JP2008506237A - Ｃｎｔエミッターのパターン化 - Google Patents

Abstract

ディスプレイデバイスにおけるカソードとしての使用のためのナノ粒子エミッターをパターン化するための工業的スケールの方法が開示される。低温の方法が、得られるディスプレイデバイスの良好な均一性とともに高容量適用で実施され得る。この方法のステップは、予備製作されたコンポジット構造の全面の上にＣＮＴエミッター材料の堆積、および物理的方法を用いる表面の所望されない部分からのＣＮＴエミッター材料の引き続く除去を含む。

Description

（技術分野）
本発明は、一般に電界放出、そして特に、電界放出用途に用いられるカーボンナノチューブのようなナノ粒子に関する。

（背景情報）
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、それらの驚くべき物理的、化学的、電子的、および機械的性質のため（非特許文献１）、多くの企業および機関によって調査されている。それらは、ディスプレイ、マイクロ波供給源、Ｘ線チューブのような多くの用途、および多くのその他の用途のための優れた冷電子供給源として用いられ得る。これは、それらの優れた電界放出性質および化学的不活性のためであり、これは、長い寿命に亘り、非常に安定な、低圧作動を可能にする（非特許文献２）。

多くの場合において、カーボンナノチューブエミッターは、マトリックス−アドレス可能な状態の下で作動するために基板の選択領域上に堆積される必要がある。カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイ適用には、ＣＮＴの画素サイズは、高解像度ディスプレイを作製するために約３０ミクロン程度の小ささであり得る。このような小さな寸法のＮｉ、Ｃｏ、およびＦｅのような触媒薄フィルムは、写真平板技法によって基板上にパターン化され得；化学的蒸着（ＣＶＤ）が、次いで、５００℃を超えてＣＮＴを成長するために利用される（非特許文献３）。しかし、このＣＶＤプロセスは、大きな面積に亘ってＣＮＴを成長するためには適していない。なぜなら、ディスプレイ用途に要求される高い均一性を達成することは非常に困難であるからである。ＣＮＴのＣＶＤ成長はまた、高いプロセス温度（５００℃を超える）を必要とし、ソーダ切開ガラスのような低コスト基板の使用を排除する。

その他の方法は、伝導性電極ラインパターン化基板の選択された領域上にプリントすることまたはスプレーすることを含む。ＣＮＴは、それらがバインダー、エポキシ、またはその他の必要な添加剤と混合される場合、パターン化されたメッシュスクリーンを通じてスクリーンプリントされ得る（非特許文献４）。ＣＮＴは、それらがＩＰＡ、アセトン、または水のような溶媒と混合される場合、シャドウマスクを通じて基板上にスプレーされ得る（非特許文献５）。これらの方法では、パターン化されたメッシュスクリーンまたはシャドウマスクのいずれかの偏向は、大面積に亘る電極ラインパターン化基板上へのＣＮＴ被覆を整列することを困難にする。例えば、多くのディスプレイ用途は、４０〜１００インチ対角プレートを必要とし得る。ＣＮＴエミッターを形成するための、ＣＮＴを含む感光性ペースト、および引き続くａ−Ｓｉマスク層の穴を通る背面側ＵＶ光曝露の適用が記載されている（非特許文献６）。しかし、感光性材料は非常に高価であり、そしてこのプロセスは、基板の背面側に特別の光学的材料を要求する。これは、大きな面積に亘って管理することが非常に困難である非常に複雑なプロセスを生じる。
Ｗａｌｔ Ａ．ｄｅ Ｈｅｅｒ、「Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ ａｎｄ Ｐｕｒｓｕｉｔ ｏｆ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」、ＭＲＳ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ２９（４）、２８１〜２８５（２００４） Ｚｖｉ Ｙａｎｉｖ、「ディスプレイおよびマイクロエレクトロニクス用途のためのカーボン電子放出フィルムの情勢」、Ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、２００２年１月２９〜３１日、ソウル、大韓民国 Ｚ．Ｆ．Ｒｅｎ、Ｚ．Ｐ．Ｈｕａｎｇ、Ｊ．Ｗ．Ｘｕら、「ガラス上の良好に整列されたカーボンナノチューブの大アレイの合成」、Ｓｃｉｅｎｃｅ ２８２、１１０５〜１１０７（１９９８） Ｄ．Ｓ．Ｃｈｕｎｇ、Ｗ．Ｂ．Ｃｈｏｉ、Ｊ．Ｈ．Ｋａｎｇら、「４．５インチ単一壁および複数壁カーボンナノチューブフィルムからの電界放出」、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１８（２）、１０５４〜１０５８（２０００） Ｄ．Ｓ．Ｍａｏ、Ｒ．Ｌ．Ｆｉｎｋ、Ｇ．Ｍｏｎｔｙら、「活性化を必要としないＦＥＤのための新規ＣＮＴコンポジット」、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｎｉｎｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｗｏｒｋｓｈｏｐｓ、広島、日本、１４１５頁、２００２年１２月４〜６日 Ｊ．Ｅ．Ｊｕｎｇ、Ｊ．Ｈ．Ｃｈｏｉ、Ｙ．Ｊ．Ｐａｒｋら、「電気メッキされたＮｉ壁構造を形成することによるダイオード放射の抑制を備えたトリオード型カーボンナノチューブ電界放出の開発」、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ２１（１）、３７５〜３８１（２００３）

上記の問題のすべては、ＣＮＴの種々の電界放出適用を妨害する。従って、費用有効的で、かつＣＮＴカソード材料の性質を分解しない、表面上の特定領域にＣＮＴエミッターを適用する低温方法に対する重要な必要性が当該技術分野に存在する。

（発明の要旨）
本発明は、大スケールの表面上でＣＮＴエミッターをパターン化するための低温の方法を提供することにより前述の必要性を取り扱う。本発明は、得られるディイスプレイデハイスの良好な均一性ととともに、高容量の工業的用途で実施され得る。本発明は、予備製作されたコンポジット構造の全面の上にＣＮＴエミッター材料の堆積、および物理的方法を用いるこの表面の所望されない部分からこのＣＮＴエミッター材料の除去を含む。

前述は、以下の本発明の詳細な説明がより良好に理解され得るために、本発明の特徴および技術的利点をむしろ広く概説している。本発明のさらなる特徴および利点は、本明細書で以後説明され、これらは本発明の請求項の主題を形成する。

（詳細な説明）
以下の説明においては、本発明の完全な理解を提供するために、特定の基板材料のような多くの特定の詳細が提示される。しかし、本発明は、このような特定の詳細なくして実施され得ることは当業者に自明である。その他の例では、周知の回路は、本発明を不必要な詳細で不明りょうにしないためにブロック図で示されている。大部分は、タイミング考慮などに関する詳細は、このような詳細が本発明の完全な理解を得るために必ずしも必要ではないので省略されており、そして当業者の技量の範囲内である。

ここで、図面を参照して、そこでは、描写された要素は、必ずしもスケール通りではなく、そして同様または類似の要素は、いくつかの図面を通じて同じ参照番号によって指定されている。

本発明は、大スケール表面上にＣＮＴエミッターをパターン化するための低温の方法を提供する。本発明は、得られるディスプレイデバイスの良好な均一性とともに工業的ステケールで実施され得る。

ＣＮＴの供給源には、精製された単一壁のカーボンナノチューブ、または（Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ、Ｉｎｃ．、Ｈｏｕｓｔｏｎ、ＴＸ、ＵＳＡから得られる）ＳＷＮＴが利用された。このＳＷＮＴは、直径が１〜２ｎｍ、および長さが１〜２０μｍであった。精製、非精製の単一壁、二重壁もしくは複数壁のカーボンナノチューブ、その他の供給源からのカーボンファイバーあるいはその他の種類のナノチューブおよびナノワイヤももた、本発明の実施形態を実施するために用いられ得る。

図１Ａ〜１Ｄは、本発明の１つの実施形態に従うコンポジットデバイスの構造の断面図の概略図、およびＣＮＴ堆積プロセス１００、１０１、１０２、１０３を示す。最初、２．５ｍｍ厚みの１２インチ×１２インチサイズのガラスプレートが基板１１０として選択された。セラミックプレートのような任意のその他の種類の絶縁性基板が用いられ得る。次いで、１つの実施形態では、Ａｇ電極ライン１２０の層が、スクリーンプリントプロセス１００を用いてその上にパターン化された。本発明の１つの実施形態では、Ａｇ電極ライン１２０の幅は４００μｍであり、その一方、最も近いＡｇラインの間のギャップは１２５μｍであった。別の例では、合計４８０のＡｇ電極ライン１２０が基板１１０上にパターン化された１００。銀の厚いペースト（Ｄｕｐｏｎ＃７７１３から得た）が、このＡｇ電極ライン１２０を堆積するために用いた材料であった１００。図１Ａ中に示されるような得られるコンポジット構造は、５２０℃で３０分間熱せられ、Ａｇペースト１２０中の有機溶媒を除去した。１つの例の方法では、このＡｇ電極ライン１２０の厚みは、６ミクロンであった。次に、５０ミクロンの絶縁性オーバーコート１３０を、図１Ａのコンポジット構造の表面上に被覆し、図１Ｂに示されるように、Ａｇ電極ライン１２０上にパターン化開放画素１２１を残した。この場合、画素１２１のサイズは、３４０μｍ×１０１５μｍであり、その一方、同じＡｇ電極ライン１２０上の最も近い２つの画素の間の距離は５６０μｍであり、そして最も近い２つのＡｇ電極ライン１２０間は２２５μｍであった。図２は、オーバーコート１３０堆積１０１を絶縁した後、Ａｇ電極ライン１２０上の開放画素１２１の概略図（平面図）を示す。現在の例では、画素１２１は、１０インチ×１０インチ領域上でパターン化され、この領域内には、４８０×１６０の総数の画素１２１があった。図１Ｂに示されるような得られるコンポジット構造は、オーバーコート１３０が、基板１１０およびＡｇライン１２０上にプリントされた後、５２０℃で３０分間熱せられた。

図１Ｃは、図１Ｂのコンポジット構造の表面上へのＣＮＴ１５０、１４０の堆積１０２を示す。本発明の別個の実施形態では、これらＣＮＴ１５０、１４０は、スプレーおよびスクリーンプリント法を用いて全体の被覆表面の上に堆積された１０２。本発明は、電気泳動堆積、浸漬、インクジェットプリント、分与、スピンコーティング、ブラッシング、または、図１Ｂのコンポジット構造の表面上にＣＮＴを堆積するための複数のその他の技法を用いるその他の実施形態で実施され得る。

本発明の１つの実施形態では、ＣＮＴ１０２の堆積は、１２×３６画素１２１のグリッドを含む、２ｃｍ×２ｃｍの領域上のスプレープロセスを用いて実施される。１分間あたり約５０〜６０回転で回転する単純なボールミルを用いてＣＮＴ粉末（Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｇｉｅｓ Ｉｎｃ．から得た）をそれを分散するために粉砕した。なぜなら、このＣＮＴ粉末は、多くのＣＮＴの塊（ｃｌｕｓｔｅｒ）および束（ｂｕｎｄｌｅ）を含んでいたからである。１つの例では、粉砕のために用いた１００のステンレス鋼５ｍｍ直径のボールとともに１ｇのＣＮＴを、２００〜３００ｍｌのＩＰＡと混合した。この混合物を、１〜１４日間粉砕し、カーボンナノチューブを十分に分散した。別の例では、ＣＮＴの分散を改良するために界面活性剤または類似の材料をこの混合物に付加的に添加し得る。

ＣＮＴは、粉砕または撹拌が停止されるとき容易に一緒に塊となるので、超音波ホーンまたは浴を用いて、それらを図１Ｃに示されるようにコンポジット構造上にスプレーすること１０２の前にＩＰＡ溶液中に再び分散する。本発明の１つの方法では、エアブラシを用いて、ＣＮＴ１４０、１５０を、図１Ｃに示されるようにコンポジット構造の表面上にスプレー１０２した。被覆の均一性および分散を改善するために、より多くのＩＰＡがスプレーする前に溶液に添加され得る。１つの事例では、このスプレーする溶液は、１０００ｍｌのＩＰＡ中に分散された約０．２ｇのＣＮＴを含んだ。１つの例示の方法では、図１Ｃに示されるようなコンポジット構造は、スプレーすることの間に前側面および後側面の両方で、約７０℃まで加熱され、ＩＰＡを迅速に蒸発させた。１の例では、スプレーすること１０２は、数十の層のスプレー溶液で繰り返し実施され、図１Ｃに示されるようなコンポジット構造の全表面を被覆した。１つのサンプルでは、ＣＮＴ層１０４、１０５の付与された厚みは約２〜５μｍであった。

図１Ｄ中の得られる構造によって示されるように、ＣＮＴ１４０、１５０が図１Ｂに示されるようなコンポジット構造の全表面上に堆積された１０２後、洗浄プロセス１０３を用いて、絶縁性オーバーコート１３０の頂部上のＣＮＴ層１４０を除去した。テープ１３０（一方の側３１１上の接着層および他方の側３１２上のプラスチック層）をキャリア媒体として用いてＣＮＴ層１４０を除去した。図３を参照して、テープ３１０は、積層プロセス３０１を用いて図１ＣにあるＣＮＴが被覆されたコンポジット構造に付与された。この積層プロセス３０１は、図１Ｃに示されるようにテープ３１０およびコンポジット構造と接触して２つの平行ローラー３３０、３３１を用いて実行され得る。このローラー３３０は、時計方向３３２に回転し、コンポジット構造の一方の側面上でテープ表面３１２と接触し、その一方、ローラー３３１は、反時計方向３３３に回転し、コンポジット構造の他方の側面上でガラス基板１１０の底と接触し、これは、図３中のローラー３２０に向かって引かれる。このコンポジット構造が一方の側から他方の側に２つのローラーを通過されるとき、力がテープ３１０に付与され、そしてこのテープをコンポジット構造上に均一に積層する。次に、テープ３１０は、テープ３１０に結合されたＣＮＴ材料１４０とともに剥がされる。１つの例示の方法では、透明テープ３１０（３Ｍ＃３３６）がＣＮＴ層１４０を剥ぎ取るために用いられた。表面３１０とＣＮＴ被覆１４１の表面との間に空気がないこと、またはテープ３１０中に泡またはふくれがないことを確実にするために注意が払われるべきである。本発明のその他の例の方法では、このテープ積層および除去プロセスは、必要に応じて繰り返され得る。

図４Ａは、ＣＮＴ１４０、１５０が付与される前の、図１Ｂに示されるような、コンポジット構造の平面図の光学顕微鏡写真である。図４Ｂは、ＣＮＴ１４０、１５０が付与された後の、図１Ｃに示されるような、コンポジット構造の平面図の光学顕微鏡写真である。図４Ｃは、テープ３１０で剥ぎ取った後の、図１Ｄに示されるようなコンポジット構造の平面図の光学顕微鏡写真である。図４Ａでは、開放画素１２１（白色領域）が明瞭に見える。画素１２１は、図４Ｂに見られ得るように、ＣＮＴ堆積１０２の後は黒色に見える。テープ処理による所望されないＣＮＴの除去は、図４Ｃに示される。図４Ｃでは、黒色領域が画素１５０および電極ラインにあるＣＮＴを表し、その一方、白色領域は、テープがその上に積層された表面１４１を表す。図４Ｃは、画素ウェル１２１中のＣＮＴ材料１５０が除去されなかったことを示す。

図１Ｄに示されるコンポジット構造の電界放出性質が、図５に示されるような、アノードとカソードとの間に約０．５ｍｍのギャップで、ダイオード形態にある蛍光物質スクリーンとともにサンプルをマウントすることにより試験された。試験アセンブリは減圧チャンバー内に配置され、そして１０^−７までポンプで引かれた。カソードの電気的性質を、次いで、負のパルス化電圧（ＡＣ）をカソードに印加し、その一方、アノードを接地電位に保持すること、そしてアノードで電流を測定することによって測定した。別の方法では、ＤＣ電位がまた、電界放出試験のために用いられ得る。データが収集されたサンプルについての放出電流、ｍＡ対電場のグラフを図６に示す。図７は、３０ｍＡの放出電流におけるサンプルの電界放出画像の写真である。本発明の方法を用い、すべての画素の電界放出画像が、図７に示されるように良好に規定される。

図１Ｂに示されるように、ＣＮＴは、スクリーンプリントプロセスを用いてコンポジット構造上に堆積された１０２。このスクリーンプリント方法には、３５５−メッシュのスクリーンを、制御された厚みをもつ基板上にＣＮＴペーストをプリントするために用いた。このスクリーンは、基板のパターン化された開放画素に一致するようにはパターン化されず、むしろ、スクリーンは、単一画素のメッシュスクリーンであり、ＣＮＴが、図１Ｂに示されるようなコンポジット構造上の全表面に亘ってプリントされ得る。

スクリーンプリントのために用いたＣＮＴペーストは、ＣＮＴ粉末を、ビヒクル（有機溶媒、Ｄａｅｊｏｏ Ｆｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．）、ガラスフリット（バインダー、Ｄａｅｊｏｏ Ｆｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．）、およびこのペーストの粘度を調節するためのシンナー（有機溶媒、ＤｕＰｏｎｔ）と混合することによって作製された。種々の組成物およびレシピが、本発明のその-他の実施例でＣＮＴペーストを混合するために実施され得る。

次に、ＣＮＴペーストを、約５ｃｍ×５ｃｍの領域に亘り（これは、この領域中で２４×７２画素に対応する）、基板上にプリントした。次いでサンプルを４５０℃で２０分間熱し、有機溶媒を除去した。種々の熱する温度および持続時間が、本発明とともに実施され得る。本実施例の方法では、ＣＮＴ被覆の厚みは、約４〜５μｍであった。

次に、スクリーンプリントによって付与されたオーバーコート絶縁層１３０の表面上にＣＮＴ層１４０が、スプレー被覆のために先に述べたのと同じテーピングプロセス３０１によってきれいにされた。スクリーンプリントされたサンプルの電界放出性質を、次いで、図５に示されるスプレー被覆のために先に述べたのと同じ形態によって試験した。図８は、放出電流、ｍＡ対電場Ｖ／μのグラフを示し、そして図９は、スクリーンプリントされたサンプルの３０ｍＡ放出電流における電界放出画像の写真である。

本発明の別の実施形態では、ＣＮＴペーストはまた、１０インチ×１０インチの領域で、図１Ｂに示されるようなコンポジット構造上にスクリーンプリントされた。先の実施例の方法に従って熱し、そしてテープクリーニングプロセスの後、このサンプルの電界放出性質がまた、先の実施例の方法を用いて試験された。この電界放出は、図９に示されるように、非常に均質であることが観察され、これは、１２０ｍＡで１０インチ×１０インチの領域の写真である。この画像中の暗い領域は、蛍光物質スクリーンの非均質性に起因する。

その他の実施例では、カーボンナノチューブ冷エミッターをパターン化するその他の方法または方法の組み合わせが実行され得る。ＣＮＴ層が、図１Ｂに示されるようなコンポジット構造の全表面上に堆積された後、ＣＮＴエミッターは、図１Ｂに示されるようなコンポジット構造の表面の所望されない領域からＣＮＴを除去することによりパターン化された。ＣＮＴが堆積されるコンポジット構造の特徴に依存して、ＣＮＴは、先に記載されたテーピングプロセスによってパターン化され得る。ＣＮＴが堆積されるコンポジット構造上でＣＮＴをパターン化するためのその他の方法は、上記表面から所望されないＣＮＴ層１４０を除去するためのサンドブラストまたはビーズブラストのような方法を含む。その他の実施例では、ＣＮＴがパターン化されるコンポジット構造は、異なり得る。

本発明の方法は、実用的かつ効率的な低温プロセスを提示し、これは、高容量の、得られるＣＮＴカソードエミッターの非常に良好な均一性を達成するための工業的スケールで実施され得る。

本発明を実施するための代表的なハードウェア環境は、図１１に示され、これは、従来のマイクロプロセッサーのような中央演算ユニット（ＣＰＵ）５１０、およびシステムバス５１２を経由して相互接続される多くのその他のユニットを有する本発明に従うデータ処理システム５１３の例示のハードウェア形態を示す。データ処理システム５１３は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）５１４、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）５１６、およびディスクユニット５２０およびテープデバイス５４０のような周辺デバイスをバス５１２に接続するための入力／出力（Ｉ／Ｏ）アダプター５１８、キーボード５２４、マウス５２６、および／またはタッチスクリーンデバイス（図示せず）のようなその他のユーザーインターフェースデバイスをバス５１２に接続するためのユーザーインターフェースアダプター５２２、データ処理システム５１３をデータ処理ネットワークに接続するための通信アダプター５３４、およびバス５１２をディスプレイデバイス５３８に接続するためのディスプレイアダプター５３６を含む。ＣＰＵ５１０は、本明細書中に示されないその他の回路を含み得、これは、マイクロプロセッサー内で一般に見出される回路、例えば、実行ユニット、バスインターフェース、算術論理ユニットなどを含む。ＣＰＵ５１０はまた、単一集積回路上に存在し得る。

図５は、上記で生成されたような、ダイオード形態にあるカソードを用いて作製された電界放出ディスプレイ５３８の一部を示す。このカソードに含まれるのは伝導層６０２である。アノードは、ガラス基板６１２、およびインジウム錫層６１３、およびカソード発光層６１４から構成され得る。電場は、アノードとカソードとの間に設定される。このようなディスプレイ５３８は、図１１に関して示されたようなデータ処理システム５１３内で利用され得る。

本発明、およびその利点のより完全な理解のために、添付の図面と組合せて以下の説明への参照がなされる。
図１Ａ〜１Ｄは、本発明の１つの実施形態によるＣＮＴ堆積プロセスおよび得られるコンポジット構造の断面図の概略を示す。 図２は、本発明の１つの実施形態による絶縁性オーバーコート体積後の開放画素の概略図である。 図３は、本発明の１つの実施形態による洗浄プロセスの概略図である。 図４Ａ〜４Ｃは、図１Ｂ〜１Ｄに示されるコンポジット構造の光学顕微鏡画像の写真である。 図５は、ダイオード形態にあるカソードを用いて作製された電界放出ディスプレイの一部を示す。 図６は、本発明の１つの実施形態によるサンプルから収集されたデータからのＩ−Ｖ曲線を示す。 図７は、本発明の１つの実施形態によるサプルからの電界放出の写真である。 図８は、本発明の１つの実施形態によるサンプルから収集されたデータからのＩ−Ｖ曲線を示す。 図９は、本発明の１つの実施形態によるサプルからの電界放出の写真である。 図１０は、本発明の１つの実施形態によるサプルからの電界放出の写真である。 図１１は、本発明の１つの実施形態に従った形態のデータプロセッシングシステムを示す。

Claims (10)

1. ナノ粒子電界エミッターをパターン化する方法であって：
   ナノ粒子電界エミッターをパターン化する構造物を提供する工程；
   該構造物の全面上にナノ粒子材料の均一層を堆積する工程；および
   物理的方法を用いて該構造物の面の所望されない領域からナノ粒子材料の層を除去する工程、を包含する、方法。
2. 前記堆積する工程が：
   スプレー；スクリーンプリント；電気泳動堆積；浸漬；インクジェットプリント；分与；スピンコーティング；ブラッシングおよびその任意の組み合わせ；からなる群から選択されるプロセスによって実施される、請求項１に記載の方法。
3. 前記ナノ粒子材料が：
   単一壁カーボンナノチューブ；二重壁カーボンナノチューブ；複数壁カーボンナノチューブ；バッキーチューブ；カボンフィブリル；化学的改変カーボンナノチューブ；誘導体化カーボンナノチューブ；金属カーボンナノチューブ；半導体カーボンナノチューブ；金属化カーボンナノチューブ；グラファイト；カーボンウィスカー；およびその任意の組み合わせ；からなる群から選択される材料を含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記ナノ粒子材料が：
   球形粒子；ディスク形状粒子；層状粒子；ロッド様粒子；金属粒子；半導体粒子；ポリマー粒子；セラミック粒子；誘電体粒子；粘土粒子；ファイバ；ナノ粒子；およびその任意の組み合わせ；からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
5. 前記ナノ粒子材料の層が、約１０ｎｍ〜約１ｍｍの範囲の厚みを有する、請求項１に記載の方法。
6. 前記構造物および前記ナノ粒子材料が、約１５０℃より高い温度に曝されない、請求項１に記載の方法。
7. 前記除去する工程が：
   テーピング；サンドブラスト；ビーズブラスト；ジェット；研削；研磨；機械的エッチング；引っ掻き；アブレーション；浸食；およびその任意の組み合わせ；からなる群から選択される物理的方法によって実施される、請求項１に記載の方法。
8. 前記構造物が、以下の工程：
   絶縁性のガラスまたはセラミック基板を提供する工程；および
   該基板の表面上にパターン化された層として堆積された電気伝導性材料を形成する工程、を包含する個々の層を付与するプロセスを用いて、個々の層を備えた半導体コンポジット構造として形成される、請求項１に記載の方法。
9. さらに：
   前記電気伝導性材料のパターン化された層の上の前記基板の表面上のパターン化された層として堆積された電気絶縁性材料を形成する工程をさらに包含する、請求項８に記載の方法。
10. 前記電気伝導性材料のパターン化が、標準的なスクリーンプリントプロセスで実施される、請求項８に記載の方法。

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