JP2008500681A - 揮発性メモリにおけるリフレッシュを制御するための方法およびシステム - Google Patents
揮発性メモリにおけるリフレッシュを制御するための方法およびシステム Download PDFInfo
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Abstract
【選択図】 図4
Description
本出願は、2004年5月21日に出願された米国仮出願第60/573,490号に対して優先権を主張している。
Claims (35)
- セルフリフレッシュモードおよびオートリフレッシュモードにおいて動作するように構成されたメモリであって、複数のメモリ位置をもつメモリと、
オートリフレッシュモードにおいて、メモリ位置の第1のものにアクセスし、一方でメモリ位置の第2のものがリフレッシュされるように構成されたメモリ制御装置とを含むメモリシステム。 - メモリが、複数のメモリバンクを含み、メモリ位置の第1のものが、メモリバンクの第1のものに位置し、メモリ位置の第2のものが、メモリバンクの第2のものに位置する請求項1記載のメモリシステム。
- メモリが、セルフリフレッシュモードにおいて複数のメモリアドレスを順序付けるように構成されたリフレッシュアドレスレジスタをさらに含み、メモリアドレスの各々が、セルフリフレッシュモードにおいてリフレッシュされるメモリ位置の1つに対応し、メモリ制御装置が、リフレッシュアドレスレジスタへのアクセスをもつ請求項1記載のメモリシステム。
- メモリが、リフレッシュアドレスレジスタに結合された読み出し可能レジスタをさらに含み、メモリ制御装置が、読み出し可能レジスタを介してリフレッシュアドレスレジスタへのアクセスをもつ請求項3記載のメモリシステム。
- 読み出し可能レジスタが、リフレッシュアドレスレジスタを含む請求項4記載のメモリシステム。
- メモリが、オートリフレッシュモードにおいて動作しているとき、リフレッシュアドレスレジスタ内のアドレスを使用するようにも構成されている請求項3記載のメモリシステム。
- メモリ制御装置が、オートリフレッシュモードにおいてオートリフレッシュコマンドをメモリへ与えるようにも構成されていて、メモリが、オートリフレッシュコマンドに応答して、リフレッシュアドレスレジスタ内のアドレスを変更するようにも構成されている請求項6記載のメモリシステム。
- メモリ制御装置が、セルフリフレッシュモードからオートリフレッシュモードへ遷移するときに、リフレッシュアドレスレジスタからアドレスをロードするように構成されたレジスタをさらに含む請求項3記載のメモリシステム。
- メモリ制御装置のレジスタが、オートリフレッシュモードにおいて複数のアドレスを順序付け、オートリフレッシュモードにおいてメモリ制御装置のレジスタ内のアドレスを使用して、メモリをリフレッシュするようにも構成されている請求項8記載のメモリシステム。
- メモリ制御装置が、オートリフレッシュモードからセルフリフレッシュモードへ遷移するときに、メモリ制御装置のレジスタ内のアドレスをメモリへ与えるようにも構成されている請求項9記載のメモリシステム。
- メモリが、メモリ制御装置から受信したアドレスを、リフレッシュアドレスレジスタにロードするようにも構成されている請求項10記載のメモリシステム。
- セルフリフレッシュモードおよびオートリフレッシュモードをもつメモリをリフレッシュする方法であって、メモリが複数のメモリ位置をもち、方法が、
オートリフレッシュモードにおいて動作している間に、メモリ制御装置にメモリ内のメモリ位置の第1のものへのアクセスを与え、一方でメモリ位置の第2のものがリフレッシュされることを含む方法。 - メモリが、複数のメモリバンクを含み、メモリ位置の第1のものが、メモリバンクの第1のものに位置し、メモリ位置の第2のものが、メモリバンクの第2のものに位置する請求項12記載の方法。
- メモリが、セルフリフレッシュモードにおいて複数のアドレスを順序付けるように構成されたリフレッシュアドレスレジスタをさらに含み、メモリアドレスの各々が、セルフリフレッシュモードにおいてリフレッシュされるメモリ位置の1つに対応し、方法が、
メモリ制御装置に、リフレッシュアドレスレジスタ内のアドレスへのアクセスを与えることを含む請求項12記載の方法。 - メモリ制御装置が、アドレスをメモリ内の読み出し可能レジスタにロードし、アドレスを読み出し可能レジスタからメモリ制御装置へ読み込むことによって、リフレッシュアドレスレジスタ内のアドレスへのアクセスを与えられる請求項14記載の方法。
- 読み出し可能レジスタがモードレジスタを含む請求項15記載の方法。
- リフレッシュアドレスレジスタが、オートリフレッシュモードにおいて複数のメモリアドレスを順序付けるようにも構成されていて、方法が、オートリフレッシュモードにおいて動作している間に、リフレッシュアドレスレジスタ内のアドレスを使用して、対応するメモリ位置をリフレッシュすることをさらに含む請求項14記載の方法。
- オートリフレッシュモードにおいて動作している間に、オートリフレッシュコマンドをメモリ制御装置からメモリへ与えることと、オートリフレッシュコマンドに応答して、リフレッシュアドレスレジスタ内のアドレスを変更することとをさらに含む請求項17記載の方法。
- オートリフレッシュモードの始めに、リフレッシュアドレスレジスタから、メモリ制御装置内のレジスタへアドレスをロードすることをさらに含む請求項14記載の方法。
- メモリ制御装置が、オートリフレッシュモードにおいて複数のメモリアドレスを順序付けるようにも構成されていて、方法が、オートリフレッシュモードにおいて動作している間に、メモリ制御装置のレジスタ内のアドレスを使用して、対応するメモリ位置をリフレッシュすることをさらに含む請求項19記載の方法。
- オートリフレッシュモードからセルフリフレッシュモードへ遷移することと、遷移中にメモリ制御装置のレジスタ内のアドレスをメモリに与えることとをさらに含む請求項20記載の方法。
- メモリによって受信されたアドレスを、メモリ制御装置からリフレッシュアドレスレジスタへロードすることをさらに含む請求項21記載の方法。
- セルフリフレッシュモードおよびオートリフレッシュモードにおいて動作するように構成されたメモリであって、
オートリフレッシュモードにおいて、メモリバンクの第1のものが、外部デバイスにとってアクセス可能であり、一方でメモリバンクの第2のものの中の1つ以上のメモリ位置が、リフレッシュされるように構成された複数のメモリバンクを含むメモリ。 - セルフリフレッシュモードにおいて複数のメモリアドレスを順序付けるように構成されたリフレッシュアドレスレジスタをさらに含むメモリであって、メモリアドレスの各々が、セルフリフレッシュモードにおいてリフレッシュされるメモリ位置の1つに対応し、リフレッシュアドレスレジスタが、外部デバイスにとってアクセス可能である請求項23記載のメモリ。
- 読み出し可能レジスタをさらに含むメモリであって、リフレッシュアドレスレジスタが、読み出し可能レジスタを介して外部デバイスにとってアクセス可能である請求項24記載のメモリ。
- 読み出し可能レジスタが、モードレジスタを含む請求項25記載のメモリ。
- リフレッシュされるメモリ位置の各1つのために、ストローブを生成するように構成されたストローブ生成器をさらに含み、ストローブ生成器が、セルフリフレッシュモード中に内部で制御され、メモリが、オートリフレッシュモードにおいてストローブ生成器の外部制御を与えるようにも構成されている請求項24記載のメモリ。
- セルフリフレッシュモード中にリフレッシュされるメモリ位置の各1つのために、リフレッシュストローブを生成するように構成されたリフレッシュストローブ生成器をさらに含むメモリであって、オートリフレッシュモード中にリフレッシュされるメモリ位置の各1つのために、外部デバイスからリフレッシュストローブを受信するようにも構成されている請求項24記載のメモリ。
- メモリが、オートリフレッシュモード中に外部デバイスから一連のメモリアドレスを受信するようにも構成されていて、受信したメモリアドレスの各々が、メモリ位置の対応するものをリフレッシュするために使用される請求項24記載のメモリ。
- リフレッシュアドレスレジスタが、外部デバイスからロード可能である請求項24記載のメモリ。
- オートリフレッシュモードおよびセルフリフレッシュモードにおいて、複数のメモリバンクをもつメモリを制御するように構成されたメモリ制御装置であって、メモリ制御装置が、
メモリにアクセスするためのメモリアドレスを記憶するように構成されたアドレス待ち行列と、
アドレス待ち行列から、メモリバンクの第1のものへのメモリアドレスと、メモリバンクの第2のものへのリフレッシュアドレスとを受信するように構成されたリフレッシュアドレス論理であって、メモリバンクの第1のものが、メモリバンクの第2のものと異なるときは、オートリフレッシュモードにおいて、メモリアドレスをアドレス待ち行列からメモリへ与えるようにも構成されたリフレッシュアドレス論理とを含むメモリ制御装置。 - リフレッシュアドレスが、オートリフレッシュモード中に、外部源によって制御される請求項31記載のメモリ制御装置。
- リフレッシュアドレスが、オートリフレッシュモードにおいて内部で制御される請求項31記載のメモリ制御装置。
- 記憶レジスタをさらに含むメモリ制御装置であって、記憶レジスタが、セルフリフレッシュモードからオートリフレッシュモードへの遷移中に、メモリからリフレッシュアドレスをロード可能である請求項33記載のメモリ制御装置。
- リフレッシュストローブを生成するように構成されたリフレッシュストローブ生成器をさらに含むメモリ制御装置であって、リフレッシュストローブが、オートリフレッシュモード中にメモリに与えられ、オートリフレッシュモード中に記憶レジスタ内のリフレッシュアドレスを変更するのに使用される請求項34記載のメモリ制御装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008525942A (ja) * | 2004-12-28 | 2008-07-17 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 有向自動リフレッシュ同期 |
KR20180063230A (ko) * | 2015-10-01 | 2018-06-11 | 퀄컴 인코포레이티드 | 메모리 제어기와 메모리 사이의 리프레시 타이머 동기화 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7088633B2 (en) * | 2004-05-27 | 2006-08-08 | Qualcomm Incorporated | Method and system for providing seamless self-refresh for directed bank refresh in volatile memories |
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US7184350B2 (en) * | 2004-05-27 | 2007-02-27 | Qualcomm Incorporated | Method and system for providing independent bank refresh for volatile memories |
US9384818B2 (en) * | 2005-04-21 | 2016-07-05 | Violin Memory | Memory power management |
US7590021B2 (en) * | 2007-07-26 | 2009-09-15 | Qualcomm Incorporated | System and method to reduce dynamic RAM power consumption via the use of valid data indicators |
WO2010123681A2 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | Rambus Inc. | Protocol for refresh between a memory controller and a memory device |
US20130042132A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image forming appratus, microcontroller, and methods for controlling image forming apparatus and microcontroller |
US9104420B2 (en) * | 2011-08-09 | 2015-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image forming apparatus, microcontroller, and methods for controlling image forming apparatus and microcontroller |
KR101962874B1 (ko) | 2012-04-24 | 2019-03-27 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 메모리 컨트롤러, 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
KR102023487B1 (ko) | 2012-09-17 | 2019-09-20 | 삼성전자주식회사 | 오토 리프레쉬 커맨드를 사용하지 않고 리프레쉬를 수행할 수 있는 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
KR102182381B1 (ko) * | 2013-12-11 | 2020-11-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 어드레스 저장회로, 메모리 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US10268405B2 (en) | 2016-03-17 | 2019-04-23 | Mediatek, Inc. | Dynamic rank switching for low power volatile memory |
US11315618B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-04-26 | Winbond Electronics Corp. | Memory storage device and operation method thereof |
WO2023043439A1 (en) * | 2021-09-15 | 2023-03-23 | Intel Corporation | Routing of memory transactions |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5938997B2 (ja) | 1979-05-15 | 1984-09-20 | 触媒化成工業株式会社 | コ−テイング組成物 |
JPS5938997A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | Nec Corp | 記憶装置 |
JPH10505728A (ja) | 1995-06-30 | 1998-06-02 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 高調波出力を有する可同調発振器 |
US5627791A (en) * | 1996-02-16 | 1997-05-06 | Micron Technology, Inc. | Multiple bank memory with auto refresh to specified bank |
WO1999046775A2 (en) | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Rambus, Inc. | Performing concurrent refresh and current control operations in a memory subsystem |
US6269433B1 (en) | 1998-04-29 | 2001-07-31 | Compaq Computer Corporation | Memory controller using queue look-ahead to reduce memory latency |
JP2000163956A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-06-16 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
DE69939152D1 (de) | 1999-01-11 | 2008-09-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Speicherschnittstellenvorrichtung und Verfahren zum Speicherzugriff |
JP4056173B2 (ja) * | 1999-04-14 | 2008-03-05 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置および該半導体記憶装置のリフレッシュ方法 |
JP2002008370A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2002367370A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6665224B1 (en) | 2002-05-22 | 2003-12-16 | Infineon Technologies Ag | Partial refresh for synchronous dynamic random access memory (SDRAM) circuits |
US7184350B2 (en) * | 2004-05-27 | 2007-02-27 | Qualcomm Incorporated | Method and system for providing independent bank refresh for volatile memories |
US7079440B2 (en) * | 2004-05-27 | 2006-07-18 | Qualcomm Incorporated | Method and system for providing directed bank refresh for volatile memories |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008525942A (ja) * | 2004-12-28 | 2008-07-17 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 有向自動リフレッシュ同期 |
US7953921B2 (en) | 2004-12-28 | 2011-05-31 | Qualcomm Incorporated | Directed auto-refresh synchronization |
KR20180063230A (ko) * | 2015-10-01 | 2018-06-11 | 퀄컴 인코포레이티드 | 메모리 제어기와 메모리 사이의 리프레시 타이머 동기화 |
KR102593418B1 (ko) * | 2015-10-01 | 2023-10-23 | 퀄컴 인코포레이티드 | 메모리 제어기와 메모리 사이의 리프레시 타이머 동기화 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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