Ｖに陽性の単球の百分率の測定の例（左から４番目のグラフ：アネキシン−Ｖに陽性の単球５％）。

全般的事項
反応は、乾燥アルゴン雰囲気下に（アルゴンＵ、ＡｉｒＬｉｑｕｉｄｅ）実施した。以下の溶媒を、Ｐｅｒｒｉｎｅｔａｌ，ＰｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆＬａｂｏｒａｔｏｒｙＣｈｅｍｉｃａｌｓ，ＴｈｉｒｄＥｄｉｔｉｏｎ；Ｐｒｅｓｓ，Ｐ．，Ｅｄ．：Ｏｘｆｏｒｄ，１９８８に記載される技術に従って乾燥し、使用直前にアルゴン下に蒸留した。テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、アセトニトリル、ペンタン、トルエン、ジエチルエーテル、クロロホルム、トリエチルアミン、ピリジン。

薄層クロマトグラフィー分析は、ＭｅｒｃｋのＫｉｅｓｅｌｇｅｌ６０Ｆ_２５４型の、シリカでコーティングしたアルミニウムプレート上で実施した。

ＮＭＲスペクトルは、Ｂｒuｋｅｒ装置（ＡＣ２００、ＡＭ２５０、ＤＰＸ３００）で記録した。化学シフトは、^３１ＰＮＭＲについては水中８５％リン酸と比較して、並びに^１Ｈ及び^１３ＣＮＭＲについてはテトラメチルシランと比較して、百万分の一単位（ｐｐｍ）で表現される。シグナルの多重度を表現するために以下の略語を用いた：ｓ（一重線）、ｄ（二重線）、ｂｄ（幅広い二重線）、ｄｄ（二重線の二重線）、ＡＢｓｙｓｔ．（ＡＢ系）、ｔ（三重線）、ｄｔ（三重線の二重線）、ｑ（四重線）、ｈｅｐｔ（七重線）、ｍ（特定できない多重線）。

赤外振動分光法は、ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒＦＴ１７２５ｘ分光計で実施した。紫外−可視分光法は、ＨＰ４８５２Ａ装置で実施した。熱重量測定は、ＮｅｔｚｃｈＤＳＣ２０４又はＳｅｔａｒａｍＴＧＡ９２−１６．１８装置で実施した。

ＮＭＲ帰属に使用した番号付け

第1世代デンドリマーのための番号付けの例

出発物質として用いたいろいろなデンドリマーの構造

《実施例１： α−ヒドロキシ−ジメチルホスホン酸末端を有する第１世代デンドリマー（核Ｐ＝Ｓ）の合成》
工程１： α−ヒドロキシ−ジメチルホスホノ末端を有する第１世代デンドリマー（核Ｐ＝Ｓ）の合成

デンドリマーＧ’_１（０．１４ｍｍｏｌ，２００ｍｇ）を、蒸留トリエチルアミン（０．１２６ｍｍｏｌ，４．５μＬ）及び亜リン酸ジメチル（１．２６ｍｍｏｌ，１１５μＬ）を含む０．２ｍｌのＴＨＦの溶液に入れる。混合物を１２時間電磁撹拌しておく。次いで得られたペースト状物を、ＴＨＦ／Ｅｔ_２Ｏ混合物１／１で洗浄して、白色粉末を得る。最終生成物を収率７２％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝２７．１０（ｓ，Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ_３）_２），５６．１０（ｓ，Ｐ_０），６５．９１（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３．３４（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．８Ｈｚ，９Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１），３．５２（ｄ，１８Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．３Ｈｚ，Ｐ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_３），３．５７（ｄ，１８Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１１．６Ｈｚ，Ｐ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_３），５．０１（ｄｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝４．５Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＰ＝１３．０Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ−Ｐ（Ｏ）），６．３３（ｄｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．６Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＰ＝１５．７Ｈｚ，６Ｈ，ＯＨ），７．１８−７．９３（ｍ，３９Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３３．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．１Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１），５３．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ−Ｐ（Ｏ）），５４．２（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ−Ｐ（Ｏ）），７０．０（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６２．８Ｈｚ，Ｃ−ＯＨ），１２１．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_１ ^２），１２２．４（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．８Ｈｚ，Ｃ_０ ^２），１２９．４（ｓ，Ｃ_０ ^３），１２９．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝５．６Ｈｚ，Ｃ_１ ^３），１３３．６（ｓ，Ｃ_０ ^４），１３６．４（ｓ，Ｃ_１ ^４），１４１．４（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１４．５Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ），１５０．３（ｄｄ，^５Ｊ_ＣＰ＝３．４Ｈｚ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．６Ｈｚ，Ｃ_１ ^１），１５１．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝８．０Ｈｚ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

工程２： α−ヒドロキシ−ホスホン酸末端（Ｎａ塩）を有するデンドリマーＧ’_１の合成

ブロモトリメチルシラン（１５．８ｍｍｏｌ）を、蒸留トリエチルアミン（４．８ｍｍｏｌ）を含むアセトニトリル（５ｍＬ）中の工程１で得たα−ヒドロキシ−ジメチル−ホスホネート末端を有する第１世代デンドリマーＧ’_１（０．８ｍｍｏｌ，１ｇ）の０°Ｃの溶液にゆっくり添加する。添加が終わったら、混合物を１２時間にわたり放置して室温まで戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いで１ｍＬの無水メタノールを室温で添加して、混合物を１時間撹拌しておく。蒸発乾固後、残渣をエーテルで数回洗浄する。生成物は有機溶媒に全く不溶であるので、それを、前もって滴定した水酸化ナトリウム溶液存在下に、そのモノナトリウム塩に変換する。得られた溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白色粉末の形態で得る。最終生成物を収率４８％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ）：δ＝１０．１（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）（ＯＮａ）），５６．１０（ｓ，Ｐ_０），６６．９１（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．

《実施例２： α−ヒドロキシ−ジメチルホスホネート末端を有する第１世代デンドリマー（核Ｐ_３Ｎ_３）の合成》

１ｇのＧｃ’_１（０．３５ｍｍｏｌ）を１ｍｌＴＨＦの溶液に入れ、次いで蒸留トリエチルアミン（１０μｌすなわち０．８４x１０^−３ｍｏｌ）及び亜リン酸ジメチル（３８２μＬすなわち４．２ｘ１０^−３ｍｏｌ）（−ＣＨＯにつき１当量）を添加する。混合物を１２時間撹拌しておく。得られたペースト状物を次いで、ＴＨＦ／Ｅｔ_２Ｏ混合物１／１で洗浄して、白色粉末を得る。最終生成物を収率７２％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝１１．４６（ｓ，Ｐ_０），２７．１０（ｓ，Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ_３）_２），６６．０７（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３．３５（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１），３．５４（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．３Ｈｚ，３６Ｈ，Ｐ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_３），３．５９（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，３６Ｈ，Ｐ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_３），５．０１（ｄｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．２Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＰ＝１３．５Ｈｚ，１２Ｈ，ＣＨ−Ｐ（Ｏ）），６．４１（ｄｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．６Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＰ＝１５．５Ｈｚ，１２Ｈ，ＯＨ），７，１８−７．９３（ｍ，７８Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．９Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１），５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ−Ｐ（Ｏ）），５３．２（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ−Ｐ（Ｏ）），６８．２（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６２．３Ｈｚ，Ｃ−ＯＨ），１２０．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_１ ^２），１２０．８（ｓ，Ｃ_０ ^２），１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３），１２８．７（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝５．７Ｈｚ，Ｃ_１ ^３），１３２．０（ｓ，Ｃ_０ ^４），１３５．５（ｓ，Ｃ_１ ^４），１４０．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．８Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ），１４９．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，Ｃ_１ ^１），１５０．５（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．
ＩＲ：υ（ＣＨＯ）無しａｔ１６７０ｃｍ^−１；υ（ＯＨ）ａｔ３２７１ｃｍ^−１．

《実施例３： α−ヒドロキシ−ジメチルホスホネート末端を有する第２世代デンドリマーの合成》

デンドリマーＧｃ’_２（０．１４６ｍｍｏｌ，１ｇ）を蒸留トリエチルアミン（１．３ｍｍｏｌ，１５μＬ）及び亜リン酸ジメチル（３．５ｍｍｏｌ，３１９μＬ）を含む１ｍｌのＴＨＦの溶液に入れる。混合物を１２時間電磁撹拌しておく。得られたペースト状物を次いで、ＴＨＦ／Ｅｔ_２Ｏ混合物１／１で洗浄して、白色粉末を得る。最終生成物を収率８０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝１１．７（ｓ，Ｐ_０），２７．１０（ｓ，Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ_３）_２），６６．１（ｂｒｏａｄｓ，Ｐ_１，２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３．２９（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．２Ｈｚ，５４Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_２），３．４９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１０．９Ｈｚ，７２Ｈ，Ｐ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_３），３．５５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１０．６Ｈｚ，７２Ｈ，Ｐ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_３），５．００（ｄｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．４Ｈｚ^，２Ｊ_ＨＰ＝１５．７Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ−Ｐ（Ｏ）），６．３０（ｄｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．４Ｈｚ^，２Ｊ_ＨＰ＝１５．７Ｈｚ，２４Ｈ，ＯＨ），７．０−８．０（ｍ，１８６Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３２．８（ｂｒｏａｄｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．３Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，２），５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．２Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ−Ｐ（Ｏ）），５３．２（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ−Ｐ（Ｏ）），６８．２（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６３．０Ｈｚ，Ｃ−ＯＨ），１２０．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_２ ^２），１２０．８（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２），１２１．４（ｓ，Ｃ_１ ^２），１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３），１２８．２（ｓ，Ｃ_１ ^３），１２８．７（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．７Ｈｚ，Ｃ_２ ^３），１３２．１（ｓ，Ｃ_０ ^４），１３２．１（ｓ，Ｃ_１ ^４），１３５．４（ｓ，Ｃ_２ ^４），１４０．２（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｍｅ）−Ｐ_１，２），１４９．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．８Ｈｚ，Ｃ_２ ^１），１５０．４（ｓ，Ｃ_０ ^１）１５０．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．４Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．
ＩＲ：υ（ＣＨＯ）無しａｔ１６７０ｃｍ^−１；υ（ＯＨ）ａｔ３２７１ｃｍ^−１．

《実施例４： α−ヒドロキシ−ジメチルホスホネート末端を有する第３世代デンドリマーの合成》

デンドリマーＧｃ’_３（１．３５ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，０．２ｇ）を、蒸留トリエチルアミン（０．８ｍｍｏｌ，１０μＬ）及び亜リン酸ジメチル（０．６４８ｍｍｏｌ，５９μＬ）を含む０．２ｍｌのＴＨＦの溶液に入れる。混合物を１２時間電磁撹拌しておく。得られたペースト状物を次いで、ＴＨＦ／Ｅｔ_２Ｏ混合物１／１で洗浄して、白色粉末を得る。最終生成物を収率８５％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝１１．７（ｓ，Ｐ_０），２８．６（ｓ，Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ_３）_２），６６．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｐ_{１，２，３}）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３．４０（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，１２６Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_２，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_３），３．６０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１３．１５Ｈｚ，１４４Ｈ，Ｐ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_３），３．６５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１３．１６Ｈｚ，１４４Ｈ，Ｐ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_３），５．１０（ｄｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝４．３Ｈｚ^，２Ｊ_ＨＰ＝１５．３Ｈｚ，４８Ｈ，ＣＨ−Ｐ（Ｏ）），６．４（ｄｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝４．３Ｈｚ^，２Ｊ_ＨＰ＝１５．３Ｈｚ，４８Ｈ，ＯＨ），７．０−８．１（ｍ，４０２Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３２．８（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_{１，２，３}），５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ−Ｐ（Ｏ）），５３．２（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．４Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ−Ｐ（Ｏ）），６８．１（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６２．８Ｈｚ，Ｃ−ＯＨ），１１９．５（ｓ，Ｃ_１ ^２），１２０．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_３ ^２，Ｃ_０ ^２），１２１．４（ｓ，Ｃ_２ ^２），１２８．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３，Ｃ_２ ^３），１２８．６（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝４．２Ｈｚ，Ｃ_３ ^３），１３２．１（ｓ，Ｃ_０ ^４，Ｃ_１ ^４，Ｃ_２ ^４），１３５．５（ｓ，Ｃ_３ ^４），１４０．２（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｍｅ）−Ｐ_{１，２，３}），１４９．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝８．３Ｈｚ，Ｃ_３ ^１），１５０．６（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１，Ｃ_１ ^１，Ｃ_２ ^１）ｐｐｍ．
ＩＲ：υ（ＣＨＯ）無しａｔ１６７０ｃｍ^−１；υ（ＯＨ）ａｔ３２７１ｃｍ^−１．

《実施例５： α−ヒドロキシ−ホスホン酸末端を有する第１世代デンドリマーの合成》
工程１： α−ヒドロキシ−ホスホン酸末端を有するデンドリマー

実施例２で得たα−ヒドロキシ−ジメチルホスホネート末端を有する第１世代デンドリマー（４．７８ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，２００ｍｇ）を、トリエチルアミン（０．５７５ｍｍｏｌ，２０．５μＬ）を含むアセトニトリル（４ｍＬ）に０°Ｃで懸濁する。次いで臭化トリメチルシラン（１．７２ｍｍｏｌ，２２９μＬ）を０°Ｃでゆっくり添加して、混合物を６時間にわたり室温までゆっくり戻す。次いで無水メタノール（１ｍＬ）を添加する。２時間撹拌後に、反応混合物を減圧下に乾燥する。次いで粉末を、最小量の水に、３０分間激しく撹拌して懸濁する。濾過後、生成物を乾燥し、次いでエーテルで十分に洗浄する。好ましくは、可溶性のデンドリマーを得るために、最終デンドリマーを完全に脱溶媒和してはならない。最終生成物を収率５１％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝１１．４０（ｓ，Ｐ_０），２２．０（ｍ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２），６６．０５（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３．２９（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１），４．６７（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１３．９Ｈｚ，１２Ｈ，−ＣＨ−ＯＨ），４．７−５．７（ｍ，３６Ｈ，−ＯＨ），７．０−８．０（ｍ，７８Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１５．７Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１），６９．５（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６３．５Ｈｚ，Ｃ−ＯＨ），１２０．０（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_１ ^２），１２０．７（ｓ，Ｃ_０ ^２），１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３），１２８．６（ｓ，Ｃ_１ ^３），１３２．０（ｓ，Ｃ_０ ^４），１３７．１（ｓ，Ｃ_１ ^４），１４０．２（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ），１４８．８（ｓ，Ｃ_１ ^１），１５０．４（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．
ＩＲ：υ（ＣＨＯ）無しａｔ１６７０ｃｍ^−１；υ（ＯＨ）ａｔ３２７１ｃｍ^−１．

工程２： α−ヒドロキシ−ホスホン酸ナトリウム塩末端を有するデンドリマー

前工程で得たデンドリマーを、滴定したソーダ（０．１９６６Ｍ，１２ｅｑ．）溶液に溶解する。得られた溶液をミリポアフィルターで濾過し、次いで凍結乾燥する。α−ヒドロキシ−ホスホン酸のモノナトリウム塩末端を有する第１世代デンドリマーを白色粉末の形態で、収率８２％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１ＭＨｚ）：δ＝１２．５（ｓｌ，Ｎ_３Ｐ_３），１７．８（ｓｌ，Ｐ＝Ｏ），６７．５（ｓｌ，Ｐ＝Ｓ）．

《実施例６： α−ヒドロキシ−ホスホン酸末端を有する第２世代デンドリマーの合成》

実施例３で得たα−ヒドロキシ−ジメチルホスホネート末端を有する第２世代デンドリマー（３．１６ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，３００ｍｇ）を、トリエチルアミン（０．８６ｍｍｏｌ，３０μＬ）を含むアセトニトリル（１．５ｍＬ）に０°Ｃで懸濁する。次いで臭化トリメチルシラン（２．３ｍｍｏｌ，３０４μＬ）を０°Ｃでゆっくり添加し、混合物を６時間にわたりゆっくり室温まで戻す。次いで無水メタノール（１ｍＬ）を添加する。２時間撹拌後、反応混合物を減圧下に乾燥する。次いで粉末を、最小量の水に、３０分間激しく撹拌して懸濁する。濾過後、生成物を乾燥し、次いでエーテルで十分に洗浄する。好ましくは、可溶性の生成物を所望の場合、最終デンドリマーを完全に脱溶媒和してはならない。最終生成物を収率６２％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝１１．９（ｓ，Ｐ_０），２１．５（ｍ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２），６６．００（ｂｒｏａｄｓ，Ｐ_１，２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３．０６（ｂｒｏａｄｓ，５４Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，２），４．６６（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１４．０Ｈｚ，２４Ｈ，−ＣＨ−ＯＨ），３．７−５．２（ｍ，７２Ｈ，−ＯＨ），６．７−８．０（ｍ，１８６Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３３．６（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，２），７０．２（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５８．５Ｈｚ，Ｃ−ＯＨ），１２１．０（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_２ ^２，Ｃ_０ ^２），１２２．０（ｓ，Ｃ_１ ^２），１２９．５（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３，Ｃ_２ ^３），１３２．８（ｓ，Ｃ_０ ^４，Ｃ_１ ^４），１３７．４（ｓ，Ｃ_２ ^４），１４１．０（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ），１４９．８（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_２ ^１），１５１．２（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．
ＩＲ：υ（ＣＨＯ）無しａｔ１６７０ｃｍ^−１；υ（ＯＨ）ａｔ３２７１ｃｍ^−１．
ホスホン酸末端基を有する誘導体は、実施例１〜５及び８〜１０のジメチルホスホネート基を有する化合物を用いて、この方法を適用するか又は適合させることによって得ることができる。実施例７のジイソプロピルホスホネート基を有する化合物で開始するこの反応はうまくいかない。

《実施例７：ビニル−ジイソプロピル−ホスホネート末端基を有する第１世代デンドリマーの合成》

テトライソプロピル−メチレン−ｇｅｍ−ジホスホネート（３ｍｍｏｌ）及び水素化ナトリウム（３ｍｍｏｌ，７５ｍｇ）を、２ｍＬの蒸留ＴＨＦに入れる。この混合物を室温で２時間激しく撹拌しておく。水素の発生が終わったら、それを、前もって３ｍＬの蒸留ＴＨＦの溶液に入れておいたデンドリマーＧｃ’_１（０．１７ｍｍｏｌ，５００ｍｇ）にゆっくり添加する。添加は０°Ｃで行い、次いで混合物を一晩放置して室温まで戻す。ＴＨＦの蒸発後、過剰のテトライソプロピル−メチレン−ｇｅｍ−ジホスホネートを除去するために、白色固体をペンタン／エーテル混合物１／１で洗浄する。次いでデンドリマーを最小量の水に懸濁し、得られた濁った溶液を遠心分離する。遠心分離後、白色粉末を回収するが、時には最小量の水とともに更に２回目の操作（遠心分離）を繰り返すことが必要なことがある。最終生成物を収率５５％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１１．６６（ｓ，Ｐ_０）；６５．７３（ｓ，Ｐ_１）；２０．３１（ｓ，Ｐ＝Ｏ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１．２６（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．２Ｈｚ，７２Ｈ，ＣＨ _３−ＣＨ）；１．３２（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．２Ｈｚ，７２ＨＣＨ _３−ＣＨ）；３．２７（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，１８Ｈ，Ｎ−Ｍｅ）；４．６６（ｈｅｐｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．９Ｈｚ，２４Ｈ，Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ_３）_２）；６．１４（ｄｄ，^３Ｊ_{ＨＨｔｒａｎｓ}＝^２Ｊ_{ＨＰ（Ｏ）}＝１７．１Ｈｚ，１２Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ））；６．９−７．７（ｍ，９０Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ））ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２４．０（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝５．０Ｈｚ，ＣＨ _３−ＣＨ）；３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；７０．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．０Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−ＣＨ_３）；１１６．１（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１９２．５２Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）；１２１．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝４．９Ｈｚ，Ｃ_１ ^２）；１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２９．０（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３２．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１８．７Ｈｚ，Ｃ_１ ^４）；１３２．７（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３９．０（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１４．４６Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４６．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）；１５１．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１）；１５１．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．７Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．

《実施例８：ビニル−ジメチル−ホスホネート末端基を有する第１世代デンドリマーの合成》

テトラメチル−メチレン−ｇｅｍ−ジホスホネート（１１．７ｍｍｏｌ，２．７ｇ）及び水素化ナトリウム（１１．７ｍｍｏｌ，２８１ｍｇ）を、１０ｍＬの蒸留ＴＨＦに入れる。この混合物を室温で２時間激しく撹拌しておく。水素発生が終わったら、それを、前もって５ｍＬの蒸留ＴＨＦの溶液に入れておいたデンドリマーＧｃ’_２（０．７ｍｍｏｌ，１ｇ）にゆっくり添加する。添加は０°Ｃで行い、次いで混合物を一晩放置して室温まで戻す。ＴＨＦの蒸発後、過剰のテトラメチル−メチレン−ｇｅｍ−ジホスホネートを除去するために、白色固体をペンタン／エーテル混合物１／１で洗浄する。次いでデンドリマーを最小量の水に懸濁し、得られた濁った溶液を遠心分離する。白色粉末を遠心分離後に回収するが、時には最小量の水で更に２回目の操作（遠心分離）を繰り返すことが必要なことがある。最終生成物を収率６３％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１１．７（ｓ，Ｐ_０）；６５．５（ｓ，Ｐ_１）；２５．４３（ｓ，Ｐ＝Ｏ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３．２７（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．５Ｈｚ，１８Ｈ，Ｎ−Ｍｅ）；３．７２（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，７２Ｈ，Ｏ−ＣＨ _３）；６．０８（ｄｄ，^３Ｊ_{ＨＨｔｒａｎｓ}＝^２Ｊ_{ＨＰ（Ｏ）}＝１６．９Ｈｚ，１２Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ））；６．９−７．８（ｍ，９０Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ））ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．１３Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；５２．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．６Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ _３）；１１２．７（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１９１．６４Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１２１．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．７（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．２Ｈｚ，Ｃ_１ ^２）；１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２９．１（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３１．９（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３２．１（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１６．９Ｈｚ，Ｃ_１ ^４）；１３９．０（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．４Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４８．０３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１５１．２（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１）；１５１．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．

《実施例９：ビニル−ジメチル−ホスホネート末端基を有する第２世代デンドリマーの合成》

テトラメチル−メチレン−ｇｅｍ−ジホスホネート（０．７７ｍｍｏｌ，０．１８ｇ）及び水素化ナトリウム（０．７８ｍｍｏｌ，１９ｍｇ）を、４ｍＬの蒸留ＴＨＦに入れ、この混合物を室温で２時間激しく撹拌しておく。水素の発生が終わったら、それを、前もって２ｍＬの蒸留ＴＨＦの溶液に入れておいたデンドリマーＧｃ’_２（２．９ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，０．２ｍｇ）にゆっくり添加する。添加は０°Ｃで行い、次いで混合物を一晩放置して室温まで戻す。ＴＨＦの蒸発後、過剰のテトラメチル−メチレン−ｇｅｍ−ジホスホネートを除去するために、白色固体をペンタン／エーテル混合物１／１で洗浄する。次いでデンドリマーを最小量の水に懸濁し、得られた濁った溶液を遠心分離する。白色粉末を遠心分離後に回収するが、時には最小量の水で更に２回目の操作（遠心分離）を繰り返すことが必要なことがある。最終生成物を収率６８％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１１．８（ｓ，Ｐ_０）；６５．４（ｓ，Ｐ_２）；６５．９（ｓ，Ｐ_１）；２５．４（ｓ，Ｐ＝Ｏ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３．２６（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．２Ｈｚ，５４Ｈ，Ｎ−Ｍｅ）；３．６６（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，１４４Ｈ，Ｏ−ＣＨ _３）；６．０６（ｄｄ，^３Ｊ_{ＨＨｔｒａｎｓ}＝^２Ｊ_{ＨＰ（Ｏ）}＝１６．９Ｈｚ，２４Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ））；６．９−７．８（ｍ，２１０Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ））ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３３．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．５Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，２）；５２．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．３Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ _３）；１１２．６（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１９２．０８Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１２１．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．９（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_１ ^２，Ｃ_２ ^２）；１２８．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３）；１２９．２（ｓ，Ｃ_２ ^３）；１３２．０（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３２．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^４，Ｃ_２ ^４）；１３９．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．６Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４８．１（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．４Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１５１．２（ｓ，Ｃ_０ ^１）；１５１．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５１．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．４Ｈｚ，Ｃ_２ ^１）ｐｐｍ．

《実施例１０：ビニル−ジメチル−ホスホネート末端基を有する第３世代デンドリマーの合成》

テトラメチル−メチレン−ｇｅｍ−ジホスホネート（０．７１ｍｍｏｌ，１６５ｍｇ）及び水素化ナトリウム（０．７１ｍｍｏｌ，１７．１ｍｇ）を５ｍＬの蒸留ＴＨＦに入れ、この混合物を室温で２時間激しく撹拌しておく。水素の発生が終わったら、それを、前もって３ｍＬの蒸留ＴＨＦの溶液に入れておいたデンドリマーＧｃ’_３（１．３５ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，２００ｍｇ）にゆっくり添加する。添加は０°Ｃで行い、次いで混合物を一晩放置して室温まで戻す。ＴＨＦの蒸発後、過剰のテトラメチル−メチレン−ｇｅｍ−ジホスホネートを除去するために、白色固体をペンタン／エーテル混合物１／１で洗浄する。次いでデンドリマーを最小量の水に懸濁し、得られた濁った溶液を遠心分離する。白色粉末を遠心分離後に回収するが、最小量の水で更に２回目の操作（遠心分離）を繰り返すことが必要なことがある。最終生成物を収率７２％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１１．７（ｓ，Ｐ_０）；６５．３（ｓ，Ｐ_３）；６６．０（ｓ，Ｐ_１，２）；２５．５（ｓ，Ｐ＝Ｏ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３．２９（ｂｒｏａｄｓ，１２６Ｈ，Ｎ−Ｍｅ）；３．６８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝７．７Ｈｚ，２８８Ｈ，Ｏ−ＣＨ _３）；６．０８（ｄｄ，^３Ｊ_{ＨＨｔｒａｎｓ}＝^２Ｊ_{ＨＰ（Ｏ）}＝１７．６Ｈｚ，４８Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ））；６．９−７．８（ｍ，４５０Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ））ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３３．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１３．１Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_{１，２，３}）；５２．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．５Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ _３）；１１２．６（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１９２．２Ｈｚ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１２１．９（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝２．７Ｈｚ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２，Ｃ_２ ^２，Ｃ_３ ^２）；１２８．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３，Ｃ_２ ^３）；１２９．１（ｓ，Ｃ_３ ^３）；１３１．９（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^４，Ｃ_２ ^４）；１３２．１（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３２．２（ｓ，Ｃ_３ ^４）；１３９．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．２Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４８．３（ｂｒｏａｄｓ，−ＣＨ＝ＣＨ−Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１５１．３（ｓ，Ｃ_１ ^１，Ｃ_０ ^１）；１５１．８（ｓ，Ｃ_３ ^１）；１５２．０（ｓ，Ｃ_２ ^１）ｐｐｍ．

《実施例１１：４−ヒドロキシベンジル−ジメチル−ホスホネートの合成》
多段階合成の工程ａ）〜ｄ）は既に、Ｊ．Ｄ．ＯｌｓｊｅｗｓｋｉｅｔａｌＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９４，５９，４２８５−４２９６に記載されている。

ａ）４−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシベンズアルデヒドの合成

４−ヒドロキシ−ベンズアルデヒド（１０ｇ，０．０８２ｍｏｌ）を１００ｍＬのジクロロメタンの溶液に入れる。クロロトリメチルシラン（１１．７２ｇ，０．０７８ｍｏｌ）並びにＮ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（１ｇ，０．００８ｍｏｌ）及びトリエチルアミン（２３ｍＬ，０．１６４ｍｏｌ）を室温でこの溶液に添加する。混合物を室温で４８時間電磁撹拌しておき、次いで溶媒を減圧下に蒸発させる。得られた固体を純粋なペンタン（３ｘ２００ｍＬ）中で撹拌することによって生成物を抽出する。

ｂ）４−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシベンジルアルコールの合成

４−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシベンズアルデヒド（２８ｇ，０．１１８ｍｏｌ）をＴＨＦ／エタノール混合物（５０ｍＬ／１０ｍＬ）の溶液に入れる。ホウ水素化ナトリウム（９ｇ，０．２３７ｍｏｌ）を室温でこの溶液に添加して、この懸濁液をアルゴン下に室温で４日間撹拌する。次いで反応媒体のすべての溶媒を減圧下に蒸発することによって非常に緻密な白色ゲル状物を得る。後者をエーテルに懸濁し、次いで飽和塩化アンモニウム溶液を非常にゆっくり添加して、より均一な溶液を２相の状態で得る。２相が均一なときに、最終生成物を簡単な水／エーテルのデカンテーションによって分離する。エーテル相を蒸発し、次いで得られた生成物をペンタン中に取り出して、水で１回洗浄する。

ｃ）４−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシベンジルトリフルオロアセテートの合成

ｂ）で得たベンジル型アルコール（２７ｇ，０．１１３ｍｏｌ）をＴＨＦ（１００ｍＬ）の溶液に入れ、トリフルオロ酢酸無水物（１９．２ｍＬ，０．１３６ｍｏｌ）をこの溶液に室温で添加する。次いで混合物をＴＨＦ中で１時間還流する。次いで混合物を放置してゆっくり室温まで戻して、ＴＨＦの７５％を蒸発させ、次いで混合物をエーテル中に取り出して、初めに炭酸水素ナトリウム溶液（２ｘ１００ｍＬ）で洗浄し、水（１００ｍＬ）で１回洗浄する。

ｄ）４−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシベンジルブロミドの合成

ｃ）で得たトリフルオロアセテート（３５ｇ，０．１０５ｍｏｌ）をＴＨＦ（１００ｍＬ）の溶液に入れ、臭化リチウム（１１ｇ，０．１２６ｍｏｌ）をこの溶液に添加して、混合物をＴＨＦ中で１８時間還流する。ＴＨＦを減圧下に蒸発させ、次いで生成物を４０ｍＬのアセトニトリル中に取り出して、ヘキサン（４ｘ１００ｍＬ）とともにデカンテーションを行なう。ヘキサンを蒸発させて、白色結晶を含有するやや白い油状物を得る。次いでこの結晶を濾過によって回収するほかに、ヘキサンを用いて油状物を更に回収しなければならない。生成物を収率８４％で単離する。

ｅ）４−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシベンジル−ジメチル−ホスホネートの合成

亜リン酸トリメチル（４ｍｍｏｌ，０．４７ｍＬ）を、ｄ）で得た４−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキサンのベンジルブロミド（２．７２ｍｍｏｌ，８００ｍｇ）に添加する。亜リン酸トリメチルを数回に添加する。初めに第１当量（０．３２ｍＬ）を添加し、次いで混合物を撹拌して溶媒なしで８０°Ｃにする。反応は臭化メチルを放出するが、反応を完結させるために、これを減圧下に除去しなければならない。４時間還流後、過剰の亜リン酸トリメチルを添加する（０．１５ｍＬ）。反応混合物を再び８０°Ｃに２時間保つ。最終混合物は微量の亜リン酸トリメチル及び、臭化メチル形成によって引き起こされる副生成物であるメチル−亜リン酸ジメチルを含有するが、これを減圧下に８０°Ｃで除去することができる。最終生成物を油状物の形態で収率９０％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．６（ｓ，Ｐ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝０．１７（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ_３）；０．９７（ｓ，９Ｈ，Ｓｉ−ｔＢｕ）；３．０９（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２１．２Ｈｚ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）；３．６３（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，６Ｈ，Ｏ−Ｍｅ）；６．７８（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）；７．１５（ｄｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．５Ｈｚ，^４Ｊ_ＨＰ＝２．５Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）ｐｐｍ．

ｆ）４−ヒドロキシ−ベンジル−ジメチル−ホスホネートの合成

ｅ）で得たシロキサン（２．７２ｍｍｏｌ）を５ｍＬの無水ＴＨＦの溶液に入れ、次いでＴＨＦ中のテトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍ無水溶液を添加する（５．４ｍｍｏｌ，５．５ｍＬ）。混合物を４８時間室温に放置する。数滴の水をこの反応混合物に添加して、１時間撹拌後、生成物をペンタンで洗浄する。次いで生成物をシリカ上の濾過によって、初めにエーテル次いでペンタン／ＴＨＦ混合物１／１の溶媒勾配を用いて精製する。
最終生成物をジクロロメタンから再結晶する。このためにそれを最小量の熱ジクロロメタンに溶解し次いで放置してゆっくり室温まで戻す。更にそれを−２０°Ｃまで冷却して、生成物を全く純粋に、白色結晶の形態で、収率５０％で回収する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．４（ｓ，Ｐ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３．０７（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２２．０Ｈｚ，２Ｈ，−ＣＨ_２−）；３．６８（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１０．８Ｈｚ，６Ｈ，Ｏ−Ｍｅ）；６．６４（ｄｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，^５Ｊ_ＨＰ＝０．７８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）；７．０４（ｄｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，^４Ｊ_ＨＰ＝２．８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）；７．６８（ｂｒｏａｄｓ，１Ｈ，ＯＨ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３１．７（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３９．６Ｈｚ，−ＣＨ_２−Ｐ）；５３．１（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，−ＯＭｅ）；１１６．０（ｓ，Ｃ_２）；１２０．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝８．１７Ｈｚ，Ｃ_４）；１３０．７（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．５４Ｈｚ，Ｃ_３），１５６．０（ｄ，^５Ｊ_ＣＰ＝３．１４Ｈｚ，Ｃ_１）ｐｐｍ．

《実施例１２：ベンジル−ジメチル−ホスホネート末端を有する第１世代デンドリマーの合成》

ジクロロチオホスフィン末端を有する第１世代デンドリマーＧｃ_１（０．１０９ｍｍｏｌ，２００ｍｇ）をＴＨＦ（２ｍＬ）の溶液に入れる。炭酸セシウム（２．６ｍｍｏｌ，８５３ｍｇ）及び４−ヒドロキシ−ベンジル−ジメチル−ホスホネート（１．３ｍｍｏｌ，２８２ｍｇ）をこの溶液に添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておく。濾過後、試料を真空下に置き、白色粉末を得て、これをペンタン／エーテル混合物（１／１）で洗浄する。最終生成物を収率７３％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．２（ｓ，Ｐ_１）；３１．９（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１２．３（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（（ＣＤ_３）_２ＣＯ）：δ＝３．１５（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２１．５Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_２）；３．３２（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３．５８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．９Ｈｚ，７２Ｈ，Ｐ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_３）；６．９０−７．９０（ｍ，７８Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（（ＣＤ_３）_２ＣＯ）：δ＝３１．８５（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３６．４Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；３３．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１６．８Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；５２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ_３）；１２１．９（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２及びＣ_１ ^２）；１２９．１（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３０．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝８．６Ｈｚ，Ｃ_１ ^４）；１３１．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．１８Ｈｚ，Ｃ_１ ^３）；１３３．３（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１４０．４（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１４．０４Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１５０．３（ｂｒｏａｄｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．８Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５２．０（ｂｒｏａｄｄ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例１３：ベンジル−ジメチル−ホスホネート末端を有する第２世代デンドリマーの合成》

ジクロロチオホスフィン末端を有する第２世代デンドリマーＧｃ_２（０．０２ｍｍｏｌ，１００ｍｇ）をＴＨＦ（２ｍＬ）の溶液に入れる。炭酸セシウム（１．５ｍｍｏｌ，４９０ｍｇ）及び４−ヒドロキシ−ベンジル−ジメチル−ホスホネート（０．５３ｍｍｏｌ，１１３ｍｇ）をこの溶液に添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておく。濾過後、試料を真空下に置き、白色粉末を得て、これをペンタン／エーテル混合物（１／１）で洗浄する。最終生成物を収率７８％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．０（ｓ，Ｐ_２）；６５．９（ｓ，Ｐ_１）；３１．８（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１１．８（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤ_３）_２ＣＯ）：δ＝３．１５（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２２．２Ｈｚ，４８Ｈ，ＣＨ_２）；３．２５（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１１．２Ｈｚ，５４Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，２）；３．５５（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．８Ｈｚ，１４４Ｈ，Ｐ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_３）；６．７０−７．９０（ｍ，１８６Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．１（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３８．６Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；３３．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．２Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，２）；５２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ_３）；１２１．４（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．５（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２１．６（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．５Ｈｚ，Ｃ_２ ^２）；１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３）；１２８．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝８．９Ｈｚ，Ｃ_２ ^４）；１３０．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．５Ｈｚ，Ｃ_２ ^３）；１３２．１（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３２．３（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３８．６（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．７Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｍｅ）−Ｐ_２）；１３９．１（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１２．８Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｍｅ）−Ｐ_１）；１４９．６（ｄｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．１Ｈｚ，^５Ｊ_ＣＰ＝３．８Ｈｚ，Ｃ_２ ^１）；１５１．１（ｓ，Ｃ_０ ^１）；１５１．２（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．６Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．

《実施例１４：ベンジル−ジメチル−ホスホネート末端を有する第３世代デンドリマーの合成》

ジクロロチオホスフィン末端を有する第３世代デンドリマーＧｃ_３（０．０１４ｍｍｏｌ，１５０ｍｇ）をＴＨＦ（２ｍＬ）の溶液に入れる。炭酸セシウム（１．４ｍｍｏｌ，４６０ｍｇ）及び４−ヒドロキシ−ベンジル−ジメチル−ホスホネート（０．７１ｍｍｏｌ，１５３ｍｇ）をこの溶液に添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておく。濾過後、試料を真空下に置き、白色粉末を得て、これをペンタン／エーテル混合物（１／１）で洗浄する。最終生成物を収率８０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．０（ｓ，Ｐ_{１，２，３}）；３１．９（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１１．５（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３．０３（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２１．５Ｈｚ，９６Ｈ，ＣＨ_２）；３．２３（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．７Ｈｚ，１２６Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_{１，２，３}）；３．５４（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．８Ｈｚ，２８８Ｈ，Ｐ（Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_３）；６．７０−７．９０（ｍ，４０２Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３１．８（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１２２．５Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；３３．１（ｓ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_{１，２，３}）；５２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．４Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ_３）；１２１．２（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２１．５（ｓ，Ｃ_３ ^２）；１２１．７（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_２ ^２，Ｃ_０ ^２）；１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３，Ｃ_２ ^３）；１２８．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１０．１Ｈｚ，Ｃ_３ ^４）；１３０．５（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３０．６（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３０．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．２Ｈｚ，Ｃ_３ ^３）１３２．２（ｓ，Ｃ_２ ^４）；１３８．７（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．６Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｍｅ）−Ｐ_{１，２，３}）；１４８．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１）；１４９．６（ｄｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝４．３Ｈｚ，^５Ｊ_ＣＰ＝４．３Ｈｚ，Ｃ_３ ^１）；１５１．２（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．１Ｈｚ，Ｃ_１ ^１，Ｃ_２ ^１）ｐｐｍ．

《実施例１５：ベンジル−ホスホノ末端を有する第１世代デンドリマーの合成》
工程１：ベンジルホスホン酸末端を有するデンドリマー

実施例１２で得たベンジル−ジメチル−ホスホネート末端を有する第１世代デンドリマー（４００ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（１ｍＬ）の溶液に入れる。混合物を０°Ｃまで冷却し、次いでブロモトリメチルシラン（３８６μｌ，２．９ｍｍｏｌ）すなわちメチル末端につき１．２当量のシランをゆっくり添加する。混合物を室温で１６時間放置する。次いで試料を真空下に２時間置く。粉末を得た後、無水メタノール（１ｍＬ）を添加し、懸濁液を２時間撹拌し、最後に生成物を真空下に更に１時間置く。得られた粉末を水で及びエーテルで数回洗浄する。最終生成物を収率７０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ^６）：δ＝６６．１（ｓ，Ｐ_１）；２５．２（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）；１１．７（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＤＭＳＯｄ^６）：δ＝２．８９（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２０．７Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_２）；３．２２（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；４．０−５．２（ｍ，２４Ｈ，−ＰＯ_３Ｈ_２）；６．７０−７．９０（ｍ，７８Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ^６）：δ＝３２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．３Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ）；３４．３（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３２．７Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）；１２０．４（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２０．９（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３０．９（ｄ，Ｃ_１ ^３，^２Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ）；１３１．１（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３２．１（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３９．８（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１０．８Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４８．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５０．４（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

工程２：ベンジル−ホスホン酸ナトリウム塩末端を有するデンドリマー

前工程で得たデンドリマーを滴定したソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，１２ｅｑ．）に溶解する。得られた溶液をミリポアフィルターで濾過し、次いで凍結乾燥する。ベンジルホスホン酸モノナトリウム塩末端を有する第１世代デンドリマーを白色粉末の形態で収率８９％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１ＭＨｚ）：δ＝１２．０（ｓｌ，Ｎ_３Ｐ_３），２１．３（ｓｌ，Ｐ＝Ｏ），６５．８（ｍ，Ｐ＝Ｓ）．

《実施例１６：ベンジル−ホスホノ末端を有する第２世代デンドリマーの合成》

実施例１３で得たベンジル−ジメチル−ホスホネート末端を有する第２世代デンドリマー（１３０ｍｇ，０．０１４ｍｍｏｌ）を、アセトニトリル（１ｍＬ）の溶液に入れる。混合物を０°Ｃまで冷却し、次いでブロモトリメチルシラン（１０１μｌ，０．７６ｍｍｏｌ）すなわちメチル末端につき１．２当量のシランをゆっくり添加する。混合物を室温で１６時間放置する。次いで試料を真空下に２時間放置する。粉末を得た後、無水メタノール（１ｍＬ）を添加し、懸濁液を２時間撹拌し、最後に生成物を更に１時間真空下に置く。得られた粉末を水で及びエーテルで数回洗浄する。最終生成物を収率６３％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６／Ｄ_２Ｏ）：δ＝６６．１（ｓ，Ｐ_１，２）；２５．５（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）；１１．９（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＤＭＳＯｄ６／Ｄ_２Ｏ）：δ＝２．９５（ｂｒｏａｄｓ，４８Ｈ，ＣＨ_２）；３，４０−３．７５（ｍ，５４Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，２）；６．５０−７．３０（ｍ，１８６Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６／Ｄ_２Ｏ）：δ＝３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．５Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，２）；３４．５（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３３．７Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）；１１９．５（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２０．４（ｓ，Ｃ_２ ^２）；１２１．４（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３）；１３１．０（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_２ ^４，Ｃ_２ ^３）；１３２．１（ｓ，Ｃ_０ ^４，Ｃ_１ ^４）；１４０．３（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１１．１Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４８．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．６Ｈｚ，Ｃ_２ ^１）；１５０．３（ｓ，Ｃ_０ ^１）；１５０．７（ｓ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．０Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．

《実施例１７：ベンジル−ホスホノ末端を有する第３世代デンドリマーの合成》

実施例１４で得たベンジル−ジメチル−ホスホネート末端を有する第３世代デンドリマー（２００ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（１ｍＬ）の溶液に入れる。混合物を０°Ｃまで冷却し、次いでブロモトリメチルシラン（１４６μｌ，１．０９ｍｍｏｌ）すなわちメチル末端につき１．１当量のシランをゆっくり添加する。混合物を室温で１６時間放置する。次いで、試料を真空下に２時間置く。粉末を得た後、無水メタノール（１ｍＬ）を添加する。懸濁液を２時間撹拌し、最後に生成物をさらに１時間真空下に置く。得られた粉末を水で及びエーテルで数回洗浄する。最終生成物を収率８１％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝６６．１（ｓ，Ｐ_{１，２，３}）；２５．１（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）；１１．７（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝２．９４（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２３．１Ｈｚ，９６Ｈ，ＣＨ_２）；３．１０−３．４０（ｍ，１２６Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_{１，２，３}）；５．２−６．２（ｍ，９６Ｈ，−ＰＯ_３Ｈ_２）；７．００−８．１０（ｍ，４０２Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．２Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_{１，２，３}）；３４．５（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３２．１Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）；１１９．５（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２０．４（ｓ，Ｃ_３ ^２）；１２０．６（ｓ，Ｃ_２ ^２）；１２１．４（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３，Ｃ_２ ^３）；１３１．０（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_３ ^４，Ｃ_３ ^３）；１３２．１（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^４，Ｃ_１ ^４，Ｃ_２ ^４）；１４０．３（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１０．４Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４８．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．２Ｈｚ，Ｃ_３ ^１）；１５０．６（ｂｒｏａｄｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，Ｃ_０ ^１，Ｃ_１ ^１，Ｃ_２ ^１）ｐｐｍ．

《実施例１８： α−ヒドロキシ−ジメチルホスホネート末端を有する第０世代デンドリマー（Ｐ_３Ｎ_３核）の合成》

蒸留トリエチルアミン（５μｌ又は０．４２ｘ１０^−３ｍｏｌ）及び亜リン酸ジメチル（１９６μＬ又は２．１ｘ１０^−３ｍｏｌ）（−ＣＨＯにつき１当量）を、３０１ｍｇのＰ_３Ｎ_３（ＯＣ_６Ｈ_４−ＣＨＯ）_６（０．３５ｍｍｏｌ）／１ｍｌＴＨＦ溶液に添加する。混合物を１２時間撹拌しておく。得られたペースト状物を次いでＴＨＦ／Ｅｔ_２Ｏ混合物１／１で洗浄して、白色粉末を得る。最終生成物を収率７８％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝１１．５（ｓ，Ｐ_０），２７．２（ｓ，Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ_３）_２）ｐｐｍ．

《実施例１９： α−ヒドロキシ−ホスホン酸末端を有する第０世代デンドリマの合成》

α−ヒドロキシ−ジメチルホスホネート末端を有する実施例１８の第０世代デンドリマー（４．７８ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，７２ｍｇ）を０°Ｃでトリエチルアミン（０．２８８ｍｍｏｌ，１０．２５μＬ）を含むアセトニトリル（４ｍＬ）に懸濁する。次いで臭化トリメチルシラン（０．８６ｍｍｏｌ，１１５μＬ）を０°Ｃでゆっくり添加し、混合物を６時間にわたりゆっくり室温まで戻し、次いで無水メタノール（１ｍＬ）を添加する。２時間撹拌後、反応混合物を減圧下に乾燥する。次いで粉末を最小量の水に３０分間激しく撹拌して懸濁する。濾過後、生成物を乾燥し、次いでエーテルで十分に洗浄する。好ましくは、可溶性のデンドリマーを得るために、最終デンドリマーを完全に脱溶媒和してはならない。最終生成物を収率６０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝１１．３（ｓ，Ｐ_０），２２．０（ｍ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）ｐｐｍ．
ＩＲ： u（ＣＨＯ）無しａｔ１６７０ｃｍ^−１；u（ＯＨ）ａｔ３２７１ｃｍ^−１．

《実施例２０：ベンジル−ジメチル−ホスホネート末端を有する第０世代デンドリマーの合成》

炭酸セシウム（１．３ｍｍｏｌ，４２７ｍｇ）及び４−ヒドロキシ−ベンジル−ジメチル−ホスホネート（０．６５ｍｍｏｌ，１４１ｍｇ）を、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン（０．１０９ｍｍｏｌ，３８ｍｇ）／２ｍＬＴＨＦ溶液に添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておく。濾過後、試料を真空下に置き、白色粉末を得て、これをペンタン／エーテル混合物（１／１）で洗浄する。最終生成物を収率６１％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１２．２（ｓ，Ｐ_０）；３１．８（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）ｐｐｍ．

《実施例２１：ベンジル−ホスホノ末端を有する第０世代デンドリマーの合成》

実施例２０のベンジル−ジメチル−ホスホネート末端を有する第０世代デンドリマー（１２６ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（１ｍＬ）の溶液に入れる。混合物を０°Ｃまで冷却し、次いでブロモトリメチルシラン（１９８μｌ，１．４５ｍｍｏｌ）すなわちメチル末端につき１．２当量のシランをゆっくり添加する。混合物を室温で１６時間放置し、次いで試料を２時間真空下に置く。粉末を得た後、無水メタノール（１ｍＬ）を添加し、懸濁液を２時間撹拌し、最後に生成物を更に１時間真空下に置く。得られた粉末を水で及びエーテルで数回洗浄する。最終生成物をで収率７９％単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ６）：δ＝１１．８（ｓ，Ｐ_０）；２５．１（ｍ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）ｐｐｍ．

《実施例２２：（４−ヒドロキシ−２−ニトロフェニルアミノ）メチル−ジメチルホスホネートの合成》

５００ｍｇの２−ニトロ−４−ヒドロキシ−アニリン、１ｍＬの３７％ホルムアルデヒド水溶液及び１．２ｍＬの亜リン酸ジメチルを室温で混合する。得られた赤色溶液を室温で９６時間撹拌する。粗製残渣を直接にシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジエチルエーテル次いで酢酸エチル）によって精製する。カラムクロマトグラフィー後に得た赤色残渣を３００ｍＬの酢酸エチルに溶解し、次いで５０ｍＬの水で洗浄する。次いで有機相を硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで蒸発乾固して、期待生成物を赤色粉末の形態で収率７１％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（アセトン）：δ＝２８．７（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（アセトン）：δ＝３．８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．８Ｈｚ，６Ｈ，−ＯＭｅ）；３．９０（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１２．６Ｈｚ，２Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−Ｐ）；５．９（ｂｒｏａｄｓ，１Ｈ，−ＮＨ）；７．０−８．０（ｍ，３Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（アセトン）：δ＝３８．５（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５４．７Ｈｚ，ＣＨ_２）；５２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．０Ｈｚ，ＯＭｅ）；１１０．１（ｓ，Ｃ_ａｒｏｍ）；１１６．５（ｓ，Ｃ_ａｒｏｍ）；１２６．８（ｓ，Ｃ_ａｒｏｍ）；１３２．６（ｓ，Ｃ_ａｒｏｍ）；１３９．８（ｓ，Ｃ_ａｒｏｍ）；１４８．３（ｓ，Ｃ_ａｒｏｍ）ｐｐｍ．
［Ｍ＋Ｎａ］^＋＝２９９．２ｇ．ｍｏｌ^−１．

《実施例２３：シクロトリホスファゼン核を有し２−ニトロフェニルアミノメチル−ジメチルホスホネート表面を有する第１世代デンドリマーの合成》

実施例２２のフェノール（４−ヒドロキシ−２−ニトロフェニルアミノ）メチル−ジメチル−ホスホネート９０ｍｇを室温でＴＨＦ中のＮａＨ（７ｍｇ）の懸濁液に添加する。１時間撹拌後、３０ｍｇのＧｃ_１デンドリマーを５ｍＬ無水ＴＨＦ中の溶液で添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いでセライトで濾過し、塩を分離するために最終混合物を遠心分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率８２％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．１（ｓ，Ｐ_１）；２８．６（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１１．９（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３．６（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１４．６Ｈｚ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３．７８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，７２Ｈ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；３．９（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１２．６Ｈｚ，２４Ｈ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；７．０−８．１（ｍ，６６Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．

《実施例２４：シクロトリホスファゼン核を有しアリルアミンに由来するアザ−モノ−ホスホノ表面を有する第１世代デンドリマーの合成》
工程１：リン含有デンドリマーの表面上にあるアリルイミン

アリルアミン（４００μＬ，６６ｅｑ．，５．３３ｍｍｏｌ）及び数グラムのＭｇＳＯ_４をＧｃ’１（２３０ｍｇ，８０．５μｍｏｌ）／ＣＨ_２Ｃｌ_２（１０ｍＬ）溶液に添加する。懸濁液を室温で２４時間撹拌し、次いで１０ｍＬのＣＨ_２Ｃｌ_２で希釈して、濾過する。固体を１０ｍＬのＣＨ_２Ｃｌ_２ですすぎ洗いし、溶液を減圧下に蒸発させる。粘性のある残渣をエーテルで洗浄し、次いでＴＨＦ／ペンタン混合物で及びアセトニトリルで洗浄する。得られた固体をＣＨ_２Ｃｌ_２中に可溶化し、次いで溶液を濾過し、減圧下に濃縮して、Ｎ−アリルアミン表面を有するデンドリマーを淡黄色粉末の形態で収率７５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１１．７（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；６５．３（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．
^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝３．２５（ｄ，１８Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，ＮＣＨ_３）；４．１９（ｄ，２４Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．６Ｈｚ，ＣＨ_２ＣＨ＝）；５．２１（ｍ，２４Ｈ，ＣＨ_２＝）；６．０２（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ＝）；６．９８（ｄ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．５Ｈｚ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．２１（ｍ，２４Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．６０（ｍ，４２Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ及びＣＨ＝ＮＮ）；８．１７（ｂｓ，１２Ｈ，ＣＨ＝Ｎ）．

工程２：モノホスホネート末端を有する第１世代リン含有デンドリマー

亜リン酸ジメチル（１ｍＬ，１０．９ｍｍｏｌ）を大過剰（２０５ｅｑ．）でＮ−アリルイミン末端基を有するデンドリマー（２００ｍｇ，６０．４μｍｏｌ）（溶媒なし）に添加する。得られた溶液を室温で７２時間撹拌し、次いで２ｍＬのＴＨＦで希釈する。大容量のペンタンを添加することによってデンドリマーを沈殿させ、得られた固体をＴＨＦ／ペンタン混合物で２回次いでエーテルで３回洗浄し、次いで乾燥して、白色粉末を収率７０％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１１．５（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；２８．９（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；６５．６（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２５０．１３ＭＨｚ）：δ＝２．９０−３．０１（ｍ，１２Ｈ，ＣＨＨＮ）；３．１０−３．２０（ｍ，１２Ｈ，ＣＨＨＮ）；３．３０（ｄ，１８Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．１Ｈｚ，ＮＣＨ_３）；３．６８（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．７８（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１１．９Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；４．０６（ｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＰ＝１９．８Ｈｚ，ＰＣＨ）；５．０８（ｍ，２４Ｈ，ＣＨ_２＝）；５．７８（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ＝）；７．０４（ｄ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．３Ｈｚ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．１９（ｄ，２４Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．９Ｈｚ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．３５（ｄ，２４Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．９Ｈｚ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．６１（ｍ，１８Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ，ＣＨ＝Ｎ）．

工程３ａ：モノホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第１世代リン含有デンドリマー

１３当量のＨＣｌ１Ｍ／エーテルを、０°Ｃでアルゴン流下に、ジメチルホスホネート末端基を有するデンドリマー（２２０ｍｇ，４６．９μｍｏｌ）／アセトニトリル溶液に添加する。不均一な溶液を室温で２時間撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。残渣を蒸留アセトニトリルに懸濁し、３０当量のブロモトリメチルシランを０°Ｃでアルゴン下に添加する。溶液を室温で２０時間撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。５ｍＬのメタノールを添加し、混合物を２時間激しく撹拌する。メタノールを減圧下に除去し、残渣を蒸留エーテルで次いで水及びメタノールで洗浄する。固体を減圧下に乾燥して、粉末を得る。ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，１２ｅｑ．）を固体にゆっくり添加する。得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。アミノホスホン酸末端基を有するデンドリマーを白色粉末の形態で収率６５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１．０１ＭＨｚ）：１２．１（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３），１４．５（ｓ，Ｐ＝Ｏ），６６．７（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．

工程３ｂ：同じ化合物を次の代替方法に従って得ることができる：
３６当量のＮ（Ｅｔ）_３（１１８μＬ，０．８４６ｍｍｏｌ）次いで９０当量（２８０μＬ，２．１１ｍｍｏｌ）のブロモトリメチルシランを、０°Ｃでアルゴン流下に、工程２で得たジメチルＮ−アリルホスホネート末端基を有するデンドリマー（１１０ｍｇ，２３．５μｍｏｌ）／ＣＨ_３ＣＮ／ＣＨ_２Ｃｌ_２混合物（５／５ｍＬ）溶液に添加する。溶液を室温で２０時間撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。３ｍＬのメタノールを添加し、混合物を２時間激しく撹拌する。メタノールを減圧下に除去して、残渣を蒸留エーテルで、次いで水及びメタノールで洗浄する。固体を減圧下に乾燥して、粉末を得る。ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，１２ｅｑ．）を固体にゆっくり添加する。得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。アミノホスホン酸末端基を有するデンドリマーを白色粉末の形態で得る。

《実施例２５：シクロトリホスファゼン核を有しベンジルアミンに由来するアザ−モノ−ホスホノ表面を有する第１世代デンドリマーの合成》
工程１：リン含有デンドリマー表面にあるベンジルイミン

ベンジルアミン（４５０μＬ，３８ｅｑ，４．１ｍｍｏｌ）及び４グラムのＭｇＳＯ_４を、Ｇｃ’１（３１０ｍｇ，１０８μｍｏｌ）／ＣＨ_２Ｃｌ_２（１５ｍＬ）溶液に添加する。懸濁液を室温で２４時間撹拌し、次いで１０ｍＬのＣＨ_２Ｃｌ_２で希釈して、濾過する。固体を１０ｍＬのＣＨ_２Ｃｌ_２ですすぎ洗いし、溶液を減圧下に蒸発させる。粘性のある残渣をエーテルで、次いでＴＨＦ／ペンタン混合物で及びアセトニトリルで洗浄する。得られた固体をＣＨ_２Ｃｌ_２中に可溶化し、次いで得られた溶液を濾過し、減圧下に濃縮して、淡黄色固体を収率９２％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１１．８（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；６５．３（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝３．２０（ｄ，１８Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，ＮＣＨ_３）；４．７５（ｓ，２４Ｈ，ＣＨ _２Ｐｈ）；６．９８（ｄ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．３０（ｍ，８４Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ及びＣ_６Ｈ_５）；７．６４（ｓ，６Ｈ，ＣＨ＝ＮＮ）；７．６５（ｄ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．８Ｈｚ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）；７．６８（ｄ，２４Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；８．２７（ｓ，１２Ｈ，ＣＨ＝Ｎ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，５０．３ＭＨｚ）：δ＝３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．１Ｈｚ，ＮＭｅ）；６４．０（ｓ，ＮＣＨ_２）；１２１．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝４．５Ｈｚ，Ｃ_０ ^２及びＣ_１ ^２）；１２７．１（ｓ，Ｃ_ｐ）；１２７．９（ｓ，Ｃ_ｍ）；１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２８．５（ｓ，Ｃ_ｏ）；１２９．６（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３２．０（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３３．６（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３８，８（ｂｓ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ）；１３９．１（ｓ，Ｃ_ｉ）；１５１．２（ｂｓ，Ｃ_０ ^１）；１５２．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．５Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１６０．５（ｓ，ＣＨ＝Ｎ）．

工程２ａ：ジメチルベンジルアミノモノ−ホスホネート表面を有するデンドリマー

次いで亜リン酸ジメチル（１ｍＬ，１０．９ｍｍｏｌ）を大過剰（１９５ｅｑ）で前記のＮ−ベンジルイミン末端基を有するデンドリマー（２１０ｍｇ，５３μｍｏｌ）（溶媒なし）に添加する。得られた溶液を室温で７２時間撹拌し、次いで２ｍＬのＴＨＦで希釈する。大容量のペンタンの添加によって、デンドリマーを沈殿させ、得られた固体をＴＨＦ／ペンタン混合物で２回次いでエーテルで３回洗浄する。減圧下に乾燥後、白色固体を収率６１％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１１．５（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；２８．７（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；６５．６（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝２．１７（ｂｓ，１２Ｈ，ＮＨ）；３．３０（ｄ，１８Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．２Ｈｚ，ＮＭｅ）；３．４６（ｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３．６Ｈｚ，ＮＣＨＨ）；３．４７（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．６５（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．７１（ｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３．６Ｈｚ，ＮＣＨＨ）；３．９８（ｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＰ＝２０．８Ｈｚ，ＰＣＨ）；７．０４（ｄ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．５Ｈｚ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．２５（ｍ，８４Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ及びＣ_６Ｈ_５）；７．３１（ｄ，２４Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．８Ｈｚ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．６０（ｓ，６Ｈ，ＣＨ＝Ｎ）；７．６１（ｄ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．５Ｈｚ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，６２．８９ＭＨｚ）：δ＝３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．３Ｈｚ，ＮＭｅ）；５１．１（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１７．０Ｈｚ，ＮＣＨ_２）；５３．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５８．５（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５４．２Ｈｚ，ＰＣＨ）；１２１．２（ｂｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．４（ｂｓ，Ｃ_１ ^２）；１２７．２（ｓ，Ｃ_ｐ）；１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３及びＣ_ｍ）；１２８．４（ｓ，Ｃ_ｏ）；１２９．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝５．５Ｈｚ，Ｃ_１ ^３）；１３２．１（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３２．６（ｂｓ，Ｃ_１ ^４）；１３８．９（ｂｓ，ＣＨ＝Ｎ及びＣ_ｉ）；１５０．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．９Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５１．３（ｂｓ，Ｃ_０ ^１）．

工程２ｂ：同じ化合物を下記の代替方法に従って得ることができる。
１２．２当量（５００ｍｇ，１．５５ｍｍｏｌ）の実施例５０の工程１で合成した官能化フェノール（アセトニトリル又はＴＨＦ中に可溶化）及び１５当量（６２３ｍｇ，１．９１ｍｍｏｌ）のＣｓ_２ＣＯ_３を、Ｓ＝ＰＣｌ_２末端基を有するＧｃ１デンドリマー（２３３ｍｇ，０．１２７ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ又はアセトニトリル溶液に添加する。得られた懸濁液を撹拌して、塩素原子を完全に置換する（^３１Ｐ及び^１ＨＮＭＲでモニタリング）。混合物をデカントし、上澄み液を集めて、残渣固体をＴＨＦで洗浄する。上澄み液を合わせて遠心分離する。得られた透明溶液を減圧下に濃縮する。残渣を最小量のＴＨＦに溶解し、次いでペンタンで沈殿させ、最後に洗浄（ＴＨＦ／ペンタン及びＴＨＦ／Ｅｔ_２Ｏ）により精製して、白色固体を収率９２％で得る。
この生成物の特性は前記の工程２に与えられる。

工程３ａ：モノホスホン酸（Ｎａ塩）表面を有する第１世代リン含有デンドリマー

１３当量のＨＣｌ１Ｍ／エーテル（０．５４５ｍＬ，０．５４ｍｍｏｌ）を、０°Ｃでアルゴン流下に、前記工程２ａ又は２ｂで得たジメチルホスホネート末端基を有するデンドリマー（２２０ｍｇ，４１．９μｍｏｌ）／アセトニトリル溶液に添加する。不均一な溶液を室温で２時間撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。残渣を蒸留アセトニトリルに懸濁し、３０当量（８２μＬ，０．６２８ｍｍｏｌ）のブロモトリメチルシランを０°Ｃでアルゴン下に添加する。溶液を室温で２０時間撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。５ｍＬのメタノールを添加し、混合物を２時間激しく撹拌する。メタノールを減圧下に除去し、残渣を蒸留エーテルで、次いで水及びメタノールで洗浄する。固体を減圧下に乾燥し、粉末を得る。ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，２．５５ｍＬ，１２ｅｑ．）を固体にゆっくり添加する。得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。アミノホスホン酸末端基を有するデンドリマーを白色粉末の形態で収率６５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１．０１ＭＨｚ）：１２．３（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３），１４．６（ｓ，Ｐ＝Ｏ），６６．６（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，２００．１３ＭＨｚ）：３，３９−３．６５（ｍ，３０Ｈ，ＣＨ_２Ｐｈ及びＮＣＨ_３）；３．８６（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ_２Ｐｈ）；４．０３（ｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＰ＝１７Ｈｚ，ＰＣＨ）；６．９１（ｍ，１２Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．２５（ｍ，２４Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．３８（ｍ，６０Ｈ，Ｃ_６Ｈ_５）；７．５７（ｍ，３０Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ及びＣＨ＝Ｎ），７．９７（ｂｓ，１２Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）．

工程３ｂ：同じ化合物を下記の代替方法に従って得ることができる。
３６当量のＮ（Ｅｔ）_３（１０６μＬ，０．７５５ｍｍｏｌ）次いで９０当量（２５０μＬ，１．８９ｍｍｏｌ）のブロモトリメチルシランを、０°Ｃでアルゴン流下に、前記工程２又は２ｂで得たジメチルホスホネート末端基を有するデンドリマー（１１０ｍｇ，２０．９μｍｏｌ）／ＣＨ_３ＣＮ／ＣＨ_２Ｃｌ_２混合物（５／５ｍＬ）溶液に添加する。溶液を室温で２０時間撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。３ｍＬのメタノールを添加し、混合物を２時間激しく撹拌する。メタノールを減圧下にに除去し、残渣を蒸留エーテルで、次いで水及びメタノールで洗浄する。固体を減圧下に乾燥し、粉末を得る。ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，１．２８ｍＬ，１２ｅｑ．）を固体にゆっくり添加する。得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。アミノホスホン酸末端基を有するデンドリマーを白色粉末の形態で得る。その特性は前記工程３に与えられる。

工程３ｃ：同じ化合物を下記のもう一つの代替方法に従って得ることができる。

２０当量（３６０μＬ，１．０１９ｍｍｏｌ）のＰ（ＯＳｉＭｅ_３）_３及び１２当量のＣｌＴＭＳ（８０μＬ，０．６１ｍｍｏｌ）を、前記工程１で得たイミン末端基を有するデンドリマー（２００ｍｇ，５０．９μｍｏｌ）／５ｍＬのジクロロメタン又は無水クロロホルム溶液に添加する。溶液を室温で撹拌するか又は５０°Ｃまで加熱して、前記イミンを完全に消失させる（２４〜９６時間、^３１Ｐ及び^１ＨＮＭＲでモニタリング）。シリル化生成物を単離しないが、^３１ＰＮＭＲによって確認する。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：９．２（ｓ，Ｏ＝Ｐ（ＯＳｉＭｅ_３）_２），１１．４（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３），６６．２（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．
そのあと反応混合物を減圧下に濃縮し、次いで５ｍＬのメタノールを添加して、懸濁液を２時間激しく撹拌する。メタノールを蒸発させ、残渣を蒸留水で洗浄する（洗浄水がｐＨ＝約６になるまで）。固体を３回の５ｍＬの蒸留エーテルで洗浄し、次いで真空下に乾燥する。ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，３．１１ｍＬ，１２ｅｑ．）を固体に添加し、得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。アミノホスホン酸末端基を有するデンドリマーを白色粉末の形態で収率８７％で得る。その特性は前記工程３に与えられる。

《実施例２６：シクロトリホスファゼン核を有しメチルアミンに由来するアザ−モノ−ホスホノ表面を有する第１世代デンドリマーの合成》
工程１：第１世代リン含有デンドリマーの表面にあるメチルイミン

メチルアミン（８Ｍ／エタノール，１１０μＬ，１７．４ｅｑ，０．８８ｍｍｏｌ）及び２グラムのＭｇＳＯ_４を、Ｇｃ’１（１４５ｍｇ，５０．７μｍｏｌ）／ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に添加する。懸濁液を室温で２４時間撹拌し、次いで濾過する。固体を１０ｍＬのＴＨＦですすぎ洗いし、溶液を減圧下に蒸発させる。粘性のある残渣をエーテルで次いでＴＨＦ／ペンタン混合物で洗浄する。得られた固体をＣＨ_２Ｃｌ_２に可溶化し、得られた溶液を次いで濾過し、減圧下に濃縮して、白色固体を収率１００％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１１．７（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；６５．２（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝３．２４（ｄ，１８Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，ＮＮＣＨ_３）；３．４４（ｂｓ，３６Ｈ，ＮＭｅ）；６．９７（ｄ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．５Ｈｚ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．２１（ｄ，２４Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．５Ｈｚ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．５８（ｍ，４２Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ及びＣＨ＝ＮＮ）；８．１６（ｂｓ，１２Ｈ，ＣＨ＝ＮＭｅ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，６２．８９ＭＨｚ）：δ＝３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１３．０Ｈｚ，ＮＮＣＨ_３）；４８．２（ｓ，ＮＣＨ_３）；１２１．５（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．６（ｄ，^４Ｊ_ＣＰ＝３．８Ｈｚ，Ｃ_１ ^２）；１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２９．２（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３１．９（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３３．６（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３９．０（ｍ，ＣＨ＝ＮＮ）；１５１．３（ｂｓ，Ｃ_０ ^１）；１５２．１（ｂｓ，Ｃ_１ ^１）；１６１．０（ｓ，ＣＨ＝ＮＭｅ）．

工程２：シリルホスホネート末端を有する第１世代リン含有デンドリマー

２０当量（４８１μＬ，１．４４ｍｍｏｌ）のＰ（ＯＳｉＭｅ_３）_３を、イミン末端基を有するデンドリマー（２１７ｍｇ，７２．０μｏｌ）／５ｍＬのジクロロメタン又は無水クロロホルム溶液に添加する。溶液を室温で撹拌するか又は５０°Ｃまで加熱して、イミンを完全に消失させる（２４〜９６時間、^３１Ｐ及び^１ＨＮＭＲでモニタリング）。この生成物を単離しないで、直接に次の工程に使用する。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｃ_６Ｄ_６，８１．０１ＭＨｚ）：９．０（ｓ，Ｏ＝Ｐ（ＯＳｉＭｅ_３）_２），１１．８（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３），６６．４（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．

前記工程２で得た反応混合物を減圧下に濃縮し、次いで５ｍＬのメタノールを添加し、懸濁液を２時間激しく撹拌する。メタノールを蒸発させ、残渣を蒸留水で洗浄する（洗浄水が約ｐＨ６になるまで）。固体を３回の５ｍＬ蒸留エーテルで洗浄し、次いで真空下に乾燥する。
ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，４．３９ｍＬ，１２ｅｑ）を固体に添加し、得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。アミノホスホン酸末端基を有するデンドリマーを白色粉末の形態で収率９２％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝８．９（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；１０．５（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；６５．１（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．

同じ生成物を次の代替方法によって得る事ができる：
工程２ａ：メチルホスホネート末端を有する第１世代リン含有デンドリマー

工程１で得たイミン末端基を有するデンドリマーを大過剰の亜リン酸ジメチルに可溶化する。均一な溶液を室温で７２時間撹拌し、次いで１０ｍＬの蒸留エーテルを添加する。デカンテーション後、溶媒を除去し、固体を３回の１０ｍＬエーテルで洗浄する。残渣を最小量のＴＨＦに可溶化し、次いでペンタンの添加によって沈殿させる。得られた固体減圧下に乾燥して、ジメチルＮ−（メチル）−メチルホスホネート末端基を有するデンドリマーを純粋に収率８０％（白色粉末）で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１１．５（ｓ）；２９．０（ｓ）；６５．２（ｓ）．

工程３ｂ：モノホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第１世代リン含有デンドリマー

４６当量のＢｒＴＭＳ（２３０μＬ）を、工程２ａで得た１６０ｍｇ（３７μｍｏｌ）のデンドリマー／アセトニトリル（５ｍＬ）溶液に０°Ｃでゆっくり添加する。溶液を次いで室温で２０時間撹拌する。溶媒を減圧下に蒸発させ、残渣を１０ｍＬのメタノールで処理する。メタノール中で１時間激しく撹拌後、固体を減圧下に乾燥する。ホスホン酸を２回の２０ｍＬ蒸留エーテルで洗浄する。溶媒を除去して、純粋なホスホン酸末端を有するデンドリマーを０．１９５５Ｍソーダ水溶液（２．３ｍＬ）でゆっくり処理する。均一な溶液を凍結乾燥して、Ｎ−（メチル）−メチルホスホン酸（モノナトリウム塩）末端基を有するデンドリマーを白色粉末の形態で定量的な収率で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝８．９（ｓ）；１０．５（ｓ）；６５．１（ｂｓ）．

《実施例２７：シクロトリホスファゼン核を有しベンジルアミンに由来するモノ−ホスホノ表面を有する第０世代デンドリマーの合成》
工程１：モノホスホネート表面を有する第０世代デンドリマー

炭酸セシウム（１．３ｇ，３．９９ｍｍｏｌ）及びジメチルフェノールアミノ−ホスホネート（１ｇ，３．１１ｍｍｏｌ）を、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン（Ｎ_３Ｐ_３Ｃｌ_６，１７５ｍｇ，０．５０２ｍｍｏｌ）／蒸留アセトニトリル（１０ｍＬ）溶液に添加する。懸濁液を室温で２４時間撹拌する。デカンテーション後、上澄み液にカニューレを挿入し、塩を１０ｍＬのＴＨＦで洗浄し、合わせた有機相を遠心分離する。上澄み液を集め、減圧下に濃縮する。残渣をＴＨＦ／ペンタン混合物で数回沈殿させ、次いで固体をエーテルで洗浄して、減圧下に乾燥する。生成物を白色粉末の形態で収率８７％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１１．３（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；２８．９（ｓ，Ｐ＝Ｏ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝２．２８（ｂｓ，６Ｈ，ＮＨ）；３．４３（ｄ，６Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３Ｈｚ，ＣＨＨＰｈ）；３．４８（ｄ，１８Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．２Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．６７（ｄ，１８Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．２Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．７３（ｄ，６Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３Ｈｚ，ＣＨＨＰｈ）；３．９８（ｄ，６Ｈ，^２Ｊ_ＨＰ＝１９．９Ｈｚ，ＰＣＨ）；７．２−７．５０（ｍ，５４Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，５０．３ＭＨｚ）：δ＝５０．９（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１７．２Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐｈ）；５３．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．５Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５６．４（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５４．５Ｈｚ，ＰＣＨ）；１２０．９（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２７．２（ｓ，Ｃ_ｐ）；１２８．２（ｓ，Ｃ_ｍ）；１２８．４（ｓ，Ｃ_ｏ）；１２９．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝５．９Ｈｚ，Ｃ_０ ^３）；１３２．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．９Ｈｚ，Ｃ_０ ^４）；１３８．９（ｓ，Ｃ_ｉ）；１５０．３（ｂｓ，Ｃ_０ ^１）．

工程２：ホスホン酸（Ｎａ塩）表面を有する第０世代デンドリマー

１８当量のＮ（Ｅｔ）_３次いで４５当量のブロモトリメチルシランを、０°Ｃでアルゴン流下に、前工程で得たジメチルホスホネート末端基を有するデンドリマー（２００ｍｇ，１ｅｑ）／ＣＨ_３ＣＮ／ＣＨ_２Ｃｌ_２混合物（５／５ｍＬ）溶液に添加する。溶液を室温で２０時間撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。３ｍＬのメタノールを添加し、混合物を２時間激しく撹拌する。メタノールを減圧下に除去し、残渣を蒸留エーテルで、次いで水及びメタノールで洗浄する。固体を減圧下に乾燥し、粉末を得る。ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，６ｅｑ．）を固体にゆっくり添加する。得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。アミノホスホン酸末端基を有するデンドリマーを白色粉末の形態で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１．０１ＭＨｚ）：１２．１（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３），１４．３（ｓ，Ｐ＝Ｏ）．

工程２ａ：同じ化合物を次の代替方法に従って得ることができる：
７当量のＨＣｌ１Ｍ／エーテルを、０°Ｃでアルゴン流下に、工程１で合成したジメチルホスホネート末端基を有するデンドリマー（２００ｍｇ，１ｅｑ）／アセトニトリル（５ｍＬ）溶液に添加する。不均一な溶液を室温で２時間撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。残渣を蒸留アセトニトリルに懸濁して、１５当量のブロモトリメチルシランをアルゴン下に０°Ｃで添加する。溶液を室温で２０時間撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。５ｍＬのメタノールを添加して、混合物を２時間激しく撹拌する。メタノールを減圧下に除去して、残渣を蒸留エーテルで、次いで水及びメタノールで洗浄する。固体を減圧下に乾燥して、粉末を得る。ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，６ｅｑ．）を固体にゆっくり添加する。得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。アミノホスホン酸末端基を有するデンドリマーを白色粉末の形態で収率６３％で得る。

《実施例２８：テトライソプロピル−ｇｅｍ−ジホスホネート表面を有する第１世代デンドリマーの合成》

Ｇｃ’_１デンドリマー（７．０ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，２００ｍｇ）をＣＨ_２Ｃｌ_２（１０ｍＬ）の溶液に入れ、次いでモノメチルヒドラジン（１．３ｍｍｏｌ，６６μＬ）を０°Ｃでテトライソプロピル−ビニル−ｇｅｍ−ジホスホネート（６５％だけで純粋であると理解して０．７ｇ）と同時に添加する；この添加は、不溶性のアグリゲート形成を避けるために同時に且つゆっくりでなければならない。添加が終わったら、混合物を室温で２４時間撹拌する。減圧下での溶媒蒸発とその後の５０ｍＬの純粋なペンタンでの３回の洗浄は、すべての反応副生成物及び出発テトライソプロピル−ビニル−ｇｅｍ−ジホスホネートに含有した不純物を除去することを可能にする。最終生成物を収率７０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．５（ｓ，Ｐ_１）；２３．５（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）；１１．９（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１．２９（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．１Ｈｚ，２８８Ｈ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ _３）_２）；２．９１（ｓ，３６Ｈ，Ｎ−Ｎ（ＣＨ _３）−ＣＨ_２−）；３．００（ｔｔ，^２Ｊ_ＨＰ＝２３．６Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．０Ｈｚ，１２Ｈ，−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；３．２３（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝８．８Ｈｚ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３．７８（ｄｔ，^３Ｊ_ＨＰ＝１４．７Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．２Ｈｚ，２４Ｈ，−ＣＨ _２−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；４．７４（ｈｅｐｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．１Ｈｚ，４８Ｈ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ_３）_２）；６．８−７．８（ｍ，９０Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ及びＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２３．７（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．１Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ _３）_２）；２３．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝２．５Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ _３）_２）；２４．０（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．０Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ _３）_２）；２４．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝２．９Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ _３）_２）；３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．７Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１），３７．７（ｔ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３２．２Ｈｚ，−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；３８．８（ｓ，Ｎ−Ｎ（ＣＨ _３）−ＣＨ_２−）；５５．１（ｓ，−ＣＨ _２−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；７０．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．６Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ_３）_２）；７１．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ_３）_２）；１２１．２（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２）；１２６．３（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２９．４（ｓ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｍｅ）−ＣＨ_２）；１３２．１（ｓ，Ｃ_０ ^４），１３４．５（ｓ，Ｃ_１ ^４），１３８．８（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｍｅ）−Ｐ_１），１４９．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．５Ｈｚ，Ｃ_１ ^１），１５１．１（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例２９：テトライソプロピル−ｇｅｍ−ジホスホネート表面を有する第２世代デンドリマーの合成》

Ｇｃ’_２デンドリマー（２．９ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，２００ｍｇ）をＣＨ_２Ｃｌ_２（１０ｍＬ）の溶液に入れ、次いでモノメチルヒドラジン（１．０５ｍｍｏｌ，５６μＬ）を０°Ｃでテトライソプロピル−ビニル−ｇｅｍ−ジホスホネート（６５％だけで純粋であると理解して０．５７５ｇ）と同時に添加する；この添加は、不溶性のアグリゲートの形成を避けるために同時に且つゆっくりでなければならない。添加が終わったら、混合物室温で２４時間撹拌する。減圧下での溶媒蒸発とその後１００ｍＬのペンタン／エーテル１／１での３回の洗浄は、すべての反応副生成物及び出発テトライソプロピル−ビニル−ｇｅｍ−ジホスホネートに含有した不純物を除去することを可能にする。最終生成物を収率７９％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．４（ｓ，Ｐ_２）；６６．１（ｓ，Ｐ_１）；２３．５（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）；１１．８（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１．２５（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．０Ｈｚ，５７６Ｈ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ _３）_２）；２．８７（ｓ，７２Ｈ，Ｎ−Ｎ（ＣＨ _３）−ＣＨ_２−）；２．９７（ｔｔ，^２Ｊ_ＨＰ＝２３．６Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．６Ｈｚ，２４Ｈ，−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；３．２４（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．５Ｈｚ，５４Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，２）；３．７４（ｄｔ，^３Ｊ_ＨＰ＝１３．９Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．２Ｈｚ，４８Ｈ，−ＣＨ _２−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；４．７１（ｈｅｐｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．９Ｈｚ，９６Ｈ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ_３）_２）；６．８−７．８（ｍ，２１０Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ及びＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２３．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．１Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ _３）_２）；２４．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．０Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ _３）_２）；３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．８Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，２），３８．３（ｔ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３２．１Ｈｚ，−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；３８．８（ｓ，Ｎ−Ｎ（ＣＨ _３）−ＣＨ_２−）；５５．２（ｓ，−ＣＨ _２−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；７０．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ_３）_２）；７１．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ_３）_２）；１２１．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２，Ｃ_２ ^２）；１２６．４（ｓ，Ｃ_２ ^３）；１２８．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３）；１２９．５（ｓ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｍｅ）−ＣＨ_２）；１３２．１（ｓ，Ｃ_０ ^４），１３２．４（ｓ，Ｃ_１ ^４），１３４．５（ｓ，Ｃ_２ ^４），１３８．７（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｍｅ）−Ｐ_１，２），１４９．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．４Ｈｚ，Ｃ_２ ^１），１５１．２（ｓ，Ｃ_０ ^１，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．

《実施例３０：テトライソプロピル−ｇｅｍ−ジホスホネート表面を有する第３世代デンドリマーの合成》
Ｇｃ’_３デンドリマー（１．３５ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，２００ｍｇ）をＣＨ_２Ｃｌ_２（１０ｍＬ）の溶液に入れ、次いでモノメチルヒドラジン（０．９７ｍｍｏｌ，５２μＬ）を０°Ｃでテトライソプロピル−ビニル−ｇｅｍ−ジホスホネート（６５％だけで純粋であると理解して０．５３２ｇ）と同時に添加する；この添加は、不溶性のアグリゲートの形成を避けるために同時に且つゆっくりでなければならない。添加が終わったら、混合物室温で２４時間撹拌する。減圧下での溶媒蒸発とその後の１００ｍＬのペンタン／エーテル１／１での３回の洗浄は、すべての反応副生成物及び出発テトライソプロピル−ビニル−ｇｅｍ−ジホスホネートに含有した不純物を除去することを可能にする。最終生成物を収率８０％で単離する。

ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．３（ｓ，Ｐ_３）；６６．０（ｓ，Ｐ_１，２）；２３．５（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）；１１．４（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１．２６（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．０Ｈｚ，１１５２Ｈ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ _３）_２）；２．８８（ｓ，１４４Ｈ，Ｎ−Ｎ（ＣＨ _３）−ＣＨ_２−）；２．９８（ｔｔ，^２Ｊ_ＨＰ＝２３．９Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．６Ｈｚ，４８Ｈ，−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；３．２６（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．５Ｈｚ，１２６Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_{１，２，３}）；３．７４（ｍ，９６Ｈ，−ＣＨ _２−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；４．７０（ｈｅｐｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．９Ｈｚ，１９２Ｈ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ_３）_２）；６．８−７．８（ｍ，４５０Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ及びＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２３．９（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝２．９Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ _３）_２）；２４．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝２．５Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ _３）_２）；３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．３Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_{１，２，３}），３８．４（ｔ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３２．３Ｈｚ，−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；３８．９（ｓ，Ｎ−Ｎ（ＣＨ _３）−ＣＨ_２−）；５５．２（ｓ，−ＣＨ _２−ＣＨ−（Ｐ（Ｏ）（ＯｉＰｒ）_２）_２）；７０．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ_３）_２）；７１．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，−Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ_３）_２）；１２１．４（ｓ，Ｃ_３ ^２）；１２１．８（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２，Ｃ_２ ^２）；１２６．４（ｓ，Ｃ_３ ^３）；１２８．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３，Ｃ_２ ^３）；１２９．６（ｓ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｍｅ）−ＣＨ_２）；１３１．３（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３２．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_１ ^４，Ｃ_２ ^４）；１３４．５（ｓ，Ｃ_３ ^４）；１３８．７（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ−Ｎ（Ｍｅ）−Ｐ_{１，２，３}）；１４９．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝８．１Ｈｚ，Ｃ_３ ^１）；１５１．２（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１，Ｃ_１ ^１，Ｃ_２ ^１）ｐｐｍ．

《実施例３１：チラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネートの合成》

チラミン（６ｇ，４３．７ｍｍｏｌ）及び亜リン酸ジメチル（１０．３２ｍｌ，１１２．５ｍｍｏｌ）を０°で混合し、次いで３７％ホルムアルデヒド水溶液（１２．６ｍｌ）をなお０°Ｃでゆっくり添加する。混合物を３０分間室温にし、電磁撹拌して１時間還流する。最後に粗製反応生成物を減圧下に置き、過剰のホルムアルデヒドを蒸発させる。生成物をクロロホルム／水混合物（４／１）（３ｘ１００ｍｌのクロロホルム）で抽出する。有機相を回収し、次いで溶離液としてアセトンを用いるシリカクロマトグラフィーにかける。最終生成物を収率６５％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３０．２（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．６８（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ，−ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．０５（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ，−ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ−）；３．２０（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−Ｐ）；３．７５（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，１２Ｈ，−ＯＭｅ）；６．６−７．１（ｍ，４Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）；８．１６（ｂｒｏａｄｓ，１Ｈ，−ＯＨ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．７（ｓ，Ｃ_５）；４９．４（ｄｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５８．５Ｈｚ，Ｃ_７）；５２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３Ｈｚ，Ｃ_８）；５８．８（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．５Ｈｚ，Ｃ_６）；１１５．４（ｓ，Ｃ_３）；１２９．８（ｓ，Ｃ_２）；１２９．８（ｓ，Ｃ_４）；１５５．９（ｓ，Ｃ_１）ｐｐｍ．

《実施例３２：４−ヒドロキシアニリンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネートの合成》

４−ヒドロキシアニリン（５ｇ，４６ｍｍｏｌ）及び亜リン酸ジメチル（１０．５ｍｌ，１１５ｍｍｏｌ）を０°Ｃで混合し、次いで３７％ホルムアルデヒド水溶液（１０．６ｍｌ）をなお０°Ｃでゆっくり添加する。混合物を３０分間で室温まで持って行き、電磁撹拌して１時間還流する。最後に粗製反応生成物を減圧下に置き、過剰のホルムアルデヒドを蒸発させる。生成物をクロロホルム／水混合物（４／１）（３ｘ１００ｍｌのクロロホルム）で抽出する。有機相を回収し、次いで溶離液としてアセトンを用いるシリカクロマトグラフィーにかける。最終生成物を収率３０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２９．８（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３．６７（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，１２Ｈ，−ＯＭｅ）；３．８４（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝５．７Ｈｚ，４Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−Ｐ）；６．６−６．９（ｍ，ＣＨ_ａｒｏｍ，４Ｈ）；８．０５（ｂｒｏａｄｓ，１Ｈ，−ＯＨ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝４７．６（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．１Ｈｚ，Ｃ_５）；５２．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．８Ｈｚ，Ｃ_６）；５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．３Ｈｚ，Ｃ_６）；１１５．８（ｓ，Ｃ_３）；１１７．３（ｓ，Ｃ_２）；１４１．０（ｓ，Ｃ_４）；１５０．９（ｓ，Ｃ_１）ｐｐｍ．

《実施例３３：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する第１世代デンドリマーの合成：》

炭酸セシウム（６．８９８ｍｍｏｌ，２．２５ｇ）をＧｃ_１デンドリマー（０．２７３ｍｍｏｌ，５００ｍｇ）／無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に添加し、次いで実施例３１で得たチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（３．４４９ｍｍｏｌ，１．３１ｇ）を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いで最終混合物をセライトで濾過して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率７０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６８．７（ｓ，Ｐ_１）；３１．９（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１３．７（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．６９（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．８Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；２．９９（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．８Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；３．１３（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．１７Ｈｚ，４８Ｈ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；３．２（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１１．８Ｈｚ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３．６７（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．２Ｈｚ，１４４Ｈ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；６．８−７．８（ｍ，７８Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３２．９５（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）４９．５（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．５Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；５２．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝４．０Ｈｚ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；５７．８（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１２０．８（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２０．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝４．１Ｈｚ，Ｃ_１ ^２）；１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２９．６（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３１．９（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３６．３（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３８．４（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１４．１Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４８．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５０．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．０Ｈｚ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例３４：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する第２世代デンドリマーの合成》

炭酸セシウム（５．２８ｍｍｏｌ，１．７２ｇ）をＧｃ_２デンドリマー（０．１０４ｍｍｏｌ，５００ｍｇ）／無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に添加し、次いで実施例３１で得たチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（２．６ｍｍｏｌ，１．００ｇ）を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いで最終混合物をセライトで濾過して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタン中の沈殿によって精製して、収率７８％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．５（ｓ，Ｐ_２）；６６．２（ｓ，Ｐ_１）；３０．１（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１２．１（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．６９（ｂｒｏａｄｓ，４８Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；２．９９（ｂｒｏａｄｓ，４８Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；３．１２（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．５１Ｈｚ，９６Ｈ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；３．２４（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝８．５Ｈｚ，５４Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ）；３．６６（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，２８８Ｈ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；６．６−７．７（ｍ，１８６Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．９５（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３３．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．２Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ）；４９．４（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．５Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．６Ｈｚ−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝４．２Ｈｚ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；５８．０（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．１Ｈｚ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１２１．２（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．７（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２１．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．９Ｈｚ，Ｃ_２ ^２）１２８．３（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１２９．６５（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２９．９（ｓ，Ｃ_２ ^３）；１３２．１（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３２．４（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３６．５（ｓ，Ｃ_２ ^４）；１３８．６（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．３Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４８．８（ｓ，Ｃ_０ ^１）；１４８．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．５Ｈｚ，Ｃ_２ ^１）；１５１．２（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．４Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．

《実施例３５：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する第３世代デンドリマーの合成》

炭酸セシウム（０．９４１ｍｍｏｌ，０．３０６ｇ）をＧｃ_３デンドリマー（９．３ｘ１０−^３ｍｍｏｌ，１００ｍｇ）／無水ＴＨＦ（２ｍＬ）溶液に添加し、次いで実施例３１で得たチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（０．４７１ｍｍｏｌ，１８０ｍｇ）を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いで最終混合物をセライトで濾過して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率８０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．６（ｓ，Ｐ_３）；６６．３（ｓ，Ｐ_２）；６５．８（ｓ，Ｐ_１）；３０．２（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１２．０（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．６７（ｂｒｏａｄｓ，９６Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；２．９７（ｂｒｏａｄｓ，９６Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；３．１０（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．６０Ｈｚ，１９２Ｈ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；３．２５（ｂｒｏａｄｓ，１２６Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ）；３．６３（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．２５Ｈｚ，５７６Ｈ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；６．５−７．７（ｍ，４０２Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．９（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３２．９（ｓ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ）；４９．３（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．５Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．５Ｈｚ−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；５２．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．６Ｈｚ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；５８．０（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１２０．５（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．１Ｈｚ，Ｃ_３ ^２）；１２１．５（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２１．８（ｓ，Ｃ_２ ^２）；１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２８．２（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１２９．６（ｓ，Ｃ_２ ^３）；１２９．９（ｓ，Ｃ_３ ^３）；１３２．３（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３２．３（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３２．３（ｓ，Ｃ_２ ^４）；１３６．５（ｓ，Ｃ_３ ^４）；１３８．６（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．０Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４８．９（ｂｒｏａｄｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，Ｃ_０ ^１，Ｃ_１ ^１，Ｃ_３ ^１）；１５１．２（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．１Ｈｚ，Ｃ_２ ^１）ｐｐｍ．

《実施例３６：チラミンに由来するアザ−ビス−ホスホノ表面を有する第１世代デンドリマー（ＧＣ１）の合成》

ブロモトリメチルシラン（１．０４ｍｍｏｌ；１３８μｌ）を、アセトニトリル（５ｍＬ）中の実施例３３で得たチラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する第１世代デンドリマー（１．６８ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，１００ｍｇ）の０°Ｃの溶液にゆっくり添加する。添加が終わったら混合物を１２時間にわたって放置して室温に戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いで１ｍｌの無水メタノールを室温で添加して、混合物を１時間撹拌しておく。蒸発乾固後、残渣を純粋なエーテルで数回洗浄する。生成物が有機溶媒に全く不溶であるので、それを、ソーダ（１００ｍｇのデンドリマーに対して３６．３ｍｇのソーダ）存在下にそのモノナトリウム塩に変換する。得られた溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白色粉末の形態で得る。最終生成物を収率５８％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝６７．９（ｓ，Ｐ_１）；１４．４（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＮａ）_２）；１２．９（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝３１．９５（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３５．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１０．９Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；５７．０（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３６．８Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）；６０．７（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１２４．１（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２４．１（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１３１．３（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３３．５（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３５．３（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３９．０（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１４３．２（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ）；１５１．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５３．３（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例３７：チラミンに由来するアザ−ビス−ホスホノ表面を有する第２世代デンドリマー（ＧＣ２）の合成》

ブロモトリメチルシラン（１０ｍｍｏｌ，１．３４ｍｌ）を、アセトニトリル（１０ｍＬ）中の実施例３４で得たチラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する第２世代デンドリマー（８．２７ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，１．０８ｇ）の０°Ｃの溶液に添加する。添加が終わったら混合物を１２時間にわたり放置して室温まで戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いで３ｍｌの無水メタノールを室温で添加して、混合物を１時間撹拌しておく。蒸発乾固後、残渣を純粋なエーテルで数回洗浄する。生成物が有機溶媒に全く不溶であるので、それを、ソーダ（５０ｍｇのデンドリマーに対して８．２ｍｇのソーダ）存在下にそのモノナトリウム塩に変換する。得られた溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白色粉末の形態で得る。最終生成物を収率６２％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝６７．８（ｓ，Ｐ_２）；６７．６（ｓ，Ｐ_１）；１０．５（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＮａ）（ＯＨ））；１０．０（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝３１．６（ｓ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３５．３（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；５５．２（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１２８．２Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）；６０．４（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１２４．３（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２４．３（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２４．３（ｓ，Ｃ_２ ^２）；１３１．３（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３１．３（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３３．３（ｓ，Ｃ_２ ^３）；１３５．０（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３５．０（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３６．０（ｓ，Ｃ_２ ^４）；１４２．５（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ）；１５１．８（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_２ ^１）；１５３．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_１ ^１）；１５３．３（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．
アザ−ビス−ホスホノ表面を有するデンドリマーは、実施例２８〜３０のテトライソプロピル−ｇｅｍ−ジホスホネート表面を有するデンドリマーを用いる前記方法を適用するか又は適合させることによって製造することができない。
アザ−ビス−ホスホノ表面を有するデンドリマーは、以下の実施例３８及び３９の４−ヒドロキシアニリンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有するデンドリマーを用いて前記方法を適用するか又は適合させることによって製造することができる：

《実施例３８：４−ヒドロキシアニリンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する第１世代デンドリマーの合成》

炭酸セシウム（２．９４ｍｍｏｌ，９５５ｍｇ）を、Ｇｃ_１デンドリマー（０．１１６ｍｍｏｌ，２１４ｍｇ）／無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に添加し、次いで実施例３２で得たフェノール（１．４７ｍｍｏｌ，５２０ｍｇ）を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いで最終混合物をセライトで濾過して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ、次いでエーテルで洗浄する。最終生成物を収率７６％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｃ_６Ｄ_６／ＴＨＦ）：δ＝６７．９（ｓ，Ｐ_１）；２９．３（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１２．３（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３．２０（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３．７０（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，１４４Ｈ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；３．９（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝４．８Ｈｚ，４８Ｈ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；６．７−７．８（ｍ，７８Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３３．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．８Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；４６．４（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５８．３Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；５２．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．７Ｈｚ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．９Ｈｚ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；１１４．４（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２１．２（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２２．０（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３２．２（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３８．５（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１４．１Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４２．９（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．５Ｈｚ，Ｃ_１ ^４）；１４５．１（ｓ，Ｃ_１ ^１）；１５１．１（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例３９：４−ヒドロキシアニリンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する第２世代デンドリマーの合成》

炭酸セシウム（２．００ｍｍｏｌ，６５２ｍｇ）を、Ｇｃ_２デンドリマー（４．２ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，２００ｍｇ）／無水ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に添加し、次いで実施例３２で得たフェノール（１．０５ｍｍｏｌ，３７２ｍｇ）を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いで最終混合物をセライトで濾過して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ、次いでエーテルで洗浄する。最終生成物を収率８１％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６８．１（ｓ，Ｐ_１）；６６．２（ｓ，Ｐ_１）；２９．２（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１１．７（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：３．２５（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．２Ｈｚ，５４Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_２）；３．６５（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．３Ｈｚ，２８８Ｈ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；３．８８（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝４．７Ｈｚ，９６Ｈ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；６．７−７．８（ｍ，１８６Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．９（ｂｒｏａｄｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．７Ｈｚ，ＣＨ _３−Ｎ−Ｐ_１，ＣＨ _３−Ｎ−Ｐ_２）；４６．３（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５８．５Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；５２．６（ｂｒｏａｄｓ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；１１４．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２，Ｃ_２ ^２）；１２１．８（ｓ，Ｃ_２ ^３）；１２８．１（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３１．３（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３１．７（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３２．１（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３８．４（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ）；１４２．６（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，Ｃ_２ ^４）；１４５．０（ｓ，Ｃ_２ ^１）；１５１．０（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．

《実施例４０：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する第０世代デンドリマーの合成》

炭酸セシウム（３１．２ｍｍｏｌ，１０．１６ｇ）を、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン（２．４ｍｍｏｌ，８３４ｍｇ）／無水ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に添加し、次いで実施例３１で得たチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（１５．６ｍｍｏｌ，５．９６ｇ）を添加する。混合物を室温で３日間アルゴン下に電磁撹拌しておく。セライトで濾過後、生成物をペンタンで沈殿させる。単離した生成物は過剰［０〜５％］のフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネートを含有することがある。最終生成物を収率８５％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３０．２（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１２．９（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．７２（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ，−ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．００（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ，−ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ−）；３．１８（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−Ｐ）；３．７０（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝７．８Ｈｚ，１２Ｈ，−ＯＭｅ）；６．７−７．２（ｍ，４Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．９０（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；４９．４（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．３Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．６Ｈｚ−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；５２．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．０Ｈｚ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；５８．３（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．８Ｈｚ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１２０．７（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２９．７（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３５．９（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１４９．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．９Ｈｚ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例４１：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホノ表面を有する第０世代デンドリマー（ＧＣ０）の合成》

ブロモトリメチルシラン（１６５ｍｍｏｌ，２２ｍＬ）を、アセトニトリル（５ｍＬ）中の実施例４０で得たアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する第０世代デンドリマー（４．９ｍｍｏｌ，１１．８４ｇ）の０°Ｃの溶液にゆっくり添加する。添加が終わったら、混合物を２４時間にわたり放置して室温まで戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いで５ｍｌの水を室温でゆっくり添加して、混合物を１時間撹拌しておく。濾過後、残渣を純粋なエーテルで数回洗浄する。最終生成物を収率５０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２０）：δ＝１２．９（ｓ，Ｐ_０）；１１．４（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２０）：δ＝３１．４０（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；５３．９（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１４０．０７Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）_２）；５９．７（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１２３．９（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１３２．９（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３５．７（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１５１．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例４２：アザ−ビス−ホスホノ表面を有しＤＡＢ構造を有するデンドリマーの合成》
ＤＡＢＧ_３デンドリマー（１８０ｍｇ）（Ａｌｄｒｉｃｈ）（Ｅ．Ｍ．Ｍ．ｄｅＢｒａｂａｎｄｅｒ−ｖａｎｄｅｎＢｅｒｇ，Ｅ．Ｗ．ＭｅｉｊｅｒＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１９９３，３２，１３０８）、亜リン酸ジメチル（０．４ｍＬ）及び３７％ホルムアルデヒド水溶液（０．５ｍＬ）を、０°Ｃで３０分間撹拌する。次いで反応混合物を０°Ｃ〜８０°Ｃの温度で自己生成圧下に反応終了まで撹拌する。冷却後、粗製反応生成物を減圧下に濃縮し、粗製残渣を適当な溶媒、好ましくはエーテルで洗浄して、期待生成物を白色粉末の形態で得る。

《実施例４３：アザ−ビス−ホスホノ表面を有しＰＡＭＡＭ構造を有するデンドリマーの合成》
ＰＡＭＡＭＧ_３デンドリマー（４００ｍｇ）（Ａｌｄｒｉｃｈ）（Ｄ．Ａ．Ｔｏｍａｌｉａ，Ｈ．Ｂａｋｅｒ，Ｊ．Ｄｅｗａｌｄ，Ｍ．Ｈａｌｌ，Ｇ．Ｋａｌｌｏｓ，Ｓ．Ｍａｒｔｉｎ，Ｊ．Ｒｏｅｃｋ，Ｊ．Ｒｙｄｅｒ，Ｐ．Ｓ．Ｓｍｉｔｈ，Ｐｏｌｙｍ．Ｊ．（Ｔｏｋｙｏ）１９８５，１７，１１７；Ｄ．Ａ．Ｔｏｍａｌｉａ，Ｈ．Ｂａｋｅｒ，Ｊ．Ｄｅｗａｌｄ，Ｍ．Ｈａｌｌ，Ｇ．Ｋａｌｌｏｓ，Ｓ．Ｍａｒｔｉｎ，Ｊ．Ｒｏｅｃｋ，Ｊ．Ｒｙｄｅｒ，Ｐ．Ｓ．Ｓｍｉｔｈ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，１９８６，１９，２４６６）、亜リン酸ジメチル（０．４３ｍＬ）及び３７％ホルムアルデヒド水溶液（０．５５ｍＬ）を０°Ｃで３０分間撹拌する。次いで反応混合物を０°Ｃ〜８０°Ｃの温度で自己生成圧下に反応終了まで撹拌する。冷却後、粗製反応生成物を減圧下に濃縮し、粗製残渣を適当な溶媒、好ましくはエーテルで洗浄して、期待生成物を白色粉末の形態で得る。

《実施例４４：アミノ−メチルビス−ホスホネートに由来するシクロトリホスファゼン核を有する第１世代デンドリマーの合成》
工程１：メチルアミンに由来するイミンの合成

無水エタノール中のメチルアミン（２５ｍｍｏｌ，３ｍＬ）の３３％溶液（８ｍｏｌ．Ｌ^−１）、及び４−ヒドロキシベンズアルデヒド（２０ｍｍｏｌ，２．５ｇ）を、溶媒なしで室温で混合する。混合物を室温で２４時間電磁撹拌しておく。エタノールを減圧下に蒸発させて、油状物を得て、これを最小量のエーテルに溶解し、次いでペンタンで沈殿させる。このイミンは、次の工程で直接に用いるので単離しなかった。

工程２：アミノ−メチルモノ−ホスホネートの合成

前記工程１のイミン官能基を有するフェノール（１７．０ｍｍｏｌ，２．３ｇ）を、溶媒なしで室温で、数滴のトリエチルアミン及び亜リン酸ジメチル（１８．７ｍｍｏｌ，１．７ｍｌ）と混合する。混合物を室温で１２時間放置し、次いでそれを蒸発乾固する。得られた粉末をアセトンの溶液に入れ、次いでシリカ「パッチ」上を通過させる。最後に溶離液を蒸発させて、最終生成物を収率６８％で得る。．
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２９．６（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．２９（ｓ，３Ｈ，Ｎ−ＣＨ _３）；３．５４（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝Ｈｚ，３Ｈ，−ＯＭｅ）；３．７２（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝Ｈｚ，３Ｈ，−ＯＭｅ）；３．８４（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２３．９Ｈｚ，１Ｈ，Ｈ）；６．７３（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝Ｈｚ，ＣＨ_ａｒｏｍ，２Ｈ）；７．１４（ｄｄ，ＣＨ_ａｒｏｍ，２Ｈ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝４３．３（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，Ｎ−Ｍｅ）；５３．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．７Ｈｚ，ＯＭｅ）；５４．１（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．４Ｈｚ，ＯＭｅ）；６３．２（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５９．６Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝１４．５Ｈｚ，ＣＨ）；１１５．６（ｓ，Ｃ_２）；１２１．１（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．８Ｈｚ，Ｃ_４）；１３２．０（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．９Ｈｚ，Ｃ_３）；１５７．１（ｓ，Ｃ_１）ｐｐｍ．

工程３：アミノ−メチルビス−ホスホネートの合成

前記工程２の第二級アミン（６．１ｍｍｏｌ，１．５ｇ）を、室温で３７％ホルムアルデヒド水溶液（１２．２ｍｍｏｌ，１ｍｌ）及び亜リン酸ジメチル（２４．４ｍｍｏｌ，２．２４ｍＬ）（溶媒なし）の溶液に入れる。混合物を室温で１２時間電磁撹拌しておく。次いで最終混合物をエーテル／ペンタン混合物１／１で数回洗浄する。最後に生成物を、溶媒として酢酸エチルを用いるシリカゲルクロマトグラフィー（Ｒｆ＝０．３５）によって精製して、最終生成物を収率６５％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２８．１（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；３０．９（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．４１（ｓ，３Ｈ，Ｎ−ＣＨ _３）；２．６１（ｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝６．３Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．３Ｈｚ，１Ｈ，Ｈｂ）；３．１２（ｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１５．６Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｈｂ）；３．３０−３．８０（ｍ，１２Ｈ，−ＯＭｅ）；４．０５（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２３．９Ｈｚ，１Ｈ，Ｈａ）；６．７４（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８４Ｈｚ，ＣＨ_ａｒｏｍ，２Ｈ）；７．１７（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８５Ｈｚ，ＣＨ_ａｒｏｍ，２Ｈ）；９．０８（ｂｒｏａｄｓ，１Ｈ，−ＯＨ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝４２．３（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，Ｎ−Ｍｅ）；４９．２（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６４．１Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝１０．１Ｈｚ，ＣＨ_２）；５３．０（ｍ，ＯＭｅ）；６５．２（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６１．７Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．５Ｈｚ，ＣＨ）；１１５．４（ｓ，Ｃ_２）；１２０．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．５Ｈｚ，Ｃ_４）；１３１．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝９．１Ｈｚ，Ｃ_３）；１５７．８（ｓ，Ｃ_１）ｐｐｍ．

工程４：アミノ−メチルビス−ホスホネートに由来する第１世代デンドリマーの合成

炭酸セシウム（１．２ｍｍｏｌ，３９０ｍｇ）を、Ｇｃ_１デンドリマー（０．０４７ｍｍｏｌ，８７ｍｇ）／無水ＴＨＦ（２ｍＬ）溶液に添加し、次いで前記工程３のメチルアミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（０．６ｍｍｏｌ，２２０ｍｇ）を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いでそれをセライトで濾過し、最終混合物を遠心分離して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率７５％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６５．４（ｓ，Ｐ_１）；３０．４（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；２７．５（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１１．４（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．４６（ｓ，３６Ｈ，Ｎ−ＣＨ _３）；２．６５（ｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝７．４Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．３Ｈｚ，１２Ｈ，ＣＨ_２）；３．１２（ｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１５．５Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．５Ｈｚ，１２Ｈ，ＣＨ_２）；３．２５（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．１Ｈｚ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３．３０−３．９０（ｍ，１４４Ｈ，−ＯＭｅ）；４．２（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２３．４Ｈｚ，１２Ｈ，ＣＨ）；６．７−７．６（ｍ，７８Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．３Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；４２．２（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，Ｎ−Ｍｅ）；４９．３（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６４．０Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝９．９Ｈｚ，ＣＨ_２）；５２．３−５３．７（ｍ，ＯＭｅ）；６４．９（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３８．１Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝１１．９Ｈｚ，ＣＨ）；１２１．１（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２）；１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２８．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．１Ｈｚ，Ｃ_１ ^４）；１３１．８（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３１．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．２Ｈｚ，Ｃ_１ ^３）；１３９．０（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１４．５Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１５０．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５１．２（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

工程５：アミノ−メチルビス−ホスホン酸に由来する第１世代デンドリマーの合成

ブロモトリメチルシラン（２．１ｍｍｏｌ；２８０μｌ）を、アセトニトリル（５ｍＬ）中の工程４のメチルアミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する第１世代デンドリマー（３．９７ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，２３０ｍｇ）の０°Ｃの溶液にゆっくり添加する。添加が終わったら、混合物を１２時間にわたり放置して室温まで戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いで１ｍｌの無水メタノールを室温で添加し、混合物を１時間撹拌しておく。蒸発乾固後、残渣を純粋なエーテルで数回洗浄する。生成物が有機溶媒に全く不溶であるので、それを、ソーダ（１３０ｍｇのデンドリマーホスホン酸に対して、０．１９５５ｍｏｌ．Ｌ^−１で３．１ｍｌのソーダ溶液）存在下に、そのモノナトリウム塩に変換する。得られた溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白色粉末の形態で得る。最終生成物を収率５８％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝６６．０９（ｓ，Ｐ_１及びＰ_２）；１４．１（ｓ，Ｐ_０）；１１．２（ｓ，ＰＯ_３ＨＮａ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝２．５−３．８（ｍ，９０Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ，Ｎ−Ｍｅ，ＣＨ_２，ＣＨ）；６．５−８．０（ｍ，７８Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝３５．５（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；４４．８（ｂｒｏａｄｓ，Ｎ−Ｍｅ）；５４．５（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３２．５Ｈｚ，ＣＨ_２）；７０．５（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１２９．４Ｈｚ，ＣＨ）；１２４．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２）；１３０．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３）；１３６．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^４，Ｃ_１ ^４）；１４２．９（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ）；１５３．９（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．

《実施例４５：アミノ−メチルビス−ホスホネートに由来するシクロトリホスファゼン核を有する第２世代デンドリマーの合成》
工程１：アミノ−メチルビス−ホスホネートに由来する第２世代デンドリマーの合成

炭酸セシウム（１．３ｍｍｏｌ，４０７ｍｇ）を、Ｇｃ_２デンドリマー（０．０２４ｍｍｏｌ，１１９ｍｇ）／無水ＴＨＦ（２ｍＬ）溶液に添加し、次いで実施例４４の工程３のメチルアミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（０．６７ｍｍｏｌ，２３０ｍｇ）を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いでセライトで濾過し、最終混合物を遠心分離して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率８０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．１（ｓ，Ｐ_１）；６５．４（ｓ，Ｐ_２）；３０．４（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；２７．５（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１１．６（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．４８（ｓ，７２Ｈ，Ｎ−ＣＨ _３）；２．６７（ｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝７．１Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．３Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_２）；３．１４（ｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１５．４Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．４Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_２）；３．３１（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．９Ｈｚ，５４Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_２）；３．３０−３．９０（ｍ，２８８Ｈ，−ＯＭｅ）；４．２（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２３．２Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ）；７．０−７．７（ｍ，１８６Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．４Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_２）；４２．３（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，Ｎ−Ｍｅ）；４９．５（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６３．７Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝９．８Ｈｚ，ＣＨ_２）；５２．４−５３．６（ｍ，ＯＭｅ）；６４．９（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６０．２Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝１２．１Ｈｚ，ＣＨ）；１２１．１７（ｓ，Ｃ_２ ^２）；１２１．２４（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２１．８（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２８．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_２ ^４）；１２８．５（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３）；１３１．８（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．２Ｈｚ，Ｃ_１ ^４，Ｃ_２ ^３）；１３２．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^４）；１３８．９（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．８Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１５０．７（ｂｒｏａｄｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，Ｃ_２ ^１）；１５１．２（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．

工程２：アミノ−メチルビス−ホスホン酸に由来する第２世代デンドリマーの合成

ブロモトリメチルシラン（１．６ｍｍｏｌ；２１０μｌ）を、アセトニトリル（５ｍＬ）中の工程１のメチルアミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する第２世代デンドリマー（１．４９ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，１９０ｍｇ）の０°Ｃの溶液にゆっくり添加する。添加が終わったら、混合物を１２時間にわたり放置して室温まで戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いで１ｍｌの無水メタノールを室温で添加して、混合物を１時間撹拌しておく。蒸発乾固後、残渣を純粋なエーテルで数回洗浄する。生成物が有機溶媒に全く不溶であるので、それを、ソーダ（１４０ｍｇのデンドリマーホスホン酸に対して、０．１９５５ｍｏｌ．Ｌ^−１で３．０１ｍｌのソーダ溶液）存在下に、そのモノナトリウム塩に変換する。得られた溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白色粉末の形態で得る。最終生成物を収率５４％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝６６．７（ｓ，Ｐ_１）；１４．４（ｓ，Ｐ_０）１０．８（ｓ，ＰＯ_３ＨＮａ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝２．５−３．８（ｍ，１９８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_２，Ｎ−Ｍｅ，ＣＨ_２，ＣＨ）；６．５−８．０（ｍ，１８６Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝３５．５（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_２）；４４．６（ｂｒｏａｄｓ，Ｎ−Ｍｅ）；５５．６（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１０２．７Ｈｚ，ＣＨ_２）；７１．０（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１２８．２Ｈｚ，ＣＨ）；１２４．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２，Ｃ_２ ^２）；１３０．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３，Ｃ_２ ^３）；１３６．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^４，Ｃ_１ ^４，Ｃ_２ ^４）；１４２．９（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ）；１５３．９（ｓ，Ｃ_０ ^１，Ｃ_１ ^１，Ｃ_２ ^１）ｐｐｍ．

《実施例４６：シクロトリホスファゼン核を有しアミノ−メチルビス−ホスホネートに由来する第４世代デンドリマーの合成》

炭酸セシウム（０．７１ｍｍｏｌ，２３０ｍｇ）を、Ｇｃ_４デンドリマー（３．５ｘ１０^−３ｍｍｏｌ，７９．２ｍｇ）／無水ＴＨＦ（２ｍＬ）溶液に添加し、次いで実施例４４の工程３のメチルアミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（０．３５ｍｍｏｌ，１３０ｍｇ）を添加する。混合物を室温で４８時間撹拌しておき、次いでセライトで濾過し、混合物を遠心分離して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率８４％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．１（ｂｒｏａｄｓ，Ｐ_１，Ｐ_２，Ｐ_３）；６５．４（ｓ，Ｐ_４）；３０．１（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；２７．６（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１１．６（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．４８（ｓ，２８８Ｈ，Ｎ−ＣＨ _３）；２．６５（ｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝７．２Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．３Ｈｚ，９６Ｈ，ＣＨ_２）；３．１３（ｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１５．２Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．２Ｈｚ，９６Ｈ，ＣＨ_２）；３．２７（ｂｒｏａｄｓ，２７０Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_２，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_３，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_４）；３．３０−３．９０（ｍ，１１５２Ｈ，−ＯＭｅ）；４．２（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２３．３Ｈｚ，９６Ｈ，ＣＨ）；７．０−７．７（ｍ，８３４Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．４Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_２，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_３，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_４）；４２．３（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，Ｎ−Ｍｅ）；４９．５（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６３．８Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝９．９Ｈｚ，ＣＨ_２）；５２．４−５３．９（ｍ，ＯＭｅ）；６５．１（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６１．２Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝１２．３Ｈｚ，ＣＨ）；１２１．４５（ｓ，Ｃ_３ ^２）；１２２．１（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_２ ^２，Ｃ_１ ^２，Ｃ_０ ^２）；１２８．５（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３Ｃ_１ ^３Ｃ_２ ^３）；１２８．７（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_３ ^３）；１３２．１（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．２Ｈｚ，Ｃ_３ ^４，Ｃ_２ ^４）；１３２．４（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^４，Ｃ_１ ^４）；１３９．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．４Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１５１．０（ｂｒｏａｄｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，Ｃ_３ ^１）；１５１．６（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_２ ^１，Ｃ_１ ^１）；１５１．７（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例４７：シクロトリホスファゼン核を有しアミノ−ブチルビス−ホスホネートに由来する表面を有する第１世代デンドリマーの合成》
工程１：ブチルアミンに由来するイミンの合成

ｎ−ブチルアミン（４３ｍｍｏｌ，４．３ｍＬ）及び４−ヒドロキシベンズアルデヒド（４１ｍｍｏｌ，５ｇ）を、溶媒なしで室温で、４Åモレキュラーシーブと混合する。混合物を２４時間電磁撹拌しておき、次いでそれをＴＨＦで取り出して、セライトで濾過する。ＴＨＦを減圧下に蒸発させて、高粘度の黒っぽい油状物を得る。この油状物を最小量のエーテルに溶解することができ、ペンタンで沈殿させる。こうしてわずかにピンクがかった粉末を収率８０％で得る。
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝０．９０（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ，−ＣＨ_３）；１．３３（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−ＣＨ_３）；１．６６（ｍ，２Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）；３．５９（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−）；６．７（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，ＣＨ_ａｒｏｍ，２Ｈ）；７．５（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）；８．１４（ｓ，１Ｈ，ＣＨ＝Ｎ）；８．８１（ｂｒｏａｄｓ，１Ｈ，−ＯＨ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１３．９（ｓ，ＣＨ _３）；２０．３（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_３）；３２．７（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）；６０．１（ｓ，Ｎ−ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）；１１６．３（ｓ，Ｃ_２）；１２５．４（ｓ，Ｃ_４）；１３０．６（ｓ，Ｃ_３）；１６１．５（ｓ，Ｃ_１）；１６２．９（ｓ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．

工程２：アミノ−ブチルモノ−ホスホネートの合成

工程１のイミン官能基を有するフェノール（１６．９ｍｍｏｌ，３ｇ）を、溶媒なしで室温で、トリエチルアミン（１６．９ｍｍｏｌ，２．３５ｍｌ）及び亜リン酸ジメチル（１６．９ｍｍｏｌ，１．５５ｍｌ）と混合する。混合物を室温で１２時間放置し、次いでそれを蒸発乾固する。得られた粉末をアセトンの溶液に入れ、次いでシリカ「パッチ」上を通過させる。最後に溶離液を蒸発させて、最終生成物を収率６５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２９．８（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝０．８０（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ，−ＣＨ_３）；１，２０−１．５５（ｍ，４Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ_２）；２．４１（ｍ，２Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−）；３．６（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，３Ｈ，−Ｐ_１ＯＭｅ）；３．８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．８Ｈｚ，３Ｈ，−Ｐ_２ＯＭｅ）；４．０（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２６．０Ｈｚ，１Ｈ，Ｈａ）；６．７（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，ＣＨ_ａｒｏｍ，２Ｈ）；７．２（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，ＣＨ_ａｒｏｍ，２Ｈ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１３．９（ｓ，ＣＨ _３）；２０．３（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_３）；３１．８（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）；４７．４（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１７．６Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）；５３．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．９Ｈｚ，ＯＭｅ）；５３．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．２Ｈｚ，ＯＭｅ）；５９．８（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．１Ｈｚ，ＣＨ）；１１５．９（ｓ，Ｃ_２）；１２５．４（ｓ，Ｃ_４）；１２９．５（ｓ，Ｃ_３）；１５７．０（ｓ，Ｃ_１）ｐｐｍ．

工程３：アミノ−ブチルビス−ホスホネートの合成

工程２の第二級アミン（５．８ｍｍｏｌ，１．６７ｇ）を、３７％ホルムアルデヒド水溶液（８．７ｍｍｏｌ，６５７μｌ）及び亜リン酸ジメチル（５．８ｍｍｏｌ，５３０μｌ）の室温にある溶液に入れる。混合物を室温で１２時間電磁撹拌しておく。最後に過剰のホルムアルデヒドを減圧下に除去し、生成物を、溶媒として酢酸エチルを用いるシリカゲルクロマトグラフィーによって精製して、最終生成物を収率６０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２８．３（ｓ，Ｐ_１）；３０．９（ｓ，Ｐ_２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝０．８６（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ_３）；１，２５−１．５５（ｍ，４Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ_２）；２．３１（ｍ，１Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−）；２．６４（ｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝３．２Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ _２−Ｐ_２）；３．１１（ｍ，１Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−ＣＨ_２）；３．３５（ｄｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１７．２Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１７．０Ｈｚ，^４Ｊ_ＨＰ＝１．６Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨ _２−Ｐ_２）；３．５（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，３Ｈ，−Ｐ_１ＯＭｅ）；３．７（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．８Ｈｚ，３Ｈ，−Ｐ_２ＯＭｅ）；３．８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．８Ｈｚ，３Ｈ，−Ｐ_２ＯＭｅ）；３．９（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．８Ｈｚ，３Ｈ，−Ｐ_１ＯＭｅ）；４．４（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２６．０Ｈｚ，１Ｈ，Ｈａ）；６．８４（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，ＣＨ_ａｒｏｍ，２Ｈ）；７．２６（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，ＣＨ_ａｒｏｍ，２Ｈ）；９．１（ｂｒｏａｄｓ，１Ｈ，−ＯＨ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１４．４（ｓ，ＣＨ _３）；２０．４（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_３）；３０．６（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）；４６．０（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６６．８Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．８Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ_２）；５３．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，Ｐ_２ＯＭｅ）；５３．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，Ｐ_１ＯＭｅ）；５３．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，Ｐ_２ＯＭｅ）；５４．１（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．１Ｈｚ，Ｐ_１ＯＭｅ）；５３．１（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．８Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）；６１．３（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６２．９Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝１０．０Ｈｚ，ＣＨ）；１１５．９（ｓ，Ｃ_２）；１２１．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．０Ｈｚ，Ｃ_４）；１３２．５（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝９．１Ｈｚ，Ｃ_３）；１５８．１（ｓ，Ｃ_１）ｐｐｍ．

工程４：アミノ−ブチルビス−ホスホネートに由来する第１世代デンドリマーの合成

炭酸セシウム（１．４ｍｍｏｌ，４５３ｍｇ）を、Ｇｃ_１デンドリマー（０．０５８ｍｍｏｌ，１０６ｍｇ）／無水ＴＨＦ（３ｍＬ）溶液に添加し、次いで工程３のブチルアミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（０．７３ｍｍｏｌ，３００ｍｇ）を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いでセライトで濾過し、最終混合物を遠心分離して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率６５％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６５．４（ｓ，Ｐ_１）；３０．８（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；２８．３（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１１．４（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝０．８２（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．６Ｈｚ，３６Ｈ，ＣＨ_３）；１，２０−１．５０（ｍ，４８Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ_２）；２．２７（ｍ，１２Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−）；２．５７（ｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝３．４Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．２Ｈｚ，１２Ｈ，ＣＨ _２−Ｐ_２）；３．１１（ｍ，１２Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−ＣＨ_２）；３．２６（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ）；３．４（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，３６Ｈ，−Ｐ_１ＯＭｅ）；３．６（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，３６Ｈ，−Ｐ_２ＯＭｅ）；３．７（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．８Ｈｚ，３６Ｈ，−Ｐ_２ＯＭｅ）；３．８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，３６Ｈ，−Ｐ_１ＯＭｅ）；４．４（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２５．０Ｈｚ，１２Ｈ，Ｈａ）；６．９−７．８（ｍ，７８Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１４．０（ｓ，ＣＨ _３）；１９．９（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_３）；３０．２（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）；３２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．５Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；４６．０（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６６．７Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．６Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ_２）；５２−５４（ｍ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）；６０．３（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６３．９Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝１０．４Ｈｚ，ＣＨ）；１２１．２（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２）；１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２８．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝４．５Ｈｚ，Ｃ_１ ^３）；１３１．９（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３２．１（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３９．１（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．９Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１５０．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５１．３（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

工程５：アミノ−ブチルビス−ホスホン酸に由来する第１世代デンドリマーの合成

ブロモトリメチルシラン（０．９２ｍｍｏｌ，１２３μｌ）を、アセトニトリル（４ｍＬ）中の工程４のブチルアミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する第１世代デンドリマー（１．７５ｘ１０^−５ｍｍｏｌ，１１０ｍｇ）の０°Ｃの溶液にゆっくり添加する。添加が終わったら、混合物を１２時間にわたり放置して室温まで戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いで１ｍｌの無水メタノールを室温で添加して、混合物を１時間撹拌しておく。蒸発乾固後、残渣を純粋なエーテルで数回洗浄する。生成物が有機溶媒に全く不溶であるので、それを、ソーダ（４５ｍｇのホスホン酸デンドリマーに対して、０．１９５５ｍｏｌ．Ｌ^−１で０．９８ｍｌのソーダ溶液）存在下に、そのモノナトリウム塩に変換する。得られた溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白色粉末の形態で得る。最終生成物を収率５５％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝６９．３（ｓ，Ｐ_１）；１５．３（ｓ，Ｐ_０）；１３．５（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨＮａ）_２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝０．９（ｂｒｏａｄｓ，３６Ｈ，ＣＨ_３）；１，２０−１．５０（ｍ，４８Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ_２）；２．５−３．８（ｍ，７８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ，Ｎ−ＣＨ_２，ＣＨ_２，ＣＨ）；６．５−８．０（ｍ，７８Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝１３．４（ｓ，ＣＨ _３）；１９．６（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_３）；２６．２（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）；３３．４（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_２，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；５０．５（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１２３．０Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ_２）；５４．１（ｂｒｏａｄｓ，Ｎ−ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）；６６．３（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１２６．９Ｈｚ，ＣＨ）；１２１．０（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．９（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２８．６（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２９．０（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３２．８（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３４．１（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１４１．５（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ）；１５０．８（ｓ，Ｃ_０ ^１）；１５１．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）ｐｐｍ．

《実施例４８：シクロトリホスファゼン核を有しアミノ−ブチルビス−ホスホネートに由来する表面を有する第２世代デンドリマーの合成》

炭酸セシウム（０．５４ｍｍｏｌ，１７６ｍｇ）を、Ｇｃ_２デンドリマー（０．０１０６ｍｍｏｌ，５１ｍｇ）／無水ＴＨＦ（２ｍＬ）溶液に添加し、次いで実施例４７の工程３のブチルアミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（０．２７ｍｍｏｌ，１１０ｍｇ）を添加する。混合物を室温で３６時間撹拌しておき、次いでセライトで濾過し、最終混合物を遠心分離して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率７５％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．１（ｓ，Ｐ_１）；６５．３（ｓ，Ｐ_２）；３０．８（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；２８．３（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；１１．４（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝０．８８（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．６Ｈｚ，７２Ｈ，ＣＨ_３）；１，２０−１．４５（ｍ，９６Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ_２）；２．３３（ｍ，２４Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−）；２．６３（ｄｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝３．４Ｈｚ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．２Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ _２−Ｐ_２）；３．１６（ｍ，２４Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−ＣＨ_２）；３．３３（ｍ，５４Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ）；３．４４（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１２．０Ｈｚ，７２Ｈ，−Ｐ_１ＯＭｅ）；３．７（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，７２Ｈ，−Ｐ_２ＯＭｅ）；３．８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，７２Ｈ，−Ｐ_２ＯＭｅ）；３．９（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，７２Ｈ，−Ｐ_１ＯＭｅ）；４．５（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝２５．５Ｈｚ，２４Ｈ，Ｈａ）；６．９−７．８（ｍ，１８６Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１４．４（ｓ，ＣＨ _３）；２０．３（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_３）；３０．６（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）；３３．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．７Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_２，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；４６．５（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６６．７Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．６Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ_２）；５２．５−５４．１（ｍ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）；“５３．１（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．８Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_３）ＰＢ“；６１．３（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６４．９Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝１０．９Ｈｚ，ＣＨ）；１２１．６（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_１ ^２，Ｃ_２ ^２）；１２２．２（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２８．７（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_２ ^３）；１２９．３（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３，Ｃ_１ ^３）；１３２．５（ｂｒｏａｄｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．５Ｈｚ，Ｃ_２ ^４，Ｃ_１ ^４，Ｃ_０ ^４）；１３９．１（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ）；１５１．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，Ｃ_２ ^１）；１５１．８（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_１ ^１，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例４９：ジメチルＮ−アリル−Ｎ−（４−ヒドロキシ）−ベンジル−a−アミノ−ホスホネートに由来する表面を有するデンドリマーの合成》
工程１：フェノールモノホスホネートの合成

１０〜１５グラムのＭｇＳＯ_４次いで０°Ｃのアリルアミン（７．５ｍＬ，０．１ｍｏｌ）を、４−ヒドロキシベンズアルデヒド（１１ｇ，０．１ｍｏｌ）／ＣＨ_２Ｃｌ_２（２５ｍＬ）溶液に添加する。反応（発熱）を室温で激しく撹拌して一晩維持し、亜リン酸ジメチル（９ｍＬ，０．１ｍｏｌｅ）を添加して、反応混合物を室温で３日間撹拌する。反応の進行を^１Ｈ及び^３１ＰＮＭＲによってモニタリングする。反応混合物を１００ｍＬの水に注ぎ入れ、次いで３回の１００ｍＬＣＨ_２Ｃｌ_２で抽出する。有機相をＭｇＳＯ_４で乾燥し、溶媒を減圧下に除去する。残渣をエーテルで２回洗浄して、非常に粘性のある淡黄色油状物を収率９０％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝２９．３（ｓ，Ｐ＝Ｏ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝２．９６（ｄｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１４．０Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．９Ｈｚ，ＣＨＨＣＨ_２＝ＣＨ）；３．１８（ｄｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１４．０Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．０Ｈｚ，ＣＨＨＣＨ_２＝ＣＨ）；３．４４（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．６５（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．９５（ｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＰ＝１９．８Ｈｚ，ＰＣＨ）；５．０１（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２＝ＣＨ）；５．７２（ｍ，１Ｈ，ＣＨ＝）；６．７４（ｄ，２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，Ｃ^２−Ｈ）；７．１０（ｄ，２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，Ｃ^３−Ｈ）．

工程２：フェノールビスホスホネートの合成

３７％ホルムアルデヒド水溶液（１．０６ｍＬ，１４．３５ｍｍｏｌ，４ｅｑ．）を、前工程で合成したα−アミノ−ホスホネート（９７０ｍｇ，３．５８ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に添加する。約３０分後に亜リン酸ジメチル（４９２μＬ，５．３７ｍｍｏｌ，１．５ｅｑ．）を添加する。溶液を７２時間撹拌する。反応の進行を^３１ＰＮＭＲによってモニタリングする。反応混合物を３０ｍＬの水に注ぎ入れ、次いでＣＨ_２Ｃｌ_２で抽出する。有機相をＭｇＳＯ_４で乾燥し、溶媒を減圧下に除去する。残渣をエーテルで２回洗浄し、真空下に乾燥して、粘性のある油状物をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ＡｃＯＥｔ／ＭｅＯＨ，９５：５）によって精製する。収率２８％。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝２８．７（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；３１．４（ｓ，Ｐ＝Ｏ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝２．５７（ｄｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．５Ｈｚ及び^２Ｊ_ＨＰ＝２．９Ｈｚ，ＰＣＨＨ）；２．８０（ｄｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３．８Ｈｚ及び^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，＝ＣＨ−ＣＨＨ）；３．４３（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．４５（ｄｌ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１６．０Ｈｚ，ＰＣＨＨ）；３．６９（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．７９（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．８６（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．８８（ｄｌ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１４．０Ｈｚ，＝ＣＨ−ＣＨＨ）；４．４７（ｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＰ＝２５．９Ｈｚ，ＰＣＨ）；５．２０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２＝ＣＨ）；５．７９（ｍ，１Ｈ，ＣＨ＝ＣＨ_２）；６．８２（ｄ，２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，Ｃ^２−Ｈ）；７．２６（ｄ，２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．３Ｈｚ，Ｃ^３−Ｈ）；９．０２（ｂｓ，ＯＨ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，５０．３２ＭＨｚ）：δ＝４５．２（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６５．８及び^３Ｊ_ＣＰ＝８．０Ｈｚ，ＰＣＨ_２）；５２．６２（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．１Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．２（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５６．１（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．２Ｈｚ，ＣＨ _２−ＣＨ＝）；６０．１（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６３．０Ｈｚ及び^３Ｊ_ＣＰ＝１０．０Ｈｚ，ＰＣＨ）；１１５．６（ｓ，Ｃ^２）；１１８．７（ｓ，Ｈ_２Ｃ＝）；１２０．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．４Ｈｚ，Ｃ^４）；１３２．１（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝９．３Ｈｚ，Ｃ^３）；１３５．６（ｓ，ＨＣ＝）；１５７．６（ｓ，Ｃ^１）．

工程３：第１世代リン含有デンドリマーへのグラフト化

１２．５当量（６００ｍｇ，１．５３ｍｍｏｌ）の官能化フェノール（アセトニトリル又はＴＨＦに可溶化したもの）を、Ｓ＝ＰＣｌ_２末端基を有するＧｃ１デンドリマー（２２３ｍｇ，０．１２２ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ又はアセトニトリル溶液に添加する。次いで１５当量（５９６ｍｇ，１．８３ｍｍｏｌ）のＣｓ_２ＣＯ_３を溶液に添加し、得られた懸濁液を撹拌して、塩素原子を完全に置換する（^３１ＰＮＭＲでモニタリング）。混合物をデカントし、上澄み液を集めて、残留固体をＴＨＦで洗浄する。上澄み液を合わせて、遠心分離する。得られた透明な溶液を減圧下に濃縮する。残渣を最小量のＴＨＦに溶解し、次いでペンタンで沈殿させる。得られた固体を洗浄（ＴＨＦ／ペンタン及びＴＨＦ／Ｅｔ_２Ｏ）によって精製する。収率７６％。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１１．３（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；２７．９（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；３０．７（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；６５．３（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２５０．１３ＭＨｚ）：δ＝２．５４（ｄｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．７Ｈｚ及び^２Ｊ_ＨＰ＝４．６Ｈｚ，ＰＣＨＨ）；２．８０（ｄｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３．４Ｈｚ及び^３Ｊ_ＨＨ＝８．２Ｈｚ，ＣＨＨ−ＣＨ＝）；３．２９（ｄ，１８Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．９Ｈｚ，ＮＣＨ_３）；３．４１（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．４２（ｍ，１２Ｈ，ＰＣＨＨ）；３．６６（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．７６（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．８５（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．８７（ｄｌ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３．４Ｈｚ，ＣＨＨ−ＣＨ＝）；４．５７（ｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＰ＝２５．２Ｈｚ，ＰＣＨ）；５．１７（ｍ，２４Ｈ，ＣＨ_２＝）；５．７４（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ＝）；７．０２（ｄ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．２Ｈｚ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．１８（ｄ，２４Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．４６（ｄ，２４Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．６１（ｄ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．２Ｈｚ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）；７．６２（ｓ，６Ｈ，ＣＨ＝Ｎ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，６２．８９ＭＨｚ）：δ＝３２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．３Ｈｚ，ＮＣＨ_３）；４５．１（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６５．６Ｈｚ及び^３Ｊ_ＣＰ＝８．２Ｈｚ，ＰＣＨ_２）；５２．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．５Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．１Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．１（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．４Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．５Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５６．０（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．２Ｈｚ，ＣＨ _２−ＣＨ＝）；６０．１（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６１．７及び^３Ｊ_ＣＰ＝９．２Ｈｚ，ＰＣＨ）；１１８．８（ｓ，Ｈ_２Ｃ＝）；１２１．２（ｄｌ，^３Ｊ_ＣＰ＝４．６Ｈｚ，Ｃ_０ ^２及びＣ_１ ^２）；１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２８．４（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３２．０（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．６Ｈｚ，Ｃ_０ ^４及びｄＣ_１ ^３）；１３５．５（ｓ，ＨＣ＝）；１３９．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１４．６Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１５０．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．４Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５１．３（ｂｓ，Ｃ_０ ^１）．

工程４：ビスホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第１世代リン含有デンドリマー

６０当量のブロモトリメチルシラン（２６０μＬ，１．９６４ｍｍｏｌ）を、０°Ｃでアルゴン流下に、前工程で合成したジメチルホスホネート末端基を有するデンドリマー（２００ｍｇ，３２．７μｍｏｌ）／アセトニトリル溶液に添加する。溶液を室温で１８時間撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。５ｍＬのメタノールを添加し、混合物を２時間激しく撹拌する。メタノールを減圧下に除去し、残渣を蒸留エーテルで、次いで水及びメタノールで洗浄する。固体を減圧下に乾燥して、粉末を得る。ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，３．９９ｍＬ，０．７８４ｍｍｏｌ，２４ｅｑ．）を固体にゆっくり添加する。得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。アミノビス−ホスホン酸末端基を有するデンドリマーを白色粉末の形態で収率７９％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１１．０（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；１１．３（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；１２．７（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；６６．７（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．

《実施例５０：ジメチルＮ−ベンジル−Ｎ−（４−ヒドロキシ）−ベンジル−a−アミノ−ビス−ホスホネートに由来する表面を有するデンドリマーの合成》
工程１：フェノールモノホスホネートの合成

数グラムのＭｇＳＯ_４次いでベンジルアミン（４．３６ｍＬ；４０ｍｍｏｌ）を、４−ヒドロキシベンズアルデヒド（４．４ｇ；４０ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（３０ｍＬ）溶液に添加する。反応（発熱）を室温で激しく撹拌して２時間維持する。デカンテーション後、上澄み液にカニューレを挿入し、次いで（その初期容積の約５０％まで）減圧下に濃縮する。亜リン酸ジメチル（３．６６ｍＬ；４０ｍｍｏｌ）を添加して、反応をアルゴン下に５０°Ｃで４８時間加熱する（又は室温で５日間撹拌する）。反応の進行を^１Ｈ及び^３１ＰＮＭＲによってモニタリングする。反応混合物をＮａＨＣＯ_３の飽和溶液に注ぎ入れ、次いで３回の５０ｍＬＣＨ_２Ｃｌ_２で抽出する。有機相をＭｇＳＯ_４で乾燥して、溶媒を減圧下に除去する。残渣をエーテルで２回洗浄して、淡黄色固体を収率７７％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，１２１．４ＭＨｚ）：δ＝２９．７（ｓ，Ｐ＝Ｏ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝３．５４（ｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３．２Ｈｚ，ＣＨＨＰｈ）；３．５８（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．８０（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．８１（ｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３．２Ｈｚ，ＣＨＨＰｈ）；３．９９（ｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＰ＝１９．８Ｈｚ，ＰＣＨ）；６．７７（ｄ，２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，Ｃ^２−Ｈ）；７．１９（ｄ，２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，Ｃ^３−Ｈ）；７．２８（ｍ，５Ｈ，Ｃ_６Ｈ_５）；８．５０（ｂｓ，１Ｈ，ＯＨ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，６２．８９ＭＨｚ）：δ＝５０．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１７．５Ｈｚ，ＣＨ_２Ｎ）；５３．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５４．１（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．８Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５８．３（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．３Ｈｚ，ＰＣＨ）；１１６．１（ｓ，Ｃ^２）；１２５．１（ｂｓ，Ｃ^４）；１２７．２（ｓ，Ｃ_ｐ）；１２８．４（ｓ，Ｃ_ｍ，Ｃ_ｏ）；１２９．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．９Ｈｚ，Ｃ^３）；１３９．１（ｓ，Ｃ_ｉ）；１５７．１（ｓ，Ｃ^１）．

工程２：ビスホスホネートフェノールの合成

３７％ホルムアルデヒド水溶液（８７０μＬ；１１．７ｍｍｏｌ；１．５ｅｑ．）を、前工程で合成したα−アミノホスホネート（２．５ｇ；７．７９ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（５０ｍＬ）溶液に添加する。３０分後、亜リン酸ジメチル（７８５μＬ；８．５６ｍｍｏｌ；１．１ｅｑ）を添加する。溶液を２４時間撹拌して、６００μＬのホルムアルデヒド（３７％水溶液）を添加する。反応の進行を^３１ＰＮＭＲによってモニタリングする。９６時間反応後、反応混合物をＮａＨＣＯ_３の飽和溶液に注ぎ入れ、次いでＣＨ_２Ｃｌ_２で抽出する。有機相をＭｇＳＯ_４で乾燥して、溶媒を減圧下に濃縮する。残渣をエーテルで２回、ＴＨＦ／ペンタン混合物で２回洗浄し、真空下に乾燥して、シリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ＡｃＯＥｔ／ＭｅＯＨ；９５：５）により精製して、粘性のある油状物を収率６５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝３１．５（ｓ）；２８．９（ｓ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝２．７０（ｄｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．５Ｈｚ及び^２Ｊ_ＨＰ＝３．４Ｈｚ，ＣＨＨＰ）；３．２９（ｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３．４Ｈｚ，ＣＨＨＰｈ）；３．４４（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．４９（ｄｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．５Ｈｚ及び^２Ｊ_ＨＰ＝１６Ｈｚ，ＣＨＨＰ）；３．６５（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．７４（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．８５（ｄ，３Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．８Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；４．４２（ｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＰ＝２５．６Ｈｚ，ＰＣＨ）；４．４４（ｄ，１Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３．４Ｈｚ，ＣＨＨＰｈ）；６．８５（ｄ，２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，Ｃ^２−Ｈ）；７．３５（ｍ，７Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ）；８．８０（ｂｓ，１Ｈ，ＯＨ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，６２．８９ＭＨｚ）：δ＝４５．２（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６５．３Ｈｚ及び^３Ｊ_ＣＰ＝７．５Ｈｚ，ＰＣＨ_２）；５２．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．２Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝９．２Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．１（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝８．２Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５７．１（ｂｓ，ＣＨ _２Ｐｈ）；５９．５（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６３．４Ｈｚ及び^３Ｊ_ＣＰ＝１０．３Ｈｚ，ＰＣＨ）；１１５．５（ｓ，Ｃ^２）；１２０．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝４．３Ｈｚ，Ｃ^４）；１２７．４（ｓ，Ｃ_ｐ）；１２８．３（ｓ，Ｃ_ｍ）；１２９．２（ｓ，Ｃ_ｏ）；１３２．１（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．９Ｈｚ，Ｃ^３）；１３８．２（ｓ，Ｃ_ｉ）；１５７．９（ｓ，Ｃ^１）．

工程３：第１世代リン含有デンドリマーへのグラフト化

前工程で得た１２．６当量（５６０ｍｇ；１．２６ｍｍｏｌ）の官能化フェノール（アセトニトリル又はＴＨＦ中に可溶化したもの）を、Ｓ＝ＰＣｌ_２末端基を有するＧｃ_１デンドリマー（１８１ｍｇ；９９μｍｏｌ）／ＴＨＦ又はアセトニトリル（１０ｍＬ）溶液に添加する。次いで１５当量（４９０ｍｇ；１．５０ｍｍｏｌ）のＣｓ_２ＣＯ_３を溶液に添加して、得られた懸濁液を塩素原子が完全に置換するまで（７２時間，^３１ＰＮＭＲでモニタリング）撹拌する。混合物をデカントし、上澄み液を集めて、残留固体をＴＨＦで洗浄する。上澄み液を合わせて、遠心分離する。得られた透明な溶液を減圧下に濃縮する。残渣を最小量のＴＨＦに溶解し、次いでペンタンで沈殿させ、最後に洗浄（ＴＨＦ／ペンタン；ＴＨＦ／Ｅｔ_２Ｏ；Ｅｔ_２Ｏ）によって精製して、白色固体を収率９０％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，１０１．２ＭＨｚ）：δ＝１１．３（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；２８．２（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；３０．６（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；６５．３（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２５０．１３ＭＨｚ）：δ＝２．６４（ｄｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１５．８Ｈｚ及び^２Ｊ_ＨＰ＝３．４Ｈｚ，ＣＨＨＰ）；３．２７（ｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１２．５Ｈｚ，ＣＨＨＰｈ）；３．３２（ｄ，１８Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．７Ｈｚ，ＮＭｅ）；３．３９（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．４６（ｍ，１２Ｈ，ＰＣＨＨ）；３．５８（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．６７（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．８３（ｄ，３６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；４．４４（ｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１２．５Ｈｚ，ＣＨＨＰｈ）；４．５２（ｄ，１２Ｈ，^２Ｊ_ＨＰ＝２４．９Ｈｚ，ＣＨＰ）；７．０４（ｄ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝８．４Ｈｚ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．２８（ｍ，８４Ｈ，Ｃ_６Ｈ_５，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．４９（ｄ，２４Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝８．２Ｈｚ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．６３（ｍ，１８Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ及びＣＨ＝Ｎ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，６２．８９ＭＨｚ）：δ＝３２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．４Ｈｚ，ＮＣＨ_３）；４５．２（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６４．６及び^３Ｊ_ＣＰ＝８．４Ｈｚ，ＰＣＨ_２）；５２．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．４Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．８Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．４Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５７．８（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．４Ｈｚ，ＣＨ _２−Ｐｈ）；５９．７（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６０．８及び^３Ｊ_ＣＰ＝９．４Ｈｚ，ＰＣＨ）；１２１．３（ｄｌ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．３Ｈｚ，Ｃ_０ ^２及びＣ_１ ^２）；１２７．５（ｓ，Ｃ_ｐ）；１２８．４（ｂｓ，Ｃ_０ ^３ _，Ｃ_１ ^４，Ｃ_ｍ）；１２９．３（ｓ，Ｃ_ｏ）；１３２．０（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３２．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．４Ｈｚ，Ｃ_１ ^３）；１３８．２（ｓ，Ｃ_ｉ）；１３９．１（ｂｓ，ＣＨ＝Ｎ）；１５０．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５１．１（ｂｓ，Ｃ_０ ^１）．

工程４：アミノビス−ホスホン酸（ナトリウム塩）末端を有する第１世代リン含有デンドリマー

６０当量（１９０μＬ；１．４３０ｍｍｏｌ）のブロモトリメチルシランを、０°Ｃでアルゴン流下に、前工程で得たジメチルホスホネート末端基を有するデンドリマー（１６０ｍｇ；２３．８μｍｏｌ）／アセトニトリル（５ｍＬ）溶液に添加する。溶液を室温で１６時間撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。５ｍＬのメタノールを添加して、混合物を２時間激しく撹拌する。メタノールを減圧下に除去し、残渣を蒸留エーテルで、次いで水及びメタノールで洗浄する。固体を減圧下に乾燥し、粉末を得る。ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，２．０７ｍＬ，２４ｅｑ．）を固体にゆっくり添加する。得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。アミノビス−ホスホン酸を白色粉末の形態で収率７１％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１１．８（ｂｓ，Ｎ_３Ｐ_３及びＰ＝Ｏ），６７．１（ｂｓ，Ｐ＝Ｓ）．

《実施例５１：アザ−ビス−ホスホネートカルボン酸の合成》

（ａ）ｎ＝１
アミノ酢酸［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］の合成

５ｇのアミノ酢酸（６６．６ｍｍｏｌ）をフラスコに導入し、２０ｍＬのＴＨＦに溶解する。３当量の３７％ホルムアルデヒド水溶液を室温で添加して、３０分間撹拌する。次いで４当量の亜リン酸ジメチルを添加する。混合物を電磁撹拌下に室温で１２時間維持し、４０ｍＬの蒸留水を反応媒体に添加し、ＴＨＦを減圧下に除去して、生成物を３ｘ１００ｍＬのクロロホルムで抽出する。有機相を硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで蒸発させる。次いでアミノビスホスホネート酢酸をＣＨ_２Ｃｌ_２／ＭｅＯＨ混合物（９５／５）溶離液を用いるシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製して、灰色がかった白色粉末の形態で収率３７％で単離する。
Ｒｆ（ＣＨ_２Ｃｌ_２／ＭｅＯＨ：９５／５）＝０．３２
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．０ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝３．２２（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１０．１Ｈｚ，４Ｈ，ＣＨ_２−Ｐ），３．６１（ｓ，２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＯ），３．６８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，１２Ｈ，Ｏ−ＣＨ_３），１０．８（ｓ，１Ｈ，ＣＯＯＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝４９．８（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６２．１Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝９．９Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５３．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．９Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ），５５．７（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝５．８Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＯ），１７１．９（ｓ，ＣＯＯＨ）ｐｐｍ．

（ｂ）ｎ＝３
アミノ酪酸［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］の合成

５ｇのアミノ酸（４８．５ｍｍｏｌ）をフラスコに導入し、２０ｍＬのＴＨＦに溶解する。３当量の３７％ホルムアルデヒド水溶液を室温で添加して、３０分間撹拌する。次いで４当量の亜リン酸ジメチルを添加する。混合物を電磁撹拌下に室温で１２時間維持し、４０ｍＬの蒸留水を反応媒体に添加し、ＴＨＦを減圧下に除去し、次いで生成物を３ｘ１００ｍＬのクロロホルムで抽出する。有機相を硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで蒸発させる。次いで生成物をＣＨ_２Ｃｌ_２／ＭｅＯＨ混合物（９５／５）溶離液を用いるシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、灰色がかった白色粉末の形態で収率５３％で単離する。
Ｒｆ（ＣＨ_２Ｃｌ_２／ＭｅＯＨ：９５／５）＝０．３５
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．７ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝１．７４（ｑｕｉｎｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−ＣＨ_２），２．３６（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ，ＨＯＯＣ−ＣＨ _２），２．７８（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ），３．１０（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝８．８Ｈｚ，４Ｈ，ＣＨ_２−Ｐ），３．７４（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，１２Ｈ，Ｏ−ＣＨ_３）ｐｐｍ．ＣＯＯＨのプロトンは観測されなかった．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２２．６（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３１．１（ｓ，ＨＯＯＣ−ＣＨ_２），４９．３（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５８．０Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．３Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ），５６．０（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．５Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＨ_２），１７６．１（ｓ，ＣＯＯＨ）ｐｐｍ．

《実施例５２：実施例５１のジメチルホスホン酸エステルのホスホン酸への開裂》
（ａ）ｎ＝１：

０．３９ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネート化合物を４ｍＬのアセトニトリルに溶解して、２．３３ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（５．５当量）を０°Ｃで不活性雰囲気下に滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間次いで室温で１５時間撹拌する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで３ｍＬのメタノールを添加する。混合物を３０分間撹拌し、次いで溶媒を蒸発させる。５ｍＬの蒸留水を添加して、撹拌を室温で１時間継続し、次いで溶液を凍結乾燥する。乾燥した残渣をエーテルで３回洗浄する。生成物を黄色粉末の形態で収率８３％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ）δ＝１０．６ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＯＤ）δ＝５１．９（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１４８．５Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．２Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５５．９（ｓ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＯ），１６８．１（ｓ，ＣＯＯＨ）ｐｐｍ．

（ｂ）ｎ＝３：

０．３９ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネート化合物を４ｍＬのアセトニトリルに溶解して、２．３３ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（５．５当量）を０°Ｃで不活性雰囲気下に滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間次いで室温で１５時間撹拌する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで３ｍＬのメタノールを添加する。混合物を３０分間撹拌し、次いで溶媒を蒸発させる。５ｍＬの蒸留水を添加して、撹拌を室温で１時間継続し、次いで溶液を凍結乾燥する。乾燥した残渣をエーテルで３回洗浄する。生成物を黄色粉末の形態で収率７８％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ）δ＝１１．３ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ）δ＝２１．４（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３３．１（ｓ，ＣＯ−ＣＨ_２−），５３．８（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３０．０Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝４．１Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５８．８（ｓ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＨ_２），１７９．４（ｓ，ＣＯＯＨ）ｐｐｍ．

《実施例５３：アミド−チラミンアザビス−ホスホネート化合物の合成》

（ａ）ｎ＝１
チラミンとアミノ酢酸［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］のカップリング

実施例５１（ｎ＝１）で得た３００ｍｇのカルボン酸（０．９４ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にフラスコに導入して、５ｍＬの乾燥ＤＭＦに溶解する。溶液を０°Ｃにし、次いで１．３当量のＨＯＢｔをそれに添加し、撹拌を０°Ｃで１５分間継続し、次いで１．３当量のＤＣＣを添加する。混合物を０°Ｃで３０分間次いで室温で１時間撹拌する。沈殿物の形成が観察される。混合物を再び０°Ｃにし、次いでチラミン（１．１当量）を添加して、０°Ｃで３０分間次いで室温で１５時間撹拌する。沈殿物を５μミリポアフィルターで除去して、溶液を凍結乾燥する。残留油状物をシリカカラムクロマトグラフィーによってＣＨ_２Ｃｌ_２／ＭｅＯＨ混合物（９０／１０）による溶離液（Ｒｆ＝０．４７）で精製し、生成物を灰色がかった白色粉末の形態で収率４２％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．２ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝２．７３（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ _２），３．１３（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．０Ｈｚ，４Ｈ，ＣＨ_２−Ｐ），３，３３−３．５２（ｍ，４Ｈ，ＣＯ−ＣＨ_２−Ｎ，ＣＨ _２−ＮＨ），３．７４（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，１２Ｈ，ＣＨ_３−Ｏ），６．７５（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ，ＨＣ^２），７．００（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ，ＨＣ^３），７．４６（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．８Ｈｚ，１Ｈ，ＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３４．７（ｓ，Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２），４０．７（ｓ，ＣＨ_２−ＮＨ），４９．９（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５８．９Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．７Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．７Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ），６０．７（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．４Ｈｚ，ＣＯ−ＣＨ_２−Ｎ），１１５．４（ｓ，Ｃ^２），１２９．７（ｓ，Ｃ^３，Ｃ^４），１５５．４（ｓ，Ｃ^１），１６９．７（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

（ｂ）ｎ＝３
チラミンとアミノ酪酸［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］のカップリング

実施例５１（ｎ＝３）で得た３００ｍｇのカルボン酸（０．８６ｍｍｏｌ）を、アルゴン下にフラスコに導入して、５ｍＬの乾燥ＤＭＦに溶解する。溶液を０°Ｃにし、次いで１．３当量のＨＯＢｔをそれに添加し、撹拌を０°Ｃで１５分間次いで室温で１時間継続する。沈殿物の形成が観察される。混合物を再び０°Ｃにし、次いでチラミン（１．１当量）を添加して、０°Ｃで３０分間次いで室温で１５時間撹拌する。沈殿物を５μミリポアフィルターで除去して、溶液を凍結乾燥する。残留油状物をシリカカラムクロマトグラフィーによってＣＨ_２Ｃｌ_２／ＭｅＯＨ混合物（９５／５）による溶離液（Ｒｆ＝０．５２）で精製する。生成物を収率５１％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．６ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝１．７１（ｑｕｉｎｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−ＣＨ_２），２．２０（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＯ−ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），２．６９（ｍ，４Ｈ，ＣＯ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ _２，Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ _２），３．０８（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ，ＣＨ_２−Ｐ），３．４２（ｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ _２−ＮＨ），３．７５（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，１２Ｈ，ＣＨ_３−Ｏ），６．６７（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ，ＮＨ），６．７６（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ，Ｈ_Ａｒ），６．９８（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ，Ｈ_Ａｒ），８．３４（ｓ，ＯＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２３．９（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３３．４（ｓ，ＣＯ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３４．６（ｓ，Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２），４０．８（ｓ，ＣＨ_２−ＮＨ），４９．５（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５９．４Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．２Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ），５６．０（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．８Ｈｚ，ＣＯ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），１１５．５（ｓ，Ｃ^２），１２９．７（ｓ，Ｃ^３），１２９．７（ｓ，Ｃ^４），１５５．４（ｓ，Ｃ^１），１７３．６（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例５４：実施例５３の生成物を用いて得た［（カルバモイルメチル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有するチラミン》
（ａ）ｎ＝１：

実施例５３の（ａ）で得た０．２ｍｍｏｌのカップリング生成物を、０°Ｃで３ｍＬの蒸留アセトニトリルの溶液に入れる。次いで５．５当量のＢｒＴＭＳを注射器に添加する。撹拌を０°Ｃで１５分間次いで室温で一晩継続する。次いで混合物を真空下にもたらし、室温でメタノリシス次いで加水分解をする。凍結乾燥後、乾燥した残渣をエーテルで３回洗浄して、相当するホスホン酸を得る。２当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を製造して、灰色がかった白色粉末形態で定量的収率で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＴＨＦｄ８）δ＝１９．９ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＴＨＦｄ８）δ＝３６．７（ｓ，Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２），４４．１（ｓ，ＣＨ_２−ＮＨ），５８．１（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１４７．２Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝１４．５Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），６３．３（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．７Ｈｚ，ＣＯ−ＣＨ_２−Ｎ），１２１．４（ｓ，Ｃ^２），１２７．６（ｓ，Ｃ^４），１３２．５（ｓ，Ｃ^３），１６７．０（ｓ，Ｃ^１），１７７．４（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

（ｂ）ｎ＝３：

実施例５３の（ｂ）で得た０．２ｍｍｏｌのカップリング生成物を、０°Ｃで３ｍＬの蒸留アセトニトリルの溶液に入れる。次いで５．５当量のＢｒＴＭＳを注射器に添加する。撹拌を０°Ｃで１５分間次いで室温で一晩継続する。次いで混合物を真空下にもたらし、室温でメタノリシス次いで加水分解をする。凍結乾燥後、乾燥した残渣をエーテルで３回洗浄して、相当するホスホン酸を得る。２当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を製造して、灰色がかった白色粉末の形態で定量的収率で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ）δ＝１０．９ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ）δ＝２２．６（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３５．１（ｓ，ＣＯ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３６．２（ｓ，Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２），４３．３（ｓ，ＣＨ_２−ＮＨ），５４．１（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３６．５Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５９．０（ｓ，ＣＯ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），１１８．１（ｓ，Ｃ^２），１３３．０（ｓ，Ｃ^３），１３３．８（ｓ，Ｃ^４），１５６．６（ｓ，Ｃ^１），１７７．０（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例５５：グリシンに由来するアザ−ビス−ホスホノ末端を有するＤＡＢデンドリマーモデルの合成》
工程１：トリス−（２−アミノエチルアミン）とアミノ酢酸［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］のカップリング（ＤＡＢデンドリマーモデル）

実施例５１（ｎ＝１）で得た１．５７ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸を、アルゴン下にフラスコに導入して、５ｍＬの乾燥ＤＭＦに溶解する。溶液を０°Ｃにし、次いで１．１当量の１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ）をそれに添加し、撹拌を０°Ｃで１５分間継続し、次いで１．１当量の１．３−ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）を添加する。混合物を０°Ｃで３０分間次いで室温で１時間撹拌する。沈殿物の形成が観察される。次いで０°Ｃで１ｍＬの乾燥ＤＭＦ中の０．４ｍｍｏｌトリス−（２−アミノエチルアミン）の溶液を添加し、撹拌を０°Ｃで１５分間次いで室温で一晩継続する。沈殿物を５μミリポアシリンジフィルターで濾過によって除去し、次いで溶液を凍結乾燥する。生成物を最小容量のＣＨ_２Ｃｌ_２に溶解し大容量のジエチルエーテルで沈殿させることによって精製する。この沈殿法を３回繰り返して、微量のＨＯＢｔを除去する。生成物を灰色がかった白色粉末の形態で収率５５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．３ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝２．６７（ｂｓ，６Ｈ，Ｎ−ＣＨ_２），３．２０（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．３Ｈｚ，１２Ｈ，Ｐ−ＣＨ_２），３．２８（ｂｓ，６Ｈ，ＣＨ _２−ＮＨＣＯ），３．４７（ｓ，６Ｈ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＯ），３．７３（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，３６Ｈ，Ｏ−ＣＨ_３），７．６５（ｂｓ，３Ｈ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３６．９（ｓ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＨ_２），４９．８（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５８．２Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．４Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ），５３．７（ｓ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＨ_２），５９．９（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．４Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＯ），１７０．１（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：グリシンに由来するアザ−ビス−ホスホン酸末端を有するＤＡＢデンドリマーモデルの合成

工程１の０．２５ｍｍｏｌのＤＡＢアザビス−ホスホネートモデル化合物を３ｍＬのアセトニトリルの溶液に入れて、０°Ｃにし、次いで３．７５ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳを不活性雰囲気下に滴下する。０°Ｃで３０分撹拌後、氷浴を取り外して、撹拌を室温で１５時間継続する。溶媒を減圧下に除去して、乾燥した残渣に３ｍＬのＭｅＯＨを添加する。混合物を３０分間撹拌し、次いで溶媒を真空下に除去して、３ｍＬの蒸留水を添加する。１時間撹拌後、混合物を凍結乾燥する。乾燥した残渣を乾燥エーテルで３回洗浄する。生成物をベージュ色粉末の形態で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＴＨＦｄ８）δ＝１１．２ｐｐｍ．

工程３：［（カルバモイルメチル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有するＤＡＢデンドリマーモデル

工程２で得た分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後に生成物を灰色がかった白色粉末の形態で収率６７％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＴＨＦｄ８）δ＝１７．８ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＴＨＦｄ８）δ＝３６．３（ｓ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＨ_２），５４．２（ｓ，Ｎ−ＣＨ_２ −ＣＨ_２），５７．２（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１４９．０Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝９．８Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），６２．６（ｂｓ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＯ），１７４．８（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例５６：アミノ酪酸に由来するアザ−ビス−ホスホノ末端を有するＤＡＢデンドリマーモデルの合成》
工程１：トリス−（２−アミノエチルアミン）とアミノ酪酸［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］のカップリング（ＤＡＢデンドリマーモデル）

実施例５１（ｎ＝３）で得た１．５７ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸をアルゴン下にフラスコに導入して、５ｍＬの乾燥ＤＭＦに溶解する。溶液を０°Ｃにし、次いで１．１当量の１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ）をそれに添加し、撹拌を０°Ｃで１５分間継続し、次いで１．１当量の１．３−ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）を添加する。混合物を０°Ｃで３０分間次いで室温で１時間撹拌する。沈殿物の形成が観察される。次いで０．４ｍｍｏｌのトリス−（２−アミノエチルアミン）／１ｍＬ乾燥ＤＭＦ溶液を０°Ｃで添加して、撹拌を０°Ｃで１５分間次いで室温で一晩継続する。沈殿物を５μミリポアシリンジフィルターで濾過して除去し、次いで溶液を凍結乾燥する。生成物を最小容積のＣＨ_２Ｃｌ_２に溶解して大容量のジエチルエーテルで沈殿させることによって精製する。この沈殿法を３回繰り返して、微量のＨＯＢｔを除去する。生成物を灰色がかった白色粉末の形態で収率６６％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．５ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝１．１６（ｑｕｉｎｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−ＣＨ_２），２．２４（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ，ＣＯ−ＣＨ_２），２．７２（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．０Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ _２−Ｎ−ＣＨ_２−Ｐ），２．８６（ｂｓ，６Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＮＨ），３．０８（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝８．９Ｈｚ，１２Ｈ，Ｐ−ＣＨ_２），３．３６（ｂｓ，６Ｈ，ＣＨ _２−ＮＨＣＯ），３．７１（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，３６Ｈ，Ｏ−ＣＨ_３），７．６５（ｂｓ，３Ｈ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２３．６（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３３．１（ｓ，ＮＨＣＯ−ＣＨ_２），３６．４（ｓ，ＮＨ−ＣＨ_２），４９．４（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．８Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．７Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．０Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ），５４．０（ｓ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＮＨ），５６．２（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．７Ｈｚ，Ｐ−ＣＨ_２−Ｎ−ＣＨ_２），１７４．１（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：アミノ酪酸に由来するアザ−ビス−ホスホン酸末端を有するＤＡＢデンドリマーモデルの合成

工程１の０．２５ｍｍｏｌのＤＡＢアザビス−ホスホネートモデル化合物を３ｍＬアセトニトリルの溶液に入れ、０°Ｃにし、次いで３．７５ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳを不活性雰囲気下に滴下する。０°Ｃで３０分撹拌後、氷浴を取り外して、撹拌を室温で１５時間継続する。溶媒を減圧下に除去して、乾燥した残渣に３ｍＬのＭｅＯＨを添加する。混合物を３０分間撹拌し、次いで溶媒を真空下に除去して、３ｍＬの蒸留水を添加する。１時間撹拌後に混合物を凍結乾燥する。乾燥した残渣を乾燥エーテルで３回洗浄する。生成物をベージュ色の粉末の形態で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＴＨＦｄ８）δ＝１１．０ｐｐｍ．

工程３：［（カルバモイルプロピル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有するＤＡＢデンドリマーモデル

工程２で得た分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後に生成物を灰色がかった白色粉末の形態で収率７０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＴＨＦｄ８）δ＝１１．４ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＴＨＦｄ８）δ＝２２．１（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３５．０（ｓ，ＮＨＣＯ−ＣＨ_２），３７．０（ｓ，ＮＨ−ＣＨ_２），５３．８（ｄｌ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３６．８Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５５．１（ｓ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＮＨ），５９．２（ｂｓ，Ｐ−ＣＨ_２−Ｎ−ＣＨ_２），１７８．４（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例５７：グリシンに由来する４個のアザビス−ホスホノ基を有する第１世代ＤＡＢ型デンドリマーの合成》
工程１：第１世代ＤＡＢデンドリマーと［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］アミノ酢酸のカップリング

４ｍＬの乾燥ＤＭＦを、不活性雰囲気下に、実施例５１（ｎ＝１）で得た２ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸に添加する。溶液を０°Ｃにし、次いで２．６ｍｍｏｌのＨＯＢｔを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間継続して、２．６ｍｍｏｌのＤＣＣを添加する。０°Ｃで３０分後に混合物を放置して室温まで戻し、撹拌を更に１時間継続する。漸進的な沈殿物形成が観察される。懸濁液を再び０°Ｃにし、次いで０．３３ｍｍｏｌの第１世代ＤＡＢデンドリマーを添加する。０°Ｃで３０分後に撹拌を室温で２０時間継続する。沈殿物を５μミクロポアフィルターで除去し、次いでＤＭＦを凍結乾燥する。生成物を、最小容量のジクロロメタンに溶解して大容量のジエチルエーテルで沈殿させることにより、３回処理して、過剰の試薬を除去する。デンドリマーを灰色がかった白色粉末の形態で収率７３％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．２ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝１．６７（ｂｓ，４Ｈ，Ｈａ），１．８６（ｂｓ，８Ｈ，Ｈｄ），２．９７（ｂｓ，１２Ｈ，Ｈｂ及びｄＨｃ），３．２０（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．２Ｈｚ，１６Ｈ，ＣＨ_２Ｐ），３．２８（ｂｓ，８Ｈ，Ｈｅ），３．４７（ｂｓ，８Ｈ，Ｈｆ），３．７３（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，４８Ｈ，ＯＭｅ），７．９８（ｂｓ，４Ｈ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２１．９（ｓ，Ｃａ），２４．４（ｓ，Ｃｄ），３６．５（ｓ，Ｃｅ），４９．８（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．６Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５０．５（ｓ，Ｃｃ），５２．４（ｓ，Ｃｂ），５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．９Ｈｚ，ＯＭｅ），６０．３（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．５Ｈｚ，Ｃｆ），１７０．３（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：表面にグリシンに由来する４個のアザビス−ホスホン酸基を有する第１世代ＤＡＢ型デンドリマーの合成

４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルを、不活性雰囲気下に、工程１の０．２ｍｍｏｌのアザビス−ホスホネート末端を有する第１世代ＤＡＢ型デンドリマーに添加して、混合物を０°Ｃまで冷却する。次いで６．４ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（すなわち３２当量）を滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間維持し、次いで撹拌下に室温で更に１５時間維持する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで前の諸例のように、混合物をメタノリシス及び加水分解する。次いで乾燥した残渣をＴＨＦ／ジエチルエーテル混合物（１／９）で２回洗浄する。次いで粉末を真空下に乾燥して、純粋な生成物を収率７９％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＴＨＦｄ８）δ＝１１．５ｐｐｍ．

工程３：（カルバモイルメチル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第１世代ＤＡＢデンドリマー

工程２で得た分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後にデンドリマーをベージュ色の粉末の形態で収率６８％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１９．９ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２３．７（ｓ，Ｃａ），２６．０（ｓ，Ｃｄ），３８．８（ｓ，Ｃｅ），５４．４（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５９．６Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５４．６（ｓ，Ｃｃ），５８．１（ｓ，Ｃｂ），６３．１（ｂｓ，Ｃｆ），１７５．８（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例５８：アミノ酪酸に由来する４個のアザビス−ホスホノ基を有する第１世代ＤＡＢ型デンドリマーの合成》
工程１：第１世代ＤＡＢデンドリマーと［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］アミノ酪酸のカップリング

４ｍＬの乾燥ＤＭＦを、不活性雰囲気下に、実施例５１（ｎ＝３）（ｅｘ．Ａ３）で得た２ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸に添加する。溶液を０°Ｃにし、次いで２．６ｍｍｏｌのＨＯＢｔを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間継続し、２．６ｍｍｏｌのＤＣＣを添加する。０°Ｃで３０分後に混合物を放置して室温まで戻し、撹拌を更に１時間継続する。漸進的な沈殿物形成が観察される。懸濁液を再び０°Ｃにし、次いで０．３３ｍｍｏｌの第１世代ＤＡＢデンドリマーを添加する。０°Ｃで３０分後に撹拌を室温で２０時間継続する。沈殿物を５μミリポアフィルターで除去し、次いでＤＭＦを凍結乾燥する。生成物を最小容量のジクロロメタンに溶解して大容量のジエチルエーテルで沈殿させることにより、３回処理して、過剰の試薬を除去する。デンドリマーを灰色がかった白色粉末の形態で収率６９％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．４ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝１．７０−１．８３（ｍ，２０Ｈ，Ｈａ，Ｈｄ及びＨｇ），２，２３（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．９Ｈｚ，８Ｈ，Ｈｆ），２．７２（ｍ，８Ｈ，Ｈｈ），２．９７（ｍ，１２Ｈ，Ｈｂ及びＨｃ），３．０９（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．９Ｈｚ，１６Ｈ，ＣＨ_２Ｐ），３．２４（ｍ，８Ｈ，Ｈｅ），３．７２（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，４８Ｈ，ＯＭｅ），７．８３（ｍ，４Ｈ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２１．５（ｓ，Ｃａ），２３．６（ｓ，Ｃｇ），２３．９（ｓ，Ｃｄ），３３．２（ｓ，Ｃｆ），３６．４（ｓ，Ｃｅ），４９．４（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５１．７Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．５Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５０．５（ｓ，Ｃｃ），５２．２（ｓ，Ｃｂ），５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．５Ｈｚ，ＯＭｅ），５６．２（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．５Ｈｚ，Ｃｈ），１７３．９（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：アミノ酪酸に由来する４個のアザビス−ホスホン酸基を有する第１世代ＤＡＢ型デンドリマーの合成

４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルを、不活性雰囲気下に、工程１の０．２ｍｍｏｌのアザビス−ホスホネート末端を有する第１世代ＤＡＢ型デンドリマーに添加して、混合物を０°Ｃまで冷却する。次いで６．４ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（すなわち３２当量）を滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間維持し、次いで撹拌下に室温で更に１５時間維持する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで混合物を前の諸例のようにメタノリシス及び加水分解する。次いで乾燥した残渣をＴＨＦ／ジエチルエーテル混合物（１／９）で２回洗浄する。粉末を真空下に乾燥して純粋な生成物を収率６８％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１１．０ｐｐｍ．

工程３：［（カルバモイルプロピル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第１世代ＤＡＢデンドリマー

工程２で得た分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後にデンドリマーを灰色がかった白色粉末の形態で収率６９％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１０．２ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝２２．７（ｓ，Ｃｇ），２３．３（ｓ，Ｃａ），２６．０（ｓ，Ｃｄ），３５．２（ｓ，Ｃｆ），３９．０（ｓ，Ｃｅ），５２．９（ｓ，Ｃｃ），５５．０（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３０．７Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５４．４（ｓ，Ｃｂ），５８．８（ｓ，Ｃｈ），１７７．６（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例５９：グリシンに由来する８個のアザビス−ホスホノ基を有する第２世代ＤＡＢ型デンドリマーの合成》
工程１：第２世代ＤＡＢデンドリマーとアミノ酢酸［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］のカップリング

４ｍＬの乾燥ＤＭＦを、不活性雰囲気下に、実施例５１（ｎ＝１）で得た２ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸に添加する。溶液を０°Ｃにし、次いで２．６ｍｍｏｌのＨＯＢｔを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間継続し、２．６ｍｍｏｌのＤＣＣを添加する。０°Ｃで３０分後に混合物を放置して室温まで戻して、撹拌を更に１時間継続する。漸進的な沈殿物形成が観察される。懸濁液を再び０°Ｃにし、次いで０．１７ｍｍｏｌの第２世代ＤＡＢデンドリマーを添加する。０°Ｃで３０分後に撹拌を室温で２０時間継続する。沈殿物を５μミリポアフィルターで除去し、次いでＤＭＦを凍結乾燥する。生成物を、最小容量のジクロロメタンに溶解して大容量のジエチルエーテルで沈殿させることにより、３回処理して、過剰の試薬を除去する。デンドリマーを灰色がかった白色粉末の形態で収率６４％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．３ｐｐｍ．

工程２：表面にグリシンに由来する８個のアザビス−ホスホン酸基を有する第２世代ＤＡＢ型デンドリマーの合成

４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルを、不活性雰囲気下に、工程１の０．２ｍｍｏｌのアザビス−ホスホネート末端を有する第２世代ＤＡＢ型デンドリマーに添加して、混合物を０°Ｃまで冷却する。次いで１２．８ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（すなわち６４当量）を滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間維持し、次いで撹拌下に室温で更に１５時間維持する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで混合物を前の諸例におけるようにメタノリシス及び加水分解する。次いで乾燥した残渣をＴＨＦ／ジエチルエーテル混合物（１／９）で２回洗浄する。次いで粉末を真空下に乾燥して、純粋な生成物を収率６８％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１０．６ｐｐｍ．

工程３：（カルバモイルメチル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第２世代ＤＡＢデンドリマー

工程２で得た分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後にデンドリマーをベージュ色粉末の形態で収率６８％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１８．６ｐｐｍ．

《実施例６０：アミノ酪酸に由来する８個のアザビス−ホスホノ基を有する第２世代ＤＡＢ型デンドリマーの合成》
工程１：第２世代ＤＡＢデンドリマーとアミノ酪酸［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］のカップリング

４ｍＬの乾燥ＤＭＦを、不活性雰囲気下に、実施例５１（ｎ＝３）で得た２ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸に添加する。溶液を０°Ｃにし、次いで２．６ｍｍｏｌのＨＯＢｔを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間継続し、２．６ｍｍｏｌのＤＣＣを添加する。０°Ｃで３０分後に混合物を放置して室温まで戻して、撹拌を更に１時間継続する。漸進的な沈殿物形成が観察される。懸濁液を再び０°Ｃにし、次いで０．１７ｍｍｏｌの第２世代ＤＡＢデンドリマーを添加する。０°Ｃで３０分後に、撹拌を室温で２０時間継続する。沈殿物を５μミリポアフィルターで除去し、ついでＤＭＦを凍結乾燥する。生成物を最小容量のジクロロメタンに溶解して大容量のジエチルエーテルで沈殿させることにより、３回処理して、過剰の試薬を除去する。デンドリマーを灰色がかった白色粉末の形態で収率７５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．４ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝１．６２−１．９１（ｍ，４４Ｈ，Ｈａ，Ｈｄ，Ｈｏｆ及びＨｇ），２．１６（ｂｓ，２４Ｈ，Ｈｃ及びＨｃ’），２．７２（ｂｓ，２４Ｈ，Ｈｅ及びＨｅ’），２．８８−３．２５（ｍ，６８Ｈ，Ｈｂ，Ｈｆ，Ｈｈ及びＣＨ_２Ｐ），３．６９（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，９６Ｈ，ＯＭｅ），７．８０（ｍ，８Ｈ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２０．８（ｓ，Ｃａ），２３．６（ｓ，Ｃｇ），２４．４（ｓ，Ｃｄ及びＣｄ’），３３．２（ｓ，Ｃｆ），３６．６（ｓ，Ｃｅ’），４９．３（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５８．１Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５０．５（ｓ，Ｃｃ及びＣｃ’），５２．４（ｓ，Ｃｂ及びＣｅ），５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．８Ｈｚ，ＯＭｅ），５６．２（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．５Ｈｚ，Ｃｈ），１７３．７（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：表面にアミノ酪酸に由来する８個のアザビス−ホスホン酸基を有する第２世代ＤＡＢ型デンドリマーの合成

４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルを、不活性雰囲気下に、工程１の０．２ｍｍｏｌのアザビス−ホスホネート末端を有する第１又は第２世代ＤＡＢ型デンドリマーに添加して、混合物を０°Ｃまで冷却する。次いで１２．８ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（すなわち６４当量）を滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間維持し、次いで撹拌下に室温で更に１５時間維持する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで混合物を前の諸例におけるようにメタノリシス及び加水分解する。次いで乾燥した残渣をＴＨＦ／ジエチルエーテル混合物（１／９）で２回洗浄する。次いで粉末を真空下に乾燥して、純粋な生成物を収率７４％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１０．９ｐｐｍ．

工程３：［（カルバモイルプロピル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第２世代ＤＡＢデンドリマー

工程２で得た分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後にデンドリマーを灰色がかった白色粉末の形態で収率７２％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１０．１ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝２１．７（ｓ，Ｃａ），２２．８（ｓ，Ｃｇ），２５．８（ｓ，Ｃｄ及びＣｄ’），３５．２（ｓ，Ｃｆ），３９．１（ｓ，Ｃｅ’），５５．２（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１２９．４Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５２．４（ｓ，Ｃｃ及びＣｃ’），５２．９（ｓ，Ｃｂ及びＣｅ），５８．８（ｓ，Ｃｈ），１７７．７（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例６１：グリシンに由来するアザビス−ホスホノ基を有するＰＡＭＡＭデンドリマーモデル》
工程１：Ｎ−（２−アミノエチル）−アセトアミドと［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］アミノ酢酸のカップリング

実施例５１（ｎ＝１）で得た１．５８ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸を、０°Ｃで５ｍＬの乾燥ＤＭＦの溶液に入れる。次いで１．７４ｍｍｏｌのＨＯＢｔを添加して、その後に０°Ｃで１５分間撹拌し、次いで１．７４ｍｍｏｌのＤＣＣを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間及び室温で１時間継続する。沈殿物が生じる。混合物を０°Ｃにして、１．５８ｍｍｏｌのＮ−（２−アミノエチル）−アセトアミドを０°Ｃで添加する。混合物を０°Ｃで１５分間次いで室温で一晩撹拌する。カップリング生成物を溶離液として純粋なＣＨ_２Ｃｌ_２を用いて次いで１０％ＭｅＯＨまで勾配を生じるシリカクロマトグラフィーカラムで精製する。それを収率４３％で灰色がかった白色粉末の形態で得る。
Ｒｆ＝０．１９（ＣＨ_２Ｃｌ_２／ＭｅＯＨ：９５／５）．
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．０ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝１．９３（ｓ，３Ｈ，ＣＯＣＨ_３），３．１５（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．３Ｈｚ，４Ｈ，Ｐ−ＣＨ_２），３，３６−３．４２（ｍ，６Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−ＣＯ，ＮＨ−ＣＨ _２−ＣＨ _２−ＮＨ），３．７６（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，１２Ｈ，Ｏ−ＣＨ_３），７．５５（ｂｓ，１Ｈ，ＣＯＮＨ），７．７８（ｂｓ，１Ｈ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２３．０（ｓ，ＣＯＣＨ_３），３９．３（ｓ，ＮＨ−ＣＨ_２），３９．４（ｓ，ＮＨ−ＣＨ_２），５０．７（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６０．１Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．５Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝４．４Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ），６１．５（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＯ），１７０．１（ｓ，ＣＯＮＨ），１７０．７（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：［（カルバモイルメチル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有するＰＡＭＡＭデンドリマーモデル

工程１の０．５ｍｍｏｌのＰＡＭＡＭアザ−ビス−ホスホネートモデルを５ｍＬの蒸留アセトニトリルの溶液に入れ、次いで出発分子に存在するＰ−ＯＭｅ結合の１当量につき１．１当量のＢｒＴＭＳを０°Ｃで注射器を用いて滴下する。撹拌を０°Ｃで３０分間次いで室温で一晩継続する。混合物を真空下にもたらして、乾燥した残渣に５ｍＬのメタノールを添加する。室温で１時間撹拌後、溶液を真空下にもたらして、３ｍＬの蒸留水を添加する。室温で１時間後、溶液を凍結乾燥する。乾燥した残渣を３回蒸留したエーテルで洗浄する。分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後にモデルを灰色がかった白色粉末の形態で収率６８％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＴＨＦｄ８）δ＝１８．０ｐｐｍ．

《実施例６２：酪酸に由来するアザビス−ホスホノ基を有するＰＡＭＡＭデンドリマーモデル》
工程１：Ｎ−（２−アミノエチル）−アセトアミドとアミノ酪酸［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］のカップリング

実施例５１（ｎ＝３）で得た１．５８ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸を、０°Ｃで５ｍＬの乾燥ＤＭＦの溶液に入れる。次いで１．７４ｍｍｏｌのＨＯＢｔを添加し、その後に０°Ｃで１５分間撹拌し、次いで１．７４ｍｍｏｌのＤＣＣを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間及び室温で１時間継続する。沈殿物が生じる。混合物を０°Ｃにして、１．５８ｍｍｏｌのＮ−（２−アミノエチル）−アセトアミドを０°Ｃで添加する。混合物を０°Ｃで１５分間次いで室温で一晩撹拌する。こうしてカップリング生成物を得、これを溶離液として純粋なＣＨ_２Ｃｌ_２を用いて次いで１０％のＭｅＯＨまで勾配を生じるシリカカラムクロマトグラフィーで精製する。それを収率５２％で灰色がかった白色粉末の形態で得る。
Ｒｆ＝０．４３（ＣＨ_２Ｃｌ_２／ＭｅＯＨ：９０／１０）．
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．０ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝１．６８（ｑｕｉｎｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−ＣＨ_２），１．８７（ｓ，３Ｈ，ＣＯＣＨ_３），２．２０（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２−ＣＯ），２．６９（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_２−Ｎ），３．０２（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ，Ｐ−ＣＨ_２），３，２３−３．２９（ｍ，４Ｈ，ＮＨ−ＣＨ _２−ＣＨ _２−ＮＨ），３．６９（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，１２Ｈ，Ｏ−ＣＨ_３），７．２６（ｂｓ，１Ｈ，ＣＯＮＨ），７．３７（ｂｓ，１Ｈ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２２．９（ｓ，ＣＯＣＨ_３），２３．８（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３３．２（ｓ，ＮＨＣＯ−ＣＨ_２），３９．３（ｓ，ＮＨ−ＣＨ_２），４０．０（ｓ，ＮＨ−ＣＨ_２），４９．５（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５９．４Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５２．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．４Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｏ），５５．９（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．１Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＨ_２），１７０．９（ｓ，ＣＯＮＨ），１７４．３（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：［（カルバモイルプロピル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有するＰＡＭＡＭデンドリマーモデル

工程１の０．５ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネート化合物を５ｍＬの蒸留アセトニトリルの溶液に入れ、次いで出発分子に存在する１当量のＰ−ＯＭｅ結合につき１．１当量のＢｒＴＭＳを、注射器を用いて０°Ｃで滴下する。撹拌を０°Ｃで３０分間次いで室温で一晩継続する。混合物を真空下にもたらして、乾燥した残渣に５ｍＬのメタノールを添加する。室温で１時間撹拌後、溶液を真空下にもたらして、３ｍＬの蒸留水を添加する。室温で１時間後、溶液を凍結乾燥する。乾燥した残渣を蒸留エーテルで３回洗浄する。分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後に生成物を灰色がかった白色粉末の形態で収率７１％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ）δ＝１０．７ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ）δ＝２２．５（ｓ，ＣＯＣＨ_３），２４．７（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３５．５（ｓ，ＮＨＣＯ−ＣＨ_２），４１．３（ｓ，ＮＨ−ＣＨ_２），４１．４（ｓ，ＮＨ−ＣＨ_２），５４．２（ｄｌ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３４．１Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ），５８．９（ｂｓ，Ｎ−ＣＨ_２−ＣＨ_２），１７７．１（ｓ，ＣＯＮＨ），１７７．６（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例６３：表面にグリシンに由来する４個のアザビス−ホスホネート基を有する第１世代ＰＡＭＡＭ型デンドリマーの合成》
工程１：第１世代ＰＡＭＡＭデンドリマーと［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］アミノ酢酸のカップリング

４ｍＬの乾燥ＤＭＦを、不活性雰囲気下に、実施例５１（ｎ＝１）で得た２ｍｍｏｌのカルボン酸アザ−ビス−ホスホネートに添加する。そのあと溶液を０°Ｃにし、次いで２．６ｍｍｏｌのＨＯＢｔを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間継続し、２．６ｍｍｏｌのＤＣＣを添加する。０°Ｃで３０分後に混合物を放置して室温まで戻して、撹拌を更に１時間継続する。漸進的な沈殿物形成が観察される。懸濁液を再び０°Ｃにし、次いで０．３３ｍｍｏｌの第１世代ＰＡＭＡＭデンドリマーを添加する。０°Ｃで３０分後に撹拌を室温で２０時間継続する。沈殿物を５μミリポアフィルターで除去し、次いでＤＭＦを凍結乾燥する。生成物を最小容量のジクロロメタンに溶解して大容量のジエチルエーテルで沈殿させることにより、３回処理して、過剰の試薬を除去する。デンドリマーを灰色がかった白色粉末の形態で率６７％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．１ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝２．４８（ｂｓ，１２Ｈ，Ｈａ及びＨｃ），２．９８（ｍ，８Ｈ，Ｈｂ），３．１８（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．４Ｈｚ，１６Ｈ，ＣＨ_２Ｐ），３．２９（ｂｓ，１６Ｈ，Ｈｄ及びＨｅ），３．４１（ｂｓ，８Ｈ，Ｈｆ），３．７２（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，４８Ｈ，ＯＭｅ），７．７７（ｂｓ，４Ｈ，ＣＯＮＨ），８．１７（ｂｓ，４Ｈ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３１．６（ｓ，Ｃｃ），３８．９（ｓ，Ｃｅ），３９．２（ｓ，Ｃｄ），４８．８（ｓ，Ｃｂ），４９．７（ｓ，Ｃａ），５０．２（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５９．２Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．５Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．０Ｈｚ，ＯＭｅ），６０．７（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．６Ｈｚ，Ｃｆ），１７０．３（ｓ，ＣＯＮＨ），１７１．４（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：表面にグリシンに由来する４個のアザビス−ホスホン酸基を有する第１世代ＰＡＭＡＭデンドリマーの合成

４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルを、不活性雰囲気下に、工程１の０．２ｍｍｏｌのアザビス−ホスホネート末端を有する第１世代ＰＡＭＡＭ型デンドリマーに添加して、混合物を０°Ｃまで冷却する。次いで６．４ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（すなわち３２当量）を滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間維持し、次いで撹拌下に室温で更に１５時間維持する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで混合物を前の諸例におけるようにメタノリシス及び加水分解する。次いで乾燥した残渣をＴＨＦ／ジエチルエーテル混合物（１／９）で２回洗浄する。次いで粉末を真空下に乾燥して、純粋な生成物を収率６５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＴＨＦｄ８）δ＝１０．９ｐｐｍ．

工程３：［（カルバモイルメチル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第１世代ＰＡＭＡＭデンドリマー

工程２で得た分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後に生成物を収率７２％で灰色がかった白色粉末の形態で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１９．６ｐｐｍ．

《実施例６４：表面にアミノ酪酸に由来する４個のアザビス−ホスホネート基を有する第１世代ＰＡＭＡＭ型デンドリマーの合成》
工程１：第１世代ＰＡＭＡＭデンドリマーと［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］アミノ酪酸のカップリング

４ｍＬの乾燥ＤＭＦを、不活性雰囲気下に、実施例５１（ｎ＝３）で得た２ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸に添加する。溶液を０°Ｃにし、次いで２．６ｍｍｏｌのＨＯＢｔを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間継続し、２．６ｍｍｏｌのＤＣＣを添加する。０°Ｃで３０分後に、混合物を放置して室温まで戻して、撹拌を更に１時間継続する。漸進的な沈殿物形成が観察される。懸濁液を再び０°Ｃにし、次いで０．３３ｍｍｏｌの第１世代ＰＡＭＡＭデンドリマーを添加する。０°Ｃで３０分後に撹拌を室温で２０時間継続する。沈殿物を５μミリポアフィルターで除去し、次いでＤＭＦを凍結乾燥する。生成物を最小量のジクロロメタンに溶解して大容量のジエチルエーテルで沈殿させることにより、３回処理して、過剰の試薬を除去する。それを灰色がかった白色粉末の形態で収率６１％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．４ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝１．７２（ｑｕｉｎｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．３Ｈｚ，８Ｈ，Ｈｇ），２．２１（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．３Ｈｚ，８Ｈ，Ｈｆ），２．５５（ｍ，１２Ｈ，Ｈａ及びＨｃ），２．７３（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．３Ｈｚ，８Ｈ，Ｈｈ），２．９３（ｍ，８Ｈ，Ｈｂ），３．０９（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．１Ｈｚ，１６Ｈ，ＣＨ_２Ｐ），３．２８（ｂｓ，１６Ｈ，Ｈｄ及びＨｅ），３．７３（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，４８Ｈ，ＯＭｅ），７．６５（ｂｓ，４Ｈ，ＣＯＮＨ），８．２１（ｂｓ，４Ｈ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２３．５（ｓ，Ｃｇ），３２．１（ｓ，Ｃｃ），３３．３（ｓ，Ｃｆ），３９．２（ｓ，Ｃｅ），３９．６（ｓ，Ｃｄ），４９．２（ｓ，Ｃｂ），４９．５（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．９Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５０．１（ｓ，Ｃａ），５２．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝４．６Ｈｚ，ＯＭｅ），５６．１（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．７Ｈｚ，Ｃｈ），１７１．７（ｓ，ＣＯＮＨ），１７３．７（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：表面に酪酸に由来する４個のアザビス−ホスホン酸基を有する第１世代ＰＡＭＡＭデンドリマーの合成

４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルを、不活性雰囲気下に、工程１の０．２ｍｍｏｌのアザビス−ホスホネート末端を有する第０世代又は第１世代ＰＡＭＡＭ型デンドリマーに添加して、混合物を０°Ｃまで冷却する。次いで６．４ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（すなわち３２当量）を滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間維持し、次いで撹拌下に室温で更に１５時間維持する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで混合物を前の諸例におけるようにメタノリシス及び加水分解する。次いで乾燥した残渣をＴＨＦ／ジエチルエーテル混合物（１／９）で２回洗浄する。次いで粉末を真空下に乾燥して、純粋な生成物を収率７１％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１１．１ｐｐｍ．

工程３：［（カルバモイルプロピル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第１世代ＰＡＭＡＭデンドリマー

工程２で得た分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後に生成物を収率７３％で灰色がかった白色粉末の形態で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１０．２ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝２２．８（ｓ，Ｃｇ），３３．４（ｓ，Ｃｃ），３５．２（ｓ，Ｃｆ），４１．３（ｓ，Ｃｅ），４１．４（ｓ，Ｃｄ），５１．３（ｓ，Ｃｂ），５１．７（ｓ，Ｃａ），５５．１（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３０．０Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５８．９（ｂｓ，Ｃｈ），１７５．９（ｓ，ＣＯＮＨ），１７７．５（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例６５：表面にグリシンに由来する８個のアザビス−ホスホネート基を有する第２世代ＰＡＭＡＭ型デンドリマーの合成》
工程１：第２世代ＰＡＭＡＭデンドリマーとアミノ酢酸［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］のカップリング

４ｍＬの乾燥ＤＭＦを、不活性雰囲気下に、実施例５１（ｎ＝１）で得た２ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸に添加する。溶液を０°Ｃにし、次いで２．６ｍｍｏｌのＨＯＢｔを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間継続し、２．６ｍｍｏｌのＤＣＣを添加する。０°Ｃで３０分後に混合物を放置して室温まで戻して、撹拌を更に１時間継続する。漸進的な沈殿物形成が観察される。懸濁液を再び０°Ｃにし、次いで０．１７ｍｍｏｌの第２世代ＰＡＭＡＭデンドリマーを添加する。０°Ｃで３０分後に撹拌を室温で２０時間継続する。沈殿物を５μミリポアフィルターで除去し、次いでＤＭＦを凍結乾燥する。生成物を最小容量のジクロロメタンに溶解して大容量のジエチルエーテルで沈殿させることにより、３回処理して、過剰の試薬を除去する。デンドリマーを灰色がかった白色粉末の形態で収率６３％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．２ｐｐｍ．

工程２：表面にグリシンに由来する８個のアザビス−ホスホン酸基を有する第２世代ＰＡＭＡＭデンドリマーの合成

４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルを、不活性雰囲気下に、工程１の０．２ｍｍｏｌのアザビス−ホスホネート末端を有する第０世代又は第１世代ＰＡＭＡＭ型デンドリマーに添加して、混合物を０°Ｃまで冷却する。次いで１２．８ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（すなわち６４当量）を滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間維持し、次いで撹拌下に室温で更に１５時間維持する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで混合物を前の諸例におけるようにメタノリシス及び加水分解する。次いで乾燥した残渣をＴＨＦ／ジエチルエーテル混合物（１／９）で２回洗浄する。次いで粉末を真空下に乾燥して、純粋な生成物を収率７３％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１１．０ｐｐｍ．

工程３：［（カルバモイルメチル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第２世代ＰＡＭＡＭデンドリマー

工程２で得た分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後に生成物を収率６９％で灰色がかった白色粉末の形態で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１８．５ｐｐｍ．

《実施例６６：表面にアミノ酪酸に由来する８個のアザビス−ホスホネート基を有する第２世代ＰＡＭＡＭ型デンドリマーの合成》
工程１：第２世代ＰＡＭＡＭデンドリマーとアミノ酪酸［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］のカップリング

４ｍＬの乾燥ＤＭＦを、不活性雰囲気下に、実施例５１（ｎ＝３）で得た２ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸に添加する。溶液を０°Ｃにし、次いで２．６ｍｍｏｌのＨＯＢｔを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間継続し、２．６ｍｍｏｌのＤＣＣを添加する。０°Ｃで３０分後に混合物を放置して室温まで戻して、撹拌を更に１時間継続する。漸進的な沈殿物形成が観察される。懸濁液を再び０°Ｃにし、次いで０．１７ｍｍｏｌの第２世代ＰＡＭＡＭデンドリマーを添加する。０°Ｃで３０分後に撹拌を室温で２０時間継続する。沈殿物を５μミリポアフィルターで除去し、次いでＤＭＦを凍結乾燥する。生成物を、最小容量のジクロロメタンに溶解して大容量のジエチルエーテルで沈殿させることにより、３回処理して、過剰の試薬を除去する。デンドリマーを灰色がかった白色粉末の形態で収率６３％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．４ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝１．６９（ｑｕｉｎｔｌ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．９Ｈｚ，１６Ｈ，Ｈｇ），２．１７（ｔｌ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．９Ｈｚ，１６Ｈ，Ｈｆ），２，２１−２．９３（ｍ，７６Ｈ，Ｈａ，Ｈｂ，Ｈｃ，Ｈｅ，Ｈｈ，Ｈｂ’，Ｈｃ’），３．０６（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．１Ｈｚ，３２Ｈ，ＣＨ_２Ｐ），３．２５（ｂｓ，４０Ｈ，Ｈｄ，Ｈｏｆ及びＨｅ’），３．６９（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，９６Ｈ，ＯＭｅ），７．７０（ｂｓ，８Ｈ，ＣＯＮＨ），８．０７（ｂｓ，８Ｈ，ＣＯＮＨ），８．２８（ｂｓ，４Ｈ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２３．７（ｓ，Ｃｇ），３３．５（ｓ，Ｃｃ及びＣｃ’），３９．７（ｓ，Ｃｄ，Ｃｅ’及びＣｆ），４８．８（ｓ，Ｃｄ’），４９．６（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５８．１Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５０．４（ｓ，Ｃａ，Ｃｂ及びＣｂ’），５２．４（ｓ，Ｃｅ），５３．０（ｂｓ，ＯＭｅ），５６．３（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝８．２Ｈｚ，Ｃｈ），１７１．６（ｓ，ＣＯＮＨ），１７２．７（ｓ，ＣＯＮＨ），１７４．１（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：表面に酪酸に由来する８個のアザビス−ホスホン酸基を有する第２世代ＰＡＭＡＭデンドリマーの合成

４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルを、不活性雰囲気下に、工程１の０．２ｍｍｏｌのアザビス−ホスホネート末端を有する第０世代又は第１世代ＰＡＭＡＭ型デンドリマーに添加して、混合物を０°Ｃまで冷却する。次いで１２．８ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（すなわち６４当量）を滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間維持し、次いで撹拌下に室温で更に１５時間維持する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで混合物を前の諸例におけるようにメタノリシス及び加水分解する。次いで乾燥した残渣をＴＨＦ／ジエチルエーテル混合物（１／９）で２回洗浄する。次いで粉末を真空下に乾燥して、純粋な生成物を収率６７％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１１．３ｐｐｍ．

工程３：［（カルバモイルプロピル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第２世代ＰＡＭＡＭデンドリマー

工程２で得た分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後に生成物を収率７１％で灰色がかった白色粉末の形態で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１０．１ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝２２．８（ｓ，Ｃｇ），３２．０（ｓ，Ｃｃ及びＣｃ’），３５．２（ｓ，Ｃｄ），４１．３（ｓ，Ｃｅ’ｏｒＣｆ），４１．６（ｓ，Ｃｅ’ｏｒＣｆ），５１．１（ｓ，Ｃｄ’），５２．４（ｓ，Ｃｂ及びＣｂ’），５４．４（ｓ，Ｃｅ），５５．３（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３２．６Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５８．９（ｓ，Ｃｈ），１７４．７（ｓ，ＣＯＮＨ），１７６．５（ｓ，ＣＯＮＨ），１７７．７（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例６７：表面にグリシンに由来する１２個のアミド−アザビス−ホスホノ末端を有するＧｃ型リン含有デンドリマーの合成》
工程１：第１世代リン含有デンドリマーと［カルバモイル−メチル−アミノ−メチル］ジメチルエステルホスホノ末端を有するフェノールのカップリング

０．０１７ｍｍｏｌの第１世代リン含有デンドリマー（１２個のＣｌ末端）を、３ｍＬの乾燥ＴＨＦの溶液に入れる。その後この溶液に、５．０４ｍｍｏｌの炭酸セシウム次いで実施例５３（ｎ＝１）で得た０．２３ｍｍｏｌのチラミンアミド−アザビス−ホスホネート化合物／３ｍＬの乾燥ＴＨＦ溶液を、逐次的に添加する。混合物を室温で一晩撹拌し、次いでセライトで濾過する。反応媒体を減圧下に蒸発させ、次いで乾燥した残渣を最小容量のジクロロメタンに溶解する。次いで生成物を大容量のエーテルで沈殿させる。この操作を３回繰り返して、わずかに過剰の出発フェノールを除去する。生成物を灰色がかった白色粉末の形態で収率８８％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝１１．７（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３），３０．１（ｓ，ＰＯ_３Ｍｅ_２），６６．６（ｓ，Ｐ＝Ｓ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝２．７７（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．８Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ），３．１３（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．４Ｈｚ，４８Ｈ，Ｐ−ＣＨ_２），３．２３（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．１Ｈｚ，１８Ｈ，Ｎ−ＣＨ_３），３．４１−３．４８（ｍ，４８Ｈ，ＣＨ _２−ＮＨ，ＣＯ−ＣＨ_２−Ｎ），３．７２（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１０．７Ｈｚ，１４４Ｈ，ＯＭｅ），６．９７−７．１５，７．５０−７．６４（ｍ，９０Ｈ，Ｈ_Ａｒ，ＣＨ＝Ｎ，ＮＨ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３３．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．０Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ），３５．０（ｓ，Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２），４０．４（ｓ，ＣＨ_２−ＮＨ），４９．９（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５８．４Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．０Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５２．８（ｓ，ＯＭｅ），６０．８（ｂｓ，ＣＯ−ＣＨ_２−Ｎ），１２１．３（ｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２），１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３），１２９．８（ｓ，Ｃ_１ ^３），１３２．２（ｓ，Ｃ_０ ^４），１３６．２（ｓ，Ｃ_１ ^４），１３８．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１１．１Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ），１４９．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．０Ｈｚ，Ｃ_１ ^１），１５１．２（ｂｓ，Ｃ_０ ^１），１６９．６（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：表面にグリシンに由来する１２個のアミド−アザビス−ホスホン酸末端を有するＧｃ−型リン含有デンドリマーの合成

工程１で前述した０．０１５ｍｍｏｌのアミド−アザビス−ホスホネート末端を有するデンドリマーを、不活性雰囲気下に、３ｍＬの蒸留アセトニトリルの溶液に入れる。溶液を０°Ｃにし、次いで４８当量のＢｒＴＭＳ（０．７３ｍｍｏｌ）をアルゴン下に滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間次いで室温で一晩撹拌する。慣例プロトコル（すなわちＤＡＢ及びＰＡＭＡＭ）に記載のメタノリシス及び加水分解の後、乾燥した残渣を乾燥エーテルで洗浄して、純粋な生成物を収率６３％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＴＨＦｄ８）δ＝１１．９（ｓ，ＰＯ_３Ｈ_２），１２．８（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３），６６．５（ｓ，Ｐ＝Ｓ）ｐｐｍ．

工程３：［（カルバモイルメチル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第１世代リン含有デンドリマー

工程２で得た１当量のデンドリマーにつき２４当量のソーダ溶液（０．１９５５Ｎ）の反応によってナトリウム塩を得て、室温で１時間撹拌及び凍結乾燥後に期待生成物を収率７０％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＴＨＦｄ８）δ＝１２．８（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３），１６．５（ｓ，ＰＯ_３ＨＮａ），６６．８（ｓ，Ｐ＝Ｓ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＴＨＦｄ８）δ＝３３．２（ｂｓ，ＣＨ_３−Ｎ），３７．０（ｓ，Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２），４３．６（ｓ，ＣＨ_２−ＮＨ），５８．１（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１４０．７Ｈｚ，ＣＨ_２−Ｐ＝Ｏ），６２．０（ｂｓ，ＣＯ−ＣＨ_２−Ｎ），１２１．７（ｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２），１２３．６（ｓ，Ｃ_１ ^３），１３０．９（ｓ，Ｃ_０ ^３），１３２．８（ｓ，Ｃ_１ ^４），１３６．５（ｓ，Ｃ_０ ^４），１３９．６（ｂｓ，ＣＨ＝Ｎ），１５１．５（ｂｓ，Ｃ_１ ^１），１５３．４（ｂｓ，Ｃ_０ ^１），１７２．８（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例６８：表面に酪酸に由来する１２個のアミド−アザビス−ホスホノ末端を有するＧｃ−型リン含有デンドリマーの合成》
工程１：第１世代リン含有デンドリマーと［カルバモイル−プロピル−アミノ−メチル］ジメチルエステルホスホノ末端を有するフェノールのカップリング

０．０１７ｍｍｏｌの第１世代リン含有デンドリマー（１２個のＣｌ末端）を３ｍＬの乾燥ＴＨＦの溶液に入れる。この溶液に５．０４ｍｍｏｌの炭酸セシウム次いで実施例５３（ｎ＝３）で得た０．２３ｍｍｏｌのチラミンアミド−アザビス−ホスホネート化合物／３ｍＬの乾燥ＴＨＦ溶液を順次添加する。混合物を室温で一晩撹拌し、次いでセライトで濾過する。反応媒体を減圧下に蒸発させ、次いで乾燥した残渣を最小容量のジクロロメタンに溶解する。次いで生成物を大容量のエーテルで沈殿させる。この操作を３回繰り返して、わずかに過剰の出発フェノールを除去する。生成物を灰色がかった白色粉末の形態で収率８５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝１１．９（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３），３０．５（ｓ，ＰＯ_３Ｍｅ_２），６６．５（ｓ，Ｐ＝Ｓ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）δ＝１．６７（ｑｕｉｎｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．２Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−ＣＨ_２），２．１９（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．２Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＯ−ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），２．６７−２．７０（ｍ，４８Ｈ，ＣＯ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ _２，Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ _２），３．０４（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝８．９Ｈｚ，４８Ｈ，Ｐ−ＣＨ_２），３．１８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．２Ｈｚ，１８Ｈ，Ｎ−ＣＨ_３），３，３３−３．４２（ｍ，２４Ｈ，ＣＨ _２−ＮＨ），３．７０（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，１４４Ｈ，ＣＨ_３−Ｏ），６．９１−７．０４（ｍ，７２Ｈ，ＮＨＣＯ，Ｈ_Ａｒ），７．５６−７．６１（ｍ，１８Ｈ，Ｈ_Ａｒ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２４．１（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３３．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．８Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ），３３．４（ｓ，ＣＯ−ＣＨ_２），３４．９（ｓ，Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２），４０．５（ｓ，ＣＨ_２−ＮＨ），４９．５（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５９．３Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），５２．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝４．９Ｈｚ，ＯＣＨ_３），５６．１（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，ＣＯ−ＣＨ_２−Ｎ），１２１．１（ｓ，Ｃ_０ ^２），１２１．２（ｓ，Ｃ_１ ^２），１２８．３（ｓ，Ｃ_０ ^３），１２９．８（ｓ，Ｃ_１ ^３），１３２．２（ｓ，Ｃ_０ ^４），１３６．５（ｓ，Ｃ_１ ^４），１３８．７（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１３．９Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ），１４８．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，Ｃ_１ ^１），１５１．２（ｂｓ，Ｃ_０ ^１），１７３．４（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

工程２：表面に酪酸に由来する１２個のアミド−アザビス−ホスホン酸末端を有するＧｃ−型リン含有デンドリマーの合成

工程１で前述した０．０１５ｍｍｏｌのアミド−アザビス−ホスホネート末端を有するデンドリマーを、不活性雰囲気下に、３ｍＬの蒸留アセトニトリルの溶液に入れる。溶液を０°Ｃにし、次いで４８当量のＢｒＴＭＳ（０．７３ｍｍｏｌ）をアルゴン下に滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間次いで室温で一晩撹拌する。慣例プロトコル（すなわちＤＡＢ及びＰＡＭＡＭ）に記載のメタノリシス及び加水分解の後、乾燥した残渣を乾燥エーテルで洗浄して、純粋な生成物を収率５８％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＴＨＦｄ８）δ＝１２．１（ｓ，ＰＯ_３Ｈ_２），１２．８（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３），６６．５（ｓ，Ｐ＝Ｓ）ｐｐｍ．

工程３：［（カルバモイルプロピル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第１世代リン含有デンドリマー

こうして工程２で得たアザ−ビス−ホスホノ末端を有する生成物を、２４当量のソーダ溶液（０．１９５５Ｎ）に導入して、室温で１時間撹拌及び凍結乾燥後に、相当するナトリウム塩を収率７２％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＴＨＦｄ８）δ＝１０．３（ｓ，ＰＯ_３ＨＮａ），６６．８（ｓ，Ｐ＝Ｓ）（Ｎ_３Ｐ_３観測されない）ｐｐｍ
ＲＭＮ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＴＨＦｄ８）δ＝２２．８（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２），３５．０（ｂｓ，ＣＨ_３−Ｎ，ＣＯ−ＣＨ_２），３６．８（ｓ，Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２），４３．４（ｓ，ＣＨ_２−ＮＨ），５３．４（ｓ，ＣＯ−ＣＨ_２−Ｎ），５７．４（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１４６．６Ｈｚ，ＣＨ_２Ｐ），１２１．９（ｂｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２），１２３．７（ｓ，Ｃ_１ ^３），１３１．０（ｓ，Ｃ_０ ^３），１３２．６（ｓ，Ｃ_１ ^４），１３６．１（ｓ，Ｃ_０ ^４），１３９．３（ｓ，ＣＨ＝Ｎ），１５１．５（ｂｓ，Ｃ_１ ^１），１５３．６（ｓ，Ｃ_０ ^１），１７６．６（ｓ，ＣＯＮＨ）ｐｐｍ．

《実施例６９：グリシンに由来するホスホン酸末端を有するポリアリールエーテル型デンドリマー》
工程１：ポリアリールエーテル型第２世代デンドリマーと［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］アミノ酢酸のカップリング
ヒドラジン末端基を有するポリアリールエーテル型デンドリマー（ＰＡＥ）を文献［Ｋ．Ｋｏｎｏ，Ｍ．Ｌｉｕ，Ｊ．Ｍ．Ｊ．Ｆｒｅｃｈｅｔ，ＢｉｏｃｏｎｊｕｇａｔｅＣｈｅｍ．１９９９，１０，１１１５−１１２１］に記載された手順に従って製造した。

実施例５１（ｎ＝１）で得た２ｍｍｏｌのアザビス−ホスホネートカルボン酸を０°Ｃで４ｍＬの乾燥ＤＭＦの溶液に入れる。次いで１．２当量のＨＯＢｔを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間継続する。１．２当量のＤＣＣを添加して、混合物を０°Ｃで３０分間次いで室温で１時間撹拌する。混合物を再び０°Ｃにして、２２５ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ）の８個のヒドラジド末端を有するＰＡＥデンドリマー／２ｍＬの乾燥ＤＭＦ溶液を添加する。撹拌を０°Ｃで３０分間次いで室温で２４時間継続する。沈殿物をミリポアフィルター（５μ）で除去し、次いでＤＭＦを凍結乾燥する。生成物を次の方法により３回処理する。すなわち最小容量のジクロロメタンに溶解し次いで大容量のジエチルエーテルで沈殿させる。デンドリマーを収率６３％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝２９．９ｐｐｍ．

工程２：［（カルバモイルメチル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第２世代ＰＡＥデンドリマー

４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルを、不活性雰囲気下に、工程１の０．１１ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネート末端を有するＰＡＥデンドリマーに添加して、混合物を０°Ｃまで冷却する。次いで３．８７ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（すなわち３５．２当量）を滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間維持し、次いで撹拌下に室温で更に１５時間維持する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで混合物をメタノリシス及び加水分解する。凍結乾燥後、乾燥した残渣をＴＨＦ／エーテル混合物（１／９）で洗浄する。ＰＯ_３Ｈ_２表面官能基につき１当量のＮａＯＨ（０．１９５５Ｎ水溶液）を添加して相当するナトリウム塩を得る。凍結乾燥後、生成物を収率７５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１９．１ｐｐｍ．

《実施例７０：酪酸に由来するホスホン酸末端を有するポリアリールエーテル型デンドリマー》
工程１：ポリアリールエーテル型第２世代デンドリマーと［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］アミノ酪酸のカップリング

実施例５１（ｎ＝３）で得た２ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸を０°Ｃで４ｍＬの乾燥ＤＭＦの溶液に入れる。次いで１．２当量のＨＯＢｔを添加して、撹拌を０°Ｃで３０分間継続する。１．２当量のＤＣＣを添加して、混合物を０°Ｃで３０分間次いで室温で１時間撹拌する。混合物を再び０°Ｃにして、２ｍＬの乾燥ＤＭＦ中の２２５ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ）の８個のヒドラジド末端を有するＰＡＥデンドリマーの溶液を添加する。撹拌を０°Ｃで３０分間次いで室温で２４時間継続する。沈殿物をミリポアフィルター（５μ）で除去し、次いでＤＭＦを凍結乾燥する。生成物を次の方法により３回処理する。すなわち最小容量のジクロロメタンに溶解し次いで沈殿大容量のジエチルエーテルで沈殿させる。デンドリマーを収率６８％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．２ｐｐｍ．

工程２：［（カルバモイルプロピル−アミノ）−メチル］−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第２世代ＰＡＥデンドリマー

４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルを、不活性雰囲気下に、工程１の０．１１ｍｍｏｌのアザ−ビス−ホスホネート末端を有するデンドリマーに添加して、混合物を０°Ｃまで冷却する。次いで３．８７ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（すなわち３５．２当量）を滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間維持し、次いで撹拌下に室温で更に１５時間維持する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで混合物をメタノリシス及び加水分化する。凍結乾燥後、乾燥した残渣をＴＨＦ／エーテル混合物（１／９）で洗浄する。ＰＯ_３Ｈ_２表面官能基につき１当量のＮａＯＨ（０．１９５５Ｎ水溶液）を添加して、相当するナトリウム塩を得る。凍結乾燥後、生成物を収率７１％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１０．４ｐｐｍ．

《実施例７１：チロシンアザ−ビス−ホスホネート表面を有するデンドリマーの合成》
工程１：チロシンビスホスホネート誘導体

ホルムアルデヒド水溶液（２．５ｍＬ，３０．８ｍｍｏｌ，２．８ｅｑ．）及び亜リン酸ジメチル（３ｍＬ，３２．７ｍｍｏｌ，２．９６ｅｑ．）を、（Ｄ−Ｌ）チロシン（２ｇ，１１．０５ｍｍｏｌ）／４ｍＬのＴＨＦ懸濁液に添加する。懸濁液を室温で一晩撹拌して、得られた均一な溶液を減圧下に濃縮する。残渣を２回の１５ｍＬＡｃＯＥｔ及び２回の１５ｍＬＣＨ_２Ｃｌ_２で洗浄する。次いで固体を減圧下に乾燥する。フェノールビスホスホネートを白色粉末の形態で収率８５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＯＤ，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝３１．０（ｓ，Ｐ＝Ｏ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤ_３ＯＤ，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝２．８１（ｄｄ，２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１４．１Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．４Ｈｚ，ＣＨＨＣＨ）；３．０４（ｄｄ，２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１４．１Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．２Ｈｚ，ＣＨＨＣＨ）；３，２２−３．５１（ｍ，４Ｈ，ＰＣＨ_２）；３．７０（ｄ，６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝８．１Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．７６（ｄ，６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝８．１Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；４．２１（ｔ，^３Ｊ_ＨＰ＝７．３Ｈｚ，ＣＨ）；６．７０（ｄ，２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．５Ｈｚ，Ｃ^２−Ｈ）；７．１３（ｄ，２Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝８．５Ｈｚ，Ｃ^３−Ｈ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＯＤ，６２．８９ＭＨｚ）：δ＝３５．０（ｓ，ＣＨ_２）；４７．３（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６７．３及び^３Ｊ_ＣＰ＝９．３Ｈｚ，ＰＣＨ_２）；５２．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．３（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．０Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；６６．６（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．９Ｈｚ，ＣＨ）；１１５．４（ｓ，Ｃ^２）；１２９．２（ｓ，Ｃ^４）；１３０．９（ｓ，Ｃ^３）；１５６．４（ｓ，Ｃ^１）；１７３．８（ＣＯＯＨ）．

工程２：酸のメチル化

前工程で合成したチロシンビス−ホスホネート（７６０ｍｇ，１．７９ｍｍｏｌ）／１２ｍＬメタノール溶液を、触媒量のｐ−トルエンスルホン酸存在下に、３６時間加熱還流する。冷却後に溶液を濾過し、次いで減圧下に濃縮する。残留油状物をエーテル／ペンタン混合物で洗浄し、次いでＴＨＦ／Ｅｔ_２Ｏ／ペンタン混合物で沈殿させる。収率９３％。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，１２１．５ＭＨｚ）：δ＝２９．６（ｓ，Ｐ＝Ｏ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝２．８７（ｄｄ，２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１３．７Ｈｚ及び^３Ｊ_ＨＨ＝８．０Ｈｚ，ＣＨＨＰｈ）；３．１７（ｄｄ，２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝１６．０Ｈｚ及び^２Ｊ_ＨＰ＝５．７Ｈｚ，ＣＨＨＰ）；３．２９（ｔ，２Ｈ，^２Ｊ_ＨＨ＝^２Ｊ_ＨＰ＝１６．０Ｈｚ，ＣＨＨＰ）；３．５９（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ）；３．６９（ｄ，６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１１．８Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．７０（ｄ，６Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；４．３８（ｔ，１Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．０Ｈｚ，ＣＨ）；６．７６（ｄ，２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．３Ｈｚ，Ｃ^２−Ｈ）；７．０８（ｄ，２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．３Ｈｚ，Ｃ^３−Ｈ）；８．５０（ｂｓ，ＯＨ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，７５．５ＭＨｚ）：δ＝３５．６（ｓ，ＣＨ_２Ｐｈ）；４７．６（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６６．８Ｈｚ及び^３Ｊ_ＣＰ＝９．８Ｈｚ，ＰＣＨ_２）；５１．８（ｓ，ＯＭｅ）；５３．９（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；６６．５（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．８Ｈｚ，ＣＨ）；１１５．７（ｓ，Ｃ^２）；１２８．２（ｓ，Ｃ^４）；１３０．７（ｓ，Ｃ^３）；１５６．２（ｓ，Ｃ^１）；１７２．６（ｓ，ＣＯ_２Ｍｅ）．

工程３：デンドリマーへのグラフト化

前工程で合成した１２．２当量のフェノール（４２０ｍｇ，０．９５６ｍｍｏｌ）及び１５当量のＣｓ_２ＣＯ_３（３８３ｍｇ，１．１７５ｍｍｏｌ）を、Ｓ＝ＰＣｌ_２末端基を有するデンドリマーＧｃ１（１４３ｍｇ，７８．３μｍｏｌ）／ＴＨＦ溶液に添加する。得られた懸濁液を撹拌して（２６時間）、塩素原子を完全に置換した（^３１ＰＮＭＲでモニタリング）。混合物をデカントし、上澄み液を集めて、残留固体をＴＨＦで洗浄する。上澄み液を合わせて遠心分離する。得られた透明な溶液を減圧下に濃縮する。残渣を最小量のＴＨＦに溶解し、次いでペンタンで沈殿させる。得られた固体を洗浄（ＴＨＦ／Ｅｔ_２Ｏ及びＣＨ_２Ｃｌ_２／ペンタン）により精製する。収率７３％。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，１２１．５ＭＨｚ）：δ＝１１．５（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；２９．６（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；６６．４（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，４００．１３ＭＨｚ）：δ＝２，８２−３．１０（ｍ，２４Ｈ，ＣＨ_２Ａｒ）；３．１０−３．５０（ｍ，６６Ｈ，ＰＣＨ_２及びＮＣＨ_３）；３．６２（ｄ，７２Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．６８（ｄ，７２Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；３．７５（ｓ，３６Ｈ，ＣＯＯＭｅ）；４．４１（ｔ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．９Ｈｚ，ＣＨ）；７．０５（ｍ，３６Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ及びＣ_１ ^２−Ｈ）；７．２４（ｍ，２４Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．６１（ｍ，１８Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ及びＣＨ＝Ｎ）．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，６２．８９ＭＨｚ）：δ＝３２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．９Ｈｚ，ＮＣＨ_３）；３５．２（ｓ，ＣＨ_２Ｐｈ）；４６．９（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６５．５及び^３Ｊ_ＣＰ＝９．１８Ｈｚ，ＰＣＨ_２）；５１．５（ｓ，ＯＭｅ）；５２．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．４Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；５３．１（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，ＰＯＭｅ）；６５．２（ｓ，ＣＨ）；１２１．１（ｓ，Ｃ_０ ^２及びＣ_１ ^２）；１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３０．５（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３２．０（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３４．６（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３８．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１４．０Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４９．１（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．５Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５１．２（ｂｓ，Ｃ_０ ^１）；１７１．８（ｓ，ＣＯ_２Ｍｅ）．

７５当量（２２２μＬ，１．６８ｍｍｏｌ）のブロモトリメチルシランを、０°Ｃでアルゴン流下に、前工程で合成したジメチルホスホネート末端基を有するデンドリマー（１５０ｍｇ，２２．５μｍｏｌ）／アセトニトリル溶液に添加する。溶液を室温で一晩撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。５ｍＬのメタノールを添加して、混合物を２時間激しく撹拌する。メタノールを減圧下に除去して、残渣を蒸留エーテルで、次いで水及びメタノールで洗浄する。固体を減圧下に乾燥して、粉末を得る。ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，２．７２ｍＬ，２４ｅｑ．）を固体にゆっくり添加する。得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。ビス−ホスホノアミノ酸末端基を有するデンドリマーを白色粉末の形態で収率９１％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１２．６（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；２０．９（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；６７．５（ｂｓ，Ｐ＝Ｓ）．

《実施例７２：ベンジル−アザ−ビス−ホスホネート表面を有するデンドリマーの合成》
工程１：フェノールアザビスホスホネート

ホルムアルデヒド水溶液（３７％水溶液，９９０μＬ，１２．１９ｍｍｏｌ，３ｅｑ．）を、４−ヒドロキシベンジルアミン（５００ｍｇ，４．０６ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（７ｍＬ）溶液に添加する。３０分撹拌後、３当量（１．１２ｍＬ，１２．２ｍｍｏｌ）の亜リン酸ジメチルを添加する。溶液を室温で４８時間撹拌し、次いで１５０ｍＬのＡｃＯＥｔに注ぎ入れる。有機相をＮａＨＣＯ_３溶液及び塩水で洗浄し、次いでＭｇＳＯ_４で乾燥して、減圧下に濃縮する。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：アセトン／ＭｅＯＨ；９５：５）にかける。収率７２％。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝３１．２（ｓ，Ｐ＝Ｏ）．

工程２：第１世代リン含有デンドリマーへのグラフト化

前工程で合成した１３当量（２７５ｍｇ，０．７５ｍｍｏｌ）のフェノール（ＴＨＦに可溶化したもの）及び１５当量（２８１ｍｇ，０．８６４ｍｍｏｌ）のＣｓ_２ＣＯ_３-ａを、Ｓ＝ＰＣｌ_２末端基を有するＧｃ１デンドリマー（１０５ｍｇ，５７．６μｍｏｌ）／ＴＨＦ溶液に添加する。得られた懸濁液を撹拌して、塩素原子を完全に置換する（^３１ＰＮＭＲでモニタリング）。混合物をデカントし、上澄み液を集めて、残留固体をＴＨＦで洗浄する。上澄み液を合わせて、遠心分離する。得られた透明な溶液を減圧下に濃縮する。残渣を最小量のＴＨＦに溶解し、次いでペンタンで沈殿させる。得られた固体を洗浄（ＴＨＦ／ペンタン及びＴＨＦ／Ｅｔ_２Ｏ）によって精製する。収率９０％。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１１．３（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；３１．０（ｓ，Ｐ＝Ｏ）；６５．６（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．

工程３：ビスホスホン酸（Ｎａ塩）末端を有する第１世代リン含有デンドリマー

６０当量（２４５μＬ，１．８６ｍｍｏｌ）のブロモトリメチルシランを、０°Ｃでアルゴン流下に、前工程で合成したジメチルホスホネート末端基を有するデンドリマー（１８０ｍｇ，３１μｍｏｌ）／アセトニトリル溶液に添加する。溶液を室温で一晩撹拌し、次いで減圧下に濃縮する。５ｍＬのメタノールを添加して、混合物を２時間激しく撹拌する。メタノールを減圧下に除去して、残渣を蒸留エーテルで、次いで水及びメタノールで洗浄する。固体を減圧下に乾燥して、粉末を得る。ソーダ溶液（０．１９６６Ｍ，３．７８ｍＬ，２４ｅｑ．）を固体にゆっくり添加する。得られた溶液を濾過し、次いで凍結乾燥する。ビス−ホスホノアミノ酸を白色粉末の形態で収率９２％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝１０．８（ｂｓ，Ｐ＝Ｏ）；１１．１（ｂｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；６５．２（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．

実施例７３：シクロテトラホスファゼンオクタアルデヒド核の合成

オクタクロロシクロテトラホスファゼン（２．１５ｍｍｏｌ，１ｇ）及び水素化ナトリウム（１８．９ｍｍｏｌ，４５４ｍｇ）を、１００ｍＬのテトラヒドロフランに添加し、混合物を電磁撹拌しながら−２０°Ｃにする。次いで４−ヒドロキシベンズアルデヒド（１８．９ｍｍｏｌ，２．３１ｇ）／ＴＨＦ（２０ｍＬ）溶液を滴下する。添加後に混合物を室温でゆっくりすすぎ洗いし、次いで４８時間撹拌しておく。セライトで濾過後、生成物を冷メタノールで数回洗浄して、過剰の４−ヒドロキシベンズアルデヒドナトリウム塩を除去する。生成物を白色粉末の形態で収率９０％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝−１０．５（ｓ，Ｐ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．０４（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，１６Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）；７．５６（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，１６Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）；９．６８（ｓ，８Ｈ，ＣＨ＝Ｏ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１２１．９（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１３２．１（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３４．６（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１５５．７（ｓ，Ｃ_０ ^１）；１９１．５（ｓ，ＣＨＯ）ｐｐｍ．

《実施例７４：シクロテトラホスファゼン核を有しジクロロ−チオ−ホスホルヒドラジド表面を有するデンドリマーの合成》

実施例７３（０．８７ｍｍｏｌ，１ｇ）で得たシクロテトラホスファゼンオクタアルデヒド核を溶媒なしでフラスコに入れる。この粉末に、ジクロロ−チオ−ホスホルヒドラジド（７．６６ｍｍｏｌ，３３．３ｍＬ）／クロロホルム溶液（０．２３ｍｏｌ．Ｌ^−１）を、−２０°Ｃで速やかに添加する。添加が終わったら混合物を電磁撹拌下に室温で１２時間維持する。溶媒を反応混合物から蒸発させ、次いで生成物を最小量のテトラヒドロフランに３回溶かし出して、それをペンタンで沈殿させる。生成物を白色粉末の形態で収率８６％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６５．７（ｓ，Ｐ_１）；−１０．０（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３．４７（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１４．０Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；７．０４（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，１６Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）；７．５６（ｂｒｏａｄｄ，^４Ｊ_ＨＰ＝^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３１．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１２．９Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；１２１．２（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２８．５（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３０．８（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１４０．７（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１８．８Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１５２．３（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例７５：シクロテトラホスファゼン核を有しチラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有するデンドリマーの合成》

炭酸セシウム（１４．４ｍｍｏｌ，４．６８ｇ）及び実施例３１で得たチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（７．２３ｍｍｏｌ，２．８ｇ）を、実施例７４で得たシクロテトラホスファゼン核を有しジクロロ−チオ−ホスホルヒドラジド表面を有するデンドリマー（０．４１ｍｍｏｌ，１ｇ）／無水ＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液に添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いで最終混合物をＴＨＦとともにセライトで濾過して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタン／エーテル混合物１／１で沈殿させ洗浄して、最終生成物を白色粉末の形態で収率８０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．８（ｓ，Ｐ_１）；３０．２（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ）_２）；−９．４（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．６７（ｂｒｏａｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．５Ｈｚ，３２Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；２．９６（ｂｒｏａｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．５Ｈｚ，３２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；３．１０（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．５７Ｈｚ，６４Ｈ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；３．１４（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１１．８Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３．６４（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，１９２Ｈ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；６．８−７．８（ｍ，１０４Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３２．９（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３２．９（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）４９．３（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．６Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝６．７Ｈｚ−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；５２．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝４．１Ｈｚ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；５８．１（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．８Ｈｚ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１２１．２（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．６Ｈｚ，Ｃ_１ ^２）；１２８．２（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２９．９（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３１．７（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３６．６（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３８．９（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１６．０Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４８．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．１Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１５１．８（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例７６：シクロテトラホスファゼン核を有しチラミンに由来するアザ−ビス−ホスホノ表面を有するデンドリマーの合成》

ブロモトリメチルシラン（５．８２ｍｍｏｌ，７７７μｌ）を、実施例７５で得たチラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有しシクロテトラホスファゼン核を有する第１世代デンドリマー（８．２７ｘ１０^−２ｍｍｏｌ，５７０ｍｇ）／アセトニトリル（５ｍＬ）溶液（０°Ｃ）にゆっくり添加する。添加が終わったら混合物を１２時間にわたり放置して室温まで戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いで１ｍＬの無水メタノールを室温で添加して、混合物を１時間撹拌しておく。次いで生成物を蒸発乾固して、１ｍＬの水で同じ操作を行なう。凍結乾燥後、残渣をエーテルで数回洗浄する。生成物が有機溶媒に全く不溶であるので、それを、滴定して水酸化ナトリウム溶液の存在下に、そのモノナトリウム塩に変換する。得られた溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白色粉末の形態で得る。最終生成物を収率５２％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝６７．７（ｓ，Ｐ_１）；１０．１（ｂｒｏａｄｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）（ＯＮａ））；８．７（ｂｒｏａｄｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）（ＯＮａ））；−９．５（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝２．５−４．２（ｍ，１５２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）（ＯＮａ），ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１））；４．８４（ｂｒｏａｄｓ，３２Ｈ，−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）（ＯＮａ））；６．７−８．１（ｍ，１０４Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝３１．４（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３５．１（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；５５．５（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１６９．２Ｈｚ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）（ＯＮａ））；５９．９（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１２１．６（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^２，Ｃ_１ ^２，）；１２３．９（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_１ ^３）；１３０．８（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^３）；１３３．２（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_１ ^４）；１３６．８（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^４）；１４２．７（ｂｒｏａｄｓ，ＣＨ＝Ｎ）；１５１．７（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_１ ^１）；１５３．８（ｂｒｏａｄｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例７７：ジクロロチオホスホルヒドラジド表面を有する６−２−５−２型デンドリマーの合成》

以下に使用し記載する６−２−５，６−５−２，６−５−５型超稠密なデンドリマーは、Ｖ．Ｍａｒａｖａｌｅｔａｌ．Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．（２００３）４２，１８２２に記載されている。

わずかに過剰（アルデヒド官能基につき１．１当量）のＮ−メチル−ジクロロチオホスホルヒドラジド／クロロホルム溶液（０．２Ｍ）を、−３０°Ｃで、アルデヒド末端を有する６−２−５型デンドリマー（２５０ｍｇ，１８．１ｘ１０^−３ｍｍｏｌ）／２ｍＬのクロロホルム溶液に添加する。−３０〜０°Ｃの温度で５分〜６０分間撹拌後に混合物をセライトで濾過し、次いでペンタンの添加によって沈殿させる。得られた粉末を最小量のＴＨＦに溶解し、次いでペンタンで沈殿させて、最後に乾燥して、最終収率９２％で単離する。

《実施例７８：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する６−２−５−２型デンドリマーの合成》

炭酸セシウム（１．０１９ｍｍｏｌ，０．３３２ｇ）を実施例３１で得たジクロロチオホスホルヒドラジド表面を有する６−２−５−２型デンドリマー（２００ｍｇ，８．５ｘ１０^−３ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（２ｍＬ）溶液に添加し、次いでチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（０．５１０ｍｍｏｌ，１９５ｍｇ）を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いで最終混合物をセライトで濾過して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率８５％で単離する。

《実施例７９：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホノ表面を有する６−２−５−２型デンドリマーの合成》

ブロモトリメチルシラン（メトキシ基につき１．１当量）を、実施例７８で得たチラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する６−２−５−２型デンドリマー（２００ｍｇ，３．０８ｘ１０^−３ｍｍｏｌ）／アセトニトリル（５ｍＬ）溶液（０°Ｃ）にゆっくり添加する。添加が終わったら混合物を１２時間にわたり放置して室温まで戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いで１ｍＬの無水メタノールを室温で添加して、混合物を１時間撹拌しておく。蒸発乾固後、残渣を純粋なエーテルで数回洗浄する。次いで生成物を、ソーダ（ホスホン酸末端基につき１当量のＮａＯＨ）の存在下に、そのモノナトリウム塩に変換する。得られた溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白色粉末の形態で得る。最終生成物を収率５２％で単離する。

《実施例８０：ジクロロチオホスホルヒドラジド表面を有する６−５−２−２型デンドリマーの合成》

わずかに過剰（アルデヒド官能基につき１．１当量）のＮ−メチル−ジクロロチオホスホルヒドラジド／クロロホルム溶液（０．２Ｍ）を、−３０°Ｃで、６−５−２型デンドリマー（２５０ｍｇ）／２ｍＬクロロホルム溶液に添加する。−３０〜０°Ｃの温度で５分〜６０分間撹拌後に混合物をセライトで濾過し、次いでペンタン添加により沈殿させる。得られた粉末を最小量のＴＨＦに溶解し、次いでペンタンで沈殿させて、最後に乾燥して、最終収率９０％で単離する。

《実施例８１：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する６−５−２−２型デンドリマーの合成》

炭酸セシウム（末端塩素原子につき２．０５当量）を、ジクロロチオホスホルヒドラジド表面を有する６−５−２−２型デンドリマー（２００ｍｇ）／ＴＨＦ（２ｍＬ）溶液に添加し、次いで実施例３１で得たチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（塩素原子末端基につき１．０３当量）を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いで最終混合物をセライトで濾過して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率８８％で単離する。

《実施例８２：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホノ表面を有する６−５−２−２型デンドリマーの合成》

ブロモトリメチルシラン（メトキシ基につき１．１当量）を、実施例８１で得たチラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する６−５−２−２型デンドリマー（２００ｍｇ）／アセトニトリル（５ｍＬ）溶液（０°Ｃ）にゆっくり添加する。添加が終わったら混合物を１２時間にわたり放置して室温まで戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いでｍＬの無水メタノールを室温で添加して、混合物を１時間撹拌しておく。蒸発乾固後、残渣を純粋なエーテルで数回洗浄する。次いで生成物を、ソーダ（ホスホン酸末端基につき１当量のＮａＯＨ）の存在下に、そのモノナトリウム塩に変換する。得られた溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白色粉末の形態で得る。最終生成物を収率６１％で単離する。

《実施例８３：ジクロロチオホスホルヒドラジド表面を有する６−５−５−２型デンドリマーの合成》

わずかに過剰（アルデヒド官能基につき１．１当量）のＮ−メチル−ジクロロチオホスホルヒドラジド／クロロホルム溶液（０．２Ｍ）を、−３０°Ｃで、６−５−５型デンドリマー（２５０ｍｇ）／２ｍＬクロロホルム溶液に添加する。−３０〜０°Ｃの温度で５分〜６０分間撹拌後に混合物をセライトで濾過し、次いでペンタン添加により沈殿させる。得られた粉末を最小量のＴＨＦに溶解し、次いでペンタンで沈殿させて、最後に乾燥して、最終収率９３％で単離する。

《実施例８４：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する６−５−５−２型デンドリマーの合成》

炭酸セシウム（塩素原子末端基につき２．０５当量）を、ジクロロチオホスホルヒドラジド表面を有する６−５−５−２型デンドリマー（２５０ｍｇ）／ＴＨＦ（２ｍＬ）溶液に添加し、次いで実施例３１で得たチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（末端塩素原子につき１．０３当量）を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いで最終混合物をセライトで濾過して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率８３％で単離する。

《実施例８５：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホノ表面を有する６−５−５−２型デンドリマーの合成》

ブロモトリメチルシラン（メトキシ基につき１．１当量）を、実施例８４で得たチラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する６−５−５−２型デンドリマー（２５０ｍｇ）／アセトニトリル（５ｍＬ）溶液（０°Ｃ）にゆっくり添加する。添加が終わったら混合物を１２時間にわたり放置して室温まで戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いで１ｍＬの無水メタノールを室温で添加して、混合物を１時間撹拌しておく。蒸発乾固後、残渣を純粋なエーテルで数回洗浄する。次いで生成物を、ソーダ（ホスホン酸末端基につき１当量のＮａＯＨ）の存在下に、そのモノナトリウム塩に変換する。得られた溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白色粉末の形態で得る。最終生成物を収率６６％で単離する。

《実施例８６：Ｎ_３Ｐ_３核を有しチラミンに由来する３０個のアザ−ビス−ホスホン酸末端を有する超稠密なデンドリマーの合成》
工程１：ヘキサ（Ｎ−メチルヒドラジノ）シクロトリホスファゼンの合成

この分子は、Ｊ．Ｐ．Ｍａｊｏｒａｌｅｔａｌ．により、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１９９３，３２，１４７７及びＩｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９４，３３，６３５１に記載されている。

工程２：ペンタクロロ−（４−ホルミルフェノキシ）シクロトリホスファゼンの合成

５００ｍｇの４−ヒドロキシベンズアルデヒドナトリウム塩（３．４７ｍｍｏｌ）を、０°Ｃで不活性雰囲気下に、ＴＨＦ（２００ｍＬ）中に４．８ｇのヘキサクロロシクロトリホスファゼン（１３．８ｍｍｏｌ）を含有する溶液に添加する。温度を次第に室温まで戻しておきながら、反応媒体を１２時間撹拌する。粗製反応生成物を蒸発乾固し、次いで「フラッシュ」シリカカラムクロマトグラフィーによって精製する。生成物を油状物の形態で収率７５％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝１５．２（ｔ，^２Ｊ_ＰＰ＝６２．０Ｈｚ，Ｐ’_１）；２６．０（ｄ，^２Ｊ_ＰＰ＝６２．０Ｈｚ，Ｐ_１）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．４３（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．９５（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）；１０．００（ｓ，１Ｈ，ＣＨＯ）ｐｐｍ．

工程３：３０個の塩素化末端を有するデンドリマーの合成

６１ｍｇのヘキサ（Ｎ−メチルヒドラジノ）シクロトリホスファゼン（０．１５ｍｍｏｌ）を、室温で、クロロホルム（１０ｍＬ）中に６５５ｍｇのペンタクロロ−（４−ホルミルフェノキシ）シクロトリホスファゼン（１．５１ｍｍｏｌ）を含有する溶液に添加する。反応混合物を２時間半撹拌する。粗製反応生成物を蒸発乾固し、次いで「フラッシュ」シリカカラムクロマトグラフィーによって精製する。生成物を白色固体の形態で収率９７％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝１５．６（ｔ，^２Ｊ_ＰＰ＝６０．０Ｈｚ，Ｐ’_１）；２１．７（ｓ，Ｐ_０）；２６．０（ｄ，^２Ｊ_ＰＰ＝６０．０Ｈｚ，Ｐ_１）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝３．３１（ｓ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ）；７．１７（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８Ｈｚ，１２Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．５２（ｓ，６Ｈ，ＣＨ＝Ｎ）；７．６２（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．３Ｈｚ，１２Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，５０．３２ＭＨｚ）：δ＝３２．４（ｓ，ＣＨ_３−Ｎ）；１２１．４（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝５．２Ｈｚ，Ｃ_０ ^２）；１２７．９（ｄ，^４Ｊ_ＣＰ＝１．２Ｈｚ，Ｃ_０ ^３）；１３４．７（ｄｌ，^４Ｊ_ＣＰ＝２．３Ｈｚ，Ｃ_０ ^４）；１３５．２（ｂｓ，ＣＨ＝Ｎ）；１４９．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１０．２Ｈｚ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

工程４：チラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有するデンドリマーの合成

１５０ｍｇの３０個の塩素化末端を有するデンドリマー（０．０５ｍｍｏｌ）を、次いで１．１１ｇの炭酸セシウム（３．４２ｍｍｏｌ）を、室温で、実施例３１で得た５９７ｍｇのチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（１．５５ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（８ｍＬ）溶液に添加する。反応媒体を１２時間撹拌する。粗製反応生成物の希釈（２０ｍＬのＴＨＦ）及び遠心分離によってセシウム塩を除去する。ＴＨＦ／ペンタン洗浄により、生成物を油状物の形態で収率７０％で単離することが可能になる。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（アセトンｄ_６，８１ＭＨｚ）：δ＝１２．９（ｂｓ，Ｐ_１）；２０．７（ｓ，Ｐ_０）；３０．２（ｓ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）；３０．３（ｓ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（アセトンｄ_６，５００．３３ＭＨｚ）：δ＝２．７９（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．５Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；２．８７（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．５Ｈｚ，３６Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．０７（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．５Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；３．１０（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．５Ｈｚ，３６Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；３．２２（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．７Ｈｚ，４８Ｈ，Ｎ−ＣＨ_２−Ｐ）；３．２７（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．７Ｈｚ，７２Ｈ，Ｎ−ＣＨ_２−Ｐ）；３．４４（ｂｓ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ）；３．６８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，１４４Ｈ，Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３））；３．７２（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，７２Ｈ，Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３））；３．７３（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，１４４Ｈ，Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３））；６．８５（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，２４Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；６．８９（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，１２Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；６．９０（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，２４Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．０１（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，１２Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．２０（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，２４Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．２４（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，３６Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．６７（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，１２Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）；７．８４（ｂｓ，６Ｈ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（アセトンｄ_６，１２５．８１ＭＨｚ）：δ＝３２．３（ｂｓ，ＣＨ_３−Ｎ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；４９．１（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５６．０Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．６Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ_２−Ｐ）；５２．０（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３））；５８．２（ｍ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；５８．３（ｍ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１２０．６（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２０．７（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２０．９（ｂｓ，Ｃ_０ ^２）；１２７．６（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３０．０（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３３．７（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３６．１（ｂｓ，ＣＨ＝Ｎ）；１３６．９（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３７．０（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１４９．０（ｂｓ，Ｃ_１ ^１）；１５０．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１０．２Ｈｚ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

工程５：チラミンに由来するアザ−ビスホスホン酸ナトリウム塩末端を有するデンドリマーの合成

１３２μｌのブロモトリメチルシラン（０．９９７ｍｍｏｌ）を、０°Ｃで不活性雰囲気下に、３ｍＬアセトニトリル中に１００ｍｇのチラミンに由来する３０個のアザ−ビスホスホン酸末端を有するデンドリマー（０．００８ｍｍｏｌ）を含有する溶液にゆっくり添加する。添加の終りに、反応媒体を室温で１２時間撹拌する。そのあと反応媒体を蒸発乾固し、次いで２．５ｍＬのメタノールを室温で添加する。反応媒体を１時間撹拌し、次いで蒸発乾固する。このメタノリシス操作の２回目を繰り返し、次いで生成物をジエチルエーテルで数回洗浄する。
次いで得られた生成物を、ＮＭＲ分析の目的で、そのナトリウム塩に変換する。生成物を初めに水（１ｍＬ）に導入し、次いで２．３０ｍＬのソーダ水溶液（０．１９６６Ｎ）を添加する。デンドリマーを完全に溶解後、溶液を凍結乾燥する。これにより、デンドリマーを白色粉末の形態で収率７０％で得ることが可能になる。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１ＭＨｚ）：δ＝１０．７（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）（ＯＮａ））；１２．５（ｂｓ，Ｐ_１）；２０．９（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．

《実施例８７：Ｎ_３Ｐ_３核を有し３０個のα−ヒドロキシ−ホスホン酸末端を有する超稠密なデンドリマーの合成》
工程１：アルデヒド末端を有するデンドリマーの合成

３００ｍｇの４−ヒドロキシベンズアルデヒドナトリウム塩（２．１ｍｍｏｌ）を、室温で、ＴＨＦ（８ｍＬ）中に２００ｍｇの実施例８６の工程３で得た３０個の塩素化末端を有するデンドリマー（０．０７ｍｍｏｌ）を含有する溶液に添加する。反応媒体を１２時間撹拌する。粗製反応生成物の希釈及び遠心分離によってナトリウム塩を除去する。アセトン／ペンタン洗浄により、生成物を灰色がかった白色固体の形態で収率７０％で単離することが可能になる。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（アセトンｄ_６，８１ＭＨｚ）：δ＝１１．７（ｂｒｏａｄｓ，Ｐ_１）；２１．３（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（アセトンｄ_６，５００．３３ＭＨｚ）：δ＝３．５１（ｓ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ）；６．９１（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，１２Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．１３（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，２４Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．２１（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，１２Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．２３（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，２４Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．５３（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，１２Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）；７．７５（ｓ，６Ｈ，ＣＨ＝Ｎ）；７．７６（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，２４Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．８０（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，１２Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．８１（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，２４Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；９．９４（ｓ，６Ｈ，ＣＨＯ）；９．９６（ｓ，２４Ｈ，ＣＨＯ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（アセトンｄ_６，１２５．８１ＭＨｚ）：δ＝３２．２（ｍ，ＣＨ_３−Ｎ）；１２０．９（ｂｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．２（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２１．３（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２１．４（ｓ，Ｃ_１ ^２）；１２７．６（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３１．３（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３１．４（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３４．０（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３４．１（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３４．２（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１３５．７（ｍ，ＣＨ＝Ｎ）；１４９．６（ｍ，Ｃ_０ ^１）；１５４．３（ｍ，Ｃ_１ ^１）；１５４．４（ｍ，Ｃ_１ ^１）；１５４．５（ｍ，Ｃ_１ ^１）；１９０．６（ｓ，ＣＨＯ）；１９０．９（ｓ，ＣＨＯ）ｐｐｍ．

工程２：ジメチルα−ヒドロキシホスホネート末端を有するデンドリマーの合成

１１１μｍＬの亜リン酸ジメチル（１．２１ｍｍｏｌ）次いで１滴のトリエチルアミンを、室温で、ＴＨＦ（１ｍＬ）中に２００ｍｇの３０個のベンズアルデヒド末端を有するデンドリマー（０．０３７ｍｍｏｌ）を含有する溶液に添加する。反応媒体を１２時間撹拌する。次いで粘稠になった反応媒体をジエチルエーテルで洗浄することにより、生成物を白色固体の形態で収率７０％で単離することが可能になる。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ_６，８１ＭＨｚ）：δ＝１１．８（ｓ，Ｐ_１）；２０．６（ｓ，Ｐ_０）；２７．２（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＤＭＳＯｄ_６，５００．３３ＭＨｚ）：δ＝２．２１（ｍ，１８Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ）；３．４５−３．６８（ｍ，１８０Ｈ，Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３））；５．０３（ｍ，３０Ｈ，Ｐ−ＣＨ）；６．３１（ｂｒｏａｄｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１４．６Ｈｚ，３０Ｈ，ＣＨ−ＯＨ）；６．９１（ｍ，７２Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．３５（ｍ，６０Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．５４（ｍ，１２Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）；７．７３（ｂｒｏａｄｓ，６Ｈ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．

工程３： α−ヒドロキシホスホン酸ナトリウム塩末端を有するデンドリマーの合成

９９μｌのブロモトリメチルシラン（０．７５３ｍｍｏｌ）を、０°Ｃで不活性雰囲気下に、１００ｍｇの３０個のジメチルα−ヒドロキシホスホネート末端を有するデンドリマー（０．０１１ｍｍｏｌ）を含有する３ｍＬのアセトニトリル溶液にゆっくり添加する。添加の終りに、反応媒体を室温で１２時間撹拌する。そのあと反応媒体を蒸発乾固し、次いで２．５ｍＬのメタノールを室温で添加する。反応媒体を１時間撹拌し、次いで蒸発乾固する。このメタノリシス操作の２回目を繰り返し、次いで生成物をジエチルエーテルで数回洗浄する。
得られた生成物を次いで、ＮＭＲ分析の目的で、そのナトリウム塩に変換する。生成物を初めに水（１ｍＬ）中に導入し、次いで１．７４ｍＬのソーダ水溶液（０．１９６６Ｎ）を添加する。デンドリマーの完全溶解後、溶液を凍結乾燥することにより、デンドリマーを白色粉末の形態で収率７０％で得ることが可能になる。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１ＭＨｚ）：δ＝１２．６（ｂｓ，Ｐ_１）；１９．７（ｓ，Ｐ_０）；２０．１（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）（ＯＮａ））ｐｐｍ．

《実施例８８：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有し蛍光核を有する第１世代デンドリマーの合成：》
ａ．ジフェニル−マレイン酸無水物に由来する蛍光フェノールの合成：

ジフェニル−マレイン酸無水物（２０ｍｍｏｌ，５ｇ）、チラミン（４０ｍｍｏｌ，５．４８ｇ）、Ｎ，Ｎジイソプロピルエチルアミン（１４ｍｍｏｌ，３２ｍｌ）、溶媒として用いる５０ｇのフェノール、及び５０ｇの４Åモレキュラーシーブを、室温で２５０ｍＬフラスコに導入する。混合物を１時間半１５０°Ｃにし、次いで室温まで冷却する。次いで生成物を１．２ｌのジクロロメタンで希釈し、セライトで濾過して、１．６ｌの４％塩酸水溶液で洗浄する。有機相を硫酸マグネシウムで乾燥して、濃縮する。溶媒として用いたフェノールを７０°Ｃで昇華させて除去する。最後に生成物を、溶離液としてクロロホルム次いでエーテルの勾配を用いるシリカゲルクロマトグラフィーによって精製する。最終生成物を収率２０％で単離する。
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．９３（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．８６（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；５．３８（ｂｒｏａｄｓ，１Ｈ，ＯＨ）；６．７−７．５（ｍ，１４Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）ｐｐｍ．

ｂ．ジフェニル−マレイン酸無水物に由来する蛍光フェノールによって一置換したシクロトリホスファゼンの合成：

ヘキサクロロシクロトリホスファゼン（０．４０３ｍｍｏｌ，１４０ｍｇ）を、トリエチルアミン（０．５４ｍｍｏｌ，１００μｌ）及び工程ａで得た蛍光フェノール（０．２７７ｍｍｏｌ，１００ｍｇ）を含む室温の２０ｍＬトルエンの溶液に入れる。混合物を室温で７２時間撹拌しておき、次いでセライトで濾過して、濃縮する。最後に生成物をシリカゲルクロマトグラフィーによって精製する。この目的に次の溶媒勾配を用いる。すなわち初めに純粋なヘキサン次いでヘキサン／エーテル混合物１／１である。最終生成物を収率４０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１５．６（ｔ，Ｐ_１）；２５．８（ｄ，Ｐ_２）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３．０３（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．９１（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；７．２−７．５（ｍ，１４Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）ｐｐｍ．

ｃ．ジフェニル−マレイン酸無水物に由来する蛍光フェノールによって一置換したペンタアルデヒド核の合成：

工程ｂで得たジフェニル−マレイン酸無水物に由来する蛍光基によって一置換したシクロトリホスファゼン（１．０７ｍｍｏｌ，７３０ｍｇ）を、炭酸セシウム（１１．８ｍｍｏｌ，３．８５ｇ）及び４−ヒドロキシ−ベンズアルデヒド（５．５７ｍｍｏｌ，６８０ｍｇ）を含む無水ＴＨＦ（５ｍＬ）の溶液に入れる。混合物を室温で１２時間撹拌しておく。最終生成物を最小量のＴＨＦの溶液に入れて、ペンタンで沈殿させ洗浄する。それを収率８０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１１．７（ｓ，Ｐ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．９６（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．８３（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；６．９−７．８（ｍ，３４Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）；９．９２（ｓ，５Ｈ，ＣＨＯ）ｐｐｍ．

ｄ．ジクロロチオホスフィン表面及び蛍光核を有する第１世代デンドリマーの合成：

ヒドラジノ−ジクロロ−チオホスフィン（７ｍＬ，０．２４ｍｏｌ．Ｌ^−１）／クロロホルム溶液を、０°Ｃで、工程ｃで得た粉末のジフェニル−マレイン酸無水物に由来する蛍光基を有するペンタ−官能性核（０．２７９ｍｍｏｌ，３１０ｍｇ）に添加する。混合物を室温で８時間電磁撹拌しておき、次いで蒸発させる。最後に得られた粉末をジクロロメタンとペンタンの１／５混合物で沈殿させ３回洗浄する。最終生成物を収率７６％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．００（ｓ，Ｐ_１）；６５．９１（ｓ，Ｐ_１）；１１．９（ｍ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．９３（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．４２（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝８．９Ｈｚ，９Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３．４８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝８．７Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３．７８（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；６．７−７．７（ｍ，３４Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ）ｐｐｍ．

ｅ．アザビスホスホネート表面及び蛍光核を有する第１世代デンドリマーの合成：

最後に、炭酸セシウム（４．１６ｍｍｏｌ，１．３５ｇ）及びチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（２．０８ｍｍｏｌ，７３６ｍｇ）を、工程ｄで得たジフェニル−マレイン酸無水物に由来する蛍光基を有する第１世代デンドリマー（０．１９８ｍｍｏｌ，３８０ｍｇ）／無水ＴＨＦ（５ｍＬ）溶液に添加する。混合物を室温で２４時間撹拌しておき、次いで最終混合物をセライトで濾過して、塩を分離する。最後に最終生成物をペンタンで沈殿させ洗浄して、収率７０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝６６．５８（ｓ，Ｐ_１）；３０．１９（ｓ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）；１１．８（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．７０（ｂｒｏａｄｓ，２２Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．００（ｂｒｏａｄｓ，２２Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；３．１３（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．２Ｈｚ，４０Ｈ，−ＣＨ _２−Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；３．２０（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１１．８Ｈｚ，１５Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ−Ｐ_１）；３．６８（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，９６Ｈ，−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−ＣＨ _３）_２）；６．６−７．７（ｍ，７９Ｈ，ＣＨ_ａｒｏｍ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．

《実施例８９：チラミンに由来するアザ−ビス−ホスホノ表面を有し蛍光核を有する第１世代デンドリマーの合成：》

ブロモトリメチルシラン（４．３ｍｍｏｌ，５７８μｌ）を、０°Ｃで、実施例８８で得たジフェニル−マレイン酸無水物に由来する蛍光基及びアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート表面を有する第１世代デンドリマー（０．０９８ｍｍｏｌ，５００ｍｇ）／アセトニトリル（１０ｍｌ）溶液に滴下する。添加が終わったら混合物を１２時間にわたり放置して室温まで戻す。そのあと混合物を蒸発乾固し、次いで１ｍＬの無水メタノールを室温で添加して、混合物を１時間撹拌しておく。蒸発乾固後、残渣を純粋なエーテルで数回洗浄する。生成物が有機溶媒に全く不溶であるので、それを、ソーダ水溶液（３８０ｍｇのデンドリマーに対して０．１９５５ｍｏｌ．Ｌ^−１で８．６ｍｌ）の存在下に、そのモノナトリウム塩に変換する。得られた溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白黄色粉末の形態で得る。最終生成物を収率５１％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ）：δ＝６６．５８（ｓ，Ｐ_１）；１４．２（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＮａ）（ＯＨ））；１１．８（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．

《実施例９０：ジュロリジンに由来する蛍光標識及びチラミンに由来するアザ−ビス−ホスホン酸末端を有する第１世代リン含有デンドリマーの合成》
工程１：２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−３−ホルミル−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン（すなわちｐ−ホルミル化ジュロリジン）の合成

この分子の合成は、Ｍ．Ａ．Ｈａｉｄｅｋｋｅｔａｌ．ＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＢｉｏｌｏｇｙ２００１，８，１２３−１３１により記載された手順に従って実施した。

工程２：２−シアノ−Ｎ−［２−（４−ヒドロキシ−フェニル）−エチル］−アセトアミドの合成

１．２８ｇ（９．３３ｍｍｏｌ）のチラミンを、不活性雰囲気下に、１３ｍＬのジメチルホルムアミド中に１．００ｇ（８．８４ｍｍｏｌ）のシアノ酢酸エチルを含有する溶液に添加する。混合物を１１０°Ｃで４時間撹拌し、次いで室温で１２時間撹拌する。次いで反応媒体を１００ｍＬの酢酸エチルで希釈して、５０ｍＬのｐＨ＝３の酸性水溶液で洗浄する。水相を再び５０ｍＬの酢酸エチルで抽出する。有機相を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過して、溶媒を減圧下に蒸発させる。得られた粘性のある褐色固体を次いで、トルエンに数回溶解して、トルエン共沸混合物／ＤＭＦを蒸発させる。最後に固体をジクロロメタン及びエーテルで洗浄する。生成物を淡褐色固体の形態で収率６５％で単離する。
ＮＭＲ^１Ｈ（アセトンｄ_６，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝２．７１（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ，ＣＨ _２−Ｃ_６Ｈ_４）；３．４１（ｍ，２Ｈ，ＨＮ−ＣＨ _２）；３．５６（ｓ，２Ｈ，ＣＨ _２−ＣＮ）；６．７６（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_ｏ−Ｈ）；７．０５（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_ｍ−Ｈ）；７．５２（ｂｓ，１Ｈ，ＯＨ）；８．２１（ｂｓ，１Ｈ，ＮＨ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（アセトンｄ_６，５０．３２ＭＨｚ）：δ＝２６．１（ｓ，ＣＨ _２−ＣＮ）；３５．１（ｓ，ＣＨ _２−Ｃ_６Ｈ_４）；４２．３（ｓ，ＨＮ−ＣＨ _２）；１１６．０（ｓ，Ｃ_ｏ及びＣＮ）；１３０．４（ｓ，Ｃ_ｍ及びＣ_ｐ）；１５６．６（ｓ，Ｃ_ｉ）；１６２．７（ｓ，ＣＯ）ｐｐｍ．

工程３：２−シアノ−Ｎ−［２−（４−ヒドロキシ−フェニル）−エチル］−３−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−３−ホルミル−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン）−アクリルアミドの合成

１９８ｍｇ（０．９６９ｍｍｏｌ）の２−シアノ−Ｎ−［２−（４−ヒドロキシ−フェニル）−エチル］−アセトアミド及び３６０μＬ（２．５８０ｍｍｏｌ）のトリエチルアミンを、１３０ｍｇ（０．６４６ｍｍｏｌ）のホルミル化ジュロリジン／１４ｍＬのＴＨＦ溶液に添加する。反応混合物を１８時間還流する。次いで溶媒を減圧下に蒸発させて、残渣をシリカカラムクロマトグラフィー（溶離液：２％メタノール含有ジクロロメタン）により精製する。得られた生成物（Ｒｆ＝０．２９）を橙色固体の形態で収率６７％で単離する。
ＮＭＲ^１Ｈ（ＤＭＳＯｄ_６，５００．３３ＭＨｚ）：δ＝１．８６（ｍ，４Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；２．６４（ｍ，６Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｎ，ＨＮ−ＣＨ_２−ＣＨ _２）；３．３１（ｍ，６Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ，ＨＮ−ＣＨ _２−ＣＨ_２）；６．６６−７．０１（ｍ，４Ｈ，Ｃ_ｍ−Ｈ，Ｃ_ｏ−Ｈ）；７．４２（ｓ，２Ｈ，Ｃ_ｏ’−Ｈ）；７．７９（ｓ，１Ｈ，ＨＣ＝Ｃ−ＣＮ）；７．９７（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ，ＮＨ）；９．１８（ｓ，１Ｈ，ＯＨ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＤＭＳＯｄ_６，１２５．８１ＭＨｚ）：δ＝２１．１（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；２７．６（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｎ）；３４．８（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＮＨ）；４２．０（ｓ，ＣＨ_２−ＮＨ）；４９．８（ｓ，ＣＨ_２−Ｎ）；９５．２（ｓ，Ｃ−ＣＮ）；１１５．６（ｓ，Ｃ_ｏ）；１１８．１（ｓ，Ｃ_ｉ’）；１１９．０（ｓ，ＣＮ）；１２０．９（ｓ，Ｃ_ｍ’）；１２９．９（ｓ，Ｃ_ｍ，Ｃ_ｐ）；１３０．６（ｓ，Ｃ_ｏ’）；１４７．１（ｓ，Ｃ_ｐ’）；１５０．６（ｓ，ＨＣ＝Ｃ−ＣＮ）；１５６．１（ｓ，Ｃ_ｉ）；１６２．７（ｓ，ＣＯ）ｐｐｍ．

工程４：ペンタ（４−ホルミルフェノキシ）−クロロシクロトリホスファゼンの合成

２５９１ｍｇの４−ヒドロキシベンズアルデヒドナトリウム塩（１８ｍｍｏｌ）を、０°Ｃで不活性雰囲気下に、ＴＨＦ（３００ｍＬ）中に１．２ｇのヘキサクロロシクロトリホスファゼン（３．４５ｍｍｏｌ）を含有する溶液に添加する。温度を次第に室温まで戻しておきながら反応媒体を１２時間撹拌する。粗製反応生成物を蒸発乾固し、次いで「フラッシュ」シリカカラムクロマトグラフィーにより精製する。生成物を半透明油状物の形態で収率７０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝９．２（ｄ，^２Ｊ_ＰＰ＝８６．６Ｈｚ，Ｐ_０）；２４．３（ｔ，^２Ｊ_ＰＰ＝８６．６Ｈｚ，Ｐ’_０）ｐｐｍ．

工程５：ジュロリジンに由来する発蛍光団及び５個のアルデヒド官能基を有するＡＢ５−型樹状核の合成

前工程に記載の１８４ｍｇ（２３７ｍｍｏｌ）のペンタ（４−ホルミルフェノキシ）−クロロシクロトリホスファゼン次いで１５５ｍｇ（４７５ｍｍｏｌ）の炭酸セシウムを、１０ｍＬのＴＨＦ中に９２ｍｇ（２３７ｍｍｏｌ）の２−シアノ−Ｎ−［２−（４−ヒドロキシフェニル）−エチル］−３−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−３−ホルミル−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン）−アクリルアミドを含有する溶液に添加する。反応媒体を室温で１２時間撹拌する。セシウム塩を遠心分離によって除去して、減圧下に溶媒を蒸発後、粗製残渣をシリカカラムクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチル／ペンタン，１：１）により精製する。生成物（Ｒｆ＝０．２６）を橙色油状物の形態で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０２ＭＨｚ）：δ＝１０．９（ｂｓ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（アセトンｄ_６，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝１．９０（ｍ，４Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；２．６７（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．３Ｈｚ，４Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｎ）；２．８４（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ，ＨＮ−ＣＨ_２−ＣＨ _２）；３．２５（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．０Ｈｚ，４Ｈ，ＣＨ _２−Ｎ）；３．５８（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．０Ｈｚ，２Ｈ，ＨＮ−ＣＨ _２）；６．３７（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．４Ｈｚ，１Ｈ，ＮＨ）；６．９２（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_ｏ−Ｈ）；７．１０（ｍ，１２Ｈ，Ｃ_ｍ−Ｈ及びＣ_０ ^２−Ｈ）；７．３６（ｓ，２Ｈ，Ｃ_ｏ’−Ｈ），７．６９（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．６Ｈｚ，１０Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）；７．９５（ｓ，１Ｈ，ＨＣ＝Ｃ−ＣＮ）；９．９０（ｓ；３Ｈ，ＣＨＯ），９．９２（ｓ；２Ｈ，ＣＨＯ）ｐｐｍ．

工程６：ＰＳＣｌ_２末端基を有する蛍光デンドリマーの合成

工程５で得た１００ｍｇの化合物（０．０５ｍｍｏｌ）を、０°Ｃで、ジクロロチオホスホ−（Ｎ−メチル）−ヒドラジド（０．３ｍｍｏｌ）／クロロホルム（１．５ｍＬ）溶液に添加する。反応混合物を１２時間撹拌する。反応溶媒を蒸発後、生成物を最小量のジクロロメタンで希釈して、大容量のペンタン添加によって沈殿させる。この処理を３回行なう。生成物を収率９０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０２ＭＨｚ）：δ＝１１．８（ｂｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；６５．９（ｓ，Ｐ_１）；６６．０（ｓ，Ｐ_１）；６６．１（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．

工程７：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する蛍光デンドリマーの合成

３３９ｍｇの炭酸セシウム（１．０４ｍｍｏｌ）及び１９８ｍｇの実施例３１で得たチラミン由来のフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（０．５２０ｍｍｏｌ）を、５ｍＬのＴＨＦ中に１００ｍｇのＰＳＣｌ_２末端基を有する蛍光デンドリマー（０．０５２ｍｍｏｌ）を含有する溶液に添加する。混合物を室温で１２時間撹拌し、次いで形成された塩を遠心分離により除去する。反応溶媒を蒸発後、生成物を最小量のＴＨＦで希釈して、大容量のペンタン添加により沈殿させる。生成物を収率７０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０２ＭＨｚ）：δ＝１１．９（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；３０．３（ｓ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）；３０．６（ｓ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）；６６．７（ｓ，Ｐ_１）；６６．８（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．

工程８：チラミンに由来するアザ−ビス−ホスホン酸ナトリウム塩末端を有する蛍光デンドリマーの合成

１１０μＬのブロモトリメチルシラン（０．８３８ｍｍｏｌ）を、０°Ｃで不活性雰囲気下に、アセトニトリル（５ｍＬ）中に１００ｍｇの前工程で得たチラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する蛍光デンドリマー（０．０１９ｍｍｏｌ）を含有する溶液にゆっくり添加する。添加の終りに、反応媒体を室温で１２時間撹拌する。そのあと反応媒体を蒸発乾固し、次いで２．５ｍＬのメタノールを室温で添加する。反応媒体を１時間撹拌し、次いで蒸発乾固する。このメタノリシス操作の２回目を繰り返し、次いで生成物をジエチルエーテルで数回洗浄する。得られた生成物を次いで、ＮＭＲ分析の目的で、そのナトリウム塩に変換する。生成物を初めに水（１ｍＬ）中に導入し、次いで４．８ｍＬのソーダ水溶液（０．１９６６Ｎ）を添加する。デンドリマーの完全溶解後、溶液を凍結乾燥することにより、デンドリマーを白色粉末の形態で収率７５％で得ることが可能になる。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１．０２ＭＨｚ）：δ＝１０．３（ｂｓ，ＰＯ_３ＨＮａ）；１３．１（ｓ，Ｎ_３Ｐ_３）；６４．５（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．

《実施例９１：シクロトリホスファゼン核を有しチラミンに由来するアザ−ビス−ホスホノ表面を有し１個の欠けた枝を有するデンドリマーの合成》
工程１：シクロトリホスファゼンへの一置換反応
１４０ｍｇのヘキサクロロシクロトリホスファゼン、０．１ｍＬのトリエチルアミン及び１当量のフェノールを、１５ｍＬのトルエンに入れ、室温で７２時間撹拌しておく。そのあと反応混合物を濾過して、次いで減圧下に濃縮する。粗製残渣を溶離液としてエーテル／ヘキサン１：１混合物を用いるシリカゲルクロマトグラフィーによって精製する。最終生成物をペースト状物の形態で収率６５％で得る。
得られた生成物は次の式に相当する：

ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝１５．７（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６０Ｈｚ，ＰＣｌ（ＯＰｈ）），２５．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６０Ｈｚ，ＰＣｌ_２）．
次いでデンドリマーを当業者によく知られている方法、特に“Ａｇｅｎｅｒａｌｓｙｎｔｈｅｔｉｃｓｔｒａｔｅｇｙｆｏｒｎｅｕｔｒａｌｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓｃｏｎｔａｉｎｉｎｇｄｅｎｄｒｉｍｅｒｓ”ＬａｕｎａｙＮ．，ＣａｍｉｎａｄｅＡ．Ｍ．，ＬａｈａｎａＲ．，ＭａｊｏｒａｌＪ．Ｐ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．１９９４，１０６，１６８２．Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１９９４，３３，１５８９及び“Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓｏｆｂｏｗｌ−ｓｈａｐｅｄｄｅｎｄｒｉｍｅｒｓｆｒｏｍｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ１ｔｏｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ８”ＬａｕｎａｙＮ．，ＣａｍｉｎａｄｅＡ．Ｍ．，ＭａｊｏｒａｌＪ．Ｐ．，Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．１９９７，５２９，５１に記載された方法を用いて構築する。そのあと前実施例の対称性デンドリマーのために用いた方法に従って、フェノールビスホスホネートを表面にグラフト化する。
特に次の方法を実施することができる：

工程２：ヒドロキシベンズアルデヒドのグラフト化

１１７０ｍｇの４−ヒドロキシベンズアルデヒド及び６８００ｍｇの炭酸セシウムを、２０ｍＬのＴＨＦ中に６５０ｍｇの前工程で得た樹状核を含有する溶液に添加する。混合物を室温で一晩撹拌して、塩を遠心分離によって除去する。得られた溶液を次いで、減圧下に濃縮して、エーテル／ペンタン混合物（１／１）で沈殿させて、白色粉末を収率８２％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝１２．１（ｂｓ，Ｎ_３Ｐ_３）．

工程３：ホスホルヒドラジドの縮合：第１世代デンドリマー

ＣＨＣｌ_３中の３０ｍＬの新しく合成したジクロロチオホスホルヒドラジド（０．２４Ｍ）を、２０ｍＬのＣＨＣｌ_３中に１０００ｍｇの前工程で得た樹状核を含有する溶液に添加する。溶液を室温で一晩撹拌し、次いで粗製反応生成物を減圧下に濃縮して、ペンタン添加により沈殿させる。得られた白色粉末を次いで、シリカゲルクロマトグラフィー（溶離液ＣＨ_２Ｃｌ_２／ペンタン，１／１）によって精製する。収率７６％。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝１１．７（ｂｓ，Ｎ_３Ｐ_３），６５．９（ｓ，Ｐ＝Ｓ），６６．０（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．

工程４：チラミンに由来するフェノールアミノビスホスホネートのグラフト化

２７９ｍｇの実施例３１で得たチラミンに由来するアミノビスホスホネートフェノール及び５１６ｍｇの炭酸セシウムを、２０ｍＬのＴＨＦ中に１２０ｍｇの前工程で得たデンドリマーを含有する溶液に添加する。懸濁液を室温で一晩撹拌して、塩を遠心分離によって除去する。得られた溶液を次いで、減圧下に濃縮して、エーテル／ペンタン混合物（１／１）で沈殿させて、白色粉末を収率８６％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝１１．９（ｓｌ，Ｎ_３Ｐ_３），３０．３（ｓ，Ｐ＝０），６６．７（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．

工程５：１個の欠けた枝を有しＮａ塩末端を有する第１世代デンドリマー

５２当量のＢｒＴＭＳを、０°Ｃで不活性雰囲気下に、５ｍＬのアセトニトリル中に１００ｍｇの前工程で得たデンドリマーを含有する溶液に添加する。添加の終りに、反応媒体を室温で１２時間撹拌する。そのあと反応媒体を蒸発乾固し、次いで２．５ｍＬのメタノールを室温で添加する。反応媒体を１時間撹拌し、次いで蒸発乾固する。このメタノリシス操作の２回目を繰り返し、次いで生成物をジエチルエーテルで数回洗浄する。次いで得られた生成物を、ＮＭＲ分析の目的で、そのナトリウム塩に変換する。生成物を初めに水（１ｍＬ）中に導入し、次いで１０当量のソーダ水（０．１９６６Ｎ）を添加する。デンドリマーの完全溶解後、溶液を凍結乾燥することにより、デンドリマーを白色粉末の形態で収率７９％で得ることが可能になる。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝９．９（ｓ，Ｐ＝０），１１．８（ｂｓ，Ｎ_３Ｐ_３），６６．３（ｓ，Ｐ＝Ｓ）．

《実施例９２：２個の核官能基をビフェノールによりブロックされ、チラミンに由来するアザ−ビス−ホスホン酸末端を有する第１世代デンドリマーの合成》
工程１：テトラクロロ−（２．２’−ジヒドロキシビフェニル）シクロトリホスファゼンの合成

この分子の合成を、Ｒ．Ｐｅｌｃｅｔａｌ．Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ，ＳｕｌｆｕｒａｎｄＳｉｌｉｃｏｎ１９９０，４７，３７５−３８２に記載された手順に従って実施した。

工程２：テトラ（４−ホルミルフェノキシ）（２．２’−ジヒドロキシビフェニル）シクロトリホスファゼンの合成

１．６４０ｍｇ（１１．３９ｍｍｏｌ）の４−ヒドロキシベンズアルデヒドナトリウム塩を、４ｍＬのＴＨＦ中に１．２７０ｍｇ（２．７６ｍｍｏｌ）のテトラクロロ−（２，２’−ジヒドロキシビフェニル）シクロトリホスファゼンを含有する溶液に添加する。反応混合物を１２時間撹拌する。反応媒体を２０ｍＬのＴＨＦで希釈後、ナトリウム塩を遠心分離により除去する。蒸発乾固後、生成物をメタノールで２回洗浄する。生成物を収率９０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝１１．５（ｄ，^２Ｊ_ＰＰ＝９４．８Ｈｚ，Ｐ_０）；２７．５（ｔ，^２Ｊ_ＰＰ＝９４．８Ｈｚ，Ｐ’_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝６．７８（ｍ，２Ｈ，Ｃ’_０ ^２−Ｈ）；７．３７（ｍ，１２Ｈ，Ｃ’_０ ^３−Ｈ，Ｃ’_０ ^５−Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．５５（ｍ，２Ｈ，Ｃ’_０ ^４−Ｈ）；７．８２（ｍ，８Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）；９．９５（ｓ，４Ｈ，ＣＨＯ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，５０．３２ＭＨｚ）：δ＝１２１．３（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝４．６Ｈｚ，Ｃ’_０ ^２）；１２１．５（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．３Ｈｚ，Ｃ_０ ^２）；１２６．５（ｄ，^４Ｊ_ＣＰ＝１．６Ｈｚ，Ｃ’_０ ^５）；１２８．４（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１．４Ｈｚ，Ｃ’_０ ^６）；１２９．９（ｓ，Ｃ’_０ ^３，Ｃ’_０ ^４）；１３１．４（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３３．７（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１４７．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝９．３Ｈｚ，Ｃ’_０ ^１）；１５４．８（ｔ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．７Ｈｚ，Ｃ_０ ^１）；１９０．６（ｓ，ＣＨＯ）ｐｐｍ．

工程３：塩素化末端を有するデンドリマーの合成

３ｍＬ（０．６６ｍｍｏｌ）のジクロロチオホスホ−Ｎ−メチルヒドラジドの溶液（０．２２ｍｏｌ．ｌ^−１）を、０°Ｃで、２ｍＬのＴＨＦ中に１２９ｍｇ（０．１６ｍｍｏｌ）のテトラ（４−ホルミルフェノキシ）（２．２’−ジヒドロキシビフェニル）シクロトリホスファゼンを含有する溶液に添加する。反応混合物を０°Ｃで２時間撹拌する。生成物をＴＨＦ／ペンタン洗浄により精製して、白色固体の形態で収率９５％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝１１．５（ｄ，^２Ｊ_ＰＰ＝９６Ｈｚ，Ｐ_０）；２７．２（ｔ，^２Ｊ_ＰＰ＝９６Ｈｚ，Ｐ’_０）；６６．３（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．

工程４：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有するデンドリマーの合成

５００ｍｇ（１．３１ｍｍｏｌ）の実施例３１で得たチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート、次いで７５０ｍｇ（２．３ｍｍｏｌ）の炭酸セシウムを、室温で、４ｍＬのＴＨＦ中に２０６ｍｇ（０．１４ｍｍｏｌ）の前工程の塩素化末端を有するデンドリマーを含有する溶液に添加する。反応混合物を１２時間撹拌し、２０ｍＬのＴＨＦで希釈して、セシウム塩を遠心分離によって除去する。揮発性物質を蒸発後、残渣を最小量のＴＨＦで希釈して、大過剰のペンタンで沈殿させる。こうして期待生成物を粘性のある固体の形態で収率９０％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝１１．５（ｄ，^２Ｊ_ＰＰ＝９６Ｈｚ，Ｐ_０）；２７．５（ｔ，^２Ｊ_ＰＰ＝９６Ｈｚ，Ｐ’_０）；２９．８（ｓ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）；６５．９（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝２．７４（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．４Ｈｚ，１６Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．０４（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．４Ｈｚ，１６Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；３．１８（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．１Ｈｚ，３２Ｈ，Ｎ−ＣＨ_２−Ｐ）；３．７２（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，９６Ｈ，Ｐ（Ｏ）（ＯＭｅ））；６．７８−７．６９（ｍ，６０Ｈ，Ｈ_ａｒｏｍ及びＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．

３５当量のブロモトリメチルシランを、２００ｍｇの前工程の化合物を含有する不活性雰囲気下に０°Ｃに維持した３ｍＬのアセトニトリルの溶液にゆっくり添加する。添加の終りに、反応媒体を室温で１２時間撹拌する。そのあと反応媒体を蒸発乾固し、次いで１ｍＬのメタノールを室温で添加する。反応媒体を１時間撹拌し、次いで蒸発乾固する。このメタノリシス操作の２回目を繰り返し、次いで粗製残渣をジエチルエーテルで数回洗浄する。
次いで得られた生成物を、ＮＭＲ分析の目的で、そのナトリウム塩に変換する。生成物を初めに水（１ｍＬ）の存在下に置き、次いで１６当量のソーダ水（０．１９６６Ｎ）を添加する。得られた溶液を凍結乾燥することにより、化合物を白色粉末の形態で収率８２％で得ることが可能となる。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝９．５（ｂｓ，ＰＯ_３ＨＮａ）；１１．０（ｄ，^２Ｊ_ＰＰ＝９５Ｈｚ，Ｐ_０）；２７．１（ｔ，^２Ｊ_ＰＰ＝９５Ｈｚ，Ｐ’_０）；６５．７（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．

《実施例９３：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する第１世代デンドロンの合成》
デンドロンとは、１個以上の欠けた結合鎖を有するデンドリマーを意味し、前記欠けた結合鎖が反応性基によって置き換えられているデンドリマーを意味する。
工程１：ジクロロチオホスホ−（Ｎ−メチル）−（４−メトキシフェニル）−ヒドラゾンの合成

ｐ−アニスアルデヒド（２．７１ｍｍｏｌ，３３０μＬ）を、０°Ｃで、ジクロロチオホスホ−Ｎ−メチルヒドラジド（４．４ｍｍｏｌ）／クロロホルム（２２ｍＬ）溶液に添加する。反応混合物を１２時間撹拌する。反応溶媒の蒸発後、生成物をエーテルで洗浄し、次いでクロマトグラフィーによって精製する。生成物を白色粉末の形態で収率９０％で単離する。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝６６．９（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝３．５０（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１４．１Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ）；３．８７（ｓ，３Ｈ，ＣＨ_３−Ｏ）；６．９６（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．６６（ｓ，ＣＨ＝Ｎ）；７．６８（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，５０．３２ＭＨｚ）：δ＝３１．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１３．１Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ）；５５．４（ｓ，ＣＨ_３−Ｏ）；１１４．２（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２６．９（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１２８．９（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１４１．３（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝１８．７Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１６１．２（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

工程２：チラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する第０世代デンドロンの合成

１９５ｍｇのジクロロチオホスホ−（Ｎ−メチル）−（４−メトキシフェニル）−ヒドラゾン（０．６６ｍｍｏｌ）、次いで８８１ｍｇの炭酸セシウム（２．７０ｍｍｏｌ）を、室温で、５ｍＬのアセトン中に５９６ｍｇの実施例３１で得たチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（１．４９ｍｍｏｌ）を含有する溶液に添加する。反応混合物を１２時間撹拌し、２０ｍＬのＴＨＦで希釈して、セシウム塩を遠心分離によって除去する。揮発物質の蒸発後、残渣を最小量のＴＨＦで希釈して、大過剰のペンタンで沈殿させる。こうして期待生成物を粘性のある固体の形態で収率９４％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝３０．３（ｓ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）；６６．６（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝２．７３（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．１Ｈｚ，４Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．０３（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．１Ｈｚ，４Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；３．１６（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．０Ｈｚ，８Ｈ，Ｎ−ＣＨ_２−Ｐ）；３．３０（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１１．１Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ），３．７１（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．４Ｈｚ，２４Ｈ，Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；３．８４（ｓ，３Ｈ，ＣＨ_３−Ｏ）；６．９２（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．１３（ｍ，８Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．５９（ｓ，ＣＨ＝Ｎ）；７．６６（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，５０．３２ＭＨｚ）：δ＝３２．８（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３３．０（ｓ，ＣＨ_３−Ｎ）；４９．４（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５７．４Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．１Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ_２−Ｐ）；５２．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．２Ｈｚ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）；５５．４（ｓ，ＣＨ_３−Ｏ）；５８．１（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．４Ｈｚ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１１４．１（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．３（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝４．４Ｈｚ，Ｃ_１ ^２）；１２７．７（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１２８．４（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１２９．８（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３６．３（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１３９．４（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝４．５Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４９．０（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝６．６Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１６０．６（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

工程３：チラミンに由来するアザ−ビス−ホスホン酸ナトリウム塩末端を有する第０世代デンドロンの合成

０．３９６ｍＬのブロモトリメチルシラン（３．０ｍｍｏｌ）を、不活性雰囲気下に０°Ｃに維持した３ｍＬのアセトニトリル中に２８６ｍｇの工程２の化合物（０．２９ｍｍｏｌ）を含有する溶液にゆっくり添加する。添加の終りに、反応媒体を室温で１２時間撹拌する。そのあと反応媒体を蒸発乾固し、次いで１ｍＬのメタノールを室温で添加する。反応媒体を１時間撹拌し、次いで蒸発乾固する。このメタノリシス操作の２回目を繰り返し、次いで粗製残渣をジエチルエーテルで数回洗浄する。
次いで得られた生成物を、ＮＭＲ分析の目的で、そのナトリウム塩に変換する。生成物を初めに水（１ｍＬ）中に導入し、次いで４．６０ｍＬのソーダ水溶液ｄ（０．１９６６Ｎ）を添加する。得られた溶液を凍結乾燥することにより、デンドロンを白色粉末の形態で収率８０％で得ることが可能となる。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ，８１ＭＨｚ）：δ＝１０．１（ｓ，ＰＯ_３ＨＮａ）；６８．４（ｓ，Ｐ_１）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ，５００．３３ＭＨｚ）：δ＝２．９９（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．５Ｈｚ，４Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．１９（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ，ＣＨ_３−Ｎ）；３．３４（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝１１．７Ｈｚ，８Ｈ，Ｎ−ＣＨ_２−Ｐ）；３．５６（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．５Ｈｚ，４Ｈ；ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；３．７３（ｓ，３Ｈ，ＣＨ_３−Ｏ）；６．９０（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．０９（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ，Ｃ_１ ^２−Ｈ）；７．２３（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ，Ｃ_１ ^３−Ｈ）；７．５５（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）；７．７６（ｓ，１Ｈ，ＣＨ＝Ｎ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤ_３ＣＮ／Ｄ_２Ｏ，１２５．８６ＭＨｚ）：δ＝２８．９（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３２．６（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝１１．３Ｈｚ，ＣＨ_３−Ｎ）；５２．３（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３０．８Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ_２−Ｐ）；５５．４（ｓ，ＣＨ_３−Ｏ）；５７．５（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１１４．３（ｓ，Ｃ_０ ^２）；１２１．５（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝５．０Ｈｚ；Ｃ_１ ^２）；１２７．３（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１２８．８（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３０．５（ｓ，Ｃ_１ ^３）；１３４．０（ｓ，Ｃ_１ ^４）；１４３．０（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．８Ｈｚ，ＣＨ＝Ｎ）；１４８．９（ｄ；^２Ｊ_ＣＰ＝６．３Ｈｚ，Ｃ_１ ^１）；１６０．２（ｓ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例９４：ＰＳ核を有しチラミンに由来するアザ−ビス−ホスホン酸末端を有する第０世代デンドリマーの合成》
工程１：ＰＳ核を有しチラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する第０世代デンドリマーの合成

０．０５８ｍＬのトリクロロチオホスホア（０．５７ｍｍｏｌ）、次いで１．１４０ｇの炭酸セシウム（３．５０ｍｍｏｌ）を、０°Ｃで不活性雰囲気下に、８ｍＬのアセトニトリル中に７００ｍｇの実施例３１で得たチラミンに由来するフェノールアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート（１．７５ｍｍｏｌ）を含有する溶液に添加する。混合物を室温で１２時間撹拌し、次いで形成された塩を遠心分離によって除去する。反応溶媒の蒸発後、生成物を最小量のＴＨＦで希釈して、大容量のペンタン添加によって沈殿させる。この沈殿を洗浄することにより、生成物を油状物の形態で収率９８％で単離することが可能になる。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１ＭＨｚ）：δ＝３０．３（ｓ，Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；５７．０（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３，３００．１３ＭＨｚ）：δ＝２．７９（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．３Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；３．０５（ｄｅｆｏｒｍｅｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．３Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；３．１８（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．０Ｈｚ，１２Ｈ，Ｎ−ＣＨ_２−Ｐ）；３．７２（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，３６Ｈ，Ｐ（Ｏ）（ＯＣＨ_３）_２）；７．１１（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．０Ｈｚ，６Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ）；７．２２（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．０Ｈｚ，６Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）ｐｐｍ．

工程２：ＰＳ核を有しチラミンに由来するアザ−ビス−ホスホン酸ナトリウム塩末端を有する第０世代デンドリマーの合成

４９２μｌのブロモトリメチルシラン（３．７ｍｍｏｌ）を、０°Ｃで不活性雰囲気下に、３ｍＬのアセトニトリル中に３２５ｍｇの前工程で得たチラミンに由来するアザ−ビス−ジメチル−ホスホネート末端を有する第０世代デンドリマー（０．２７ｍｍｏｌ）を含有する溶液にゆっくり添加する。添加の終わりに、反応媒体を室温で１２時間撹拌する。そのあと反応媒体を蒸発乾固し、次いで２．５ｍＬのメタノールを室温で添加する。反応媒体を１時間撹拌し、次いで蒸発乾固する。このメタノリシス操作の２回目を繰り返し、次いで生成物をジエチルエーテルで数回洗浄する。
次いで得られた生成物を、ＮＭＲ分析の目的で、そのナトリウム塩に変換する。生成物を初めに水（１ｍＬ）中に導入し、次いで６．２２ｍＬのソーダ水溶液（０．１９６６Ｎ）を添加する。デンドリマーの完全溶解後、溶液を凍結乾燥して、デンドリマーを白色粉末の形態で収率７５％で得ることが可能になる。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，８１ＭＨｚ）：δ＝１０．２（ｓ，ＰＯ_３ＨＮａ）；５８．５（ｓ，Ｐ_０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，２００．１３ＭＨｚ）：δ＝３．０１−４．３０（ｍ，２４Ｈ，ＣＨ_２）；７．５１-７．６３（ｍ，１２Ｈ，Ｃ_０ ^２−Ｈ，Ｃ_０ ^３−Ｈ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ，５０．３２Ｍｚ）：δ＝３１．８（ｓ，ＣＨ _２−ＣＨ_２−Ｎ）；５５．５（ｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１２８．３Ｈｚ，Ｎ−ＣＨ _２−Ｐ）；６０．６（ｓ，ＣＨ_２−ＣＨ _２−Ｎ）；１２４．２（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝４．４８Ｈｚ，Ｃ_０ ^２）；１３３．７（ｓ，Ｃ_０ ^３）；１３７．５（ｓ，Ｃ_０ ^４）；１５２．１（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝８．７Ｈｚ，Ｃ_０ ^１）ｐｐｍ．

《実施例９５：Ｓａｌａｍｏｎｃｚｙｋ型リン含有デンドリマーの合成》
工程１：チラミンに由来するジフェノキシアミノホスフィンの合成

この分子を製造するために用いた実験手順は、Ｓａｌａｍｏｎｃｚｙｋが彼のデンドリマーを創製するために用いた手順（ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔ．２０００，４１，１６４３）に示唆されたものである。実施例３１で得たアザビスホスホネートチラミン誘導体を、アルゴン下にシュレンクチューブに秤量（２．３ｇ）して、１０ｍＬの蒸留ＴＨＦに溶解する。ジエチルアミノジクロロホスフィンを別のシュレンクチューブに導入（０．５ｍＬ）して、５ｍＬの蒸留ＴＨＦの溶液に入れる。二つのシュレンクチューブを−７０°Ｃにする。そのあと１．４ｍＬのトリエチルアミンをジクロロホスフィン溶液に添加し、次いでチラミンアザビスホスホネート溶液を、なお−７０°Ｃにした混合物にカニューレ挿入する。撹拌を低温で半時間継続し、次いで室温で４時間継続する。そのあと混合物をアルゴン下にセライトで濾過し、次いで溶媒を減圧下に除去する。乾燥した残渣をアルゴン下に低温に保ち、他の処理をせずにこの後の合成に使用した。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３０．４（ｓ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）；１４４．５（ｓ，Ｅｔ_２ＮＰ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝１．００（ｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．２Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ _３ＣＨ_２）；２．７０（ｍ，４Ｈ，Ｎ−ＣＨ _２ＣＨ_２）；３．００（ｍ，４Ｈ，ＣＨ_２ＣＨ _２Ｐ）；３，１１−３．２３（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ_２Ｐ，ＣＨ_３ＣＨ _２）；３．６９（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝６．９Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_３Ｏ）；６．９０（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ，Ｃ^２Ｈ）；６．９７（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ，Ｃ^３Ｈ）ｐｐｍ．

工程２：第０世代Ｓａｌａｍｏｎｃｚｙｋ型デンドリマーとのカップリング

工程１で得た２．９５ｇのジエチルアミノホスフィンを、アルゴン下に、１０ｍＬのジクロロメタンの溶液に入れる。それに、２１９ｍｇの（Ｓ）Ｐ（Ｏ−（ＣＨ_２）_３ＯＨ）_３（Ｇ．Ｍ．Ｓａｌａｍｏｎｃｚｙｋ，ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔ．２０００，４１，１６４３に記載のとおりに合成）／１０ｍＬジクロロメタン溶液を室温で添加する。この混合物を４００ｍｇデトラゾール／５ｍＬアセトニトリル溶液に添加する。こうして得た溶液をアルゴン下に室温で３時間撹拌し、次いでスパチュラの先１杯分の硫黄をそれに添加して、全部のホスフィンが硫黄含有になるまで撹拌を継続する（^３１ＰＮＭＲで制御）。それに約５日間かかる。混合物を濾過し、次いで溶媒を蒸発させる。そのあと乾燥した残渣を、混合溶離液ＣＨＣｌ_３／ＭｅＯＨ（９０／１０）を用いるシリカゲルクロマトグラフィーにかける。Ｒｆ＝０．４１。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３０．３（ｓ，ＰＯ_３Ｍｅ_２）；６２．３（ｓ，Ｐ１）；７１．７（ｓ，Ｐ０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）：δ＝２．０８（ｑ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．７Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ_２ＣＨ _２ＣＨ_２）；２．７５（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ _２Ｃ_６Ｈ_４）；３．０４（ｍ，１２Ｈ，ＮＣＨ _２）；３．１９（ｄ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．２Ｈｚ，２４Ｈ，ＣＨ_２Ｐ）；３．７３（ｄ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．５Ｈｚ，７２Ｈ，ＣＨ_３Ｏ）；４．１８（ｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝５．７Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＰ＝８．７Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ_２ＯＰ（Ｓ））；４．３３（ｄｔ，^３Ｊ_ＨＨ＝６．２Ｈｚ，^３Ｊ_ＨＰ＝９．２Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨ_２ＯＰ（Ｓ）），７．０５（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８Ｈｚ，１２Ｈ，Ｃ^２Ｈ）；７．１８（ｄ，^３Ｊ_ＨＨ＝７．８Ｈｚ，１２Ｈ，Ｃ^３Ｈ）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）：δ＝３０．６（ｄｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝^３Ｊ_ＣＰ＝７．６Ｈｚ，ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２）；３３．０（ｓ，ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_４）；４９．４（ｄｄ，^１Ｊ_ＣＰ＝１５９．０Ｈｚ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．７Ｈｚ，ＮＣＨ_２Ｐ）；５２．８（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．４Ｈｚ，ＯＣＨ_３）；５８．２（ｔ，^３Ｊ_ＣＰ＝７．６Ｈｚ，ＣＨ_２ＣＨ_２Ｎ）；６４．４（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝３．７Ｈｚ，Ｐ（Ｓ）ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２）；６５．５（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝５．２Ｈｚ，ＣＨ_２ＯＰ（Ｓ）ＯＣ_６Ｈ_４）；１２０．８（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝５．０Ｈｚ，Ｃ^２）；１３０．０（ｓ，Ｃ^３）；１３６．６（ｓ，Ｃ^４）；１４８．９（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．２Ｈｚ，Ｃ^１）ｐｐｍ．

工程３：チラミンに由来するアザビスホスホン酸ナトリウム塩末端を有する第０世代Ｓａｌａｍｏｎｃｚｙｋ型デンドリマーの合成

３５０ｍｇのアザビスホスホネート末端を有するデンドリマーを５ｍＬの乾燥アセトニトリルの溶液に入れ、次いでそれに、０°Ｃで注射器を用いて、０．４２０ｍＬのＢｒＴＭＳ（すなわちＰ−Ｏｍｅ結合につき１．０５当量のＢｒＴＭＳ）を滴下する。０°Ｃで３０分後に氷浴を取り外して、撹拌を室温で一晩継続する。混合物を真空下に置く。乾燥した残渣に５ｍＬのＭｅＯＨを添加して、混合物を１時間撹拌する。真空下に置いた後に乾燥した残渣を、５ｍＬの蒸留水を用いて室温で１時間加水分解する。凍結乾燥後に粉末を１０ｍＬのエーテルで２回洗浄する。生成物を収率８３％で得る。６．４ｍＬの０．１９６６ＭＮａＯＨ溶液を添加して、モノナトリウム塩を形成して生成物を水溶性にする。凍結乾燥後に生成物を定量的に得、追加の精製を必要としない。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ）：δ＝１０．５（ｓ，ＰＯ_３ＨＮａ）；６２．８（ｓ，Ｐ１）；７０．８（ｓ，Ｐ０）ｐｐｍ．
ＮＭＲ^１３Ｃ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＮ）：δ＝３１．９（ｓ，ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_４）；３３．０（ｄｌ，^３Ｊ_ＣＰ＝９．０Ｈｚ，ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２）；５４．９（ｄｌ，^１Ｊ_ＣＰ＝１３０．９Ｈｚ，ＮＣＨ_２Ｐ）；６０．６（ｂｓ，ＣＨ_２ＣＨ_２Ｎ）；６７．６（ｂｓ，Ｐ（Ｓ）ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２）；６９．０（ｂｓ，ＣＨ_２ＯＰ（Ｓ）ＯＣ_６Ｈ_４）；１２４．３（ｄ，^３Ｊ_ＣＰ＝３．４Ｈｚ，Ｃ^２）；１３３．６（ｓ，Ｃ^３）；１３７．２（ｓ，Ｃ^４）；１５２．２（ｄ，^２Ｊ_ＣＰ＝７．４Ｈｚ，Ｃ^１）ｐｐｍ．

《実施例９６：ビス−ホスホネート表面を有するカルボシラン型デンドリマーの合成》
工程１：アリルアミノビスホスホネートの合成

ホルムアルデヒド水溶液（３．２７ｍＬ，２．２当量，４４ｍｍｏｌ）を、アリルアミン（１．５ｍＬ，２０ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（６ｍＬ）溶液にゆっくり添加する。１５分間撹拌後、亜リン酸ジメチル（４．０３ｍＬ，２．２当量，４４ｍｍｏｌ）を添加して、溶液を室温で２０時間激しく撹拌する。１．６ｍＬのホルムアルデヒドを添加して、１５時間撹拌後に溶液を１５ｍＬの水で希釈し、次いで１００ｍＬのＣＨ_２Ｃｌ_２で抽出する。有機相をＭｇＳＯ_４で乾燥し、濾過し、次いで減圧下に濃縮する。得られた油状物を２回の３０ｍＬエーテルで洗浄し、次いで乾燥する。収率は７６％である。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３，８１．０１ＭＨｚ）：δ＝３０．５（ｓ，Ｐ＝Ｏ）．
ＮＭＲ^１Ｈ（ＣＤＣｌ_３）；２００．１３ＭＨｚ）：δ＝３．０１（ｄ，４Ｈ，^２Ｊ_ＨＰ＝９．１Ｈｚ，ＰＣＨ_２）；３．２６（ｍ，２Ｈ，ＣＨ _２−ＣＨ）；３．６３（ｄ，１２Ｈ，^３Ｊ_ＨＰ＝１０．６，ＰＯＭｅ）；５．１０（ｍ，２Ｈ，ＣＨ_２＝）；５．６７（ｍ，１Ｈ，ＣＨ＝）．

工程２：アザビスホスホネート末端基を有するカルボシランデンドリマーの合成

周縁部に８個のＳｉ−Ｃｌ結合を有する第１世代デンドリマーを文献［Ｌ．−Ｌ．Ｚｈｏｕ，Ｊ．ＲｏｏｖｅｒｓＭａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ１９９３，２６，９６３］に記載の手順に従って製造した。Ｓｉ−Ｈ結合への変換は、ＬｉＡｌＨ_４／エーテルを用いて、［Ｄ．Ｓｅｙｆｅｒｔｈ，Ｄ．Ｙ．ＳｏｎＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ１９９４，１３，２６８２］に記載の手順に従って達成する。５００ｍｇ（１．５５ｍｍｏｌ）の周縁部に８個のＳｉ−Ｈ結合を有するデンドリマーを、工程１で得た８．４当量のＮ−アリル−アザ−ビス−ホスホネート（すなわち１３．６４ｍｍｏｌ）及び２滴の白金触媒（Ｈ_２ＰｔＣｌ_６，ｎＨ_２Ｏ）／イソプロパノール溶液と混合する。混合物を、７０°Ｃで１２時間次いで室温で一晩撹拌する。溶媒を除去して、乾燥した残渣をヘキサンで洗浄する。次いで生成物をカラムクロマトグラフィーによって精製して、収率６５％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．１ｐｐｍ．

工程３：アザ−ビス−ホスホン酸（Ｎａ塩）末端基を有するカルボシランデンドリマー

４００ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）の周縁部に８個のアザ−ビス−ホスホネート基を有するカルボシランデンドリマーを、４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルに溶解して、０°Ｃにする。次いで８．４当量のＢｒＴＭＳ（すなわち１．２８ｍｍｏｌ）を注射器を用いて滴下する。０°Ｃで３０分及び室温で一晩後に混合物を真空下に置いて、乾燥した残渣をメタノリシスし、次いで加水分解する。凍結乾燥後に固体をエーテルで洗浄する。ＰＯ_３Ｈ_２表面官能基につき１当量のＮａＯＨ（０．１９５５Ｎ水溶液）を添加して、相当するナトリウム塩を収率６８％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ／ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１０．９ｐｐｍ．

《実施例９７：グリシンに由来するアミノビスホスホン酸表面を有するポリ−Ｌ−リシンデンドリマー》
工程１：［ビス−（ジメトキシ−ホスホリルメチル）］アミノ酸の脱保護及びグラフト化：

１００ｍｇの第１世代ＢＨＡ−リシン−１００％ＢＯＣ（Ａｌｄｒｉｃｈ）デンドリマーを、３０％トリフルオロ酢酸を含有する２０ｍＬのジクロロメタンの溶液に２５°Ｃで３時間入れておく。揮発物質の蒸発後、粗製生成物を減圧下に一晩乾燥し、次いで８当量のトリエチルアミンを含む０°Ｃの１ｍＬ乾燥ＤＭＦの溶液に入れる。８．８当量の実施例５１（ｎ＝１）で得たアザ−ビス−ホスホネートカルボン酸を、アルゴン下に別のフラスコ中に導入して、０°Ｃで、５ｍＬの乾燥ＤＭＦに溶解する。そのあと８．８当量の１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔ）をアルゴン下に添加し、撹拌を０°Ｃで１５分間継続し、次いで８．８当量の１．３−ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）を添加する。混合物を０°Ｃで３０分間次いで室温で１時間撹拌する。沈殿物の形成が観察される。脱保護した第１世代ポリ−Ｌ−リシンデンドリマー／１ｍＬ乾燥ＤＭＦ溶液を次いで、０°Ｃで添加し、撹拌を０°Ｃで１５分間次いで室温で一晩継続する。沈殿物を５μミリポアシリンジフィルターで濾過により除去し、次いで溶液を凍結乾燥する。生成物を最小容量のＣＨ_２Ｃｌ_２に溶解し、大容量のジエチルエーテルで沈殿させて精製する。この沈殿法を３回繰り返して、微量のＨＯＢｔを除去する。生成物を収率６５％で灰色がかった白色粉末の形態で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（ＣＤＣｌ_３）δ＝３０．２ｐｐｍ．

工程２：ホスホン酸末端

４ｍＬの新しく蒸留したアセトニトリルを、不活性雰囲気下に、０．２ｍｍｏｌの前工程のアザビス−ホスホネート末端を有する第１世代ポリ−Ｌ−リシン型デンドリマーに添加して、混合物を０°Ｃまで冷却する。次いで１２．８ｍｍｏｌのＢｒＴＭＳ（すなわち６４当量）を滴下する。混合物を０°Ｃで３０分間維持し、次いで撹拌下に室温で更に１５時間維持する。アセトニトリルを減圧下に除去し、次いで混合物を前の諸例におけるように加メタノール分解及び加水分解する。乾燥した残渣を次いで、ＴＨＦ／ジエチルエーテル混合物（１／９）で２回洗浄する。次いで粉末を真空下に乾燥して、純粋な生成物を収率６８％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１０．６ｐｐｍ．

工程３：Ｎａ塩

前工程で得た分子に存在する−ＰＯ_３Ｈ_２基につき１当量のソーダ水溶液（０．１９５５Ｎ）を添加することによってナトリウム塩を得る。凍結乾燥後にデンドリマーを白色粉末の形態で収率８６％で得る。
ＮＭＲ^３１Ｐ−｛^１Ｈ｝（Ｄ_２Ｏ，ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）δ＝１８．５ｐｐｍ．

《実施例９８：アザビスホスホノ表面を持つデンドリマーの細胞培養用への利用》
アザビスホスホノ表面を持つＧＣ１デンドリマー化合物のナトリウム塩（実施例３６）は主に末梢血単核細胞の培養に用いられてきた：

塩溶液、例えばＰＢＳ緩衝液でのこの化合物の溶解度は１ｍｇ／ｍｌの濃度以下である。ＧＣ１の原液は、発熱物質を含まない滅菌ＰＢＳ（カンブレックスバイオサイエンス、ベルビエ、ベルギー）を用いて、例えば２ｍＭ（約１ｍｇ／ｍｌ）の濃度、あるいはその１００倍の濃度（１００Ｘ）で調整し、穴の大きさが０．２μｍの微小膜（マイクロメンブレン）を通すか、あるいは照射により滅菌する；これら溶液は４°Ｃにて保存する。

デンドリマー、例えばＧＣ１、を用いた細胞培養方法
健常成人のドナー（提供者）由来の、密度勾配法（フィコール‐ハイペック、アマシャムファルマシアバイオテック、ウプサラ、スウェーデン）による遠心分離で得られた末梢血単核細胞（ＰＢＭＣ）は、滅菌した培養用のフラスコを用いてＲＰＭＩ１６４０型、２５ｍＭヘペス／ウルトラグルタミン１培地（カンブレックスバイオサイエンス、ベルビエ、ベルギー）に１ｍｌあたり１．５百万個の細胞濃度で播いて培養するが、この培地には次のような成分を補っている：
ｉ）１ｍＭピルビン酸ナトリウム（インビトロジェン社、ペーズリー、英国）
ｉｉ）１００μｇ／ｍｌストレプトマイシン及び１００Ｕ／ｍｌペニシリン（カンブレックスバイオサイエンス、ベルビエ、ベルギー）；
ｉｉｉ）５６°Ｃ、３０分間の加熱により補体を不活化した体積比１０％牛胎児血清（ＦＣＳ）（インビトロジェン社、ペーズリー、英国）；
ｉｖ）最終濃度２０μＭのＧＣ１デンドリマーになるよう、発熱物質不含滅菌ＰＢＳに溶解の２ｍＭ原液で調整；
ｖ）２００Ｕ／ｍｌのヒト組替えＩＬ２（サノフィ−シンセラボ、パリ、フランス）をこれまでに作製した培地に加える。
培養は、３７°Ｃ、一定の湿度と５％ＣＯ_２を含む大気存在下で、インキュベータを用い数日間行われる。培養期間中培地は定期的に、例えば体積にして１／３ずつあるいは半分ずつ、例えば最初のうちは３日毎、次には２日毎、そして細胞が指数的増殖期に入ったときには、毎日にでも、交換される。細胞数の増幅が進行するにつれて、細胞濃度を１ｍｌ当り０．７と１．５百万個の間に保つために、培養の体積は増やされる。更新される培地には、全培地当り１０％のＦＣＳ、２０μＭのＧＣ１デンドリマー及び２００Ｕ／ｍｌのヒト組換えＩＬ２が補われる。これらのｉｎｖｉｔｒｏ（試験管内）培養は１５から２５日間続けられる。

ＧＣ１デンドリマー作用下でのＰＢＭＣｓを出発材料として精製された単球の培養における活性化と維持（図１４）
ＰＢＭＣｓを出発材料として精製された単球（三価磁気陽性ＣＤ１４^＋細胞分利用カラム、ミルテニーバイオテク又はステムセルテクノロジー社のシステム）はＩＬ２非存在下である点を除き、前記条件下で培養する。
３から６日の間に、ＧＣ１（２０μＭ）が単球の培地に存在することで、形態の変化（例えば、単球の肥大化、図１４Ａ）、及び細胞表現型の変化が起きる（例えば、ＨＬＡ−Ａ，Ｂ及びＣ；ＣＤ１４；ＨＬＡ−ＤＲの各種マーカーの低減で、これらマーカーはフローサイトメトリーにより、ＢＤバイオサイエンスの抗−ＨＬＡＡ，Ｂ及びＣ−ＰＣ５：クローンＧ４６−２．６，あるいはベックマン・コールター社の抗−ＣＤ１４−ＰＥ：クローンＲＭＯ５２及び抗−ＨＬＡＤＲ−ＦＩＴＣ：クローンイム−３５７の各種抗体を用いて測定した）（図１４Ｂ）。
これらの形態的及び表現型の変化はＧＣ１存在下での培養における単球の活性化に連動する。
例えば、単球の貪食能亢進の誘導が観察されるが、それは例えば内部への細菌（ＭｙｃｏｂａｃｔｅｒｉｕｍｂｏｖｉｓＢＣＧ）の取込みを、緑色蛍光蛋白質（ＧＦＰ）をコードするプラスミドを導入し蛍光を発生させることで示す（単球１個あたり２００個の重複感染度（ＩｎｆｅｃｔｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｉｃｉｔｙ）に相当する細菌量による感染）。内部取込はフローサイトメトリーで定量する（ＧＦＰの検出）。また、単球の活性化はＧＣ１デンドリマー存在下の培養によってＮＦ−κＢ転写因子の核への移行の増加で示す。核抽出物は“核抽出”キット（アクティブモチーフ）を用いて調整し、抽出物中の蛋白質濃度は“マイクロＢＣＡ蛋白質アッセイ試薬”キット（ピアスバイオテクノロジー）で測定し、核抽出蛋白質中のＮＦ−κＢの定量は“トランスＡＭＮＦ−κＢｐ５０ケミ”キット（アクティブモチーフ）により発色測定装置（ＭｉｔｈｒａｓＬＢ９４０、ベルソルドバイオテクノロジー）を用いて行う（図１４Ｃ）。
このＧＣ１デンドリマー存在下の培養における単球の活性化は、最終的には培養における単球の維持に寄与する：ＧＣ１デンドリマー存在下の培養における単球数は常にＧＣ１デンドリマー非存在下の培養におけるそれを上回る。このＧＣ１デンドリマー作用下の培養における単球の維持は、培養における単球のアポトーシスのパーセンテージ（百分率）が減少することと関連している（アネクシンＶ−陽性細胞のパーセンテージをフローサイトメトリーにより測定、“アネクシンＶ−ＦＩＴＣ検出キットＩ”ＢＤバイオサイエンス）（図１４Ｄ）。ＧＣ１デンドリマーはｉｎｖｉｔｒｏで培養しているヒト単球に対して抗アポトーシス効果を有する。

ＧＣ１デンドリマー存在下の培養で増幅された細胞の表現型（図１Ａ−１Ｇ）
培養期間（ｔ０）後に続く２週間のＧＣ１デンドリマー存在下の培養において、細胞の表現型は免疫学的に標識したのちフローサイトメトリーで調べた（ＸＬエピックスサイトメーター、ベックマン・コールター・イムノテック、マルセイユ、フランス）。ＧＣ１デンドリマー存在下の培養では、テストされた全てのドナーで、培養開始時点では少数に過ぎなかったＮＫ細胞が大勢を占めるようになる。ＮＫ細胞の占める割合が出発時で２３％であったものが、ＧＣ１とともに２週間ｉｎｖｉｔｒｏ培養することでＮＫ細胞の占める割合が７６％になった例を挙げることができる。これらの細胞はそのＣＤ３⁻ＣＤ１６^＋ＣＤ５６^＋表現型（抗−ＣＤ３−ＦＩＴＣ／抗−ＣＤ５６−ＰＣ５：クローンＵＣＨＴ１／ＮＫＨ−１、抗−ＣＤ１６−ＰＥ：クローン３Ｇ８の各種抗体、ベックマン・コールター・イムノテック、マルセイユ、フランス）により同定される。これらの同定はヒトＮＫ細胞に対する各種特異マーカーである、ＮＣＲＮＫｐ３０、ＮＫｐ４４、ＮＫＲＮＫＧ２Ｄ及びＣＤ８５ｊの存在により確認される（抗−ＮＫｐ３０：クローンＺ２５、抗−ＮＫｐ４４−ＰＥ：クローンＺ２３１、抗−ＮＫＧ２Ｄ：クローンＯＮ７２、抗−ＣＤ８５ｊ（ＩＬＴ２）：クローンＨＰＦ１、の各種抗体、ベックマン・コールター・イムノテック、マルセイユ、フランス）。さらに、ＧＣ１により増幅されたこれらのＮＫ細胞は、意外にも抗−ＴＬＲ２−ＰＥ抗体（クローンＴＬ２．１、バイオレジェンド、サンディエゴ、カリフォルニア、ＵＳＡ）を使用し、フローサイトメトリーで検出されるトル−様レセプター２（ＴＬＲ２）を発現している。

ＧＣ１デンドリマー存在下で１５日間ｉｎｖｉｔｒｏ培養したＰＢＭＣのリンパ球組成物（図２Ａ−２Ｄ）
健常成人のドナーより得られたＰＢＭＣｓはＧＣ１デンドリマー存在下で１５日間培養後、生細胞の総数（Ｎ_ｔｏｔ）を数える。それぞれの培養の総細胞集団はフローサイトメトリーで同定される各種の亜集団より構成される：亜集団はＮＫ細胞、γδＴ及びＣＤ８^＋αβＴリンパ球（抗−ＴＣＲ−Ｖγ９−ＦＩＴＣ：クローンイム３６０、抗−ＣＤ８−ＰＥ：クローンＢ９．１１の各種抗体、ベックマン・コールター・イムノテック、マルセイユ、フランス）に限られるが、その割合はドナーによっていろいろと変化する。各亜型の細胞数は次のような計算により求められる：
［各亜集団の細胞数＝Ｎ_ｔｏｔｘその培養の亜集団の％］
ＧＣ１デンドリマー存在下で得られた細胞株の亜集団の細胞数は、同じ集団の培養開始時点での細胞数（Ｄ０）及びＧＣ１デンドリマー非存在下であること以外同じ条件で培養された細胞数と比較される。テストされた全てのドナー細胞について、ＧＣ１と一緒に培養したリンパ球では生ＮＫ細胞の増殖が優勢である。
これらの結果は、ＧＣ１デンドリマーがヒトリンパ球に対して一般的な免疫刺激剤としての性質を有していることを示す。

ＧＣ１デンドリマー存在下のｉｎｖｉｔｒｏ培養のＰＢＭＣｓを出発材料としたＮＫ細胞の増幅（図３）
健常人のドナーより得たＰＢＭＣｓを出発材料として前記の条件で培養して得られたＮＫ細胞について、実験の開始時及び３．５週間後実験の終了時に細胞数が数えられる。ＮＫ細胞数の増幅は、ＰＢＭＣｓを出発材料にＧＣ１デンドリマー非存在下であること以外は同じ条件で培養されたＮＫ細胞数の増幅と比較される（それぞれの点は異なるドナーを示す）。これらの結果は、ＧＣ１デンドリマーがヒトＮＫ細胞に対して免疫刺激剤としての性質を持っていることを示す。

ＧＣ１デンドリマー存在下ｉｎｖｉｔｒｏ培養の癌患者由来ＰＢＭＣｓを出発材料としたＮＫ細胞の増幅（図１１）
更に、類似の結果は、多発性骨髄腫を罹患した癌患者のＰＢＭＣｓを出発材料として前記の条件で２．５週間培養した場合にも得られた。１４人の健常人ドナーと１４人の癌患者ドナーについて、ＧＣ１デンドリマー存在下でのＮＫ細胞数の増幅が（黒丸）、ＰＢＭＣｓを出発材料にＧＣ１デンドリマー非存在下であること以外は同じ条件で培養されたＮＫ細胞数の増幅（白丸）と比較される（それぞれの点は異なるドナーを示す）。

ＰＢＭＣｓを出発材料としたＮＫ細胞のＧＣ１デンドリマーと種々のサイトカイン共存下におけるｉｎｖｉｔｒｏ培養によるＮＫ細胞の増幅（図１２Ａ、１２Ｂ）
前記の得られた結果は、ＧＣ１と各種のサイトカインを組合わせても確認された。すなわち、健常人ドナー由来のＰＢＭＣｓを出発材料として得られたＮＫ細胞はＧＣ１とともに、ＩＬ２（２００Ｕ／ｍｌ又は８ｎｇ／ｍｌ）、ＩＬ１５（１０ｎｇ／ｍｌ）、又はＩＬ２（２００Ｕ／ｍｌ又は８ｎｇ／ｍｌ）及びＩＬ１５（１０ｎｇ／ｍｌ）の共存下で培養された。
代表的な４人のドナーについて得られた結果によれば、ＩＬ１５のみ、同様にＩＬ２のみ、あるいはＩＬ１５とＩＬ２の複合でＮＫｓのＧＣ１存在下での増幅が可能である。

リンパ球、特にヒトＮＫ細胞、に対する各種デンドリマーの生物活性（図４Ａ−４Ｂ）
ヒトＮＫ細胞のｉｎｖｉｔｒｏ増幅を指標に、１から１００μＭの濃度範囲で行ったＧＣ１デンドリマーの活性濃度の滴定（タイトレーション）試験によれば至適濃度は２０μＭである（図４Ａ）。異なる連続したジェネレーション（ＧＣ０＜ＧＣ１＜ＧＣ２）ではあるが同一のアザビスホスホノ官能基を表面に持つデンドリマーは、ＧＣ１と同様のヒトＮＫ細胞のｉｎｖｉｔｒｏ増幅における免疫促進を特徴として示し（図４Ｂ）、このことはとりわけ２０μＭの濃度であてはまる（培養条件は前述した）。同一のテストでは、ティラミン（ｔｙｒａｍｉｎｅ）由来のフェノール・アザビスホスホノ単体は不活性である。
他のデンドリマーについては、とりわけ実施例５、１５、２６、４９、７１及び７６、に示すものについて、前記条件下でＧＣ１デンドリマー（実施例３６）及びデンドリマー非存在下の培地（図１３の０ポイント）と比較した。培養後２．５週に得られたＮＫ細胞のパーセンテージならびに総数はテストした個々のデンドリマーについて測定した（図１３）。

ＧＣ１デンドリマーにより得られたＮＫ細胞の機能性：
１．細胞間相互作用成立のための能力維持（トロゴサイトーシス、ｔｒｏｇｏｃｙｔｏｓｉｓ）（図５Ａ−５Ｃ）
正常のリンパ球様細胞は、有効な反応を発揮する前にその標的となる細胞の表面に活発に付着する（トロゴサイトーシス、ｔｒｏｇｏｃｙｔｏｓｉｓ、と呼ばれる現象）。ＧＣ１デンドリマーによりｉｎｖｉｔｒｏで増幅し、かつ細胞内染色剤ＣＭＴＭＲで標識した（モレキュラープローブ、ユージーン、オレゴン、米国）（５百万個の細胞を１μｌのＣＭＴＭＲを添加した１ｍｌのＲＰＭＩ１６４０補充培地で３０分間３７°Ｃでインキュベーションした後、１０ｍｌのＲＰＭＩ１６４０補充培地で５回洗浄した）ＮＫ細胞は、あらかじめ蛍光緑色膜標識ＰＫＨ６７（シグマアルドリッヒ、セントルイス、ミズーリ、米国）を取込ませてあった標的細胞（Ｂ細胞リンパ腫（図５Ａ）及び大腸癌（図５Ｂ））（５百万個の細胞を５分間室温にて、１／５００希釈のＰＫＨ６７を添加した２５０μｌのＣシグマアルドリッヒ希釈液とともにインキュベーションし、その後２５０μｌのＦＣＳを添加し、１分間室温にて放置後、１０ｍｌのＲＰＭＩ１６４０補充培地で３回洗浄した）、とインキュベーションした。多穴プレート（丸底の９６穴プレート）で３７°Ｃで湿度一定に保った５％ＣＯ_２大気のインキュベータを使用し、１時間３７°Ｃでインキュベーション後（それぞれの穴に播かれた１００μｌの１０％ＦＣＳを含むＲＰＭＩ１６４０補充培地中の６ｘ１０^５個の細胞；この多穴プレートは２分間８００ｒｐｍで遠心された）、この複合細胞は０．５ｍＭのＥＤＴＡを含むＰＢＳで洗浄分離し、ＰＫＨ６７標識のＮＫ細胞による獲得（トロゴサイトーシスあるいはシナップス移送）はフローサイトメトリーで測定した（ＦＡＣＳＣａｌｉｂｕｒａｎｄＣｅｌｌＱｕｅｓｔソフトウェアー、ＢＤバイオサイエンス、マウンテンビュー、カリフォルニア、米国）（０時点ならびに６０分間インキュベーションの終了時点での全てのＮＫ細胞の平均緑色蛍光強度の測定）。ＧＣ１デンドリマーにより得られたＮＫ細胞は、正常のＮＫ細胞と同じようなトロゴサイトーシスの機能性を、二つの異なるタイプの癌細胞（Ｂリンパ腫と上皮性癌）に対して示す。
シナプス移送の後、細胞は丁寧に再度浮遊させ、５分間３７°Ｃでインキュベーションするためにポリ−Ｌ−リジンで被覆したガラス板（シグマアルドリッヒ、セントルイス、ミズーリ、米国）に載せる。４％パラフォルムアルデヒドと２％を含むＰＢＳで固定した後に、細胞を洗浄し、９０％グリセロールと１−４−ジアゾビシクロ（２．２．２）オクタン（ＤＡＢＣＯ、シグマアルドリッヒ、セントルイス、ミズーリ、米国）を含むＰＢＳで覆い、カバーをした。ＬＳＭ４１０装置（ツァイス、イエナ、ドイツ）を用いた共焦点顕微鏡像（矢印、図５Ｃ）は、緑色の癌細胞（標的）が相互作用によりＧＣ１デンドリマーで得られたＮＫ細胞（細胞質が赤）によるトロゴサイトーシスを受けていることを示す。
これらの結果は、ＧＣ１デンドリマー存在下での培養が得られたＮＫ細胞の相互作用能力に影響しないことを示す。

ＧＣ１デンドリマーにより得られたＮＫ細胞の機能性：
２．ＮＫｐ３０及びＮＫＧ２Ｄ活性化受容体の機能性（再活性化融解）（図６Ａ−６Ｂ）
ＧＣ１デンドリマーにより得られたＮＫ細胞の表面に発現されている融解活性化受容体の要素機能を標準の再活性化融解テストで調べた。簡単に述べると、このテストには、この活性化受容体に対する抗体を使用してＮＫ細胞の殺活性の引き金を引くこと（図６Ａ）、そうすることで特定の細胞：Ｐ８１５ネズミ肥胖細胞腫（１ｍＭピルビン酸ナトリウム、１００μｇ／ｍｌストレプトマイシン、１００Ｕ／ｍｌペニシリン及び体積比で１０％のＦＣＳを補充したＲＰＭＩ１６４０型２５ｍＭヘペス／ウルトラグルタミン１培地で培養）に対する殺活性が実施されることが含まれるが、この腫瘍細胞はＮＫ細胞が活性化されていないと殺されない。Ｐ８１５標的細胞は^５１Ｃｒ（１０ｍＣｉ／ｍｌのクロム硫酸−^５１Ｃｒ、ＩＣＮバイオメディカル、コスタメサ、カリフォルニア、米国）を負荷される（２百万個の細胞は２０μｌのクロム硫酸と１時間、３７°Ｃでインキュベーションし、その後１ｍｌの培地で３回洗浄）。その後負荷された３０００個の細胞はヒトＮＫ細胞及び次に述べる抗体と一緒に４時間共存させた（３７°Ｃで湿度一定に保ち５％ＣＯ_２大気のインキュベータ中で）：抗体無し、非特異的抗体、４μｇ／ｍｌのコントロールアイソタイプ（マウスＩｇＧ１：クローン６７９．１Ｍｃ７、ベックマン・コールター・イムノテック、マルセイユ、フランス）、４μｇ／ｍｌ抗−ＮＫＧ２Ｄ（クローンＯＮ７２、ベックマン・コールター・イムノテック、マルセイユ、フランス）、４μｇ／ｍｌ抗−ＮＫｐ３０（クローンＡＺ２０、ベックマン・コールター・イムノテック、マルセイユ、フランス）。インキュベーションは多穴プレート（丸底９６穴）の２００μｌ容積中でおこなわれ、その後この多穴プレートは２分間８００ｒｐｍで遠心される。
エフェクター細胞と標的細胞の比（Ｅ：Ｔ）はそれぞれ１０対１（すなわち、３００００のエフェクターと３０００の標的）そして３対１（あるいは９０００のエフェクターと３０００の標的）である。
それぞれのテストでは標的細胞から放出される^５１Ｃｒは１００μｌの培地を用いて測定され、３回の同じ実験の平均値で求められた。それぞれの実験条件（用いた抗体）では、次のような放射能（ｃｐｍ）が測定された：
−ＭＲ：標的細胞のみにより取込まれた^５１Ｃｒの総放射能量；
−ＳＲ：標的細胞からのみ自然放出される^５１Ｃｒ；
−Ｘ：テストで測定された^５１Ｃｒの放出。
それぞれのテストでの特異的な放出のパーセンテージは次の式を用いて求められる：
［特異的融解（％）＝（Ｘ−ＳＲ）／（ＭＲ−ＳＲ）］
表示された結果（図６Ｂ）は、ＧＣ１により得られたＮＫ細胞株により発現されたＮＫＧ２Ｄ及びＮＫｐ３０の活性化受容体の機能性を示している。

ＧＣ１デンドリマーにより得られたＮＫ細胞の機能性：
３．融解活性制御の不変性（図７Ａ−７Ｃ）。
ＧＣ１デンドリマーにより得られたＮＫ細胞は通常その直接的な細胞毒性を潜在的な標的細胞と対峙しながら制御している：ＮＫ細胞は休止状態にある自己のリンパ球（同一のクラスＩＭＨＣ（主要組織適合抗原系）ハプロタイプの細胞）は融解しないが、標準のＫ５６２及びＤａｕｄｉ標的（それぞれが慢性骨髄性白血病細胞及びバーキットリンパ腫細胞で、いずれもクラスＩＭＨＣ分子を欠く）に対しては効果的な融解作用を示す。特定の標的細胞（バーキットＤａｕｄｉリンパ腫、ＬＭＣＫ５６２又はＮＫｓが由来する自己ＰＢＭＣｓ）に対する直接融解作用（他の抗体を加えない）はＥ：Ｔの比を３０：１及び０．２：１に設定し、前記の試験で測定する。表示する結果は、ＧＣ１デンドリマーは得られたＮＫ細胞の融解能力に影響を与えないことを示している。

ＧＣ１デンドリマーにより得られたＮＫ細胞の機能性：
４．抗腫瘍活性の広いスペクトル（図８）
ＧＣ１により得られたＮＫ細胞は、白血病と上皮性癌にまたがる広いスペクトルの標的癌細胞に対して細胞毒性を及ぼす。標的細胞の融解は、Ｅ：Ｔ比を１：１（白棒）及び１０：１（灰色棒）に設定した前記の方法により、^５１Ｃｒの放出を測定し、特異的融解反応のパーセンテージで表す。これらの結果は、ＧＣ１デンドリマーは得られたＮＫ細胞の広いスペクトルの癌細胞に対する融解活性に影響を与えないことを示す。

《実施例９９：アザビスホスホノ表面を持つデンドリマーのｉｎｖｉｖｏ毒性評価》
１ｍｇ／ｍｌのＧＣ１を発熱性物質不含のＰＢＳに浮遊させた後、得られた溶液は０．２２μｍの穴の大きさの膜でろ過滅菌した。
その溶液は動物あたり０（対照）、１０、１００又は１０００μｇずつ３日置きに１２０日間にわたり、１群５匹よりなる４群のＢＡＬＢ／ｃマウスに静脈経由で投与した。
毒性は観察されなかった。

《実施例１００：アザビスホスホノ表面を持つデンドリマーで増幅されたＮＫ細胞のがん治療への利用》
選択した動物モデルは、ヒト腫瘍細胞の異種移植を受けた免疫欠損マウスを用いたものである。
３ヶ月齢以上のオス及びメスの免疫欠損マウスは、厳密な無菌環境下、ろ過された無菌空気を流通させ、２２°Ｃで４０％湿度のもと、１２時間の昼と１２時間の夜のサイクルに設定したアイソレーターで飼育した。ケージ、飲料水用チューブ、それに水は１２０°Ｃ、３０分間オートクレーブで滅菌し、餌と床はγ照射を行った。全ての操作はラミナーフロー（層流）のフードの下で無菌的に行った。
マウスは２ｍｇ／ｍｌのヒプノミデイトを０．３ないし０．４ｍｌ腹腔内注射することで一般的な麻酔を施した。２００μｌのＰＢＳに浮遊させた１ｘ１０^７のＫ５６２白血病腫瘍細胞をマウスの背中に皮下注射した。
腫瘍の長さが約１ｃｍに達したときに（注射後約２ないし３週間後）、ヒトＰＢＭＣｓを実施例４９に記載のＧＣ１化合物存在下で培養して得られたヒトＮＫ細胞を動物１匹当りそれぞれ０（対照）、１０^４、１０^６、又は１０^８個ずつ腫瘍に近い静脈経由で、各群５匹よりなる４群のマウスに投与した。この操作は最初の投与後３ないし５週後に繰り返した。
腫瘍の体積は定期的に測定した。
得られた最初の結果は、ＧＣ１化合物により得られたＮＫ細胞の投与が腫瘍の成長を阻止できることを示している。

《実施例１０１：アザビスホスホノ表面を持つデンドリマーのがん治療への利用》
選択した動物モデルは、ヒト腫瘍細胞の異種移植を受けた免疫欠損マウスを用いたものである。
３ヶ月齢以上のオス及びメスの免疫欠損マウスは、厳密な無菌環境下、ろ過された無菌空気を流通させ、２２°Ｃで４０％湿度のもと、１２時間の昼と１２時間の夜のサイクルに設定したアイソレーターで飼育した。ケージ、飲料水用チューブ、それに水は１２０°Ｃ、３０分間オートクレーブで滅菌し、餌と床はγ照射を行った。全ての操作はラミナーフロー（層流）のフードの下で無菌的に行った。
マウスは２ｍｇ／ｍｌのヒプノミデイトを０．３ないし０．４ｍｌ腹腔内注射して一般的な麻酔を施した。２００μｌのＰＢＳに浮遊させた１ｘ１０^７のＫ５６２白血病腫瘍細胞をマウスの背中に皮下注射した。移植後１０日目に腫瘍の長さは約１ｃｍに達した。
１ｍｇ／ｍｌのＧＣ１を発熱性物質不含のＰＢＳに浮遊させた後、得られた溶液は０．２２μｍの穴の大きさの膜でろ過滅菌した。
移植後１０日目にこの溶液を動物１匹あたり０（対照）、１０、１００又は１０００μｇずつ３日置きに１２０日間にわたり、１群５匹よりなる４群のマウスに静脈注射により投与した。
腫瘍の体積は定期的に測定した。
得られた最初の結果は、ＧＣ１化合物の投与が腫瘍の成長を阻止できることを示している。

《実施例１０２：アザビスホスホノ表面を持つ蛍光デンドリマーのリンパ球標識への利用》
実施例８９（ＧＣ１Ｆ）の蛍光デンドリマーを全てのリンパ球全を含むｉｎｖｉｔｒｏ培養に加え、この混合物を４時間、２４時間又は１５日間インキュベーションした。細胞はその後でフローサイトメトリーで分析した：リンパ球は形態に基づいて選択し（図１０Ａ）、蛍光デンドリマーによる蛍光を分析した（図１０Ｂ）。
ＩＬ２のみ、ＩＬ２＋ＧＣ１Ｆ、あるいはＩＬ２＋ＧＣ１（非蛍光）存在下で維持したリンパ球の蛍光を比較したところ（図１０Ｂ）、１５日間培養するとリンパ球はデンドリマーと結合した蛍光の獲得を示したが、４時間の共存化のインキュベーションではシグナルは検出されず、また２４時間の共存化のインキュベーションではごく僅かのシグナルのシフトが見られたに過ぎなかった。

Claims

細胞培養の成長を促進するか又は培養細胞を活性化するモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの使用。
細胞が造血細胞である請求項1に記載の使用。
生体試料からＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞で富化した細胞組成物の製造のためのモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの、請求項１又は２に記載の使用。
モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーが、第ｎ世代のものであり、結合価ｍを有する中心核§を含み、中心核が結合鎖と、好ましくは互いに同一の結合鎖と、ｍ−２個の結合を（但し、ｍが２を超えるものである）、又はｍ−１個の結合を（但し、ｍが１を超えるものである）、又はｍ個の結合を確立することができ、ｍが１〜２０の整数、特に１〜１０の整数、より特には１〜８の整数を表し、ｎが０〜１２の整数を表し、前記結合鎖が、
● 核の周囲に各結合上に樹状構造に結合する世代鎖であって、ｎが１を超えるか又は等しいとき、所定の世代の世代鎖が、
− 所定の世代の直ぐ下の世代の世代鎖、又は所定の世代が１のときは核に結合しており、及び
− 所定の世代の直ぐ上の世代の少なくとも２個の世代鎖、又は所定の世代がｎであるときは、場合により少なくとも１個の中間鎖に結合することがあり、
末端基が第ｎ世代の各世代鎖の末端に、若しくは、あてはまる場合には各中間鎖の末端に結合しているものである世代鎖、又は
● 核の周囲に各結合上に結合する中間鎖であって、ｎが０のときは、末端基が各中間鎖の末端に結合しているものである中間鎖、
によって構成され；
前記末端基が式：

（式中、
Ａ_１は、Ｎ；Ｐ＝Ｙ基（式中、ＹはＯ、Ｓ、又は任意の原子を表す）；Ｎ−Ｒ基又はＣ−Ｒ基を表し、ＲはＨ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は、場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’Ｒ’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’及びＲ’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_２は、単結合又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、酸素原子、リン原子又は窒素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、そして前記の各構成員は、場合により、Ｈ、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＮＲＲ’基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、ヒドロキシル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜２４個のアリール基又はヘテロアリール基（ヘテロ元素は好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は、場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_３はＨ、又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は、場合によりヘテロ原子から選択されることがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、各構成員は、場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の基によって置換されることができ、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立にＨ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは７〜１６個のアラルキル基、又は

を表し、
特にＡ_３は、

を表すことができ、各Ａ_２は同一か異なっており；
各ＯＸは、各ホスホノ基について同一か又は異なり、ＯＨ、アルキル基が１〜１６個の炭素原子を含むＯアルキル基、アリール基が６〜２４個の炭素原子を含むＯアリール基、アラルキル基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアラルキル基、アルキルアリール基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアルキルアリール基、ＯＳｉＲ’_１Ｒ’_２Ｒ’_３（式中、Ｒ’_１、Ｒ’_２及びＲ’_３は、同一か又は異なり、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表す）、又はＯ⁻Ｍ^＋（式中、Ｍ^＋は元素周期表のＩＡ、ＩＢ、ＩＩＡ、ＩＩＢ又はＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ族の元素のカチオンであり、好ましくはＭ^＋はナトリウム、カリウム、銅、カルシウム、バリウム、亜鉛、マグネシウム、リチウム、及びアルミニウム原子のカチオンから選択され、又は炭素原子１〜１００個の炭化水素基、又は炭素原子０〜１００個の含窒素基、例えばＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４ ^＋（式中、互いに独立にＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は、Ｈ又は、１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は、場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）である）を表す）
によって表され；
前記中心核§は、１〜５００個の原子を含む基を表し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子が好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子から選択される、
ものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の使用。
核§が：
● 核の周囲に各結合上に樹状構造に結合した世代鎖であって、中心核から最も遠くにある世代の各鎖の末端が末端基か中間鎖のいずれかに結合し、各中間鎖の末端が末端基に結合しているものである世代鎖によってか、又は
● 核の周囲に各結合上に結合した中間鎖であって、各中間鎖の末端が末端基に結合しているものである中間鎖によってか、
いずれかによって構成されるｍ個の同一の結合鎖とｍ個の結合を確立するものである、請求項４に記載の使用。
核が：
● 核の周囲に各結合上に樹状構造に結合した世代鎖であって、中心核から最も遠くにある世代の各鎖の末端が末端基か中間鎖のいずれかに結合し、各中間鎖の末端が末端基に結合しているものである世代鎖によってか、又は
● 核の周囲に各結合上に結合した中間鎖であって、各中間鎖の末端が末端基に結合しているものである中間鎖によってか、
いずれかによって構成されるそれぞれｍ−２個又はｍ−１個の同一の結合鎖と、ｍ−２個又はｍ−１個の結合を確立し、ｍが３〜２０の整数、特に３〜１０の整数、より特には３〜８の整数であり；
1個又は２個の残りの結合が：
− 前記定義の結合鎖の部分によってか、又は
− 水素原子によってか、又は
− １〜５００個の炭素原子を含む炭化水素基であって、前記炭化水素基が特に、Ｈ又は１〜２００個の構成員を有し、場合により１個以上の二重若しくは三重結合を含有することがある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖によって構成され、前記の各構成員が場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子が好ましくは窒素原子、酸素原子、リン原子、ケイ素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることがあり、各構成員が場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ、Ｒ’’及びＲ’’’が互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、前記炭化水素鎖の第１の構成員が好ましくは酸素原子又は窒素原子であるような炭化水素基によってか、
いずれかによって構成される同一か又は異なる結合鎖に結合し、場合により一緒に結合することがあり、特に共有結合により結合しているものである、請求項４に記載の使用。
世代鎖が、１〜１２個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することがある任意の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖から選択され、前記の各構成員が場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子が好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子又はケイ素原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることがあり、各構成員が場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＮＲＲ’基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、ヒドロキシル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、又は炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ及びＲ’が互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表すものである、請求項４〜６のいずれか一項に記載の使用。
中間鎖が、式：

（式中、
− Ｊは、酸素原子若しくは硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｋは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｌは、０〜１０個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は、場合によりヘテロ原子であることができ、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子から選択され、各構成員は場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当する基から選択されるものである、請求項４〜７のいずれか一項に記載の使用。
核が：
− 窒素原子又はケイ素原子；
− 式：

（式中、Ｇは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子又は＝ＮＲ基を表し、Ｒは、Ｈ又は炭素原子1〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、例えば式：

で表されるチオホスホリル基を表す）
で表される基；
− 式：

で表されるビスフェニルオキシ基、
− 式：

で表される１，２−ジアミノエタン基、
− 式：

で表される１，４−ジアミノブタン基、
− 式：

で表されるシクロトリホスファゼン基（Ｎ_３Ｐ_３又はＰ_３Ｎ_３とも示される）、
− 式：

で表されるシクロテトラホスファゼン基（Ｎ_４Ｐ_４又はＰ_４Ｎ_４とも示される）、
から選択されるものである、請求項４〜８のいずれか一項に記載の使用。
ＰＡＭＡＭ、ＤＡＢ又はＰＭＭＨ構造のデンドリマーの請求項１〜９のいずれか一項に記載の使用。
下記一般式（１ａ）：

（式中、ｎは０〜３の整数を表し、すなわち、
− ｎ＝０のとき、式（１ａ）は下記式（２ａ）：

に相当し、
− ｎ＝１のとき、式（１ａ）は下記式（３ａ）：

に相当し、
− ｎ＝２のとき、式（１ａ）は下記式（４ａ）：

に相当し、及び
− ｎ＝３のとき、式（１ａ）は下記式（５ａ）：

に相当し、並びに
前記諸式において：
● 中心核§は下記の基：

から選択され；
● ｍは３、６又は８を表し；
● 世代鎖は式：

（式中、
− Ａは、酸素原子、硫黄原子、リン原子又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｂは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｄは、水素原子、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｅは、水素原子、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子、又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｇは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、又は＝ＮＲ基を表し；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当し、
● 中間鎖は式：

（式中、
− Ｊは、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｋは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｌは、０〜１０個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することがある直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合によりヘテロ原子であることができ、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子から選択され、各構成員は場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当し；
● 末端基は式：

（式中、Ａ_１、Ａ_３及びＸは前記で定義されており、各Ｘは同一か又は異なる）
に相当する）
に相当する、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの請求項４〜５及び７〜９のいずれか一項に記載の使用。
一般式（１ａ）で表されるデンドリマーにおいてＡ_３は：

を表し、
そのとき前記一般式（１ａ）は下記一般式（１）：

に相当し、§、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｇ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ａ_１、Ａ_２、Ｘ、ｍ及びｎは請求項１１に定義のとおりである、
式（１ａ）で表されるデンドリマーの、請求項１１に記載の使用。
ＰＭＭＨ構造の一般式（１）で表されるデンドリマーにおいて、
§は：

を表し；
ｍは６を表し；
ｎは０、１、又は２を表し；
Ａは酸素原子を表し；
Ｂはベンゼン基を表し；
Ｄは水素原子を表し；
Ｅはメチル基を表し；
Ｇは硫黄原子を表し；
Ｊは酸素原子を表し；
Ｋはベンゼン基を表し；
Ｌは２個の炭素原子を有する非置換の直鎖状飽和炭化水素鎖を表し；
Ａ_１は窒素原子を表し；
Ａ_２はＣＨ_２基を表し；
Ｘはメチル基、又は水素原子若しくはナトリウム原子を表し；
前記デンドリマーはＧＣｎで示され、ｎは前記定義のものである、
ＰＭＭＨ構造の式（１）で表されるデンドリマーの、請求項１２に記載の使用。
下記諸式：

で表される化合物、
又は下記諸式ＧＣ１：

で表される化合物の、請求項４、５及び７〜１３のいずれか一項に記載の使用。
下記一般式（７）：

（式中、ｎは０〜３の整数を表し、ｍは３、６又は８を表し、ｐはｍ−１又はｍ−２を表し、及びｊは、ｐがｍ−１を表すときは０、ｐがｍ−２を表すときは１を表し、すなわち：
− ｐ＝ｍ−１のとき、式（７）は下記式（８）：

に相当し、
− ｐ＝ｍ−２のとき、式（７）は下記式（９）：

に相当し、及び
前記諸式において：
● 中心核§は下記の基：

から選択され；
● 世代鎖は式：

（式中、
− Ａは、酸素原子、硫黄原子、リン原子又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｂは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｄは、水素原子、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｅは、水素原子、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子、又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｇは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、又は＝ＮＲ基を表し；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当し、
● 中間鎖は式：

（式中、
− Ｊは、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｋは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素は好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｌは、０〜１０個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することがある直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合によりヘテロ原子であることがあり、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子から選択され、各構成員は場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当し；
● 末端基は式：

（式中、Ａ１、Ａ２及びＸは前に定義されており、各Ｘは同一か又は異なる）
に相当し、
Ｚ_１及びＺ_２は同一か又は異なっており、場合により一緒に結合することがあり、特に共有結合により結合し、及び、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することがある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子は好ましくは窒素原子、酸素原子、リン原子、ケイ素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることがあり、各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、前記炭化水素鎖の第１の構成員が好ましくは酸素原子又は窒素原子である）
に相当する、ビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの、請求項４及び６〜９のいずれか一項に記載の使用。
ＰＭＭＨ構造の一般式（８）で表されるデンドリマーにおいて、
§は：

を表し；
ｍは６を表し；
ｐは５を表し；
ｎは０、１、又は２を表し；
Ａは酸素原子を表し；
Ｂはベンゼン基を表し；
Ｄは水素原子を表し；
Ｅはメチル基を表し；
Ｇは硫黄原子を表し；
Ｊは酸素原子を表し；
Ｋはベンゼン基を表し；
Ｌは２個の炭素原子を有する非置換の直鎖状飽和炭化水素鎖を表し；
Ａ_１は窒素原子を表し；
Ａ_２はＣＨ_２基を表し；
Ｘはメチル基、又は水素原子若しくはナトリウム原子を表し；
Ｚ_１はフェニルオキシ基を表し；
前記デンドリマーはＧＣｎ’で示され、ｎは前記定義のものである、
ＰＭＭＨ構造の式（８）で表されるデンドリマーの、請求項１５に記載の使用。
下記諸式の化合物：

（式中、ＷはＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、ＰＯ_３Ｈ_２を表し、前記化合物は特に下記式（１０）で表されるＧＣ１’化合物：

に相当する）；
又は下記式の化合物：

（式中、ＷはＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、Ｒは：

から選択される蛍光性の基を表す）
の使用であり、前記化合物が特に下記諸式の化合物：

に相当するものである、請求項４、６〜９又は１５〜１６のいずれか一項に記載の使用。
ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞が、ＮＫ細胞、ＣＤ８^＋αβＴリンパ球又はγδＴリンパ球に由来し、特にＮＫ細胞に由来する、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の使用。
培養中の単球系細胞がモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーによって活性化され、単球系細胞の活性化が特に：
− 非活性化細胞に比べて活性化細胞のサイズの増加、及び／又は
− 非活性化細胞に比べてＭＨＣクラスＩ及びクラスＩＩ分子、又はＣＤ１４分子の発現の減少、及び／又は
− ＮＦκＢ因子の核移行の増加
に相当するものである、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の使用。
培養の単球系細胞が、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーの不在下に培養した単球系細胞に比べてアポトーシスの減少を示す、請求項１９に記載の使用。
少なくとも１種のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマー化合物を含むことを特徴とする細胞培地。
更に少なくとも１種の成長因子及び／又はＮＫ細胞活性化因子を含むことを特徴とする請求項２１に記載の培地。
ＩＬ−２、ＩＬ−７、ＩＬ−１２、ＩＬ−１５、ＩＬ−１８、又はＩＬ−２１を含む群から選択される少なくとも１種のインターロイキンを含むことを特徴とする請求項２１又は２２に記載の培地。
ＩＬ−２と組み合わせて少なくとも１種のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマー化合物を含むことを特徴とする請求項２１〜２３にいずれか一項に記載の培地。
デンドリマー化合物が請求項４〜１７のいずれか一項に定義のデンドリマーに相当することを特徴とする請求項２１〜２４に記載の培地。
デンドリマー化合物が請求項１４に定義のデンドリマー、又はＧＣ０若しくはＧＣ２、特にＧＣ１に相当することを特徴とする請求項２１〜２４のいずれか一項に記載の培地。
約１０〜約５０μＭ、特に２０μＭの濃度のＧＣ１化合物を、約４〜４０ｎｇ／ｍｌの濃度に相当する約１００〜約１０００単位／ｍｌの濃度、特に約１６ｎｇ／ｍｌの濃度に相当する約４００単位／ｍｌの濃度のＩＬ−２と組み合わせて含むこと、及びＩＬ−２がヒト組み換えＩＬ−２に相当することを特徴とする、請求項２１〜２６のいずれか一項に記載の培地。
ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞、特にＮＫ細胞で富化した細胞組成物の製造方法であって、生体試料をモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーと一緒にする工程を含むことを特徴とする方法。
リンパ系細胞及び／又は単球系細胞を含むことを特徴とする請求項２８に記載の方法。
生体試料が、ヒト血液、特にヒト末梢血試料の単核細胞画分によって構成されることを特徴とする請求項２８又は２９に記載の方法。
モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーが請求項４〜１７のいずれか一項に定義のデンドリマーに相当することを特徴とする請求項２８〜３０のいずれか一項に記載の方法。
モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーが、請求項１４に定義のデンドリマー、又はＧＣ０若しくはＧＣ２、特にＧＣ１に相当することを特徴とする請求項２８〜３１に記載の方法。
請求項２８〜３２のいずれか一項に記載の方法によって得られる、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞、特にＮＫ細胞で富化した細胞組成物。
更にモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマー、特にＧＣ１を含むことを特徴とする請求項３３に記載の細胞組成物。
活性化単球、又は活性化単球を含む細胞組成物の製造方法であって、単球を含む生体試料をモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーと一緒にする工程を含むことを特徴とする方法。
生体試料が、ヒト血液、特にヒト末梢血試料の単核細胞画分によって構成されることを特徴とする請求項３５に記載の方法。
モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーが、請求項３〜１６のいずれか一項に定義のデンドリマーに相当することを特徴とする請求項３５又は３６に記載の方法。
モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーが、請求項１４に定義のデンドリマー又はＧＣ０若しくはＧＣ２、特にＧＣ１に相当することを特徴とする請求項３５〜３７のいずれか一項に記載の方法。
請求項３５〜３８のいずれか一項に記載の方法によって得られる、活性化単球、又は活性化単球を含む細胞組成物。
薬学的に許容可能な賦形剤と組み合わせて、活性成分として、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞、特にＮＫ細胞、及び少なくとも１種のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーを含むことを特徴とする医薬組成物。
モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーが、請求項４〜１７のいずれか一項に定義のデンドリマーに相当することを特徴とする請求項４０に記載の医薬組成物。
モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーが、請求項１４に定義のデンドリマー又はＧＣ０若しくはＧＣ２、特にＧＣ１に相当することを特徴とする請求項４０又は４１に記載の医薬組成物。
薬学的に許容可能な賦形剤と組み合わせて、活性成分として、請求項３３に定義の細胞組成物及び／又は請求項３９に定義の活性化単球、若しくは活性化単球を含む細胞組成物を含有することを特徴とする医薬組成物。
ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞、特にＮＫ細胞を約１０^５〜約５x１０^９の単回用量で個体に投与するのに適していることを特徴とする請求項４０〜４３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
骨髄性白血病若しくは未分化リンパ腫などの造血組織腫瘍及びメラノーマを含む癌を治療及び／又は予防することを意図した薬剤の製造のための、ＮＫＧ２Ｄ受容体を発現するリンパ系細胞、特にＮＫ細胞、及びＧＣ１の使用。
骨髄性白血病若しくは未分化リンパ腫などの造血組織腫瘍及びメラノーマを含む癌を治療及び／又は予防することを意図した薬剤の製造のための、請求項３３に定義の細胞組成物及び／又は請求項３９に定義の活性化単球、若しくは活性化単球を含む細胞組成物の使用。
薬学的に許容可能な賦形剤と組み合わせて、活性成分として少なくとも１種のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーを含む医薬組成物。
モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーが、請求項４〜１４のいずれか一項に定義のデンドリマーに相当することを特徴とする請求項４７に記載の医薬組成物。
モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーが、請求項１４に定義のデンドリマー、又はＧＣ０若しくはＧＣ２、特にＧＣ１に相当することを特徴とする請求項４７又は４８に記載の医薬組成物。
第ｎ世代のモノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマーであって、ｎは０〜１２の整数を表し、結合価ｍを有する中心核§を含み、ｍが３〜２０の整数、特に３〜１０の整数、より特には３〜８の整数を表し、核は、それぞれｍ−２又はｍ−１個の同一の結合鎖と、ｍ−２又はｍ−１個の結合を確立し、結合鎖は：
● 核の周囲に各結合上に樹状構造に結合する世代鎖であって、ｎが１を超えるか又は等しいとき、所定の世代の世代鎖が、
− 所定の世代の直ぐ下の世代の世代鎖、又は所定の世代が１のときは核に結合しており、及び
− 所定の世代の直ぐ上の世代の少なくとも２個の世代鎖、又は所定の世代がｎであるときは、場合により少なくとも１個の中間鎖に結合することがあり、
末端基が各世代鎖の外側に、若しくはあてはまる場合には、各中間鎖の末端に結合しているものである世代鎖、又は
● 核の周囲に各結合上に結合する中間鎖であって、ｎが０のときは、末端基が各中間鎖の末端に結合しているものである中間鎖、
によって構成され；
前記末端基は、式：

（式中、
Ａ_１は、Ｎ；Ｐ＝Ｙ基（式中、ＹはＯ、Ｓ、又は任意の原子を表す）；Ｎ−Ｒ基又はＣ−Ｒ基を表し、ＲはＨ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’Ｒ’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’及びＲ’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_２は、単結合又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、酸素原子、リン原子又は窒素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、そして前記の各構成員は場合により、Ｈ、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＮＲＲ’基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、ヒドロキシル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜２４個のアリール基若しくはヘテロアリール基（ヘテロ元素は好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し；
Ａ_３はＨ、又は１〜６個の構成員を有する直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合によりヘテロ原子から選択されることがあり、前記へテロ原子は好ましくは硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子、より好ましくは窒素原子から選択され、各構成員は場合によりヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立にＨ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは７〜１６個のアラルキル基、又は

を表し、
特にＡ_３は、

を表すことができ、各Ａ_２は同一か異なっており；
各ＯＸは、各ホスホノ基について同一か又は異なり、ＯＨ、アルキル基が１〜１６個の炭素原子を含むＯアルキル基、アリール基が６〜２４個の炭素原子を含むＯアリール基、アラルキル基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアラルキル基、アルキルアリール基が７〜２４個の炭素原子を含むＯアルキルアリール基、ＯＳｉＲ’_１Ｒ’_２Ｒ’_３（式中、Ｒ’_１、Ｒ’_２及びＲ’_３は、同一か又は異なり、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表す）、又はＯ⁻Ｍ^＋（式中、Ｍ^＋は元素周期表のＩＡ、ＩＢ、ＩＩＡ、ＩＩＢ又はＩＩＩＡ、ＩＩＩＢ族の元素のカチオンであり、Ｍ^＋は好ましくはナトリウム、カリウム、銅、カルシウム、バリウム、亜鉛、マグネシウム、リチウム、及びアルミニウム原子のカチオンから選択され、又は炭素原子１〜１００個の炭化水素基、又は炭素原子０〜１００個の含窒素基、例えばＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４ ^＋（式中、互いに独立にＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は、Ｈ又は、１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがある直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子及び／又は１個以上の二重若しくは三重結合から選択され、前記の各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）である）を表す）
によって表され；
1個又は２個の残りの結合は、
一方では前記定義の結合鎖によってか、
又は水素原子によってか、
又は１〜５００個の炭素原子を含む炭化水素基であって、
前記炭化水素基が特に、Ｈ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することがある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖によって構成され、前記の各構成員が場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子が好ましくは窒素原子、酸素原子、リン原子、ケイ素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることがあり、各構成員が場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ、Ｒ’’及びＲ’’’が互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、前記炭化水素鎖の第１の構成員が好ましくは酸素原子又は窒素原子であるような炭化水素基によってか、
いずれかによって構成される同一か又は異なる結合鎖に結合し、場合により一緒に結合することがあり、特に共有結合により結合しており；
前記中心核§は、１〜５００個の原子を含む基を表し、場合により１個以上のヘテロ原子を含有することがあり、前記へテロ原子が好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子又はケイ素原子から選択されるものであるデンドリマー。
世代鎖が、１〜１２個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある任意の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖から選択され、前記の各構成員が場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子が好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子又はケイ素原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることがあり、各構成員が場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＲＲ’基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、ヒドロキシル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換されることがあり、Ｒ及びＲ’が互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表すものである、請求項５０に記載のデンドリマー。
中間鎖が、式：

（式中、
− Ｊは、酸素原子若しくは硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｋは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素が好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｌは、０〜１０個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合によりヘテロ原子であることができ、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子から選択され、各構成員は場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当する基から選択される、請求項５０又は５１に記載のデンドリマー。
核が：
− 窒素原子又はケイ素原子；
− 式：

（式中、Ｇは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子又は＝ＮＲ基を表し、Ｒは、Ｈ又は炭素原子1〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、例えば式：

で表されるチオホスホリル基を表す）
で表される基；
− 式：

で表されるビスフェニルオキシ基、
− 式：

で表される１，２−ジアミノエタン基、
− 式：

で表される１，４−ジアミノブタン基、
− 式：

で表されるシクロトリホスファゼン基、
− 式：

で表されるシクロテトラホスファゼン基、
から選択されるものである、請求項５０〜５２のいずれか一項に記載のデンドリマー。
ＰＡＭＡＭ、ＤＡＢ又はＰＭＭＨ構造の、請求項５０〜５３のいずれか一項に記載のデンドリマー。
下記一般式（７）：

（式中、ｎは０〜３の整数を表し、ｍは３、６又は８を表し、ｐはｍ−１又はｍ−２を表し、及びｊは、ｐがｍ−１を表すときは０、ｐがｍ−２を表すときは１を表し、すなわち：
− ｐ＝ｍ−１のとき、式（７）は下記式（８）：

に相当し、
− ｐ＝ｍ−２のとき、式（７）は下記式（９）：

に相当し、及び
前記諸式において：
● 中心核§は下記の基：

から選択され；
● 世代鎖は式：

（式中、
− Ａは、酸素原子、硫黄原子、リン原子又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｂは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｄは、水素原子、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｅは、水素原子、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子、又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｇは、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子、又は＝ＮＲ基を表し；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当し、
● 中間鎖は式：

（式中、
− Ｊは、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ−基を表し；
− Ｋは、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基（ヘテロ元素は好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子１〜１６個のアルキル基を表し、それぞれは場合により、ハロゲン原子又は−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基によって置換することができ；
− Ｌは、０〜１０個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合によりヘテロ原子であり、前記へテロ原子は好ましくは酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ケイ素原子から選択され、各構成員は場合により、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、酸素原子、−ＮＯ_２、−ＮＲＲ’、−ＣＮ、−ＣＦ_３、−ＯＨ、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ；
Ｒ及びＲ’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基、若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表す）
に相当し；
● 末端基は式：

（式中、Ａ１、Ａ２及びＸは前に定義されており、各Ｘは同一か又は異なる）
に相当し、
Ｚ_１及びＺ_２は同一か又は異なっており、場合により一緒に結合することがあり、特に共有結合により結合し、及びＨ又は１〜１６個の構成員を有し、場合により１個以上の二重又は三重結合を含有することのある直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素鎖を表し、前記の各構成員は場合により、ヘテロ原子（前記へテロ原子は好ましくは窒素原子、酸素原子、リン原子、ケイ素原子又は硫黄原子から選択される）、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子１〜２４個のヘテロアリール基、カルボキシル基、＞Ｃ＝ＮＲ基から選択されることがあり、各構成員は場合により、ヒドロキシル基、−ＮＲ’’Ｒ’’’基、炭素原子１〜１６個のアルコキシ基、炭素原子１〜１６個のアルキル基、ハロゲン原子、−ＮＯ_２基、−ＣＮ基、−ＣＦ_３基、炭素原子６〜２４個のアリール基、炭素原子７〜１６個のアラルキル基から選択される少なくとも１個の置換基によって置換することができ、Ｒ’’及びＲ’’’は互いに独立に、Ｈ又は炭素原子１〜１６個のアルキル基、炭素原子６〜２４個のアリール基若しくは炭素原子７〜１６個のアラルキル基を表し、前記炭化水素鎖の第１の構成員が好ましくは酸素原子又は窒素原子である）
に相当するビスホスホノ末端基を有する、請求項５０〜５３のいずれか一項に記載のデンドリマー。
ＰＭＭＨ構造の一般式（８）に相当するデンドリマーにおいて、
§は：

を表し；
ｍは６を表し；
ｐは５を表し；
ｎは０、１、又は２を表し；
Ａは酸素原子を表し；
Ｂはベンゼン基を表し；
Ｄは水素原子を表し；
Ｅはメチル基を表し；
Ｇは硫黄原子を表し；
Ｊは酸素原子を表し；
Ｋはベンゼン基を表し；
Ｌは２個の炭素原子を有する非置換の直鎖状飽和炭化水素鎖を表し；
Ａ_１は窒素原子を表し；
Ａ_２はＣＨ_２基を表し；
Ｘはメチル基、又は水素原子若しくはナトリウム原子を表し；
Ｚ_１はフェニルオキシ基を表し；
前記デンドリマーはＧＣｎ’で示され、ｎは前記定義のものである、
ＰＭＭＨ構造の式（８）に相当する、請求項５５に記載のデンドリマー。
下記諸式：

（式中、ＷはＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、前記デンドリマーは特に下記式（１０）で表されるＧＣ１’化合物：

に相当する）
で表される、請求項５０〜５６のいずれか一項に記載のデンドリマー。
下記式：

（式中、ＷはＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、Ｒは：

から選択される蛍光性の基を表す）
で表される、デンドリマーであって、
前記デンドリマーが特に下記諸式：

で表される化合物に相当するものである、請求項５０〜５５のいずれか一項に記載のデンドリマー。
下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、Ｑ_１及びＱ_２は、同一か又は異なり、Ｐ＝Ｓ又はシクロトリホスファゼン（Ｎ_３Ｐ_３）を表し、ｌは、Ｑ_２がＰ＝Ｓを表すときは２を、又はＱ_２がＮ_３Ｐ_３を表すときは５を表し、及びｋは、Ｑ_１がＰ＝Ｓを表すときは２を、又はＱ_１がＮ_３Ｐ_３を表すときは５を表す）で表されるビスホスホノ末端基を有するデンドリマーであって、前記デンドリマーは特に下記諸式：

によって表されるものであるデンドリマー。
下記式：

（式中、Ｒは：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
から選択される基を表す）
で表される、モノホスホノ又はビスホスホノ末端基を有するデンドリマー。
下記式：

（式中、Ｒは：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｓｉ_２Ｍｅ_６、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
から選択される基を表す）
で表される、ビスホスホノ末端基を有するデンドリマー。
下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
で表されるモノホスホノ末端基を有するデンドリマー。
下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
で表される、ビスホスホノ末端基を有するデンドリマー。
下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、ｋは、１、２又は３を表す）
で表される、ビスホスホノ末端基を有するデンドリマー。
下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表し、ｋは、０又は１を表す）
で表される、ビスホスホノ末端基を有するデンドリマー。
下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
で表される、ビスホスホノ末端基を有するデンドリマー。
下記式：

（式中、Ｗは、ＰＯ_３Ｍｅ_２、ＰＯ_３ＨＮａ、又はＰＯ_３Ｈ_２を表す）
で表される、ビスホスホノ末端基を有するデンドリマー。